JP2012510148A - 電荷パルス検出回路 - Google Patents
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Abstract
Description
RMS・・・二乗平均平方根
DC・・・直流
AC・・・交流
MOS・・・金属酸化物半導体
CMOS・・・相補型金属酸化物半導体
PSD・・・電力スペクトル密度
W/L・・・MOSトランジスタのゲート長に対するゲート幅の比。
− 検知された物理的特性の大きさを表現する電荷パルスを検知ノード211に供給及び提供する検知装置201。
− 入力が検知ノード211に接続されかつ出力がバッファ出力ノード212に接続された能動バッファ202。一実施形態においては、能動バッファ202は、電圧増幅度を提供してもよい。別の実施形態においては、能動バッファ202は、電圧増幅度を提供しない。
− 少なくとも1つの第1の端子が検知ノード211に接続されかつ少なくとも1つの第2の端子が定電位か又はバッファ出力ノード212に接続された再充電装置204。
− 入力がバッファ出力ノード212に接続されかつ出力が出力ノード213に接続された連続時間雑音フィルタ206。
− 検知ノード211とDC電位との間に接続された検知コンデンサ205。検知コンデンサ205は、寄生キャパシタンスであってもよい。
Claims (14)
- a)検知装置(201)と、
b)検知ノード(211)と、
c)入力及び出力を有する能動バッファ(202)と、
d)少なくとも1つの第1の端子及び少なくとも1つの第2の端子を備えた再充電装置(204)と、
e)入力を備えた雑音フィルタ(206)と、
を備えた電荷パルス検出回路であって、
前記検知装置(201)が、前記検知ノード(211)に動作可能に結合され、電荷パルスを前記検知ノード(211)に供給し、
前記能動バッファ(202)の前記入力が前記検知ノード(211)に接続され、
前記再充電装置(204)の前記少なくとも1つの端子が前記検知ノード(211)に接続され、前記検知ノード(211)上において安定したDC電位を確立するのを可能にし、
前記雑音フィルタ(206)入力が前記能動バッファ(202)出力に接続され、それによって、信号電圧パルスを送信するときに、前記再充電装置(204)からの雑音を少なくとも1/2に減少させる、
ことを特徴とする電荷パルス検出回路。 - 前記能動バッファ(202)が単位利得バッファであり、前記少なくとも1つの第2の端子が一定DC電位に接続された、請求項1に記載の電荷パルス検出回路。
- 前記能動バッファ(202)が反転増幅器であり、前記再充電装置(204)の前記少なくとも1つの第2の端子が前記反転増幅器の出力に接続された、請求項1に記載の電荷パルス検出回路。
- 前記再充電装置(204)が、前記再充電装置(204)の雑音電力を低周波数レンジに実質的に限定するとともに前記検知ノード(211)上において安定したDC電位を確立する高いが有限のDCインピーダンス経路であり、雑音が、前記雑音フィルタ(206)によって減衰させられ、その結果として、前記再充電装置(204)の雑音が、少なくとも1/2に減衰する、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の電荷パルス検出回路。
- 前記再充電装置(204)が、パルス検出のために開かれかつ前記検知ノード(211)をリセットするために規則的又は不規則な時間間隔で閉じられるスイッチである、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の電荷パルス検出回路。
- 前記雑音フィルタ(206)が、前記再充電装置(204)によって生成される雑音の帯域幅よりも高いが入力電荷パルスに応じて生成される信号電圧パルスを送信できるほど十分に低い遷移周波数を備えた連続時間高域通過フィルタである請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の電荷パルス検出回路。
- 前記雑音フィルタ(206)が、前記再充電装置によって生成される雑音の帯域幅よりも高いが信号電圧パルスを送信できるほど十分に低い下限帯域を備え、かつ、入力電荷パルスに応じて生成される信号電圧パルスを送信できるほど十分に高い上限帯域を備えた連続時間帯域通過フィルタである、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の電荷パルス検出回路。
- 前記雑音フィルタ(206)が、送信される信号電圧パルスに電圧増幅度を適用する、請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の電荷パルス検出回路。
- 検出された電圧パルスを2進ディジタル信号に変換する少なくとも1つの比較器と、前記比較器のディジタル・パルスを計数する少なくとも1つのディジタル・カウンタとをさらに備えた、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の電荷パルス検出回路。
- 半導体プロセス技術を用いてモノリシックに製造された、請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の電荷パルス検出回路。
- 前記再充電装置(204)、前記能動バッファ(202)の構成要素、及び、前記雑音フィルタ(206)の構成要素の中の少なくとも1つが、MOSトランジスタによって実施される、請求項9に記載の電荷パルス検出回路。
- 前記検知装置(201)が、ホモ接合ダイオード、ヘテロ接合ダイオード、pin接合フォトダイオード、フォトゲート、及び、電荷結合素子の中のいずれか1つによって実施された光電気検出器である、請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の電荷パルス検出回路。
- 検知される物理的特性が、検出されるべき電磁波の量子を表現するフォトンを備え、それぞれのフォトンが、少なくとも1つの電荷キャリアを備えたパルスを生成している、請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の電荷パルス検出回路。
- 請求項1から請求項13のいずれか一項に記載の電荷パルス検出回路からなる少なくとも1次元のアレイ。
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