JP2012244053A - 信号伝達装置および撮像表示システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】信号伝達装置は、信号の入力動作および出力動作のうちの少なくとも一方の動作を行う複数の画素と、画素に接続された1または複数の信号線を含む複数の配線と、複数の配線のうちの一の信号線と他の一の配線との間に配設され、第1トランジスタおよび容量素子を有する1または複数の静電気保護回路と、静電気保護回路に接続された第1制御線とを備えている。静電気保護回路では、第1トランジスタのゲートが、第1制御線と直接もしくは間接的に接続され、第1トランジスタにおけるソースおよびドレインのうちの一方が、一の信号線および容量素子の一端に接続されると共に、他方が他の一の配線に接続され、容量素子の他端が、第1トランジスタのゲートに接続されている。
【選択図】図4
Description
1.実施の形態(N型の第1トランジスタ,容量素子,抵抗素子を有する単位回路の例)
2.変形例
変形例1(P型の第1トランジスタ,容量素子,抵抗素子を有する単位回路の例)
変形例2(抵抗素子を第2トランジスタにより構成した単位回路の例)
変形例3(第1トランジスタ,容量素子を有する単位回路の例)
変形例4〜6(撮像部の他の構成例)
3.適用例(実施の形態および各変形例の撮像装置を備えた撮像表示システムの例)
4.その他の変形例(静電気保護部の表示装置への適用例等)
[撮像装置1の構成]
図1は、本開示の一実施の形態に係る信号伝達装置としての撮像装置(撮像装置1)の全体のブロック構成を表すものである。撮像装置1は、信号の入力動作(撮像動作)を行うものであり、具体的には、撮像光に基づいて被写体の情報を読み取る(被写体を撮像する)ようになっている。この撮像装置1は、撮像部11、行走査部13、A/D変換部14、列走査部15、システム制御部16および静電気保護部18を備えている。
撮像部11は、入射した撮像光に応じて電気信号を発生する撮像領域である。この撮像部11には、入射した撮像光の光量に応じた電荷量の光電荷を発生して内部に蓄積する光電変換部(後述する光電変換素子21)を有する画素(撮像画素)20が、行列状(マトリクス状)に2次元配置されている。換言すると、これらの複数の画素20では、信号の入力動作(撮像動作)がなされるようになっている。なお、図1中に示したように、以下、撮像部11内における水平方向(行方向)を「H」方向とし、垂直方向(列方向)を「V」方向として説明する。
静電気保護部18は、ESD現象に起因した外部からの静電気入力に対して、内部の素子(具体的には、画素20内のトランジスタ22や光電変換素子21等)を保護する機能(ESD保護機能)を有している。具体的には、信号線Lsig等を介して入力する静電気に対して内部の素子を保護する役割を担っている。なお、ここでは、静電気保護部18が撮像領域(撮像部18)内に配設されている場合の例を示しているが、これには限られない。
(1.基本動作)
この撮像装置1では、図2に示したように撮像光Linが撮像部11へ入射すると、光電変換層111(図3に示した各画素20内の光電変換素子21)では、この撮像光Linが信号電荷に変換(光電変換)される。この光電変換によって発生した電荷により、蓄積ノードNでは蓄積ノード容量に応じた電圧変化が生じる。具体的には、蓄積ノード容量をCs、発生した電荷をqとすると、蓄積ノードNでは(q/Cs)の分だけ電圧が低下する。このような電圧変化に応じて、トランジスタ22のドレインには入力電圧Vin(光電変換素子21で発生した信号電荷)が印加される。このトランジスタ22へ供給される入力電圧Vinは、読み出し制御線Lreadから供給される行走査信号に応じてトランジスタ22がオン状態になると、その電荷が信号線Lsigへ出力される(読み出される)。
次に、本実施の形態における特徴部分の1つである、静電気保護部18(単位回路180)の作用について、比較例(比較例1,2)と比較しつつ詳細に説明する。
図7は、比較例1に係る静電気保護部の回路構成を表したものである。この比較例1の静電気保護部は、H方向に沿って延在する複数の単位回路108(静電気保護回路)を有している。
図9は、比較例2に係る静電気保護部の回路構成を表したものである。この比較例2の静電気保護部は、H方向に沿って延在する複数の単位回路208(静電気保護回路)を有している。各単位回路208には、V方向に沿って延在する複数の信号線(ここでは、3つの信号線Lsig201〜Lsig203を図示)と、H方向に沿って延在する1つの保護制御線Lctl1とが接続されている。また、各単位回路208は、隣接する一対の信号線間(ここでは、信号線Lsig201,Lsig202間および信号線Lsig202,Lsig203間)に配設されている。
これに対して本実施の形態では、図4に示した構成の複数の単位回路180が静電気保護部18内に設けられていることにより、各単位回路180では以下詳述する動作がなされ、その結果、上記比較例1,2と比べて静電気からの保護がより確実に行われる。
まず、装置電源がオン状態のときには、保護制御線Lctl1の電位Vctl1が、トランジスタTr1がオフ状態となるように設定されている。このため、例えば図10に示したように、装置電源がオン状態のときには、静電気保護部18内の各単位回路180では、トランジスタTr1が常にオフ状態となる。すなわち、装置電源がオン状態のときには、静電気保護部18は無効状態(非アクティブ状態)となる。ここで、図10および後述する図11,図12ではそれぞれ、便宜上、各トランジスタTr1をスイッチとして図示している。
一方、装置電源がオフ状態のときには、各信号線Lsigおよび保護制御線Lctl1がそれぞれフローティング状態となり、以下の図11および図12に示したように、静電気保護部18が有効状態(アクティブ状態)となる。また、撮像部11に対して何も接続されていない場合(例えば、撮像部11の製造工程中の場合)においても、同様のことが言える。なお、これらの図11および図12においては、便宜上、静電気保護部18内に図示した6つの単位回路180を、単位回路180−1〜180−6として示している。
ここで、例えば図11(A)に示したように、信号線Lsig5を介して正電荷の静電気が入力すると(図中の矢印P21参照)、単位回路180−5内のトランジスタTr1において、ソース−ドレイン間の電圧Vds>0となる。また、それに伴い、容量素子C1による容量結合によって、トランジスタTr1のゲート電位も上昇し(図中の矢印P22参照)、ゲート−ソース間の電圧Vgs>0となる。したがって、この単位回路180−5内のトランジスタTr1が選択的にオン状態となり、信号線Lsig5を介して単位回路180−5内に入力した静電気の電荷(正電荷)が、トランジスタTr1のソース側(信号線Lsig6側)へと放出される(図中の矢印P21参照)。すなわち、隣接する2つの信号線Lsig5,Lsig6同士が、電気的に短絡状態(ショート状態)となる。また、このとき、単位回路180−5内の抵抗素子R1によって、トランジスタTr1のゲートと保護制御線Lctl1との電位差が一定期間保持されることから、トランジスタTr1が瞬時にオフしてしまう(オフ状態となってしまう)おそれが回避される。なお、このときトランジスタTr1が瞬時にオフしてしまうと、信号線Lsig5に入力した静電気の電荷を信号線Lsig6へ放出することができなくなってしまう。
一方、例えば図12(A)に示したように、信号線Lsig5を介して負電荷の静電気が入力すると(図中の矢印P31参照)、上記した正電荷の場合とは逆方向である単位回路180−4内のトランジスタTr1において、Vds>0かつVgs>0となる。したがって、この単位回路180−4内のトランジスタTr1が選択的にオン状態となり、信号線Lsig5を介して単位回路180−4内に入力した静電気の電荷(負電荷)が、トランジスタTr1のドレイン側(信号線Lsig4側)へと放出される(図中の矢印P31参照)。すなわち、隣接する2つの信号線Lsig5,Lsig4同士が、電気的に短絡状態となる。また、このときも単位回路180−4内の抵抗素子R1によって、トランジスタTr1のゲートと保護制御線Lctl1との電位差が一定期間保持されることから、トランジスタTr1が瞬時にオフしてしまうおそれが回避される。
続いて、上記実施の形態の変形例(変形例1〜6)について説明する。なお、実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
図13は、変形例1に係る静電気保護部(静電気保護部18A)の回路構成を表したものである。本変形例の静電気保護部18Aは、H方向に沿って延在する複数の単位回路180A(静電気保護回路)を有している。
図15は、変形例2に係る静電気保護部(静電気保護部18B)の回路構成を表したものである。本変形例の静電気保護部18Bは、H方向に沿って延在する複数の単位回路180B(静電気保護回路)を有している。
図16は、変形例3に係る静電気保護部(静電気保護部18C)の回路構成を表したものである。本変形例の静電気保護部18Cは、H方向に沿って延在する複数の単位回路180C(静電気保護回路)を有している。
図17(A)〜(C)はそれぞれ、変形例4〜6に係る撮像部(撮像部11A〜11C)の概略構成例を模式的に表したものである。
続いて、上記実施の形態および各変形例(変形例1〜6)に係る撮像装置の撮像表示システムへの適用例について説明する。
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。
(1)
信号の入力動作および出力動作のうちの少なくとも一方の動作を行う複数の画素と、
前記画素に接続された1または複数の信号線と、
前記信号線を含む複数の配線と、
前記複数の配線のうちの一の信号線と他の一の配線との間に配設され、第1トランジスタおよび容量素子を有する1または複数の静電気保護回路と、
前記静電気保護回路に接続された第1制御線と
を備え、
前記静電気保護回路では、
前記第1トランジスタのゲートが、前記第1制御線と直接もしくは間接的に接続され、
前記第1トランジスタにおけるソースおよびドレインのうちの一方が、前記一の信号線および前記容量素子の一端に接続されると共に、他方が前記他の一の配線に接続され、
前記容量素子の他端が、前記第1トランジスタのゲートに接続されている
信号伝達装置。
(2)
前記静電気保護回路は、抵抗素子を更に有し、
前記抵抗素子の一端は、前記第1制御線に接続され、
前記抵抗素子の他端は、前記第1トランジスタのゲートおよび前記容量素子の他端に接続されている。
上記(1)に記載の信号伝達装置。
(3)
前記抵抗素子が、第2トランジスタにより構成されている
上記(2)に記載の信号伝達装置。
(4)
前記抵抗素子の一端および他端が、前記第2トランジスタのソースまたはドレインであり、
前記第2トランジスタのゲートには、第2制御線が接続されている
上記(3)に記載の信号伝達装置。
(5)
装置電源がオン状態のときに前記第2トランジスタがオン状態となるように、前記第2制御線の電位が設定されている
上記(4)に記載の信号伝達装置。
(6)
装置電源がオン状態のときに前記第1トランジスタがオフ状態となるように、前記第1制御線の電位が設定されている
上記(1)ないし(5)のいずれか1項に記載の信号伝達装置。
(7)
前記他の一の配線が、前記複数の配線のうちの、他の一の信号線、一の電源線または一の接地線である
上記(1)ないし(6)のいずれか1項に記載の信号伝達装置。
(8)
前記複数の静電気保護回路が、
前記一の信号線と前記他の一の信号線との間に配設された、1または複数の第1保護回路と、
前記一の信号線と、前記一の電源線または前記一の接地線との間に配設された、1または複数の第2保護回路とからなる
上記(7)に記載の信号伝達装置。
(9)
前記第1保護回路および前記第2保護回路が、隣接する複数の配線間で連続的に配設されている
上記(8)に記載の信号伝達装置。
(10)
前記複数の画素は、信号の入力動作としての撮像動作を行うものであり、撮像装置として構成されている
上記(1)ないし(9)のいずれか1項に記載の信号伝達装置。
(11)
前記複数の画素は、前記撮像動作として、入射した放射線に応じて電気信号を発生するものであり、放射線撮像装置として構成されている
上記(10)に記載の信号伝達装置。
(12)
前記放射線がX線である
上記(11)に記載の信号伝達装置。
(13)
前記複数の画素は、信号の出力動作としての表示動作を行うものであり、表示装置として構成されている
上記(1)ないし(9)のいずれか1項に記載の信号伝達装置。
(14)
撮像装置と、この撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
前記撮像装置は、
撮像動作を行う複数の画素と、
前記画素に接続された1または複数の信号線と、
前記信号線を含む複数の配線と、
前記複数の配線のうちの一の信号線と他の一の配線との間に配設され、第1トランジスタおよび容量素子を有する1または複数の静電気保護回路と、
前記静電気保護回路に接続された第1制御線と
を備え、
前記静電気保護回路では、
前記第1トランジスタのゲートが、前記第1制御線と直接もしくは間接的に接続され、
前記第1トランジスタにおけるソースおよびドレインのうちの一方が、前記一の信号線および前記容量素子の一端に接続されると共に、他方が前記他の一の配線に接続され、
前記容量素子の他端が、前記第1トランジスタのゲートに接続されている
撮像表示システム。
Claims (14)
- 信号の入力動作および出力動作のうちの少なくとも一方の動作を行う複数の画素と、
前記画素に接続された1または複数の信号線と、
前記信号線を含む複数の配線と、
前記複数の配線のうちの一の信号線と他の一の配線との間に配設され、第1トランジスタおよび容量素子を有する1または複数の静電気保護回路と、
前記静電気保護回路に接続された第1制御線と
を備え、
前記静電気保護回路では、
前記第1トランジスタのゲートが、前記第1制御線と直接もしくは間接的に接続され、
前記第1トランジスタにおけるソースおよびドレインのうちの一方が、前記一の信号線および前記容量素子の一端に接続されると共に、他方が前記他の一の配線に接続され、
前記容量素子の他端が、前記第1トランジスタのゲートに接続されている
信号伝達装置。 - 前記静電気保護回路は、抵抗素子を更に有し、
前記抵抗素子の一端は、前記第1制御線に接続され、
前記抵抗素子の他端は、前記第1トランジスタのゲートおよび前記容量素子の他端に接続されている
請求項1に記載の信号伝達装置。 - 前記抵抗素子が、第2トランジスタにより構成されている
請求項2に記載の信号伝達装置。 - 前記抵抗素子の一端および他端が、前記第2トランジスタのソースまたはドレインであり、
前記第2トランジスタのゲートには、第2制御線が接続されている
請求項3に記載の信号伝達装置。 - 装置電源がオン状態のときに前記第2トランジスタがオン状態となるように、前記第2制御線の電位が設定されている
請求項4に記載の信号伝達装置。 - 装置電源がオン状態のときに前記第1トランジスタがオフ状態となるように、前記第1制御線の電位が設定されている
請求項1に記載の信号伝達装置。 - 前記他の一の配線が、前記複数の配線のうちの、他の一の信号線、一の電源線または一の接地線である
請求項1に記載の信号伝達装置。 - 前記複数の静電気保護回路が、
前記一の信号線と前記他の一の信号線との間に配設された、1または複数の第1保護回路と、
前記一の信号線と、前記一の電源線または前記一の接地線との間に配設された、1または複数の第2保護回路とからなる
請求項7に記載の信号伝達装置。 - 前記第1保護回路および前記第2保護回路が、隣接する複数の配線間で連続的に配設されている
請求項8に記載の信号伝達装置。 - 前記複数の画素は、信号の入力動作としての撮像動作を行うものであり、撮像装置として構成されている
請求項1に記載の信号伝達装置。 - 前記複数の画素は、前記撮像動作として、入射した放射線に応じて電気信号を発生するものであり、放射線撮像装置として構成されている
請求項10に記載の信号伝達装置。 - 前記放射線がX線である
請求項11に記載の信号伝達装置。 - 前記複数の画素は、信号の出力動作としての表示動作を行うものであり、表示装置として構成されている
請求項1に記載の信号伝達装置。 - 撮像装置と、この撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
前記撮像装置は、
撮像動作を行う複数の画素と、
前記画素に接続された1または複数の信号線と、
前記信号線を含む複数の配線と、
前記複数の配線のうちの一の信号線と他の一の配線との間に配設され、第1トランジスタおよび容量素子を有する1または複数の静電気保護回路と、
前記静電気保護回路に接続された第1制御線と
を備え、
前記静電気保護回路では、
前記第1トランジスタのゲートが、前記第1制御線と直接もしくは間接的に接続され、
前記第1トランジスタにおけるソースおよびドレインのうちの一方が、前記一の信号線および前記容量素子の一端に接続されると共に、他方が前記他の一の配線に接続され、
前記容量素子の他端が、前記第1トランジスタのゲートに接続されている
撮像表示システム。
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WO2023155090A1 (en) * | 2022-02-17 | 2023-08-24 | Jade Bird Display (shanghai) Limited | Electrostatic discharge protection system of a micro device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005056892A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Toshiba Corp | Esd保護回路 |
JP2007294900A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-11-08 | Canon Inc | 撮像装置 |
JP2008233417A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | マトリクスアレイ基板、及びこれを用いた平面表示装置 |
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---|---|---|---|---|
US6337722B1 (en) * | 1997-08-07 | 2002-01-08 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | Liquid crystal display panel having electrostatic discharge prevention circuitry |
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JP2006065284A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-03-09 | Seiko Epson Corp | 発光装置及び電子機器 |
JP4142066B2 (ja) * | 2006-06-01 | 2008-08-27 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
KR101304416B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2013-09-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
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Patent Citations (3)
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JP2005056892A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Toshiba Corp | Esd保護回路 |
JP2007294900A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-11-08 | Canon Inc | 撮像装置 |
JP2008233417A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | マトリクスアレイ基板、及びこれを用いた平面表示装置 |
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