JP2012252965A - エレクトロルミネッセンス素子の発光制御器及び方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子の発光制御器及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012252965A JP2012252965A JP2011126783A JP2011126783A JP2012252965A JP 2012252965 A JP2012252965 A JP 2012252965A JP 2011126783 A JP2011126783 A JP 2011126783A JP 2011126783 A JP2011126783 A JP 2011126783A JP 2012252965 A JP2012252965 A JP 2012252965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias voltage
- layer
- forward bias
- drive circuit
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】順方向バイアス電圧に基づいて発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れかの層の表面形状及び/又はドーパント分布を変化させることを繰り返し、近接場光が発生した箇所では反転分布に基づき非断熱過程により複数段階で誘導放出させることが可能なエレクトロルミネッセンス素子を、より大きい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第1の駆動回路4と、より小さい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第2の駆動回路5とに接続し、第1の駆動回路4及び第2の駆動回路5による順方向バイアス電圧印加をONすることにより、素子を発光させ、次に第1の駆動回路4による順方向バイアス電圧印加をOFFし、更に第2の駆動回路5による順方向バイアス電圧印加をOFFすることにより素子を消光させる。
【選択図】図1
Description
2 電源
4 第1の駆動回路
5 第2の駆動回路
10 発光制御器
13 n層
14 p層
30 半導体層
35 接合部
40、50 サブマウント
41、51 電源
42、52 スイッチ
49、59 金ワイヤ
60 マウント
Claims (2)
- p層及びn層を含む半導体層を備えるエレクトロルミネッセンス素子の発光制御器において、
順方向バイアス電圧を印加することにより上記p層と上記n層の接合部に拡散電流を発生させ、上記発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れか1以上の上記層の表面形状及び/又はドーパント分布を変化させることを繰り返すとともに、上記順方向バイアス電圧により伝導帯と価電子帯に反転分布を生じさせ、上記変化後の表面形状及び/又はドーパント分布に基づいて近接場光が発生した箇所では、上記反転分布を形成している上記伝導帯中の電子を非断熱過程に基づいて複数段階で誘導放出させることにより、上記拡散電流を減少させて上記ジュール熱を低下させることにより、表面形状及び/又はドーパント分布を固定させるとともに、上記誘導放出により発光させるエレクトロルミネッセンス素子と、
上記エレクトロルミネッセンス素子に対して、より大きい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第1の駆動回路と、
上記エレクトロルミネッセンス素子に対して、より小さい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第2の駆動回路とを備え、
上記第1の駆動回路及び上記第2の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をONすることにより、上記エレクトロルミネッセンス素子を発光させ、
次に上記第1の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をOFFし、
更に上記第2の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をOFFすることにより、上記エレクトロルミネッセンス素子を消光させること
を特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の発光制御器。 - p層及びn層を含む半導体層を備えるエレクトロルミネッセンス素子の発光制御方法において、
順方向バイアス電圧を印加することにより上記p層と上記n層の接合部に拡散電流を発生させ、上記発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れか1以上の上記層の表面形状及び/又はドーパント分布を変化させることを繰り返すとともに、上記順方向バイアス電圧により伝導帯と価電子帯に反転分布を生じさせ、上記変化後の表面形状及び/又はドーパント分布に基づいて近接場光が発生した箇所では、上記反転分布を形成している上記伝導帯中の電子を非断熱過程に基づいて複数段階で誘導放出させることにより、上記拡散電流を減少させて上記ジュール熱を低下させることにより、表面形状及び/又はドーパント分布を固定させるとともに、上記誘導放出により発光させるエレクトロルミネッセンス素子を、より大きい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第1の駆動回路と、より小さい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第2の駆動回路とに接続し、
上記第1の駆動回路及び上記第2の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をONすることにより、上記エレクトロルミネッセンス素子を発光させ、
次に上記第1の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をOFFし、
更に上記第2の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をOFFすることにより、上記エレクトロルミネッセンス素子を消光させること
を特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の発光制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011126783A JP5840871B2 (ja) | 2011-06-06 | 2011-06-06 | エレクトロルミネッセンス素子の発光制御器及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011126783A JP5840871B2 (ja) | 2011-06-06 | 2011-06-06 | エレクトロルミネッセンス素子の発光制御器及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012252965A true JP2012252965A (ja) | 2012-12-20 |
JP5840871B2 JP5840871B2 (ja) | 2016-01-06 |
Family
ID=47525587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011126783A Active JP5840871B2 (ja) | 2011-06-06 | 2011-06-06 | エレクトロルミネッセンス素子の発光制御器及び方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5840871B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013051270A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Research Institute Of Nanophotonics | パルス光の発光制御器及び方法 |
JP2018006496A (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-11 | 株式会社ソディック | 発光素子 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001007385A (ja) * | 1999-06-21 | 2001-01-12 | Japan Science & Technology Corp | 紫外線発光デバイス及びその製造方法 |
JP2005321790A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Sharp Corp | エレクトロルミネッセンスデバイス |
JP2006065063A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Asahi Kasei Microsystems Kk | 発光素子駆動回路 |
JP2006269421A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Sharp Corp | 電界発光ダイオード、電界発光ダイオードアレイ、及び電界発光ダイオードの製造方法 |
JP2012169565A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Optoelectronics Industry And Technology Development Association | 受光素子の作製方法 |
JP2012186162A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-27 | Univ Of Tokyo | エレクトロルミネッセンス素子及びその作製方法 |
-
2011
- 2011-06-06 JP JP2011126783A patent/JP5840871B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001007385A (ja) * | 1999-06-21 | 2001-01-12 | Japan Science & Technology Corp | 紫外線発光デバイス及びその製造方法 |
JP2005321790A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Sharp Corp | エレクトロルミネッセンスデバイス |
JP2006065063A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Asahi Kasei Microsystems Kk | 発光素子駆動回路 |
JP2006269421A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Sharp Corp | 電界発光ダイオード、電界発光ダイオードアレイ、及び電界発光ダイオードの製造方法 |
JP2012169565A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Optoelectronics Industry And Technology Development Association | 受光素子の作製方法 |
JP2012186162A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-27 | Univ Of Tokyo | エレクトロルミネッセンス素子及びその作製方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013051270A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Research Institute Of Nanophotonics | パルス光の発光制御器及び方法 |
JP2018006496A (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-11 | 株式会社ソディック | 発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5840871B2 (ja) | 2016-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Wang et al. | Green InGaN quantum dots breaking through efficiency and bandwidth bottlenecks of micro‐LEDs | |
JP2012186162A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子及びその作製方法 | |
US20220149248A1 (en) | Wavelength converters, including polarization-enhanced carrier capture converters, for solid state lighting devices, and associated systems and methods | |
JP2010041048A (ja) | 半導体材料からなる発光ダイオード及び当該発光ダイオードの製造方法 | |
KR20120067157A (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
US20080185595A1 (en) | Light emitting device for alternating current source | |
Nguyen et al. | Phosphor-free InGaN/GaN dot-in-a-wire white light-emitting diodes on copper substrates | |
US8912554B2 (en) | Long wavelength light emitting device with photoluminescence emission and high quantum efficiency | |
JP2006066556A (ja) | 窒化物半導体素子およびその製造方法 | |
KR20140117117A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 | |
JP5840871B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子の発光制御器及び方法 | |
JP6073599B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子の作製方法 | |
JP2012243824A (ja) | 半導体レーザダイオード及びその作製方法 | |
JP5823304B2 (ja) | p型ZnOの作製方法、ZnOエレクトロルミネッセンス半導体素子 | |
TW533456B (en) | Radiation-emissive optoelectronic device and method for making the same | |
JP6005917B2 (ja) | パルス光の発光制御器及び方法 | |
JP2012169565A (ja) | 受光素子の作製方法 | |
JP2007043016A (ja) | 結晶シリコン素子、およびその製造方法 | |
US11631780B2 (en) | Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods | |
JP5249721B2 (ja) | シリコン発光素子 | |
JP5946278B2 (ja) | 被加工体の熱加工方法 | |
Lu et al. | Efficiency boosting by thermal harvesting in ingan/Gan light-emitting diodes | |
Khramtsov et al. | Gate-tunable single-photon emitting diode with an extremely low tuning time | |
KR20090004044A (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR101240277B1 (ko) | 질화물계 반도체 기반 열전소자가 집적된 발광소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140407 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150501 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151112 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5840871 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |