JP2012519386A - 光リソグラフィ装置 - Google Patents
光リソグラフィ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012519386A JP2012519386A JP2011552385A JP2011552385A JP2012519386A JP 2012519386 A JP2012519386 A JP 2012519386A JP 2011552385 A JP2011552385 A JP 2011552385A JP 2011552385 A JP2011552385 A JP 2011552385A JP 2012519386 A JP2012519386 A JP 2012519386A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opening
- distance
- axis
- light
- optical density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/701—Off-axis setting using an aperture
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70125—Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】 集積回路の形成中に光フォトリソグラフィを最適化するための装置、該装置を設計する方法、該装置を用いるツール、及び、該装置の使用法を提供する。本装置は非対称補完型双極子素子を備え、該非対称補完型双極子素子は、第1の軸に関して等距離且つ鏡像関係にあり、本質的に同一の第1の面積及び選択された光の波長に対する本質的に同一の第1の光学密度を有する、第1の開口部及び第2の開口部と、第2の軸に関して等距離且つ鏡像関係にあり、本質的に同一の第2の面積及び選択された光の波長に対する本質的に同一の第2の光学密度を有する、第3の開口部及び第4の開口部とを備え、ここで、第1の軸は第2の軸に対して垂直であり、第1の光学密度は第2の光学密度とは異なる。
【選択図】 図1
Description
図4は、図3に示すX軸及びY軸と寸法表示が除かれ、断面表示が加えられた点を除いて、図3と同様である。
105:化学線源
110:光線
110A:縮小光線
115、115A、115B:非対称補完型双極子(ACD)素子
120:反射体
125:固定スリット
130:レチクル・スキャン機構
135:レチクル
140:縮小素子
145:縮小レンズ
150:スキャン可能ステッパ・ステージ(ステージ)
155:制御ユニット
160、175、180、232:領域
165:ICチップ
170:ウェハ
200:アレイ(マスク)
205:設計画像(画像、設計形状)
210、210A:不透明層
210B:不透明プレート
215A、215B、215C、215D、220A、220B、220C、220D:開口部
225:中心点
227:上面
230:透明な基板
235:光減衰材料
235A:減光フィルタ
240A、245A:平均寸法形状
240B、245B:最大寸法形状
240C、245C:最小寸法形状
325:ACD設計ファイル
400:コンピュータ・ツール
405:マイクロプロセッサ又は中央演算処理装置(CPU)
410:ツール・バス
415:ランダム・アクセス・メモリ(RAM)
420:読み取り専用メモリ(ROM)
425:入力/出力(I/O)アダプタ
430:取り外し可能データ及び/又はプログラム記憶デバイス
435:大容量データ及び/又はプログラム記憶デバイス
440:ユーザ・インターフェース・アダプタ
445:キーボード
450:マウス
455:ポート・アダプタ
460:データ・ポート
465:ディスプレイ・アダプタ
470:表示デバイス
L:長さ
W:幅
T:厚さ
d1、d2:仕様限界値
Sx:X方向の距離
Sy:Y方向の距離
Claims (21)
- 光リソグラフィ装置であって、
第1の軸に関して等距離且つ鏡像関係にあり、本質的に同一の第1の面積及び選択された光の波長に対する本質的に同一の第1の光学密度を有する、第1の開口部及び第2の開口部と、
第2の軸に関して等距離且つ鏡像関係にあり、本質的に同一の第2の面積及び前記選択された光の波長に対する本質的に同一の第2の光学密度を有する、第3の開口部及び第4の開口部と
を備える非対称補完型双極子素子を備え、
前記第1の軸は前記第2の軸に対して垂直であり、前記第1の光学密度は前記第2の光学密度とは異なる、
装置。 - 前記第1の開口部及び前記第2の開口部はほぼ弓形形状を有し、前記第3の開口部及び前記第4の開口部はほぼ弓形形状を有し、
前記第1の軸と前記第2の軸との交点によって中心点が定められ、
前記第1の開口部及び前記第2の開口部は、第1の辺及び第2の辺において第1の円弧長を有する同心円弧によって定められ、第3の辺及び第4の辺においては前記中心点からの第1の距離から第2の距離まで延びる半径方向長さを有する非平行線によって定められ、前記第2の距離は前記第1の距離よりも大きく、
前記第3の開口部及び前記第4の開口部は、第1の辺及び第2の辺において第2の円弧長を有する同心円弧によって定められ、第3の辺及び第4の辺においては前記中心点からの第3の距離から第4の距離まで延びる半径方向長さを有する非平行線によって定められ、前記第4の距離は前記第3の距離よりも大きい、
請求項1に記載の装置。 - 前記第1の円弧長は前記第2の円弧長より長い、請求項2に記載の装置。
- 前記第1の円弧長は45°と120°の間にあり、前記第2の円弧長は20°と50°の間にある、請求項2に記載の装置。
- 前記第1の面積は前記第2の面積より広い、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の光学密度は0.1未満であり、前記第2の光学密度は0.2と0.9の間にある、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の光学密度は0であり、前記第2の光学密度は0.2と0.9との間にある、請求項1に記載の装置。
- フォトレジスト層上に光パターンを与える方法であって、
非対称補完型双極子素子の開口部を通して、選択された波長の光を通過させるステップを含み、
前記非対称補完型双極子素子は、
第1の軸に関して等距離且つ鏡像関係にあり、本質的に同一の第1の面積及び前記選択された光の波長に対する本質的に同一の第1の光学密度を有する、第1の開口部及び第2の開口部と、
第2の軸に関して等距離且つ鏡像関係にあり、本質的に同一の第2の面積及び前記選択された光の波長に対する本質的に同一の第2の光学密度を有する、第3の開口部及び第4の開口部と
を備え、
前記第1の軸は前記第2の軸に対して垂直であり、前記第1の光学密度は前記第2の光密度とは異なり、
さらに
前記非対称補完型双極子素子を通して前記光を前記通過させるステップの後で、パターン形成されたフォトマスクを通して前記光を通過させるステップと、
前記パターン形成されたフォトマスクを通して前記光を前記通過させるステップの後で、前記フォトレジスト層上に前記光を投射するステップと
を含む方法。 - 前記第1の開口部及び前記第2の開口部を通過する前記光は、第1の強度で出て行き、前記第3の素子及び前記第4の素子を通過する前記光は、第2の強度で出て行き、前記第1の強度は前記第2の強度より大きい、請求項8に記載の方法。
- 前記第1の開口部及び前記第2の開口部はほぼ弓形形状を有し、前記第3の開口部及び前記第4の開口部はほぼ弓形形状を有し、
前記第1の軸と前記第2の軸との交点によって中心点が定められ、
前記第1の開口部及び前記第2の開口部は、第1の辺及び第2の辺において第1の円弧長を有する同心円弧によって定められ、第3の辺及び第4の辺においては前記中心点からの第1の距離から第2の距離まで延びる半径方向長さを有する非平行線によって定められ、前記第2の距離は前記第1の距離よりも大きく、
前記第3の開口部及び前記第4の開口部は、第1の辺及び第2の辺において第2の円弧長を有する同心円弧によって定められ、第3の辺及び第4の辺においては前記中心点からの第3の距離から第4の距離まで延びる半径方向長さを有する非平行線によって定められ、前記第4の距離は前記第3の距離よりも大きい、
請求項9に記載の方法。 - 前記第1の円弧長は前記第2の円弧長より長い、請求項10に記載の方法。
- 付加的な非対称補完型双極子素子の開口部を通して、前記選択された波長の光を通過させるステップをさらに含み、
前記付加的な非対称補完型双極子素子は、
第3の軸に関して等距離且つ鏡像関係にあり、本質的に同一の第3の面積及び前記選択された光の波長に対する本質的に同一の第3の光学密度を有する、第5の開口部及び第6の開口部と、
第4の軸に関して等距離且つ鏡像関係にあり、本質的に同一の第4の面積及び前記選択された光の波長に対する本質的に同一の第4の光学密度を有する、第7の開口部及び第8の開口部と、
を備え、
前記第3の軸は前記第4の軸に対して垂直であり、前記第3の軸は前記第2の軸と同一の広がりを有し、前記第4の軸は前記第1の軸と同一の広がりを有し、前記第3の光学密度は前記第4の光密度とは異なり、
さらに
前記付加的な非対称補完型双極子素子を通して前記光を前記通過させるステップの後で、付加的なパターン形成されたフォトマスクを通して、前記光を通過させるステップと、
前記付加的なパターン形成されたフォトマスクを通して前記光を前記通過させるステップの後で、前記フォトレジスト層上に前記光を投射するステップと
を含む、請求項8に記載の方法。 - 前記第1の開口部及び前記第2の開口部はほぼ弓形形状を有し、前記第3の開口部及び前記第4の開口部はほぼ弓形形状を有し、
前記第1の軸と前記第2の軸との交点によって中心点が定められ、
前記第1の開口部及び前記第2の開口部は、第1の辺及び第2の辺において第1の円弧長を有する同心円弧によって定められ、第3の辺及び第4の辺においては前記中心点からの第1の距離から第2の距離まで延びる半径方向長さを有する非平行線によって定められ、前記第2の距離は前記第1の距離よりも大きく、
前記第3の開口部及び前記第4の開口部は、第1の辺及び第2の辺において第2の円弧長を有する同心円弧によって定められ、第3の辺及び第4の辺においては前記中心点からの第3の距離から第4の距離まで延びる半径方向長さを有する非平行線によって定められ、前記第4の距離は前記第3の距離よりも大きく、
前記第5の開口部及び前記第6の開口部はほぼ弓形形状を有し、前記第7の開口部及び前記第8の開口部はほぼ弓形形状を有し、
前記第5の開口部及び前記第6の開口部は、第1の辺及び第2の辺において第3の円弧長を有する同心円弧によって定められ、第3の辺及び第4の辺においては前記中心点からの第5の距離から第6の距離まで延びる半径方向長さを有する非平行線によって定められ、前記第6の距離は前記第5の距離よりも大きく、
前記第7の開口部及び前記第8の開口部は、第1の辺及び第2の辺において第4の円弧長を有する同心円弧によって定められ、第3の辺及び第4の辺においては前記中心点からの第7の距離から第8の距離まで延びる半径方向長さを有する非平行線によって定められ、前記第8の距離は前記第7の距離よりも大きい、
請求項12に記載の方法。 - 前記第1の円弧長は前記第2の円弧長より長く、前記第3の円弧長は前記第4の円弧長より長い、請求項13に記載の方法。
- フォトレジスト層上に、第1及び第2の強度を有する光パターンを与えるための装置であって、
光源とフォトマスクの間に位置合わせされた、請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の非対称補完型双極子素子を備え、
前記フォトマスクは前記非対称補完型双極子素子と前記フォトレジスト層の間に位置合わせされる、
装置。 - 非対称補完型双極子素子を設計する方法であって、
(a)集積回路製造レベルの設計の限界設計画像を選択するステップと、
(b)初期の非対称補完型双極子設計を選択又は生成するステップ、及び、前記初期設計の非対称補完型双極子設計を現行の非対称補完型双極子設計に指定するステップであって、前記現行の非対称補完型双極子設計は第1の強度の光を通過させる少なくとも第1の双極子と、第2の強度の光を通過させる第2の双極子とを有し、前記光の第1の強度は前記光の第2の強度とは異なる、ステップと、
(c)前記限界設計画像を記述する第1のパラメータ、及び前記現行の非対称補完型双極子設計を記述する第2のパラメータを用いてフォトレジスト層の露光をシミュレートして前記限界設計画像のシミュレート画像を生成するステップと、
(d)前記シミュレート画像を記述する第3のパラメータを評価するステップと、
(e)前記パラメータが許容可能ではない場合には前記第2のパラメータのうちの1つ又は複数を修正してステップ(c)及び(d)を繰り返し、前記第3のパラメータが許容可能である場合には前記現行の非対称補完型双極子設計を選択するステップと
を含む方法。 - 前記初期の非対称補完型双極子設計及び前記現行の非対称補完型双極子設計は、
第1の軸に関して等距離且つ鏡像関係にあり、本質的に同一の第1の面積及び選択された光の波長に対する本質的に同一の第1の光学密度ODCRITを有する、第1の開口部及び第2の開口部と、
第2の軸に関して等距離且つ鏡像関係にあり、本質的に同一の第2の面積及び前記選択された光の波長に対する本質的に同一の第2の光学密度ODCOMPを有する、第3の開口部及び第4の開口部と、
を備え、
前記第1の軸は前記第2の軸に対して垂直であり、ODCRITとODCOMPは異なる値を有する、
請求項16に記載の方法。 - 前記第1の開口部及び前記第2の開口部はほぼ弓形形状を有し、前記第3の開口部及び前記第4の開口部はほぼ弓形形状を有し、
前記第1の軸と前記第2の軸との交点によって中心点が定められ、
前記第1の開口部及び前記第2の開口部は、第1の辺及び第2の辺において第1の円弧長A1を有する同心円弧によって定められ、第3の辺及び第4の辺においては前記中心点からの第1の距離Ri1から第2の距離Ro1まで延びる半径方向長さを有する非平行線によって定められ、Ro1はRi1よりも大きく、
前記第3の開口部及び前記第4の開口部は、第1の辺及び第2の辺において第2の円弧長A2を有する同心円弧によって定められ、第3の辺及び第4の辺においては前記中心点からの第3の距離Ri2から第4の距離Ro2まで延びる半径方向長さを有する非平行線によって定められ、Ro2はRi2よりも大きい、
請求項17に記載の方法。 - 前記第2のパラメータはA1、A2、Ri1、Ro1、Ri2、Ro2、ODCRIT、及びODCOMPのうちの1つ又は複数を含む、請求項18に記載の方法。
- 前記第1のパラメータは前記設計画像の幅W及び長さL、並びに前記設計画像の隣接画像間のX方向における第1の間隔Sx、並びに前記設計画像の隣接画像間のY方向における第2の間隔Syを含み、
前記第3のパラメータは前記シミュレート画像の平均寸法形状、最大寸法形状、及び最小寸法形状を記述する、
請求項16に記載の方法。 - 前記第1の双極子は、第1の方向の第1の軸に関して対称的であり、前記限界設計画像の第2の方向における解像度を向上させ、前記第2の双極子は、第2の方向の第2の軸に関して対称的であり、前記限界設計画像の第1の方向における解像度を向上させ、前記第2の方向は前記第1の方向に対して垂直である、請求項16に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/396,503 US8749760B2 (en) | 2009-03-03 | 2009-03-03 | Asymmetric complementary dipole illuminator |
US12/396,503 | 2009-03-03 | ||
PCT/EP2010/051972 WO2010100029A1 (en) | 2009-03-03 | 2010-02-17 | Optical lithography apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012519386A true JP2012519386A (ja) | 2012-08-23 |
JP5579755B2 JP5579755B2 (ja) | 2014-08-27 |
Family
ID=42110917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011552385A Expired - Fee Related JP5579755B2 (ja) | 2009-03-03 | 2010-02-17 | 光リソグラフィ装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8749760B2 (ja) |
JP (1) | JP5579755B2 (ja) |
KR (1) | KR101599097B1 (ja) |
CN (1) | CN102341755B (ja) |
TW (1) | TW201104360A (ja) |
WO (1) | WO2010100029A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8749760B2 (en) | 2009-03-03 | 2014-06-10 | International Business Machines Corporation | Asymmetric complementary dipole illuminator |
US8416393B2 (en) * | 2009-04-02 | 2013-04-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Cross quadrupole double lithography method and apparatus for semiconductor device fabrication using two apertures |
US20110212403A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for enhanced dipole lithography |
US8221943B2 (en) * | 2010-03-22 | 2012-07-17 | Sandisk Technologies Inc. | Photomask with assist features |
US11322649B2 (en) * | 2020-09-15 | 2022-05-03 | Applied Materials, Inc. | Three color light sources integrated on a single wafer |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0661122A (ja) * | 1992-08-07 | 1994-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 投影露光装置 |
JPH08274021A (ja) * | 1996-03-11 | 1996-10-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 投影露光装置 |
JP2002093700A (ja) * | 2000-09-02 | 2002-03-29 | Carl Zeiss:Fa | 投影露光装置 |
JP2004063988A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Canon Inc | 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006210928A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Infineon Technologies Ag | 像面にパターンを投影するための構造体 |
JP2007531313A (ja) * | 2004-04-02 | 2007-11-01 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | コンタクトホールの製造システムおよび方法 |
JP2008098382A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Toshiba Corp | 露光装置、露光方法、及び光近接効果補正方法 |
US20080239272A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Micron Technology, Inc. | Reduced lens heating methods, apparatus, and systems |
WO2009101958A1 (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-20 | Nikon Corporation | 照明光学系、露光装置、デバイス製造方法、補正フィルター、及び露光光学系 |
JP2011517101A (ja) * | 2008-04-11 | 2011-05-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学アパーチャ装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6251219A (ja) | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Hitachi Ltd | 間隙設定装置 |
GB2249387B (en) | 1990-10-11 | 1995-01-25 | Holtronic Technologies Ltd | Apparatus for and a method of transverse position measurement in proximity lithographic systems |
JPH06251219A (ja) | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Zexel Corp | 入退室管理装置 |
TW587199B (en) * | 1999-09-29 | 2004-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method and apparatus |
US7245356B2 (en) | 2003-02-11 | 2007-07-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for optimizing illumination using a photolithographic simulation |
US7046339B2 (en) | 2004-03-05 | 2006-05-16 | Micron Technology, Inc. | Optimized optical lithography illumination source for use during the manufacture of a semiconductor device |
US7304719B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-12-04 | Asml Holding N.V. | Patterned grid element polarizer |
US20060170895A1 (en) * | 2004-12-20 | 2006-08-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure apparatus |
US7283205B2 (en) | 2005-01-19 | 2007-10-16 | Micron Technology, Inc. | Optimized optical lithography illumination source for use during the manufacture of a semiconductor device |
US7537870B2 (en) * | 2005-08-05 | 2009-05-26 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Lithography process optimization and system |
US7560199B2 (en) | 2005-10-20 | 2009-07-14 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Polarizing photolithography system |
US7511799B2 (en) | 2006-01-27 | 2009-03-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method |
US8749760B2 (en) | 2009-03-03 | 2014-06-10 | International Business Machines Corporation | Asymmetric complementary dipole illuminator |
US8416393B2 (en) | 2009-04-02 | 2013-04-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Cross quadrupole double lithography method and apparatus for semiconductor device fabrication using two apertures |
-
2009
- 2009-03-03 US US12/396,503 patent/US8749760B2/en active Active
-
2010
- 2010-02-17 WO PCT/EP2010/051972 patent/WO2010100029A1/en active Application Filing
- 2010-02-17 KR KR1020117022500A patent/KR101599097B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-02-17 JP JP2011552385A patent/JP5579755B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-17 CN CN201080010182.0A patent/CN102341755B/zh active Active
- 2010-03-02 TW TW099106001A patent/TW201104360A/zh unknown
-
2012
- 2012-03-08 US US13/415,106 patent/US8736816B2/en active Active
- 2012-03-08 US US13/414,954 patent/US8687170B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0661122A (ja) * | 1992-08-07 | 1994-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 投影露光装置 |
JPH08274021A (ja) * | 1996-03-11 | 1996-10-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 投影露光装置 |
JP2002093700A (ja) * | 2000-09-02 | 2002-03-29 | Carl Zeiss:Fa | 投影露光装置 |
JP2004063988A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Canon Inc | 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007531313A (ja) * | 2004-04-02 | 2007-11-01 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | コンタクトホールの製造システムおよび方法 |
JP2006210928A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Infineon Technologies Ag | 像面にパターンを投影するための構造体 |
JP2008098382A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Toshiba Corp | 露光装置、露光方法、及び光近接効果補正方法 |
US20080239272A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Micron Technology, Inc. | Reduced lens heating methods, apparatus, and systems |
WO2009101958A1 (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-20 | Nikon Corporation | 照明光学系、露光装置、デバイス製造方法、補正フィルター、及び露光光学系 |
JP2011517101A (ja) * | 2008-04-11 | 2011-05-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学アパーチャ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8687170B2 (en) | 2014-04-01 |
TW201104360A (en) | 2011-02-01 |
CN102341755A (zh) | 2012-02-01 |
WO2010100029A1 (en) | 2010-09-10 |
JP5579755B2 (ja) | 2014-08-27 |
KR101599097B1 (ko) | 2016-03-02 |
US8749760B2 (en) | 2014-06-10 |
US20120170017A1 (en) | 2012-07-05 |
US20100225893A1 (en) | 2010-09-09 |
US8736816B2 (en) | 2014-05-27 |
US20120173211A1 (en) | 2012-07-05 |
CN102341755B (zh) | 2014-08-06 |
KR20110133571A (ko) | 2011-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7512928B2 (en) | Sub-resolution assist feature to improve symmetry for contact hole lithography | |
US7172838B2 (en) | Chromeless phase mask layout generation | |
US7657864B2 (en) | System and method for integrated circuit device design and manufacture using optical rule checking to screen resolution enhancement techniques | |
CN106019850B (zh) | Euv焦点监控系统和方法 | |
JP2009510526A (ja) | モデルを基にしたsrafの挿入 | |
US7855776B2 (en) | Methods of compensating lens heating, lithographic projection system and photo mask | |
US20010029403A1 (en) | Method and apparatus for determining optimum exposure threshold for a given photolithographic model | |
JP2002351046A (ja) | 位相シフトマスクおよびその設計方法 | |
TW200422795A (en) | Method of achieving CD linearity control for full-chip CPL manufacturing | |
JP5579755B2 (ja) | 光リソグラフィ装置 | |
US7563547B2 (en) | Photomask and method of manufacturing the same | |
JP2010079184A (ja) | パタンデータの作成方法およびパタンデータ作成プログラム | |
JP2005141242A (ja) | プロセス・ラチチュードを向上させるためにマスク・パターンの透過率調整を行う方法 | |
US9213233B2 (en) | Photolithography scattering bar structure and method | |
WO2005106594A2 (en) | Device and method for determining an illumination intensity profile of an illuminator for a lithography system | |
JP2004251969A (ja) | 位相シフトマスク、位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法および電子デバイスの製造方法 | |
TWI806311B (zh) | 光學微影方法 | |
US20060141366A1 (en) | Method and system for optimization of transistor sizing based on layout density | |
JPH11133585A (ja) | 露光用マスク及びその製造方法 | |
JP5311326B2 (ja) | フォトマスク、パターンの形成方法および電子デバイスの製造方法 | |
JP4831802B2 (ja) | 任意の複合透過機能を有するマスク | |
TWI279648B (en) | Method and apparatus for generating complementary mask patterns for use in a multiple-exposure lithographic imaging process, computer program product for controlling a computer, and integrated circuit device manufacturing method | |
JPH0829963A (ja) | ハーフトーン方式位相シフトマスク及びレジスト露光方法 | |
KR20060077770A (ko) | 보조 패턴을 갖는 포토 마스크 | |
JP2012053286A (ja) | フォトマスクと、それを用いた半導体装置の製造装置および方法と、フォトマスクのパターン配置方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120910 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131008 |
|
RD12 | Notification of acceptance of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432 Effective date: 20131223 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140106 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20131224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140624 |
|
RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434 Effective date: 20140624 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140709 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5579755 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |