JP2012256880A - 第2電位に対して第1電位を有する導電面を電気的に絶縁するためのデバイスであって、導電面の周辺端部の点における静電場の値を低減するための手段を含む、デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第2電位に対して第1電位を有する導電面(18)を電気的に絶縁するためのこのデバイス(16)は、2つの平行な平坦面(32、34)を含む絶縁基板(30)と、絶縁基板(30)の第1平坦面(32)上に位置する第1の導電性外層(36)とを含み、第1外層(36)は導電面(18)を形成し周辺端部(38)を有し、第2面(34)は第2電位に接続している。絶縁デバイスは周辺端部(38)のある点における静電場の値を低減するための手段(44)を含み、前記低減手段(44)は、絶縁基板の第1面(32)上および/または絶縁基板(30)に位置する、第1外層(36)とは異なる少なくとも1つの導電領域(50)を含み、前記低減手段(44)は、当該点における静電場の値を、前記導電領域がない場合の当該点における静電場の値に比べ、相対的に低減する。
【選択図】図2
Description
−互いに平行な2つの平坦面を含む絶縁基板と、
−前記絶縁基板の第1平坦面上に位置し、第1電位に接続されることができる電気的導電面を形成し、周辺端部を有する、第1の電気的に導電性で実質的に平坦な外層と、を含み、第2面は第2電位に接続されることができる。
−第1外層は電流の循環のための経路を形成し、デバイスの電流を循環するための単一の経路であり、;
−デバイスは、絶縁基板の第2平坦面上に位置する、第2の電気的に導電性で実質的に平坦な外層をさらに含み、前記または各導電領域は第1および第2外層とは異なり、絶縁基板の第1平坦面上および/または絶縁基板の第2平坦面上および/または絶縁基板に位置し、;
−低減手段はN個の導電領域を含み、Nは2以上であり、各導電領域は第1および第2電位の値の間に完全に含まれた値の異なる電位を有することができ、導電領域の電位の値は第1外層の端部からデバイスの外側に向かっておよび/または第2外層に向かって減少し、;
−導電領域は第1外層と平行な絶縁基板に位置する電気的導電中間層を含み、中間層は少なくとも、中間層の平面において、第1外層の平面に垂直な方向に沿って変換された前記第1外層の周辺端部に相当する部分まで広がり、;
−各導電領域は、第1外層と平行な絶縁基板に位置する電気的導電中間層と、中心中間層を除く各導電層の平面に位置するガードリングとを含み、ガードリングは対応する導電層を囲み、対応する導電層の周辺端部とガードリングとの間の間隔は所定の距離に等しく、各ガードリングは、それがまわりに配置される導電層とは異なる電位を有する中間層に電気的に接続され、;
−導電領域は、前記または各外側導電層、および前記または各外側導電層のまわりの平面に位置するガードリングと、ガードリングの電位の値を第1および第2電位の値の間に完全に含まれた値に設定するための手段とを含み、それぞれの外層の周辺端部とそれぞれのガードリングとの間の間隔は所定の距離に等しく、;
−P個のガードリングは前記または各外層を同心円状に囲み、前記または各外層の平面に位置し、Pは2以上であり、P個のガードリングは互いに且つ対応する外層の周辺端部から相隔てられ、;
−接続手段は、各ガードリングに対して、第1外層と平行な絶縁基板に位置する電気的導電中間層と、各ガードリングと各中間層との間の電気的接続部とを含み、;
−接続手段は、各ガードリングに対して、より大きな電位の隣接するガードリング、あるいは対応する外層との電気接続抵抗を含み、;
−デバイスは前記または各外層の周辺端部を覆うボーダーを含み、カバリングボーダーは電気的に絶縁される。
12 電子部品
14 電力源
16 電気絶縁デバイス
18 導電面
20 端子
22 ラジエータ
23 電気接地
24 ソール
26 保護ケーシング
30 絶縁基板
31 絶縁層
32 第1平坦面
34 第2平坦面
36 第1外層
38、42 周辺端部
40 第2外層
44 低減手段
46 第1ボーダー
48 第2ボーダー
50 電気的導電領域
52 電気的導電中間層
Claims (13)
- 第2電位(V2)に対して第1電位(V1)を有することができる電気的導電面(18)を電気的に絶縁するためのデバイス(16)であって、前記デバイス(16)が、
−互いに平行な2つの平坦面(32、34)を含む絶縁基板(30)と、
−前記絶縁基板(30)の第1平坦面(32)上に位置する第1の電気的に導電性で実質的に平坦な外層(36)であって、前記第1電位(V1)に接続されることができる前記電気的導電面(18)を形成し周辺端部(38)を有する、第1外層(36)と、を含み、
前記第2面(34)は前記第2電位(V2)に接続されることができ、
それが前記外層(36)の前記周辺端部(38)の点における静電場(E)の値を低減するための手段(44)を含み、前記低減手段(44)が、前記絶縁基板の第1平坦面(32)上および/または前記絶縁基板(30)に位置する、前記第1外層(36)とは異なる少なくとも1つの電気的導電領域(50)を含み、前記低減手段(44)は当該点における静電場(E)の値を、前記導電領域がない場合の当該点における静電場の値に比べ、相対的に低減することができ、前記導電領域(50)は前記第1(V1)および第2(V2)電位の値の間に完全に含まれた値の電位(Vi)を有することができることを特徴とする、デバイス(16)。 - 前記第1外層(36)は電流を循環するための経路を形成し、前記デバイス(16)の電流を循環するための唯一の経路を形成する、請求項1に記載のデバイス(16)。
- 記絶縁基板(30)の第2平坦面(34)に位置する、第2の電気的に導電性で実質的に平坦な外層(40)をさらに含み、前記または各導電領域(50)は前記第1および第2外層(36、40)とは異なり、前記絶縁基板の第1平坦面(32)上および/または前記絶縁基板の第2平坦面(34)上および/または前記絶縁基板(30)に位置する、請求項1または2に記載のデバイス(16)。
- 前記低減手段がN個の導電領域(50)を含み、Nは2以上であり、各導電領域(50)は前記第1(V1)および第2(V2)電位の値の間に完全に含まれた値の異なる電位(Vi)を有することができ、前記導電領域(50)の電位(Vi)の値は前記第1外層(36)の端部(38)から前記デバイス(16)の外側に向かって、および/または前記第2外層(40)に向かって減少する、請求項1から3の何れか1項に記載のデバイス(16)。
- 前記導電領域(50)が前記第1外層(36)と平行な前記絶縁基板(30)に位置する電気的導電中間層(52;62)を含み、前記中間層(52、62)は少なくとも、前記中間層(52、62)の平面において、前記第1外層(36)の平面に垂直な方向(Z)に沿って変換された前記第1外層の周辺端部(38)に相当する部分まで広がる、請求項1から4の何れか1項に記載のデバイス(16)。
- 各導電領域(50)は前記第1外層(36)と平行な前記絶縁基板(30)に位置する電気的導電中間層(62)と、中心中間層(66)を除く各導電層(36、40、62)の平面に位置するガードリング(60)とを含み、前記ガードリング(60)は前記対応する導電層(36、40、62)を囲み、前記対応する導電層(36、40、62)の周辺端部(38、42、68)と前記ガードリング(60)との間の間隔は所定の距離に等しく、各ガードリング(60)は、それが周りに配置される前記導電層(36、40、62)とは異なる電位を有する中間層(62)に電気的に接続される、請求項4および5に記載のデバイス(16)。
- 前記導電領域(50)は前記または各外側導電層(36、40)、および前記または各外側導電層(36、40)の周りの平面に位置するガードリング(60)と、前記ガードリング(60)の電位の値を前記第1(V1)および第2(V2)電位の値の間に完全に含まれた値(Vi)に設定するための手段(62、64;70)とを含み、前記各外層(36、40)の周辺端部(38、42)と前記各ガードリング(60)との間の間隔は所定の距離に等しい、請求項1から6の何れか1項に記載のデバイス(16)。
- P個のガードリング(60)は前記または各外層(36、40)を同心円状に囲み、前記または各外層(36、40)の平面に位置し、Pは2以上であり、前記P個のガードリングは互いに且つ前記対応する外層(36、40)の周辺端部(38、42)から相隔てられる、請求項4および7に記載のデバイス(16)。
- 前記接続手段は各ガードリング(60)に対して、前記第1外層(36)と平行な前記絶縁基板(30)に位置する電気的導電中間層(62)と、前記各ガードリング(60)と前記各中間層(62)との間の電気的リンク(64)とを含む、請求項7または8に記載のデバイス(16)。
- 前記接続手段は各ガードリング(60)に対して、より大きな電位を有する隣接したガードリング(60)、あるいは前記対応する外層(36、40)と連結するための電気抵抗(70)を含む、請求項7または8に記載のデバイス(16)。
- 前記または各外層(36、40)の周辺端部(38、42)を覆うためのボーダー(46、48)をさらに含み、前記カバリングボーダー(46、48)は電気的に絶縁されている、請求項1から10の何れか1項に記載のデバイス(16)。
- 電子部品(12)のための電力供給システム(10)であって、前記システム(10)が、
−電圧を導電面(18)に送る電力供給源(14)であって、前記導電面(18)は第1電位(V1)を有し、前記電子部品(12)に接続されることができる、電力供給源(14)と、
−第2電位(V2)に対して前記導電面(18)を電気的に絶縁するためのデバイス(16)と、を含み、
前記絶縁デバイス(16)が請求項1から11の何れか1項に記載のデバイスであり、前記第1外層(36)は前記第1電位(V1)を有し且つ前記導電面(18)を形成し、前記第2面(34)は前記第2電位(V2)に接続されていることを特徴とする、電力供給システム(10)。 - 第2電位(V2)に対して第1電位(V1)を有することができる電気的導電面(18)を電気的に絶縁するためのデバイス(16)の第1の電気的導電性外層(36)とは異なる電気的導電領域(50)の使用であって、前記第1外層(36)の周辺端部(38)のある点における静電場(E)の値を、前記導電領域がない場合の当該点における静電場の値と比べて相対的に減少させるために、前記デバイス(16)は互いに平行な2つの平坦面(32、34)を含む絶縁基板(30)を含み、前記第1の実質的に平坦な外層(36)は前記絶縁基板(30)の第1平坦面(32)上に位置し、前記第1外層(36)は前記第1電位(V1)に接続されることができる電気的導電面(18)を形成し周辺端部(36)を有し、前記第2面(34)は前記第2電位(V2)に接続されることができ、前記導電領域(50)は前記絶縁基板の第1平坦面(32)上および/または前記絶縁基板(30)に位置し、前記導電領域(50)は前記第1(V1)および第2(V2)電位の値の間に完全に含まれた値(Vi)の電位を有することができる、電気的導電領域(50)の使用。
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