JP2012528354A - ハーフトーンマスク及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係るハーフトーンマスクは、基板と、前記基板上に形成され、照射される所定波長帯の光を透過させる透過領域と、一つの半透過物質を使用し、前記半透過物質の厚さまたは積層数によって、前記基板上に照射される所定波長帯の光を多数個の互いに異なる透過率で透過させる多重半透過部を有する半透過領域と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
例えば、3個以上の互いに異なる透過率を有する多重透過部を具現するには、互いに異なる透過率を有する3個の半透物質が必要とされる。すなわち、3個以上の多重半透過部を有するハーフトーンマスクを形成するためには、それに対応して半透過物質の数も増加させなければならないという問題点があった。
そして、前記半透過領域は、前記基板上に半透過物質が形成されて、光をX%透過させる第1半透過部と、前記半透過物質よりも厚く形成されて、光をY%透過させる第2半透過部と、前記半透過物質が2層で積層されて、光をZ%透過させる第3半透過部と、を含むことを特徴とする。
110 遮断層
112 第1半透過物質
114 第2半透過物質
120 フォトレジスト
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に形成され、照射される所定波長帯の光を透過させる透過領域と、
一つの半透過物質を使用し、前記半透過物質の厚さまたは積層数によって、前記基板上に照射される所定波長帯の光を多数個の互いに異なる透過率で透過させる多重半透過部を有する半透過領域と、
を含むことを特徴とするハーフトーンマスク。 - 少なくとも2つの前記半透過物質の間に形成された遮断層を有する遮断領域をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載のハーフトーンマスク。
- 少なくとも2つの前記半透過物質の上部または下部に形成された遮断層を有する遮断領域をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載のハーフトーンマスク。
- 前記半透過物質は、Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al、Zr、Sn、Zn、In、Mg、Hf、V、Nd、Ge、MgO−Al2O3、Si3N4のいずれかの単一物質、これらうち少なくとも2つが混合された複合物質、または、前記単一物質または複合物質に、COx、Ox、Nx、Cx、Fx、Bxの少なくとも1つが添加された物質であることを特徴とし、下付き文字xは自然数で、各化学元素の個数を表す、請求項1に記載のハーフトーンマスク。
- 前記半透過領域は
前記基板上に半透過物質が形成されて、光をX%透過させる第1半透過部と、
前記半透過物質よりも厚く形成されて、光をY%透過させる第2半透過部と、
前記半透過物質が2層で積層されて、光をZ%透過させる第3半透過部と、
を含むことを特徴とする、請求項1に記載のハーフトーンマスク。 - 基板上に第1半透過物質、遮断層、フォトレジストを積層した後、前記遮断層の必要領域が露出されるように前記フォトレジストを露光及び現像し、前記露出された遮断層、第1半透過物質を順に除去する段階と、
前記第1半透過物質及び遮断層の形成された基板上にフォトレジストを積層した後、前記遮断層の必要領域が露出されるように前記フォトレジストを露光及び現像して、前記露出された遮断層を除去する段階と、
前記露出された遮断層を除去した後、第2半透過物質、フォトレジストを順に積層して、前記第1及び第2半透過物質の間に遮断層が形成された遮断領域を形成する段階と、
前記第2半透過物質の必要領域が露出されるように前記フォトレジストを露光及び現像し、前記露出された第2半透過物質、遮断層を順に除去する段階と、
前記基板上に第1半透過物質が形成された第1半透過部と、前記基板上に第2半透過物質が形成された第2半透過部と、前記第1及び第2半透過物質が積層された第3半透過部を含む半透過領域を形成する段階と、
を含むことを特徴とするハーフトーンマスクの製造方法。 - 前記第1半透過物質及び第2半透過物質は、同じ半透過物質で形成し、前記第1半透過物質及び第2半透過物質は、互いに異なる厚さを有するように形成することを特徴とする、請求項6に記載のハーフトーンマスクの製造方法。
- 前記半透過物質は、Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al、Zr、Sn、Zn、In、Mg、Hf、V、Nd、Ge、MgO−Al2O3、Si3N4のいずれかの単一物質、これらのうち少なくとも2つが混合された複合物質、または、前記単一物質または複合物質に、COx、Ox、Nx、Cx、Fx、Bxの少なくとも1つが添加された物質であることを特徴とする、請求項6に記載のハーフトーンマスクの製造方法。
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