JP2012523008A - 進行波核分裂反応炉、核燃料アッセンブリ、およびこれらにおける燃焼度の制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、一般的に核反応の制御に関し、より詳細には、進行波核分裂反応炉、核燃料アッセンブリおよびそれらにおける燃焼度を制御する方法に関する。
本開示の一局面によれば、中性子束を放射可能な進行波核分裂反応炉における燃焼度を制御する方法が提供される。当該方法は、上記進行波核分裂反応炉によって放射される上記中性子束を調節することを包含している。
明細書は、本開示の主題を特に示しており、明確に主張している特許請求の範囲をともなって完結しているが、本開示は、添付の図面と関連付けて理解されるときに以下の詳細な説明から、より理解されるものと考える。さらに、異なる図面における同じ記号の使用によって、類似または同一の要素が示されている。
以下の詳細な説明において、本明細書の一部を形成している添付の図面が参照される。図面において、同様の符号は、特に断りがない限り、類似の構成要素を特定している。詳細な説明、図面および特許請求の範囲に記載されている例示的な実施形態は、限定することを意味していない。他の実施形態が利用され得、他の変更が、本明細書に示されている主題の精神または範囲から逸脱することなくなされ得る。
進行波核分裂反応炉および核燃料アッセンブリにおける燃焼度を制御する例示的な実施形態と関連する具体的な方法がこれから説明される。
Claims (52)
- 中性子束を放射可能な進行波核分裂反応炉における燃焼度を制御する方法であって、
上記進行波核分裂反応炉によって放射される上記中性子束を調節することを包含している、方法。 - 中性子束を放射可能な進行波核分裂反応炉における燃焼度を制御する方法であって、
上記進行波核分裂反応炉によって放射される、燃焼前面を規定する上記中性子束を調節することを包含している、方法。 - 所定の燃焼度値をもたらすことをさらに包含している、請求項2に記載の方法。
- 所定の燃焼度値以下の燃焼度値をもたらすことをさらに包含している、請求項2に記載の方法。
- 上記所定の燃焼度値以下の燃焼度値をもたらすことは、上記燃焼前面の後方にある位置における中性子吸収体の量を制御することを包含している、請求項4に記載の方法。
- 上記所定の燃焼度値以下の燃焼度値をもたらすことは、上記燃焼前面に対する複数の位置における中性子吸収をもたらす中性子吸収体の量を制御することを包含しており、上記中性子吸収体による上記中性子吸収の大部分が、上記燃焼前面の後方にある複数の位置において生じる、請求項4に記載の方法。
- 上記所定の燃焼度値以下の燃焼度値をもたらすことは、上記燃焼前面の後方にある位置における中性子反射体の量を制御することを包含している、請求項4に記載の方法。
- 上記中性子反射体は、ベリリウム(Be)、鉛(Pb)、タングステン(W)、バナジウム(V)、核分裂性同位体に転換可能な材料、鋼合金、およびこれらの混合物から選択される材料を含んでいる、請求項7に記載の方法。
- 上記所定の燃焼度値以下の燃焼度値をもたらすことは、上記燃焼前面に対する位置の1つ以上における中性子反射をもたらす中性子反射体の量を制御することを包含しており、上記中性子反射体による上記中性子反射の大部分が、上記燃焼前面の後方にある複数の位置において生じる、請求項4に記載の方法。
- 上記所定の燃焼度値以下の燃焼度値をもたらすことは、上記燃焼前面の後方にある第1位置から上記燃焼前面の後方にある第2位置まで中性子放出体を移動させることを包含している、請求項4に記載の方法。
- 上記所定の燃焼度値以下の燃焼度値をもたらすことは、上記燃焼前面の後方にある第1位置から上記燃焼前面に近接する第2位置まで中性子放出体を移動させることを包含している、請求項4に記載の方法。
- 上記所定の燃焼度値以下の燃焼度値をもたらすことは、上記燃焼前面の後方にある第1位置から上記燃焼前面の前方にある第2位置まで中性子放出体を移動させることを包含している、請求項4に記載の方法。
- 上記進行波核分裂反応炉における燃焼度値の制御に応じて、1つ以上の構造的な材料に対する放射線損傷を制御することをさらに包含している、請求項2に記載の方法。
- 放射線損傷を制御することは、放射線損傷値をもたらすことを包含している、請求項13に記載の方法。
- 放射線損傷を制御することは、所定の放射線損傷値以下の放射線損傷値をもたらすことを包含している、請求項13に記載の方法。
- 所定の放射線損傷値以下の上記放射線損傷値をもたらすことは、上記燃焼前面の後方にある第1位置から上記燃焼前面の後方にある第2位置まで中性子放出体を移動させることを包含している、請求項15に記載の方法。
- 所定の放射線損傷値以下の放射線損傷値をもたらすことは、上記燃焼前面の後方にある第1位置から上記燃焼前面に近接する第2位置まで中性子放出体を移動させることを包含している、請求項15に記載の方法。
- 所定の放射線損傷値以下の放射線損傷値をもたらすことは、上記燃焼前面の後方にある第1位置から上記燃焼前面の前方にある第2位置まで中性子放出体を移動させることを包含している、請求項15に記載の方法。
- 所定の放射線損傷値以下の放射線損傷値をもたらすことは、上記燃焼前面の後方にある位置における中性子吸収体の量を制御することを包含している、請求項15に記載の方法。
- 所定の放射線損傷値以下の放射線損傷値をもたらすことは、上記燃焼前面に対する複数の位置における中性子吸収をもたらす中性子吸収体の量を制御することを包含しており、上記中性子吸収体による上記中性子吸収の大部分が、上記燃焼前面の後方にある複数の位置において生じる、請求項15に記載の方法。
- 所定の放射線損傷値以下の放射線損傷値をもたらすことは、上記燃焼前面の後方にある位置における中性子反射体の量を制御することを包含している、請求項15に記載の方法。
- 所定の放射線損傷値以下の放射線損傷値をもたらすことは、上記燃焼前面に対する複数の位置における中性子反射をもたらす中性子反射体の量を制御することを包含しており、上記中性子反射体による上記中性子反射が、上記燃焼前面の後方にある複数の位置において生じる、請求項15に記載の方法。
- 中性子束を放射可能な進行波核分裂反応炉における燃焼度を制御する方法であって、
上記進行波核分裂反応炉によって放射される、燃焼前面を規定する中性子束を調節することを包含しており、中性子束を調節することが、上記燃焼前面に対する位置における上記中性子束を選択的に調節することを包含している、方法。 - 上記燃焼前面に対する位置における上記中性子束を選択的に調節することは、上記燃焼前面の後方にある位置における上記中性子束を選択的に調節することを包含している、
請求項23に記載の方法。 - 上記燃焼前面に対する位置における上記中性子束を選択的に調節することは、上記燃焼前面に対する複数の位置における中性子束を選択的に調節することを包含しており、上記燃焼前面に対する複数の位置における調節の量が空間プロファイルによって管理される、請求項23に記載の方法。
- 上記空間プロファイルは上記燃焼前面について対称性を示す、請求項25に記載の方法。
- 上記空間プロファイルは上記燃焼前面について非対称性を示す、請求項25に記載の方法。
- 上記空間プロファイルは、急峻な部分を有している傾斜を有しており、上記空間プロファイルの上記傾斜の上記急峻な部分は、上記燃焼前面の後方にある位置に存在している、請求項25に記載の方法。
- 上記燃焼前面に対する位置における中性子束を選択的に調節することは、中性子束の調節の大部分が上記燃焼前面の後方にある複数の位置において生じるように、上記燃焼前面に対する位置における上記中性子束を選択的に制御することを包含している、請求項23に記載の方法。
- 上記燃焼前面に対する位置における中性子束を選択的に調節することは、上記燃焼前面に対する位置における上記中性子束の一部を選択的に吸収することを包含している、請求項23に記載の方法。
- 上記燃焼前面に対する位置における中性子束を選択的に調節することは、上記燃焼前面に対する位置における中性子吸収体の量を制御することを包含している、請求項23に記載の方法。
- 上記中性子吸収体は、リチウム、銀、インジウム、カドミウム、ホウ素、コバルト、ハフニウム、ジスプロシウム、ガドリニウム、サマリニウム、エルビウム、ユーロピウム、およびこれらの混合物から選択される材料を含んでいる、請求項31に記載の方法。
- 上記中性子吸収体は、銀−インジウム−カドミウムの合金、炭化ホウ素、二ホウ化ジルコニウム、二ホウ化チタン、二ホウ化ハフニウム、チタン酸ガドリニウム、チタン酸ジスプロシウム、およびこれらの混合物から選択される化合物を含んでいる、請求項31に記載の方法。
- 上記燃焼前面に対する位置における中性子束を選択的に調節することは、上記燃焼前面に対する位置における中性子相互作用性材料の量を制御することを包含している、請求項23に記載の方法。
- 上記燃焼前面に対する上記位置における上記中性子相互作用性材料の量を制御することは、上記燃焼前面に対する上記位置における中性子放出体の量を制御することを包含している、請求項34に記載の方法。
- 上記中性子放出体は、核分裂性同位体を含んでいる、請求項35に記載の方法。
- 上記中性子放出体は、核分裂性同位体に転換可能な同位体を含んでいる、請求項35に記載の方法。
- 上記中性子放出体は、β崩壊を起こして核分裂性同位体になることが可能な元素を含んでいる、請求項35に記載の方法。
- 上記燃焼前面に対する上記位置における上記中性子相互作用性材料の上記量を制御することは、上記燃焼前面に対する上記位置における中性子反射体の量を制御することを包含している、請求項34に記載の方法。
- 上記燃焼前面と関連する燃焼パラメータを検出すること;および
上記燃焼前面と関連する上記燃焼パラメータの検出に少なくとも部分的に応じて、上記中性子束を選択的に調節することをさらに包含している、請求項23に記載の方法。 - 上記燃焼前面と関連する燃焼パラメータを検出することは、上記燃焼前面に近接する少なくとも1つの位置における材料に対する放射線損傷を監視することを包含している、請求項40に記載の方法。
- 上記燃焼前面と関連する燃焼パラメータを検出することは、上記燃焼前面に近接する少なくとも1つの位置における材料に対する燃焼度値を監視することを包含している、請求項40に記載の方法。
- 上記燃焼前面と関連する燃焼パラメータを検出することは、燃焼前面の速度を監視することを包含している、請求項40に記載の方法。
- 上記燃焼前面と関連する燃焼パラメータを検出することは、燃焼前面の幅を監視することを包含している、請求項40に記載の方法。
- 上記燃焼前面と関連する燃焼パラメータを検出することは、上記燃焼前面に近接する少なくとも1つの位置における、上記中性子束と関連する1つ以上の特性を監視することを包含している、請求項40に記載の方法。
- 上記燃焼前面と関連する燃焼パラメータを検出することは、上記燃焼前面に近接する少なくとも1つの位置における放射線を監視することを包含している、請求項40に記載の方法。
- 上記燃焼前面と関連する燃焼パラメータを検出することは、上記燃焼前面と熱的に最も近い少なくとも1つの位置における温度を監視することを包含している、請求項40に記載の方法。
- 上記燃焼パラメータの検出に少なくとも部分的に応じて上記中性子束を選択的に調節することは、フィードバック制御処理に応じた上記燃焼パラメータの検出に少なくとも部分的に応じて、上記中性子束を選択的に調節することを包含している、請求項40に記載の方法。
- 上記燃焼パラメータの検出に少なくとも部分的に応じて上記中性子束を選択的に調節することは、コンピュータを利用した演算手順に少なくとも部分的に応じた上記燃焼パラメータの検出に少なくとも部分的に応じて、上記中性子束を選択的に調節することを包含している、請求項40に記載の方法。
- 上記コンピュータを利用した演算手順は複数のパラメータを含んでいる、請求項49に記載の方法。
- 上記複数のパラメータを含んでいる上記コンピュータを利用した演算手順に応じた上記燃焼度の検出に少なくとも部分的に応じて、上記中性子束を選択的に調節することを包含している、請求項50に記載の方法。
- 上記中性子束の部分的な調節に応じて複数の構造的な材料の1つ以上に対する放射線損傷を制御することをさらに包含している、請求項40に記載の方法。
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