JP2013005352A - 通信装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】遠方界の放射利得に寄与している、高周波結合器内で縦方向に流れる電流量を低減するために、グランド14のパターンの縦長の長さを短縮する。結合用電極11とグランド14が一体となって半波長ダイポール・アンテナのように動作することはなくなる。横方向に放射される遠方界の放射電磁界の強度を電波法の基準以下に抑制できるとともに、送信電力を近傍界の誘導電界を利用した近接無線転送に効率的に割り当てて十分な通信性能を確保することができる。
【選択図】 図4
Description
基板と、
前記基板上に導体パターンとして形成された結合用電極及びグランドからなる高周波結合器と、
前記結合用電極で送受信する高周波信号を処理する通信回路部と、
前記結合用電極に流れ込む電流量を増大するための共振部と、
を具備し、
前記高周波結合器は、縦長が横長よりも短く構成される、
通信装置である。
(2)遠方界である放射電磁界の発生による既存の他の通信システムへの影響を抑制する。
(1)基板と、前記基板上に導体パターンとして形成された結合用電極及びグランドからなる高周波結合器と、前記結合用電極で送受信する高周波信号を処理する通信回路部と、前記結合用電極に流れ込む電流量を増大するための共振部と、
を具備し、前記高周波結合器は、縦長が横長よりも短く構成される、通信装置。
(2)前記結合用電極に蓄えられた電荷の中心と前記グランドに蓄えられた鏡像電荷の中心を結ぶ線分からなる微小ダイポールを形成し、前記微小ダイポールの方向となす角θがほぼ0度となるように対向して配置された通信相手に向けて前記高周波信号を伝送する、上記(1)に記載の通信装置。
(3)前記高周波結合器の縦長は、前記高周波信号の半波長よりも十分短い、上記(1)に記載の通信装置。
(4)前記結合用電極と前記グランドは、前記基板上の同一の表面に形成される、上記(1)に記載の通信装置。
(5)前記基板は多層構造であり、前記結合用電極と前記グランドは、前記基板上の別の層に形成される、上記(1)に記載の通信装置。
(6)前記基板上に、前記高周波結合器の前記グランドとは分離された、第2のグランドをさらに備える、上記(1)に記載の通信装置。
(7)前記高周波結合器の前記グランドと前記第2のグランドは、前記基板上の同一の表面に形成され、スリットで分離される、上記(6)に記載の通信装置。
(8)前記第2のグランドには、前記共振部以外の前記基板上に実装された回路コンポーネントの接地に用いられる、上記(6)に記載の通信装置。
(9)前記通信装置はメモリーカードに内蔵され、前記基板は、メモリー及びメモリーカード用の回路コンポーネントが実装されたメモリーカード基板である、上記(1)乃至(8)のいずれかに記載の通信装置。
(10)前記通信装置は情報機器に内蔵され、前記基板は、前記情報機器の主要回路コンポーネントが実装された主要回路基板である、上記(1)乃至(8)のいずれかに記載の通信装置。
11…結合用電極
12…メモリーカード基板
14…グランド
14A…第1のグランド部分、14B…第2のグランド部分
14C…スリット
51…共振部
52…通信回路部
53…制御部
54…メモリー
90…高周波結合器
91…結合用電極
92…直列インダクター
93…並列インダクター
94…グランド
95…高周波信号伝送路
96…通信回路部
Claims (10)
- 基板と、
前記基板上に導体パターンとして形成された結合用電極及びグランドからなる高周波結合器と、
前記結合用電極で送受信する高周波信号を処理する通信回路部と、
前記結合用電極に流れ込む電流量を増大するための共振部と、
を具備し、
前記高周波結合器は、縦長が横長よりも短く構成される、
通信装置。 - 前記結合用電極に蓄えられた電荷の中心と前記グランドに蓄えられた鏡像電荷の中心を結ぶ線分からなる微小ダイポールを形成し、前記微小ダイポールの方向となす角θがほぼ0度となるように対向して配置された通信相手に向けて前記高周波信号を伝送する、
請求項1に記載の通信装置。 - 前記高周波結合器の縦長は、前記高周波信号の半波長よりも十分短い、
請求項1に記載の通信装置。 - 前記結合用電極と前記グランドは、前記基板上の同一の表面に形成される、
請求項1に記載の通信装置。 - 前記基板は多層構造であり、
前記結合用電極と前記グランドは、前記基板上の別の層に形成される、
請求項1に記載の通信装置。 - 前記基板上に、前記高周波結合器の前記グランドとは分離された、第2のグランドをさらに備える、
請求項1に記載の通信装置。 - 前記高周波結合器の前記グランドと前記第2のグランドは、前記基板上の同一の表面に形成され、スリットで分離される、
請求項6に記載の通信装置。 - 前記第2のグランドには、前記共振部以外の前記基板上に実装された回路コンポーネントの接地に用いられる、
請求項6に記載の通信装置。 - 前記通信装置はメモリーカードに内蔵され、
前記基板は、メモリー及びメモリーカード用の回路コンポーネントが実装されたメモリーカード基板である、
請求項1に記載の通信装置。 - 前記通信装置は情報機器に内蔵され、
前記基板は、前記情報機器の主要回路コンポーネントが実装された主要回路基板である、
請求項1に記載の通信装置。
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