JP2012503421A - 蓋フィルターを有するrf単一ブロックフィルター - Google Patents
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Abstract
第1RFフィルターを規定する誘電体材料の単一ブロックと、第2RFフィルターを規定する誘電体材料の蓋を有するRFフィルターアセンブリ。1実施形態では、単一ブロックは、その頂部表面から上方に延びる誘電体材料の周辺壁と、同様に単一ブロックの頂部表面から上方に延び、その上にそれぞれの導電性入出力パッドを規定する金属化領域を含む誘電体材料の第1及び第2柱を規定する。蓋は、単一ブロックの頂部表面から離間した関係で単一ブロックの壁の頂部に対して据え付けられ、その表面の1つに少なくとも1つの金属化領域を規定し、これは、単一ブロックの第1及び第2柱の1つに規定された入出力パッドと結合する関係の導電性入出力パッド及び第1フィルターを規定する。
【選択図】 図1
【選択図】 図1
Description
[関連出願の相互参照]
本出願は、本明細書で参照されるすべての文献と同様に明示的に参照により明細書に組み込まれる2008年9月18日に出願された米国仮出願番号第61/192,423号及び2008年12月9日に出願された米国仮出願番号第12/316,233号の出願日及び開示の利益を主張する。
本出願は、本明細書で参照されるすべての文献と同様に明示的に参照により明細書に組み込まれる2008年9月18日に出願された米国仮出願番号第61/192,423号及び2008年12月9日に出願された米国仮出願番号第12/316,233号の出願日及び開示の利益を主張する。
本発明は、無線周波数信号のための誘電体ブロックフィルター、特に、単一ブロック通過帯域フィルターに関する。
セラミックブロックフィルターは、多数の部品からなるフィルターに対していくつかの利点がある。このブロックは、比較的製造し易く、堅固であり、比較的コンパクトである。基本的なセラミックブロックフィルターの設計においては、共振器は、典型的には、スルーホールと称され、長く狭い側面から対向する長く狭い側面までブロックを貫通して延びる円筒状の通路から形成される。このブロックは、実質的に、その6つの(外側)側面のうちの1つを除く全ての側面上、及び共振器スルーホールにより形成される内壁上において、導電性材料によりメッキされる(メタライズされる/金属化される)。
スルーホールの開口を含む対向する2つの側面のうちの1つは全体的には金属化されないが、その代わり、入力及び出力信号を一連の共振器を通して結合するようにデザインされた金属化パターンを備えている。このパターン化された側面は、通例、ブロックの頂部と称される。幾つかのデザインでは、このパターンは、入出力電極が形成されるブロックの側面に延びている場合がある。
隣接する共振器間のリアクタンス結合は、少なくともある程度は、各共振器の物理的な寸法、他の共振器に対する各共振器の配向、及び、頂部表面の金属化パターンの態様により支配される。ブロック内、及びブロック周辺の電磁界の相互作用は複雑であり、予見することは困難である。
これらのフィルターは、隣接しない共振器及び他のRF用途のデバイスの部品との間での寄生結合を打ち消すために、ブロックの開路端に取り付けられ、ブロックの開路端に渡って配置された外部金属シールドをも備える場合がある。
このようなRF信号フィルターは、1980年代から広く商業的に受け入れられてきたが、この基本設計についての改良の努力は継続してきた。
世界各国の政府は、無線通信プロバイダーが追加的なサービスを提供することを許容するために、新たなより高いRF周波数を商業用途に割り当てている。これらの新たに割り当てられた周波数をより良く利用するために、標準設置機構は、個々のチャネルと同様に、圧縮された伝送及び受信帯域の帯域幅仕様を採用してきた。これらのトレンドは、十分な周波数選択性及び帯域アイソレーションを提供するように、フィルター技術の限界を押し上げている。
より高い周波数及びチャネルの密集に、より小さい通信装置及びより長いバッテリ寿命に向かう消費者市場のトレンドが加わっている。これらのトレンドが合わさって、フィルターなどの無線部品の設計に困難な束縛が課せられている。フィルターの設計者は、改善された信号除去を提供するために、より嵩張る共振器を追加し、より大きい挿入損失を許容することはできない。
RFフィルターの設計における特定的な挑戦は、通過帯域内の周波数の整数倍の周波数における目標通過帯域外の信号の十分な減衰(又は抑制)を提供することである。このような通過帯域の整数倍周波数に適用される名称は「高調波」である。高調波周波数における十分な信号減衰を提供することが長年の目標となっている。
本発明は、誘電体材料の単一ブロックが第1RFフィルターを規定し、同様に誘電体材料の蓋又はプレートがこの単一ブロックの頂部に搭載されて第2RFフィルターを規定する複合RFフィルターアセンブリに向けられる。
1実施形態では、単一ブロックは、1以上のスルーホール、頂部表面を含む複数の表面、前記頂部表面から上方に延びる1以上の誘電体材料の壁、1以上の前記壁に延び、前記ブロックの前記壁の1つの上の少なくとも第1入出力パッドを規定する前記頂部表面の導電材料/メタライゼーションの区域を有するフィルターを含む。
蓋又はプレートは、対向する第1及び第2表面を含み、1実施形態では、前記プレートの少なくとも前記第1表面に少なくとも第1入出力パッドを規定する前記第1表面の1つの上の広い導電材料/メタライゼーション領域と、一端で前記プレートの前記第1表面の第1入出力パッドと結合し、他端で前記プレートの前記第1表面の前記広い金属化/メタライゼーション領域に結合する前記プレートの前記第2表面の導電材料/メタライゼーションのパターンを含む。
前記プレートは、前記ブロックの前記頂部表面から離間した関係をもって前記ブロックの1以上の前記壁上に据え付けられる。前記ブロックの前記1以上の前記壁の第1入出力パッドは、前記プレートの前記第1表面の前記第1入出力パッドに結合し、前記ブロックの前記1以上の前記壁の導電材料/メタライゼーションのプレートは、前記プレートの前記第1表面の前記広い導電材料/メタライゼーション領域に結合する。
1実施形態では、前記ブロックの前記頂部表面から上方に延びる誘電材料の前記壁の1以上が、導電材料により覆われて第1及び第2入出力パッドを規定する第1及び第2柱を規定し、少なくとも前記第1柱は前記プレートの前記第1表面の前記入出力パッドと結合する。
1実施形態では、導電材料/メタライゼーションの第1ストリップが、前記プレートの前記第1表面の前記第1入出力パッドと結合関係となるように前記プレートの前記頂部表面と前記側部表面の1つで延び、導電材料/メタライゼーションの第2ストリップが、前記プレートの前記第1表面に規定された前記広い導電材料/メタライゼーション領域と結合関係となるように前記プレートの前記頂部表面と前記側部表面の他の1つで延びる。
更に、1実施形態では、前記プレートは、正面及び背面の側部表面を有し、前記導電性材料/メタライゼーションの第1ストリップが前記プレートの前記正面の側部表面で延び、前記前記導電性材料/メタライゼーションの第2ストリップが前記プレートの前記背面の側部表面で延びる。
他の実施形態では、プレートは端部側部表面を有し、前記導電材料/メタライゼーションの第2ストリップは、前記端部側部表面で延びる。
本発明には他にも利点や特徴があり、それらは、後述の発明の実施形態の詳細な説明、図面及び添付請求の範囲からより明らかになる。
添付図面は明細書の一部を形成し、図面では、全図面を通して同様の部分を示すために同様の番号が用いられている。
本発明に従うローパス蓋フィルターを有する単一ブロックフィルターの拡大正面斜視図
蓋フィルター無しの図1の単一ブロックフィルターの拡大正面斜視図
蓋フィルター無しの図1の単一ブロックフィルターの拡大背面斜視図
図1に示される蓋フィルターの拡大正面斜視図
図4に示される蓋フィルターの拡大背面斜視図
図4に示される蓋フィルターの拡大底面斜視図
図1に示される蓋付き単一ブロックフィルターについての周波数に対する信号強度(又は損失)のグラフ
本発明の蓋フィルターの他の実施形態の拡大正面斜視図
図8に示される蓋フィルターの拡大背面斜視図
図8に示される他の蓋フィルターの拡大背面斜視図
本発明は、多くの異なる態様の実施例を許容するものであるが、本明細書及び添付の図面は、図1〜3に示される単一ブロックフィルター10(すなわち、フィルターアセンブリ800の第1フィルター)及びフィルター10の頂部に結合して載置された図1,4及び8に示されるフタ810又は920(すなわち、フィルターアセンブリ800の第2フィルター)を含む図1で一般的に800と示される複合RFフィルターアセンブリを開示する。
フィルター10は、現在のところ、2008年12月9日に出願された米国特許出願番号12/316,233号の主題であり、したがって、その開示及び内容が本明細書に明示的に組み込まれる。
図1−3に示すフィルター10は、所望の誘電率を有するセラミック誘電体材料からなる概略細長い平行六面体又は箱形状のリジッドなブロック又はコア12を有する。1実施形態では、誘電体材料は約37以上の誘電率を有するバリウム又はネオジウムセラミックスであり得る。コア12(図2,3)は概略矩形の6つの側面である頂部側面又は頂部表面14、頂部表面14に平行で正反対に対向する底部側面又は底部表面16、第1側面又は側部表面18、側部表面18に平行で正反対に対向する第2側面又は側部表面20、第3側面又は端部表面22、端部表面22に平行で正反対に対向する第4側面又は端部表面24を有する外表面を規定する。
コア12は更に、頂部表面14のそれぞれの外側周辺エッジから上方に外側に延びる4つの概略板状で、コアのセラミックス誘電体材料と一体のセラミックス誘電体材料の壁110,120,130,140を規定する。壁110,120,130,140は、頂部表面14とともに、フィルター10の頂部のキャビティ150を規定する。壁110,120,130,140は一緒になって更にこれらの壁の頂部の周辺頂部リム200を規定する。
縦方向壁110,120は相互に平行で正反対に対向する。横方向壁130,140は相互に平行で正反対に対向する。
壁110は外表面111と内表面112を規定する。外表面111は側部表面20と同じ平面にあって(co-planner)一緒に延在し(co-extensive)、内表面112はリム200から頂部表面14に向けて外側に下方に対向する壁120の方向に傾斜し、又は、角度付けられており、頂部表面14及び壁110の双方に対して概略45度の角度で傾斜する表面を規定する。他の傾斜角度も使用し得る。壁120,130,140はすべてコアのそれぞれの側部表面と概略共面の概略垂直の外壁と、概略垂直の内壁を規定する。
壁110は更に、頂部表面14に概略垂直の方向に壁110を貫通する概略平行で離間した複数のスロット160,162,164,166を規定する。
端部壁部110Aは壁130とスロット160の間に規定される。セラミックス誘電体材料のコア12と一体のセラミックス誘電体材料の壁部又は柱110Bは離間したスロット160と162の間に規定され、フィルター10の頂部表面14の外側周辺エッジから上方に外側に延びる。壁部110Cはスロット162と164の間に規定される。セラミックス誘電体材料のコア12と一体のセラミックス誘電体材料の壁部又は柱110Dはスロット164と166の間に規定され、フィルター10の頂部表面14の外側周辺エッジから上方に外側に延びる。柱110Dは柱110Bと正反対で壁140に隣接する壁110の端部部分に規定される。端部壁部110Eは壁140とスロット166の間に規定される。
内表面112は角度付又は傾斜内表面部112A,112B,112C,112D,112E(図3)を含む幾つかの部分に更に分けられる。内表面部112Aは壁部110A上に位置する。内表面部112Bは壁部又は柱110B上に位置する。内表面部112Cは壁部110C上に位置する。内表面部112Dは壁部又は柱110D上に位置する。内表面部112Eは壁部110E上に位置する。
壁部110A,110B,110C,110Dは更に概略三角形形状の側壁を有する。特に、壁部110Aはスロット160に隣接する側壁114Aを規定する。柱110Bはスロット160に隣接する側壁114Bとスロット162に隣接する反対側の側壁114Dを規定する。壁部110Cはスロット162に隣接する側壁114Dとスロット164に隣接する反対側の側壁114Eを規定する。柱110Dはスロット164に隣接する側壁114Fとスロット166に隣接する側壁114Gを規定する。壁部110Eはスロット166に隣接する側壁114Hを規定する。
壁120は外表面121と内表面122を有する。外表面121は側部18と同じ平面にあって一緒に延在し、内表面122は頂部表面14に垂直である。
壁130は外表面131と内表面132を有する。外表面131は側部22と同じ平面にあって一緒に延在し、内表面132は頂部表面14に垂直である。
壁140は外表面141と内表面142を有する。外表面141は側部24と同じ平面にあって一緒に延在し、内表面142は頂部表面14に垂直である。
頂部表面14は、壁110の各スロット間に位置しこれらの間に延びる幾つかの部分を有し得る。頂部表面部180(図3)はスロット160の基部を形成し、壁部114Aと114Bの間に位置する。頂部表面部181(図3)はスロット162の基部を形成し、壁部114Cと114Dの間に位置する。頂部表面部182(図3)はスロット164の基部を形成し、壁部114Eと114Fの間に位置する。頂部表面部183(図3)はスロット166の基部を形成し、壁部114Gと114Hの間に位置する。
フィルター10は、複数の金属化されたスルーホールにより部分的に規定される複数の共振器25(図2,3)を有する。特に、共振器25は誘電体コア12に規定されたスルーホール30(図2,3)の形態を取る。スルーホール30は頂部表面13の開口34(図2,3)及び底部表面16の開口(不図示)から延びてかつこれで終端する。スルーホール30は、スルーホール30が側部18,20から等距離となるように、ブロック12において離間した共直線(co-linear)の関係で配列される。それぞれのスルーホール30は内側の円筒状の金属化された側壁表面により規定される。
コア12の頂部表面14は更に、電気伝導性の金属化領域又はパターンと絶縁性の非金属化領域又はパターンによる表面層の窪んだ(凹陥した)パターン40を規定する。パターン40はコア12の頂部表面14に規定され、壁110,120,130,140の頂部リム200から離間した関係のキャビティ150の基部におけるその窪んだ位置によって窪んだフィルターパターンを規定する。
金属化領域は好ましくは導電性の銀含有材料の表面層である。窪んだパターン40は更に、少なくとも底部表面16、側部表面18,22,24、及び、壁110,120,130,140のそれぞれの外表面111,121,131,141及び頂部リム200を覆う広い金属化された(メタライゼーションの)領域又はパターン42(図2,3)を規定する。金属化された広い領域42は頂部表面14の一部と、側部表面20と、スルーホール30の内側側壁32を覆う。金属化領域42は共振器スルーホール30の内部から切れ目無く頂部表面14と底部表面16の両方に延びる。金属化領域42は接地電極とも称し得る。領域42は帯域外信号の伝達を吸収又は阻止するように作用する。頂部表面14上の窪んだパターン40のより詳細な説明を以下に述べる。
例えば、金属化領域42の一部は、頂部表面14に規定された各スルーホール開口34を囲む共振器パッド60A,60B,60C,60D,60E,60Fの形態で現れ得る。共振器パッド60A〜Fは、スルーホール30の各内表面32に延びる金属化領域42に連続的であり、又は、接続されている。共振器パッド60A〜Fは少なくとも部分的にスルーホール30の各開口34を囲繞する。共振器パッド60A〜Fは、隣接する共振器及び表面層メタライゼーションの他の領域と所定の容量結合を有するよう形作られる。
非金属化領域又はパターン44(図2,3)は頂部表面14の一部と側部表面20の一部に延びる。非金属領域44は金属化された共振器パッド60A〜Fのすべてを囲繞する。
非金属化領域44は、頂部表面スロット部180,181,182,183(図2,3)に延びる。非金属領域44は側壁スロット部114A,114B,114C,114D,114E,114F,114G,114H(図2,3)にも延びる。側壁スロット部114A,114Bは柱110Bの対向する側壁を規定する。側壁スロット部114F,114Gは柱110Dの対向する側壁を規定する。
非金属化領域44は更に、柱110Bとスロット160,162の下に位置し、概略矩形形状で側部表面20の1部に延びる非金属化領域49を規定する。類似の非金属化領域48が、柱110Dとスロット164,166の下に位置し、概略矩形形状で延び側部表面の1部に延びる。非金属化領域44,48,49は、電気的に非伝導の関係で一緒に延在し、又は、接合又は結合している。
表面層パターン40は更にフィルター10への入出力接続のための分離された一対の導電性金属化領域を規定する。入力接続領域又は電極210(図2,3)及び出力接続領域又は電極220(図2,3)は頂部表面14に規定され、壁110及び側部表面20、より詳細には、以下に更に詳述されるように表面実装導電接続点又はパッド又は接点として供されるそれぞれの入/出力柱110D,110Bの内側リム及び外側部分に延びる。電極210はフィルター側部表面22に隣接してこれと平行に位置し、電極220はフィルター側部表面24に隣接してこれと平行に位置する。
細長い金属化された入力接続領域又は電極210は側部表面22に隣接して位置する。入力接続領域又は電極210は、電極部分211,212,213,214(図2,3)を含む。電極部分211は、共振器パッド60Eと60Fの間に位置し、柱110Dの内側表面部112D上に位置する電極部分212に接続する。電極部分212は柱110Dの頂部リム部に位置する電極部分213に接続する。電極部分213は柱110Dの外側表面111に位置する電極部分214に接続する。電極部分214はそのすべての側辺が非金属化領域44,48(図2,3)により取り囲まれる。
概略Y形状の金属化された出力結合領域又は電極220は側部表面24に隣接して位置する。出力接続領域又は電極220は電極部分221,222,223,224,226,227(図2,3)を含む。電極部分又はフィンガー221は共振器パッド60Aと60Bの間に位置し、側部24に概略平行の関係で延び、柱110Bの内側表面部112Bに位置する電極部分226に接続する。電極部分226は柱110Bの頂部リム部に位置する電極部分227に接続する。電極部分227は柱110Bの外側表面111に位置する電極部分224に接続する。電極部分224はそのすべての側辺が非金属化領域44,49(図2)により取り囲まれる。
もう1つの電極部分222(図2,3)は、共振器パッド60Aと60Bの間に位置し、側部24と概略平行の関係で延びる。電極部分222はL形状であり、共振器パッド60Bにより実質的に取り囲まれるU形状の非金属化領域52に延びる電極フィンガー223(図2)と接続する。非金属化領域225(図2)は電極部分221と222の間に位置する。
蓋フィルター
蓋フィルター
図1,4−6は、フィルター10単体の性能と比較したときに改善された減衰及び信号除去特性を有する複合RFフィルターアセンブリ800を形成する単一ブロックフィルターに搭載される本発明に従う蓋、カバー又はプレートフィルター820の1実施形態を示す。
蓋フィルター820は、所望の誘電定数を有するセラミックス誘電材料からなる概略細長い平行六面体又は平坦な形状のリジッドな板又はプレートを有する。1実施形態では、誘電体材料は約12以上の誘電率を有するバリウム又はネオジウムセラミックスであり得る。蓋フィルター820は、概略矩形の6つの側面である頂部側面又は頂部表面826、頂部表面826に平行で正反対に対向する底部側面又は底部表面828、第1側面又は側部表面830、側部表面830に平行で正反対に対向する第2側面又は側部表面832、第3側面又は端部表面834、端部表面834に平行で正反対に対向する第4側面又は端部表面836を有する外表面を規定する。プレート820及びそのそれぞれの側面は更に複数の鉛直周辺エッジ838及び複数の水平周辺エッジ839(図4)を規定する。
概略長方形形状の窪み又は溝840が側部832(図4)に規定され、側部表面836に位置している。窪み840は柱110B(図1)から蓋820を分離し、柱110Bの周りのギャップ842(図1)を規定する。
プレート820の頂部表面826に電気伝導性の金属化された領域又はパターン及び絶縁性の非金属化された領域又はパターン(図1,4)の表面層パターン820によりローパスフィルター848が規定される。
金属化領域は好ましくは導電性の銀含有材料の表面層である。パターン850は、側部表面834に隣接する頂部表面826の部分に位置する概略正方形形状の金属化されたパッド851,852(図4)により部分的に規定される。パッド851,852は相互に離間し、非金属化されたスロット又は領域857により分離される。複数の導電材料のストリップがC形状を形成し、パッド851,852を相互に接続するアーム853,854,855(図4)を規定する。アーム854はパッド851に接続され、アーム855はパッド852に接続される。アーム853はアーム854,855の間に接続される。アーム853,854,855及びパッド851,852により区画される内側領域に概略長方形形状の非金属化された領域又は区域856が規定される。区域856は区域857に連続してこれに垂直であり、これらはともに概略T形状の区域又は領域を規定する。
金属のストリップ又はライン858はパッド851を金属化された接続パッド860に接続する。接続パッド860は頂部表面826に部分的に延び、背面830(図5)に向けて背面水平エッジ839を包み込み、フィルター820の底部表面828の広い金属化領域880(図6)に接続する。
金属化ストリップ又はライン859はパッド852を金属化接続パッド862に接続する。接続パッド862は部分的に頂部表面826に延び、側部832、そして底部表面828(図6)に向けて正面水平エッジ839を包み込み、概略U形状の非金属化領域864(図6)により取り囲まれる底部表面828の導電性RF信号入出力パッドを規定する。
上記のように、パターン850は接続パッド862を取り囲む領域864を除く底部表面828の全部を覆う広い金属化領域又はパターン880(図5)を規定する。広い金属化領域又はパターン880はまた頂部表面826及び側部表面830,832,834を覆う。
より詳細には、広い金属化領域880は、側部表面834に隣接する頂部表面826の一部を覆う側部表面834に隣接する長方形形状の金属領域870(図4);側部表面834に隣接する側部表面830(図5)の一部を覆う金属化領域871;側部表面834に隣接する側部表面832の一部を覆う金属化領域872(図4,6);及び側部表面834の全体を覆う金属化領域873(図4,5)を含む。
パターン850は、頂部表面826の一部、底部表面828及び側部表面830,832,836の少なくとも一部に延びる非金属化領域890を含む。
図1に戻って、蓋フィルター820は、蓋820がキャビティ150を覆うようにフィルター10に搭載される。詳細には、蓋20は壁110,120,130,140の頂部に搭載され、より詳細には、蓋フィルター820の底部表面828の周辺外周エッジは、フィルター10の頂部表面14から離間してこれと並行の関係で、壁110,120,130,140のリム200上において支持されてこれに据え付けられる。
リム200は金属化されており、底部表面828の一部は金属化された広い領域880により覆われているため、蓋フィルター820はフィルター10に半田材料を使用して取り付けられ得る。半田894は蓋フィルター820の一部にスクリーン印刷され、リム200の上に配置され、それから、蓋820をフィルター10に接続するように炉内でリフローされる。
半田896は蓋フィルター820の底部表面828の接続パッド862上にも配置され得る。接続パッド862は、柱110Dの頂部リム部の上に据え付けられ、その上の電極214の頂部リム部213に接続され、その後リフローされて、接続パッド862と電極214の間、したがって、蓋フィルター820のローパスフィルター848とフィルター10の間の電気接続を形成する。
蓋フィルター820のローパスフィルターは、蓋フィルター820の底部表面828の広い金属化領域880に結合され、次に、壁120の頂部リム200の金属に接続され、次に、フィルター10の広い金属化領域42に接続される蓋フィルター820の底部表面828の接続パッド860を介して、広い金属化領域42にも接続される。
もちろん、例えば、半田の変わりに導電性エポキシを使用し、蓋フィルター820が頂部フィルター10の上に据え付けられた後にフィルター10及び820が一緒に銀焼成炉中で焼成される共焼成法を使用するなど、蓋フィルター820をフィルター10に結合するために他の手段、方法を使用し得ることが理解される。
図7は、周波数に対する信号強度(又は損失)のグラフであり、本発明に従うローパスフィルター848を有するフィルターアセンブリ800の特定の測定された性能を示す。ローパスフィルター848は、フィルター10の通過帯域外の高調波の追加された抑制を提供する。図7は、12GHzまでの高調波の領域で入出力電極間で測定された周波数についてのリターンロス(S11)及び挿入ロス(S12)及び(S21)のグラフを示す。
フィルターアセンブリ800の使用は多くの利点を有する。ローパスフィルター848をフィルター10に搭載することで、フィルター10が搭載される印刷回路基板においてスペースが節約される。ローパスフィルター848とフィルター10を一緒に結合させることで、複合フィルターアセンブリ800は、改善された電気整合を提供する単一ユニットとして同調され得る。ローパスフィルター848は、12GHzを越える高調波の濾波を可能にする。ノッチフィルター、帯域通過フィルター、帯域停止フィルターなどの他のタイプのフィルターを種々の金属化パターンを使用して蓋フィルター820上に形成することもできる。蓋820に他のタイプの構成要素を形成又は搭載し得る。例えば、遅延ライン、カプラー、増幅器、LCフィルター又は混合器を蓋フィルター820に形成し得る。
代替的な蓋フィルターの実施形態
代替的な蓋フィルターの実施形態
図8,9,10は、蓋フィルター820に代えて単一ブロックフィルター10に搭載して複合フィルターアセンブリ800を形成できる蓋、カバー又はプレートフィルター920の代替的実施形態を示す。
蓋フィルター920は、所望の誘電定数を有するセラミックス誘電材料からなる概略細長い平行六面体又は平坦な形状のリジッドな板又はプレートを有する。1実施形態では、誘電体材料は約12以上の誘電率を有するバリウム又はネオジウムセラミックスであり得る。
蓋フィルター920は、概略矩形の6つの側面である頂部側面又は頂部表面926、頂部表面926に平行で正反対に対向する底部側面又は底部表面928、第1側面又は側部表面930、側部表面930に平行で正反対に対向する第2側面又は側部表面932、第3側面又は端部表面934、端部表面934に平行で正反対に対向する第4側面又は端部表面936(図8)を有する外表面を規定する。
蓋フィルター920及びそのそれぞれの側面は更に複数の鉛直周辺エッジ938及び複数の水平周辺エッジ939を規定する。
蓋フィルター920の頂部表面126に電気伝導性の金属化された領域又はパターン及び絶縁性の非金属化された領域又はパターンの表面層パターン950によりローパスフィルター948が規定される。
金属化領域は好ましくは導電性の銀含有材料の表面層である。パターン950は、最初に、頂部表面926の概略中央に位置する正方形形状の金属化されたパッド951,952により規定される。パッド951,952はスロットを規定する非金属化区域957により相互に離間し、分離される。パッド951,952はC形状を形成する細長い金属化アーム953,954,955(図7)により相互に接続される。アーム954はパッド951に接続され、アーム955はパッド952に接続される。アーム953はアーム954,955の間に接続される。アーム953,954,955及びパッド951,952の間に概略長方形形状の非金属化された領域又は区域956が規定される。区域956は区域957に連続してこれに垂直であり、これらはともに概略T形状の領域を規定する。
細長い金属のストリップ又はライン960は、頂部表面926の概略中央でアーム955から側部表面934の方向に側部表面930,932に平行な配向で延び、側部939に向かって水平エッジ939を包み込み、そして底部表面928上の広い金属化領域980(図9,10)に電気的に接続する。
頂部表面926の他の細長い金属のストリップ又はライン962は、アーム954から最初、側部表面936に向けて延び、その後、90度折れ曲がり、側部表面932に向けて延び、側部表面932に向けて水平エッジ939を包み込み、その後、底部表面928に向かい、底部表面928において概略U形状の非金属化領域又は区域964により取り囲まれるRF信号入出力接続パッド963(図10)を規定するように終端する。
上記のように、パターン950は、金属化接続パッド963を取り囲む非金属化領域964を除く底部表面928の全部を覆う広い金属化領域又はパターン980を規定する。広い金属化領域又はパターン990はまた頂部表面926及び側部表面930,932,934を覆う。
広い金属化領域980は、側部表面934に隣接する頂部表面926の一部を覆う正反対に対向する概略矩形形状の金属化領域970,973(図8)を含む。領域970は頂部表面926の下方右側の隅に位置し、領域973は、領域970に正反対に対向する関係をもって頂部表面926の下方左側の隅に位置する。
広い金属化領域980は、側部表面934に隣接する側部表面930の一部を覆う金属化領域971(図9)と、側部表面930に隣接する側部表面934の一部を覆う金属化領域974(図8,9)を含む。金属化領域971,974は、領域973を蓋フィルター920の底部表面928の金属領域980に接続する。
金属化領域972(図8,10)は、側部表面934に隣接する側部表面932の一部を覆い、金属化領域976は、側部表面932に隣接する側部表面934の一部を覆う。金属化領域972,976は、領域970を蓋フィルター920の底部表面928の金属領域928に接続する。
パターン950は、頂部表面926の一部、底部表面928及び側部表面930,932,934の一部に延びる非金属化領域990(図8)を規定する。
蓋フィルター920は、図1に示す蓋フィルター820と同様の態様、すなわち、フィルター10の頂部表面14から離間してこれと並行で、フィルター10のキャビティ150を覆い、フィルター10の壁110,120,130,140の頂部金属化リム200上において支持されてこれに据え付けられる態様で、単一ブロックフィルター10に搭載される。
蓋フィルター820を用いた場合と同様に、フィルター10の壁110,120,130,140のリム200が金属化され、蓋フィルター920の底部表面928の一部が広い金属化領域980により覆われているので、蓋フィルター920は半田材料を使用してフィルター10に取り付けられ得る。蓋フィルター920の接続線962とフィルター10の電極224は半田材料を用いて行い得る。
このように、ローパスフィルター948は、一端においてフィルター10の柱110B上の電極224に接続線962、より詳細には、柱110B、より詳細には、電極224の頂部リム電極部227(図2)に対して据え付けられてこれに結合する蓋フィルター920の底部表面928の接続線962の接続パッド部963を介して接続される。他端では、ローパスフィルター948は、接続線960、より詳細には、これのうちのフィルター10の壁140の頂部リムを覆う金属上に据え付けられてこれと接続する底部表面928の広い金属化領域980と接続するように蓋フィルター920の側部表面を包み込む部分を介してフィルター10の広い金属化領域(又は接地)42に接続される。
蓋フィルター920は、柱110Dの頂部リムの電極部分213が蓋フィルター920の底部表面928の広い金属化領域980と接続する関係をもって、柱110Dの頂部リムに対して据え付けられ得る。
本発明の新規な特徴の精神及び範囲を逸脱することなく上記単一ブロックの蓋の実施形態の多様な変形、変更が可能である。
単なる例であるが、コア12及び頂部表面14から上方に延びるそれぞれの壁は、キャビティ150が頂部表面14の全部に満たない部分のみ、例えば、入出力柱110B,110D及び共振器パッド60A,60Dを取り囲む区域のみなどを占めるように構築され得ることが理解される。
本明細書に記載された特定の蓋フィルターの実施形態についての限定は意図されておらず、推論されるべきでないことが理解されるべきである。勿論、そのようなすべての改変を添付請求の範囲が、請求の範囲の権利範囲内のもとのして包含することが意図されている。
Claims (12)
- 誘電体材料のブロックであって、
1以上のスルーホール、
頂部表面を含む複数の表面、
前記頂部表面から上方に延びる1以上の誘電体材料の壁、
前記ブロックの1以上の前記壁に延び、前記壁の1つの上の少なくとも第1入出力パッドを規定する前記誘電体材料のブロック上の導電材料の区域、及び、
誘電体材料のプレートであって、
対向する第1及び第2表面と、
少なくとも第1入出力パッドを規定する前記第1及び第2表面の1つの上の導電材料の領域と、
前記第1及び第2表面の前記1つの上の前記第1入出力パッドに結合した前記第1又は第2表面の1つの上の導電材料のパターンを含む前記誘電体材料のプレートを含む前記誘電体材料のブロックを有し、
前記プレートが、前記ブロックの前記頂部表面から離間した関係をもって前記ブロックの1以上の前記壁上に据え付けられ、前記ブロックの前記壁の前記1つの上の前記第1入出力パッドが、前記プレートの前記第1入出力パッドに結合する、フィルター。 - 前記ブロック上の前記導電材料の区域が、前記ブロックの前記頂部表面から前記ブロックの前記壁の1つ以上に延び、前記ブロックの前記壁の1つ以上の上の第1及び第2入出力パッドを規定し、前記蓋が前記ブロックの前記壁の前記1つ以上の上の前記第2入出力パッドを取り囲む溝を規定する、請求項1のフィルター。
- 前記プレートが正面及び背面の側部表面を含み、前記第1入出力パッドが前記プレートの前記第1表面に規定され、前記導電材料のパターンが前記プレートの前記第2表面に規定され、前記プレートの前記正面の側部表面を包み込んで前記プレートの前記第1表面の前記第1入出力パッドで終端する導電材料の第1ストリップと前記プレートの前記背面の側部表面を包み込んで前記プレートの前記第1表面の広い導電材料の領域で終端する前記第2表面の導電材料の第2ストリップを含む、請求項1のフィルター。
- 前記プレートが正面及び背面の側部表面を含み、前記第1入出力パッドが前記プレートの前記第1表面に規定され、前記導電材料のパターンが前記プレートの前記第2表面に規定され、前記プレートの前記正面の表面を包み込んで前記プレートの前記第1表面の前記第1入出力パッドで終端する導電材料の第1ストリップと前記プレートの前記側部表面を包み込んで前記プレートの前記第1表面の広い導電材料の領域で終端する前記第2表面の導電材料の第2ストリップを含む、請求項1のフィルター。
- 頂部表面と、複数のスルーホールと、前記ブロックの前記頂部表面から上方に延び、少なくとも第1入出力パッドを規定する金属化区域をその上に含む誘電体材料の少なくとも1つの第1柱を含む誘電体材料のブロックにより規定される第1フィルターと、
対向する第1及び第2表面と、前記第1表面に規定された広い金属化領域と、前記第2表面に規定され、一端で前記プレートの前記第1表面の第1入出力パッドと結合し、対向端で前記プレートの前記第1表面の前記広い金属化領域に結合する金属化されたパターンを含む誘電体材料のプレートにより規定される第2フィルターとを有し、
前記プレートが、前記第1柱に据え付けられ、前記プレートの前記第1表面の前記第1入出力パッドを前記第1柱の前記第1入出力パッドに接触させて前記ブロックの前記頂部表面から離間した関係をもって前記ブロックに結合している、フィルターアセンブリ。 - 前記ブロックが前記頂部表面から延びる誘電体材料の少なくとも第1及び第2柱を含み、前記プレートが前記第2柱を取り囲む溝を規定する、請求項5のフィルターアセンブリ。
- 誘電体材料のブロックにより規定される第1フィルターであって、少なくとも頂部表面と、前記ブロックを貫通して延びる複数のスルーホールと、前記頂部表面から上方に延び、頂部周辺リムを規定する誘電体材料の壁と、前記ブロックの前記頂部表面から上方に延びる誘電体材料の第1及び第2柱と、少なくとも前記頂部表面に規定された金属化区域を含み、前記壁の前記頂部周辺リム及び前記第1及び第2柱がそれぞれ前記第1及び第2柱の第1及び第2入出力パッドを規定する、前記第1フィルター、及び、
誘電体材料のプレートにより規定される第2フィルターであって、対向する頂部及び底部表面と、前記底部表面に規定された広い金属化領域と、前記プレートの前記頂部表面に規定され、一端で前記プレートの前記底部表面の第1入出力パッドに結合し、他端で前記プレートの前記底部表面に規定された前記広い金属化領域に結合した金属化パターンを含む前記第2フィルターを有し、
前記プレートが、前記ブロックから離間した関係で、前記ブロックの前記壁の前記頂部周辺リムに対して据え付けられて結合し、前記プレートの前記底部表面の前記入出力パッドが前記ブロックの前記第1及び第2柱の1つと接触し、前記プレートの前記底部表面の前記広い金属化領域が前記ブロックの前記壁の前記頂部周辺リムの前記金属化区域と接触する、フィルターアセンブリ。 - 前記ブロックの前記第1柱が前記プレートの前記底部表面の前記入出力パッドと接触し、前記ブロックの前記第2柱が前記プレートから離間する、請求項7のフィルターアセンブリ。
- 前記ブロックの前記第2柱が前記プレートの前記底部表面の前記入出力パッドと接触し、前記ブロックの前記第1柱が前記プレートの前記底部表面の前記広い金属化領域と接触する、請求項7のフィルターアセンブリ。
- 前記プレートが、複数の側部表面と、前記プレートの前記底部表面の前記第1入出力パッドとの間で結合関係となるように前記プレートの前記頂部表面と前記側部表面の1つで延びる第1金属化ストリップと、前記プレートの前記底部表面に規定された前記広い金属化領域との間で結合関係となるように前記プレートの前記頂部表面と前記側部表面の他の1つで延びる第2金属化ストリップを含む、請求項7のフィルターアセンブリ。
- 前記プレートが正面及び背面の側部表面を有し、前記第1金属化ストリップが前記正面の側部表面で延び、前記第2金属化ストリップが前記背面の側部表面で延びる、請求項10のフィルターアセンブリ。
- 前記プレートが正面及び背面の側部表面を有し、前記第1金属化ストリップが前記正面の側部表面で延びる、請求項10のフィルターアセンブリ。
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