JP2012249223A - 1線式シリアルインターフェース - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 1線式シリアルインターフェースは、1本の信号線によりシリアルデータの受信を可能とし、入力端子1に接続された2つのPMOSトランジスタから構成された入力逆流防止回路2と、抵抗分圧器5及び電圧比較回路6から構成された入力電圧識別回路3と、1端が電源に接続されたプルアップ抵抗R1が設けられた電源供給線4とを有する。入力逆流防止回路2の2つのPMOSトランジスタは、ゲート同士が接続され、一方のソースが他方のドレインに接続されている。即ち、入力端子1、入力電圧識別回路3、入力逆流防止回路2、プルアップ抵抗R1の順に配列されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、このような事情によりなされたものであり、入力逆流防止回路の寄生抵抗成分による電圧降下により入力電圧識別回路の誤動作を減少させ、メモリ回路へのメモリ誤書き込みを減少させる1線式シリアルインターフェースを提供する。また、入力電圧識別回路の電圧にスパイク状のノイズが伝搬した時に電圧比較器が誤動作して異なるデータを生成することが少ない1線式シリアルインターフェースを提供する。
この実施例の1線式シリアルインターフェースは、IC間のシリアルデ−タ通信に係るシリアルデ−タ受信回路に用いられる。このようなインターフェースは、1本の信号線によりシリアルデータの受信を可能とし、その実装面積を減少させることができる。図1に示す1線式シリアルインターフェースは、入力端子1に接続された2つのPMOSトランジスタから構成された入力逆流防止回路2と、抵抗分圧器5及び電圧比較回路6から構成された入力電圧識別回路3と、1端が電源に接続されたプルアップ抵抗R1が設けられた電源供給線4とを備えている。入力逆流防止回路2の2つのPMOSトランジスタは、ゲート同士が接続され、一方のソースが他方のドレインに接続されている。
このように、この受信回路は、入力端子1から1本の信号線が出ており、ここから電源供給線4、モード線SENB、クロック線CLK及びデータ線DATAが分岐してそれぞれメモリ回路9に入力している。
入力電圧識別回路3は、入力端子1に直接接続され、電源供給線4は、入力逆流防止回路2を介して入力端子1に接続され、入力逆流防止回路2は、入力電圧識別回路3が分岐後に入力端子1に接続した信号線に接続されている。
入力電圧識別回路3の電圧比較回路6の内、上の第1の比較器6aは、モード識別用に用いられ、例えば、書込みモードなどのメモリ回路へのアクセスモードを決める信号を選択する。下の第2の比較器6bは、クロック信号を出力し、クロック信号線CLKは、分岐してデータ識別回路8を介してデータ線DATAに入力する。
入力逆流防止回路のトランジスタ動作は、書込み時にモード線SENBがLレベルになることによりPMOSトランジスタがオンになり、書込み時以外ではモード線SENBがHレベルであるためオフになる。
これに対して、図1に示すこの実施例の入力逆流防止回路2では、PMOSトランジスタのオン・オフに係わる動作は上記に示したとおりだが、書き込み時(入力端子の電圧=書込み電圧Vpp)にゲートがVDDより低い電位レベルになるために、電源供給線4への電流ロスを防ぐことができる。つまり、PMOSトランジスタのゲートは電源電圧VDDの固定ではなく、モード線SENBの電圧により制御される。モード線SENBの電圧は、通常時にHレベル(VDDレベル)、メモリ回路9への書込み時にはLレベル(Vssレベル)になるため、PMOSトランジスタは通常時オフ、書込み時オンとなる。このように、書込み時のPMOSトランジスタは、ゲート電位がLレベルでのオン状態となるため、従来に比べ、オン時の電圧降下が低減される。
入力電圧識別回路は、PMOSトランジスタ(PMOS)を有しているが、電源供給線は、常時VDDにプルアップしている(常時電源電圧に接続している)ので、このトランジスタがないと通常使用時において無駄な電流が流れる。
この実施例の場合は、図1に示すように、入力電圧識別回路3は、電源供給線4とは入力逆流防止回路2によりプルアップ電位(VDD)と分離されており、入力端子1がハイ(H)レベルのときには無駄な電流が流れるのを防止している。また入力電圧識別回路3は、1端が接地されているので逆流は無い。
この実施例の1線式シリアルインターフェースは、入力端子21に接続された2つのPMOSトランジスタから構成された入力逆流防止回路22と、抵抗分圧器25及び電圧比較回路26から構成された入力電圧識別回路23と、1端が電源に接続されたプルアップ抵抗R1が設けられた電源供給線24とを備えている入力逆流防止回路2の2つのPMOSトランジスタは、ゲート同士が接続され、一方のソースが他方のドレインに接続されている。
このように、この受信回路は、入力端子21から1本の信号線が出ており、ここから電源供給線24、モード線SENB、クロック線CLK及びデータ線DATAが分岐してそれぞれメモリ回路29に入力している。
この実施例で用いられる入力電圧識別回路の比較器は、図4に示すように、ヒステリシスを持たせている。つまり、図4に示すように、正帰還を施した比較器(コンパレータ)を用いる。正帰還を施した比較器26a、26bは、第1の入力(正入力)と出力とは、抵抗Rfで接続されている。また、第1の入力には抵抗Rsが接続されている。
以上、この実施例の1線式シリアルインターフェースは、入力逆流防止回路の寄生抵抗成分を原因とする電圧降下によって生じる入力電圧識別回路の誤動作を減少させ、その結果、メモリ回路へのメモリ誤書き込みを減少させる。さらに、入力電圧識別回路の比較器にヒステリシスを持たせる事により、瞬時的な電源供給線の電圧低下にも耐性を持たせることができる。
2、22・・・入力逆流防止回路
3、23・・・入力電圧識別回路
4、24・・・電源供給線
5、25・・・抵抗分圧器
6、6a、6b、26、26a、26b・・・比較器
7、27・・・反転器(インバータ)
8、28・・・データ識別回路
9、29・・・メモリ回路
Claims (3)
- 2つのPMOSトランジスタから成る入力逆流防止回路と、直列接続された抵抗分圧器及び電圧比較回路から成る入力電圧識別回路と、プルアップ抵抗を備えた電源供給線とを具備し、前記入力逆流防止回路は、入力端子と前記電源供給線との間に接続され、前記入力電圧識別回路は、前記入力逆流防止回路と前記入力端子に対して並列に接続されていることを特徴とする1線式シリアルインターフェース。
- 前記PMOSトランジスタのゲートは前記電圧比較器の出力により制御されていることを特徴とする請求項1に記載の1線式シリアルインターフェース。
- 前記電圧比較器は、ヒステリシスを付加されていることを特徴とする請求項2に記載の1線式シリアルインターフェース。
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JP2012249223A true JP2012249223A (ja) | 2012-12-13 |
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JP5825509B2 (ja) | 2015-12-02 |
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