JP2012256627A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】マトリクス状に多数の単位デバイス領域が配置されたリードフレームを用いて、樹脂封止型半導体装置の組み立てが行われるが、パッケージの微細化に伴い、樹脂封止工程に於いて、樹脂未充填不良が増加する傾向にある。通常、リードフレームは、樹脂封止後に、切断金型等により個々の単位デバイス領域に分離される。このときリードフレームに一つでも未充填の単位デバイス領域があると、切断金型等による切断時に、リードはばらばらに飛び散るため、切断金型や製品を傷つける恐れがある。従って、切断金型等によるリードフレームの切断前に、パッケージ充填検査を行い、充填不良があるリードフレームは、その後の処理対象から除外しなければならない。
【解決手段】本願発明は、半導体装置の製造方法における個片モールド方式に於いて、モールド後に、未充填不良が発見された単位デバイス領域に対して、補修処理を施すものである。
【選択図】図２７

Description

本発明は、半導体装置（または半導体集積回路装置）の製造方法における樹脂封止周辺技術に適用して有効な技術に関する。

日本特開２００９−２５２８３８号公報（特許文献１）には、半導体装置の樹脂封止プロセスに関して、熱硬化性封止樹脂のポッティングによって部分的に封止された半導体装置を熱可塑性封止樹脂と金型を用いたインジェクションモールドにより封止する技術が開示されている。

日本特開平５−２２６３９６号公報（特許文献２）または、これに対応する米国特許第５５６３１０３号公報（特許文献３）には、リードフレームを用いた半導体装置の樹脂封止プロセスに関して、モールド金型と熱可塑性封止樹脂を用いたインジェクションモールド技術が開示されている。

特開２００９−２５２８３８号公報 特開平５−２２６３９６号公報 米国特許第５５６３１０３号公報

本願発明者は、リードフレーム品、すなわち、リードフレームを用いて組み立てる半導体装置を個片モールド方式で封止する製造工程について検討した。ここで、個片モールド方式とは、例えば１つのリードフレームに形成された複数のデバイス領域にそれぞれ対応する複数のキャビティを有する金型を用いて、樹脂封止を行うモールド方式である。このとき、樹脂タブレットが配置されるポット部と繋がるランナを経由して、各キャビティに溶融した樹脂が供給される。このような個片モールド方式を用いた封止工程において、樹脂が完全に充填されないデバイス領域が発生することが問題となる。この原因は、半導体装置の小型化が進む一方で、低コスト化の要求もあり、１つのリードフレームに形成するデバイス領域の数が増加したため、樹脂経路となるランナ長が長くなることに起因する。またはランナの幅（径）が小さくなったため、キャビティに樹脂が到達する前に流速が低下して硬化が始まること、または樹脂がランナで詰まることも、この未充填の原因となっていると考えられる。なお、リードフレーム品において樹脂が充填されない領域が存在すると、この不良領域の切断工程において、リードが飛散する、または切断刃（切断金型）への負荷が大きくなり、切断刃が損傷する等の問題がある。

以上説明したように、マトリクス状に多数の単位デバイス領域が配置されたリードフレームを用いて、樹脂封止型半導体装置の組み立てが行われるが、パッケージの微細化に伴い、樹脂封止工程に於いて、樹脂未充填不良が増加する傾向にある。通常、リードフレームは、樹脂封止後に、切断金型等により個々の単位デバイス領域に分離される。このときリードフレームに一つでも未充填の単位デバイス領域があると、切断金型等による切断時に、リードはばらばらに飛び散るため、切断金型や製品を傷つける恐れがある。従って、切断金型等によるリードフレームの切断前に、パッケージ充填検査を行い、充填不良があるリードフレームは、その後の処理対象から除外されている。しかし、このような取り扱いでは、モールド工程の歩留まりを向上させることが困難となる。

本願発明は、これらの課題を解決するためになされたものである。

本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置の製造プロセスを提供することにある。

本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。

すなわち、本願の一つの発明は、半導体装置の製造方法における個片モールド方式に於いて、モールド後に、未充填不良が発見された単位デバイス領域に対して、補修処理を施すものである。

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。

すなわち、半導体装置の製造方法における個片モールド方式に於いて、モールド後に、未充填不良が発見された単位デバイス領域に対して、補修処理を施すことにより、未充填不良の箇所があるリードフレームを有効に活用することが可能となる。

本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法のアウトラインを説明するための樹脂未充填検査時のリードフレームの全体上面模式図（樹脂充填完了時点）である。 組み立てプロセスを説明するための図１の単位観測領域５１におけるリードフレームの斜視模式図（リードフレーム準備工程）である。 組み立てプロセスを説明するための図１の単位観測領域５１におけるリードフレームの斜視模式図（ダイボンディング工程）である。 組み立てプロセスを説明するための図１の単位観測領域５１におけるリードフレームの斜視模式図（ワイヤボンディング工程）である。 図４のコーナ切り出し領域Ｒ１におけるリードフレームの拡大上面図（ワイヤボンディング工程）である。 図４のコーナ切り出し領域Ｒ１におけるリードフレームの拡大上面図（樹脂充填工程途中）である。 図１の単位デバイス領域５の拡大上面図（樹脂充填完了時点）である。 図４のコーナ切り出し領域Ｒ１におけるリードフレームの拡大上面図（樹脂充填完了時点）である。 図８のＸ−Ｘ’断面における金型の局所模式断面図である。 モールド装置内での流れの概要を示すブロックフローおよび樹脂未充填検査時のコーナ切り出し領域Ｒ１の状況を示す局所斜視模式図を含む複合図である。 組み立てプロセスを説明するための図１の単位観測領域５１におけるリードフレームの斜視模式図（樹脂未充填検査時）である。 タイバー切断＆検査装置内での流れの概要を示すブロックフローおよびタイバー切断完了時点のコーナ切り出し領域Ｒ１の状況を示す局所斜視模式図を含む複合図である。 図４のコーナ切り出し領域Ｒ１におけるリードフレームの拡大上面図（タイバー切断完了時点）である。 マーク＆リード成形装置内での流れの概要を示すブロックフローおよび外形完成時点の単位パッケージの状況を示す斜視模式図を含む複合図である。 外形完成時点の単位パッケージの状況を示す拡大斜視模式図である。 本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法において使用するモールド装置の上面模式図である。 本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部である樹脂未充填検査の様子を示す樹脂未充填検査部の要部斜視模式図である。 本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部である樹脂未充填検査の様子を示す樹脂未充填検査部の要部模式断面図である。 本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部である樹脂未充填検査における単位デバイス領域、単位観測領域および充填有無判定対象領域の相互関係を示す模式平面図（例１）である。 本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部である樹脂未充填検査における単位デバイス領域、単位観測領域および充填有無判定対象領域の相互関係を示す模式平面図（例２）である。 本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセスにおける詳細な流れを示す処理ブロックフロー図である。 図４のコーナ切り出し領域Ｒ１を例にとった樹脂未充填不良の実態を例示するリードフレームの局所上面図（コーナ集中型不良）である。 図４のコーナ切り出し領域Ｒ１を例にとった樹脂未充填不良の実態を例示するリードフレームの局所上面図（分散型不良）である。 図２２及び図２３の部分にほぼ対応する良品画像（参照画像）である。 図２２の部分にほぼ対応する不良画像（コーナ集中型不良）である。 図２３の部分にほぼ対応する不良画像（分散型不良）である。 本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における未充填部分再生プロセス等を説明するためのモールドプロセス後半部の模式プロセスフロー図である。 図２７のパッケージ未充填不良の実例を示す単位デバイス領域の上面図である。 図２８のパッケージ未充填不良箇所の再充填による補修処理を示す単位デバイス領域の上面図である。 図２８のパッケージ未充填不良箇所の保護テープ貼り付けによる補修処理を示す単位デバイス領域の上面図である。 各単位デバイス領域のリードフレーム枠部からの分離の際の各単位デバイス領域と切断金型の関係を示すリードフレーム部分平面図である。

〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。

１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）下金型（または第１の金型）および上金型（または第２の金型）の間に、多数の単位デバイス領域の各々に半導体チップが搭載されたリードフレームをクランプした状態で、各半導体チップを樹脂により封止することにより、各単位デバイス領域に樹脂封止体を形成する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記リードフレームに対して、樹脂未充填部の有無を検査する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記樹脂未充填部があった前記リードフレームに対して、前記樹脂未充填部に対する補修処理を実行する工程；
（ｄ）前記樹脂未充填部があった前記リードフレームに対しては前記工程（ｃ）の後、前記樹脂未充填部がなかった前記リードフレームに対して前記工程（ｂ）の後、切断金型により、前記リードフレームから各単位デバイス領域を分離する工程。

２．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記補修処理は、以下の下位工程を含む：
（ｃ１）熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂により、前記樹脂未充填部を再封止する工程。

３．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記補修処理は、以下の下位工程を含む：
（ｃ１）前記樹脂未充填部のリードフレーム部分に対して、樹脂テープを貼り付ける工程。

次に、本願において開示される発明のその他の実施の形態について概要を説明する。

１．以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）各々に複数のリードが形成された複数の単位デバイス領域と、これを保持する枠部を有するリードフレームを準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、各単位デバイス領域に半導体チップを搭載する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記複数の単位デバイス領域にそれぞれ対応する複数のキャビティを有する下金型（または第１の金型）と、前記下金型と対向する上金型（または第２の金型）との間に、前記複数の半導体チップが前記複数のキャビティ内にそれぞれ位置するように、前記リードフレームを配置し、前記複数のキャビティ内のそれぞれに樹脂を供給する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、樹脂未充填部の有無を検査する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記（ｄ）工程により、前記樹脂未充填部があった場合は、前記樹脂未充填部の前記複数のリードに支持部材（レジン、テープ）を配置し、前記複数のリードを纏めて固定する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記複数の単位デバイス領域に切断金型を接触させて、前記複数のリードのそれぞれを切断することによって、前記複数の単位デバイス領域を前記枠部から切り離す工程。

〔本願における記載形式、基本的用語、用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。

２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、SiGe合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金メッキ、銅層、ニッケル・メッキ等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、銅、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。

３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。まとえば、「矩形」または「ほぼ矩形」というときは、厳密な正方形又は長方形のみでなく、それらに類似したものを含む。たとえば、四隅を面取りした又は丸みを帯びさせた変形された正方形は矩形である。正方形を例にとれば、一般的に面取り等により、理想的正方形から除外された部分の面積が、前記理想的正方形の面積の１５％未満である場合は、変形された正方形は矩形である。

４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。

５．「ウエハ」というときは、通常は半導体装置（半導体集積回路装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、ＳＯＩウエハ、エピタキシャルウエハ、絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。

６．「半導体チップ」というときは、一般的にはウエハ分割工程(ブレードダイシング、レーザダイシングその他のペレタイズ工程)後の半導体デバイス又は半導体集積回路を形成したダイ等を指す。ここでは主としてシリコン系のチップを、例にとって説明するが、GaAs系その他のデバイス・チップであってもよい。

７．本願で主に取り扱うトランスファ・モールドでは、金型は上金型、および下金型が閉じたときにできる空間にできた各種の空間領域を用いてレジンを溶融、転送（移動）、注入（充填）、キュア進行（圧縮モールドの場合は文字通りの意味での溶融、転送、注入はない）によって、レジン封止物を形成する。この過程を説明する際、前記各種の空間領域、すなわち、レジンタブレットを収容するポット部、このポット部に対向して設けられたカル(Cull)部、カル部とキャビティ部をつなぐランナ部、ランナ部とキャビティ部の境界領域に形成されたゲート等の金型に関する部分と、封止レジンによる封止体（配線基板上の領域を含む）のそれらに対応する部分の間で参照番号を共用する場合がある。なお、封止技術においては、金型の金属部分が意味を持つのではなく、その空隙部に意味があるので、図に表示する場合に、一部で、金型の金属部分を省略して、充填部材のみを明示する場合がある。

８．本願に於いて、樹脂未充填不良の内、パッケージ本体部分（キャビティに対応する部分）が未充填のものを「パッケージ充填不良」（または、単に「パッケージ充填」）と呼び、パッケージ本体部分は充填されているが、ダム部分、すなわち、パッケージ本体外部に近接するタイバーの内側の部分において未充填があるものを「タイバー内未充填不良」（または、単に「タイバー内未充填」）と呼ぶ。

〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。

また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するために、ハッチングを付すことがある。

１．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂未充填およびその検査のアウトライン等の説明（主に図１）
ここでは、パッケージ形状の一例として、ほぼ正方形に近い矩形の平面形状を有する薄板状の樹脂封止パッケージを例に取り説明するが、典型的長方形またはそれに近い平面形状を有するものでも良い。また、金型セット（すなわち、金型）を構成する二つの金型（たとえば上下金型）の内面の両方にキャビティに対応した凹部を有する例について説明するが、一方のみにキャビティに対応した凹部を有するものでもよいことはいうまでもない。

また、パッケージのマトリクス配列については、以下では説明の都合上、２ｘ６の例を示すが、３ｘ１０、４ｘ１０程度のもの（図２７参照）が汎用されている。なお、リードフレームの平面寸法の一例を示すとすれば、たとえば、４０ｘ１２０ミリメートル程度である。

更に、以下に例示するリードフレームはフローキャビティ開口を有するものであるが、これは、必ずしも必要なものではなく、通常のエアベントに対応した形状でもよいことはいうまでもない。

なお、以下の斜視図や全体図等においては、図示の都合上、リードフレーム等の２次的な構造は省略している。

図１は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法のアウトラインを説明するための樹脂未充填検査時のリードフレームの全体上面模式図（樹脂充填完了時点）である。これに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂未充填およびその検査のアウトライン等を説明する。

図１に一例として、単位デバイス領域５を、１２個を２ｘ６型のマトリクス状に配列したリードフレーム１（正確には、たとえば、銅を主要な成分とするリードフレーム本体１と、そこに形成された樹脂封止体３等から構成されたリードフレーム＆樹脂封止体複合体）を示す。ここで、複数の単位デバイス領域５は、枠部６によって一体に保持されており、半導体チップ２は、リードフレーム１の各単位デバイス領域５のチップ搭載面１ａに搭載されている。樹脂封止体３の４辺からは、多数のリード４（すなわち、アウタリード部４ｐ）が突出しており、各単位デバイス領域５の左下コーナ（注入ゲートの対角的位置に当たる）には、フローキャビティ開口７が設けられている。

ここで、従来、主に用いられてきた高粘度のエポキシ系封止樹脂であれば、フローキャビティ開口７が設けられているコーナ部（すなわち、注入ゲート対角コーナ部）の充填状況をスポット的にモニタすることで、安定的な充填特性を確保することができた。しかし、本願発明者等の分析結果によれば、ハロゲンフリー化の流れの中で、高流動性封止樹脂（たとえば、多環芳香族系エポキシ樹脂の使用、可撓化剤の増量、シリカ等の充填材の微細化および球形化など）が多用されるようになると、溶融樹脂の流れの性質が分散的となり、より流路の性質に状態に依存するようになり、従来のように、樹脂未充填不良も特定の箇所に集中せず、予測不可能な場所に、ばらばらに出現する傾向が強くなっている。

従って、一つの単位デバイス領域５についてみても、常に注入ゲート対角コーナ部に出現するとは限らず、どの辺のどのあたりに出現するかを事前に予測することは困難である。また、同一の製品においても、時間が異なれば、その出現位置の再現性は比較的低い。また、このことは、リードフレーム１全体についても言え、複数の単位デバイス領域５に出現するかを予測することもまた困難である。

更に、昨今のデバイスの微細化に伴う検査装置の限界を超えたリードフレーム寸法及び金型寸法の急激な微細化も、このような溶融樹脂の流れの予測を困難にしている（たとえば、一般的な検査方法の検出可能限界寸法は２００マイクロメートル程度である）。以下に、最新のリードフレーム及び金型の主要部の寸法をまとめて例示する。

リードフレーム寸法等は：
（１）アウタリード間ピッチ：たとえば４００マイクロメートル程度、
（２）レジン封止体本体（タイバー内樹脂体を除く）からタイバー内側までの距離：たとえば１５０マイクロメートル程度、
（３）ピン数：たとえば１２８ピン程度、
（４）全体サイズ：たとえば６６ミリメートルｘ２３０ミリメートル程度であり、
金型寸法及び封止樹脂に関しては：
（５）球形フィラー等を含む流動性の良いエポキシ樹脂ベースの封止樹脂の導入、
（６）注入ゲート幅：０．３ミリメートル程度、
（７）注入ゲート深さ：０．１５ミリメートル程度、
（８）エアベント幅：０．２ミリメートル程度、
（９）エアベント深さ：０．０２から０．０３ミリメートル程度である。

そのため、一般的な単一又は複数のビームや局所的な画像観測では、モールド工程の安定的な管理は困難であるので、コントラストの強い透過照明の下、より大域的な領域の画像データをＣＣＤカメラ（たとえば、２００万画素）等により、一括して取得して、その画像データと参照データ（良品データ）を比較して（たとえば、差分画像を取得して）、封止樹脂の充填状況を観測＆判定することが有効である。このようなやり方のよって、検出可能限界寸法を５０マイクロメートル程度に向上させることができる。また、観測幅が、リードフレームのフルサイズ幅である８０ミリメートル以上に取れるので、カメラを固定した状態でも観測することができ、精度向上に有効である。

具体的には、たとえば、図１に示すように、観測対象であるリードフレーム全体を複数の単位観測領域５１，５１ａ，５１ｂ，５１ｃに分割して、その中に少なくとも一つの単位デバイス領域５の全体、または、その充填有無判定対象領域５３（図１９又は図２０）の全部が含まれるようにしている。更に、観測の高速化の観点から、複数の単位デバイス領域５（具体的には、たとえば、４個）に対する画像取得を単位観測領域５１として観測することが有効である。更に、ＣＣＤカメラの画素数が許せば、リードフレーム全体を、画像取得を単位観測領域５１として観測することが更に有効である。

２．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立てプロセスの説明（主に図２から図１５）
このセクションでは、トランスファ・モールドの一例として、半導体チップ２がリードフレーム１の上面にある場合について説明するが、この位置は、プロセスの必要に応じて、リードフレーム１の下面にあってもよいことはいうまでもない。

なお、この例では、ダイパッドの面積がチップ面積よりも小さい、いわゆる「小ダイパッド型リードフレーム」の例について説明するが、ダイパッドの面積がチップ面積よりも大きいもの（いわゆる「大ダイパッド型リードフレーム」）等にも適用できることは言うまでもない。

図２は組み立てプロセスを説明するための図１の単位観測領域５１におけるリードフレームの斜視模式図（リードフレーム準備工程）である。図３は組み立てプロセスを説明するための図１の単位観測領域５１におけるリードフレームの斜視模式図（ダイボンディング工程）である。図４は組み立てプロセスを説明するための図１の単位観測領域５１におけるリードフレームの斜視模式図（ワイヤボンディング工程）である。図５は図４のコーナ切り出し領域Ｒ１におけるリードフレームの拡大上面図（ワイヤボンディング工程）である。図６は図４のコーナ切り出し領域Ｒ１におけるリードフレームの拡大上面図（樹脂充填工程途中）である。図７は図１の単位デバイス領域５の拡大上面図（樹脂充填完了時点）である。図８は図４のコーナ切り出し領域Ｒ１におけるリードフレームの拡大上面図（樹脂充填完了時点）である。図９は図８のＸ−Ｘ’断面における金型の局所模式断面図である。図１０はモールド装置内での流れの概要を示すブロックフローおよび樹脂未充填検査時のコーナ切り出し領域Ｒ１の状況を示す局所斜視模式図を含む複合図である。図１１は組み立てプロセスを説明するための図１の単位観測領域５１におけるリードフレームの斜視模式図（樹脂未充填検査時）である。図１２はタイバー切断＆検査装置内での流れの概要を示すブロックフローおよびタイバー切断完了時点のコーナ切り出し領域Ｒ１の状況を示す局所斜視模式図を含む複合図である。図１３は図４のコーナ切り出し領域Ｒ１におけるリードフレームの拡大上面図（タイバー切断完了時点）である。図１４はマーク＆リード成形装置内での流れの概要を示すブロックフローおよび外形完成時点の単位パッケージの状況を示す斜視模式図を含む複合図である。図１５は外形完成時点の単位パッケージの状況を示す拡大斜視模式図である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立てプロセスを説明する。

まず、図２に示すように、リードフレーム１を準備する。同図よりわかるように、リードフレーム１の枠部６によって複数の単位デバイス領域５が一体的に保持されており、各単位デバイス領域５の中心部には、ダイパッド８が配置されている。このダイパッド８は、ダイパッドサポートバー９（ダイパッド吊りリード）により周辺の枠部６に連結されており、ダイパッド８の周りには、リード４が配置されている。

次に、ダイボンディング装置内において、図３に示すように、各ダイパッド８上に、接着剤層等の仲介膜を介して、半導体チップ２を固定（または搭載）する。具体的には、半導体チップ２の裏面２ｂを、接着剤層等を介してダイパッド８に接着する。その後、リードフレーム１はダイボンディング装置からワイヤボンディング装置へ移送される。

次に、ワイヤボンディング装置内において、図４または図５に示すように、半導体チップ２の表側主面２ａ（電極パッド形成面）上に形成された多数の電極パッド１２（ボンディングパッド）と半導体チップ２の外部の多数のリード４（より正確には、インナリード部４ｉ）の間をボンディングワイヤ１１で相互接続する。図５より、この時点では、インナリード部４ｉとアウタリード部４ｐの接続部周辺で、多数のリード４はタイバー１４によって、相互に連結されていることがわかる。また、図５に示すように、隣接するアウタリード部４ｐ間にはアウタリード間開口１０があり、その外側には、リードフレーム１全体の反りを防止するためのスリット１５が設けられている。また、同図には、参考までに、モールド金型にセットした場合のモールドキャビティ外縁５２を破線で示している。

次に、リードフレーム１は、モールド装置に移送される。まず、リードフレーム１は、単位デバイス領域５とキャビティ５２が対応する位置に来る状態で、両金型の間に挟まれるようにセットされる。次に、樹脂モールド工程における樹脂充填の途中段階における状況を図６に示す。図６より、溶融封止樹脂１６が注入されて、徐々にリード間ダム領域２０にタイバー内樹脂体１７が形成されて行くのがわかる。

次に、樹脂モールド工程における樹脂充填の完了段階及び、それにいたる状況を図７、図８及び図９に示す。ここで、まず、単位デバイス領域５の全体構造とともに、トランスファ・モールドにおける樹脂充填の完了段階に至る樹脂の流れについて説明する。金型７８のポット部に挿入されたレジンタブレット５８（図１６）は、金型の熱により溶融して、溶融封止樹脂１６（図６）となり、金型７８のカル部およびランナ部８０を通して、リードフレーム１のゲート開口２１の部分に至る。そこから、注入ゲート２２を通して、モールドキャビティ５２に注入され、徐々にモールドキャビティ５２（下金型７８ａと上金型７８ｂの間に形成された空間）を充填して行き、最終的にモールドキャビティ５２を満たした後、リード間ダム領域２０も充填して、タイバー内樹脂体１７を形成する。更に、このとき、過剰の封止樹脂はフローゲート２３を通して、ボイドとともに、フローキャビティ７９に移送され、そこを満たし、フローキャビティ開口部の封止樹脂体１８を形成する（同様に、ランナ部８０やリードフレーム１のゲート開口２１部分にも封止樹脂体１９すなわちゲートレジンが形成される）。フローキャビティ７９は、下金型（図９における下側の金型、または、たとえば第１金型）７８ａと上金型（図９における上側の金型、または、たとえば第２金型）７８ｂの間に形成されたモールドキャビティ５２よりも小さく、リードフレーム１のフローキャビティ開口７を含む空間である（このキャビティは、通常、封止体３の上面側３ａと下面側の両凹部から構成されるが、一方の凹部から構成されるようにしても良い）。

一方、注入ゲート２２とフローゲート２３を結ぶ対角線の両側のコーナ部には、通常、不所望なエアを排出するためのエアベント２４が設けられ、それに対応して、リードフレーム１には、エアとともに排出される少量の樹脂を収容するためのベント開口２５が設けられている。

図７、図８及び図９に示すように、樹脂充填の完了段階（正常時）においては、樹脂封止体３は、半導体チップ２の表面側主面２ａ、裏面２ｂおよびダイパッド８を完全にカバーしている。もっとも、製品によっては、チップ２の裏面２ｂまたはダイパッド８の裏面が露出しているものもある。

次に、トランスファ・モールド（図１０のモールド工程１０１）が完了すると、リードフレーム１は、金型７８から取り出され、ゲートレジン等が除去されるが（ゲートブレーク工程）、その後の状態を図１０及び図１１に示す。ここで、たとえば、図１０に示す充填有無判定対象領域５３について、未充填検査１０２が実行される。充填有無判定対象領域５３には、通常、樹脂封止体３の全周のタイバー内樹脂体１７（リード間ダム領域２０）を含む。なお、フローキャビティ開口７がある場合は、必須ではないが、その封止樹脂体１８の検査も含めることが望ましい。

その後、パッケージずれ検査１０３等が実行された後、正常なリードフレーム１ｐは、アンロードストッカ６４（図１６）に収容され（ストッカ収納工程１０４）、未充填検査１０２またはパッケージずれ検査１０３で異常が発見された不良品リードフレーム１は、不良リードフレーム処理領域８６（図１６）に移送される（図２１の不良品リードフレーム移送工程１２３）。その後、正常なリードフレーム１ｐ（良品リードフレーム１ｐ）および補修処理が施された不良品リードフレーム１ｄは、モールド装置５４から排出され、たとえば摂氏１７５度程度で数時間程度、ポストキュア（完全硬化処理）を実行した後、アウタリード部４ｐへの半田メッキ等のメッキ処理が実施される。その後、リードフレーム１は、タイバー切断装置６０（図１２）に移送される。

次に、タイバー切断装置６０内において、図１２及び図１３に示すように、タイバー１４（ダムバー）を切断するとともに、タイバー内樹脂体１７およびフローキャビティ開口部の封止樹脂体１８等の不要な封止体を除去する（タイバー切断工程１０５）。続いて、タイバー切断検査１０６を実行する。その後、リードフレーム１は、タイバー切断装置６０からマーク＆リード成形装置７０に移送される。

次に、マーク＆リード成形装置７０内において、図１４に示すように、レジン封止体３の上面３ａへのマーキングが実行される（マーキング工程１０７）。続いて、アウタリード部４ｐの成形工程１０８、リードフレームの枠部６と連結されたダイパッドサポートバー９（あるいは、ダイパッドサポートバー９と連結されたリードフレームの枠部６）を切断することでリードフレーム１からの分離、マーク検査及びリード成形検査１０９等が実行される。ここで、リードフレーム１から各単位デバイス領域５を分離する際、本実施の形態では、製造工程時間の短縮化を図るため、複数の単位デバイス領域５（例えば図１で言う、リードフレーム１の短辺方向に沿って互いに隣り合う２つの単位デバイス領域５）を同時に切断している（図示しない）。そのため、先の未充填検査工程において、樹脂未充填部を有する単位デバイス領域５を特定できたとしても、本実施の形態では複数の単位デバイス領域５を同時に切断するため、樹脂未充填部を有する単位デバイス領域５を避けてリードフレーム１の切断工程を行うことが困難である。しかしながら、本実施の形態では、各種の不良事項のある単位デバイス領域５に対して補修処理を施しているため、樹脂未充填部を有さない単位デバイス領域５と同時に切断することができる。また、個々のパッケージに分離された半導体装置は、マーク＆リード成形装置７０から外観検査装置へ移送され、そこで、たとえば、自動外観検査１１０等が実行され、図１５に示すような最終的な樹脂封止された半導体デバイスとなる。

この自動外観検査１１０の際に、不良品リードフレーム１ｄ上のタイバー内未充填単位デバイス領域５ｄおよびパッケージ内未充填単位デバイス領域５ｔに対応するパッケージは、外観不良の一項目に該当し、除去されることになる。

３．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法において使用するモールド装置の説明（主に図１６）
このセクションでは、セクション２で説明したモールド工程に使用する装置及びその中でのリードフレーム１の流れについて説明する。この装置は、一例であり、各種の変更が可能であることはいうまでもない。

図１６は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法において使用するモールド装置の上面模式図である。これに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法において使用するモールド装置を説明する。

ワイヤボンディング装置から樹脂モールド装置５４（自動樹脂モールド装置）に移送されたリードフレーム１は、まず、リードフレームロードストッカ５５（通常、数十枚から数百枚収容される）に収容される。

次に、リードフレーム１は搬送機構５６によって、移送され、樹脂タブレット供給部５７からの樹脂タブレット５８とともに、プレス部５９内の金型７８（上金型７８ｂおよび下金型７８ａ）間に供給され、リードフレーム１が上金型７８ｂおよび下金型７８ａの間に挟まれた状態で、樹脂の注入が実行される。キャビティ５２（図７）への樹脂の充填等が完了すると、金型７８が開き、リードフレーム１が搬送機構５６によって、金型７８間から搬出され、ゲートブレーク部６１において、ゲートブレーク（図２１のゲートブレーク工程１０１ｃ）が実行される。

次に、リードフレーム１は、搬送機構５６によって、パッケージ未充填検査部６２に移送され、そこで、パッケージ未充填検査１０２（図２１）が実行される。

次に、リードフレーム１は、搬送機構５６によって、パッケージ位置ずれ検査部６３に移送され、そこで、パッケージ位置ずれ検査１０３（図２１）が実行される（パッケージ未充填検査１０２とパッケージ位置ずれ検査１０３を同一の部分で実行しても良い）。その後、パッケージ未充填検査１０２およびパッケージ位置ずれ検査１０３をパスしたリードフレーム１は、搬送機構５６によって、リードフレームアンロードストッカ６４（通常、数十枚から数百枚収容される）すなわち良品ストッカに移送され、樹脂モールド装置５４外に排出される。一方、パッケージ未充填検査１０２またはパッケージ位置ずれ検査１０３をパスしなかったリードフレーム１は、搬送機構５６によって、不良マーク付け部６５へ移送され、そこで、不良マーク付けが行われた後、搬送機構５６によって、不良リードフレーム処理領域８６に移送される。この不良リードフレーム処理領域８６の樹脂未充填部補修処理部８１において、必要な場合は、補修処理が実行され、その後、不良リードフレーム１ｄは、不良品ストッカ６６に収容される。

４．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法において使用するパッケージ未充填検査装置の説明（主に図１７から図２０、図１を参照）
このセクションでは、セクション１、２及び３で説明したパッケージ未充填検査に使用するパッケージ未充填検査装置について説明する。ここに例示した装置は、パッケージ未充填検査を実現するための一手段に過ぎず、種々変更可能であることはいうまでもない。

図１７は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部である樹脂未充填検査の様子を示す樹脂未充填検査部の要部斜視模式図である。図１８は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部である樹脂未充填検査の様子を示す樹脂未充填検査部の要部模式断面図である。図１９は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部である樹脂未充填検査における単位デバイス領域、単位観測領域および充填有無判定対象領域の相互関係を示す模式平面図（例１）である。図２０は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部である樹脂未充填検査における単位デバイス領域、単位観測領域および充填有無判定対象領域の相互関係を示す模式平面図（例２）である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法において使用する検査装置を説明する。

図１７及び図１８に示すように、パッケージ未充填検査装置６２（パッケージ未充填検査部）は、下方の２次元照明装置６７、上方のカメラ６９、その間のリードフレーム搬送機構７１等によって構成されており、リードフレーム搬送機構７１によって、各単位観測領域５１ａ，５１ｂ，５１ｃ単位で水平方向にシフトさせて、リードフレーム１の全領域を検査する構造となっている。２次元照明装置６７は、リードフレーム１の裏面１ｂ側にあって、たとえば、白色ＬＥＤ２次元マトリクスアレー７２、拡散板６８等から構成されており、２次元の均一な白色照明を提供するようになっている。一方、カメラ６９（撮像系）は、カメラレンズ７３（レンズ系）、２次元撮像素子７４等から構成されており、リードフレーム１を透過した照明光をリードフレーム１の像として、撮像面７５に結像するようになっている。すなわち、カメラの物焦点面は、リードフレームの属する平面又はその近傍にある。

ここで、照明領域７６（均一な照明が得られる領域）は、各単位観測領域５１，５１ａ，５１ｂ，５１ｃよりも大きい（すなわち、観測時には、図１８に示すように、照明領域７６が、たとえば単位観測領域５１ｂを内包する）ことが望ましい（すなわち、リードフレームの下面等の単位観測領域全体を照明する）。また、各単位観測領域５１ａ，５１ｂ，５１ｃは、ここでは、相互に、若干、重なりを持たせているが、端部には充填有無判定対象領域５３やその他観察すべき領域がない場合には、相互に分離した領域としてもよい。

図１９及び図２０に、単位デバイス領域５、単位観測領域５１、および充填有無判定対象領域５３の相互関係の具体例を示す。通常は、図１９に示すように、検査対象となる複数の単位デバイス領域５の全部を単位観測領域５１の内部に含む、すなわち、内包する構成とするのが好適である。しかし、取得した画像を当該検査以外に使用する意図がないのであれば、図２０に示すように、検査対象となる複数の単位デバイス領域５の全部を単位観測領域５１に内包せず、検査対象となる複数の単位デバイス領域５の充填有無判定対象領域５３（検査対象領域）の全部を内包するようにしてもよい。なお、ここでは、単位観測領域５１に関係する（内包等される）単位デバイス領域５の数を２とする場合（図１９、図２０）、および４とする場合（図１、図１７）を主に説明したが、１とする場合、３とする場合、または、５以上とする場合でもよいことはいうまでもない。

５．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセスの説明（主に図２１）
このセクションでは、セクション２及び３で説明した広義のモールドプロセス（モールド装置５４内での処理全般）の内、リードフレーム１の金型７８へのセット以降の処理プロセスについて詳述する。

図２１は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセスにおける詳細な流れを示す処理ブロックフロー図である。これに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセスを説明する。

図２１に示すように、リードフレーム１の金型７８へのセットが完了すると、下金型７８ａおよび上金型７８ｂが閉じて、樹脂の充填１０１ａ（トランスファ・モールド）が実行される。樹脂の充填１０１ａが完了すると、下金型７８ａおよび上金型７８ｂが開き、リードフレーム１が取り出される（製品取り出し工程１０１ｂ）。続いて、不必要なゲートレジン１９やランナ８０のレジン等をリードフレーム１から除去するゲートブレーク１０１ｃを実行する。これで、狭義のモールド工程（樹脂充填工程１０１ａ、製品取り出し工程１０１ｂ、ゲートブレーク１０１ｃ）が完了したことになる。

その後、モールド装置５４内で、パッケージ樹脂未充填検査１０２が実行される。この検査を終了したリードフレーム１に対しては、続いて、モールド装置５４内で、パッケージずれ検査１０３が実行される。この検査にパスしたリードフレーム１は、良品アンロードストッカ６４に収容される（良品ストッカ収納工程１０４）。

一方、パッケージ樹脂未充填検査１０２またはパッケージずれ検査１０３で不良が発見された場合には、アラームが送出され（装置アラーム送出工程１２１）、当該リードフレーム１および問題のある単位デバイス領域には不良マークが印字され（不良マーク印字工程１２２）、不良リードフレーム処理領域８６に移送される（不良リードフレーム移送工程１２３）。更に、不良品を製造しないようにモールド装置５４が停止される（装置停止工程１２４）。

装置停止工程１２４に引き続いて、金型７８の検査、すなわちモールド金型チェック工程１２５（主に樹脂のつまり等がチェックされる）が実行される。この結果、問題がない場合は、再びモールド装置５４が起動され、モールド工程１０１等が再開される。一方、問題が発見された場合には、問題箇所のクリーニング等の金型処理工程１２６が実行される。その後、必要に応じて、トライアルモールド処理１２７（いわゆる試し打ち）等が実行され、その結果が問題なければ（トライアルモールド処理１２７の結果封止された製品に対してパッケージ樹脂未充填検査１０２およびパッケージずれ検査１０３を実行して、その結果をみる製品チェック工程１２８）、再びモールド装置５４が起動され、モールド工程１０１等が再開される。この検査の結果に問題があるときは、再び、モールド金型チェック工程１２５を実行する。

このように、モールド装置５４内で未充填検査を実行するので（すなわち、アンロードストッカにリードフレームを収容する前に実施）、大量の不良リードフレームが後の工程に供給する前に、対策を実施することができるメリットがある。また、不良発見後、速やかにモールド装置を停止できるので、大量に不良リードフレーム（不良リードフレーム＆封止体複合体）を産出することを回避することができる。

６．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂未充填検査の具体例の説明（主に図２２から図２６）
このセクションでは、セクション１から５で説明した未充填検査工程１０２の具体的実例を説明するが、ここに上げた画像の判定等の方法は、単なる一例であり、種々変更可能であることはいうまでもない。

図２２は図４のコーナ切り出し領域Ｒ１を例にとった樹脂未充填不良の実態を例示するリードフレームの局所上面図（コーナ集中型不良）である。図２３は図４のコーナ切り出し領域Ｒ１を例にとった樹脂未充填不良の実態を例示するリードフレームの局所上面図（分散型不良）である。図２４は図２２及び図２３の部分にほぼ対応する良品画像（参照画像）である。図２５は図２２の部分にほぼ対応する不良画像（コーナ集中型不良）である。図２６は図２３の部分にほぼ対応する不良画像（分散型不良）である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂未充填検査の具体例を説明する。

図２２に示す樹脂未充填不良モードは、旧来型（注入ゲート対角コーナ近傍不良モード）に属する。すなわち、注入ゲート２２に対して対角的位置にあるコーナ部の充填が滞るケースである（未充填不良部２６ａ）。この場合は、フローキャビティ開口７の充填状態を見ることによって、明確に判定することができる。ここで、リード間ダム領域２０の部分の充填が見かけ上、問題がない場合であっても、フローキャビティ開口７の充填状態が十分でない場合には、キャビティ５２の内部でも十分な加圧下でキュアされていないことになるので、製品としては、不良となる場合があるので、留意する必要がある。ただし、フローキャビティ開口７の充填状態の検査は必須ではなく、リード間ダム領域２０の重点状態だけを見るのであれば、フローキャビティ開口７を検査から除外しても良い。また、フローキャビティ等がない金型も多い。

この注入ゲート対角コーナ近傍不良モードの場合の取得画像の例を図２５に示す。これと、図２４に示す参照画像（良品の標準画像）を比較又は差分画像を取得して、検査を実行する。この場合は、たとえば、差分をとると、リード間ダム領域の部分の画像２０とフローキャビティ開口の部分の画像７が、不良画像として抽出される。

次に、分散型不良モードの一例を図２３に示す。このモードの特徴は、場所が予測できない点にある。すなわち、注入ゲート２２に対して対角的位置にあるコーナ部が有する二辺に限らず、注入ゲート２２が有する二辺にも出現するので、封止体３の全周に渡り、検査を実行することが有効である。この例では、未充填不良部２６ｂ，２６ｃにおいて、モールドキャビティの外縁５２を跨ぐように、未充填が発生しており、その部分のリード間ダム領域２０の未充填によって、不良の存在を検出することができる。このときの取得画像は、図２６に示すような状態となっている。この場合も、たとえば、先と同様に、図２４との差分を取ると、リード間ダム領域の部分の画像２０が、不良画像として抽出される。

なお、これらの画像において、常に光が透過しない領域７７（たとえば封止体３の部分）は、画像のコントラストを高める作用がある。

７．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における未充填部分再生プロセス等の説明（主に図２７から図３１、図１６および図２１等を参照）
このセクションでは、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部である樹脂未充填部（パッケージ未充填部）の補修処理等を説明する。

図２７は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における未充填部分再生プロセス等を説明するためのモールドプロセス後半部の模式プロセスフロー図である。図２８は図２７のパッケージ未充填不良の実例を示す単位デバイス領域の上面図である。図２９は図２８のパッケージ未充填不良箇所の再充填による補修処理を示す単位デバイス領域の上面図である。図３０は図２８のパッケージ未充填不良箇所の保護テープ貼り付けによる補修処理を示す単位デバイス領域の上面図である。図３１は各単位デバイス領域のリードフレーム枠部からの分離の際の各単位デバイス領域と切断金型の関係を示すリードフレーム部分平面図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における未充填部分再生プロセス等を説明する。

図２７に示すように、図１６のパッケージ未充填検査部６２において、リードフレーム１上の各単位デバイス領域５について、樹脂未充填の有無が検査される。ここで、樹脂未充填の有無とは、主に、パッケージ未充填不良、タイバー内未充填不良等の有無である。

まず、全ての単位デバイス領域５に樹脂未充填不良がないリードフレーム１は、その後の必要な検査（パッケージずれ検査等）をパスすると、良品リードフレーム１ｐとして、図１６のリードフレームアンロードストッカ６４（良品ストッカ）に収容される。

一方、図２８に示すようなパッケージ内未充填不良（樹脂未充填部２６）がある単位デバイス領域５、すなわち、パッケージ内未充填単位デバイス領域５ｄを有するリードフレーム１は、他の単位デバイス領域５が正常に封止された単位デバイス領域５ｐであっても、必要に応じて、不良マーク付け部６５（図１６）等に於いて、レーザマーカ等により、リードフレーム１等に不良マークが刻印される。なお、このマーク付けは、省略してもよい。これは、パッケージ内未充填単位デバイス領域５ｄは、未充填再生の対象となるため、外観不良として認識できるからである。

次に、パッケージ内未充填単位デバイス領域５ｄを有するリードフレーム１は、樹脂未充填部補修処理部８１（図１６）において、樹脂未充填部の補修処理が実行される。

この補修処理の具体例としては、たとえば、再封止や樹脂テープの貼り付けがあるが、まず、再封止を説明する。

再封止は、図２７および図２９に示すように、たとえば、一つの単位デバイス領域５のみに対応した再封止下金型８３ａおよび再封止上金型８３ｂによって、パッケージ内未充填単位デバイス領域５ｄを上下から挟持した状態で、再封止樹脂８２を再封止キャビティ内に注入することによって実行される。これにより、もともとの封止樹脂で形成された部分封止部３ｉと再封止用樹脂３ｒ（支持部材）が一体となり、複数のリード４（たとえば図４）を一体に保持することとなる。この補修処理の後、補修された不良品リードフレーム１ｄは、不良品ストッカ６６に収容される。

ここで、再封止樹脂８２の色は、必須ではないが、もともとの封止樹脂（たとえば黒）と異なる色（たとえば、緑、赤、黄色、白、透明等）にするのが好適である。これは、後の外観検査が容易となるからである。また、再封止樹脂８２の材料は、熱可塑性樹脂とするのが好適である。これは、熱硬化性樹脂のように、加熱しても硬化が進行しないからである。一方、熱硬化性樹脂（たとえば、エポキシ系樹脂）を使用する場合は、温度の管理に留意する必要があるが、後のポストキュア処理に於いても耐熱性を確保しやすいメリットがある。なお、再封止キャビティは、もとの封止キャビティとほぼ同じ形状および大きさにすることで、本来の封止体の外縁とタイバー１４間に樹脂体を形成しないようにするのが好適である。これは、タイバー切断時の切断金型への負担を軽減するためである。

このことによって、図３１および図１４に示すように、リードフレーム１の枠部６から、ほぼ完成した単位デバイス領域５を切断金型８４ａ，８４ｂ，８４ｃ等により切り離す際、リード４が、ばらばらになって飛散したり、変形したりすることを防止することができる。リードフレーム１の枠部６から、ほぼ完成した単位デバイス領域５を切断金型８４ａ，８４ｂ，８４ｃ等により切り離す際、通常、複数の又は、全部の単位デバイス領域５に対して、同時に、切断金型８４ａ，８４ｂ，８４ｃをリードフレーム１に接触させて切断するので、何らかの不良のある単位デバイス領域５ｄ、５ｔのみを避けて分離処理をするのは、困難だからである。

次に、樹脂テープの貼り付けについて説明する。この場合は、図３０に示すように、樹脂未充填部２６に、樹脂テープ８５（リード固定用テープ、支持部材）を貼り付けることによって、この樹脂未充填部２６の複数のリード４を一体に保持する。この樹脂テープ８５は、たとえば、各種の形状のものを予め準備しておき、未充填検査工程１０２（図２１）のデータに基づいて、選択するようにすれば良い。この樹脂テープ８５の材料としては、後のベーク工程に耐えるように、摂氏２００度以上の耐熱性を有する樹脂材料（たとえば、ポリイミドテープ等）等を用いることが望ましい。先と同様に、この補修処理の後、補修された不良品リードフレーム１ｄは、不良品ストッカ６６に収容される。

更に、タイバー内未充填不良がある単位デバイス領域５、すなわち、タイバー内未充填単位デバイス領域５ｔがある不良品リードフレーム１ｄは、不良マーク付け部６５（図１６）において、たとえば、レーザマーカ等により、当該タイバー内未充填単位デバイス領域５ｔに対応する樹脂封止体３（本体）等に不良マークが刻印される。このマーク付けによって、後の外観検査１１１（図１４）によって、当該タイバー内未充填単位デバイス領域５ｔに対応するパッケージは、外観不良の一項目（不良マークが刻印されている）に該当して、破棄対象とされる。

以上説明した良品リードフレーム１ｐ、補修処理された不良品リードフレーム１ｄ、および、不良マークが刻印されたタイバー内未充填単位デバイス領域５ｔがある不良品リードフレーム１ｄは、図２７に示すように、その後、モールド装置５４から排出され、ポストキュア処理工程（すなわち、製品プロセスに戻される）に移行する。ただし、パッケージ内未充填単位デバイス領域５ｄおよびタイバー内未充填単位デバイス領域５ｔに対応するパッケージ（半導体装置）は、不良品であるので、通常、自動外観検査１１１（図１４）において、外観不良項目に該当して、破棄される。タイバー内未充填単位デバイス領域５ｔに対応するパッケージは、十分な充填圧がかからない状態でキュアされているので、樹脂封止体３として、正常なものではなく、不良品に分類される。

このように、各種の不良事項のある単位デバイス領域５を一部に有する不良品リードフレーム１ｄに対して、補修処理や不良マーク付け等の処置をした状態で、良品リードフレーム１ｐとともに、製品プロセスに戻すことによって、正常に封止された単位デバイス領域５ｐを製品として活用でき、且つ、パッケージ内未充填単位デバイス領域５ｄのリード４が飛び散ったり、変形したりして起こる切断金型の損傷や、損傷した金型、飛散または変形したリード４（破片を含む）等による製品の損傷を回避することができる。

８．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。

例えば、前記実施の形態では、注入ゲートがコーナ部にある例について具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、注入ゲートが封止体の中央部にある方式（いわゆるトップゲート方式）にも適用できることは言うまでもない。

また、前記実施の形態では、トランスファ・モールドを例にとり具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、圧縮モールド等にも適用できることは言うまでもない。

更に、前記実施の形態では、単一の半導体チップを単位デバイス領域に固定する例を示したが、これは単なる一例であり、単位デバイス領域に複数の半導体チップをマウントするものでも良いことは言うまでもない。この際、ワイヤボンディング以外の方法でチップ外との接続を取るものがあってもよいことは言うまでもない。

１ リードフレーム
１ａ リードフレームのチップ搭載面
１ｂ リードフレームの裏面
１ｄ 不良品リードフレーム
１ｐ 良品リードフレーム
２ 半導体チップ
２ａ 半導体チップの表側主面（電極パッド形成面）
２ｂ 半導体チップの裏面
３ 樹脂封止体（本体）
３ａ レジン封止体の上面
３ｉ 部分封止部
３ｒ 再封止部（支持部材）
４ リード
４ｉ インナリード部
４ｐ アウタリード部
５ 単位デバイス領域
５ｄ パッケージ内未充填単位デバイス領域
５ｐ 正常に封止された単位デバイス領域
５ｔ タイバー内未充填単位デバイス領域
６ リードフレームの枠部
７ フローキャビティ開口（又はその画像）
８ ダイパッド
９ ダイパッドサポートバー（ダイパッド吊りリード）
１０ アウタリード間開口（又はその画像）
１１ ボンディングワイヤ
１２ ボンディングパッド（電極パッド）
１４ タイバー（ダムバー）
１５ スリット
１６ 溶融封止樹脂
１７ タイバー内樹脂体
１８ フローキャビティ開口部の封止樹脂体
１９ ゲート開口部の封止樹脂体（ゲートレジン）
２０ リード間ダム領域（又はその画像）
２１ ゲート開口
２２ 注入ゲート（注入ゲートに対応する部分）
２３ フローゲート
２４ エアベント
２５ ベント開口
２６、２６ａ、２６ｂ，２６ｃ 未充填不良部（樹脂未充填部）
５１，５１ａ，５１ｂ，５１ｃ 単位観測領域
５２ モールドキャビティ（またはその外縁）
５３ 充填有無判定対象領域（検査対象領域）
５４ 樹脂モールド装置
５５ リードフレームロードストッカ
５６ 搬送機構
５７ 樹脂タブレット供給部
５８ 樹脂タブレット
５９ プレス部
６０ タイバー切断＆検査装置
６１ ゲートブレーク部
６２ パッケージ未充填検査部
６３ パッケージ位置ずれ検査部
６４ リードフレームアンロードストッカ（良品ストッカ）
６５ 不良マーク付け部
６６ 不良品ストッカ
６７ 照明装置
６８ 拡散板
６９ カメラ
７０ マーク＆リード成形装置
７１ リードフレーム搬送機構
７２ 白色ＬＥＤマトリクスアレー
７３ カメラレンズ
７４ ２次元撮像素子
７５ 撮像面
７６ 照明領域
７７ 常に光が透過しない領域
７８ 金型（上下金型）
７８ａ 下金型（第１の金型）
７８ｂ 上金型（第２の金型）
７９ フローキャビティ
８０ ランナ
８１ 樹脂未充填部補修処理部
８２ 再封止樹脂
８３ａ 再封止下金型
８３ｂ 再封止上金型
８４ａ，８４ｂ，８４ｃ 切断金型
８５ 樹脂テープ（リード固定用テープ、支持部材）
８６ 不良リードフレーム処理領域
１０１ モールド工程
１０１ａ 樹脂充填工程
１０１ｂ リードフレーム取り出し工程
１０１ｃ ゲートブレーク工程
１０２ 未充填検査工程
１０３ パッケージずれ検査工程
１０４ 良品ストッカ収納工程
１０５ タイバー切断工程
１０６ タイバー切断検査工程
１０７ マーク工程
１０８ リード成形工程
１０９ マーク＆リード成形検査工程
１１０ 自動外観検査工程
１２１ 装置不良アラーム工程
１２２ 不良マーク印字工程
１２３ 不良品リードフレーム移送工程
１２４ 装置停止工程
１２５ モールド金型チェック工程
１２６ 金型処理工程
１２７ モールドトライアル工程
１２８ 製品チェック工程
Ｒ１ コーナ切り出し領域

Claims (1)

1. 以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
   （ａ）下金型および上金型の間に、多数の単位デバイス領域の各々に半導体チップが搭載されたリードフレームをクランプした状態で、各半導体チップを樹脂により封止することにより、各単位デバイス領域に樹脂封止体を形成する工程；
   （ｂ）前記工程（ａ）の後、前記リードフレームに対して、樹脂未充填部の有無を検査する工程；
   （ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記樹脂未充填部があった前記リードフレームに対して、前記樹脂未充填部に対する補修処理を実行する工程；
   （ｄ）前記樹脂未充填部があった前記リードフレームに対しては前記工程（ｃ）の後、前記樹脂未充填部がなかった前記リードフレームに対して前記工程（ｂ）の後、切断金型により、前記リードフレームから各単位デバイス領域を分離する工程。

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