JP2012502504A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 蒸着チャンバを提供することと、
   第１準安定化学種を含み且つ前記蒸着チャンバの外部で形成された第１中間生成物を前記蒸着チャンバへと供給することと、
   前記第１準安定化学種に由来する元素を含む第１薄膜材料を前記蒸着チャンバで形成することと、
   を含む、薄膜材料を形成するための方法。
2. 前記第１準安定化学種は、中性ラジカルを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記第１準安定化学種は、シリコンを含む、請求項１に記載の方法。
4. 前記第１準安定化学種は、ＳｉＨ_３を含む、請求項３に記載の方法。
5. 前記第１準安定化学種は、ＳｉＦ_３を含む、請求項３に記載の方法。
6. 前記第１中間生成物は、ただ１つの準安定化学種を含む、請求項１に記載の方法。
7. 前記第１中間生成物は、ただ２つの準安定化学種を含む、請求項１に記載の方法。
8. 前記第１薄膜材料は、アモルファス領域を含む、請求項１に記載の方法。
9. 前記第１薄膜材料は、ナノ結晶領域をさらに含む、請求項８に記載の方法。
10. 前記アモルファス領域は、シリコンを含む、請求項８に記載の方法。
11. 前記ナノ結晶領域は、シリコンを含む、請求項９に記載の方法。
12. フッ素添加物を前記蒸着チャンバへと供給することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
13. 前記フッ素添加物は、Ｆ_２、ＨＦ、ＳｉＦ_ｘＨ_４−ｘ（ｘ＝１〜４）、およびＧｅＦ_ｘＨ_４−Ｘ（ｘ＝１〜４）からなる群から選択される、請求項１２に記載の方法。
14. 前記第１薄膜材料は、前記フッ素添加物により提供されたフッ素を含む、請求項１２に記載の方法。
15. 前記第１薄膜材料は、フッ素化アモルファスシリコン、フッ素化ナノ結晶シリコン、またはフッ素化微晶質シリコンを含む、請求項１４に記載の方法。
16. 前記第１薄膜材料の欠陥濃度は、５ｘ１０^１６ｃｍ^−３より小さい、請求項１に記載の方法。
17. 前記第１薄膜材料の前記蒸着速度は、１００Å／ｓ以上である、請求項１６に記載の方法。