JP2013004774A - 圧接型大電力用サイリスタモジュールおよびその製造方法ならびにその使用方法 - Google Patents

Abstract

【課題】水冷設備を準備できない使用環境でサイリスタチップを冷却する。
【解決手段】サイリスタチップ113,123を具備する圧接型大電力用サイリスタモジュール100において、複数の放熱フィン1bを有するヒートシンク1のベース部分1aに対して絶縁板11とコモンバー12とアノードサブスペーサ181とサイリスタチップ113とカソードサブスペーサ183とカソードスペーサ14とカソード端子バー18とを圧接手段19によって上下方向に圧接し、ヒートシンク1のベース部分1aに対して絶縁板21とコモンバー12とカソードスペーサ24とカソードサブスペーサ193とサイリスタチップ123とアノードサブスペーサ191とアノード端子バー22とを圧接手段29によって上下方向に圧接した。
【選択図】図２

Description

本発明は、圧接型大電力用サイリスタモジュールおよびその製造方法ならびにその使用方法に関し、特には、冷却水の循環設備などを含む水冷設備を準備できない使用環境においてもサイリスタチップを冷却することができる圧接型大電力用サイリスタモジュールおよびその製造方法ならびにその使用方法に関する。

更に、本発明は、モジュール全体を小型化し、モジュール全体のコストを削減することができる圧接型大電力用サイリスタモジュールおよびその製造方法ならびにその使用方法に関する。

従来から、サイリスタチップを具備する圧接型大電力用サイリスタモジュールが知られている。この種の圧接型大電力用サイリスタモジュールの例としては、例えば特許文献１（特開２００９−１８２１５２号公報）に記載されたものがある。

特許文献１に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、放熱板上に絶縁板が配置されている。また、コモンバーが絶縁板上に配置されている。更に、概略四角形の導電性アノードサブスペーサと、導電性アノードサブスペーサを包囲する絶縁性アノードサブスペーサホルダとが、コモンバー上に配置されている。また、下面にアノード電極を有し、上面の中心部分にゲート電極を有し、ゲート電極の周りにカソード電極を有し、導電性アノードサブスペーサよりも大きい概略四角形のサイリスタチップが設けられている。更に、サイリスタチップのアノード電極と導電性アノードサブスペーサとが対向するように、サイリスタチップが導電性アノードサブスペーサおよび絶縁性アノードサブスペーサホルダの上に配置されている。また、サイリスタチップのゲート電極に対向する位置に円形の穴を有し、サイリスタチップよりも小さい概略四角形の導電性カソードサブスペーサが設けられている。

更に、特許文献１に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、導電性カソードサブスペーサとサイリスタチップのカソード電極とが対向するように、導電性カソードサブスペーサと、導電性カソードサブスペーサを包囲する絶縁性カソードサブスペーサホルダとが、サイリスタチップのカソード電極および絶縁性アノードサブスペーサホルダの上に配置されている。また、サイリスタチップのゲート電極に対向する位置に円形の穴を有する環状の導電性カソードスペーサが導電性カソードサブスペーサおよび絶縁性カソードサブスペーサホルダの上に配置されている。更に、コイルバネ型ゲート電極信号線のコイル部分がサイリスタチップのゲート電極上に配置されている。

また、特許文献１に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、コイルバネ型ゲート電極信号線のコイル部分と概略相補形状の円形の穴と、環状の導電性カソードスペーサの穴と嵌合する外周面とを有する環状の絶縁性ゲートスペーサが設けられている。更に、環状の絶縁性ゲートスペーサが環状の導電性カソードスペーサとコイルバネ型ゲート電極信号線のコイル部分との間に配置されている。また、コイルバネ型ゲート電極信号線のコイル部分の上端が水平方向に延ばされると共に、その水平方向に延ばされた部分が絶縁被覆されている。更に、コイルバネ型ゲート電極信号線の水平方向に延ばされた部分の先端側部分が、導電性カソードスペーサの上面に形成された収容溝内に収容されている。また、環状の導電性カソードスペーサの穴と嵌合する外周面を有する円形の絶縁性ゲートスペーサが、コイルバネ型ゲート電極信号線および環状の絶縁性ゲートスペーサの上に配置されている。更に、コイルバネ型ゲート電極信号線のコイル部分の上端および水平方向に延ばされた部分の根元側部分が、絶縁性ゲートスペーサの下面に形成された収容溝内に収容されている。

また、特許文献１に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、コイルバネ型ゲート電極信号線の水平方向に延ばされた部分の根元側部分が、環状の絶縁性ゲートスペーサの上面と円形の絶縁性ゲートスペーサの収容溝の天井面とによって挟持されている。更に、カソード端子バーと環状の導電性カソードスペーサとが対向するように、カソード端子バーが環状の導電性カソードスペーサおよび円形の絶縁性ゲートスペーサの上に配置されている。また、それらが圧接手段によって上下方向に圧接されている。

特開２００９−１８２１５２号公報

特許文献１に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、サイリスタチップが発生した熱が、導電性アノードサブスペーサ、コモンバー、絶縁板などを介して放熱板に伝熱され、その結果、放熱板内を循環せしめられている冷却水によってサイリスタチップが冷却される。すなわち、特許文献１に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、サイリスタチップが水冷によって冷却される。

詳細には、特許文献１に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールは例えば溶接機に用いられる。ところで、溶接機の需要は、冷却水の循環設備などを含む水冷設備を準備できる使用環境のみならず、水冷設備を準備できない使用環境においても存在する。ところが、特許文献１に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールは、水冷設備を準備できない使用環境において用いられる溶接機などに対して適用することができない。

前記問題点に鑑み、本発明は、冷却水の循環設備などを含む水冷設備を準備できない使用環境においてもサイリスタチップを冷却することができる圧接型大電力用サイリスタモジュールおよびその製造方法ならびにその使用方法を提供することを目的とする。

詳細には、本発明は、水冷式の圧接型大電力用サイリスタモジュールよりも、モジュール全体を小型化し、モジュール全体のコストを削減することができる圧接型大電力用サイリスタモジュールおよびその製造方法ならびにその使用方法を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明によれば、複数の放熱フィン（１ｂ）を有するヒートシンク（１）のベース部分（１ａ）上に絶縁板（１１）を配置し、
コモンバー（１２）を絶縁板（１１）上に配置し、
概略四角形の導電性アノードサブスペーサ（１８１）と、導電性アノードサブスペーサ（１８１）を包囲する絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）とを、コモンバー（１２）上に配置し、
下面にアノード電極（１１３ａ）を有し、上面の中心部分にゲート電極（１１３ｂ）を有し、ゲート電極（１１３ｂ）の周りにカソード電極（１１３ｃ）を有し、導電性アノードサブスペーサ（１８１）よりも大きい概略四角形のサイリスタチップ（１１３）を設け、
サイリスタチップ（１１３）のアノード電極（１１３ａ）と導電性アノードサブスペーサ（１８１）とが対向するように、サイリスタチップ（１１３）を導電性アノードサブスペーサ（１８１）および絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）の上に配置し、
サイリスタチップ（１１３）のゲート電極（１１３ｂ）に対向する位置に円形の穴（１８３ａ）を有し、サイリスタチップ（１１３）よりも小さい概略四角形の導電性カソードサブスペーサ（１８３）を設け、
導電性カソードサブスペーサ（１８３）とサイリスタチップ（１１３）のカソード電極（１１３ｃ）とが対向するように、導電性カソードサブスペーサ（１８３）と、導電性カソードサブスペーサ（１８３）を包囲する絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）とを、サイリスタチップ（１１３）のカソード電極（１１３ｃ）および絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）の上に配置し、
サイリスタチップ（１１３）のゲート電極（１１３ｂ）に対向する位置に円形の穴（１４ａ）を有する環状の導電性カソードスペーサ（１４）を導電性カソードサブスペーサ（１８３）および絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）の上に配置し、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）をサイリスタチップ（１１３）のゲート電極（１１３ｂ）上に配置し、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）と概略相補形状の円形の穴（３１６ｄ）と、環状の導電性カソードスペーサ（１４）の穴（１４ａ）と嵌合する外周面（３１６ｃ）とを有する環状の絶縁性ゲートスペーサ（３１６）を設け、
環状の絶縁性ゲートスペーサ（３１６）を環状の導電性カソードスペーサ（１４）とコイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）との間に配置し、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）の上端を水平方向に延ばすと共に、その水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）を絶縁被覆し、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）の水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の先端側部分（１５ｂ１）を、導電性カソードスペーサ（１４）の上面に形成された収容溝（１４ｂ）内に収容し、
環状の導電性カソードスペーサ（１４）の穴（１４ａ）と嵌合する外周面（３１７ｃ）を有する円形の絶縁性ゲートスペーサ（３１７）を、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）および環状の絶縁性ゲートスペーサ（３１６）の上に配置し、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）の上端および水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の根元側部分（１５ｂ２）を、円形の絶縁性ゲートスペーサ（３１７）の下面（３１７ｂ）に形成された収容溝（３１７ｄ）内に収容し、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）の水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の根元側部分（１５ｂ２）を、環状の絶縁性ゲートスペーサ（３１６）の上面（３１６ａ）と円形の絶縁性ゲートスペーサ（３１７）の収容溝（３１７ｄ）の天井面（３１７ｄ１）とによって挟持し、
カソード端子バー（１８）と環状の導電性カソードスペーサ（１４）とが対向するように、カソード端子バー（１８）を環状の導電性カソードスペーサ（１４）および円形の絶縁性ゲートスペーサ（３１７）の上に配置し、
それらを圧接手段（１９）によって上下方向に圧接し、
ヒートシンク（１）のベース部分（１ａ）とコモンバー（１２）との間に絶縁板（２１）を配置し、
円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）をコモンバー（１２）上に配置し、
コイル部分（１１５ａ）を有するコイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）を設け、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）の下端を水平方向に延ばすと共に、その水平方向に延ばされた部分（１１５ｂ）を絶縁被覆し、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）の下端および水平方向に延ばされた部分（１１５ｂ）の根元側部分（１１５ｂ２）を、円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）の上面（３２７ｂ）に形成された収容溝（３２７ｄ）内に収容し、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）と概略相補形状の円形の穴（３２６ｄ）を有する環状の絶縁性ゲートスペーサ（３２６）を設け、
環状の絶縁性ゲートスペーサ（３２６）を、円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）の上であって、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）の周りに配置し、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）の水平方向に延ばされた部分（１１５ｂ）の根元側部分（１１５ｂ２）を、環状の絶縁性ゲートスペーサ（３２６）の下面（３２６ａ）と円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）の収容溝（３２７ｄ）の底面（３２７ｄ１）とによって挟持し、
円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）の外周面（３２７ｃ）および環状の絶縁性ゲートスペーサ（３２６）の外周面（３２６ｃ）と嵌合する穴（２４ａ）を有する環状の導電性カソードスペーサ（２４）を設け、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）の水平方向に延ばされた部分（１１５ｂ）の先端側部分（１１５ｂ１）が、導電性カソードスペーサ（２４）の下面に形成された収容溝（２４ｂ）内に収容されるように、環状の導電性カソードスペーサ（２４）を、コモンバー（１２）およびコイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）の水平方向に延ばされた部分（１１５ｂ）の先端側部分（１１５ｂ１）の上であって、円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）および環状の絶縁性ゲートスペーサ（３２６）の周りに配置し、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）を包囲する円形の穴（１９３ａ）を有する概略四角形の導電性カソードサブスペーサ（１９３）と、導電性カソードサブスペーサ（１９３）を包囲する絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１９４）とを設け、
概略四角形の導電性カソードサブスペーサ（１９３）と環状の導電性カソードスペーサ（２４）とが対向するように、概略四角形の導電性カソードサブスペーサ（１９３）と絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１９４）とを環状の導電性カソードスペーサ（２４）上に配置し、
上面にアノード電極（１２３ａ）を有し、下面の中心部分にゲート電極（１２３ｂ）を有し、ゲート電極（１２３ｂ）の周りにカソード電極（１２３ｃ）を有し、導電性カソードサブスペーサ（１９３）よりも大きい概略四角形のサイリスタチップ（１２３）を設け、
サイリスタチップ（１２３）のゲート電極（１２３ｂ）とコイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）とが対向し、かつ、サイリスタチップ（１２３）のカソード電極（１２３ｃ）と導電性カソードサブスペーサ（１９３）とが対向するように、サイリスタチップ（１２３）をコイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）、導電性カソードサブスペーサ（１９３）および絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１９４）の上に配置し、
サイリスタチップ（１２３）よりも小さい概略四角形の導電性アノードサブスペーサ（１９１）と、導電性アノードサブスペーサ（１９１）を包囲する絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１９２）とを設け、
導電性アノードサブスペーサ（１９１）とサイリスタチップ（１２３）のアノード電極（１２３ａ）とが対向するように、導電性アノードサブスペーサ（１９１）と絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１９２）とを、サイリスタチップ（１２３）のアノード電極（１２３ａ）および絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１９４）の上に配置し、
アノード端子バー（２２）と導電性アノードサブスペーサ（１９１）とが対向するように、アノード端子バー（２２）を導電性アノードサブスペーサ（１９１）および絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１９２）の上に配置し、
それらを圧接手段（２９）によって上下方向に圧接したことを特徴とする圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）が提供される。

請求項２に記載の発明によれば、ヒートシンク（１）のうち、サイリスタチップ（１１３）に対向する部分を冷却するためのファン（ＦＮ１）と、ヒートシンク（１）のうち、サイリスタチップ（１２３）に対向する部分を冷却するためのファン（ＦＮ２）とを別個に設けたことを特徴とする請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）が提供される。

請求項３に記載の発明によれば、ファン（ＦＮ１）の風量よりもファン（ＦＮ２）の風量を多くしたことを特徴とする請求項２に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）が提供される。

請求項４に記載の発明によれば、ヒートシンク（１）の四角形のベース部分（１ａ）の４つの側面（１ａ３，１ａ４，１ａ５，１ａ６）のうち、放熱フィン（１ｂ）の稜線方向に平行な２つの側面（１ａ３，１ａ４）に対して２つの概略Ｌ字状の接続部材（２Ｒ，２Ｌ）の鉛直部分（２Ｒ１，２Ｌ１）を接続し、
２つの接続部材（２Ｒ，２Ｌ）の水平部分（２Ｒ２，２Ｌ２）の下面（２Ｒ２ａ，２Ｌ２ａ）を、複数の放熱フィン（１ｂ）の先端部を含む平面と同一平面上に配置するか、あるいは、複数の放熱フィン（１ｂ）の先端部を含む平面よりも下側に突出させたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）が提供される。

請求項５に記載の発明によれば、ナット（８０ａ）を収容するための凹部（５１ｇ）を有する外囲ケース（５１）をヒートシンク（１）のベース部分（１ａ）上に固定し、次いで、
ナット（８０ａ）が収容された外囲ケース（５１）によって水平方向に位置決めされた絶縁板（１１）、コモンバー（１２）、導電性アノードサブスペーサ（１８１）、サイリスタチップ（１１３）、導電性カソードサブスペーサ（１８３）、導電性カソードスペーサ（１４）およびカソード端子バー（１８）を、圧接手段（１９）によって上下方向に圧接すると共に、外囲ケース（５１）によって水平方向に位置決めされた絶縁板（２１）、コモンバー（１２）、導電性カソードスペーサ（２４）、導電性カソードサブスペーサ（１９３）、サイリスタチップ（１２３）、導電性アノードサブスペーサ（１９１）およびアノード端子バー（２２）を、圧接手段（２９）によって上下方向に圧接し、次いで、
蓋体（５２）を外囲ケース（５１）上に固定し、次いで、
カソード端子バー（１８）の上端部を第１の向きに折り曲げると同時に、アノード端子バー（２２）の上端部を第１の向きとは逆向きの第２の向きに折り曲げ、蓋体（５２）の凹部（５２ａ）に収容されたナット（８０ｂ）をカソード端子バー（１８）の上端部によって覆うと共に、蓋体（５２）の凹部（５２ｂ）に収容されたナット（８０ｃ）をアノード端子バー（２２）の上端部によって覆うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の製造方法が提供される。

請求項６に記載の発明によれば、圧接手段（１９）による圧接および圧接手段（２９）による圧接を行う前に、２つの接続部材（２Ｒ，２Ｌ）の鉛直部分（２Ｒ１，２Ｌ１）をヒートシンク（１）のベース部分（１ａ）に接続し、次いで、
２つの接続部材（２Ｒ，２Ｌ）の水平部分（２Ｒ２，２Ｌ２）を冶具に対して接続した状態で、圧接手段（１９）による圧接および圧接手段（２９）による圧接、並びに、カソード端子バー（１８）の上端部およびアノード端子バー（２２）の上端部の折り曲げを行うことを特徴とする請求項４に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の製造方法が提供される。

請求項７に記載の発明によれば、冶具から取り外された２つの接続部材（２Ｒ，２Ｌ）の水平部分（２Ｒ２，２Ｌ２）が圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の取り付け対象に対して接続されることを特徴とする請求項６に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の使用方法が提供される。

請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、複数の放熱フィン（１ｂ）を有するヒートシンク（１）のベース部分（１ａ）上に絶縁板（１１）が配置されている。また、コモンバー（１２）が絶縁板（１１）上に配置されている。更に、概略四角形の導電性アノードサブスペーサ（１８１）と、導電性アノードサブスペーサ（１８１）を包囲する絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）とが、コモンバー（１２）上に配置されている。

また、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、下面にアノード電極（１１３ａ）を有し、上面の中心部分にゲート電極（１１３ｂ）を有し、ゲート電極（１１３ｂ）の周りにカソード電極（１１３ｃ）を有し、導電性アノードサブスペーサ（１８１）よりも大きい概略四角形のサイリスタチップ（１１３）が設けられている。更に、サイリスタチップ（１１３）のアノード電極（１１３ａ）と導電性アノードサブスペーサ（１８１）とが対向するように、サイリスタチップ（１１３）が導電性アノードサブスペーサ（１８１）および絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）の上に配置されている。また、サイリスタチップ（１１３）のゲート電極（１１３ｂ）に対向する位置に円形の穴（１８３ａ）を有し、サイリスタチップ（１１３）よりも小さい概略四角形の導電性カソードサブスペーサ（１８３）が設けられている。

更に、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、導電性カソードサブスペーサ（１８３）とサイリスタチップ（１１３）のカソード電極（１１３ｃ）とが対向するように、導電性カソードサブスペーサ（１８３）と、導電性カソードサブスペーサ（１８３）を包囲する絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）とが、サイリスタチップ（１１３）のカソード電極（１１３ｃ）および絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）の上に配置されている。また、サイリスタチップ（１１３）のゲート電極（１１３ｂ）に対向する位置に円形の穴（１４ａ）を有する環状の導電性カソードスペーサ（１４）が導電性カソードサブスペーサ（１８３）および絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）の上に配置されている。更に、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）がサイリスタチップ（１１３）のゲート電極（１１３ｂ）上に配置されている。

また、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）と概略相補形状の円形の穴（３１６ｄ）と、環状の導電性カソードスペーサ（１４）の穴（１４ａ）と嵌合する外周面（３１６ｃ）とを有する環状の絶縁性ゲートスペーサ（３１６）が設けられている。更に、環状の絶縁性ゲートスペーサ（３１６）が環状の導電性カソードスペーサ（１４）とコイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）との間に配置されている。また、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）の上端が水平方向に延ばされると共に、その水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）が絶縁被覆されている。

更に、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）の水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の先端側部分（１５ｂ１）が、導電性カソードスペーサ（１４）の上面に形成された収容溝（１４ｂ）内に収容されている。また、環状の導電性カソードスペーサ（１４）の穴（１４ａ）と嵌合する外周面（３１７ｃ）を有する円形の絶縁性ゲートスペーサ（３１７）が、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）および環状の絶縁性ゲートスペーサ（３１６）の上に配置されている。更に、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）の上端および水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の根元側部分（１５ｂ２）が、円形の絶縁性ゲートスペーサ（３１７）の下面（３１７ｂ）に形成された収容溝（３１７ｄ）内に収容されている。

また、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）の水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の根元側部分（１５ｂ２）が、環状の絶縁性ゲートスペーサ（３１６）の上面（３１６ａ）と円形の絶縁性ゲートスペーサ（３１７）の収容溝（３１７ｄ）の天井面（３１７ｄ１）とによって挟持されている。更に、カソード端子バー（１８）と環状の導電性カソードスペーサ（１４）とが対向するように、カソード端子バー（１８）が環状の導電性カソードスペーサ（１４）および円形の絶縁性ゲートスペーサ（３１７）の上に配置されている。また、それらが圧接手段（１９）によって上下方向に圧接されている。

つまり、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、サイリスタチップ（１１３）が発生した熱が、導電性アノードサブスペーサ（１８１）、コモンバー（１２）、絶縁板（１１）などを介してヒートシンク（１）のベース部分（１ａ）に伝熱され、ヒートシンク（１）の放熱フィン（１ｂ）から放熱される。

すなわち、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、サイリスタチップ（１１３）がヒートシンク（１）によって空冷される。

更に、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、ヒートシンク（１）のベース部分（１ａ）とコモンバー（１２）との間に絶縁板（２１）が配置されている。また、円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）がコモンバー（１２）上に配置されている。更に、コイル部分（１１５ａ）を有するコイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）が設けられている。

また、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）の下端が水平方向に延ばされると共に、その水平方向に延ばされた部分（１１５ｂ）が絶縁被覆されている。更に、コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）の下端および水平方向に延ばされた部分（１１５ｂ）の根元側部分（１１５ｂ２）が、円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）の上面（３２７ｂ）に形成された収容溝（３２７ｄ）内に収容されている。また、コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）と概略相補形状の円形の穴（３２６ｄ）を有する環状の絶縁性ゲートスペーサ（３２６）が設けられている。

更に、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、環状の絶縁性ゲートスペーサ（３２６）が、円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）の上であって、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）の周りに配置されている。また、コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）の水平方向に延ばされた部分（１１５ｂ）の根元側部分（１１５ｂ２）が、環状の絶縁性ゲートスペーサ（３２６）の下面（３２６ａ）と円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）の収容溝（３２７ｄ）の底面（３２７ｄ１）とによって挟持されている。更に、円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）の外周面（３２７ｃ）および環状の絶縁性ゲートスペーサ（３２６）の外周面（３２６ｃ）と嵌合する穴（２４ａ）を有する環状の導電性カソードスペーサ（２４）が設けられている。

また、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）の水平方向に延ばされた部分（１１５ｂ）の先端側部分（１１５ｂ１）が、導電性カソードスペーサ（２４）の下面に形成された収容溝（２４ｂ）内に収容されるように、環状の導電性カソードスペーサ（２４）が、コモンバー（１２）およびコイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）の水平方向に延ばされた部分（１１５ｂ）の先端側部分（１１５ｂ１）の上であって、円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）および環状の絶縁性ゲートスペーサ（３２６）の周りに配置されている。更に、コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）を包囲する円形の穴（１９３ａ）を有する概略四角形の導電性カソードサブスペーサ（１９３）と、導電性カソードサブスペーサ（１９３）を包囲する絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１９４）とが設けられている。また、概略四角形の導電性カソードサブスペーサ（１９３）と環状の導電性カソードスペーサ（２４）とが対向するように、概略四角形の導電性カソードサブスペーサ（１９３）と絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１９４）とが環状の導電性カソードスペーサ（２４）上に配置されている。

更に、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、上面にアノード電極（１２３ａ）を有し、下面の中心部分にゲート電極（１２３ｂ）を有し、ゲート電極（１２３ｂ）の周りにカソード電極（１２３ｃ）を有し、導電性カソードサブスペーサ（１９３）よりも大きい概略四角形のサイリスタチップ（１２３）が設けられている。また、サイリスタチップ（１２３）のゲート電極（１２３ｂ）とコイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）とが対向し、かつ、サイリスタチップ（１２３）のカソード電極（１２３ｃ）と導電性カソードサブスペーサ（１９３）とが対向するように、サイリスタチップ（１２３）がコイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）、導電性カソードサブスペーサ（１９３）および絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１９４）の上に配置されている。更に、サイリスタチップ（１２３）よりも小さい概略四角形の導電性アノードサブスペーサ（１９１）と、導電性アノードサブスペーサ（１９１）を包囲する絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１９２）とが設けられている。

また、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、導電性アノードサブスペーサ（１９１）とサイリスタチップ（１２３）のアノード電極（１２３ａ）とが対向するように、導電性アノードサブスペーサ（１９１）と絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１９２）とが、サイリスタチップ（１２３）のアノード電極（１２３ａ）および絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１９４）の上に配置されている。更に、アノード端子バー（２２）と導電性アノードサブスペーサ（１９１）とが対向するように、アノード端子バー（２２）が導電性アノードサブスペーサ（１９１）および絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１９２）の上に配置されている。また、それらが圧接手段（２９）によって上下方向に圧接されている。

つまり、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、サイリスタチップ（１２３）が発生した熱が、導電性カソードサブスペーサ（１９３）、導電性カソードスペーサ（２４）、コモンバー（１２）、絶縁板（２１）などを介してヒートシンク（１）のベース部分（１ａ）に伝熱され、ヒートシンク（１）の放熱フィン（１ｂ）から放熱される。

すなわち、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、サイリスタチップ（１２３）がヒートシンク（１）によって空冷される。

そのため、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）によれば、冷却水の循環設備などを含む水冷設備を準備できない使用環境においてもサイリスタチップ（１１３，１２３）を冷却することができる。

更に、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）によれば、冷却水が用いられる特許文献１に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールよりも、圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）全体を小型化し、圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）全体のコストを削減することができる。

請求項２に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、ヒートシンク（１）のうち、サイリスタチップ（１１３）に対向する部分を冷却するためのファン（ＦＮ１）と、ヒートシンク（１）のうち、サイリスタチップ（１２３）に対向する部分を冷却するためのファン（ＦＮ２）とが別個に設けられている。そのため、請求項２に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）によれば、ファン（ＦＮ１，ＦＮ２）が設けられていない場合よりも、サイリスタチップ（１１３，１２３）の空冷性能を向上させることができる。

請求項３に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、ファン（ＦＮ１）の風量よりもファン（ＦＮ２）の風量が多くされている。詳細には、サイリスタチップ（１２３）からヒートシンク（１）までの伝熱経路が、サイリスタチップ（１１３）からヒートシンク（１）までの伝熱経路よりも導電性カソードスペーサ（２４）の分だけ長く、かつ、サイリスタチップ（１２３）からヒートシンク（１）までの伝熱経路の断面積の最小部分（詳細には、導電性カソードサブスペーサ（１９３）の水平断面積）が、サイリスタチップ（１１３）からヒートシンク（１）までの伝熱経路の断面積の最小部分（詳細には、導電性アノードサブスペーサ（１８１）の水平断面積）よりも小さい点に鑑み、請求項３に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、サイリスタチップ（１１３）を冷却するファン（ＦＮ１）の風量よりも、サイリスタチップ（１２３）を冷却するファン（ＦＮ２）の風量が多くされている。そのため、請求項３に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）によれば、サイリスタチップ（１１３）とサイリスタチップ（１２３）とを均一に冷却することができる。

請求項４に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）では、ヒートシンク（１）の四角形のベース部分（１ａ）の４つの側面（１ａ３，１ａ４，１ａ５，１ａ６）のうち、放熱フィン（１ｂ）の稜線方向に平行な２つの側面（１ａ３，１ａ４）に対して２つの概略Ｌ字状の接続部材（２Ｒ，２Ｌ）の鉛直部分（２Ｒ１，２Ｌ１）が接続されている。更に、２つの接続部材（２Ｒ，２Ｌ）の水平部分（２Ｒ２，２Ｌ２）の下面（２Ｒ２ａ，２Ｌ２ａ）が、複数の放熱フィン（１ｂ）の先端部を含む平面と同一平面上に配置されるか、あるいは、複数の放熱フィン（１ｂ）の先端部を含む平面よりも下側に突出せしめられている。

そのため、請求項４に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）によれば、例えば溶接機などのような圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の取り付け対象に対して圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）を取り付けるために、２つの接続部材（２Ｒ，２Ｌ）の水平部分（２Ｒ２，２Ｌ２）を用いることができる。

その結果、請求項４に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）によれば、例えば溶接機などのような圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の取り付け対象に対して圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）を取り付けるためにコモンバー（１２）、カソード端子バー（１８）およびアノード端子バー（２２）のみが用いられる場合よりも、圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の取り付け強度および安定性を向上させることができる。

請求項５に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の製造方法では、ナット（８０ａ）を収容するための凹部（５１ｇ）を有する外囲ケース（５１）がヒートシンク（１）のベース部分（１ａ）上に固定される。次いで、ナット（８０ａ）が収容された外囲ケース（５１）によって水平方向に位置決めされた絶縁板（１１）、コモンバー（１２）、導電性アノードサブスペーサ（１８１）、サイリスタチップ（１１３）、導電性カソードサブスペーサ（１８３）、導電性カソードスペーサ（１４）およびカソード端子バー（１８）が、圧接手段（１９）によって上下方向に圧接されると共に、外囲ケース（５１）によって水平方向に位置決めされた絶縁板（２１）、コモンバー（１２）、導電性カソードスペーサ（２４）、導電性カソードサブスペーサ（１９３）、サイリスタチップ（１２３）、導電性アノードサブスペーサ（１９１）およびアノード端子バー（２２）が、圧接手段（２９）によって上下方向に圧接される。次いで、蓋体（５２）が外囲ケース（５１）上に固定される。次いで、カソード端子バー（１８）の上端部が第１の向きに折り曲げられると同時に、アノード端子バー（２２）の上端部が第１の向きとは逆向きの第２の向きに折り曲げられ、蓋体（５２）の凹部（５２ａ）に収容されたナット（８０ｂ）がカソード端子バー（１８）の上端部によって覆われると共に、蓋体（５２）の凹部（５２ｂ）に収容されたナット（８０ｃ）がアノード端子バー（２２）の上端部によって覆われる。

詳細には、カソード端子バー（１８）の上端部が折り曲げられる時、圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）が転倒する向きの第１の回転モーメントが圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）に対してかかる。同様に、アノード端子バー（２２）の上端部が折り曲げられる時、圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）が転倒する向きの第２の回転モーメントが圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）に対してかかる。この点に鑑み、請求項５に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の製造方法では、第１の回転モーメントと第２の回転モーメントとを相殺するように、カソード端子バー（１８）の上端部が第１の向きに折り曲げられると同時に、アノード端子バー（２２）の上端部が第１の向きとは逆向きの第２の向きに折り曲げられる。

そのため、請求項５に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の製造方法によれば、カソード端子バー（１８）の上端部が折り曲げられる時およびアノード端子バー（２２）の上端部が折り曲げられる時に圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）が転倒してしまうのを防止する転倒防止手段にかかる費用を削減することができる。

請求項６に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の製造方法では、圧接手段（１９）による圧接および圧接手段（２９）による圧接が行われる前に、２つの接続部材（２Ｒ，２Ｌ）の鉛直部分（２Ｒ１，２Ｌ１）がヒートシンク（１）のベース部分（１ａ）に接続される。次いで、２つの接続部材（２Ｒ，２Ｌ）の水平部分（２Ｒ２，２Ｌ２）が冶具に対して接続された状態で、圧接手段（１９）による圧接および圧接手段（２９）による圧接、並びに、カソード端子バー（１８）の上端部およびアノード端子バー（２２）の上端部の折り曲げが行われる。

つまり、請求項６に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の製造方法では、２つの接続部材（２Ｒ，２Ｌ）が、圧接手段（１９，２９）による圧接時のヒートシンク（１）の固定手段として用いられると共に、カソード端子バー（１８）の上端部およびアノード端子バー（２２）の上端部の折り曲げ時の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の転倒防止手段として用いられる。

そのため、請求項６に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の製造方法によれば、圧接手段（１９，２９）による圧接時のヒートシンク（１）の固定手段とカソード端子バー（１８）の上端部およびアノード端子バー（２２）の上端部の折り曲げ時の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の転倒防止手段とが別個に設けられる場合よりも、圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）全体のコストを削減することができる。

請求項７に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の使用方法では、冶具から取り外された２つの接続部材（２Ｒ，２Ｌ）の水平部分（２Ｒ２，２Ｌ２）が圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の取り付け対象に対して接続される。

つまり、請求項７に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の使用方法では、２つの接続部材（２Ｒ，２Ｌ）が、圧接手段（１９，２９）による圧接時のヒートシンク（１）の固定手段として用いられると共に、カソード端子バー（１８）の上端部およびアノード端子バー（２２）の上端部の折り曲げ時の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の転倒防止手段として用いられ、更に、圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の製造後における例えば溶接機などのような圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の取り付け対象に対する圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の取り付け手段として用いられる。

そのため、請求項７に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の使用方法によれば、圧接手段（１９，２９）による圧接時のヒートシンク（１）の固定手段とカソード端子バー（１８）の上端部およびアノード端子バー（２２）の上端部の折り曲げ時の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の転倒防止手段と圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の取り付け対象に対する圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の取り付け手段とが別個に設けられる場合よりも、圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）全体のコストを削減することができる。

第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００を示した図である。 右前側かつ上側から見た第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の分解斜視図である。 サイリスタチップ１１３，１２３の詳細図である。 導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１の部品図である。 導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３の部品図である。 サイリスタチップ１１３，１２３と導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１と導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３との関係を示した図である。 絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２（１９２）の部品図である。 絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４（１９４）の部品図である。 導電性カソードスペーサ１４（２４）の部品図である。 絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７等の詳細図である。 絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７とコイルバネ型ゲート電極信号線１５との組立体を示した図である。 カソード端子バー１８が導電性カソードスペーサ１４および絶縁性ゲートスペーサ３１７の上に載置された状態を示した図である。 絶縁性ゲートスペーサ３２６，３２７等の詳細図である。 絶縁性ゲートスペーサ３２６，３２７とコイルバネ型ゲート電極信号線１１５との組立体を示した図である。 導電性カソードスペーサ２４、絶縁性ゲートスペーサ３２７などがコモンバー１２上に載置された状態を示した図である。 導電性カソードサブスペーサ１８３、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４等を芯出しする方法を示した図である。 電極片３１と電極片６２とを電気接続する手段を示した図である。 電極片４１と電極片４４とを電気接続する手段を示した図である。 第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の等価回路図である。 第２の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００を示した図である。 第４の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００を示した図である。 右前側かつ上側から見た第４の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の斜視図である。 右前側かつ上側から見た第４の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の変形例の斜視図である。 第６の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００を示した図である。

以下、本発明の圧接型大電力用サイリスタモジュールの第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００を示した図である。詳細には、図１（Ａ）は第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の平面図、図１（Ｂ）は第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の正面図、図１（Ｃ）は第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の右側面図、図１（Ｄ）は右前側かつ上側から見た第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の斜視図である。図２は右前側かつ上側から見た第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の分解斜視図である。

図１および図２において、１は複数の放熱フィン１ｂを有する四角形のヒートシンクを示しており、１ａはヒートシンク１のベース部分を示しており、１ａ１はベース部分１ａの上面を示しており、１ａ２はベース部分１ａの下面を示しており、１ａ３はベース部分１ａの右側面を示しており、１ａ４はベース部分１ａの左側面を示しており、１ａ５はベース部分１ａの前側面を示しており、１ａ６はベース部分１ａの後側面を示している。１１，２１はヒートシンク１のベース部分１ａ上に配置された絶縁板を示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２に示すように、絶縁板１１，２１として同一の部品が用いられている。

また、図１および図２において、１２はアノード端子バーとしての機能とカソード端子バーとしての機能とを兼ね備えたコモンバーを示しており、２２はアノード端子バーを示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２に示すように、コモンバー１２が絶縁板１１，２１上に配置されている。更に、図２において、１１３，１２３は概略四角形のサイリスタチップを示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、サイリスタチップ１１３，１２３として同一の部品が用いられている。

図３はサイリスタチップ１１３，１２３の詳細図である。詳細には、図３（Ａ）はサイリスタチップ１１３，１２３の表面図、図３（Ｂ）はサイリスタチップ１１３，１２３の断面図、図３（Ｃ）はサイリスタチップ１１３，１２３の裏面図である。図３において、１１３ａ，１２３ａはサイリスタチップ１１３，１２３の一方の面に形成されたアノード電極を示している。１１３ｂ，１２３ｂはサイリスタチップ１１３，１２３の他方の面の中心部分に形成されたゲート電極を示している。１１３ｃ，１２３ｃはゲート電極１１３ｂ，１２３ｂの周りに形成されたカソード電極を示している。

また、図２において、１８１，１９１はサイリスタチップ１１３，１２３よりも小さい概略四角形の導電性アノードサブスペーサを示しており、１８２，１９２は導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１を包囲する絶縁性アノードサブスペーサホルダを示している。１８３，１９３はサイリスタチップ１１３，１２３よりも小さい概略四角形の導電性カソードサブスペーサを示している。１８４，１９４は導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３を包囲する絶縁性カソードサブスペーサホルダを示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１として同一の部品が用いられており、絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２，１９２として同一の部品が用いられており、導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３として同一の部品が用いられており、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４，１９４として同一の部品が用いられている。

図４は導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１の部品図である。詳細には、図４（Ａ）は導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１の平面図、図４（Ｂ）は導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１の断面図である。また、図５は導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３の部品図である。詳細には、図５（Ａ）は導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３の平面図、図５（Ｂ）は導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３の断面図である。図５において、１８３ａ，１９３ａはサイリスタチップ１１３，１２３のゲート電極１１３ｂ，１２３ｂ（図３参照）に対向する位置に形成された円形の穴を示している。

図６はサイリスタチップ１１３，１２３と導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１と導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３との関係を示した図である。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図６に示すように、導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１の側（図６の下側）に突出しているサイリスタチップ１１３，１２３の外縁部のガラス部分（図６中のベタ黒部分）と導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１とが干渉しないように、導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１の幅寸法および奥行き寸法がサイリスタチップ１１３，１２３の幅寸法および奥行き寸法よりも小さくされている。また、導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３の側（図６の上側）に突出しているサイリスタチップ１１３，１２３の外縁部のガラス部分（図６中のベタ黒部分）と導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３とが干渉しないように、導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３の幅寸法および奥行き寸法がサイリスタチップ１１３，１２３の幅寸法および奥行き寸法よりも小さくされている。

図７は絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２（１９２）の部品図である。詳細には、図７（Ａ）は絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２（１９２）の平面図、図７（Ｂ）は絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２（１９２）の正面図、図７（Ｃ）は絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２（１９２）の底面図である。図７において、１８２ａは導電性アノードサブスペーサ１８１の外周面と嵌合するために導電性アノードサブスペーサ１８１と相補形状に形成された穴を示している。１８２ｂは絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４に対して絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２を位置決めするための係合突起を示している。１８２ｃは絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２のコーナー部を示しており、１８２ｃ１は絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２のコーナー部１８２ｃに形成された壁部を示している。１８２ｄは絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２の円弧状部を示している。

図８は絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４（１９４）の部品図である。詳細には、図８（Ａ）は絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４（１９４）の平面図、図８（Ｂ）は絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４（１９４）の正面図、図８（Ｃ）は絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４（１９４）の底面図である。図８において、１８４ａは導電性カソードサブスペーサ１８３の外周面と嵌合するために導電性カソードサブスペーサ１８３と相補形状に形成された穴を示している。１８４ｂは概略四角形のサイリスタチップ１１３の外周面と嵌合するための位置決め用突起を示している。１８４ｃは絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２の係合突起１８２ｂと係合するための係合穴を示している。１８４ｄは絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２のコーナー部１８２ｃの壁部１８２ｃ１と嵌合せしめられる絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４のコーナー部を示している。１８４ｅは絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４の円弧状部を示している。

第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２、図４および図７に示すように、絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２の穴１８２ａに対して導電性アノードサブスペーサ１８１の外周面を嵌合させることにより、導電性アノードサブスペーサ１８１が絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２に対して水平方向に位置決めされる。また、図２、図５および図８に示すように、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４の穴１８４ａに対して導電性カソードサブスペーサ１８３の外周面を嵌合させることにより、導電性カソードサブスペーサ１８３が絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４に対して水平方向に位置決めされる。

更に、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２、図３および図８に示すように、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４の突起１８４ｂに対してサイリスタチップ１１３の外周面を嵌合させることにより、サイリスタチップ１１３が絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４に対して水平方向に位置決めされる。また、図２、図７および図８に示すように、絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２の係合突起１８２ｂと絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４の係合穴１８４ｃとを嵌合させることにより、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４が絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２に対して水平方向に位置決めされる。

つまり、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２に示すように、導電性アノードサブスペーサ１８１と、絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２と、サイリスタチップ１１３と、導電性カソードサブスペーサ１８３と、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４とが、水平方向に相互に位置決めされ、組み立てられた状態でコモンバー１２上に載置される。その結果、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２、図３および図６に示すように、導電性アノードサブスペーサ１８１と絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２とがコモンバー１２上に配置され、サイリスタチップ１１３が導電性アノードサブスペーサ１８１および絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２の上に配置されている。また、導電性カソードサブスペーサ１８３と絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４とがサイリスタチップ１１３のカソード電極１１３ｃおよび絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２の上に配置されている。その結果、サイリスタチップ１１３のアノード電極１１３ａが、導電性アノードサブスペーサ１８１を介してコモンバー１２に電気的に接続されている。

また、図１および図２において、１４，２４は環状の導電性カソードスペーサを示しており、１８はカソード端子バーを示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、導電性カソードスペーサ１４，２４として同一の部品が用いられている。

図９は導電性カソードスペーサ１４（２４）の部品図である。詳細には、図９（Ａ）は導電性カソードスペーサ１４（２４）の平面図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。１４ａはサイリスタチップ１１３のゲート電極１１３ｂ（図３参照）および導電性カソードサブスペーサ１８３の穴１８３ａ（図５参照）に対向する位置に形成された円形の穴を示している。１４ｂは導電性カソードスペーサ１４の穴１４ａから外周面まで延びるように、導電性カソードスペーサ１４の上面（図９（Ｂ）の上側の面）に形成された収容溝を示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２および図９に示すように、導電性カソードスペーサ１４の表面のうち、収容溝１４ａが形成されていない面（図２および図９（Ｂ）の下側の面）が導電性カソードサブスペーサ１８３と対向するように、導電性カソードスペーサ１４が導電性カソードサブスペーサ１８３および絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４の上に載置される。

更に、図２において、３１６，３１７，３２６，３２７は絶縁性ゲートスペーサを示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、絶縁性ゲートスペーサ３１６，３２６として同一の部品が用いられており、絶縁性ゲートスペーサ３１７，３２７として同一の部品が用いられている。

図１０は絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７等の詳細図である。詳細には、図１０（Ａ）は絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７の斜視図、図１０（Ｂ）は絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７の断面図、図１０（Ｃ）はコイルバネ型ゲート電極信号線１５を示した図である。図１０において、３１６ａは絶縁性ゲートスペーサ３１６の上面を示しており、３１６ｂは絶縁性ゲートスペーサ３１６の下面を示しており、３１６ｃは絶縁性ゲートスペーサ３１６の外周面を示している。３１６ｄはコイルバネ型ゲート電極信号線１５のコイル部分１５ａと概略相補形状の円形の穴を示しており、３１６ｅは絶縁性ゲートスペーサ３１６の上面３１６ａに形成された係合突起を示している。３１７ａは絶縁性ゲートスペーサ３１７の上面を示しており、３１７ｂは絶縁性ゲートスペーサ３１７の下面を示しており、３１７ｃは絶縁性ゲートスペーサ３１７の外周面を示している。３１７ｄは絶縁性ゲートスペーサ３１７の下面３１７ｂに形成された収容溝を示しており、３１７ｄ１は収容溝３１７ｄの天井面を示している。３１７ｅは絶縁性ゲートスペーサ３１６の係合突起３１６ｅと係合するために絶縁性ゲートスペーサ３１７の下面３１７ｂに形成された係合穴を示している。１５ｂはコイルバネ型ゲート電極信号線１５のコイル部分１５ａの上端から水平方向に延ばされた部分を示しており、１５ｂ１は水平方向に延ばされた部分１５ｂの先端側部分を示しており、１５ｂ２は水平方向に延ばされた部分１５ｂの根元側部分を示している。

図１１は絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７とコイルバネ型ゲート電極信号線１５との組立体を示した図である。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図１０および図１１に示すように、コイルバネ型ゲート電極信号線１５の水平方向に延ばされた部分１５ｂが絶縁チューブによって被覆されている。更に、コイルバネ型ゲート電極信号線１５のコイル部分１５ａが絶縁性ゲートスペーサ３１６の穴３１６ｄに挿入され、次いで、コイルバネ型ゲート電極信号線１５のコイル部分１５ａの上端および水平方向に延ばされた部分１５ｂの根元側部分１５ｂ２が絶縁性ゲートスペーサ３１７の収容溝３１７ｄ内に収容されるように、絶縁性ゲートスペーサ３１６の係合突起３１６ｅが絶縁性ゲートスペーサ３１７の係合穴３１７ｅに圧入される。

詳細には、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図１０および図１１に示すように、絶縁性ゲートスペーサ３１６の係合突起３１６ｅが絶縁性ゲートスペーサ３１７の係合穴３１７ｅに圧入されると、コイルバネ型ゲート電極信号線１５の水平方向に延ばされた部分１５ｂの根元側部分１５ｂ２が、絶縁性ゲートスペーサ３１６の上面３１６ａと絶縁性ゲートスペーサ３１７の収容溝３１７ｄの天井面３１７ｄ１とによって狭持され、押し潰される。

また、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２、図９〜図１１に示すように、絶縁性ゲートスペーサ３１６の外周面３１６ｃおよび絶縁性ゲートスペーサ３１７の外周面３１７ｃが環状の導電性カソードスペーサ１４の穴１４ａと嵌合せしめられ、コイルバネ型ゲート電極信号線１５の水平方向に延ばされた部分１５ｂの先端側部分１５ｂ１が導電性カソードスペーサ１４の収容溝１４ｂ内に収容されるように、絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７とコイルバネ型ゲート電極信号線１５との組立体が導電性カソードスペーサ１４上に載置される。更に、カソード端子バー１８が導電性カソードスペーサ１４および絶縁性ゲートスペーサ３１７の上に載置される。

図１２はカソード端子バー１８が導電性カソードスペーサ１４および絶縁性ゲートスペーサ３１７の上に載置された状態を示した図である。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２、図３および図１２に示すように、コイルバネ型ゲート電極信号線１５のコイル部分１５ａがサイリスタチップ１１３のゲート電極１１３ｂ上に配置されている。その結果、コイルバネ型ゲート電極信号線１５とサイリスタチップ１１３のゲート電極１１３ｂとが電気的に接続されている。また、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２、図３および図１２に示すように、カソード端子バー１８とサイリスタチップ１１３のカソード電極１１３ｃとが、導電性カソードサブスペーサ１８３および導電性カソードスペーサ１４を介して電気的に接続されている。

更に、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２、図３および図１２に示すように、コイルバネ型ゲート電極信号線１５のコイル部分１５ａと導電性カソードスペーサ１４との間に絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７が配置されている。また、コイルバネ型ゲート電極信号線１５のコイル部分１５ａとカソード端子バー１８との間に絶縁性ゲートスペーサ３１７が配置されている。更に、導電性カソードスペーサ１４の収容溝１４ｂ内に収容されているコイルバネ型ゲート電極信号線１５の水平方向に延ばされた部分１５ｂが絶縁チューブによって被覆されている。その結果、コイルバネ型ゲート電極信号線１５と導電性カソードスペーサ１４およびカソード端子バー１８とが絶縁されている。

図１６は導電性カソードサブスペーサ１８３、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４等を芯出しする方法を示した図である。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図１６に示すように、導電性カソードサブスペーサ１８３、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４等を芯出しするための嵌合部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄが外囲ケース５１に設けられている。更に、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４等の周方向の位置決めを行うための切り欠き部５１ｅ，５１ｆが嵌合部５１ａと嵌合部５１ｂとの間および嵌合部５１ｃと嵌合部５１ｄとの間に設けられている。

詳細には、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２、図７、図８および図１６に示すように、コモンバー１２が絶縁板１１上に載置されると、コモンバー１２の円弧状部の外周面が嵌合部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄと嵌合せしめられる。また、導電性アノードサブスペーサ１８１と絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２とサイリスタチップ１１３と導電性カソードサブスペーサ１８３と絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４との組立体がコモンバー１２上に載置されると、絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２の円弧状部１８２ｄの外周面と、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４の円弧状部１８４ｅの外周面とが、嵌合部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄと嵌合せしめられ、その組立体の芯出しが行われる。また、絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２のコーナー部１８２ｃと、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４のコーナー部１８４ｄとが、切り欠き部５１ｅ，５１ｆと嵌合せしめられ、その組立体の周方向の位置決めが行われる。

更に、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２および図１６に示すように、導電性カソードスペーサ１４が導電性カソードサブスペーサ１８３上に載置されると、導電性カソードスペーサ１４の外周面が嵌合部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄと嵌合せしめられ、導電性カソードスペーサ１４の芯出しが行われる。また、カソード端子バー１８が導電性カソードスペーサ１４上に載置されると、カソード端子バー１８の円弧状部の外周面が嵌合部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄと嵌合せしめられ、カソード端子バー１８の芯出しが行われる。

また、図１および図２において、５２は蓋体を示しており、３１は例えば潰し加工、ビーム溶接等によってカソード端子バー１８に接合された電極片を示しており、６２は外囲ケース５１に担持せしめられている電極片を示している。

図１７は電極片３１と電極片６２とを電気接続する手段を示した図である。詳細には、図１７（Ａ）は電極片３１と電極片６２とを電気接続する手段を概略的に示した図、図１７（Ｂ）は図１７（Ａ）の一部の拡大図である。図１７において、３２は絶縁チューブによって被覆された可撓性のカソード電極信号線を示している。３３はカソード電極信号線３２と電極片３１（図２参照）とを電気接続するためのファストンタブを示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図１７に示すように、例えば半田によってカソード電極信号線３２と電極片６２とが接合されている。また、例えばかしめによってカソード電極信号線３２とファストンタブ３３とが接合され、かしめられた部分が、例えば熱収縮タイプの絶縁チューブによって被覆されている。更に、ファストンタブ３３を電極片３１（図２参照）と嵌合させることにより、ファストンタブ３３と電極片３１とが電気接続されている。

また、図２において、１９はヒートシンク１のベース部分１ａと絶縁板１１とコモンバー１２と導電性アノードサブスペーサ１８１とサイリスタチップ１１３と導電性カソードサブスペーサ１８３と導電性カソードスペーサ１４とカソード端子バー１８とを上下方向に圧接するための圧接手段を示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２に示すように、加圧板１９ａと、２本のネジ１９ｂと、２個の皿バネ１９ｃと、皿バネ１９ｃを芯出しするために皿バネ１９ｃの内縁と嵌合する絶縁性芯出し部材１９ｄとによって、圧接手段１９が構成されている。

詳細には、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２および図１６に示すように、絶縁性芯出し部材１９ｄがカソード端子バー１８上に載置されると、絶縁性芯出し部材１９ｄの外周面が嵌合部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄと嵌合せしめられ、絶縁性芯出し部材１９ｄの芯出しが行われる。また、加圧板１９ａが皿バネ１９ｃ上に載置されると、加圧板１９ａの円弧状部の外周面が嵌合部５１ｂ，５１ｄと嵌合せしめられ、加圧板１９ａの芯出しが行われる。

第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図１０に示すように、絶縁性ゲートスペーサ３１６に係合突起３１６ｅが形成され、絶縁性ゲートスペーサ３１７に係合穴３１７ｅが形成されているが、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の変形例では、代わりに、絶縁性ゲートスペーサ３１６に係合穴を形成し、絶縁性ゲートスペーサ３１７に係合突起を形成することも可能である。

また、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２、図１１および図１２に示すように、導電性カソードサブスペーサ１８３上に載置されている導電性カソードスペーサ１４の上に、コイルバネ型ゲート電極信号線１５と絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７との組立体（図１１参照）が載置されるが、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の変形例では、代わりに、コイルバネ型ゲート電極信号線１５と絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７との組立体（図１１参照）を導電性カソードスペーサ１４上に予め載置し、それらを導電性カソードサブスペーサ１８３上に載置することも可能である。

換言すれば、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、複数の放熱フィン１ｂ（図１および図２参照）を有するヒートシンク１（図１および図２参照）のベース部分１ａ（図１および図２参照）上に絶縁板１１（図２参照）が配置されている。また、コモンバー１２（図１、図２および図１２参照）が絶縁板１１（図２参照）上に配置されている。更に、概略四角形の導電性アノードサブスペーサ１８１（図２、図４、図６および図１２参照）と、導電性アノードサブスペーサ１８１（図２、図４、図６および図１２参照）を包囲する絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２（図２、図７および図１２参照）とが、コモンバー１２（図１、図２および図１２参照）上に配置されている。

また、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、下面にアノード電極１１３ａ（図３参照）を有し、上面の中心部分にゲート電極１１３ｂ（図３参照）を有し、ゲート電極１１３ｂ（図３参照）の周りにカソード電極１１３ｃ（図３参照）を有し、導電性アノードサブスペーサ１８１（図２、図４、図６および図１２参照）よりも大きい概略四角形のサイリスタチップ１１３（図２、図３、図６および図１２参照）が設けられている。更に、サイリスタチップ１１３（図２、図３、図６および図１２参照）のアノード電極１１３ａ（図３参照）と導電性アノードサブスペーサ１８１（図２、図４、図６および図１２参照）とが対向するように、サイリスタチップ１１３（図２、図３、図６および図１２参照）が導電性アノードサブスペーサ１８１（図２、図４、図６および図１２参照）および絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２（図２、図７および図１２参照）の上に配置されている。また、サイリスタチップ１１３（図２、図３、図６および図１２参照）のゲート電極１１３ｂ（図３参照）に対向する位置に円形の穴１８３ａ（図５および図６参照）を有し、サイリスタチップ１１３（図２、図３、図６および図１２参照）よりも小さい概略四角形の導電性カソードサブスペーサ１８３（図２、図５、図６、図１２および図１６参照）が設けられている。

更に、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、導電性カソードサブスペーサ１８３（図２、図５、図６、図１２および図１６参照）とサイリスタチップ１１３（図２、図３、図６および図１２参照）のカソード電極１１３ｃ（図３参照）とが対向するように、導電性カソードサブスペーサ１８３（図２、図５、図６、図１２および図１６参照）と、導電性カソードサブスペーサ１８３（図２、図５、図６、図１２および図１６参照）を包囲する絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４（図２、図８、図１２および図１６参照）とが、サイリスタチップ１１３（図２、図３、図６および図１２参照）のカソード電極１１３ｃ（図３参照）および絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２（図２、図７および図１２参照）の上に配置されている。また、サイリスタチップ１１３（図２、図３、図６および図１２参照）のゲート電極１１３ｂ（図３参照）に対向する位置に円形の穴１４ａ（図９および図１２参照）を有する環状の導電性カソードスペーサ１４（図２、図９および図１２参照）が導電性カソードサブスペーサ１８３（図２、図５、図６、図１２および図１６参照）および絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４（図２、図８、図１２および図１６参照）の上に配置されている。更に、コイルバネ型ゲート電極信号線１５（図１０、図１１および図１２参照）のコイル部分１５ａ（図１０、図１１および図１２参照）がサイリスタチップ１１３（図２、図３、図６および図１２参照）のゲート電極１１３ｂ（図３参照）上に配置されている。

また、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、コイルバネ型ゲート電極信号線１５（図１０、図１１および図１２参照）のコイル部分１５ａ（図１０、図１１および図１２参照）と概略相補形状の円形の穴３１６ｄ（図１０参照）と、環状の導電性カソードスペーサ１４（図２、図９および図１２参照）の穴１４ａ（図９および図１２参照）と嵌合する外周面３１６ｃ（図１０参照）とを有する環状の絶縁性ゲートスペーサ３１６（図２、図１０および図１２参照）が設けられている。更に、環状の絶縁性ゲートスペーサ３１６（図２、図１０および図１２参照）が環状の導電性カソードスペーサ１４（図２、図９および図１２参照）とコイルバネ型ゲート電極信号線１５（図１０、図１１および図１２参照）のコイル部分１５ａ（図１０、図１１および図１２参照）との間に配置されている。また、コイルバネ型ゲート電極信号線１５（図１０、図１１および図１２参照）のコイル部分１５ａ（図１０、図１１および図１２参照）の上端が水平方向に延ばされると共に、その水平方向に延ばされた部分１５ｂ（図１０、図１１および図１２参照）が絶縁被覆されている。

更に、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、コイルバネ型ゲート電極信号線１５（図１０、図１１および図１２参照）の水平方向に延ばされた部分１５ｂ（図１０、図１１および図１２参照）の先端側部分１５ｂ１（図１０および図１１参照）が、導電性カソードスペーサ１４（図２、図９および図１２参照）の上面に形成された収容溝１４ｂ（図９および図１２参照）内に収容されている。また、環状の導電性カソードスペーサ１４（図２、図９および図１２参照）の穴１４ａ（図９および図１２参照）と嵌合する外周面３１７ｃ（図１０参照）を有する円形の絶縁性ゲートスペーサ３１７（図２、図１０、図１１および図１２参照）が、コイルバネ型ゲート電極信号線１５（図１０、図１１および図１２参照）および環状の絶縁性ゲートスペーサ３１６（図２、図１０、図１１および図１２参照）の上に配置されている。更に、コイルバネ型ゲート電極信号線１５（図１０、図１１および図１２参照）のコイル部分１５ａ（図１０、図１１および図１２参照）の上端および水平方向に延ばされた部分１５ｂ（図１０、図１１および図１２参照）の根元側部分１５ｂ２（図１０および図１１参照）が、円形の絶縁性ゲートスペーサ３１７（図２、図１０、図１１および図１２参照）の下面３１７ｂ（図１０参照）に形成された収容溝３１７ｄ（図１０参照）内に収容されている。

また、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、コイルバネ型ゲート電極信号線１５（図１０、図１１および図１２参照）の水平方向に延ばされた部分１５ｂ（図１０、図１１および図１２参照）の根元側部分１５ｂ２（図１０および図１１参照）が、環状の絶縁性ゲートスペーサ３１６（図２、図１０、図１１および図１２参照）の上面３１６ａ（図１０参照）と円形の絶縁性ゲートスペーサ３１７（図２、図１０、図１１および図１２参照）の収容溝３１７ｄ（図１０参照）の天井面３１７ｄ１（図１０参照）とによって挟持されている。更に、カソード端子バー１８（図１、図２および図１２参照）と環状の導電性カソードスペーサ１４（図２、図９および図１２参照）とが対向するように、カソード端子バー１８（図１、図２および図１２参照）が環状の導電性カソードスペーサ１４（図２、図９および図１２参照）および円形の絶縁性ゲートスペーサ３１７（図２、図１０、図１１および図１２参照）の上に配置されている。また、それらが圧接手段１９（図２参照）によって上下方向に圧接されている。

つまり、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、サイリスタチップ１１３（図２、図３、図６および図１２参照）が発生した熱が、導電性アノードサブスペーサ１８１（図２、図４、図６および図１２参照）、コモンバー１２（図１、図２および図１２参照）、絶縁板１１（図２参照）などを介してヒートシンク１（図１および図２参照）のベース部分１ａ（図１および図２参照）に伝熱され、ヒートシンク１（図１および図２参照）の放熱フィン１ｂ（図１および図２参照）から放熱される。すなわち、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、サイリスタチップ１１３（図２、図３、図６および図１２参照）がヒートシンク１（図１および図２参照）によって空冷される。

図１３は絶縁性ゲートスペーサ３２６，３２７等の詳細図である。詳細には、図１３（Ａ）は絶縁性ゲートスペーサ３２６，３２７の斜視図、図１３（Ｂ）は絶縁性ゲートスペーサ３２６，３２７の断面図、図１３（Ｃ）はコイルバネ型ゲート電極信号線１５と同様に構成されたコイルバネ型ゲート電極信号線１１５を示した図である。図１３において、３２６ａは絶縁性ゲートスペーサ３２６の下面を示しており、３２６ｂは絶縁性ゲートスペーサ３２６の上面を示しており、３２６ｃは絶縁性ゲートスペーサ３２６の外周面を示している。３２６ｄはコイルバネ型ゲート電極信号線１１５のコイル部分１１５ａと概略相補形状の円形の穴を示しており、３２６ｅは絶縁性ゲートスペーサ３２６の下面３２６ａに形成された係合突起を示している。３２７ａは絶縁性ゲートスペーサ３２７の下面を示しており、３２７ｂは絶縁性ゲートスペーサ３２７の上面を示しており、３２７ｃは絶縁性ゲートスペーサ３２７の外周面を示している。３２７ｄは絶縁性ゲートスペーサ３２７の上面３２７ｂに形成された収容溝を示しており、３２７ｄ１は収容溝３２７ｄの底面を示している。３２７ｅは絶縁性ゲートスペーサ３２６の係合突起３２６ｅと係合するために絶縁性ゲートスペーサ３２７の上面３２７ｂに形成された係合穴を示している。１１５ｂはコイルバネ型ゲート電極信号線１１５のコイル部分１１５ａの下端から水平方向に延ばされた部分を示しており、１１５ｂ１は水平方向に延ばされた部分１１５ｂの先端側部分を示しており、１１５ｂ２は水平方向に延ばされた部分１１５ｂの根元側部分を示している。

図１４は絶縁性ゲートスペーサ３２６，３２７とコイルバネ型ゲート電極信号線１１５との組立体を示した図である。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図１３および図１４に示すように、コイルバネ型ゲート電極信号線１１５の水平方向に延ばされた部分１１５ｂが絶縁チューブによって被覆されている。更に、コイルバネ型ゲート電極信号線１１５のコイル部分１１５ａの下端および水平方向に延ばされた部分１１５ｂの根元側部分１１５ｂ２が絶縁性ゲートスペーサ３２７の収容溝３２７ｄ内に収容され、コイルバネ型ゲート電極信号線１１５のコイル部分１１５ａが絶縁性ゲートスペーサ３２６の穴３２６ｄに挿入され、絶縁性ゲートスペーサ３２６の係合突起３２６ｅが絶縁性ゲートスペーサ３２７の係合穴３２７ｅに圧入される。

詳細には、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図１３および図１４に示すように、絶縁性ゲートスペーサ３２６の係合突起３２６ｅが絶縁性ゲートスペーサ３２７の係合穴３２７ｅに圧入されると、コイルバネ型ゲート電極信号線１１５の水平方向に延ばされた部分１１５ｂの根元側部分１１５ｂ２が、絶縁性ゲートスペーサ３２６の下面３２６ａと絶縁性ゲートスペーサ３２７の収容溝３２７ｄの底面３２７ｄ１とによって狭持され、押し潰される。

図１５は導電性カソードスペーサ２４、絶縁性ゲートスペーサ３２７などがコモンバー１２上に載置された状態を示した図である。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２、図１３〜図１５に示すように、絶縁性ゲートスペーサ３２６の外周面３２６ｃおよび絶縁性ゲートスペーサ３２７の外周面３２７ｃが環状の導電性カソードスペーサ２４の穴２４ａと嵌合せしめられ、コイルバネ型ゲート電極信号線１１５の水平方向に延ばされた部分１１５ｂの先端側部分１１５ｂ１が導電性カソードスペーサ２４の収容溝２４ｂ内に収容されるように、絶縁性ゲートスペーサ３２６，３２７とコイルバネ型ゲート電極信号線１１５との組立体がコモンバー１２上に載置されると共に、導電性カソードスペーサ２４がコモンバー１２およびコイルバネ型ゲート電極信号線１１５の水平方向に延ばされた部分１１５ｂの上に載置される。

また、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２、図３および図１５に示すように、サイリスタチップ１２３のゲート電極１２３ｂがコイルバネ型ゲート電極信号線１１５のコイル部分１１５ａ上に配置されている。その結果、コイルバネ型ゲート電極信号線１１５とサイリスタチップ１２３のゲート電極１２３ｂとが電気的に接続されている。更に、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２、図３および図１５に示すように、コモンバー１２とサイリスタチップ１２３のカソード電極１２３ｃとが、導電性カソードサブスペーサ１９３および導電性カソードスペーサ２４を介して電気的に接続されている。

更に、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２、図３および図１５に示すように、コイルバネ型ゲート電極信号線１１５のコイル部分１１５ａと導電性カソードスペーサ２４との間に絶縁性ゲートスペーサ３２６，３２７が配置されている。また、コイルバネ型ゲート電極信号線１１５のコイル部分１１５ａとコモンバー１２との間に絶縁性ゲートスペーサ３２７が配置されている。更に、導電性カソードスペーサ２４の収容溝２４ｂ内に収容されているコイルバネ型ゲート電極信号線１１５の水平方向に延ばされた部分１１５ｂが絶縁チューブによって被覆されている。その結果、コイルバネ型ゲート電極信号線１１５と導電性カソードスペーサ２４およびコモンバー１２とが絶縁されている。

図２において、２９はヒートシンク１のベース部分１ａと絶縁板２１とコモンバー１２と導電性カソードスペーサ２４と導電性カソードサブスペーサ１９３とサイリスタチップ１２３と導電性アノードサブスペーサ１９１とアノード端子バー２２とを上下方向に圧接するための圧接手段を示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２に示すように、加圧板２９ａと、２本のネジ２９ｂと、２個の皿バネ２９ｃと、皿バネ２９ｃを芯出しするために皿バネ２９ｃの内縁と嵌合する絶縁性芯出し部材２９ｄとによって、圧接手段２９が構成されている。更に、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、加圧板１９ａ，２９ａとして同一の部品が用いられ、ネジ１９ｂ，２９ｂとして同一の部品が用いられ、皿バネ１９ｃ，２９ｃとして同一の部品が用いられ、絶縁性芯出し部材１９ｄ，２９ｄとして同一の部品が用いられている。

また、図１および図２において、３４は外囲ケース５１に担持せしめられている電極片を示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、サイリスタチップ１１３のゲート電極１１３ｂ（図３参照）に電気接続されているコイルバネ型ゲート電極信号線１５の上端の水平方向に延ばされた部分１５ｂの端部（図１０（Ｃ）の左端）が、可撓性のゲート電極信号線（図示せず）を介して電極片３４に電気接続されている。更に、図１および図２において、４１は例えば潰し加工、ビーム溶接等によってコモンバー１２に接合された電極片を示しており、４４は外囲ケース５１に担持せしめられている電極片を示している。

図１８は電極片４１と電極片４４とを電気接続する手段を示した図である。詳細には、図１８（Ａ）は電極片４１と電極片４４とを電気接続する手段を概略的に示した図、図１８（Ｂ）は図１８（Ａ）の一部の拡大図である。図１８において、４２は絶縁チューブによって被覆された可撓性のカソード電極信号線を示している。４３はカソード電極信号線４２と電極片４１（図２参照）とを電気接続するためのファストンタブを示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図１８に示すように、例えば半田によってカソード電極信号線４２と電極片４４とが接合されている。また、例えばかしめによってカソード電極信号線４２とファストンタブ４３とが接合され、かしめられた部分が、例えば熱収縮タイプの絶縁チューブによって被覆されている。更に、ファストンタブ４３を電極片４１（図２参照）と嵌合させることにより、ファストンタブ４３と電極片４１とが電気接続されている。

また、図１および図２において、７２は外囲ケース５１に担持せしめられている電極片を示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、サイリスタチップ１２３のゲート電極１２３ｂ（図３参照）に電気接続されているコイルバネ型ゲート電極信号線１１５の水平方向に延ばされた部分１１５ｂの端部（図１３（Ｃ）の左端）が、可撓性のゲート電極信号線（図示せず）を介して電極片７２に電気接続されている。

図１９は第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の等価回路図である。図１９中の「Ｋ１／Ａ２」が図１および図２中のコモンバー１２に相当し、図１９中の「Ｋ２」が図１および図２中のカソード端子バー１８に相当し、図１９中の「Ｇ２」が図１および図２中の電極片３４に相当し、図１９中の「Ｋ２’」が図１および図２中の電極片６２に相当している。また、図１９中の「Ａ１」が図１および図２中のアノード端子バー２２に相当し、図１９中の「Ｇ１」が図１および図２中の電極片７２に相当し、図１９中の「Ｋ１’」が図１および図２中の電極片４４に相当している。

換言すれば、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、ヒートシンク１（図１および図２参照）のベース部分１ａ（図１および図２参照）とコモンバー１２（図１、図２および図１５参照）との間に絶縁板２１（図２参照）が配置されている。また、円形の絶縁性ゲートスペーサ３２７（図２、図１３、図１４および図１５参照）がコモンバー１２（図１、図２および図１５参照）上に配置されている。更に、コイル部分１１５ａ（図１３、図１４および図１５参照）を有するコイルバネ型ゲート電極信号線１１５（図１３、図１４および図１５参照）が設けられている。

また、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、コイルバネ型ゲート電極信号線１１５（図１３、図１４および図１５参照）のコイル部分１１５ａ（図１３、図１４および図１５参照）の下端が水平方向に延ばされると共に、その水平方向に延ばされた部分１１５ｂ（図１３、図１４および図１５参照）が絶縁被覆されている。更に、コイルバネ型ゲート電極信号線１１５（図１３、図１４および図１５参照）のコイル部分１１５ａ（図１３、図１４および図１５参照）の下端および水平方向に延ばされた部分１１５ｂ（図１３、図１４および図１５参照）の根元側部分１１５ｂ２（図１３および図１４参照）が、円形の絶縁性ゲートスペーサ３２７（図１３、図１４および図１５参照）の上面３２７ｂ（図１３参照）に形成された収容溝３２７ｄ（図１３参照）内に収容されている。また、コイルバネ型ゲート電極信号線１１５（図１３、図１４および図１５参照）のコイル部分１１５ａ（図１３、図１４および図１５参照）と概略相補形状の円形の穴３２６ｄ（図１３参照）を有する環状の絶縁性ゲートスペーサ３２６（図２、図１３、図１４および図１５参照）が設けられている。

更に、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、環状の絶縁性ゲートスペーサ３２６（図２、図１３、図１４および図１５参照）が、円形の絶縁性ゲートスペーサ３２７（図２、図１３、図１４および図１５参照）の上であって、コイルバネ型ゲート電極信号線１５（図１３、図１４および図１５参照）のコイル部分１５ａ（図１３、図１４および図１５参照）の周りに配置されている。また、コイルバネ型ゲート電極信号線１１５（図１３、図１４および図１５参照）の水平方向に延ばされた部分１１５ｂ（図１３、図１４および図１５参照）の根元側部分１１５ｂ２（図１３および図１４参照）が、環状の絶縁性ゲートスペーサ３２６（図２、図１３、図１４および図１５参照）の下面３２６ａ（図１３参照）と円形の絶縁性ゲートスペーサ３２７（図２、図１３、図１４および図１５参照）の収容溝３２７ｄ（図１３参照）の底面３２７ｄ１（図１３参照）とによって挟持されている。更に、円形の絶縁性ゲートスペーサ３２７（図２、図１３、図１４および図１５参照）の外周面３２７ｃ（図１３参照）および環状の絶縁性ゲートスペーサ３２６（図２、図１３、図１４および図１５参照）の外周面３２６ｃ（図１３参照）と嵌合する穴２４ａ（図１５参照）を有する環状の導電性カソードスペーサ２４（図２および図１５参照）が設けられている。

また、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、コイルバネ型ゲート電極信号線１１５（図１３、図１４および図１５参照）の水平方向に延ばされた部分１１５ｂ（図１３、図１４および図１５参照）の先端側部分１１５ｂ１（図１３および図１４参照）が、導電性カソードスペーサ２４（図２および図１５参照）の下面に形成された収容溝２４ｂ（図１５参照）内に収容されるように、環状の導電性カソードスペーサ２４（図２および図１５参照）が、コモンバー１２（図１、図２および図１５参照）およびコイルバネ型ゲート電極信号線１１５（図１３、図１４および図１５参照）の水平方向に延ばされた部分１１５ｂ（図１３、図１４および図１５参照）の先端側部分１１５ｂ１（図１３および図１４参照）の上であって、円形の絶縁性ゲートスペーサ３２７（図２、図１３、図１４および図１５参照）および環状の絶縁性ゲートスペーサ３２６（図２、図１３、図１４および図１５参照）の周りに配置されている。更に、コイルバネ型ゲート電極信号線１１５（図１３、図１４および図１５参照）のコイル部分１１５ａ（図１３、図１４および図１５参照）を包囲する円形の穴１９３ａ（図５参照）を有する概略四角形の導電性カソードサブスペーサ１９３（図２、図５および図１５参照）と、導電性カソードサブスペーサ１９３（図２、図５および図１５参照）を包囲する絶縁性カソードサブスペーサホルダ１９４（図２および図１５参照）とが設けられている。また、概略四角形の導電性カソードサブスペーサ１９３（図２、図５および図１５参照）と環状の導電性カソードスペーサ２４（図２および図１５参照）とが対向するように、概略四角形の導電性カソードサブスペーサ１９３（図２、図５および図１５参照）と絶縁性カソードサブスペーサホルダ１９４（図２および図１５参照）とが環状の導電性カソードスペーサ２４（図２および図１５参照）上に配置されている。

更に、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、上面にアノード電極１２３ａ（図３参照）を有し、下面の中心部分にゲート電極１２３ｂ（図３参照）を有し、ゲート電極１２３ｂ（図３参照）の周りにカソード電極１２３ｃ（図３参照）を有し、導電性カソードサブスペーサ１９３（図２、図５、図６および図１５参照）よりも大きい概略四角形のサイリスタチップ１２３（図２、図３、図６および図１５参照）が設けられている。また、サイリスタチップ１２３（図２、図３、図６および図１５参照）のゲート電極１２３ｂ（図３参照）とコイルバネ型ゲート電極信号線１１５（図１３、図１４および図１５参照）のコイル部分１１５ａ（図１３、図１４および図１５参照）とが対向し、かつ、サイリスタチップ１２３（図２、図３、図６および図１５参照）のカソード電極１２３ｃ（図３参照）と導電性カソードサブスペーサ１９３（図２、図５、図６および図１５参照）とが対向するように、サイリスタチップ１２３（図２、図３、図６および図１５参照）がコイルバネ型ゲート電極信号線１１５（図１３、図１４および図１５参照）のコイル部分１１５ａ（図１３、図１４および図１５参照）、導電性カソードサブスペーサ１９３（図２、図５、図６および図１５参照）および絶縁性カソードサブスペーサホルダ１９４（図２および図１５参照）の上に配置されている。更に、サイリスタチップ１２３（図２、図３、図６および図１５参照）よりも小さい概略四角形の導電性アノードサブスペーサ１９１（図２、図４、図６および図１５参照）と、導電性アノードサブスペーサ１９１（図２、図４、図６および図１５参照）を包囲する絶縁性アノードサブスペーサホルダ１９２（図２および図１５参照）とが設けられている。

また、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、導電性アノードサブスペーサ１９１（図２、図４、図６および図１５参照）とサイリスタチップ１２３（図２、図３、図６および図１５参照）のアノード電極１２３ａ（図３参照）とが対向するように、導電性アノードサブスペーサ１９１（図２、図４、図６および図１５参照）と絶縁性アノードサブスペーサホルダ１９２（図２および図１５参照）とが、サイリスタチップ１２３（図２、図３、図６および図１５参照）のアノード電極１２３ａ（図３参照）および絶縁性カソードサブスペーサホルダ１９４（図２および図１５参照）の上に配置されている。更に、アノード端子バー２２（図１、図２および図１５参照）と導電性アノードサブスペーサ１９１（図２、図４、図６および図１５参照）とが対向するように、アノード端子バー２２（図１、図２および図１５参照）が導電性アノードサブスペーサ１９１（図２、図４、図６および図１５参照）および絶縁性アノードサブスペーサホルダ１９２（図２および図１５参照）の上に配置されている。また、それらが圧接手段２９（図２参照）によって上下方向に圧接されている。

つまり、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、サイリスタチップ１２３（図２、図３、図６および図１５参照）が発生した熱が、導電性カソードサブスペーサ１９３（図２、図５、図６および図１５参照）、導電性カソードスペーサ２４（図２および図１５参照）、コモンバー１２（図１、図２および図１５参照）、絶縁板２１（図２参照）などを介してヒートシンク１（図１および図２参照）のベース部分１ａ（図１および図２参照）に伝熱され、ヒートシンク１（図１および図２参照）の放熱フィン１ｂ（図１および図２参照）から放熱される。すなわち、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、サイリスタチップ１２３（図２、図３、図６および図１５参照）がヒートシンク１（図１および図２参照）によって空冷される。

そのため、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００によれば、冷却水の循環設備などを含む水冷設備を準備できない使用環境においてもサイリスタチップ１１３，１２３（図２、図３、図６、図１２および図１５参照）を冷却することができる。更に、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００によれば、冷却水が用いられる特許文献１に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールよりも、圧接型大電力用サイリスタモジュール１００全体を小型化し、圧接型大電力用サイリスタモジュール１００全体のコストを削減することができる。

具体的には、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の製造時には、ナット８０ａ（図２参照）を収容するための凹部５１ｇ（図２参照）を有する外囲ケース５１（図１および図２参照）が例えば接着などによってヒートシンク１（図１および図２参照）のベース部分１ａ（図１および図２参照）上に固定される。次いで、ナット８０ａ（図２参照）が収容された外囲ケース５１（図１および図２参照）によって水平方向に位置決めされた絶縁板１１（図２参照）、コモンバー１２（図１および図２参照）、導電性アノードサブスペーサ１８１（図２参照）、サイリスタチップ１１３（図２参照）、導電性カソードサブスペーサ１８３（図２参照）、導電性カソードスペーサ１４（図２参照）およびカソード端子バー１８（図１および図２参照）が、圧接手段１９（図２参照）によって上下方向に圧接されると共に、外囲ケース５１（図１および図２参照）によって水平方向に位置決めされた絶縁板２１（図２参照）、コモンバー１２（図１および図２参照）、導電性カソードスペーサ２４（図２参照）、導電性カソードサブスペーサ１９３（図２参照）、サイリスタチップ１２３（図２参照）、導電性アノードサブスペーサ１９１（図２参照）およびアノード端子バー２２（図１および図２参照）が、圧接手段２９（図２参照）によって上下方向に圧接される。次いで、蓋体５２（図１および図２参照）が例えば接着などによって外囲ケース５１（図１および図２参照）上に固定される。次いで、カソード端子バー１８（図１および図２参照）の上端部が図２に示す状態から図１に示す状態に後側（図１（Ｃ）の右側）に折り曲げられると同時に、アノード端子バー２２（図１および図２参照）の上端部が図２に示す状態から図１に示す状態に前側（図１（Ｃ）の左側）に折り曲げられ、蓋体５２（図１および図２参照）の凹部５２ａ（図２参照）に収容されたナット８０ｂ（図２参照）がカソード端子バー１８（図１および図２参照）の上端部によって覆われると共に、蓋体５２（図１および図２参照）の凹部５２ｂ（図２参照）に収容されたナット８０ｃ（図２参照）がアノード端子バー２２（図１および図２参照）の上端部によって覆われる。

詳細には、カソード端子バー１８（図１および図２参照）の上端部が折り曲げられる時、図１（Ｃ）の右向きの第１の回転モーメントが圧接型大電力用サイリスタモジュール１００に対してかかる。同様に、アノード端子バー２２（図１および図２参照）の上端部が折り曲げられる時、図１（Ｃ）の左向きの第２の回転モーメントが圧接型大電力用サイリスタモジュール１００に対してかかる。この点に鑑み、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の製造時には、第１の回転モーメントと第２の回転モーメントとを相殺するように、カソード端子バー１８（図１および図２参照）の上端部が後側（図１（Ｃ）の右側）に折り曲げられると同時に、アノード端子バー２２（図１および図２参照）の上端部が前側（図１（Ｃ）の左側）に折り曲げられる。

そのため、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００によれば、カソード端子バー１８（図１および図２参照）の上端部が折り曲げられる時およびアノード端子バー２２（図１および図２参照）の上端部が折り曲げられる時に圧接型大電力用サイリスタモジュール１００が転倒してしまうのを防止する転倒防止手段にかかる費用を削減することができる。

図２０は第２の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００を示した図である。詳細には、図２０（Ａ）は第２の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の平面図、図２０（Ｂ）は第２の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の正面図、図２０（Ｃ）は第２の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の右側面図である。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図１および図２に示すように、ヒートシンク１のフィン１ｂを冷却するためのファンが設けられていないが、第２の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２０に示すように、ヒートシンク１のフィン１ｂを冷却するためのファンＦＮ１，ＦＮ２が設けられている。

詳細には、第２の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２０に示すように、ヒートシンク１のうち、サイリスタチップ１１３（図２参照）に対向する部分を冷却するためのファンＦＮ１と、ヒートシンク１のうち、サイリスタチップ１２３（図２参照）に対向する部分を冷却するためのファンＦＮ２とが別個に設けられている。そのため、第２の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００によれば、ファンＦＮ１，ＦＮ２が設けられていない場合よりも、サイリスタチップ１１３，１２３の空冷性能を向上させることができる。

第２の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、ファンＦＮ１（図２０参照）の風量とファンＦＮ２（図２０参照）の風量とが等しくされているが、第３の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、代わりに、ファンＦＮ１（図２０参照）の風量よりもファンＦＮ２（図２０参照）の風量を多くすることも可能である。詳細には、サイリスタチップ１２３（図２参照）からヒートシンク１（図２参照）までの伝熱経路が、サイリスタチップ１１３（図２参照）からヒートシンク１（図２参照）までの伝熱経路よりも導電性カソードスペーサ２４（図２参照）の分だけ長く、かつ、サイリスタチップ１２３（図２参照）からヒートシンク１（図２参照）までの伝熱経路の断面積の最小部分（詳細には、導電性カソードサブスペーサ１９３（図２および図５参照）の水平断面積）が、サイリスタチップ１１３（図２参照）からヒートシンク１（図２参照）までの伝熱経路の断面積の最小部分（詳細には、導電性アノードサブスペーサ１８１（図２および図４参照参照）の水平断面積）よりも小さい点に鑑み、第３の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、サイリスタチップ１１３（図２参照）を冷却するファンＦＮ１（図２０参照）の風量よりも、サイリスタチップ１２３（図２参照）を冷却するファンＦＮ２（図２０参照）の風量が多くされている。そのため、第３の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００によれば、サイリスタチップ１１３（図２参照）とサイリスタチップ１２３（図２参照）とを均一に冷却することができる。

図２１は第４の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００を示した図である。詳細には、図２１（Ａ）は第４の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の平面図、図２１（Ｂ）は第４の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の正面図、図２１（Ｃ）は第４の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の右側面図である。図２２は右前側かつ上側から見た第４の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の斜視図である。

第４の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２１および図２２に示すように、ヒートシンク１の四角形のベース部分１ａ（図１参照）の右側面１ａ３（図１参照）、左側面１ａ４（図１参照）、前側面１ａ５（図１参照）および後側面１ａ６（図１参照）のうち、放熱フィン１ｂの稜線方向（図２１（Ｃ）の左右方向）に平行な右側面１ａ３（図１参照）および左側面１ａ４（図１参照）に対して２つの概略Ｌ字状の接続部材２Ｒ，２Ｌの鉛直部分２Ｒ１，２Ｌ１が接続されている。更に、２つの接続部材２Ｒ，２Ｌの水平部分２Ｒ２，２Ｌ２の下面２Ｒ２ａ，２Ｌ２ａが、複数の放熱フィン１ｂの先端部を含む平面と同一平面上に配置されるか、あるいは、複数の放熱フィン１ｂの先端部を含む平面よりも下側（図２１（Ｂ）の下側）に突出せしめられている。

そのため、第４の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００によれば、例えば溶接機などのような圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の取り付け対象に対して圧接型大電力用サイリスタモジュール１００を取り付けるために、２つの接続部材２Ｒ，２Ｌの水平部分２Ｒ２，２Ｌ２を用いることができる。

その結果、第４の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００によれば、例えば溶接機などのような圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の取り付け対象に対して圧接型大電力用サイリスタモジュール１００を取り付けるためにコモンバー１２、カソード端子バー１８およびアノード端子バー２２のみが用いられる第２および第３の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００よりも、圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の取り付け強度および安定性を向上させることができる。

図２３は右前側かつ上側から見た第４の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の変形例の斜視図である。第４の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２１および図２２に示すように、ファンＦＮ１，ＦＮ２にフィンガーガードが取り付けられていないが、第４の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の変形例では、代わりに、図２３に示すように、ファンＦＮ１，ＦＮ２にフィンガーガードＦＧを取り付けることも可能である。

第４の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の製造時には、圧接手段１９（図２参照）による圧接および圧接手段２９（図２参照）による圧接ならびにカソード端子バー１８（図２１および図２２参照）の上端部およびアノード端子バー２２（図２１および図２２参照）の上端部の折り曲げが行われた後に、２つの接続部材２Ｒ，２Ｌ（図２１および図２２参照）の鉛直部分２Ｒ１，２Ｌ１（図２１参照）がヒートシンク１（図２１および図２２参照）のベース部分１ａ（図２１参照）に接続されるが、第５の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の製造時には、代わりに、圧接手段１９（図２参照）による圧接および圧接手段２９（図２参照）による圧接が行われる前に、２つの接続部材２Ｒ，２Ｌ（図２１および図２２参照）の鉛直部分２Ｒ１，２Ｌ１（図２１参照）がヒートシンク１（図２１および図２２参照）のベース部分１ａ（図２１参照）に接続される。次いで、第５の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の製造時には、２つの接続部材２Ｒ，２Ｌ（図２１および図２２参照）の水平部分２Ｒ２，２Ｌ２（図２１参照）が冶具（図示せず）に対して接続された状態で、圧接手段１９（図２参照）による圧接および圧接手段２９（図２参照）による圧接、並びに、カソード端子バー１８（図２１および図２２参照）の上端部およびアノード端子バー２２（図２１および図２２参照）の上端部の折り曲げが行われる。

つまり、第５の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の製造時には、２つの接続部材２Ｒ，２Ｌ（図２１および図２２参照）が、圧接手段１９，２９（図２参照）による圧接時のヒートシンク１（図２１および図２２参照）の固定手段として用いられると共に、カソード端子バー１８（図２１および図２２参照）の上端部およびアノード端子バー２２（図２１および図２２参照）の上端部の折り曲げ時の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の転倒防止手段として用いられる。

そのため、第５の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００によれば、圧接手段１９，２９（図２参照）による圧接時のヒートシンク１（図２１および図２２参照）の固定手段とカソード端子バー１８（図２１および図２２参照）の上端部およびアノード端子バー２２（図２１および図２２参照）の上端部の折り曲げ時の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の転倒防止手段とが別個に設けられる場合よりも、圧接型大電力用サイリスタモジュール１００全体のコストを削減することができる。

詳細には、第５の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、冶具（図示せず）から取り外された２つの接続部材２Ｒ，２Ｌ（図２１および図２２参照）の水平部分２Ｒ２，２Ｌ２（図２１参照）が圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の取り付け対象に対して接続される。つまり、第５の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、２つの接続部材２Ｒ，２Ｌ（図２１および図２２参照）が、圧接手段１９，２９（図２参照）による圧接時のヒートシンク１（図２１および図２２参照）の固定手段として用いられると共に、カソード端子バー１８（図２１および図２２参照）の上端部およびアノード端子バー２２（図２１および図２２参照）の上端部の折り曲げ時の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の転倒防止手段として用いられ、更に、圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の製造後における例えば溶接機などのような圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の取り付け対象に対する圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の取り付け手段として用いられる。

そのため、第５の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００によれば、圧接手段１９，２９（図２参照）による圧接時のヒートシンク１（図２１および図２２参照）の固定手段とカソード端子バー１８（図２１および図２２参照）の上端部およびアノード端子バー２２（図２１および図２２参照）の上端部の折り曲げ時の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の転倒防止手段と圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の取り付け対象に対する圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の取り付け手段とが別個に設けられる場合よりも、圧接型大電力用サイリスタモジュール１００全体のコストを削減することができる。

図２４は第６の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００を示した図である。詳細には、図２４（Ａ）は第６の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の平面図、図２４（Ｂ）は第６の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の正面図、図２４（Ｃ）は第６の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の右側面図である。

第６の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、図２４に示すように、ヒートシンク１の四角形のベース部分１ａ（図１参照）の右側面１ａ３（図１参照）、左側面１ａ４（図１参照）、前側面１ａ５（図１参照）および後側面１ａ６（図１参照）のうち、放熱フィン１ｂの稜線方向（図２４（Ｃ）の左右方向）に平行な右側面１ａ３（図１参照）および左側面１ａ４（図１参照）に対して２つの概略Ｌ字状の接続部材２Ｒ，２Ｌの鉛直部分２Ｒ１，２Ｌ１が接続されている。更に、２つの接続部材２Ｒ，２Ｌの水平部分２Ｒ２，２Ｌ２の下面２Ｒ２ａ，２Ｌ２ａが、複数の放熱フィン１ｂの先端部を含む平面と同一平面上に配置されるか、あるいは、複数の放熱フィン１ｂの先端部を含む平面よりも下側（図２４（Ｂ）の下側）に突出せしめられている。

そのため、第６の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００によれば、例えば溶接機などのような圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の取り付け対象に対して圧接型大電力用サイリスタモジュール１００を取り付けるために、２つの接続部材２Ｒ，２Ｌの水平部分２Ｒ２，２Ｌ２を用いることができる。

その結果、第６の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００によれば、例えば溶接機などのような圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の取り付け対象に対して圧接型大電力用サイリスタモジュール１００を取り付けるためにコモンバー１２、カソード端子バー１８およびアノード端子バー２２のみが用いられる第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００よりも、圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の取り付け強度および安定性を向上させることができる。

第６の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の製造時には、圧接手段１９（図２参照）による圧接および圧接手段２９（図２参照）による圧接ならびにカソード端子バー１８（図２４参照）の上端部およびアノード端子バー２２（図２４参照）の上端部の折り曲げが行われた後に、２つの接続部材２Ｒ，２Ｌ（図２４参照）の鉛直部分２Ｒ１，２Ｌ１（図２４参照）がヒートシンク１（図２４参照）のベース部分１ａ（図１および図２参照）に接続されるが、第７の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の製造時には、代わりに、圧接手段１９（図２参照）による圧接および圧接手段２９（図２参照）による圧接が行われる前に、２つの接続部材２Ｒ，２Ｌ（図２４参照）の鉛直部分２Ｒ１，２Ｌ１（図２４参照）がヒートシンク１（図２４参照）のベース部分１ａ（図１および図２参照）に接続される。次いで、第７の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の製造時には、２つの接続部材２Ｒ，２Ｌ（図２４参照）の水平部分２Ｒ２，２Ｌ２（図２４参照）が冶具（図示せず）に対して接続された状態で、圧接手段１９（図２参照）による圧接および圧接手段２９（図２参照）による圧接、並びに、カソード端子バー１８（図２４参照）の上端部およびアノード端子バー２２（図２４参照）の上端部の折り曲げが行われる。

つまり、第７の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の製造時には、２つの接続部材２Ｒ，２Ｌ（図２４参照）が、圧接手段１９，２９（図２参照）による圧接時のヒートシンク１（図２４参照）の固定手段として用いられると共に、カソード端子バー１８（図２４参照）の上端部およびアノード端子バー２２（図２４参照）の上端部の折り曲げ時の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の転倒防止手段として用いられる。

そのため、第７の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００によれば、圧接手段１９，２９（図２参照）による圧接時のヒートシンク１（図２４参照）の固定手段とカソード端子バー１８（図２４参照）の上端部およびアノード端子バー２２（図２４参照）の上端部の折り曲げ時の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の転倒防止手段とが別個に設けられる場合よりも、圧接型大電力用サイリスタモジュール１００全体のコストを削減することができる。

詳細には、第７の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、冶具（図示せず）から取り外された２つの接続部材２Ｒ，２Ｌ（図２４参照）の水平部分２Ｒ２，２Ｌ２（図２４参照）が圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の取り付け対象に対して接続される。つまり、第７の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００では、２つの接続部材２Ｒ，２Ｌ（図２４参照）が、圧接手段１９，２９（図２参照）による圧接時のヒートシンク１（図２４参照）の固定手段として用いられると共に、カソード端子バー１８（図２４参照）の上端部およびアノード端子バー２２（図２４参照）の上端部の折り曲げ時の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の転倒防止手段として用いられ、更に、圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の製造後における例えば溶接機などのような圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の取り付け対象に対する圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の取り付け手段として用いられる。

そのため、第７の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００によれば、圧接手段１９，２９（図２参照）による圧接時のヒートシンク１（図２４参照）の固定手段とカソード端子バー１８（図２４参照）の上端部およびアノード端子バー２２（図２４参照）の上端部の折り曲げ時の圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の転倒防止手段と圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の取り付け対象に対する圧接型大電力用サイリスタモジュール１００の取り付け手段とが別個に設けられる場合よりも、圧接型大電力用サイリスタモジュール１００全体のコストを削減することができる。

第８の実施形態では、上述した第１から第８の実施形態および変形例を適宜組み合わせることも可能である。

本発明の圧接型大電力用サイリスタモジュールは、大電流の通電・遮断が繰り返される例えば溶接機のような装置に適用可能である。

１ ヒートシンク
１ａ ベース部分
１ｂ 放熱フィン
１１，２１ 絶縁板
１２ コモンバー
１４ カソードスペーサ
１４ａ 穴
１４ｂ 溝
１５ コイルバネ型ゲート電極信号線
１５ａ コイル部分
１５ｂ 水平方向に延ばされた部分
１５ｂ１ 先端側部分
１５ｂ２ 根元側部分
１８ カソード端子バー
１９ 圧接手段
２２ アノード端子バー
２４ カソードスペーサ
２４ａ 穴
２４ｂ 収容溝
２９ 圧接手段
１００ 圧接型大電力用サイリスタモジュール
１１３ サイリスタチップ
１１３ａ アノード電極
１１３ｂ ゲート電極
１１３ｃ カソード電極
１１５ コイルバネ型ゲート電極信号線
１１５ａ コイル部分
１１５ｂ 水平方向に延ばされた部分
１１５ｂ１ 先端側部分
１１５ｂ２ 根元側部分
１２３ サイリスタチップ
１２３ａ アノード電極
１２３ｂ ゲート電極
１２３ｃ カソード電極
１８１ アノードサブスペーサ
１８２ アノードサブスペーサホルダ
１８３ カソードサブスペーサ
１８３ａ 穴
１８４ カソードサブスペーサホルダ
１９３ カソードサブスペーサ
１９３ａ 穴
１９４ カソードサブスペーサホルダ
３１６ ゲートスペーサ
３１６ａ 上面
３１６ｃ 外周面
３１６ｄ 穴
３１７ ゲートスペーサ
３１７ｂ 下面
３１７ｃ 外周面
３１７ｄ 収容溝
３１７ｄ１ 天井面
３２６ ゲートスペーサ
３２６ａ 下面
３２６ｃ 外周面
３２６ｄ 穴
３２７ 絶縁性ゲートスペーサ
３２７ｂ 上面
３２７ｃ 外周面
３２７ｄ 収容溝
３２７ｄ１ 底面

Claims (7)

1. 複数の放熱フィン（１ｂ）を有するヒートシンク（１）のベース部分（１ａ）上に絶縁板（１１）を配置し、
   コモンバー（１２）を絶縁板（１１）上に配置し、
   概略四角形の導電性アノードサブスペーサ（１８１）と、導電性アノードサブスペーサ（１８１）を包囲する絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）とを、コモンバー（１２）上に配置し、
   下面にアノード電極（１１３ａ）を有し、上面の中心部分にゲート電極（１１３ｂ）を有し、ゲート電極（１１３ｂ）の周りにカソード電極（１１３ｃ）を有し、導電性アノードサブスペーサ（１８１）よりも大きい概略四角形のサイリスタチップ（１１３）を設け、
   サイリスタチップ（１１３）のアノード電極（１１３ａ）と導電性アノードサブスペーサ（１８１）とが対向するように、サイリスタチップ（１１３）を導電性アノードサブスペーサ（１８１）および絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）の上に配置し、
   サイリスタチップ（１１３）のゲート電極（１１３ｂ）に対向する位置に円形の穴（１８３ａ）を有し、サイリスタチップ（１１３）よりも小さい概略四角形の導電性カソードサブスペーサ（１８３）を設け、
   導電性カソードサブスペーサ（１８３）とサイリスタチップ（１１３）のカソード電極（１１３ｃ）とが対向するように、導電性カソードサブスペーサ（１８３）と、導電性カソードサブスペーサ（１８３）を包囲する絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）とを、サイリスタチップ（１１３）のカソード電極（１１３ｃ）および絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）の上に配置し、
   サイリスタチップ（１１３）のゲート電極（１１３ｂ）に対向する位置に円形の穴（１４ａ）を有する環状の導電性カソードスペーサ（１４）を導電性カソードサブスペーサ（１８３）および絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）の上に配置し、
   コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）をサイリスタチップ（１１３）のゲート電極（１１３ｂ）上に配置し、
   コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）と概略相補形状の円形の穴（３１６ｄ）と、環状の導電性カソードスペーサ（１４）の穴（１４ａ）と嵌合する外周面（３１６ｃ）とを有する環状の絶縁性ゲートスペーサ（３１６）を設け、
   環状の絶縁性ゲートスペーサ（３１６）を環状の導電性カソードスペーサ（１４）とコイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）との間に配置し、
   コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）の上端を水平方向に延ばすと共に、その水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）を絶縁被覆し、
   コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）の水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の先端側部分（１５ｂ１）を、導電性カソードスペーサ（１４）の上面に形成された収容溝（１４ｂ）内に収容し、
   環状の導電性カソードスペーサ（１４）の穴（１４ａ）と嵌合する外周面（３１７ｃ）を有する円形の絶縁性ゲートスペーサ（３１７）を、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）および環状の絶縁性ゲートスペーサ（３１６）の上に配置し、
   コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）の上端および水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の根元側部分（１５ｂ２）を、円形の絶縁性ゲートスペーサ（３１７）の下面（３１７ｂ）に形成された収容溝（３１７ｄ）内に収容し、
   コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）の水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の根元側部分（１５ｂ２）を、環状の絶縁性ゲートスペーサ（３１６）の上面（３１６ａ）と円形の絶縁性ゲートスペーサ（３１７）の収容溝（３１７ｄ）の天井面（３１７ｄ１）とによって挟持し、
   カソード端子バー（１８）と環状の導電性カソードスペーサ（１４）とが対向するように、カソード端子バー（１８）を環状の導電性カソードスペーサ（１４）および円形の絶縁性ゲートスペーサ（３１７）の上に配置し、
   それらを圧接手段（１９）によって上下方向に圧接し、
   ヒートシンク（１）のベース部分（１ａ）とコモンバー（１２）との間に絶縁板（２１）を配置し、
   円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）をコモンバー（１２）上に配置し、
   コイル部分（１１５ａ）を有するコイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）を設け、
   コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）の下端を水平方向に延ばすと共に、その水平方向に延ばされた部分（１１５ｂ）を絶縁被覆し、
   コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）の下端および水平方向に延ばされた部分（１１５ｂ）の根元側部分（１１５ｂ２）を、円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）の上面（３２７ｂ）に形成された収容溝（３２７ｄ）内に収容し、
   コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）と概略相補形状の円形の穴（３２６ｄ）を有する環状の絶縁性ゲートスペーサ（３２６）を設け、
   環状の絶縁性ゲートスペーサ（３２６）を、円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）の上であって、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）の周りに配置し、
   コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）の水平方向に延ばされた部分（１１５ｂ）の根元側部分（１１５ｂ２）を、環状の絶縁性ゲートスペーサ（３２６）の下面（３２６ａ）と円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）の収容溝（３２７ｄ）の底面（３２７ｄ１）とによって挟持し、
   円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）の外周面（３２７ｃ）および環状の絶縁性ゲートスペーサ（３２６）の外周面（３２６ｃ）と嵌合する穴（２４ａ）を有する環状の導電性カソードスペーサ（２４）を設け、
   コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）の水平方向に延ばされた部分（１１５ｂ）の先端側部分（１１５ｂ１）が、導電性カソードスペーサ（２４）の下面に形成された収容溝（２４ｂ）内に収容されるように、環状の導電性カソードスペーサ（２４）を、コモンバー（１２）およびコイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）の水平方向に延ばされた部分（１１５ｂ）の先端側部分（１１５ｂ１）の上であって、円形の絶縁性ゲートスペーサ（３２７）および環状の絶縁性ゲートスペーサ（３２６）の周りに配置し、
   コイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）を包囲する円形の穴（１９３ａ）を有する概略四角形の導電性カソードサブスペーサ（１９３）と、導電性カソードサブスペーサ（１９３）を包囲する絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１９４）とを設け、
   概略四角形の導電性カソードサブスペーサ（１９３）と環状の導電性カソードスペーサ（２４）とが対向するように、概略四角形の導電性カソードサブスペーサ（１９３）と絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１９４）とを環状の導電性カソードスペーサ（２４）上に配置し、
   上面にアノード電極（１２３ａ）を有し、下面の中心部分にゲート電極（１２３ｂ）を有し、ゲート電極（１２３ｂ）の周りにカソード電極（１２３ｃ）を有し、導電性カソードサブスペーサ（１９３）よりも大きい概略四角形のサイリスタチップ（１２３）を設け、
   サイリスタチップ（１２３）のゲート電極（１２３ｂ）とコイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）とが対向し、かつ、サイリスタチップ（１２３）のカソード電極（１２３ｃ）と導電性カソードサブスペーサ（１９３）とが対向するように、サイリスタチップ（１２３）をコイルバネ型ゲート電極信号線（１１５）のコイル部分（１１５ａ）、導電性カソードサブスペーサ（１９３）および絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１９４）の上に配置し、
   サイリスタチップ（１２３）よりも小さい概略四角形の導電性アノードサブスペーサ（１９１）と、導電性アノードサブスペーサ（１９１）を包囲する絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１９２）とを設け、
   導電性アノードサブスペーサ（１９１）とサイリスタチップ（１２３）のアノード電極（１２３ａ）とが対向するように、導電性アノードサブスペーサ（１９１）と絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１９２）とを、サイリスタチップ（１２３）のアノード電極（１２３ａ）および絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１９４）の上に配置し、
   アノード端子バー（２２）と導電性アノードサブスペーサ（１９１）とが対向するように、アノード端子バー（２２）を導電性アノードサブスペーサ（１９１）および絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１９２）の上に配置し、
   それらを圧接手段（２９）によって上下方向に圧接したことを特徴とする圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）。
2. ヒートシンク（１）のうち、サイリスタチップ（１１３）に対向する部分を冷却するためのファン（ＦＮ１）と、ヒートシンク（１）のうち、サイリスタチップ（１２３）に対向する部分を冷却するためのファン（ＦＮ２）とを別個に設けたことを特徴とする請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）。
3. ファン（ＦＮ１）の風量よりもファン（ＦＮ２）の風量を多くしたことを特徴とする請求項２に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）。
4. ヒートシンク（１）の四角形のベース部分（１ａ）の４つの側面（１ａ３，１ａ４，１ａ５，１ａ６）のうち、放熱フィン（１ｂ）の稜線方向に平行な２つの側面（１ａ３，１ａ４）に対して２つの概略Ｌ字状の接続部材（２Ｒ，２Ｌ）の鉛直部分（２Ｒ１，２Ｌ１）を接続し、
   ２つの接続部材（２Ｒ，２Ｌ）の水平部分（２Ｒ２，２Ｌ２）の下面（２Ｒ２ａ，２Ｌ２ａ）を、複数の放熱フィン（１ｂ）の先端部を含む平面と同一平面上に配置するか、あるいは、複数の放熱フィン（１ｂ）の先端部を含む平面よりも下側に突出させたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）。
5. ナット（８０ａ）を収容するための凹部（５１ｇ）を有する外囲ケース（５１）をヒートシンク（１）のベース部分（１ａ）上に固定し、次いで、
   ナット（８０ａ）が収容された外囲ケース（５１）によって水平方向に位置決めされた絶縁板（１１）、コモンバー（１２）、導電性アノードサブスペーサ（１８１）、サイリスタチップ（１１３）、導電性カソードサブスペーサ（１８３）、導電性カソードスペーサ（１４）およびカソード端子バー（１８）を、圧接手段（１９）によって上下方向に圧接すると共に、外囲ケース（５１）によって水平方向に位置決めされた絶縁板（２１）、コモンバー（１２）、導電性カソードスペーサ（２４）、導電性カソードサブスペーサ（１９３）、サイリスタチップ（１２３）、導電性アノードサブスペーサ（１９１）およびアノード端子バー（２２）を、圧接手段（２９）によって上下方向に圧接し、次いで、
   蓋体（５２）を外囲ケース（５１）上に固定し、次いで、
   カソード端子バー（１８）の上端部を第１の向きに折り曲げると同時に、アノード端子バー（２２）の上端部を第１の向きとは逆向きの第２の向きに折り曲げ、蓋体（５２）の凹部（５２ａ）に収容されたナット（８０ｂ）をカソード端子バー（１８）の上端部によって覆うと共に、蓋体（５２）の凹部（５２ｂ）に収容されたナット（８０ｃ）をアノード端子バー（２２）の上端部によって覆うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の製造方法。
6. 圧接手段（１９）による圧接および圧接手段（２９）による圧接を行う前に、２つの接続部材（２Ｒ，２Ｌ）の鉛直部分（２Ｒ１，２Ｌ１）をヒートシンク（１）のベース部分（１ａ）に接続し、次いで、
   ２つの接続部材（２Ｒ，２Ｌ）の水平部分（２Ｒ２，２Ｌ２）を冶具に対して接続した状態で、圧接手段（１９）による圧接および圧接手段（２９）による圧接、並びに、カソード端子バー（１８）の上端部およびアノード端子バー（２２）の上端部の折り曲げを行うことを特徴とする請求項４に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の製造方法。
7. 冶具から取り外された２つの接続部材（２Ｒ，２Ｌ）の水平部分（２Ｒ２，２Ｌ２）が圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の取り付け対象に対して接続されることを特徴とする請求項６に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール（１００）の使用方法。

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