JP2012252957A - 質量分析装置及びカバー板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】気体状のイオンを細孔に導く穴又は穴構造を、細孔のイオン導入口側に取り付けた質量分析装置を提案する。ここでの穴又は穴構造は、気体状のイオンが導入される側の断面積が導出される側の断面積よりも大きい構造を有する。
【選択図】図2
Description
以下、形態例1に係るガス噴霧支援型のインターフェースを有する質量分析装置について説明する。
図2に、インターフェースの断面構成例を示す。イオン源のハウジング1には、ガラス製のキャピラリー2が固定されている。キャピラリー2の外径は例えば0.36mm程度である。キャピラリー2の末端(液体の導入側とは反対側)の内径は、例えば10ミクロン程度である。このように、キャピラリー2の末端は先端ほど細く形成される。キャピラリー2は樹脂製のスリーブ3を介してフィッティング4に装着され、当該フィッティング4を介してハウジング1に固定される。
図3に、形態例に係るインターフェース(図2)を有する質量分析装置と液体クロマトグラフとで構成されるLC/MSシステムの構成を示す。当該システムは、イオン源31と質量分析装置32で構成される。
Q=S×P1/P0 …(式1)
以上説明したように、本形態例に係る質量分析装置の場合、細孔7の入り口側に漏斗状の穴12を形成したカバー板11を配置することにより、イオン源31から放射状に噴出されたガス流を効率的に細孔7内に導入することができる。このように、ガス流は、一次的にカバー板11の穴12に衝突し、細孔7に直接衝突することがない。従って、細孔7の温度低下を防止することができる。また、本形態例の場合、細孔7で加熱されたガス流の反射や温度の高い細孔7からの赤外線輻射を防ぐことができる。このため、キャピラリーの末端温度が上昇するのを効果的に防止することができる。また、漏斗状の穴12にイオンを含むガスを導入するため、オリフィス部5と細孔7との間の位置調整の煩雑さも無くすことができる。また、カバー板11や細孔7の開口端周辺に汚れ等の経時変化があったとしても、イオンの生成にほとんど影響を与えることがない。結果的に、長時間に亘り安定的に高感度分析が可能で再現性の高いデータ取得が可能な質量分析装置を実現することができる。
以下では、形態例2に係るインターフェースを有する質量分析装置について説明する。なお、インターフェース以外の装置構成は、形態例1と同様である。従って、以下では、本形態例に特有のインターフェースの構造のみを説明する。
以下では、形態例3に係るインターフェースを有する質量分析装置について説明する。なお、インターフェース以外の装置構成は、形態例1と同様である。従って、以下では、本形態例に特有のインターフェースの構造のみを説明する。
以下では、形態例4に係るインターフェースを有する質量分析装置について説明する。なお、インターフェース以外の装置構成は、形態例1と同様である。従って、以下では、本形態例に特有のインターフェースの構造のみを説明する。
以下では、形態例5に係るインターフェースを有する質量分析装置について説明する。なお、インターフェース以外の装置構成は、形態例1と同様である。従って、以下では、本形態例に特有のインターフェースの構造のみを説明する。
以下では、形態例6に係るインターフェースを有する質量分析装置について説明する。なお、インターフェース以外の装置構成は、形態例1と同様である。従って、以下では、本形態例に特有のインターフェースの構造のみを説明する。
以下では、形態例7に係るインターフェースを有する質量分析装置について説明する。なお、インターフェース以外の装置構成は、形態例1と同様である。従って、以下では、本形態例に特有のインターフェースの構造のみを説明する。
以下では、形態例8に係るインターフェースを有する質量分析装置について説明する。なお、インターフェース以外の装置構成は、形態例1と同様である。従って、以下では、本形態例に特有のインターフェースの構造のみを説明する。
前述した形態例の場合、細孔7を金属ブロック8に形成する場合について説明した。しかし、細孔7は、加熱可能な構造体であれば、金属ブロック8に形成しなくても良い。また、細孔7は、板状の構造体に形成しても良い。
2 キャピラリー
3 スリーブ
4 フィッティング
5 オリフィス部
6 ガス導入口
7 細孔
8 金属ブロック
9 ヒーター
10 装置筺体
11 カバー板
12 穴
Claims (15)
- ガスを用いた噴霧により生成される気体状のイオンを、真空状態に管理された空間内に導入する細孔であり、噴霧に用いられるガスの流量よりも前記空間内に吸入されるガスの流量が多い細孔と、
前記気体状のイオンが導入される側の断面積が導出される側の断面積よりも大きく形成された穴を通じ、前記気体状のイオンを前記細孔に導くカバー板と、
前記細孔から前記空間内に導入された前記気体状のイオンを質量分析する質量分析部と
を有することを特徴とする質量分析装置。 - 請求項1に記載の質量分析装置において、
前記穴が円錐状である
ことを特徴とする質量分析装置。 - 請求項2に記載の質量分析装置において、
前記穴を構成する円錐面が、前記穴の中心線から45°以下の角度に保たれる
ことを特徴とする質量分析装置。 - 請求項1に記載の質量分析装置において、
噴霧に用いられるガスの流量が前記空間内に吸入されるガスの流量の0.8倍以下である
ことを特徴とする質量分析装置。 - 請求項1に記載の質量分析装置において、
噴霧に用いられるガスの流量が前記空間内に吸入されるガスの流量の1/3以下である
ことを特徴とする質量分析装置。 - 請求項1に記載の質量分析装置において、
前記気体状のイオンが導入される側における前記穴の開口部の直径が2mm以上である
ことを特徴とする質量分析装置。 - 請求項1に記載の質量分析装置において、
前記穴の表面には螺旋状又は渦巻き状の溝が形成されている
ことを特徴とする質量分析装置。 - 請求項1に記載の質量分析装置において、
前記穴は、前記気体状のイオンを噴出するイオン源の噴出口の外周を覆うように配置される
ことを特徴とする質量分析装置。 - 請求項1に記載の質量分析装置において、
前記穴の中心線は、前記細孔の中心線に対して斜め下方から交差する
ことを特徴とする質量分析装置。 - 請求項1に記載の質量分析装置において、
前記細孔が形成される構造体の前記気体状のイオンが導入される側の端面構造と、前記カバー板に形成された前記穴の構造が一体的に一つの円錐形状を構成する
ことを特徴とする質量分析装置。 - 請求項1に記載の質量分析装置において、
前記カバー板は前記穴を複数有し、
前記複数の穴は、前記細孔の中心線に対して同心円状に配置される
ことを特徴とする質量分析装置。 - ガスを用いた噴霧により生成される気体状のイオンを、真空状態に管理された空間内に導入する細孔と、前記気体状のイオンが導入される側の断面積が前記細孔に連結する側の断面積よりも大きく形成された穴構造とを有し、噴霧に用いられるガスの流量よりも前記細孔を通じて前記空間内に吸入されるガスの流量の方が多い構造体と、
前記細孔から前記空間内に導入された前記気体状のイオンを質量分析する質量分析部と
を有することを特徴とする質量分析装置。 - 請求項12に記載の質量分析装置において、
前記穴構造が円錐状である
ことを特徴とする質量分析装置。 - 請求項12に記載の質量分析装置において、
前記穴構造は、真空状態に管理された前記空間の外壁に対して外方に突出した位置に形成される
ことを特徴とする質量分析装置。 - ガスを用いた噴霧により生成される気体状のイオンを真空状態に管理された空間内に導入する細孔が形成された構造体に取り付けられるカバー板であり、前記気体状のイオンが導入される側の断面積が導出される側の断面積よりも大きく形成された穴を有する
ことを特徴とするカバー板。
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