JP2012235402A - インピーダンス整合回路、アンテナ装置および通信端末装置 - Google Patents

Abstract

【課題】広い周波数帯域で給電回路とアンテナ素子とをインピーダンス整合させるインピーダンス整合回路、それを備えたアンテナ装置および通信端末装置を構成する。
【解決手段】インピーダンス整合回路１０１は、第１トランスＴ１を含む第１トランス回路ＴＣ１と、第２トランスＴ２を含み、第１トランス回路ＴＣ１の共振周波数とは異なる周波数で共振する第２トランス回路ＴＣ２とを備えている。第１トランスＴ１の一次側コイルＬ１１と第２トランスＴ２の一次側コイルＬ２１とは電磁界結合していて、第１トランスＴ１の二次側コイルＬ１２と第２トランスＴ２の二次側コイルＬ２２とが電磁界結合している。第２トランス回路ＴＣ２には、第２トランス回路ＴＣ２を伝搬する信号の位相を、第１トランス回路ＴＣ１を伝搬する信号の位相とは異ならせる移相器としてのインダクタＬＳ１，ＬＳ２を備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、アンテナ装置等に適用するインピーダンス整合回路に関し、特に、広い周波数帯域で整合するインピーダンス整合回路、それを備えたアンテナ装置および通信端末装置に関する。

携帯電話等の通信端末装置には、アンテナ素子と給電回路とをインピーダンス整合させることを目的として、アンテナ素子と給電回路との間に整合回路が設けられている。そして、近年の通信端末装置のマルチバンド化に伴い、この整合回路は広帯域に亘ってその機能を果たすことが要求されるようになっている。

広い周波数帯域に対応するアンテナ装置としては、帯域毎の整合回路を有するもの（特許文献１）や、アンテナの電気長をアクティブ素子で切り換えるもの（特許文献２）が一般的である。

特表２００３−５３６３３８号公報 特開２００８−１１８５３５号公報

ところが、特許文献１，２に示されているアンテナ装置においては、そのアンテナ素子のパターンを端末ごとに設計する必要があり、また、信号経路を切り替えるためのスイッチング回路のようなアクティブ素子が必要となる。

本発明は上述した実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、広い周波数帯域で給電回路とアンテナ素子とをインピーダンス整合させるインピーダンス整合回路、それを備えたアンテナ装置および通信端末装置を提供することにある。

本発明のインピーダンス整合回路は給電回路とアンテナ素子との間の信号経路に挿入されるインピーダンス整合回路において、
第１トランスを含み、第１の共振周波数を有する第１トランス回路と、第２トランスを含み、前記第１トランス回路に対して並列接続され、前記第１の共振周波数とは異なる第２の共振周波数を有する第２トランス回路と、を備え、
前記第２トランス回路は、前記第２トランスに接続され、前記第２トランス回路を伝搬する信号の位相を、前記第１トランス回路を伝搬する信号の位相とは異ならせる移相器を備えることを特徴とする。

また、本発明のアンテナ装置は、アンテナ素子と給電回路との間に接続されるインピーダンス整合回路および前記アンテナ素子を備え、
前記インピーダンス整合回路は、第１トランスを含み、第１の共振周波数を有する第１トランス回路と、第２トランスを含み、前記第１トランス回路に対して並列接続され、前記第１の共振周波数とは異なる第２の共振周波数を有する第２トランス回路と、を備え、
前記第２トランス回路は、前記第２トランスに接続され、前記第２トランス回路を伝搬する信号の位相を、前記第１トランス回路を伝搬する信号の位相とは異ならせる移相器を備えることを特徴とする。

また、本発明の通信端末装置は、アンテナ素子と給電回路との間に接続されるインピーダンス整合回路、前記アンテナ素子および前記給電回路を備え、
前記インピーダンス整合回路は、第１トランスを含み、第１の共振周波数を有する第１トランス回路と、第２トランスを含み、前記第１トランス回路に対して並列接続され、前記第１の共振周波数とは異なる第２の共振周波数を有する第２トランス回路と、を備え、
前記第２トランス回路は、前記第２トランスに接続され、前記第２トランス回路を伝搬する信号の位相を、前記第１トランス回路を伝搬する信号の位相とは異ならせる移相器を備えることを特徴とする。

本発明のインピーダンス整合回路によれば、広帯域に亘ってアンテナ素子と給電回路との間のインピーダンス整合をとることができる。

また、本発明のアンテナ装置によれば、広帯域に亘って放射効率の良いアンテナ特性が得られる。

また、本発明の通信端末装置によれば、周波数帯域の異なる各種の通信システムに容易に適用できる。

図１は第１の実施形態のインピーダンス整合回路１０１およびそれを備えたアンテナ装置の回路図である。 図２は図１に示したインピーダンス整合回路１０１の反射係数の周波数特性を示す図である。 図３は第２の実施形態のインピーダンス整合回路１０２およびそれを備えたアンテナ装置の回路図である。 図４は図３に示したインピーダンス整合回路１０２の反射係数の周波数特性を示す図である。 図５は第３の実施形態のインピーダンス整合回路１０３およびそれを備えたアンテナ装置の回路図である。 図６は第４の実施形態のインピーダンス整合回路１０４およびそれを備えたアンテナ装置の回路図である。 図７（Ａ）はインピーダンス整合回路１０１を備えた第１例の通信端末装置、図７（Ｂ）は第２例の通信端末装置のそれぞれの構成図である。

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態のインピーダンス整合回路１０１およびそれを備えたアンテナ装置の回路図である。
図１に示すように、アンテナ素子１２と給電回路３０との間の信号経路にインピーダンス整合回路１０１が挿入されている。すなわちインピーダンス整合回路１０１の給電ポートＰｆに給電回路３０が接続されていて、アンテナポートＰａにアンテナ素子１２が接続されている。アンテナ素子１２は例えばモノポール型アンテナであり、このアンテナ素子１２の給電端にインピーダンス整合回路１０１が接続されている。このアンテナ素子１２とインピーダンス整合回路１０１とでアンテナ装置が構成される。給電回路３０は高周波信号をアンテナ素子１２に給電するための高周波回路であり、高周波信号の生成や処理を行うが、高周波信号の合波や分波を行う回路を含んでいてもよい。

インピーダンス整合回路１０１は、第１トランスＴ１を含む第１トランス回路ＴＣ１と、第２トランスＴ２を含み、第１トランス回路ＴＣ１の共振周波数とは異なる周波数で共振する第２トランス回路ＴＣ２とを備えている。第１トランス回路ＴＣ１および第２トランス回路ＴＣ２は互いに並列に接続されている。

第１トランスＴ１は一次側コイルＬ１１と二次側コイルＬ１２を備えていて、第２トランスＴ２は一次側コイルＬ２１と二次側コイルＬ２２を備えている。第１トランスＴ１および第２トランスＴ２は、それぞれのコイルのインダクタンスと巻線間の浮遊容量とによって自己共振周波数が定まっている。

第１トランスＴ１の一次側コイルＬ１１と第２トランスＴ２の一次側コイルＬ２１とは電磁界結合している。また、第１トランスＴ１の二次側コイルＬ１２と第２トランスＴ２の二次側コイルＬ２２とは電磁界結合している。なお、ここで言う「電磁界結合」は、主に磁界を介しての結合であるが、電界を介する結合も一部含むことから「電磁界結合」と表現する。

第２トランス回路ＴＣ２には、第２トランスＴ２に接続されたインダクタＬＳ１，ＬＳ２を備えている。このインダクタＬＳ１，ＬＳ２は第２トランス回路ＴＣ２を伝搬する信号の位相を第１トランス回路ＴＣ１を伝搬する信号の位相とは異ならせる。すなわちインダクタＬＳ１，ＬＳ２は移相器として作用する。この移相器は、第１トランス回路ＴＣ１を伝搬する信号の位相と、第２トランス回路ＴＣ２を伝搬する信号の位相とが直交する（位相差が９０度またはその奇数倍の関係となる）ように移相量が定められている。

図２は、図１に示したように、インピーダンス整合回路１０１にアンテナ素子１２が接続された状態で、給電ポートＰｆからインピーダンス整合回路１０１を見た反射係数の周波数特性を示す図である。ここで、第１トランス回路ＴＣ１の共振周波数をｆ１、第２トランス回路ＴＣ２の共振周波数をｆ２で表すと、ｆ２＜ｆ１の関係にあり、周波数ｆ１とｆ２で特に反射係数が低くなっていて、周波数ｆ１からｆ２の範囲の全体でも反射係数が低くなっている。

例えばｆ２＝７００ＭＨｚ、ｆ１＝９００ＭＨｚであり、７００ＭＨｚ〜９００ＭＨｚの範囲またはそれより少し広い範囲で低反射特性が得られている。そのため、例えば北米向け８５０ＭＨｚ帯のGlobal System for Mobile Communications(GSM850)、
アジア、アフリカ、オセアニア、欧州、中南米向け９００ＭＨｚ帯のGlobal System for Mobile Communications(GSM900)、７００ＭＨｚ帯のLong TermEvolution(LTE700)を含むマルチバンドの通信を行うアンテナ装置に適用できる。

図１に示したように、インダクタＬＳ１，ＬＳ２による移相器を設けて、第１トランス回路ＴＣ１を伝搬する信号の位相と、第２トランス回路ＴＣ２を伝搬する信号の位相とが直交する関係で並列に接続されていることにより、第１トランス回路ＴＣ１と第２トランス回路ＴＣ２との合成特性が得られる。すなわち、第１トランス回路ＴＣ１の共振周波数ｆ１と第２トランス回路ＴＣ２の共振周波数ｆ２との間の周波数帯（Δｆで示す帯域）についても低い反射係数が得られる。しかも、第１トランスＴ１と第２トランスＴ２の一次側コイル（Ｌ１１，Ｌ２１）同士が電磁界結合していて、第１トランスＴ１と第２トランスＴ２の二次側コイル（Ｌ１２，Ｌ２２）同士が電磁界結合しているので、第１トランスＴ１と第２トランスＴ２をそれぞれ共振器としてみたときの共振器同士が結合していることになる。それゆえ、第１トランス回路ＴＣ１の共振周波数ｆ１と第２トランス回路ＴＣ２の共振周波数ｆ２との間の周波数帯（Δｆで示す帯域）の反射係数が低く抑えられ、広帯域特性が得られる。

図１に示したように、インダクタ（この例ではインダクタＬＳ１，ＬＳ２）を移相器として用いるためには、次に述べる理由で、移相器を挿入するトランス（この例では第２トランスＴ２）の共振周波数がもう一つのトランス（この例では第１トランスＴ１）の共振周波数より低い方が好ましい。すなわち、第２トランスＴ２に移相器（ＬＳ１，ＬＳ２）を入れることで、第２トランス回路ＴＣ２に遅相要素が発生するので、第２トランス回路ＴＣ２の共振周波数が低下する。そのため、前記Δｆを所定の周波数帯域に保つためには、共振周波数が低い側のトランス（第２トランスＴ２）に遅相要素の移相器（ＬＳ１，ＬＳ２）を繋ぐ方が広帯域化の点で好ましい。

第１トランスＴ１の一次側コイルＬ１１、二次側コイルＬ１２、第２トランスＴ２の一次側コイルＬ２１、二次側コイルＬ２２およびインダクタＬＳ１，ＬＳ２は複数の誘電体層または磁性体層が積層された一つの積層体内に構成される。この積層体の外面には給電回路３０が接続される給電ポートおよびアンテナ１２が接続されるアンテナポートが形成される。すなわちインピーダンス整合回路１０１はモジュールとして構成され得る。前記移相器としてのインダクタＬＳ１，ＬＳ２はチップインダクタを積層体の外面に搭載することにより構成してもよい。

給電回路３０は通信端末装置内の回路基板に構成され、インピーダンス整合回路１０１のモジュールはその回路基板に表面実装される。

《第２の実施形態》
図３は第２の実施形態のインピーダンス整合回路１０２およびそれを備えたアンテナ装置の回路図である。
図３に示すように、アンテナ素子１２と給電回路３０との間の信号経路にインピーダンス整合回路１０２が挿入されている。

インピーダンス整合回路１０２は、第１トランスＴ１を含む第１トランス回路ＴＣ１と、第２トランスＴ２を含み、第１トランス回路ＴＣ１の共振周波数とは異なる周波数で共振する第２トランス回路ＴＣ２とを備えている。第１トランス回路ＴＣ１および第２トランス回路ＴＣ２は互いに並列に接続されている。

第１トランスＴ１は一次側コイルＬ１１と二次側コイルＬ１２を備えていて、第２トランスＴ２は一次側コイルＬ２１と二次側コイルＬ２２を備えている。第１トランスＴ１および第２トランスＴ２は、それぞれのコイルのインダクタンスと巻線間の浮遊容量とによって自己共振周波数が定まっている。

第１トランスＴ１の一次側コイルＬ１１と第２トランスＴ２の一次側コイルＬ２１とは電磁界結合している。また、第１トランスＴ１の二次側コイルＬ１２と第２トランスＴ２の二次側コイルＬ２２とは電磁界結合している。

第２トランス回路ＴＣ２には、第２トランスＴ２に接続されたキャパシタＣＳ１，ＣＳ２を備えている。このキャパシタＣＳ１，ＣＳ２は第２トランス回路ＴＣ２を伝搬する信号の位相を第１トランス回路ＴＣ１を伝搬する信号の位相とは異ならせる。すなわちキャパシタＣＳ１，ＣＳ２は移相器として作用する。この移相器は、第１トランス回路ＴＣ１を伝搬する信号の位相と、第２トランス回路ＴＣ２を伝搬する信号の位相とが直交する（位相差が９０度またはその奇数倍の関係となる）ように移相量が定められている。

ここで、第１トランス回路ＴＣ１の共振周波数をｆ１、第２トランス回路ＴＣ２の共振周波数をｆ２で表すと、ｆ１＜ｆ２の関係にある。この関係は第１の実施形態とは逆である。

図３に示す例では、インピーダンス整合回路１０２に対して並列に、すなわち給電ポートＰｆとアンテナポートＰａとの間に、キャパシタＣ１が接続されている。このキャパシタＣ１は例えば１７１０−２１７０ＭＨｚ（以下、２ＧＨｚ帯：ハイバンド）の高周波信号を通過させるために備えている。

図４は図３に示したインピーダンス整合回路１０２の反射係数の周波数特性を示す図である。ここで、第１トランス回路ＴＣ１の共振周波数をｆ１、第２トランス回路ＴＣ２の共振周波数をｆ２で表すと、ｆ１＜ｆ２の関係にあり、周波数ｆ１とｆ２で特に反射係数が低くなっていて、周波数ｆ１からｆ２の範囲の全体でも反射係数が低くなっている。

例えばｆ１＝７００ＭＨｚ、ｆ２＝９００ＭＨｚであり、７００ＭＨｚ〜９００ＭＨｚの範囲またはそれより少し広い範囲で低反射特性が得られている。そのため、例えば周波数帯８２４−９６０ＭＨｚ（以下、８００ＭＨｚ帯：ローバンド）の高周波信号は第１トランス回路ＴＣ１および第２トランス回路ＴＣ２を介して伝送される。

図３に示したように、キャパシタ（この例ではキャパシタＣＳ１，ＣＳ２）を移相器として用いるためには、次に述べる理由で、移相器を挿入するトランス（この例では第２トランスＴ２）の共振周波数がもう一つのトランス（この例では第１トランスＴ１）の共振周波数より高い方が好ましい。すなわち、第２トランスＴ２に移相器（ＣＳ１，ＣＳ２）を入れることで、第２トランス回路ＴＣ２に進相要素が発生するので、第２トランス回路ＴＣ２の共振周波数が上昇する。そのため、前記Δｆを所定の周波数帯域に保つためには、共振周波数が高い側のトランス（第２トランスＴ２）に進相要素の移相器（ＣＳ１，ＣＳ２）を繋ぐ方が広帯域化の点で好ましい。

なお、前記キャパシタＣ１は積層体の上面に搭載してもよいし、積層体の内部に構成してもよい。積層体の上面にチップコンデンサとして搭載する方が、容量値の設計や調整が容易であるという点で好ましい。

《第３の実施形態》
図５は第３の実施形態のインピーダンス整合回路１０３およびそれを備えたアンテナ装置の回路図である。
図５に示すように、アンテナ素子１２と給電回路３０との間の信号経路にインピーダンス整合回路１０３が挿入されている。第１の実施形態で図１に示したインピーダンス整合回路１０１と異なるのは第１トランスＴ１および第２トランスＴ２の構成である。

第３の実施形態は、一次側コイルと二次側コイルとをそれぞれ二つのコイル素子で構成して、一次側コイルと二次側コイルとを高い結合度で結合（密結合）させたものである。

第１トランスＴ１の一次側コイルは第１コイル素子Ｌ１１１および第２コイル素子Ｌ１１２で構成されていて、これらのコイル素子は互いに直列的に接続され、且つ閉磁路が構成されるように巻回されている。また、二次側コイルは第３コイル素子Ｌ１２１および第４コイル素子Ｌ１２２で構成されていて、これらのコイル素子は互いに直列的に接続され、且つ閉磁路を構成するように巻回されている。換言すると、第１コイル素子Ｌ１１１と第２コイル素子Ｌ１１２とは逆相で結合（加極性結合）し、第３コイル素子Ｌ１２１と第４コイル素子Ｌ１２２とは逆相で結合（加極性結合）する。また、各コイル素子は、第１トランスにおける閉磁路と第２トランスにおける閉磁路とが互いに反発しあうように（隣接する部分で磁束の周回方向が逆になるように）巻回配置されている。

さらに、第１コイル素子Ｌ１１１と第３コイル素子Ｌ１２１とは同相で結合（減極性結合）するとともに、第２コイル素子Ｌ１１２と第４コイル素子Ｌ１２２とは同相で結合（減極性結合）することが好ましい。
第２トランスＴ２についても第１トランスＴ１と同様である。なお、第１トランスと第２トランスとは電磁気的には結合していなくてもよい。

このように一次側コイルと二次側コイルとを高い結合度で結合（密結合）させたトランスを用いることにより、各トランスでの損失が小さくなり、通過帯域が広くなり、トランスの通過損失も小さくなる。

《第４の実施形態》
図６は第４の実施形態のインピーダンス整合回路１０４およびそれを備えたアンテナ装置の回路図である。
図６に示すように、アンテナ素子１２と給電回路３０との間の信号経路にインピーダンス整合回路１０４が挿入されている。第１の実施形態で図１に示したインピーダンス整合回路１０１と異なるのは第１トランスＴ１および第２トランスＴ２の構成である。

第４の実施形態は、二次側コイルをそれぞれ二つのコイル素子で構成して、一次側コイルと二次側コイルとを高い結合度で結合（密結合）させたものである。

第１トランスＴ１の二次側コイルはコイル素子Ｌ１２１，Ｌ１２２で構成されている。二次側のコイル素子Ｌ１２１，Ｌ１２２は並列接続されている。

一次側コイルＬ１１とコイル素子Ｌ１２１とは逆相で電磁界結合していて、一次側コイルとコイル素子Ｌ１２２とは逆相で電磁界結合している。また、一次側コイルＬ１１とコイル素子Ｌ１２１，Ｌ１２２は、それぞれの巻回軸がほぼ同一直線になるように、且つコイル素子Ｌ１２１およびコイル素子Ｌ１２２の間に一次側コイルＬ１１が位置するように配置されている。
第２トランスＴ２についても第１トランスＴ１と同様である。

第１トランスＴ１と第２トランスＴ２の各コイル素子は複数の誘電体層または磁性体層の積層体である多層基板に一体的に構成されている。

なお、以上に示した例では、二次側コイルを二つのコイル素子で構成し、一次側コイルを二次側コイルの二つのコイル素子で挟むようにしたが、逆に、一次側コイルを二つのコイル素子で構成し、二次側コイルを一次側コイルの二つのコイル素子で挟むように構成してもよい。

《第５の実施形態》
図７（Ａ）は前記インピーダンス整合回路１０１を備えた第１例の通信端末装置、図７（Ｂ）は第２例の通信端末装置のそれぞれの構成図である。これらは例えば携帯電話端末や移動体通信端末である。

図７（Ａ）に示す通信端末装置１は、蓋体部である第１筺体１０と本体部である第２筺体２０とを備え、第１筺体１０は第２筺体２０に対して折りたたみ式またはスライド式で連結されている。第１筺体１０にはグランド板としても機能する第１放射素子１１が設けられ、第２筺体２０にはグランド板としても機能する第２放射素子２１が設けられている。第１および第２放射素子１１，２１は金属箔などの薄膜あるいは導電性ペーストなどの厚膜からなる導電体膜で形成されている。この第１および第２放射素子１１，２１は給電回路３０から差動給電することでダイポールアンテナとほぼ同様に作用する。給電回路３０はＲＦ回路やベースバンド回路のような信号処理回路を有している。

なお、インピーダンス整合回路１０１のインダクタンス値は、二つの放射素子１１，２１を結ぶ接続線３３のインダクタンス値よりも小さいことが好ましい。周波数特性に関する接続線３３のインダクタンス値の影響を小さくすることができるからである。

図７（Ｂ）に示す通信端末装置２は、第１放射素子１１をアンテナ単体として設けたものである。第１放射素子１１としてはチップアンテナ、板金アンテナ、コイルアンテナなど各種アンテナ素子を用いることができる。また、このアンテナ素子としては、例えば、筺体の内周面や外周面に沿って設けられた線状導体を利用してもよい。第２放射素子２１は第２筺体２０のグランド板としても機能するものであり、第１放射素子１１と同様に各種のアンテナを用いてもよい。ちなみに、通信端末装置２は折りたたみ式やスライド式ではないストレート構造の端末である。なお、第２放射素子２１は、必ずしも放射体として十分に機能するものでなくてもよく、第１放射素子１１がいわゆるモノポールアンテナのように作用するものであってもよい。

給電回路３０は一端が第２放射素子２１に接続され、他端がインピーダンス整合回路１０１を介して第１放射素子１１に接続されている。

インピーダンス整合回路１０１は、給電回路３０と第１放射素子１１との間に設けられ、第１および第２放射素子１１，２１から送信される高周波信号、あるいは、第１および第２放射素子１１，２１にて受信する高周波信号の周波数特性を安定化させる。それゆえ、第１放射素子１１や第２放射素子２１の形状、第１筺体１０や第２筺体２０の形状、近接部品の配置状況などに影響されることなく、高周波信号の周波数特性が安定化する。特に、折りたたみ式やスライド式の通信端末装置にあっては、蓋体部である第１筺体１０の本体部である第２筺体２０に対する開閉状態に応じて、第１および第２放射素子１１，２１のインピーダンスが変化しやすいが、インピーダンス整合回路１０１を設けることによって高周波信号の周波数特性を安定化させることができる。すなわち、アンテナの設計に関して重要事項である、中心周波数の設定・通過帯域幅の設定・インピーダンスマッチングの設定などの周波数特性の調整機能をこのインピーダンス整合回路１０１が担うことが可能になり、アンテナ素子そのものは、主に、指向性や利得を考慮するだけでよいため、アンテナの設計が容易になる。

Ｃ１…キャパシタ
ＣＳ１，ＣＳ２…キャパシタ（移相器）
Ｌ１１，Ｌ１２…一次側コイル
Ｌ１２，Ｌ２２…二次側コイル
Ｌ１２１，Ｌ１２２…コイル素子
ＬＳ１，ＬＳ２…インダクタ（移相器）
Ｐａ…アンテナポート
Ｐｆ…給電ポート
Ｔ１…第１トランス
Ｔ２…第２トランス
ＴＣ１…第１トランス回路
ＴＣ２…第２トランス回路
１…通信端末装置
２…通信端末装置
１０…第１筺体
１１…第１放射素子
１２…アンテナ素子
２０…第２筺体
２１…第２放射素子
３０…給電回路
３３…接続線
１０１〜１０４…インピーダンス整合回路

Claims (7)

1. 給電回路とアンテナ素子との間の信号経路に挿入されるインピーダンス整合回路において、
   第１トランスを含み、第１の共振周波数を有する第１トランス回路と、第２トランスを含み、前記第１トランス回路に対して並列接続され、前記第１の共振周波数とは異なる第２の共振周波数を有する第２トランス回路と、を備え、
   前記第２トランス回路は、前記第２トランスに接続され、前記第２トランス回路を伝搬する信号の位相を、前記第１トランス回路を伝搬する信号の位相とは異ならせる移相器を備えることを特徴とするインピーダンス整合回路。
2. 前記第１トランスは第１一次側コイルと第１二次側コイルを備え、前記第２トランスは、前記第１一次側コイルに電磁界結合する第２一次側コイルと、前記第１二次側コイルに電磁界結合する第２二次側コイルを備える、請求項１に記載のインピーダンス整合回路。
3. 前記第１一次側コイル、前記第１二次側コイル、前記第２一次側コイルおよび前記第２二次側コイルは、複数の誘電体層または磁性体層の積層体内に構成され、
   前記給電回路が接続される給電ポートおよび前記アンテナ素子が接続されるアンテナポートが前記積層体の外面に形成された、請求項２に記載のインピーダンス整合回路。
4. 前記第２トランス回路の共振周波数は前記第１トランス回路の共振周波数より高く、
   前記移相器はインダクタンス素子である、請求項１〜３のいずれかに記載のインピーダンス整合回路。
5. 前記第２トランス回路の共振周波数は前記第１トランス回路の共振周波数より低く、
   前記移相器はキャパシタンス素子である、請求項１〜３のいずれかに記載のインピーダンス整合回路。
6. アンテナ素子と給電回路との間に接続されるインピーダンス整合回路および前記アンテナ素子を備えたアンテナ装置において、
   前記インピーダンス整合回路は、第１トランスを含み、第１の共振周波数を有する第１トランス回路と、第２トランスを含み、前記第１トランス回路に対して並列接続され、前記第１の共振周波数とは異なる第２の共振周波数を有する第２トランス回路と、を備え、
   前記第２トランス回路は、前記第２トランスに接続され、前記第２トランス回路を伝搬する信号の位相を、前記第１トランス回路を伝搬する信号の位相とは異ならせる移相器を備えることを特徴とするアンテナ装置。
7. アンテナ素子と給電回路との間に接続されるインピーダンス整合回路、前記アンテナ素子および前記給電回路を備えた通信端末装置において、
   前記インピーダンス整合回路は、第１トランスを含み、第１の共振周波数を有する第１トランス回路と、第２トランスを含み、前記第１トランス回路に対して並列接続され、前記第１の共振周波数とは異なる第２の共振周波数を有する第２トランス回路と、を備え、
   前記第２トランス回路は、前記第２トランスに接続され、前記第２トランス回路を伝搬する信号の位相を、前記第１トランス回路を伝搬する信号の位相とは異ならせる移相器を備えることを特徴とする通信端末装置。

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