JP2012518243A - ガスサンプル中の特定の分子量を有する物質の総積算濃度を測定するためのイオンゲージ、モニタシステムおよび方法。 - Google Patents
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- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Abstract
【選択図】図1
Description
−ガスサンプルのイオン化された分子を生成するためのイオン化領域と、
−前記イオン化された分子の流れを生成するための加速器と、
−前記流れを中断して、所定の範囲内の特定の分子量を有するイオンを前記イオン化された分子から分離するための質量フィルタと、
−前記ガスサンプル中に存在する前記特定の分子量を有する物質イオンの総積算濃度を表す信号を生成するための検出器と、を備える。
Bは磁場の強さ(T)であり、
mはイオン質量(amu)であり、
Vは加速の加速電圧であり、
qはイオン電荷である。
−ガスサンプル中のガス分子をイオン化する工程と、
−前記ガスサンプルのイオン化された分子を加速してイオン化された分子の流れを生成する工程と、
−前記所定の範囲内に入る分子量を有するイオンを前記流れから抽出(filter)する工程と、
−前記ガスサンプル中に存在する前記特定分子量を有する物質イオンの総積算濃度を表す信号を生成する工程と、を備える。
−前記ガスサンプル中の前記特定の分子量を有するイオンの前記総積算濃度を監視する工程と、
−前記レベルが許容レベルを超えるとトリガ信号を生成する工程と、を備える。
Claims (11)
- ガスサンプル中の特定の分子量を有する物質の総積算濃度を測定するためのイオンゲージであって、
−前記ガスサンプルのイオン化された分子を生成するためのイオン化領域と、
−前記イオン化された分子の流れを生成するための加速器と、
−前記流れを中断して、所定の範囲内の前記特定の分子量を有するイオンを前記イオン化された分子から分離するための質量フィルタと、
−前記ガスサンプル中に存在する前記特定の分子量を有する物質イオンの総積算濃度を表す信号を生成するための検出器と、を備えることを特徴とするイオンゲージ。 - 前記イオン化領域は、電子発生器、光子発生器、またはガスサンプルの分子をイオン化するためのプラズマ源のうちのいずれかを備えることを特徴とする請求項1記載のイオンゲージ。
- 前記質量フィルタは、前記イオン化された分子の流動方向を横断する方向に磁場を発生するように構成された磁場発生器を備えることを特徴とする請求項1または2記載のイオンゲージ。
- 前記磁場発生器は、扇形磁場型質量分析器を備えることを特徴とする請求項3記載のイオンゲージ。
- 前記検出器は少なくとも1つの二次電子増倍管を備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項記載のイオンゲージ。
- 減圧条件下で動作可能である請求項1ないし5のいずれか一項記載のイオンゲージ。
- 請求項1ないし6のいずれか一項記載のイオンゲージを備えることを特徴とする、ガスサンプル中の所定の範囲内に入る分子量を有する物質の総積算濃度を監視するモニタシステム。
- 前記濃度が許容値を超える場合にトリガ信号を生成する、前記イオンゲージと協働する制御部をさらに備えることを特徴とする請求項7記載のモニタシステム。
- 請求項7または8記載のモニタシステムを備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
- ガスサンプル中の、所定の分子量範囲内に入る分子量を有する物質の総積算濃度を測定する方法であって、
−前記ガスサンプル中のガス分子をイオン化する工程と、
−前記ガスサンプルの前記イオン化された分子を加速してイオン化された分子の流れを生成する工程と、
−前記所定の範囲内に入る前記分子量を有するイオンを前記流れから抽出する工程と、
−前記ガスサンプル中に存在する前記特定分子量を有する物質イオンの前記総積算濃度を表す信号を生成する工程と、を備えることを特徴とする方法。 - −前記ガスサンプル中の前記特定の分子量を有するイオンの前記総積算濃度を監視する工程と、
−前記レベルが許容レベルを超えるとトリガ信号を生成する工程と、をさらに備えることを特徴とする請求項10記載の方法。
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