JP2013001926A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013001926A JP2013001926A JP2011132432A JP2011132432A JP2013001926A JP 2013001926 A JP2013001926 A JP 2013001926A JP 2011132432 A JP2011132432 A JP 2011132432A JP 2011132432 A JP2011132432 A JP 2011132432A JP 2013001926 A JP2013001926 A JP 2013001926A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- film forming
- film
- nozzle
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】大気圧下においてプラズマPを生成する。このプラズマPを被処理物Wの表面に膜原料を付着させて成膜する成膜装置Aに関する。前記膜原料を含有する成膜ガスCGを流通させる第1流路5。プラズマ生成ガスPGを流通させる第2流路9。前記プラズマ生成ガスCGに電界Eを印加してプラズマPを生成させるための電極3。前記第1流路5と前記第2流路9とを合流させるための合流部14。前記合流部14から前記膜原料を放出させるための放出口11とを備える。前記第1流路5から前記合流部14への前記成膜ガスCGの流入方向と、前記合流部14での前記プラズマPの流通方向とが略平行となるように前記第1流路5が前記第2流路9内に形成され、前記第1流路5から前記合流部14への前記成膜ガスCGの流入速度が、前記合流部14での前記プラズマPの流速よりも高速である。
【選択図】図1
Description
C 膜
E 電界
P プラズマ
W 被処理物
CG 成膜ガス
PG プラズマ生成ガス
1 第1ノズル
2 第2ノズル
3 電極
5 第1流路
9 第2流路
11 放出口
13 プラズマ生成部
14 合流部
18 ノズル移動部
21 プラズマ検知部
22 移動制御部
24 開口可変部
31 開口制御部
32 成膜ガス制御部
34 膜検知部
Claims (16)
- 大気圧下においてプラズマを生成し、このプラズマを用いて被処理物の表面に膜原料を付着させて成膜するための成膜装置であって、前記膜原料を含有する成膜ガスを流通させるための第1流路と、プラズマ生成ガスを流通させるための第2流路と、前記プラズマ生成ガスに電界を印加して前記プラズマを生成させるための電極と、前記第1流路と前記第2流路とを合流させるための合流部と、前記合流部から前記膜原料を放出させるための放出口とを備え、前記第1流路から前記合流部への前記成膜ガスの流入方向と、前記合流部での前記プラズマの流通方向とが略平行となるように前記第1流路が前記第2流路内に形成され、前記第1流路から前記合流部への前記成膜ガスの流入速度が、前記合流部での前記プラズマの流速よりも高速であることを特徴とする成膜装置。
- 前記電極により前記プラズマが生成される箇所をプラズマ生成部とし、前記第1流路と前記合流部との境界における前記第1流路の断面積が、前記プラズマ生成部における第1流路の断面積よりも小さく形成されて成ることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記電極を複数個備え、これらの電極が前記第2流路を流通するプラズマ生成ガスの流通方向と略平行な方向に並設されて成ることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。
- 前記第1流路を有する第1ノズルと前記第2流路を有する第2ノズルとを備え、前記第1ノズルは前記第2流路内に設けられ、前記第1ノズルと前記第2ノズルは前記第2流路におけるプラズマ生成ガスの流通方向と略平行な方向に相対的に移動自在に形成されて成ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記第1ノズルと前記第2ノズルの少なくとも一方を他方に対して移動させるためのノズル移動部を備えて成ることを特徴とする請求項4に記載の成膜装置。
- 前記プラズマの状態を検知するプラズマ検知部を有し、このプラズマ検知部の検知結果に基づいて前記ノズル移動部による前記第1ノズルと前記第2ノズルの少なくとも一方の移動量を制御するための移動制御部を備えて成ることを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。
- 前記第1流路の合流位置における前記合流部の断面積よりも放出口の開口面積が小さく形成されて成ることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記放出口の開口面積が可変自在に形成されて成ることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記放出口の開口面積を可変にするための開口可変部を備えると共に前記プラズマの状態を検知するプラズマ検知部を有し、このプラズマ検知部の検知結果に基づいて前記開口可変部による前記開口面積の可変量を制御する開口制御部を備えて成ることを特徴とする請求項8に記載の成膜装置。
- 前記プラズマ検知部が、前記第2流路内で生成されたプラズマ又は前記放出口から放出されたプラズマの放射光を検知する光センサーであることを特徴とする請求項6乃至9のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記放出口の開口面積を可変にするための開口可変部を備えると共に前記被処理物に形成された膜の状態を検知する膜検知部を有し、この膜検知部の検知結果に基づいて前記開口可変部による前記開口面積の可変量を制御する開口制御部を備えて成ることを特徴とする請求項8に記載の成膜装置。
- 前記膜検知部が、前記被処理物に形成された膜の反射光あるいは透過光を検知する光センサーであることを特徴とする請求項11に記載の成膜装置。
- 前記プラズマ検知部又は前記膜検知部の検知結果に基づいて、前記成膜ガスの供給量を制御する成膜ガス制御部を備えて成ることを特徴とする請求項6乃至12のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記第2ノズルが円管を用いて形成されて成ることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記第2ノズルが角管を用いて形成されて成ることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記プラズマ生成用ガスの流通方向に対して最も下流側に配置した電極を接地して成ることを特徴とする請求項3乃至15のいずれか一項に記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011132432A JP5849218B2 (ja) | 2011-06-14 | 2011-06-14 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011132432A JP5849218B2 (ja) | 2011-06-14 | 2011-06-14 | 成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013001926A true JP2013001926A (ja) | 2013-01-07 |
JP5849218B2 JP5849218B2 (ja) | 2016-01-27 |
Family
ID=47670813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011132432A Active JP5849218B2 (ja) | 2011-06-14 | 2011-06-14 | 成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5849218B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014133915A (ja) * | 2013-01-09 | 2014-07-24 | Dainippon Printing Co Ltd | プラズマcvd装置およびシート材料の製造方法 |
WO2021065357A1 (ja) | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置 |
CN115595561A (zh) * | 2022-10-31 | 2023-01-13 | 胡倩(Cn) | 一种等离子体增强原子层沉积设备及沉积方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06251894A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 大気圧放電装置 |
JP2001006897A (ja) * | 1999-04-23 | 2001-01-12 | Matsushita Electric Works Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
WO2003071839A1 (en) * | 2002-02-20 | 2003-08-28 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Plasma processing device and plasma processing method |
JP2004035990A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜製膜装置 |
JP2007103131A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Adtec Plasma Technology Co Ltd | マイクロ波プラズマ発生方法および装置 |
JP2007188690A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 大気圧プラズマ処理方法及び装置 |
JP2008038246A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Ind Technol Res Inst | プラズマ蒸着装置およびその蒸着法 |
JP2011202232A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 成膜装置 |
-
2011
- 2011-06-14 JP JP2011132432A patent/JP5849218B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06251894A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 大気圧放電装置 |
JP2001006897A (ja) * | 1999-04-23 | 2001-01-12 | Matsushita Electric Works Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
WO2003071839A1 (en) * | 2002-02-20 | 2003-08-28 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Plasma processing device and plasma processing method |
JP2004035990A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜製膜装置 |
JP2007103131A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Adtec Plasma Technology Co Ltd | マイクロ波プラズマ発生方法および装置 |
JP2007188690A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 大気圧プラズマ処理方法及び装置 |
JP2008038246A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Ind Technol Res Inst | プラズマ蒸着装置およびその蒸着法 |
JP2011202232A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 成膜装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014133915A (ja) * | 2013-01-09 | 2014-07-24 | Dainippon Printing Co Ltd | プラズマcvd装置およびシート材料の製造方法 |
WO2021065357A1 (ja) | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置 |
CN115595561A (zh) * | 2022-10-31 | 2023-01-13 | 胡倩(Cn) | 一种等离子体增强原子层沉积设备及沉积方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5849218B2 (ja) | 2016-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI647978B (zh) | 大氣壓力電漿處理裝置及方法 | |
JP5180585B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
US10477665B2 (en) | Microwave plasma torch generating laminar flow for materials processing | |
EP2702839B1 (en) | Method for processing a gas and a device for performing the method | |
JP5594820B2 (ja) | 均一な常圧プラズマ発生装置 | |
US20090068375A1 (en) | Atmospheric Pressure Plasma | |
JP5635788B2 (ja) | 成膜装置 | |
US10576484B2 (en) | Axial feed plasma spraying device | |
US20140248444A1 (en) | Plasma Treatment Of Substrates | |
US20130108804A1 (en) | Plasma treatment of substrates | |
TW201015653A (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
JP2005522824A (ja) | 大気圧プラズマ発生アセンブリ | |
JP5849218B2 (ja) | 成膜装置 | |
TW201446348A (zh) | 超音波清潔方法及其設備 | |
JP3543672B2 (ja) | プラズマを用いた試料の表面処理装置 | |
TWI635537B (zh) | 防止等離子體進入內部的氣體噴嘴、帶干涉儀的氣體噴嘴元件及其工作方法 | |
US20220170158A1 (en) | Film forming device | |
JP2013535080A (ja) | プラズマジェット生成装置 | |
JP2005086208A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
US20230110364A1 (en) | Atmospheric pressure remote plasma cvd device, film formation method, and plastic bottle manufacturing method | |
JP2007138230A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
RU219545U1 (ru) | Устройство для модификации поверхности материалов посредством плазмы атмосферного давления | |
JP2019073404A (ja) | 合成用バーナ | |
JP5765353B2 (ja) | 表面波プラズマcvd装置および成膜方法 | |
JP2015122200A (ja) | 対向電極型プラズマ発生装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121217 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140415 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20141008 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141111 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150616 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150710 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5849218 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |