JP2013004988A - スイッチング回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化物半導体層の主面上に互いに離間して配置された第1及び第2の主電極、及び前記第1の主電極と前記第2の主電極間で前記主面上に配置された制御電極を有するスイッチング素子TSWと、コレクタ端子とエミッタ端子と制御端子とを有する第1の駆動素子TD1及び入力端子を含む駆動回路10と、を備え、前記第1の駆動素子の前記コレクタ端子は前記スイッチング素子の前記第1の主電極に接続され、前記第1の駆動素子の前記エミッタ端子は前記スイッチング素子の前記制御電極に接続され、前記第1の駆動素子の前記制御端子は前記入力端子及び前記エミッタ端子に接続される。
【選択図】図1
Description
本発明の第1の実施形態に係るスイッチング回路1は、スイッチング素子TSWと、スイッチング素子TSWを駆動する駆動回路10とを備える。スイッチング素子TSWは、窒化物半導体層の主面上に互いに離間して配置されたドレイン電極DSWとソース電極SSW、及び、ドレイン電極DSWとソース電極SSW間で窒化物半導体層の主面上に配置されたゲート電極GSWを有する。スイッチング素子TSWのドレイン電極DSWとソース電極SSWは、ドレイン端子Dとソース端子Sにそれぞれ接続されている。
本発明の第2の実施形態に係るスイッチング回路1は、図4に示すように、入力端子IN_HとIN_Lとを備え、第2の駆動素子TD2を備える。入力端子IN_Hは第1のスイッチング素子TD1のゲート電極GD1とゲート抵抗R1とに接続され、入力端子IN_Lは第2のスイッチング素子TD2のゲート電極GD2に接続される。第2の駆動素子TD2のドレイン電極DD2は、スイッチング素子TSWのゲート電極GSWが接続され、ソース電極SD2にスイッチング素子TSWのソース電極SSWが接続されている。
図6に本発明の第2の実施形態の変形例に係るスイッチング回路1を示す。図6に示したスイッチング回路1では、第1の駆動素子TD1のエミッタ電極ED1とスイッチング素子TSWのゲート電極GSWとの間に第3の駆動素子TD3を備える。第3の駆動素子TD3のドレイン電極DD3は、第1の駆動素子TD1のエミッタ電極ED1に接続され、ソース電極SD3は、スイッチング素子TSWのゲート電極GSWに接続され、ゲート電極GD3は、ドレイン電極DD3に接続される。
10 駆動回路
D ドレイン端子
S ソース端子
IN_H、IN_L、IN 入力端子
R1 ゲート抵抗
TSW…スイッチング素子
TD1…第1の駆動素子
TD2…第2の駆動素子
TD3…第3の駆動素子
Claims (5)
- 窒化物半導体層の主面上に互いに離間して配置された第1及び第2の主電極、及び前記第1の主電極と前記第2の主電極間で前記主面上に配置された制御電極を有するスイッチング素子と、
コレクタ端子とエミッタ端子と制御端子とを有する第1の駆動素子及び入力端子を含む駆動回路と、を備え、
前記第1の駆動素子の前記コレクタ端子は前記スイッチング素子の前記第1の主電極に接続され、前記第1の駆動素子の前記エミッタ端子は前記スイッチング素子の前記制御電極に接続され、前記第1の駆動素子の前記制御端子は前記入力端子及び前記エミッタ端子に接続されることを特徴とするスイッチング回路。 - 前記第1の駆動素子の耐圧は前記スイッチング素子の耐圧よりも低いことを特徴とする請求項1に記載のスイッチング回路。
- 前記駆動回路は第2の駆動素子を含み、前記第2の駆動素子の第1の主端子は前記スイッチング素子の前記制御電極に接続され、前記第2の駆動素子の第2の主端子は前記スイッチング素子の前記第2の主電極に接続されることを特徴とする請求項1又は2に記載のスイッチング回路。
- 前記駆動回路は第3の駆動素子を含み、前記第3の駆動素子の第1の主端子は前記エミッタ端子に接続され、前記第3の駆動素子の第2の主端子は前記スイッチング素子の前記制御電極に接続され、前記第3の駆動素子は前記第2の主端子から前記第1の主端子に流れる電流を阻止する機能を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のスイッチング回路。
- 前記第1の駆動素子の飽和領域特性は前記第2の駆動素子の線形領域特性よりも良いことを特徴とする請求項3に記載のスイッチング回路。
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