JP2012502177A - 蒸着装置及びこれを利用する蒸着方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は厚さ測定手段を備える蒸着装置を利用して薄膜が蒸着される基板に形成された蒸着膜の実際の厚さを直接測定してモニタリングできる。これに、基板に蒸着された蒸着膜の実際の厚さをリアルタイムにモニタリングして、前記蒸着膜の実際の厚さを制御する蒸着制御の厚さをリアルタイムに補正することで、蒸着膜の厚さを正確に制御することができる。これにより、基板に形成される素子の信頼性及び生産収率を進めることができる。
Description
蒸着源400は基板安置手段300と対応配置されて蒸着源400の内部空間に保存された原料物質を蒸発させて蒸発された原料物質を基板200の一面に提供する役割をする。ここで、本実施形態による蒸着源400は点蒸着源400である。もちろんこれに限定されることなく、蒸着源400は線型蒸着源に製作できる。蒸着源400はルツボ411と、前記ルツボ411を加熱させるヒーター412を含む。ここで、ルツボ411は上部が開放されて内部に原料物質を保存することができる所定空間が備えられるように製作される。ヒーター412はルツボ411の側面及び下部の中で少なくともいずれかの一つの領域に配置される。前記ヒーター412を利用してルツボ411を加熱させてルツボ411の内部空間に保存された原料物質、例えば、有機物を加熱させて蒸発させることができる。ヒーター412は温度調節部130と連結されて、前記温度調節部130からヒーター412に電源を供給する。この時、温度調節部130からヒーター412に供給される電源によってルツボ411内の温度が変わる。また、温度調節部130は制御部120と連結される。制御部120は基板200に蒸着された蒸着膜の実際の厚さによって温度調節部130からヒーター412に加えられる電源を調節する役割をする。
Claims (21)
- 反応空間を形成する工程チャンバと、
前記工程チャンバに連結された移送チャンバと、
前記工程チャンバ内に位置して基板を安置する基板安置手段と、
前記基板安置手段と対向配置されて原料物質を保存する蒸着源と、
前記移送チャンバに設置されて基板に蒸着された蒸着膜の実際の厚さを直接測定する厚さ測定手段と、を含む蒸着装置。 - 前記厚さ測定手段としてエリプソメータを利用することを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記エリプソメータが配置された移送チャンバの一端部には透過窓が設置されることを特徴とする請求項2に記載の蒸着装置。
- 前記工程チャンバ内の一側に備われ、蒸着源から蒸発される原料物質の量を感知して蒸着膜の換算の厚さで算出するセンサーを含むことを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記工程チャンバ及び移送チャンバを複数備えて一方向に連結して、前記複数の工程チャンバそれぞれには蒸着源が設置されて、前記複数の移送チャンバそれぞれには厚さ測定手段が設置されることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記センサーに連結されて基板に蒸着される蒸着膜の厚さを調節するモニタリング部を含むことを特徴とする請求項4に記載の蒸着装置。
- 前記モニタリング部は、蒸着源と連結されて前記蒸着源に供給される電源及び蒸着工程時間を制御する制御部及び厚さ測定手段と連結されることを特徴とする請求項6に記載の蒸着装置。
- 前記基板安置手段の下部にはマスクホルダーが連結されて、前記マスクホルダーにはシャドーマスクが装着されることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記シャドーマスクの開放された領域の中で前記基板の非活性領域に対応配置されて、少なくとも一つのマスクパターンを含む補助マスクをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の蒸着装置。
- 前記補助マスクの両端には前記補助マスクを移動させて、マスクパターンの位置を変更させる駆動部が連結されて、前記駆動部はマスクホルダーに連結されることを特徴とする請求項9に記載の蒸着装置。
- チャンバ内に基板を準備する段階と、
前記基板に蒸着膜を形成する段階と、
前記基板を移送チャンバ内に移動させて、前記基板に形成された蒸着膜の実際の厚さを直接測定する段階と、
前記蒸着膜の実際の厚さと目標の厚さを比べる段階と、
前記厚さ比較結果によって工程条件を調節する段階と、を含む蒸着方法。 - 前記工程条件を調節する段階後に、次の工程につづく蒸着膜は調節された工程条件によって形成されることを特徴とする請求項11に記載の蒸着方法。
- 前記基板に蒸着膜を形成する段階前に目標の厚さ及び蒸着制御の厚さを設定する段階を含むことを特徴とする請求項11に記載の蒸着方法。
- 前記基板に蒸着膜を形成する間にセンサーで原料物質の量を感知して蒸着膜の換算の厚さで算出する段階を含むことを特徴とする請求項11に記載の蒸着方法。
- 前記換算の厚さが蒸着制御の厚さに達する時に、蒸着工程を中止することを特徴とする請求項14に記載の蒸着方法。
- 前記厚さ比較結果によって工程条件を調節する段階は蒸着制御の厚さの設定値を変更することを特徴とする請求項16に記載の蒸着方法。
- 前記基板は活性領域と非活性領域を有し、前記非活性領域に形成された蒸着膜の実際の厚さを測定することを特徴とする請求項11に記載の蒸着方法。
- 前記調節された工程条件によって形成された蒸着膜の実際の厚さと以前の工程で形成された蒸着膜の実際の厚さの平均値を、目標の厚さと比べることを特徴とする請求項12に記載の蒸着方法。
- 前記蒸着膜の実際の厚さと目標の厚さを比べて工程条件を調節した後、前記基板に連続的に他の原料物質を蒸着することを特徴とする請求項11に記載の蒸着方法。
- 前記基板が安置された基板安置手段を一方向に連結された複数の工程チャンバの中でいずれかの一つの工程チャンバ内に移動させて、前記基板に連続的に他の原料物質を蒸着することを特徴とする請求項19に記載の蒸着方法。
- 前記基板に連続的に他の原料物質を蒸着する段階前に補助マスクのマスクパターンの位置を変更して、前記マスクパターンによって露出する前記基板の非活性領域の位置を変更する段階をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の蒸着方法。
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