JP2012518788A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 磁場を感知するためのセンサにおいて、
   強磁性の感知層を含む１つ以上の感知素子であって、１つ以上の感知素子出力端子を有する感知素子と、
   前記１つ以上の感知素子に連続した１つ以上の電流線と、
   前記１つ以上の電流線に可変電流を供給して前記センサの感度を調節するための電流源と、
   前記１つ以上の感知素子出力端子に結合されており、前記可変電流の出力を測定し磁場の強度を判定するための測定回路と、を備えるセンサ。
2. 前記１つ以上の感知素子の各々は複数の磁気トンネル接合素子からなる磁気トンネル接合素子のアレイを備える、請求項１に記載のセンサ。
3. 前記１つ以上の電流線は前記１つ以上の感知素子の対向する両側に連続的に配置されており、該電流線を伝わる電流が該両側において対向する両方向に流れる、請求項１に記載のセンサ。
4. 前記１つ以上の電流線は、各感知素子の付近に配置された２つの直交する電流線を含み、
   前記測定回路は、前記１つ以上の感知素子出力端子の間に結合されており、トグルパルスシーケンスが第１および第２の電流線によって発生される前後に前記出力をサンプリングするためのサンプリング回路を備える、請求項１に記載のセンサ。
5. 前記１つ以上の感知素子は、１対の電圧源端子を有するホイートストンブリッジとして構成された第１、第２、第３、および第４の感知素子を含み、
   前記１つ以上の感知素子出力端子は、前記出力を供給するための１対の出力端子を含む、請求項１に記載のセンサ。
6. 電流源は時間的に離れた第１および第２の電流として可変電流を選択的に供給し、
   前記測定回路は、前記出力に結合されているサンプリング回路であって、第１および第２の電流の各々の期間に前記出力をサンプリングするためのサンプリング回路を備え、
   前記センサは、前記サンプリング回路に結合された出力回路であって、第１および第２の電流の期間に前記出力の値における差を算出し、感知した磁場の大きさを表すセンサ出力を生成するための出力回路をさらに備える、請求項１に記載のセンサ。
7. デバイスにおいて磁場を感知する方法であって、該デバイスは、強磁性の感知層を含む１つ以上の感知素子であって、１つ以上の感知素子出力端子を有する感知素子と、前記１つ以上の感知素子に連続して配置された電流線に対し電流を供給するための入力とを備え、前記方法は、
   前記入力に第１の電流を供給する工程と、
   前記入力に第２の電流を供給する工程と、
   第１および第２の電流の各々について前記出力における値をサンプリングする工程と、
   第１および第２の電流のサンプリングした値の間の差を判定する工程と、
   判定した前記差に基づき、測定される磁場を判定する工程と、を備える方法。
8. デバイスにおいて磁場を感知する方法であって、該デバイスは、強磁性の感知層と１つ以上の感知素子出力端子とを含む１つ以上の感知素子と、前記１つ以上の感知素子の付近に配置された第１および第２の直交する電流線とを備え、前記方法は、
   第１および第２の電流線のうちの少なくとも一方に第１の安定化電流を印加する工程と、
   １つ以上の感知素子出力端子にて第１の値をサンプリングする工程と、
   第１の電流線の入力に第１のトグル電流を供給する工程と、
   第２の電流線の入力に第２のトグル電流を供給する工程と、
   第１および第２の電流線のうちの少なくとも一方に第２の安定化電流を印可する工程と、
   前記１つ以上の感知素子出力端子にて第２の値をサンプリングする工程と、
   第１および第２のサンプリングした値の間の差を判定する工程と、
   判定した前記差に基づき、測定される磁場を判定する工程と、を備える方法。