JP2012509201A - 微小表面構造の形成方法および微小電気機械部材の製造方法、微小表面構造、ならびに当該構造を有する微小電気機械部材 - Google Patents
微小表面構造の形成方法および微小電気機械部材の製造方法、微小表面構造、ならびに当該構造を有する微小電気機械部材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012509201A JP2012509201A JP2011543766A JP2011543766A JP2012509201A JP 2012509201 A JP2012509201 A JP 2012509201A JP 2011543766 A JP2011543766 A JP 2011543766A JP 2011543766 A JP2011543766 A JP 2011543766A JP 2012509201 A JP2012509201 A JP 2012509201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- functional material
- micro
- getter
- ridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 139
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 112
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 67
- 238000007373 indentation Methods 0.000 claims description 38
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 8
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 8
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 7
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 4
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010038 TiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010165 TiCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 TiTiNAu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008651 TiZr Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007880 ZrAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008008 ZrCo Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000010147 laser engraving Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000009291 secondary effect Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910001258 titanium gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00206—Processes for functionalising a surface, e.g. provide the surface with specific mechanical, chemical or biological properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0035—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS
- B81B7/0038—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS using materials for controlling the level of pressure, contaminants or moisture inside of the package, e.g. getters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
- G01J5/041—Mountings in enclosures or in a particular environment
- G01J5/045—Sealings; Vacuum enclosures; Encapsulated packages; Wafer bonding structures; Getter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/26—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances, e.g. getters
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
- B32B3/30—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer formed with recesses or projections, e.g. hollows, grooves, protuberances, ribs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24174—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including sheet or component perpendicular to plane of web or sheet
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
- Y10T428/24612—Composite web or sheet
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
Description
1.上部要素内に、好ましくはその他の機能要素無しに、その下にある微小部材の上側または側方に配置する。このとき、上部ウエハ内の空洞は、乾式エッチング、湿式化学的エッチング、厚い封印枠、または第3のウィンドウウエハによって、間隔保持要素として形成される。
2.上部要素内で、赤外線照射のための反射防止コーティング(任意の配置を有するブラックシリコン、一定のモスアイ構造、薄膜)を有する、決められた領域(赤外線窓)の横または周りに配置する。このとき、赤外線窓は、基板表面よりも低い位置にある。プロセス技術上の理由から、外側面と内側面とで反射防止層を異なる組み合わせにしても有意義である。例えば、外側に薄膜被覆を、内側にモスアイまたはブラックシリコンを設けても良いし、または、その逆でも良い。逆の場合は利点が少なくなる。追加的に、片側または両側にGe‐ZnSから成る反射防止多層を形成しても良い。
3.微小部材(当該部材の横または当該部材を囲んで)のような同じ基板上に配置する。支持構造は、微小部材の要素自身のように、多結晶ケイ素、シリコンゲルマニウム、または非結晶質ケイ素など、同じ材料の層から構成されていることが好ましい。このとき、当該基板上に、微小部材のための統合電子評価回路または制御回路が存在するかどうかは些細なことである。
β ゲッタまたはチタン薄片の配置角度
1 微小表面構造
2 第1の微細構造
3 第2の微細構造
100‐150 プロセスフロー
200 立体
201 空間
202 基板
203 ゲッタ構造を有する領域
204 基板面
205 立体200の表面
206 波の谷
207 波の山
208 蓋部
209 微小部材
210 波構造
220 ゲッタまたはチタン薄片
230 ゲッタまたはチタン薄層
240 間隔
250 空洞
251 底面
270 封印枠
280 下部基板
290 微小構造
291 電気的接続部
292 微小構造
293 電気的ストリップ導体
294 誘電体
295 誘電体
296 一体的な回路
297 光学または赤外線照射による検出または相互作用のための微小構造
300 空洞内の光学ウィンドウ
301 微小構造化された反射防止層
302 反射防止層の間隔と深さ
303 立体
310 外側の光学ウィンドウ
320 外側の光学ウィンドウのくぼみ
330 光学ウィンドウの反射防止のための薄層
Claims (17)
- 微小表面構造を基板上に形成するための方法、特に微小電気機械部材の製造方法であって、基板上または基板内に、少なくとも第1の隆起および/またはくぼみ、特に多数の第1の隆起および/またはくぼみを有する第1の微細構造が形成されている方法において、
前記第1の微細構造の前記第1の隆起および/またはくぼみは、機能材料がコーティングされるべき表面を有しており、
前記表面は、基板面に対して略垂直または斜めに延在しており、
前記第1の微細構造の前記機能材料がコーティングされるべき表面は、少なくとも領域的に第2の波状またはこぶ状隆起および/またはくぼみを有しており、
前記コーティングされるべき表面の、前記第2のこぶ状または波状隆起および/またはくぼみは、核形成点として用いられ、前記核形成点には前記機能材料が好ましくは分離し、
前記機能材料は、前記コーティングされるべき表面から隆起した立体を有する第2の微細構造の形で、好ましくは薄片および/または棒の形で塗布されることを特徴とする方法。 - 前記第1の微細構造の前記第1の隆起および/またはくぼみは、前記基板の空洞またはくぼみの中または底面に形成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記機能材料を塗布する前に、誘電性層または電極金属化が前記基板上に塗布されることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記機能材料は、ゲッタ材料、好ましくは空気ガスのためのゲッタ材料であるか、または湿性ゲッタとしての多孔質誘電性材料であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記機能材料の塗布後、被覆層、特に金被覆層が塗布され、特に蒸着することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記機能材料上にニス層、特に光ニス層が塗布され、前記機能材料の露出した領域が、後に、特に湿式化学的ならびに乾式的に反応ガスによって構造化されることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 赤外線照射のための反射防止構造を形成するための、塗布された前記機能材料の一部が好ましくはエッチングによって除去されるか、または、赤外線照射のための反射防止コーティングまたは反射防止構造を形成するための、塗布された前記機能材料は、構造化プロセスによって、前記空洞内部の部分領域に限定されることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 機能材料としてのゲッタを基板上に配置するための、特に請求項1から7のいずれか一項に記載の方法において、前記ゲッタ材料は表面において前記基板上に塗布され、前記表面は少なくとも領域的に波状またはこぶ状の隆起および/またはくぼみを有しており、前記隆起および/またはくぼみは核形成点として用いられ、前記核形成点には前記機能材料が好ましくは分離することを特徴とする方法。
- 微小電気機械部材の製造方法において、請求項1から7のいずれか一項に記載の微小表面が形成される、および/または請求項8に記載のゲッタが配置されることを特徴とする方法。
- 特に請求項1から9のいずれか一項に記載の方法によって製造された微小表面構造において、
基板上または基板内には、少なくとも1つの第1の隆起および/またはくぼみ、特に多数の第1の隆起および/またはくぼみ、および基板面に対して略垂直または斜めの表面を有する第1の微細構造が設けられており、
第1の隆起および/またはくぼみの、前記基板面に対して略垂直または斜めの表面は、少なくとも領域的に、波状またはこぶ状の第2の隆起および/またはくぼみを有しており、
前記第1の隆起および/またはくぼみの、前記基板面に対して略垂直または斜めの表面には、機能材料が配置されており、
前記機能材料は、前記第1の隆起および/またはくぼみの表面から隆起した立体を有する第2の微細構造の形において、特に薄片または棒の形において形成されている
ことを特徴とする微小表面構造。 - 隣接する第1の隆起もしくはくぼみは、互いに3μm〜40μm、好ましくは4μmの間隔を有し、および/または前記第1の隆起もしくはくぼみは、50μmよりも少ない、好ましくは10μm〜20μmの高さもしくは深さを有していることを特徴とする請求項10に記載の微小表面構造。
- 前記機能材料と前記基板との間には、誘電性層、好ましくはSiO2、SiN、AlN、またはAl2O3から成る誘電性層が配置されていることを特徴とする請求項10または11に記載の微小表面構造。
- 前記機能材料には、金被覆層が配置されていることを特徴とする請求項10から12のいずれか一項に記載の微小表面構造。
- 請求項10から13のいずれか一項に記載の微小表面構造、および下部要素、中間要素、上部要素としての基板を有する微小電気機械部材。
- 請求項14に記載の微小電気機械部材において、
赤外線照射のための反射防止構造を備えたウィンドウ領域が設けられていること、
前記反射防止構造は、好ましくは基板面に対して略垂直な表面を有する、多数の、特にマトリックス状に配置された隆起および/またはくぼみを有しており、前記基板内に形成された空洞内に配置されていることを特徴とする請求項14に記載の微小電気機械部材。 - 請求項14または15に記載の微小電気機械部材において、
反射防止コーティングが少なくとも1つの薄層から、好ましくはそれぞれ4つの交互のSi‐ZnS層から成ること、
前記反射防止コーティングは、前記基板の部材内側および/または部材外側を向いた側に配置されていることを特徴とする請求項14または15に記載の微小電気機械部材。 - 請求項16に記載の微小電気機械部材において、
少なくとも1つの反射防止コーティングが、少なくとも1つの隆起および/またはくぼみ、特に多数の隆起および/またはくぼみ、および基板面に対して略垂直または斜めの表面を有する第1の微細構造を有しており、隣接する隆起もしくはくぼみは、互いに好ましくは3μm〜40μm、より好ましくは4μmの中心間間隔を有し、および/または前記隆起もしくはくぼみは、好ましくは50μmよりも少ない、より好ましくは10μm〜20μmの高さもしくは深さを有していることを特徴とする請求項16に記載の微小電気機械部材。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008057858.4 | 2008-11-18 | ||
DE102008057858 | 2008-11-18 | ||
DE102008060796.7A DE102008060796B4 (de) | 2008-11-18 | 2008-12-05 | Verfahren zum Ausbilden einer Mikro-Oberflächenstruktur sowie zum Herstellen eines mikroelektromechanischen Bauelements, Mikro-Oberflächenstruktur sowie mikroelektromechanisches Bauelement mit einer solchen Struktur |
DE102008060796.7 | 2008-12-05 | ||
PCT/EP2009/065293 WO2010057878A2 (de) | 2008-11-18 | 2009-11-17 | Verfahren zum ausbilden einer mikro-oberflächenstruktur sowie zum herstellen eines mikroelektromechanischen bauelements, mikro-oberflächenstruktur sowie mikroelektromechanisches bauelement mit einer solchen struktur |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012509201A true JP2012509201A (ja) | 2012-04-19 |
JP5701773B2 JP5701773B2 (ja) | 2015-04-15 |
Family
ID=42105264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011543766A Expired - Fee Related JP5701773B2 (ja) | 2008-11-18 | 2009-11-17 | 微小表面構造の形成方法および微小電気機械部材の製造方法、微小表面構造、ならびに当該構造を有する微小電気機械部材 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9637377B2 (ja) |
JP (1) | JP5701773B2 (ja) |
DE (1) | DE102008060796B4 (ja) |
WO (1) | WO2010057878A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160090367A (ko) * | 2014-02-28 | 2016-07-29 | 레이던 컴퍼니 | 게터 구조 및 그 구조를 형성하는 방법 |
JP2019174271A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | セイコーインスツル株式会社 | 赤外線センサ及び赤外線センサの製造方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2264765A1 (en) | 2009-06-19 | 2010-12-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Housing for an infrared radiation micro device and method for fabricating such housing |
DE102012216618A1 (de) | 2012-09-18 | 2014-03-20 | Robert Bosch Gmbh | Anordnung von mindestens zwei Wafern zum Detektieren von elektromagnetischer Strahlung und Verfahren zum Herstellen der Anordnung |
US20140175590A1 (en) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | Raytheon Company | Getter structure for wafer level vacuum packaged device |
WO2014159946A1 (en) | 2013-03-13 | 2014-10-02 | Robert Bosch Gmbh | Mems device having a getter |
FR3014240B1 (fr) * | 2013-11-29 | 2017-05-05 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'un substrat comportant un materiau getter dispose sur des parois d'un ou plusieurs trous borgnes formes dans le substrat |
FR3014241B1 (fr) * | 2013-11-29 | 2017-05-05 | Commissariat Energie Atomique | Structure d'encapsulation comprenant des tranchees partiellement remplies de materiau getter |
FR3109936B1 (fr) | 2020-05-07 | 2022-08-05 | Lynred | Procede de fabrication d’un microsysteme electromecanique et microsysteme electromecanique |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000057940A (ja) * | 1998-08-10 | 2000-02-25 | Yamaha Corp | 電界放射型素子及びその製造方法 |
JP2002352700A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-12-06 | Hewlett Packard Co <Hp> | ゲッタを備える電子デバイス及びその動作方法 |
JP2006501679A (ja) * | 2002-09-30 | 2006-01-12 | モトローラ・インコーポレイテッド | 真空を維持する単結晶シリコンゲッターを有する気密封止マイクロデバイス |
JP2007523467A (ja) * | 2003-11-14 | 2007-08-16 | サエス・ゲッタース・ソチエタ・ペル・アツィオニ | 作動のために不揮発性ゲッター材料を必要とするデバイスの製造方法 |
JP2007291529A (ja) * | 2001-03-13 | 2007-11-08 | Kiyousera Opt Kk | 金属膜被覆部材およびその製造方法 |
JP2007316005A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線センサおよびその製造方法 |
JP2008135690A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-06-12 | Denso Corp | 半導体力学量センサおよびその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4769345A (en) * | 1987-03-12 | 1988-09-06 | Olin Corporation | Process for producing a hermetically sealed package for an electrical component containing a low amount of oxygen and water vapor |
US5701008A (en) * | 1996-11-29 | 1997-12-23 | He Holdings, Inc. | Integrated infrared microlens and gas molecule getter grating in a vacuum package |
US6346455B1 (en) * | 2000-08-31 | 2002-02-12 | Micron Technology, Inc. | Method to form a corrugated structure for enhanced capacitance |
US6923625B2 (en) * | 2002-01-07 | 2005-08-02 | Integrated Sensing Systems, Inc. | Method of forming a reactive material and article formed thereby |
US6958846B2 (en) * | 2002-11-26 | 2005-10-25 | Reflectivity, Inc | Spatial light modulators with light absorbing areas |
US6988924B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-01-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of making a getter structure |
ITMI20031178A1 (it) | 2003-06-11 | 2004-12-12 | Getters Spa | Depositi multistrato getter non evaporabili ottenuti per |
US7115436B2 (en) | 2004-02-12 | 2006-10-03 | Robert Bosch Gmbh | Integrated getter area for wafer level encapsulated microelectromechanical systems |
US7211881B2 (en) * | 2004-03-24 | 2007-05-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Structure for containing desiccant |
US20060076634A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-04-13 | Lauren Palmateer | Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter |
US7147908B2 (en) * | 2004-10-13 | 2006-12-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor package with getter formed over an irregular structure |
US7462931B2 (en) * | 2006-05-15 | 2008-12-09 | Innovative Micro Technology | Indented structure for encapsulated devices and method of manufacture |
-
2008
- 2008-12-05 DE DE102008060796.7A patent/DE102008060796B4/de active Active
-
2009
- 2009-11-17 US US13/129,601 patent/US9637377B2/en active Active
- 2009-11-17 WO PCT/EP2009/065293 patent/WO2010057878A2/de active Application Filing
- 2009-11-17 JP JP2011543766A patent/JP5701773B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000057940A (ja) * | 1998-08-10 | 2000-02-25 | Yamaha Corp | 電界放射型素子及びその製造方法 |
JP2007291529A (ja) * | 2001-03-13 | 2007-11-08 | Kiyousera Opt Kk | 金属膜被覆部材およびその製造方法 |
JP2002352700A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-12-06 | Hewlett Packard Co <Hp> | ゲッタを備える電子デバイス及びその動作方法 |
JP2006501679A (ja) * | 2002-09-30 | 2006-01-12 | モトローラ・インコーポレイテッド | 真空を維持する単結晶シリコンゲッターを有する気密封止マイクロデバイス |
JP2007523467A (ja) * | 2003-11-14 | 2007-08-16 | サエス・ゲッタース・ソチエタ・ペル・アツィオニ | 作動のために不揮発性ゲッター材料を必要とするデバイスの製造方法 |
JP2007316005A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線センサおよびその製造方法 |
JP2008135690A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-06-12 | Denso Corp | 半導体力学量センサおよびその製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN7013004020; KOSTOVSKI G; MITCHELL A; HOLLAND A; AUSTIN M: 'Sidewall corrugation lithography: bulk fabrication of ordered nanowires, nanoribbons, and nanorings' APPLIED PHYSICS LETTERS vol.92,no.22, 20080604, 223109-1-223109-3, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, USA * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160090367A (ko) * | 2014-02-28 | 2016-07-29 | 레이던 컴퍼니 | 게터 구조 및 그 구조를 형성하는 방법 |
JP2017506835A (ja) * | 2014-02-28 | 2017-03-09 | レイセオン カンパニー | ゲッター構造体及び当該構造体の形成方法 |
KR20180091954A (ko) * | 2014-02-28 | 2018-08-16 | 레이던 컴퍼니 | 게터 구조 및 그 구조를 형성하는 방법 |
KR101891011B1 (ko) * | 2014-02-28 | 2018-08-22 | 레이던 컴퍼니 | 게터 구조 및 그 구조를 형성하는 방법 |
JP2019047125A (ja) * | 2014-02-28 | 2019-03-22 | レイセオン カンパニー | ゲッター構造体及び当該構造体の形成方法 |
KR101993107B1 (ko) | 2014-02-28 | 2019-06-25 | 레이던 컴퍼니 | 게터 구조 및 그 구조를 형성하는 방법 |
JP2019174271A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | セイコーインスツル株式会社 | 赤外線センサ及び赤外線センサの製造方法 |
JP7112866B2 (ja) | 2018-03-28 | 2022-08-04 | セイコーインスツル株式会社 | 赤外線センサ及び赤外線センサの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5701773B2 (ja) | 2015-04-15 |
WO2010057878A2 (de) | 2010-05-27 |
DE102008060796A1 (de) | 2010-05-20 |
DE102008060796B4 (de) | 2014-01-16 |
WO2010057878A3 (de) | 2011-02-24 |
US9637377B2 (en) | 2017-05-02 |
US20110287214A1 (en) | 2011-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5701773B2 (ja) | 微小表面構造の形成方法および微小電気機械部材の製造方法、微小表面構造、ならびに当該構造を有する微小電気機械部材 | |
US7462931B2 (en) | Indented structure for encapsulated devices and method of manufacture | |
US6806557B2 (en) | Hermetically sealed microdevices having a single crystalline silicon getter for maintaining vacuum | |
JP6140259B2 (ja) | マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスのための支持体 | |
US6923625B2 (en) | Method of forming a reactive material and article formed thereby | |
US7732902B2 (en) | Semiconductor package with getter formed over an irregular structure | |
US20090001537A1 (en) | Gettering material for encapsulated microdevices and method of manufacture | |
WO2009087284A1 (fr) | Structure comportant une couche getter et une sous-couche d'ajustement et procédé de fabrication | |
JP4831931B2 (ja) | マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスを製造するための気体吸収物質の集積堆積物を有する支持体 | |
CN105236345A (zh) | Mems器件、半导体器件及其制造方法 | |
Sparks et al. | Reliable vacuum packaging using nanogetters and glass frit bonding | |
Anderson et al. | 14 Advances in WLCSP Technologies for Growing Market Needs | |
US8912620B2 (en) | Getter structure with optimized pumping capacity | |
US11685645B2 (en) | Micro-electromechanical system and method for producing same | |
EP3034460B1 (fr) | Structure getter multi-niveaux et structure d'encapsulation comportant une telle structure getter multi-niveaux | |
CN112930318A (zh) | 包括吸气剂的气密壳体、并入这样的气密壳体的光电部件或mems装置、以及相关的制造方法 | |
JP7404558B2 (ja) | Mems気密シール装置および方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120828 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131031 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140205 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140411 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140722 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141125 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20141202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150119 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5701773 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |