JP2012227317A - Deposition method, program, computer storage medium and deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance throughput of substrate processing by depositing a silane coupling agent appropriately on a substrate.SOLUTION: A surface of a template T is subjected to UV irradiation and cleaned (Fig. 11(a)). A mold release agent S is then applied onto the template T (Fig. 11(b)). Subsequently, alcohol A is applied onto the mold release agent S of the template T (Fig. 11(c)). Thereafter, supersonic vibration is imparted to the mold release agent S on the template T (Fig. 11(d)). Chemical reaction of the surface of the template T and the mold release agent S is accelerated by this supersonic vibration, and adhesion of the surface of the template T and the mold release agent S is enhanced. Finally, the mold release agent S on the template T is rinsed, and a mold release film Sis deposited on the template T along a transfer pattern (Fig. 11(e)).

Description

本発明は、基板上にシランカップリング剤を成膜する成膜方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び成膜装置に関する。   The present invention relates to a film forming method, a program, a computer storage medium, and a film forming apparatus for forming a silane coupling agent on a substrate.

例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成することが行われている。   For example, in a semiconductor device manufacturing process, for example, a photolithography process is performed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) to form a predetermined resist pattern on the wafer.

上述したレジストパターンを形成する際には、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、当該レジストパターンの微細化が求められている。一般にフォトリソグラフィー処理における微細化の限界は、露光処理に用いる光の波長程度である。このため、従来より露光処理の光を短波長化することが進められている。しかしながら、露光光源の短波長化には技術的、コスト的な限界があり、光の短波長化を進める方法のみでは、例えば数ナノメートルオーダーの微細なレジストパターンを形成するのが困難な状況にある。   When the resist pattern described above is formed, the resist pattern is required to be miniaturized in order to achieve higher integration of the semiconductor device. In general, the limit of miniaturization in the photolithography process is about the wavelength of light used for the exposure process. For this reason, it has been advancing to shorten the wavelength of exposure light. However, there are technical and cost limitations to shortening the wavelength of the exposure light source, and it is difficult to form a fine resist pattern on the order of several nanometers, for example, only by the method of advancing the wavelength of light. is there.

そこで、近年、ウェハにフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いてウェハ上に微細なレジストパターンを形成することが提案されている。この方法は、表面に微細なパターンを有するテンプレート(モールドや型と呼ばれることもある。)をウェハ上に形成したレジスト表面に圧着させ、その後剥離し、当該レジスト表面に直接パターンの転写を行うものである(特許文献1)。   Therefore, in recent years, it has been proposed to form a fine resist pattern on a wafer by using a so-called imprint method instead of performing a photolithography process on the wafer. In this method, a template (sometimes called a mold or a mold) having a fine pattern on the surface is pressure-bonded to the resist surface formed on the wafer, then peeled off, and the pattern is directly transferred to the resist surface. (Patent Document 1).

特開2009−43998号公報JP 2009-43998 A

上述のインプリント方法で用いられるテンプレートの表面には、テンプレートをレジストから剥離し易くするため、通常、レジストに対して撥液性を有する離型剤が成膜されている。   On the surface of the template used in the above-described imprinting method, a release agent having liquid repellency with respect to the resist is usually formed in order to make the template easy to peel from the resist.

テンプレートの表面に離型剤を成膜する際には、先ず、テンプレートの表面を洗浄した後、当該テンプレートの表面に離型剤を塗布する。次に、成膜される離型剤が所定の接触角を有してレジストに対する撥液性機能を発揮できるようにするため、離型剤をテンプレートの表面に密着させる。具体的には、離型剤とテンプレートの表面を化学反応させて、離型剤中に含まれる成分のうち、レジストに対して撥液性を有する成分、例えばフッ化物成分をテンプレートの表面に吸着させる。その後、離型剤の未反応部を除去して、テンプレートの表面に所定の膜厚の離型剤が成膜される。なお、離型剤の未反応部とは、離型剤がテンプレートの表面と化学反応して密着する部分以外をいう。   When forming a release agent on the surface of the template, first, after cleaning the surface of the template, the release agent is applied to the surface of the template. Next, the release agent is adhered to the surface of the template so that the release agent to be formed has a predetermined contact angle and can exhibit a liquid repellency function with respect to the resist. Specifically, by chemically reacting the mold release agent and the template surface, among the components contained in the mold release agent, a component having liquid repellency to the resist, such as a fluoride component, is adsorbed on the template surface. Let Thereafter, the unreacted portion of the release agent is removed, and a release agent having a predetermined film thickness is formed on the surface of the template. The unreacted part of the release agent means a part other than the part where the release agent is chemically reacted with the surface of the template.

ところで、上述のインプリント方法を繰り返し行うと、すなわち一のテンプレートを用いて複数のウェハ上にレジストパターンを複数形成すると、テンプレート上の離型膜が劣化する。このため、テンプレートを定期的に交換する必要がある。そこで、テンプレートの交換頻度を減少させるため、離型剤の材質を変更して、当該離型剤の耐久性を向上させることが試みられている。   By the way, when the above-described imprint method is repeatedly performed, that is, when a plurality of resist patterns are formed on a plurality of wafers using one template, the release film on the template is deteriorated. For this reason, it is necessary to exchange a template regularly. Therefore, in order to reduce the replacement frequency of the template, an attempt has been made to improve the durability of the release agent by changing the material of the release agent.

しかしながら、発明者らが調べたところ、離型剤の耐久性を向上させるため、当該離型剤の材質を変更した場合、上述のように離型剤を成膜すると、離型剤をテンプレートの表面に密着させるのに時間がかかる場合があることが分かった。このため、テンプレート処理のスループットに改善の余地があった。   However, when the inventors investigated, in order to improve the durability of the mold release agent, when the material of the mold release agent was changed, the mold release agent was formed as described above, and the mold release agent was used as a template. It has been found that it may take time to adhere to the surface. For this reason, there is room for improvement in the throughput of the template processing.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板上にシランカップリング剤を適切に成膜し、基板処理のスループットを向上させることを目的とする。   The present invention has been made in view of this point, and an object of the present invention is to appropriately form a silane coupling agent on a substrate to improve the throughput of substrate processing.

前記の目的を達成するため、本発明は、基板上にシランカップリング剤を成膜する成膜方法であって、基板上にシランカップリング剤を供給する供給工程と、前記供給工程で基板上に供給されたシランカップリング剤に超音波振動を付与して、当該基板上にシランカップリング剤の膜を形成する成膜工程と、を有することを特徴としている。   In order to achieve the above object, the present invention provides a film forming method for forming a silane coupling agent on a substrate, the supply step of supplying the silane coupling agent on the substrate, And a film forming step of forming a film of the silane coupling agent on the substrate by applying ultrasonic vibration to the silane coupling agent supplied to the substrate.

発明者らが鋭意検討した結果、基板上のシランカップリング剤に超音波振動を付与すると、基板の表面とシランカップリング剤との化学反応が促進され、当該基板の表面とシランカップリング剤との密着性が向上することが分かった。具体的には、シランカップリング剤に超音波振動を付与すると、当該シランカップリング剤が振動することによって、シランカップリング剤と基板の表面との間に水分子が進入する。そうすると、水分子によってシランカップリング剤分子の加水分解が促進され、さらに加水分解されたシランカップリング剤分子と基板の表面の水酸基が脱水縮合により結合される。こうして、基板の表面とシランカップリング剤が強固に結合し、基板の表面とシランカップリング剤の密着性が向上する。したがって、シランカップリング剤に超音波振動を付与すると、基板の表面にシランカップリング剤を短時間で密着させることができ、基板上にシランカップリング剤を適切に成膜することができる。このように短時間でシランカップリング剤を基板の表面に密着させることができるので、基板処理全体のスループットも向上させることができる。   As a result of intensive studies by the inventors, when ultrasonic vibration is applied to the silane coupling agent on the substrate, the chemical reaction between the surface of the substrate and the silane coupling agent is promoted, and the surface of the substrate and the silane coupling agent are It has been found that the adhesion of the is improved. Specifically, when ultrasonic vibration is applied to the silane coupling agent, the silane coupling agent vibrates, so that water molecules enter between the silane coupling agent and the surface of the substrate. Then, hydrolysis of the silane coupling agent molecule is promoted by water molecules, and the hydrolyzed silane coupling agent molecule and the hydroxyl group on the surface of the substrate are bonded by dehydration condensation. Thus, the surface of the substrate and the silane coupling agent are firmly bonded, and the adhesion between the surface of the substrate and the silane coupling agent is improved. Therefore, when ultrasonic vibration is applied to the silane coupling agent, the silane coupling agent can be brought into close contact with the surface of the substrate in a short time, and the silane coupling agent can be appropriately formed on the substrate. Thus, since the silane coupling agent can be brought into close contact with the surface of the substrate in a short time, the throughput of the entire substrate processing can also be improved.

前記成膜工程において、前記基板上のシランカップリング剤に、基板の表面とシランカップリング剤との反応を促進させる反応促進剤を供給し、当該反応促進剤が供給されたシランカップリング剤に前記超音波振動を付与してもよい。   In the film forming step, a reaction accelerator for promoting the reaction between the surface of the substrate and the silane coupling agent is supplied to the silane coupling agent on the substrate, and the silane coupling agent to which the reaction accelerator is supplied is supplied. The ultrasonic vibration may be applied.

前記成膜工程において、前記反応促進剤の供給は、前記基板上のシランカップリング剤が乾燥する前に行われてもよい。   In the film forming step, the reaction accelerator may be supplied before the silane coupling agent on the substrate is dried.

前記成膜工程において、前記基板上のシランカップリング剤と対向して支持板を配置し、前記シランカップリング剤と前記支持板との間で前記反応促進剤を拡散させてもよい。   In the film forming step, a support plate may be disposed facing the silane coupling agent on the substrate, and the reaction accelerator may be diffused between the silane coupling agent and the support plate.

前記成膜工程において、基板を移動させて、前記基板上のシランカップリング剤上で前記反応促進剤を拡散させてもよい。   In the film forming step, the reaction accelerator may be diffused on the silane coupling agent on the substrate by moving the substrate.

前記成膜工程において、前記基板上のシランカップリング剤に前記反応促進剤を供給する際、当該反応促進剤と前記シランカップリング剤の溶剤との混合液を供給してもよい。   In the film forming step, when the reaction accelerator is supplied to the silane coupling agent on the substrate, a mixed solution of the reaction accelerator and the solvent of the silane coupling agent may be supplied.

前記反応促進剤は、アルコールであってもよい。   The reaction accelerator may be an alcohol.

前記成膜工程において、前記超音波振動を基板表面に垂直な方向に付与してもよい。   In the film forming step, the ultrasonic vibration may be applied in a direction perpendicular to the substrate surface.

前記成膜工程において、前記超音波振動を付与する超音波振動子又は前記基板を相対的に移動させてもよい。   In the film forming step, the ultrasonic vibrator for applying the ultrasonic vibration or the substrate may be relatively moved.

前記供給工程において、基板上に液体状又は気体状のシランカップリング剤を供給してもよい。   In the supplying step, a liquid or gaseous silane coupling agent may be supplied onto the substrate.

前記基板は表面に所定のパターンが形成されたテンプレートであり、前記シランカップリング剤は離型剤であってもよい。   The substrate may be a template having a predetermined pattern formed on the surface, and the silane coupling agent may be a release agent.

別な観点による本発明によれば、前記成膜方法を成膜装置によって実行させるために、当該成膜装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a program that operates on a computer of a control unit that controls the film forming apparatus in order to cause the film forming apparatus to execute the film forming method.

また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。   According to another aspect of the present invention, a readable computer storage medium storing the program is provided.

さらに別な観点による本発明は、基板上にシランカップリング剤を成膜する成膜装置であって、基板上にシランカップリング剤を供給するシランカップリング剤供給部と、前記シランカップリング剤供給部から基板上に供給されたシランカップリング剤に超音波振動を付与する超音波振動子と、を有することを特徴としている。   According to still another aspect, the present invention provides a film forming apparatus for forming a silane coupling agent on a substrate, the silane coupling agent supplying unit supplying the silane coupling agent on the substrate, and the silane coupling agent And an ultrasonic vibrator for applying ultrasonic vibration to the silane coupling agent supplied onto the substrate from the supply unit.

前記成膜装置は、前記シランカップリング剤供給部から基板上に供給されたシランカップリング剤に、基板の表面とシランカップリング剤との反応を促進させる反応促進剤を供給する反応促進剤供給部を有していてもよい。   The film forming apparatus supplies a reaction accelerator for supplying a reaction accelerator for promoting the reaction between the surface of the substrate and the silane coupling agent to the silane coupling agent supplied onto the substrate from the silane coupling agent supply unit. May have a part.

前記成膜装置は、前記基板上のシランカップリング剤と対向して配置され、当該シランカップリング剤との間で前記反応促進剤を拡散させる支持板を有していてもよい。   The film forming apparatus may include a support plate that is disposed to face the silane coupling agent on the substrate and diffuses the reaction accelerator between the film forming apparatus and the silane coupling agent.

前記反応促進剤供給部は、前記反応促進剤と前記シランカップリング剤の溶剤との混合液を供給してもよい。   The reaction accelerator supply unit may supply a mixed solution of the reaction accelerator and the solvent of the silane coupling agent.

前記反応促進剤は、アルコールであってもよい。   The reaction accelerator may be an alcohol.

前記超音波振動子は、前記超音波振動を基板表面に垂直な方向に付与してもよい。   The ultrasonic transducer may apply the ultrasonic vibration in a direction perpendicular to the substrate surface.

前記成膜装置は、前記基板を移動させる基板移動機構を有していてもよい。   The film forming apparatus may include a substrate moving mechanism that moves the substrate.

前記成膜装置は、前記超音波振動子を移動させる振動子移動機構を有していてもよい。   The film forming apparatus may have a transducer moving mechanism that moves the ultrasonic transducer.

前記シランカップリング剤供給部は、基板上に液体状又は気体状のシランカップリング剤を供給してもよい。   The silane coupling agent supply unit may supply a liquid or gaseous silane coupling agent on the substrate.

前記基板は表面に所定のパターンが形成されたテンプレートであり、前記シランカップリング剤は離型剤であってもよい。   The substrate may be a template having a predetermined pattern formed on the surface, and the silane coupling agent may be a release agent.

本発明によれば、基板上にシランカップリング剤を適切に成膜し、基板処理のスループットを向上させることができる。   According to the present invention, it is possible to appropriately form a silane coupling agent on a substrate and improve the throughput of substrate processing.

本実施の形態にかかる塗布ユニットを備えたテンプレート処理装置テンプレート処理装置の構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the template processing apparatus template processing apparatus provided with the coating unit concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of the template processing apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of the template processing apparatus concerning this Embodiment. テンプレートの斜視図である。It is a perspective view of a template. 塗布ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a coating unit. 塗布ユニットの構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a coating unit. リンスユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a rinse unit. 洗浄ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a washing | cleaning unit. 洗浄ユニットの構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a washing | cleaning unit. テンプレート処理の各工程を示したフローチャートである。It is the flowchart which showed each process of the template process. テンプレート処理の各工程におけるテンプレートの状態を模式的に示した説明図であり、(a)はテンプレートの表面を洗浄する様子を示し、(b)はテンプレートの表面に離型剤を塗布する様子を示し、(c)はテンプレートの離型膜上にアルコールを塗布する様子を示し、(d)はテンプレートに超音波振動を付与する様子を示し、(e)はテンプレート上に離型膜が成膜された様子を示す。It is explanatory drawing which showed typically the state of the template in each process of template processing, (a) shows a mode that the surface of a template is wash | cleaned, (b) shows a mode that a mold release agent is apply | coated to the surface of a template (C) shows a state in which alcohol is applied onto a mold release film of the template, (d) shows a state in which ultrasonic vibration is applied to the template, and (e) shows a mold release film formed on the template. The state that was done is shown. テンプレート上の離型剤とアルコールの挙動を模式的に示した説明図であり、(a)は離型剤上にアルコールが供給された様子を示し、(b)は離型剤の官能基が萎縮する様子を示し、(c)は離型剤の官能基が伸長する様子を示し、(d)は離型剤とテンプレートの表面との間にアルコールが進入する様子を示す。It is explanatory drawing which showed typically the behavior of the mold release agent and alcohol on a template, (a) shows a mode that alcohol was supplied on the mold release agent, (b) shows the functional group of a mold release agent. (C) shows a state in which the functional group of the release agent extends, and (d) shows a state in which alcohol enters between the release agent and the surface of the template. テンプレートの表面と離型剤分子が脱水縮合する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the surface of a template and a releasing agent molecule | numerator carry out dehydration condensation. テンプレートの表面と離型剤分子が結合した様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the surface of the template and the mold release agent molecule | numerator couple | bonded. 他の実施の形態にかかる塗布ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the coating unit concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる塗布ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the coating unit concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる塗布ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the coating unit concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる塗布ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the coating unit concerning other embodiment. 保持部材の構成の概略を示す平面図である。It is a top view showing the outline of the composition of a holding member. 他の実施の形態にかかる塗布ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the coating unit concerning other embodiment. インプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of an imprint system. インプリントシステムの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of an imprint system. インプリントシステムの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of an imprint system. インプリントユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the imprint unit. インプリントユニットの構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of an imprint unit. インプリント処理の各工程を示したフローチャートである。It is the flowchart which showed each process of the imprint process. インプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、(a)はウェハ上に密着膜が成膜された様子を示し、(b)はウェハの密着膜上にレジスト液を塗布する様子を示し、(c)はウェハ上にレジスト膜が成膜された様子を示し、(d)はウェハ上のレジスト膜を光重合させる様子を示し、(e)はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示し、(f)はウェハ上の残存膜が除去された様子を示す。It is explanatory drawing which showed typically the state of the template and wafer in each process of an imprint process, (a) shows a mode that the adhesion film was formed on the wafer, (b) on the adhesion film of a wafer (C) shows a state in which a resist film is formed on the wafer, (d) shows a state in which the resist film on the wafer is photopolymerized, and (e) shows in the wafer. A state where the resist pattern is formed is shown, and (f) shows a state where the remaining film on the wafer is removed.

以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる成膜装置としての塗布ユニットを備えたテンプレート処理装置1の構成の概略を示す平面図である。図2及び図3は、テンプレート処理装置1の構成の概略を示す側面図である。   Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a plan view showing an outline of a configuration of a template processing apparatus 1 including a coating unit as a film forming apparatus according to the present embodiment. 2 and 3 are side views showing an outline of the configuration of the template processing apparatus 1.

本実施の形態のテンプレート処理装置1では、図4に示すように直方体形状を有し、表面に所定の転写パターンCが形成された、基板としてのテンプレートTが用いられる。以下、転写パターンCが形成されているテンプレートTの面を表面Tといい、当該表面Tと反対側の面を裏面Tという。なお、テンプレートTには、可視光、近紫外光、紫外線などの光を透過可能な透明材料、例えば石英ガラスが用いられる。 In the template processing apparatus 1 of the present embodiment, a template T as a substrate having a rectangular parallelepiped shape and having a predetermined transfer pattern C formed on the surface is used as shown in FIG. Hereinafter, the transfer pattern C means the side of the template T which is formed with the surface T 1, the surface T 1 opposite to the surface of the backside T 2. For the template T, a transparent material capable of transmitting light such as visible light, near ultraviolet light, and ultraviolet light, such as quartz glass, is used.

テンプレート処理装置1は、図1に示すように複数、例えば5枚のテンプレートTをカセット単位で外部とテンプレート処理装置1との間で搬入出したり、テンプレートカセットCに対してテンプレートTを搬入出したりするテンプレート搬入出ステーション2と、テンプレートTに所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えたテンプレート処理ステーション3とを一体に接続した構成を有している。 Template processing unit 1 includes a plurality as shown in FIG. 1, for example, five of the template T or transferring, between the outside and the template processing apparatus 1 with the cassette unit, carrying out a template T the template cassette C T The template loading / unloading station 2 and the template processing station 3 including a plurality of processing units for performing predetermined processing on the template T are integrally connected.

テンプレート搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10は、複数のテンプレートカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在になっている。すなわち、テンプレート搬入出ステーション2は、複数のテンプレートTを保有可能に構成されている。 The template loading / unloading station 2 is provided with a cassette mounting table 10. The cassette mounting table 10 can mount a plurality of template cassettes CT in a line in the X direction (vertical direction in FIG. 1). That is, the template carry-in / out station 2 is configured to be capable of holding a plurality of templates T.

テンプレート搬入出ステーション2には、X方向に延伸する搬送路11上を移動可能なテンプレート搬送体12が設けられている。テンプレート搬送体12は、水平方向に伸縮自在であり、鉛直方向及び鉛直周り(θ方向)にも移動自在であり、テンプレートカセットCとテンプレート処理ステーション3との間でテンプレートTを搬送できる。 The template carry-in / out station 2 is provided with a template carrier 12 that can move on a conveyance path 11 extending in the X direction. The template transport body 12 can be expanded and contracted in the horizontal direction, and can also move in the vertical direction and the vertical direction (θ direction), and can transport the template T between the template cassette CT and the template processing station 3.

テンプレート処理ステーション3には、その中心部に搬送ユニット20が設けられている。この搬送ユニット20の周辺には、各種処理ユニットが多段に配置された、例えば4つの処理ブロックG1〜G4が配置されている。テンプレート処理ステーション3の正面側(図1のX方向負方向側)には、テンプレート搬入出ステーション2側から第1の処理ブロックG1、第2の処理ブロックG2が順に配置されている。テンプレート処理ステーション3の背面側(図1のX方向正方向側)には、テンプレート搬入出ステーション2側から第3の処理ブロックG3、第4の処理ブロックG4が順に配置されている。テンプレート処理ステーション3のテンプレート搬入出ステーション2側には、テンプレートTの受け渡しを行うためのトランジションユニット21が配置されている。   The template processing station 3 is provided with a transport unit 20 at the center thereof. Around the transport unit 20, for example, four processing blocks G1 to G4 in which various processing units are arranged in multiple stages are arranged. A first processing block G1 and a second processing block G2 are sequentially arranged from the template loading / unloading station 2 side on the front side of the template processing station 3 (X direction negative direction side in FIG. 1). A third processing block G3 and a fourth processing block G4 are arranged in this order from the template loading / unloading station 2 side on the back side of the template processing station 3 (X direction positive direction side in FIG. 1). On the template loading / unloading station 2 side of the template processing station 3, a transition unit 21 for transferring the template T is disposed.

搬送ユニット20は、テンプレートTを保持して搬送し、且つ水平方向、鉛直方向及び鉛直周りに移動自在な搬送アームを有している。そして、搬送ユニット20は、処理ブロックG1〜G4内に配置された後述する各種処理ユニット、及びトランジションユニット21に対してテンプレートTを搬送できる。   The transport unit 20 has a transport arm that holds and transports the template T and is movable in the horizontal direction, the vertical direction, and the vertical direction. And the conveyance unit 20 can convey the template T with respect to the various processing units mentioned later and the transition unit 21 which are arrange | positioned in the processing blocks G1-G4.

第1の処理ブロックG1には、図2に示すように複数の液処理ユニット、例えばテンプレートTの表面Tにシランカップリング剤としての液体状の離型剤と反応促進剤を塗布する、成膜装置としての塗布ユニット30、テンプレートT上の離型剤をリンスするリンスユニット31が下から順に2段に重ねられている。第2の処理ブロックG2も同様に、塗布ユニット32、リンスユニット33が下から順に2段に重ねられている。また、第1の処理ブロックG1及び第2の処理ブロックG2の最下段には、前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室34、35がそれぞれ設けられている。 The first processing block G1, applying a plurality of liquid processing units, for example, a liquid release agent and reaction accelerator of the surface T 1 of the template T as a silane coupling agent as shown in FIG. 2, formed A coating unit 30 as a film device and a rinsing unit 31 for rinsing the release agent on the template T are stacked in two stages in order from the bottom. Similarly, in the second processing block G2, the coating unit 32 and the rinsing unit 33 are stacked in two stages in order from the bottom. In addition, chemical chambers 34 and 35 for supplying various processing liquids to the liquid processing unit are provided at the lowermost stages of the first processing block G1 and the second processing block G2, respectively.

第3の処理ブロックG3には、図3に示すようにテンプレートTに対して紫外線を照射し、テンプレートT上に離型膜が成膜される前の表面Tを洗浄する洗浄ユニット40、41が下から順に2段に重ねられている。また、第4の処理ブロックG4にも、第3の処理ブロックG3と同様に、洗浄ユニット42、43が下から順に2段に重ねられている。 The third processing block G3, the cleaning unit 40, 41 which ultraviolet rays are irradiated to the template T as shown in FIG. 3, a release film on the template T is to clean the surface T 1 of the before the deposition Are stacked in two steps from the bottom. Also, in the fourth processing block G4, similarly to the third processing block G3, the cleaning units 42 and 43 are stacked in two stages in order from the bottom.

次に、上述した塗布ユニット30、32の構成について説明する。塗布ユニット30は、図5に示すように側面にテンプレートTの搬入出口(図示せず)が形成された処理容器100を有している。   Next, the configuration of the coating units 30 and 32 described above will be described. As shown in FIG. 5, the coating unit 30 has a processing container 100 in which a loading / unloading port (not shown) for the template T is formed on the side surface.

処理容器100内の底面には、テンプレートTが載置される載置台101が設けられている。テンプレートTは、その表面Tが上方を向くように載置台101の上面に載置される。載置台101の下方には、駆動部を内蔵した基板移動機構としてのテンプレート移動機構102が設けられている。このテンプレート移動機構102によって、載置台101及び当該載置台101に載置されたテンプレートTは、水平方向に移動自在になっている。 A mounting table 101 on which the template T is mounted is provided on the bottom surface in the processing container 100. Template T has a surface T 1 is placed on the top surface of the mounting table 101 to face upward. Below the mounting table 101, a template moving mechanism 102 is provided as a substrate moving mechanism incorporating a drive unit. The template moving mechanism 102 allows the mounting table 101 and the template T mounted on the mounting table 101 to move in the horizontal direction.

載置台101の上面であって、当該載置台101に載置されるテンプレートTの下方には、テンプレートTの表面Tに垂直な方向、すなわち鉛直方向に超音波振動を付与する超音波振動子する超音波振動子110が設けられている。超音波振動子110には、当該超音波振動子110から超音波を発振させるための超音波発振装置(図示せず)が設けられている。超音波振動子110の下方には、駆動部を内蔵した振動子移動機構111が設けられている。この振動子移動機構111によって、超音波振動子110は水平方向に移動自在になっている。なお、超音波振動子110は、載置台101と独立して移動自在になっている。 A top surface of the mounting table 101, the below the template T is mounted on the mounting table 101, a direction perpendicular to the surface T 1 of the template T, i.e. ultrasonic transducer for applying ultrasonic vibration in the vertical direction An ultrasonic transducer 110 is provided. The ultrasonic transducer 110 is provided with an ultrasonic oscillation device (not shown) for oscillating ultrasonic waves from the ultrasonic transducer 110. Below the ultrasonic transducer 110, a transducer moving mechanism 111 with a built-in driving unit is provided. By this transducer moving mechanism 111, the ultrasonic transducer 110 is movable in the horizontal direction. The ultrasonic transducer 110 is movable independently from the mounting table 101.

載置台101の内部には、テンプレートTを下方から支持し昇降させるための昇降ピン112が設けられている。昇降ピン112は、昇降駆動部113により上下動できる。超音波振動子110には、当該超音波振動子110を厚み方向に貫通する貫通孔114が形成されており、昇降ピン112は、貫通孔114を挿通するようになっている。   Inside the mounting table 101, lifting pins 112 are provided for supporting the template T from below and lifting it. The elevating pin 112 can be moved up and down by the elevating drive unit 113. The ultrasonic vibrator 110 is formed with a through-hole 114 that penetrates the ultrasonic vibrator 110 in the thickness direction, and the elevating pin 112 is inserted through the through-hole 114.

図6に示すように載置台101のX方向負方向(図6の下方向)側には、Y方向(図6の左右方向)に沿って延伸するレール120が設けられている。レール120は、例えば載置台101のY方向負方向(図6の左方向)側の外方からY方向正方向(図6の右方向)側の外方まで形成されている。レール120には、アーム121、122が取り付けられている。   As shown in FIG. 6, a rail 120 extending along the Y direction (left-right direction in FIG. 6) is provided on the side of the mounting table 101 in the negative X direction (downward in FIG. 6). The rail 120 is formed, for example, from the outside of the mounting table 101 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 6) side to the Y direction positive direction (right direction in FIG. 6) side. Arms 121 and 122 are attached to the rail 120.

第1のアーム121には、テンプレートT上に離型剤を供給するシランカップリング剤供給部としての離型剤ノズル123が支持されている。離型剤ノズル123は、例えばテンプレートTの一辺寸法と同じかそれよりも長い、X方向に沿った細長形状を有している。そして、離型剤ノズル123の吐出口は、スリット状に形成されている。また、離型剤ノズル123には、図5に示すように離型剤供給源124に連通する供給管125が接続されている。なお、離型剤の材料には、後述するウェハ上のレジスト膜に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素炭素系化合物等が用いられる。   The first arm 121 supports a release agent nozzle 123 as a silane coupling agent supply unit that supplies a release agent onto the template T. The release agent nozzle 123 has, for example, an elongated shape along the X direction that is the same as or longer than one side dimension of the template T. The discharge port of the release agent nozzle 123 is formed in a slit shape. The release agent nozzle 123 is connected to a supply pipe 125 communicating with a release agent supply source 124 as shown in FIG. Note that a material having a liquid repellency with respect to a resist film on the wafer, which will be described later, such as a fluorine-carbon compound, is used as the material of the release agent.

図6に示すように第1のアーム121は、ノズル駆動部126により、レール120上を移動自在である。これにより、離型剤ノズル123は、載置台101のY方向正方向側の外方に設置された待機部127から載置台101上のテンプレートTの上方まで移動でき、さらに当該テンプレートTの表面T上をテンプレートTの辺方向に移動できる。また、第1のアーム121は、ノズル駆動部126によって昇降自在であり、離型剤ノズル123の高さを調整できる。 As shown in FIG. 6, the first arm 121 is movable on the rail 120 by the nozzle driving unit 126. As a result, the release agent nozzle 123 can move from the standby unit 127 installed on the outside in the Y direction positive direction side of the mounting table 101 to above the template T on the mounting table 101, and the surface T of the template T. 1 can be moved in the side direction of the template T. Further, the first arm 121 can be moved up and down by a nozzle driving unit 126, and the height of the release agent nozzle 123 can be adjusted.

第2のアーム122には、テンプレートT上(テンプレートT上の離型剤上)に反応促進剤としてのアルコール、例えばt−ペンチルアルコールを供給する、反応促進剤供給部としてのアルコールノズル130が支持されている。アルコールノズル130は、例えばテンプレートTの一辺寸法と同じかそれよりも長い、X方向に沿った細長形状を有している。そして、アルコールノズル130の吐出口は、スリット状に形成されている。また、アルコールノズル130には、図5に示すようにアルコール供給源131に連通する供給管132が接続されている。なお、反応促進剤であるアルコールは、テンプレートTの表面Tと離型剤Sとの化学反応を促進できる。 The second arm 122 is supported by an alcohol nozzle 130 as a reaction accelerator supply unit that supplies alcohol as a reaction accelerator, for example, t-pentyl alcohol, onto the template T (on the mold release agent on the template T). Has been. The alcohol nozzle 130 has, for example, an elongated shape along the X direction that is equal to or longer than one side dimension of the template T. The discharge port of the alcohol nozzle 130 is formed in a slit shape. The alcohol nozzle 130 is connected to a supply pipe 132 communicating with an alcohol supply source 131 as shown in FIG. The alcohol that is a reaction accelerator can promote the chemical reaction between the surface T 1 of the template T and the release agent S.

図6に示すように第2のアーム122は、ノズル駆動部133により、レール120上を移動自在である。これにより、アルコールノズル130は、載置台101のY方向正方向側の外方に設置された待機部134から載置台101上のテンプレートTの上方まで移動でき、さらに当該テンプレートTの表面T上をテンプレートTの辺方向に移動できる。また、第2のアーム122は、ノズル駆動部133によって昇降自在であり、アルコールノズル130の高さを調整できる。 As shown in FIG. 6, the second arm 122 is movable on the rail 120 by the nozzle driving unit 133. As a result, the alcohol nozzle 130 can move from the standby unit 134 installed on the outside in the Y direction positive direction side of the mounting table 101 to above the template T on the mounting table 101, and further on the surface T 1 of the template T. Can be moved in the side direction of the template T. The second arm 122 can be moved up and down by the nozzle driving unit 133 and the height of the alcohol nozzle 130 can be adjusted.

なお、塗布ユニット32の構成は、上述した塗布ユニット30の構成と同様であるので説明を省略する。   The configuration of the coating unit 32 is the same as the configuration of the coating unit 30 described above, and a description thereof will be omitted.

次に、上述したリンスユニット31、33の構成について説明する。リンスユニット31は、図7に示すように側面にテンプレートTの搬入出口(図示せず)が形成された処理容器140を有している。   Next, the structure of the rinse units 31 and 33 described above will be described. The rinsing unit 31 has a processing container 140 in which a loading / unloading port (not shown) for the template T is formed on the side surface as shown in FIG.

処理容器140内の底面には、テンプレートTを浸漬させる浸漬槽141が設けられている。浸漬槽141内には、テンプレートT上の離型剤をリンスするためのリンス液、例えば有機溶剤が貯留されている。   An immersion tank 141 in which the template T is immersed is provided on the bottom surface in the processing container 140. In the immersion tank 141, a rinse liquid for rinsing the release agent on the template T, for example, an organic solvent is stored.

処理容器140内の天井面であって、浸漬槽141の上方には、テンプレートTを保持する保持部142が設けられている。保持部142は、テンプレートTの裏面Tの外周部を吸着保持するチャック143を有している。テンプレートTは、その表面Tが上方を向くようにチャック143に保持される。チャック143は、昇降機構144により昇降できる。そして、テンプレートTは、保持部142に保持された状態で浸漬槽141に貯留された有機溶剤に浸漬され、当該テンプレートT上の離型剤がリンスされる。 A holding part 142 for holding the template T is provided on the ceiling surface in the processing container 140 and above the immersion tank 141. Holding portion 142, the outer peripheral portion of the rear surface T 2 of the template T has a chuck 143 for holding suction. Template T has a surface T 1 is held on the chuck 143 to face upward. The chuck 143 can be moved up and down by a lifting mechanism 144. And the template T is immersed in the organic solvent stored in the immersion tank 141 in the state hold | maintained at the holding | maintenance part 142, and the mold release agent on the said template T is rinsed.

保持部142は、チャック143に保持されたテンプレートTの上方に設けられた気体供給部145を有している。気体供給部145は、例えば窒素等の不活性ガスや乾燥空気などの気体ガスを下方、すなわちチャック143に保持されたテンプレートTの表面Tに吹き付けることができる。これにより、浸漬層141でリンスされたテンプレートTの表面Tを乾燥させることができる。なお、リンスユニット31には、内部の雰囲気を排気する排気管(図示せず)が接続されている。 The holding unit 142 includes a gas supply unit 145 provided above the template T held by the chuck 143. The gas supply unit 145 can spray an inert gas such as nitrogen or a gas gas such as dry air downward, that is, on the surface T 1 of the template T held by the chuck 143. Thus, it is possible to dry the surface T 1 of the rinsing template T by dipping layer 141. The rinse unit 31 is connected to an exhaust pipe (not shown) for exhausting the internal atmosphere.

なお、リンスユニット33の構成は、上述したリンスユニット31の構成と同様であるので説明を省略する。   The configuration of the rinsing unit 33 is the same as the configuration of the rinsing unit 31 described above, and a description thereof will be omitted.

次に、上述した洗浄ユニット40〜43の構成について説明する。洗浄ユニット40は、図8に示すように側面にテンプレートTの搬入出口(図示せず)が形成された処理容器150を有している。   Next, the structure of the washing | cleaning units 40-43 mentioned above is demonstrated. As shown in FIG. 8, the cleaning unit 40 includes a processing container 150 in which a loading / unloading port (not shown) for the template T is formed on the side surface.

処理容器150内には、テンプレートTを吸着保持するチャック151が設けられている。チャック151は、テンプレートTの表面Tが上方を向くように、その裏面Tを吸着保持する。チャック151の下方には、チャック駆動部152が設けられている。このチャック駆動部152は、処理容器150内の底面に設けられ、Y方向に沿って延伸するレール153上に取付けられている。このチャック駆動部152により、チャック151はレール153に沿って移動できる。 A chuck 151 for attracting and holding the template T is provided in the processing container 150. Chuck 151, the surface T 1 of the template T to face upward, suction-holds the rear surface T 2. A chuck drive unit 152 is provided below the chuck 151. The chuck driving unit 152 is provided on the bottom surface in the processing container 150 and is mounted on a rail 153 extending along the Y direction. The chuck 151 can be moved along the rail 153 by the chuck driving unit 152.

処理容器150内の天井面であって、レール153の上方には、チャック151に保持されたテンプレートTに紫外線を照射する紫外線照射部154が設けられている。紫外線照射部154は、図9に示すようにX方向に延伸している。そして、テンプレートTがレール153に沿って移動中に、紫外線照射部154から当該テンプレートTの表面Tに紫外線を照射することで、テンプレートTの表面T全面に紫外線が照射される。 An ultraviolet irradiation unit 154 for irradiating the template T held by the chuck 151 with ultraviolet rays is provided on the ceiling surface in the processing container 150 and above the rail 153. The ultraviolet irradiation unit 154 extends in the X direction as shown in FIG. Then, while moving the template T along the rail 153, by irradiating ultraviolet from the ultraviolet irradiation unit 154 to the surface T 1 of the said template T, ultraviolet rays are irradiated onto the surface T 1 the entire surface of the template T.

なお、洗浄ユニット41〜43の構成は、上述した洗浄ユニット40の構成と同様であるので説明を省略する。   In addition, since the structure of the washing | cleaning units 41-43 is the same as that of the structure of the washing | cleaning unit 40 mentioned above, description is abbreviate | omitted.

以上のテンプレート処理装置1には、図1に示すように制御部160が設けられている。制御部160は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、テンプレート搬入出ステーション2とテンプレート処理ステーション3との間のテンプレートTの搬送や、テンプレート処理ステーション3における駆動系の動作などを制御して、テンプレート処理装置1における後述するテンプレート処理を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部160にインストールされたものであってもよい。   The template processing apparatus 1 is provided with a control unit 160 as shown in FIG. The control unit 160 is a computer, for example, and has a program storage unit (not shown). The program storage unit controls the transfer of the template T between the template loading / unloading station 2 and the template processing station 3, the operation of the drive system in the template processing station 3, and the like. The program that executes is stored. This program is recorded in a computer-readable storage medium such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnetic optical desk (MO), memory card, or the like. Or installed in the control unit 160 from the storage medium.

本実施の形態にかかるテンプレート処理装置1は以上のように構成されている。次に、そのテンプレート処理装置1で行われるテンプレート処理について説明する。図10は、このテンプレート処理の主な処理フローを示し、図11は、各工程におけるテンプレートTの状態を示している。   The template processing apparatus 1 according to the present embodiment is configured as described above. Next, template processing performed in the template processing apparatus 1 will be described. FIG. 10 shows the main processing flow of this template processing, and FIG. 11 shows the state of the template T in each step.

先ず、テンプレート搬送体12によって、カセット載置台10上のテンプレートカセットCからテンプレートTが取り出され、テンプレート処理ステーション3のトランジションユニット21に搬送される(図10の工程A1)。このとき、テンプレートカセットC内には、テンプレートTは、転写パターンCが形成された表面Tが上方を向くように収容されており、この状態でテンプレートTはトランジションユニット21に搬送される。 First, the template carrier 12, the template T is taken from the template cassette C T on the cassette mounting table 10, (step A1 of FIG. 10) that is being conveyed to the transition unit 21 of the template processing station 3. At this time, in the template cassette C T, the template T, the surface T 1 of the transfer pattern C is formed is accommodated so as to face upward, the template T in this state is conveyed to the transition unit 21.

その後、搬送ユニット20によって、テンプレートTは、洗浄ユニット40に搬送され、チャック151に吸着保持される。続いて、チャック駆動部152によってテンプレートTをレール153に沿って移動させながら、紫外線照射部154から当該テンプレートTに紫外線が照射される。こうして、図11(a)に示すようにテンプレートTの表面T全面に紫外線が照射され、テンプレートTの表面Tの有機汚染物やパーティクル等の不純物が除去され、当該表面Tが洗浄される(図10の工程A2)。 Thereafter, the transport unit 20 transports the template T to the cleaning unit 40 and sucks and holds it on the chuck 151. Subsequently, the template T is irradiated with ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation unit 154 while moving the template T along the rails 153 by the chuck driving unit 152. In this way, as shown in FIG. 11A, the entire surface T 1 of the template T is irradiated with ultraviolet rays, organic contaminants, particles and other impurities on the surface T 1 of the template T are removed, and the surface T 1 is cleaned. (Step A2 in FIG. 10).

その後、搬送ユニット20によって、テンプレートTは、塗布ユニット30に搬送される。塗布ユニット30に搬送されたテンプレートTは、昇降ピン112に受け渡され、載置台101に載置される。その後、離型剤ノズル123をテンプレートTの辺方向に移動させながら、当該離型剤ノズル123からテンプレートT上に離型剤Sを供給する。そして、図11(b)に示すようにテンプレートTの表面T全面に離型剤Sが塗布される(図10の工程A3)。 Thereafter, the template T is transported to the coating unit 30 by the transport unit 20. The template T conveyed to the coating unit 30 is transferred to the elevating pins 112 and placed on the placing table 101. Thereafter, the release agent S is supplied onto the template T from the release agent nozzle 123 while moving the release agent nozzle 123 in the side direction of the template T. Then, the release agent S is applied to the surface T 1 the entire surface of the template T as shown in FIG. 11 (b) (step A3 in FIG. 10).

その後、離型剤ノズル123からの離型剤Sの供給を停止し、当該離型剤ノズル123を待機部127に移動させる。続いて、テンプレートT上の離型剤Sが乾燥する前に、アルコールノズル130をテンプレートTの辺方向に移動させながら、当該アルコールノズル130からテンプレートTの離型剤S上にt−ペンチルアルコールA(以下、単に「アルコールA」という場合がある。)を供給する。そして、図11(c)に示すようにテンプレートTの離型剤S上の全面にアルコールAが塗布される(図10の工程A4)。   Thereafter, the supply of the release agent S from the release agent nozzle 123 is stopped, and the release agent nozzle 123 is moved to the standby unit 127. Subsequently, before the release agent S on the template T is dried, the alcohol nozzle 130 is moved in the side direction of the template T, and the t-pentyl alcohol A is transferred from the alcohol nozzle 130 onto the release agent S of the template T. (Hereinafter, simply referred to as “alcohol A”). And alcohol A is apply | coated to the whole surface on the mold release agent S of the template T, as shown in FIG.11 (c) (process A4 of FIG. 10).

その後、図11(d)に示すように超音波振動子110からテンプレートT上の離型剤Sに超音波振動を付与する(図10の工程A5)。そうすると、テンプレートTの表面Tと離型剤Sとの化学反応が促進され、当該テンプレートTの表面Tと離型剤Sとの密着性が向上する。 Thereafter, as shown in FIG. 11D, ultrasonic vibration is applied from the ultrasonic vibrator 110 to the release agent S on the template T (step A5 in FIG. 10). Then, the chemical reaction between the surface T 1 and the release agent S of the template T is accelerated, adhesion to the surface T 1 and the release agent S of the template T is improved.

なお、超音波振動子110から付与される超音波振動の振動強度が、テンプレート面内で均一でない場合、少なくともテンプレート移動機構102又は振動子移動機構111によって、テンプレートT又は超音波振動子110を相対的に移動させてもよい。かかる場合、超音波振動の振動強度をテンプレート面内で均一にすることができ、テンプレートTの表面Tと離型剤Sとの化学反応をムラなく促進させることができる。 When the vibration intensity of the ultrasonic vibration applied from the ultrasonic vibrator 110 is not uniform in the template plane, the template T or the ultrasonic vibrator 110 is relatively moved by at least the template moving mechanism 102 or the vibrator moving mechanism 111. May be moved. In such a case, the vibration intensity of the ultrasonic vibration can be uniform within the template surface, the chemical reaction between the surface T 1 and the release agent S of the template T can be uniformly accelerated.

ここで、上述したテンプレートT上の離型剤Sに超音波振動を付与した場合の作用と効果について、図12に基づいて詳しく説明する。図12(a)は超音波振動を付与する前のテンプレートTの表面Tの状態を示し、図12(b)〜(d)は超音波振動を付与中のテンプレートTの表面Tの状態を示している。 Here, the action and effect when the ultrasonic vibration is applied to the release agent S on the template T described above will be described in detail with reference to FIG. 12 (a) is shown the state of the surface T 1 of the previous template T for imparting ultrasonic vibrations, FIG. 12 (b) ~ (d) is a surface T 1 of the template T in applying ultrasonic vibration state Is shown.

図12に示すようにテンプレートTの表面Tには、水酸基(OH基)が形成されている。また、シランカップリング剤である離型剤Sの離型剤分子は、2つの官能基を有している。すなわち、一の官能基であるOR基は、テンプレートTの表面Tと結合される。また、隣り合う離型剤分子のOR基同士も結合される。なお、Rはアルキル基であって、例えばCHである。一方、他の官能基Sで(図12中の斜線部分)は、離型機能を発揮する官能基であって、フッ化物成分を有している。 As shown in FIG. 12, a hydroxyl group (OH group) is formed on the surface T 1 of the template T. Further, the release agent molecule of the release agent S that is a silane coupling agent has two functional groups. That is, the OR group that is one functional group is bonded to the surface T 1 of the template T. Further, OR groups of adjacent release agent molecules are also bonded to each other. R is an alkyl group, for example, CH 3 . On the other hand, with other functional groups S G (shaded portions in FIG. 12) is a functional group that exhibits the release function, a fluoride component.

そして、図12(a)に示すように、テンプレートTの表面T上に離型剤SとアルコールAが供給されても、離型剤Sの官能基Sには原子が密に配置されているため、アルコールAが離型剤SとテンプレートTの表面Tとの間に進入するのに時間がかかる。 As shown in FIG. 12A, even when the release agent S and the alcohol A are supplied onto the surface T 1 of the template T, atoms are densely arranged in the functional group S G of the release agent S. Therefore, it takes time for the alcohol A to enter between the release agent S and the surface T 1 of the template T.

そこで、超音波振動子110からテンプレートT上の離型剤Sに超音波振動を付与する。この超音波振動は、疎密波であって、テンプレートTの表面Tに垂直な方向、すなわち離型剤Sの厚み方向に進行する。そうすると、この超音波振動によって、図12(b)〜(d)に示すように離型剤Sの官能基Sが鉛直方向に振動する。そして、図12(b)に示すように官能基Sが萎縮すると、アルコールAが下方に移動する。次に、図12(c)に示すように官能基Sが伸長すると、官能基Sの原子が疎になるので、当該官能基SにアルコールAが浸透する。そして、図12(d)に示すように官能基Sが再び萎縮すると、アルコールAがさらに下方に移動して、当該アルコールAの一部が離型剤SとテンプレートTの表面Tとの間に進入する。このようにテンプレートT上の離型剤Sに超音波振動を付与すると、アルコールAを移動させ易くなる。 Therefore, ultrasonic vibration is applied from the ultrasonic vibrator 110 to the release agent S on the template T. The ultrasonic vibration is a compressional wave, the direction perpendicular to the surface T 1 of the template T, i.e. traveling in the thickness direction of the release agent S. Then, the by ultrasonic vibration, the functional group S G of release agent S as shown in FIG. 12 (b) ~ (d) vibrates in the vertical direction. Then, the functional group S G as shown in FIG. 12 (b) when atrophy, alcohol A is moved downward. Next, as shown in FIG. 12C, when the functional group S G is elongated, the atoms of the functional group S G become sparse, and the alcohol A permeates the functional group S G. When the functional group S G as shown in FIG. 12 (d) to atrophy again to move further down the alcohol A, part of the alcohol A is the surface T 1 of the release agent S and the template T Enter in between. When ultrasonic vibration is applied to the release agent S on the template T in this way, the alcohol A is easily moved.

アルコールAが離型剤SとテンプレートTの表面Tとの間に進入すると、離型剤Sの離型剤分子が加水分解される。そして、図13に示すようにテンプレートTの表面Tと離型剤分子が脱水縮合により結合される。また、隣接する離型剤分子同士が脱水縮合により結合する。こうして、図14に示すようにテンプレートTの表面Tと離型剤Sとの化学反応が促進され、当該テンプレートTの表面Tと離型剤Sとの密着性が向上する。 When the alcohol A enters between the surface T 1 of the release agent S and the template T, releasing agent molecules of the release agent S is hydrolyzed. Then, the surface T 1 and a release agent molecules of the template T is bonded by dehydration condensation as shown in FIG. 13. Adjacent release agent molecules are bonded by dehydration condensation. Thus, the accelerated chemical reaction between the surface T 1 and the release agent S of the template T as shown in FIG. 14, the adhesion between the surface T 1 and the release agent S of the template T is improved.

なお、塗布ユニット30において、このようにンプレートTの表面Tと離型剤Sとの密着させた後、テンプレートT上の離型剤Sに対して例えば窒素等の不活性ガスや乾燥空気などの気体ガスを吹き付けて、当該離型剤Sを乾燥させてもよい。 Incidentally, in the coating unit 30, thus after the close contact between the surface T 1 and the release agent S of Plates T, inert gas or dry air such as nitrogen, for example with respect to the release agent S on the template T The release agent S may be dried by spraying a gas gas such as.

その後、搬送ユニット20によって、テンプレートTはリンスユニット31に搬送され、保持部142に保持される。続いて、保持部142を下降させ、テンプレートTを浸漬槽141に貯留された有機溶剤に浸漬させる。所定時間経過すると、離型剤Sの未反応部のみ、すなわち離型剤SがテンプレートTの表面Tと化学反応して当該表面Tと密着する部分以外のみが剥離する。このとき、上述の工程A5においてテンプレートTの表面Tに離型剤Sが密着しているので、テンプレートTの表面Tから所定の距離の離型剤Sが剥離することはない。こうして、図11(e)に示すようにテンプレートT上に転写パターンCに沿った離型膜Sが所定の膜厚で成膜される(図10の工程A6)。その後、保持部142を上昇させ、気体供給部145から気体ガスをテンプレートTに吹き付け、その表面Tを乾燥させる。 Thereafter, the template T is transported to the rinse unit 31 by the transport unit 20 and held by the holding unit 142. Subsequently, the holding unit 142 is lowered, and the template T is immersed in the organic solvent stored in the immersion tank 141. When a predetermined time elapses, only the unreacted part of the release agent S, that is, only the part other than the part where the release agent S chemically reacts with the surface T 1 of the template T and adheres to the surface T 1 is peeled off. At this time, since the release agent S on the surface T 1 of the template T in the above-described step A5 are in close contact, the release agent S distance from the surface T 1 of the predetermined template T it will not be peeled off. Thus, release film S F along the transfer pattern C on the template T is deposited in a predetermined thickness as shown in FIG. 11 (e) (step A6 in FIG. 10). Then, raise the holding portion 142 blows air gas to the template T from the gas supply unit 145, drying the surface T 1.

その後、搬送ユニット20によって、テンプレートTはトランジションユニット21に搬送され、テンプレート搬送体12によってテンプレートカセットCに戻される(図10の工程A7)。こうしてテンプレート処理装置1における一連のテンプレート処理が終了し、テンプレートTの表面Tに、転写パターンCの形状に沿った離型剤Sが所定の膜厚で成膜される。 Thereafter, the transport unit 20, the template T is carried to the transition unit 21 and returned to the template cassette C T by the template carrier 12 (step A7 in FIG. 10). Thus a series of template processing in template processing apparatus 1 is completed, the surface T 1 of the template T, the release agent S along the shape of the transfer pattern C is formed in a predetermined thickness.

以上の実施の形態によれば、工程A5において、超音波振動子110からテンプレートT上の離型剤Sに超音波振動が付与されるので、離型剤Sの官能基Sが振動し、アルコールAが離型剤SとテンプレートTの表面Tとの間に進入する。そうすると、アルコールAによって離型剤分子の加水分解が促進され、加水分解された離型剤分子とテンプレートTの表面Tの水酸基が脱水縮合により結合される。したがって、テンプレートTの表面Tと離型剤Sとの化学反応が促進され、当該テンプレートTの表面Tと離型剤Sとの密着性が向上する。すなわち、テンプレートTの表面Tに離型剤Sを短時間で密着させることができる。これによって、工程A1〜工程A7のテンプレート処理のスループットを向上させることができる。 According to the above embodiment, in step A5, since the ultrasonic vibration to the release agent S on the template T from the ultrasonic transducer 110 is applied, the functional group S G of the release agent S is vibrated, Alcohol A enters between the release agent S and the surface T 1 of the template T. Then, hydrolysis of the release agent molecules by an alcohol A is promoted, the hydroxyl group of the surface T 1 of the hydrolyzed releasing agent molecule and the template T are coupled by dehydration condensation. Therefore, the chemical reaction between the surface T 1 of the template T and the release agent S is promoted, and the adhesion between the surface T 1 of the template T and the release agent S is improved. In other words, it can be brought into close contact with the surface T 1 of the template T of the release agent S in a short time. Thereby, the throughput of the template process of process A1-process A7 can be improved.

また、テンプレートTには石英ガラスが用いられ、アモルファス状態である。このため、テンプレートTの表面Tの水酸基は、不規則な位置に配置され、また不規則な方向を向いおり、離型剤Sと反応し難い。本実施の形態によれば、テンプレートT上の離型剤Sに超音波振動を付与することによって離型剤Sが振動するので、従来結合し難かった結合も促進される。したがって、テンプレートTの表面Tと離型剤Sをより短時間で結合できると共に、その結合をより強固にすることができる。 The template T is made of quartz glass and is in an amorphous state. Therefore, the hydroxyl groups of the surface T 1 of the template T is disposed in irregular positions, also are oriented random directions, it is difficult to react with the release agent S. According to the present embodiment, since the release agent S vibrates by applying ultrasonic vibration to the release agent S on the template T, the binding that has been difficult to combine conventionally is also promoted. Accordingly, with the surface T 1 and the release agent S of the template T capable of binding in a shorter time, it can be further strengthened the bond.

また、超音波振動子110からテンプレートTへの超音波振動は、離型剤Sの厚み方向(鉛直方向)に振動するので、離型剤Sの官能基Sも厚み方向に振動する。すなわち、官能基Sの振動方向とアルコールAの移動方向が一致している。したがって、アルコールAの移動を効率よく行うことができる。なお、超音波振動を離型剤Sの厚み方向以外の方向から付与しても、離型剤Sを振動させることができるので、従来よりもテンプレートTの表面Tと離型剤Sの化学反応を促進できる。本実施の形態は、その中でも、最も効率よくアルコールAを移動させて化学反応を促進できる。 Further, ultrasonic vibration from the ultrasonic transducer 110 to the template T Since the vibration in the thickness direction (vertical direction) of the release agent S, also vibrates in the thickness direction function S G of the release agent S. That is, the moving direction of the vibration direction and alcohol A functional group S G match. Therefore, the movement of the alcohol A can be performed efficiently. Even by applying ultrasonic vibration from a direction other than the thickness direction of the release agent S, it is possible to vibrate the mold release agent S, the chemical surface T 1 and the release agent S of the template T than conventional The reaction can be promoted. Among these, this embodiment can promote the chemical reaction by moving the alcohol A most efficiently.

また、発明者らが鋭意検討した結果、反応促進剤としてアルコールを用いると、テンプレートTの表面Tと離型剤Sとの化学反応を促進できることが分かった。すなわち、本実施の形態のように離型剤S上にアルコールAを供給すると、離型剤分子の加水分解が効率よく行われることが分かった。したがって、テンプレートTの表面Tに離型剤Sをより短時間で密着させることができる。 As a result of inventors studied intensively, the use of alcohol as a reaction accelerator, it has been found that can facilitate the chemical reaction between the surface T 1 and the release agent S of the template T. That is, it was found that when alcohol A is supplied onto the release agent S as in the present embodiment, the release agent molecules are efficiently hydrolyzed. Therefore, it is possible to close contact with the surface T 1 of the template T of the release agent S in a shorter time.

なお、本実施の形態では、離型剤分子の加水分解にアルコールAを用いたが、塗布ユニット30内の雰囲気に含まれる水分子を用いてもよい。かかる場合、アルコールAを用いるよりも、テンプレートTの表面Tと離型剤Sとの化学反応に時間がかかるが、アルコールAを供給するための機構(アルコールノズル130等)を省略することができ、装置構成を簡略化することができる。 In the present embodiment, alcohol A is used for hydrolysis of the release agent molecules, but water molecules contained in the atmosphere in the coating unit 30 may be used. In such a case, the chemical reaction between the surface T 1 of the template T and the release agent S takes longer than using the alcohol A, but a mechanism for supplying the alcohol A (the alcohol nozzle 130 or the like) may be omitted. It is possible to simplify the apparatus configuration.

以上の実施の形態では、塗布ユニット30において、超音波振動はテンプレートTの下方から付与されていたが、テンプレートTの上方から付与されてもよい。例えば図15に示すように超音波振動子110は、処理容器100の天井面であって、載置台101に載置されたテンプレートTに対向する位置に設けられる。また、処理容器100の天井面には、超音波振動子110を水平方向に移動させる振動子移動機構111も設けられる。かかる場合においても、超音波振動をテンプレートTの表面Tに垂直な方向、すなわち離型剤Sの厚み方向に付与できるので、離型剤Sを振動させて、テンプレートTの表面Tと離型剤Sの化学反応を促進できる。 In the above embodiment, the ultrasonic vibration is applied from the lower side of the template T in the coating unit 30, but may be applied from the upper side of the template T. For example, as shown in FIG. 15, the ultrasonic transducer 110 is provided on the ceiling surface of the processing container 100 at a position facing the template T mounted on the mounting table 101. In addition, a transducer moving mechanism 111 that moves the ultrasonic transducer 110 in the horizontal direction is also provided on the ceiling surface of the processing container 100. In such a case, the direction perpendicular to the surface T 1 of the ultrasonic vibration template T, that is, can be applied in the thickness direction of the release agent S, the release agent S is vibrated, the surface T 1 and the release of the template T The chemical reaction of the mold S can be promoted.

以上の実施の形態では、塗布ユニット30において、テンプレートTの離型剤S上にアルコールAを供給していたが、アルコールAと、離型剤Sの溶剤として例えば有機溶剤との混合液を供給してもよい。例えば図16に示すように第2のアーム122には、アルコールノズル130に代えて、混合液ノズル200が支持される。混合液ノズル200には、アルコール供給源131に連通する供給管132に加えて、有機溶剤供給源201に連通する供給管202が接続されている。   In the above embodiment, the alcohol A is supplied onto the mold release agent S of the template T in the coating unit 30, but a mixed liquid of, for example, an organic solvent is supplied as the solvent of the alcohol A and the mold release agent S. May be. For example, as shown in FIG. 16, a mixed solution nozzle 200 is supported on the second arm 122 instead of the alcohol nozzle 130. In addition to the supply pipe 132 communicating with the alcohol supply source 131, a supply pipe 202 communicating with the organic solvent supply source 201 is connected to the mixed solution nozzle 200.

かかる場合、工程A4において、アルコール供給源131から供給されたアルコールAと有機溶剤供給源201から供給された有機溶剤は、混合液ノズル200において混合される。そして、混合液ノズル200からテンプレートTの離型剤S上に混合液が供給される。この離型剤S上に供給される混合液には有機溶剤が含まれているので、当該混合液が離型剤S上で拡散し易くなる。そうすると、アルコールAを離型剤S上でより均一に塗布することができ、離型剤分子の加水分解を適切に行うことができる。したがって、テンプレートTの表面Tと離型剤Sの化学反応を促進できる。 In such a case, in step A <b> 4, the alcohol A supplied from the alcohol supply source 131 and the organic solvent supplied from the organic solvent supply source 201 are mixed in the mixed solution nozzle 200. Then, the liquid mixture is supplied onto the mold release agent S of the template T from the liquid mixture nozzle 200. Since the liquid mixture supplied onto the release agent S contains an organic solvent, the liquid mixture easily diffuses on the release agent S. If it does so, alcohol A can be more uniformly apply | coated on the mold release agent S, and a release agent molecule | numerator can be hydrolyzed appropriately. Therefore, the chemical reaction between the surface T 1 of the template T and the release agent S can be promoted.

ここで、上記実施の形態の工程A4では、テンプレートT上の離型剤Sが乾燥する前に当該離型剤S上にアルコールAを塗布していたが、アルコールAを塗布する前に離型剤Sが乾燥する場合もある。かかる場合、アルコールAが離型剤S上を拡散し難くなる。これに対して、アルコールAと有機溶剤の混合液は離型剤S上を拡散し易いので、離型剤Sが乾燥していても本実施の形態を適用することができる。   Here, in step A4 of the above embodiment, alcohol A was applied on mold release agent S before mold release agent S on template T was dried, but mold release was performed before alcohol A was applied. The agent S may be dried. In such a case, it becomes difficult for the alcohol A to diffuse on the release agent S. On the other hand, since the mixture of alcohol A and organic solvent easily diffuses on the release agent S, the present embodiment can be applied even if the release agent S is dry.

なお、本実施の形態では、混合液ノズル200においてアルコールAと有機溶剤を混合していたが、アルコールAと有機溶剤の混合方法はこれに限定されない。例えばアルコールAと有機溶剤を混合して貯留する混合液供給源(図示せず)から混合液ノズル200に混合液を供給してもよい。   In the present embodiment, the alcohol A and the organic solvent are mixed in the mixed solution nozzle 200, but the mixing method of the alcohol A and the organic solvent is not limited to this. For example, the mixed solution may be supplied to the mixed solution nozzle 200 from a mixed solution supply source (not shown) that mixes and stores the alcohol A and the organic solvent.

以上の実施の形態の塗布ユニット30において、図17に示すように載置台101の上方に、離型剤S及びアルコールAをテンプレートT上で拡散させるための支持板210を配置してもよい。支持板210は、例えば平板形状を有している。支持板210は、載置台101上のテンプレートTに対向し、当該テンプレートTの表面Tとの距離が所定の距離、例えば1mm以内となる位置に配置されている。また、支持板210は、テンプレートTの表面T全面を覆うように配置されている。なお、支持板210は移動機構(図示せず)によって処理容器100内を移動可能になっている。 In the coating unit 30 of the above embodiment, a support plate 210 for diffusing the release agent S and alcohol A on the template T may be disposed above the mounting table 101 as shown in FIG. The support plate 210 has, for example, a flat plate shape. Support plate 210 is opposed to the template T on the table 101, the distance between the surface T 1 of the said template T is located at a predetermined distance, for example within 1mm position. The support plate 210 is disposed so as to cover the surface T 1 the entire surface of the template T. The support plate 210 can be moved in the processing container 100 by a moving mechanism (not shown).

第1のアーム121には、離型剤ノズル123に代えて、下端部の供給口211aが斜め下方に向くように配置された離型剤ノズル211が支持されている。離型剤ノズル211の供給口211aは、例えば円形状であってもよいし、スリット状であってもよい。同様に、第2のアーム122にも、アルコールノズル130に代えて、下端部の供給口212aが斜め下方に向くように配置されたアルコールノズル212が支持されている。アルコールノズル212の供給口212aは、例えば円形状であってもよいし、スリット状であってもよい。   Instead of the release agent nozzle 123, the first arm 121 supports a release agent nozzle 211 that is arranged so that the supply port 211 a at the lower end portion faces obliquely downward. The supply port 211a of the release agent nozzle 211 may be, for example, a circular shape or a slit shape. Similarly, instead of the alcohol nozzle 130, the second arm 122 also supports an alcohol nozzle 212 arranged so that the supply port 212 a at the lower end portion faces obliquely downward. The supply port 212a of the alcohol nozzle 212 may have a circular shape or a slit shape, for example.

かかる場合、工程A3において、離型剤ノズル211からテンプレートTの表面Tの端部と支持板210の端部との間に離型剤Sを供給する。供給された離型剤Sは、毛細管現象(表面張力)によってテンプレートTの表面Tと支持板210との間を拡散する。その後、工程A4において、アルコールノズル212からテンプレートTの表面Tの端部と支持板210の端部との間にアルコールAを供給する。供給されたアルコールAは、毛細管現象(表面張力)によってテンプレートTの離型剤Sと支持板210との間を拡散する。 In such a case, in step A <b> 3, the release agent S is supplied from the release agent nozzle 211 between the end of the surface T <b> 1 of the template T and the end of the support plate 210. Supplied release agent S is diffused between the surface T 1 and the support plate 210 of the template T by capillarity (surface tension). Thereafter, in step A4, for supplying alcohol A between the end portion of the support plate 210 from the alcohol nozzle 212 and the end portion of the surface T 1 of the template T. The supplied alcohol A diffuses between the release agent S of the template T and the support plate 210 by capillary action (surface tension).

本実施の形態によれば、離型剤S及びアルコールAがテンプレートT上を拡散し易くなるので、離型剤S及びアルコールAをテンプレートT上でより均一に塗布することができ、テンプレートTの表面Tと離型剤Sの化学反応を促進できる。また、アルコールAが離型剤S上を拡散し易いので、離型剤Sが乾燥していても本実施の形態を適用することができる。 According to the present embodiment, the release agent S and the alcohol A can easily diffuse on the template T, so that the release agent S and the alcohol A can be more uniformly applied on the template T. The chemical reaction between the surface T 1 and the release agent S can be promoted. In addition, since the alcohol A easily diffuses on the release agent S, the present embodiment can be applied even if the release agent S is dry.

なお、以上の実施の形態では、支持板210は平板形状を有していたが、メッシュ形状を有していてもよい。かかる場合でも、離型剤S及びアルコールAを表面張力によってテンプレートTの表面Tを拡散させることができる。また、かかる場合、支持板210の上方から離型剤S及びアルコールAを供給することもできる。 In the above embodiment, the support plate 210 has a flat plate shape, but may have a mesh shape. Even in such a case, the surface T 1 of the template T can be diffused by the surface tension of the release agent S and the alcohol A. In such a case, the release agent S and the alcohol A can also be supplied from above the support plate 210.

以上の実施の形態の工程A3及び工程A4において、離型剤S及びアルコールAをテンプレートTの表面Tで拡散させるため、テンプレートTを移動させてもよい。例えば工程A3において、テンプレートT上に離型剤Sを供給した後、テンプレートTの表面T全面に離型剤Sが拡散していないような場合には、テンプレート移動機構120によってテンプレートTを移動させて、離型剤Sを拡散させることができる。同様に工程A4においても、テンプレート移動機構120によってテンプレートTを移動させて、アルコールAをテンプレートTの離型剤S上で拡散させることができる。 In Step A3 and Step A4 of the above embodiment, for diffusing the release agent S and alcohols A in the surface T 1 of the template T, it may be moved template T. In example step A3 movement, after supplying the release agent S on the template T, if the surface T 1 the entire surface release agent S of the template T is such not diffused by the template moving mechanism 120 templates T Thus, the release agent S can be diffused. Similarly, also in step A4, the template T is moved by the template moving mechanism 120, and the alcohol A can be diffused on the release agent S of the template T.

また、工程A3及び工程A4において、離型剤S及びアルコールAをテンプレートTの表面Tで拡散させるため、テンプレートTを回転させてもよい。かかる場合、例えば図18に示すように塗布ユニット30の処理容器100内には、上記実施の形態の載置台101に代えて、テンプレートTを保持して回転させる保持部材220が設けられている。保持部材220の中央部分は下方に窪み、テンプレートTを収容する収容部221が形成されている。収容部221の下部には、テンプレートTの外形より小さい溝部221aが形成されている。したがって、収容部221内では、溝部221aによってテンプレートTの下面内周部は保持部材220と接しておらず、テンプレートTの下面外周部のみが保持部材220に支持されている。収容部221は、図19に示すようにテンプレートTの外形に適合した略四角形の平面形状を有している。収容部221には、側面から内側に突出した突出部222が複数形成され、この突出部222により、収容部221に収容されるテンプレートTの位置決めがされる。また、搬送ユニット20の搬送アームから収容部221にテンプレートTを受け渡す際に、当該搬送アームが収容部221と干渉するのを避けるため、収容部221の外周には、切欠き部223が4箇所に形成されている。 In the step A3 and Step A4, for diffusing the release agent S and alcohols A in the surface T 1 of the template T, it may be the template T is rotated. In this case, for example, as shown in FIG. 18, a holding member 220 that holds and rotates the template T is provided in the processing container 100 of the coating unit 30 instead of the mounting table 101 of the above embodiment. A central portion of the holding member 220 is depressed downward, and an accommodating portion 221 for accommodating the template T is formed. A groove portion 221 a smaller than the outer shape of the template T is formed in the lower portion of the housing portion 221. Therefore, in the accommodating part 221, the inner peripheral part of the lower surface of the template T is not in contact with the holding member 220 by the groove part 221a, and only the outer peripheral part of the lower surface of the template T is supported by the holding member 220. As shown in FIG. 19, the accommodating portion 221 has a substantially rectangular planar shape that conforms to the outer shape of the template T. A plurality of projecting portions 222 projecting inward from the side surface are formed in the housing portion 221, and the template T housed in the housing portion 221 is positioned by the projecting portion 222. Further, when the template T is transferred from the transport arm of the transport unit 20 to the storage unit 221, there are four notches 223 on the outer periphery of the storage unit 221 in order to prevent the transport arm from interfering with the storage unit 221. It is formed in the place.

保持部材220は、図18に示すようにカバー体224に取り付けられ、保持部材220の下方には、シャフト225を介して回転駆動部226が設けられている。この回転駆動部226により、保持部材220は鉛直周りに所定の速度で回転でき、且つ昇降できる。   As shown in FIG. 18, the holding member 220 is attached to the cover body 224, and a rotation driving unit 226 is provided below the holding member 220 via a shaft 225. By this rotation drive unit 226, the holding member 220 can rotate at a predetermined speed around the vertical and can move up and down.

保持部材220の周囲には、テンプレートTから飛散又は落下する離型剤を受け止め、回収するカップ230が設けられている。カップ230の下面には、回収した離型剤を排出する排出管231と、カップ230内の雰囲気を排気する排気管232が接続されている。   Around the holding member 220, there is provided a cup 230 that receives and collects the release agent scattered or dropped from the template T. A discharge pipe 231 for discharging the collected release agent and an exhaust pipe 232 for exhausting the atmosphere in the cup 230 are connected to the lower surface of the cup 230.

第1のアーム121には、離型剤ノズル123に代えて、吐出口の形状が円形状の離型剤ノズル240が支持されている。同様に第2のアーム121には、アルコールノズル130に代えて、吐出口の形状が円形状のアルコールノズル241を有している。   Instead of the release agent nozzle 123, a release agent nozzle 240 having a circular discharge port shape is supported on the first arm 121. Similarly, the second arm 121 has an alcohol nozzle 241 having a circular discharge port instead of the alcohol nozzle 130.

処理容器100の天井面であって、保持部材220に保持されたテンプレートTに対向する位置には、超音波振動子110が設けられている。また、処理容器100の天井面には、超音波振動子110を水平方向させる振動子移動機構111も設けられている。なお、本実施の形態では、超音波振動子110と振動子移動機構111は、テンプレートTの上方に設けられているが、当該テンプレートTの下方に設けてもよい。例えばこれら超音波振動子110と振動子移動機構111を、溝部221a内に配置してもよい。   An ultrasonic transducer 110 is provided on the ceiling surface of the processing container 100 at a position facing the template T held by the holding member 220. Further, a transducer moving mechanism 111 that horizontally moves the ultrasonic transducer 110 is also provided on the ceiling surface of the processing container 100. In the present embodiment, the ultrasonic transducer 110 and the transducer moving mechanism 111 are provided above the template T, but may be provided below the template T. For example, the ultrasonic transducer 110 and the transducer moving mechanism 111 may be arranged in the groove 221a.

かかる場合、工程A3において、塗布ユニット30に搬送されたテンプレートTは、保持部材220に受け渡される。続いて、離型剤ノズル240をテンプレートTの中心部上方まで移動させると共に、テンプレートTを回転させる。そして、離型剤ノズル240から回転中のテンプレートT上に離型剤Sを供給し、遠心力により離型剤SをテンプレートT上で拡散させる。   In such a case, the template T conveyed to the coating unit 30 is transferred to the holding member 220 in step A3. Subsequently, the release agent nozzle 240 is moved to above the center of the template T and the template T is rotated. Then, the release agent S is supplied from the release agent nozzle 240 onto the rotating template T, and the release agent S is diffused on the template T by centrifugal force.

その後、工程A4において、アルコールノズル241をテンプレートTの中心部上方まで移動させると共に、引き続きテンプレートTを回転させる。そして、アルコールノズル241から回転中のテンプレートT上にアルコールAを供給し、遠心力によりアルコールAをテンプレートT上で拡散させる。   Thereafter, in step A4, the alcohol nozzle 241 is moved to above the center of the template T, and the template T is continuously rotated. Then, the alcohol A is supplied from the alcohol nozzle 241 onto the rotating template T, and the alcohol A is diffused on the template T by centrifugal force.

本実施の形態においても、離型剤S及びアルコールAをテンプレートT上でより均一に塗布することができ、テンプレートTの表面Tと離型剤Sの化学反応を促進できる。 Also in the present embodiment, the release agent S and the alcohol A can be more uniformly applied on the template T, and the chemical reaction between the surface T 1 of the template T and the release agent S can be promoted.

以上の実施の形態の塗布ユニット30では、離型剤ノズル123、211、240からテンプレートT上に離型剤Sが供給されていたが、例えば離型剤Sが貯留された浸漬槽にテンプレートTを浸漬させて、テンプレートT上に離型剤Sを塗布してもよい。   In the coating unit 30 of the above embodiment, the release agent S is supplied from the release agent nozzles 123, 211, and 240 onto the template T. For example, the template T is placed in the immersion tank in which the release agent S is stored. The mold release agent S may be applied on the template T.

以上の実施の形態では、塗布ユニット30において、テンプレートTの離型剤S上には液体状のアルコールAを供給していたが、離型剤S上に気化したアルコールAを供給してもよい。かかる場合、工程A4において、処理容器100内に気化したアルコールAが供給され、当該処理容器100内の雰囲気がアルコール雰囲気にされる。また、工程A4において、処理容器100内をアルコール雰囲気にしつつ、アルコールノズル130から離型剤S上に液体状のアルコールAを供給してもよい。   In the above embodiment, the liquid alcohol A is supplied onto the release agent S of the template T in the coating unit 30, but the vaporized alcohol A may be supplied onto the release agent S. . In such a case, in step A4, the vaporized alcohol A is supplied into the processing container 100, and the atmosphere in the processing container 100 is changed to an alcohol atmosphere. Further, in step A4, the liquid alcohol A may be supplied from the alcohol nozzle 130 onto the release agent S while the inside of the processing container 100 is in an alcohol atmosphere.

以上の実施の形態では、塗布ユニット30において、テンプレートTの表面Tに液体状の離型剤Sを供給していたが、テンプレートTの表面Tに気化した離型剤ガスを蒸着させてもよい。かかる場合、テンプレート処理装置1の第1の処理ブロックG1には、図2に示した塗布ユニット30とリンスユニット31に代えて、後述する塗布ユニット250が配置される。同様に、第2の処理ブロックG2にも、塗布ユニット32とリンスユニット33に代えて、塗布ユニット250が配置される。 In the above embodiment, the coating unit 30, but the surface T 1 of the template T has been supplied a liquid release agent S, the vaporized release agent gas to the surface T 1 of the template T by depositing Also good. In such a case, in the first processing block G1 of the template processing apparatus 1, a coating unit 250, which will be described later, is arranged instead of the coating unit 30 and the rinsing unit 31 shown in FIG. Similarly, in the second processing block G2, a coating unit 250 is disposed instead of the coating unit 32 and the rinse unit 33.

塗布ユニット250は、図20に示すようにテンプレートTが載置される載置台260と、当該載置台260の上方に設けられた蓋体261とを有している。蓋体261は、例えば昇降機構(図示せず)によって鉛直方向に移動自在に構成されている。また、蓋体261の下面は開口している。そして、蓋体261と載置台260とが一体となって、密閉された処理空間Kを形成できるようになっている。   As shown in FIG. 20, the application unit 250 includes a mounting table 260 on which the template T is mounted, and a lid 261 provided above the mounting table 260. The lid 261 is configured to be movable in the vertical direction by, for example, an elevating mechanism (not shown). Further, the lower surface of the lid 261 is open. The lid 261 and the mounting table 260 are integrated to form a sealed processing space K.

載置台260には、テンプレートTの表面Tが上方を向くように当該テンプレートTが載置される。載置台260の上面には、テンプレートTの温度を制御する温度制御板270が設けられている。温度制御板270は、例えばペルチェ素子などを内蔵し、テンプレートTを所定の温度に調節できる。載置台260内には、テンプレートTを下方から支持し昇降させるための昇降ピン271が設けられている。昇降ピン271は、昇降駆動部272により上下動できる。載置台260の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔273が形成されおり、昇降ピン271は、貫通孔273を挿通するようになっている。 The mounting table 260, the surface T 1 of the template T the template T is placed to face upward. A temperature control plate 270 that controls the temperature of the template T is provided on the upper surface of the mounting table 260. The temperature control plate 270 includes a Peltier element, for example, and can adjust the template T to a predetermined temperature. In the mounting table 260, lifting pins 271 for supporting the template T from below and lifting it are provided. The elevating pin 271 can be moved up and down by an elevating drive unit 272. A through hole 273 that penetrates the upper surface in the thickness direction is formed on the upper surface of the mounting table 260, and the elevating pin 271 is inserted through the through hole 273.

蓋体261の天井面であって、載置台260上に載置されたテンプレートTに対向する位置には、テンプレートT上の離型剤Sに超音波振動を付与する超音波振動子280と、当該超音波振動子280を水平方向に移動させる振動子移動機構281が設けられている。これら超音波振動子280と振動子移動機構281は、上記実施の形態の超音波振動子110と振動子移動機構111と同様であるので説明を省略する。なお、本実施の形態では、超音波振動子280と振動子移動機構281は、テンプレートTの上方に設けられているが、当該テンプレートTの下方に設けてもよい。例えばこれら超音波振動子280と振動子移動機構281を、載置台260の上面に配置してもよい。   An ultrasonic vibrator 280 for applying ultrasonic vibrations to the release agent S on the template T at a position on the ceiling surface of the lid 261 facing the template T placed on the placing table 260; A transducer moving mechanism 281 that moves the ultrasonic transducer 280 in the horizontal direction is provided. Since the ultrasonic transducer 280 and the transducer moving mechanism 281 are the same as the ultrasonic transducer 110 and the transducer moving mechanism 111 in the above embodiment, the description thereof is omitted. In the present embodiment, the ultrasonic transducer 280 and the transducer moving mechanism 281 are provided above the template T, but may be provided below the template T. For example, the ultrasonic transducer 280 and the transducer moving mechanism 281 may be disposed on the upper surface of the mounting table 260.

また、蓋体261の天井面には、テンプレートT上に離型剤ガスと水蒸気を供給するガス供給管290が設けられている。ガス供給管290には、離型剤ガスを供給する離型剤供給源291と、水蒸気を供給する水蒸気供給源292が接続されている。また、ガス供給管290には、離型剤供給源291から供給される離型剤ガスと、水蒸気供給源292から供給される水蒸気の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群293が設けられている。なお、本実施の形態では、ガス供給管290がシランカップリング剤供給部として機能している。   Further, a gas supply pipe 290 for supplying a release agent gas and water vapor on the template T is provided on the ceiling surface of the lid 261. The gas supply pipe 290 is connected to a release agent supply source 291 that supplies a release agent gas and a water vapor supply source 292 that supplies water vapor. Further, the gas supply pipe 290 includes a supply device group including a release agent gas supplied from the release agent supply source 291, a valve for controlling the flow of water vapor supplied from the water vapor supply source 292, a flow rate adjusting unit, and the like. 293 is provided. In the present embodiment, the gas supply pipe 290 functions as a silane coupling agent supply unit.

離型剤供給源291は、内部に液体状の離型剤Sを貯留している。また、離型剤供給源291には、当該離型剤供給源291内に窒素ガスを供給するガス供給管(図示せず)が接続されている。離型剤供給源291では、内部に窒素ガスが供給されることで液体状の離型剤Sが気化して、離型剤ガスが生成される。この離型剤ガスは、前記窒素ガスをキャリアガスとしてガス供給管290に供給さる。   The release agent supply source 291 stores a liquid release agent S therein. The release agent supply source 291 is connected to a gas supply pipe (not shown) that supplies nitrogen gas into the release agent supply source 291. In the release agent supply source 291, the liquid release agent S is vaporized by supplying nitrogen gas therein, and the release agent gas is generated. The release agent gas is supplied to the gas supply pipe 290 using the nitrogen gas as a carrier gas.

水蒸気供給源292は、例えば内部に液体状の水を貯留している。そして、例えばこの液体状の水を加熱して気化させて、水蒸気が生成される。   For example, the water vapor supply source 292 stores liquid water therein. Then, for example, the liquid water is heated and vaporized to generate water vapor.

蓋体261の側面には、処理空間Kの雰囲気を排気する排気管294が接続されている。排気管294には、処理空間Kの雰囲気を真空引きする排気ポンプ295が接続されている。   An exhaust pipe 294 that exhausts the atmosphere of the processing space K is connected to the side surface of the lid 261. An exhaust pump 295 that evacuates the atmosphere of the processing space K is connected to the exhaust pipe 294.

かかる場合、工程A3において、塗布ユニット250に搬送されたテンプレートTは、昇降ピン271に受け渡され、載置台260に載置される。このとき、載置台260上のテンプレートTは、温度制御板270によって所定の温度、例えば50℃に温度調節される。続いて、蓋体261が下降し、当該蓋体261と載置台260とで密閉された処理空間Kが形成される。その後、ガス供給管290から処理空間Kに気体状の離型剤ガスが供給される。供給された離型剤ガスは、テンプレートTの表面T上の転写パターンCに沿って堆積する。その後、工程A4において、ガス供給管290から処理空間Kに水蒸気が供給され、当該水蒸気はテンプレートT上に堆積した離型剤Sに供給される。 In such a case, in step A <b> 3, the template T transported to the coating unit 250 is transferred to the lifting pins 271 and placed on the placing table 260. At this time, the temperature of the template T on the mounting table 260 is adjusted to a predetermined temperature, for example, 50 ° C. by the temperature control plate 270. Subsequently, the lid body 261 is lowered, and a processing space K sealed by the lid body 261 and the mounting table 260 is formed. Thereafter, gaseous release agent gas is supplied from the gas supply pipe 290 to the processing space K. The supplied release agent gas is deposited along the transfer pattern C on the surface T 1 of the template T. Thereafter, in step A4, water vapor is supplied from the gas supply pipe 290 to the processing space K, and the water vapor is supplied to the release agent S deposited on the template T.

なお、上述の工程A4ではテンプレートT上の離型剤Sに対して水蒸気を供給したが、上記実施の形態と同様にアルコール、例えばt−ペンチルアルコールを供給してもよい。かかる場合、t−ペンチルアルコールを気化させてガス供給管290から処理空間Kに供給するのが好ましい。また、工程A3とA4において、ガス供給管290からの離型剤ガスと水蒸気(t−ペンチルアルコール)の供給を同時に行ってもよい。   In addition, although water vapor | steam was supplied with respect to the mold release agent S on the template T in above-mentioned process A4, you may supply alcohol, for example, t-pentyl alcohol similarly to the said embodiment. In such a case, it is preferable to vaporize t-pentyl alcohol and supply it to the processing space K from the gas supply pipe 290. In steps A3 and A4, the release agent gas and water vapor (t-pentyl alcohol) may be simultaneously supplied from the gas supply pipe 290.

その後、工程A5において、超音波振動子280からテンプレートT上の離型剤Sに超音波振動を付与する。そうすると、テンプレートTの表面Tと離型剤Sとの化学反応が促進され、当テンプレートTの表面Tと離型剤Sとの密着性が向上する。具体的には、水蒸気によってテンプレートT上に堆積した離型剤Sの離型剤分子が加水分解され、さらにテンプレートTの表面Tと離型剤分子が脱水縮合により結合される。なお、この結合における超音波振動の作用は、上記実施の形態と同様であるので説明を省略する。こうして、テンプレートT上に転写パターンCに沿った離型膜Sが所定の膜厚で成膜される。なお、テンプレートT上に離型膜Sを成膜した後、処理空間Kの雰囲気を不活性ガス、例えば窒素ガスに置換してもよい。 Thereafter, in step A5, ultrasonic vibration is applied from the ultrasonic vibrator 280 to the release agent S on the template T. Then, the chemical reaction promoted with the surface T 1 and the release agent S of the template T, to improve adhesion to the surface T 1 and the release agent S of this template T. Specifically, the releasing agent molecules of the release agent S deposited on the template T by steam is hydrolyzed, further surface T 1 and a release agent molecules of the template T is bonded by dehydration condensation. Note that the action of ultrasonic vibration in this coupling is the same as that in the above embodiment, so that the description thereof is omitted. Thus, release film S F along the transfer pattern C on the template T is deposited in a predetermined thickness. Incidentally, after forming a release film S F on the template T, the atmosphere in the processing space K inert gas may be replaced, for example, nitrogen gas.

本実施の形態の工程A3では、気体状の離型剤ガスがテンプレートT上の転写パターンCに沿って堆積するので、離型剤Sをリンスする必要がない。したがって、上記実施の形態の工程A6を省略することができる。   In step A3 of the present embodiment, since the gaseous release agent gas is deposited along the transfer pattern C on the template T, it is not necessary to rinse the release agent S. Therefore, step A6 in the above embodiment can be omitted.

以上の実施の形態の塗布ユニット30において、テンプレートT上に離型剤Sを塗布する際、テンプレートTの表面Tに紫外線を照射しながら、離型剤Sを塗布してもよい。また、テンプレートT上に離型剤Sを塗布した後、当該テンプレートT上の離型剤Sに超音波振動を付与しつつ、さらにテンプレートT上の離型剤Sを所定の温度、例えば200℃に加熱してもよい。このようにテンプレートTの表面Tへの紫外線の照射や、テンプレートT上の離型剤Sの加熱を行うことによって、テンプレートTの表面Tと離型剤Sとの密着性を向上させることができる。 In the coating unit 30 in the above embodiment, when applying the release agent S on the template T, while irradiating ultraviolet rays to the surface T 1 of the template T, it may be applied to the release agent S. Further, after applying the release agent S on the template T, while applying ultrasonic vibration to the release agent S on the template T, the release agent S on the template T is further moved to a predetermined temperature, for example, 200 ° C. You may heat to. In this way, the adhesion between the surface T 1 of the template T and the release agent S is improved by irradiating the surface T 1 of the template T with ultraviolet rays or heating the release agent S on the template T. Can do.

以上の実施の形態のリンスユニット31では、浸漬層141に貯留された有機溶剤にテンプレートTを浸漬することで離型剤Sをリンスしていたが、塗布ユニット30と同様の構成を有するリンスユニットを用いてもよい。かかる場合、塗布ユニット30の離型剤ノズル123、211、240に代えて、テンプレートT上に離型剤Sのリンス液としての有機溶剤を供給するリンス液ノズルが用いられる。   In the rinsing unit 31 of the above embodiment, the release agent S is rinsed by immersing the template T in the organic solvent stored in the dip layer 141, but the rinsing unit having the same configuration as the coating unit 30. May be used. In such a case, instead of the release agent nozzles 123, 211, and 240 of the coating unit 30, a rinse liquid nozzle that supplies an organic solvent as a rinse liquid of the release agent S onto the template T is used.

以上の実施の形態では、基板としてのテンプレートT上にシランカップリング剤としての離型剤Sを成膜する場合について説明したが、基板とシランカップリング剤の組合せの種類はこれに限定されない。例えば基板としてのウェハ上に、シランカップリング剤としての密着剤を成膜する際にも本発明を適用することができる。   In the above embodiment, the case where the release agent S as the silane coupling agent is formed on the template T as the substrate has been described, but the type of combination of the substrate and the silane coupling agent is not limited thereto. For example, the present invention can also be applied when an adhesion agent as a silane coupling agent is formed on a wafer as a substrate.

ウェハ上への密着膜の成膜は、テンプレート処理装置1と同様の構成を有するウェハ処理装置で行われる。また、図21に示すようにテンプレート処理装置1とウェハ処理装置310は、インプリントシステム300に設けられていてもよい。なお、ウェハ処理装置310は、上記実施の形態のテンプレート処理装置1と同様に独立して設けられていてもよいが、本実施の形態では、インプリントシステム300内に設けられた場合について説明する。   The adhesion film is formed on the wafer by a wafer processing apparatus having the same configuration as the template processing apparatus 1. Further, as illustrated in FIG. 21, the template processing apparatus 1 and the wafer processing apparatus 310 may be provided in the imprint system 300. The wafer processing apparatus 310 may be provided independently as in the template processing apparatus 1 of the above embodiment, but in this embodiment, the case where it is provided in the imprint system 300 will be described. .

インプリントシステム300は、上記テンプレート処理装置1とウェハ処理装置310に加えて、テンプレート処理装置1で処理されたテンプレートTを用いて、ウェハ処理装置310で処理されたウェハW上にレジストパターンを形成するインプリントユニット320を有している。インプリントユニット320とテンプレート処理装置1との間には、テンプレートTの受け渡しを行うインターフェイスステーション321が配置されている。また、インプリントユニット320とウェハ処理装置2との間には、テンプレートTの受け渡しを行うインターフェイスステーション322が配置されている。すなわち、テンプレート処理装置1、インターフェイスステーション321、インプリントユニット320、インターフェイスステーション322、ウェハ処理装置310は、この順でY方向(図21の左右方向)に並べて配置され、且つ一体に接続されている。   The imprint system 300 forms a resist pattern on the wafer W processed by the wafer processing apparatus 310 using the template T processed by the template processing apparatus 1 in addition to the template processing apparatus 1 and the wafer processing apparatus 310. An imprint unit 320 is provided. Between the imprint unit 320 and the template processing apparatus 1, an interface station 321 for transferring the template T is disposed. An interface station 322 for transferring the template T is disposed between the imprint unit 320 and the wafer processing apparatus 2. That is, the template processing apparatus 1, the interface station 321, the imprint unit 320, the interface station 322, and the wafer processing apparatus 310 are arranged in this order in the Y direction (left and right direction in FIG. 21), and are connected integrally.

ウェハ処理装置310は、複数、例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部とインプリントシステム300との間で搬入出したり、ウェハカセットCに対してウェハWを搬入出したりするウェハ搬入出ステーション330と、ウェハWに所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えたウェハ処理ステーション331とを一体に接続した構成を有している。 The wafer processing apparatus 310 is a wafer loading / unloading station for loading / unloading a plurality of, for example, 25 wafers W in the cassette unit between the outside and the imprint system 300 and loading / unloading the wafers W into / from the wafer cassette CW . 330 and a wafer processing station 331 including a plurality of processing units for performing predetermined processing on the wafer W are integrally connected.

ウェハ搬入出ステーション330には、カセット載置台340が設けられている。カセット載置台340は、複数のウェハカセットCをX方向(図21中の上下方向)に一列に載置自在になっている。すなわち、ウェハ搬入出ステーション330は、複数のウェハWを保有可能に構成されている。 The wafer loading / unloading station 330 is provided with a cassette mounting table 340. The cassette mounting table 340 can mount a plurality of wafer cassettes CW in a row in the X direction (vertical direction in FIG. 21). That is, the wafer carry-in / out station 330 is configured to be capable of holding a plurality of wafers W.

ウェハ搬入出ステーション330には、X方向に延伸する搬送路341上を移動可能なウェハ搬送体342が設けられている。ウェハ搬送体342は、水平方向に伸縮自在であり、鉛直方向及び鉛直周り(θ方向)にも移動自在であり、ウェハカセットCとインプリントユニット310との間でウェハWを搬送できる。 The wafer carry-in / out station 330 is provided with a wafer carrier 342 that can move on a conveyance path 341 extending in the X direction. The wafer transfer body 342 can be expanded and contracted in the horizontal direction and can also move in the vertical direction and the vertical direction (θ direction), and can transfer the wafer W between the wafer cassette CW and the imprint unit 310.

ウェハ処理ステーション331には、その中心部に搬送ユニット350が設けられている。この搬送ユニット350の周辺には、各種処理ユニットが多段に配置された、例えば4つの処理ブロックF1〜F4が配置されている。ウェハ処理ステーション331の正面側(図21のX方向負方向側)には、ウェハ搬入出ステーション330側から第1の処理ブロックF1、第2の処理ブロックF2が順に配置されている。ウェハ処理ステーション331の背面側(図21のX方向正方向側)には、ウェハ搬入出ステーション330側から第3の処理ブロックF3、第4の処理ブロックF4が順に配置されている。ウェハ処理ステーション331のウェハ搬入出ステーション330側には、ウェハWの受け渡しを行うためのトランジションユニット351が配置されている。また、ウェハ処理ステーション331のインターフェイスステーション322側にも、ウェハWの受け渡しを行うためのトランジションユニット352が配置されている。   The wafer processing station 331 is provided with a transfer unit 350 at the center thereof. Around the transport unit 350, for example, four processing blocks F1 to F4 in which various processing units are arranged in multiple stages are arranged. On the front side of the wafer processing station 331 (X direction negative direction side in FIG. 21), the first processing block F1 and the second processing block F2 are sequentially arranged from the wafer carry-in / out station 330 side. On the back side of the wafer processing station 331 (the positive side in the X direction in FIG. 21), the third processing block F3 and the fourth processing block F4 are sequentially arranged from the wafer carry-in / out station 330 side. On the wafer loading / unloading station 330 side of the wafer processing station 331, a transition unit 351 for transferring the wafer W is disposed. A transition unit 352 for transferring the wafer W is also arranged on the interface station 322 side of the wafer processing station 331.

搬送ユニット350は、ウェハWを保持して搬送し、且つ水平方向、鉛直方向及び鉛直周りに移動自在な搬送アームを有している。そして、搬送ユニット350は、処理ブロックF1〜F4内に配置された後述する各種処理ユニット、及びトランジションユニット351、352に対してウェハWを搬送できる。   The transfer unit 350 has a transfer arm that holds and transfers the wafer W and is movable in the horizontal direction, the vertical direction, and the vertical direction. The transfer unit 350 can transfer the wafer W to various processing units (to be described later) arranged in the processing blocks F1 to F4 and the transition units 351 and 352.

第1の処理ブロックF1には、図22に示すように複数の液処理ユニット、例えばウェハWの表面(被処理面)にシランカップリング剤としての密着剤を塗布する、成膜装置としての塗布ユニット360、ウェハW上の密着剤をリンスするリンスユニット361が下から順に2段に重ねられている。第2の処理ブロックF2も同様に、塗布ユニット362、リンスユニット363が下から順に2段に重ねられている。また、第1の処理ブロックF1及び第2の処理ブロックF2の最下段には、前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室364、365がそれぞれ設けられている。   As shown in FIG. 22, the first processing block F1 is applied as a film forming apparatus in which an adhesive as a silane coupling agent is applied to the surface (surface to be processed) of a plurality of liquid processing units, for example, a wafer W. A unit 360 and a rinse unit 361 for rinsing the adhesive on the wafer W are stacked in two stages in order from the bottom. Similarly, in the second processing block F2, a coating unit 362 and a rinsing unit 363 are stacked in two stages from the bottom. In addition, chemical chambers 364 and 365 for supplying various processing liquids to the liquid processing unit are provided at the lowermost stages of the first processing block F1 and the second processing block F2, respectively.

なお、塗布ユニット360、362の構成は、テンプレートT上に離型剤Sを塗布する塗布ユニット30の構成と同様であるので説明を省略する。但し、離型剤ノズル123に代えて、ウェハW上に密着剤を塗布する密着剤ノズルが設けられる。密着剤は、ウェハWとレジスト膜との密着性を向上させるものであり、離型剤Sと同様にシランカップリング剤である。したがって、密着剤中の密着剤分子は2つの官能基を有している。すなわち、一の官能基はOR基(Rは例えばアルキル基)である。また、他の官能基Sは、レジスト膜と反応し易い官能基であって、有機物成分を有している。 The configuration of the coating units 360 and 362 is the same as the configuration of the coating unit 30 that coats the mold release agent S on the template T, and thus the description thereof is omitted. However, instead of the release agent nozzle 123, an adhesive agent nozzle for applying an adhesive agent on the wafer W is provided. The adhesive agent improves the adhesion between the wafer W and the resist film, and is a silane coupling agent like the mold release agent S. Therefore, the adhesive agent molecule in the adhesive agent has two functional groups. That is, one functional group is an OR group (R is an alkyl group, for example). The other functional group SG is a functional group that easily reacts with the resist film, and has an organic component.

また、リンスユニット361、363の構成は、テンプレートT上の離型剤Sをリンスするリンスユニット31の構成と同様であるので説明を省略する。すなわち、これらリンスユニット361、363においても、リンス液として例えば有機溶剤が用いられる。   Moreover, since the structure of the rinse units 361 and 363 is the same as that of the rinse unit 31 which rinses the mold release agent S on the template T, description is abbreviate | omitted. That is, in these rinse units 361 and 363, for example, an organic solvent is used as the rinse liquid.

第3の処理ブロックF3には、図23に示すようにウェハWに対して紫外線を照射し、ウェハW上に密着膜が成膜される前の表面(被処理面)を洗浄する洗浄ユニット370、371が下から順に2段に重ねられている。また、第4の処理ブロックF4にも、第3の処理ブロックF3と同様に、洗浄ユニット372、373が下から順に2段に重ねられている。   In the third processing block F3, as shown in FIG. 23, a cleaning unit 370 that irradiates the wafer W with ultraviolet rays and cleans the surface (surface to be processed) before the adhesion film is formed on the wafer W. , 371 are stacked in two steps from the bottom. Also, in the fourth processing block F4, similarly to the third processing block F3, cleaning units 372 and 373 are stacked in two stages in order from the bottom.

なお、洗浄ユニット370〜373の構成も、テンプレートTの表面Tを洗浄する洗浄ユニット40の構成と同様であるので説明を省略する。 Incidentally, the description thereof is omitted configuration of a cleaning unit 370-373 also are the same as that of the cleaning unit 40 for cleaning the surface T 1 of the template T.

インターフェイスステーション321には、図21に示すようにX方向に延伸する搬送路380上を移動するテンプレート搬送体381が設けられている。また、搬送路380のX方向正方向側には、テンプレートTの表裏面を反転させる反転ユニット382が配置され、搬送路380のX方向負方向側には、複数のテンプレートTを一時的に保管するバッファカセット383が配置されている。テンプレート搬送体381は、水平方向に伸縮自在であり、鉛直方向及び鉛直周り(θ方向)にも移動自在であり、テンプレート処理ステーション3、反転ユニット382、バッファカセット383、インプリントユニット320との間でテンプレートTを搬送できる。なお、テンプレート処理装置1のテンプレート処理ステーション3には、搬送ユニット20のインターフェイスステーション321側に、テンプレートTの受け渡しを行うためのトランジションユニット384が配置されている。   The interface station 321 is provided with a template transport body 381 that moves on a transport path 380 extending in the X direction as shown in FIG. A reversing unit 382 for inverting the front and back surfaces of the template T is disposed on the positive direction side in the X direction of the transport path 380, and a plurality of templates T are temporarily stored on the negative direction side of the transport path 380 in the X direction. A buffer cassette 383 is disposed. The template conveyance body 381 can be expanded and contracted in the horizontal direction, and can also move in the vertical direction and the vertical direction (θ direction), and between the template processing station 3, the reversing unit 382, the buffer cassette 383, and the imprint unit 320. The template T can be conveyed. In the template processing station 3 of the template processing apparatus 1, a transition unit 384 for delivering the template T is disposed on the interface station 321 side of the transport unit 20.

インターフェイスステーション322には、X方向に延伸する搬送路390上を移動するウェハ搬送体391が設けられている。また、搬送路390のX方向負方向側には、複数のウェハWを一時的に保管するバッファカセット392が配置されている。ウェハ搬送体391は、水平方向に伸縮自在であり、鉛直方向及び鉛直周り(θ方向)にも移動自在であり、ウェハ処理ステーション331、バッファカセット392、インプリントユニット320との間でウェハWを搬送できる。   The interface station 322 is provided with a wafer transfer body 391 that moves on a transfer path 390 extending in the X direction. A buffer cassette 392 that temporarily stores a plurality of wafers W is disposed on the negative side of the transfer path 390 in the X direction. The wafer transfer body 391 can be expanded and contracted in the horizontal direction, and can also move in the vertical direction and the vertical direction (θ direction), and transfers the wafer W between the wafer processing station 331, the buffer cassette 392, and the imprint unit 320. it can.

次に、上述したインプリントユニット320の構成について説明する。インプリントユニット320は、図24に示すように側面にテンプレートTの搬入出口(図示せず)とウェハWの搬入出口(図示せず)が形成された処理容器400を有している。   Next, the configuration of the above-described imprint unit 320 will be described. As shown in FIG. 24, the imprint unit 320 has a processing container 400 in which a loading / unloading port (not shown) for the template T and a loading / unloading port (not shown) for the wafer W are formed on the side surfaces.

処理容器400内の底面には、ウェハWが載置されて保持されるウェハ保持部401が設けられている。ウェハWは、その被処理面が上方を向くようにウェハ保持部401の上面に載置される。ウェハ保持部401内には、ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン402が設けられている。昇降ピン402は、昇降駆動部403により上下動できる。ウェハ保持部401の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔404が形成されおり、昇降ピン402は、貫通孔404を挿通するようになっている。また、ウェハ保持部401は、当該ウェハ保持部401の下方に設けられた移動機構405により、水平方向に移動可能で、且つ鉛直周りに回転自在である。   A wafer holding unit 401 on which the wafer W is placed and held is provided on the bottom surface in the processing container 400. The wafer W is placed on the upper surface of the wafer holding unit 401 so that the surface to be processed faces upward. In the wafer holding unit 401, elevating pins 402 are provided for supporting the wafer W from below and elevating it. The elevating pin 402 can be moved up and down by the elevating drive unit 403. A through hole 404 that penetrates the upper surface in the thickness direction is formed on the upper surface of the wafer holding unit 401, and the elevating pins 402 are inserted through the through hole 404. The wafer holding unit 401 can be moved in the horizontal direction and can be rotated around the vertical by a moving mechanism 405 provided below the wafer holding unit 401.

図25に示すようにウェハ保持部401のX方向負方向(図25の下方向)側には、Y方向(図25の左右方向)に沿って延伸するレール410が設けられている。レール410は、例えばウェハ保持部401のY方向負方向(図25の左方向)側の外方からY方向正方向(図25の右方向)側の外方まで形成されている。レール410には、アーム411が取り付けられている。   As shown in FIG. 25, a rail 410 extending along the Y direction (left and right direction in FIG. 25) is provided on the negative side in the X direction (downward direction in FIG. 25) of the wafer holding unit 401. The rail 410 is formed, for example, from the outer side of the wafer holding unit 401 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 25) to the outer side on the Y direction positive direction (right direction in FIG. 25). An arm 411 is attached to the rail 410.

アーム411には、ウェハW上にレジスト液を供給するレジスト液ノズル412が支持されている。レジスト液ノズル412は、例えばウェハWの直径寸法と同じかそれよりも長い、X方向に沿った細長形状を有している。レジスト液ノズル412には、例えばインクジェット方式のノズルが用いられ、レジスト液ノズル412の下部には、長手方向に沿って一列に形成された複数の供給口(図示せず)が形成されている。そして、レジスト液ノズル412は、レジスト液の供給タイミング、レジスト液の供給量等を厳密に制御できる。   A resist solution nozzle 412 for supplying a resist solution onto the wafer W is supported on the arm 411. The resist solution nozzle 412 has, for example, an elongated shape along the X direction that is the same as or longer than the diameter dimension of the wafer W. For example, an inkjet type nozzle is used as the resist solution nozzle 412, and a plurality of supply ports (not shown) formed in a line along the longitudinal direction are formed below the resist solution nozzle 412. The resist solution nozzle 412 can strictly control the resist solution supply timing, the resist solution supply amount, and the like.

アーム411は、ノズル駆動部413により、レール410上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル412は、ウェハ保持部401のY方向正方向側の外方に設置された待機部414からウェハ保持部401上のウェハWの上方まで移動でき、さらに当該ウェハWの表面上をウェハWの径方向に移動できる。また、アーム411は、ノズル駆動部413によって昇降自在であり、レジスト液ノズル412の高さを調整できる。   The arm 411 is movable on the rail 410 by a nozzle driving unit 413. As a result, the resist solution nozzle 412 can move from the standby unit 414 installed outside the wafer holding unit 401 on the positive side in the Y direction to above the wafer W on the wafer holding unit 401, and further the surface of the wafer W The top can be moved in the radial direction of the wafer W. The arm 411 can be moved up and down by a nozzle driving unit 413 and the height of the resist solution nozzle 412 can be adjusted.

処理容器400内の天井面であって、ウェハ保持部401の上方には、図24に示すようにテンプレートTを保持するテンプレート保持部420が設けられている。すなわち、ウェハ保持部401とテンプレート保持部420は、ウェハ保持部401に載置されたウェハWと、テンプレート保持部420に保持されたテンプレートTが対向するように配置されている。また、テンプレート保持部420は、テンプレートTの裏面Tの外周部を吸着保持するチャック421を有している。チャック421は、当該チャック421の上方に設けられた移動機構422により、鉛直方向に移動自在で、且つ鉛直周りに回転自在になっている。これにより、テンプレートTは、ウェハ保持部401上のウェハWに対して所定の向きに回転し昇降できる。 A template holding unit 420 that holds the template T as shown in FIG. 24 is provided on the ceiling surface in the processing container 400 and above the wafer holding unit 401. That is, the wafer holding unit 401 and the template holding unit 420 are arranged such that the wafer W placed on the wafer holding unit 401 and the template T held on the template holding unit 420 face each other. Furthermore, the template holding portion 420, the outer peripheral portion of the rear surface T 2 of the template T has a chuck 421 for holding suction. The chuck 421 is movable in the vertical direction and rotatable about the vertical by a moving mechanism 422 provided above the chuck 421. Accordingly, the template T can be rotated up and down in a predetermined direction with respect to the wafer W on the wafer holding unit 401.

テンプレート保持部420は、チャック421に保持されたテンプレートTの上方に設けられた光源423を有している。光源423からは、例えば可視光、近紫外光、紫外線などの光が発せられ、この光源423からの光は、テンプレートTを透過して下方に照射される。   The template holding unit 420 includes a light source 423 provided above the template T held by the chuck 421. The light source 423 emits light such as visible light, near ultraviolet light, and ultraviolet light, and the light from the light source 423 is transmitted through the template T and irradiated downward.

本実施の形態にかかるインプリントシステム300は以上のように構成されている。次に、そのインプリントシステム300で行われるインプリント処理について説明する。図26は、このインプリント処理の主な処理フローを示し、図27は、このインプリント処理の各工程におけるテンプレートTとウェハWの状態を示している。   The imprint system 300 according to the present embodiment is configured as described above. Next, an imprint process performed in the imprint system 300 will be described. FIG. 26 shows the main processing flow of this imprint processing, and FIG. 27 shows the state of the template T and the wafer W in each step of this imprint processing.

先ず、テンプレート搬送体12によって、テンプレート搬入出ステーション2からテンプレート処理ステーション3にテンプレートTが搬送される(図26の工程B1)。テンプレート処理ステーション3では、テンプレートTの表面Tの洗浄(図26の工程B2)、表面Tへの離型剤Sの塗布(図26の工程B3)、離型剤SへのアルコールAの塗布(図26の工程B4)、テンプレートT上の離型剤Sへの超音波振動の付与(図26の工程B5)、離型剤Sのリンス(図26の工程B6)が順次行われ、テンプレートTの表面Tに離型膜Sが成膜される。なお、これら工程B2〜B6は、上記実施の形態における工程A2〜A6と同様であるので、詳細な説明を省略する。 First, the template T is transported from the template carry-in / out station 2 to the template processing station 3 by the template carrier 12 (step B1 in FIG. 26). The template processing station 3, the cleaning of the surface T 1 of the template T (step B2 in FIG. 26), (step B3 in FIG. 26) the application of the release agent S on the surface T 1, the alcohol A to the release agent S Application (step B4 in FIG. 26), application of ultrasonic vibration to the release agent S on the template T (step B5 in FIG. 26), rinsing of the release agent S (step B6 in FIG. 26) are sequentially performed. release film S F on the surface T 1 of the template T is deposited. In addition, since these processes B2 to B6 are the same as the processes A2 to A6 in the above embodiment, detailed description thereof is omitted.

離型膜Sが成膜されたテンプレートTは、トランジションユニット384に搬送される。続いて、テンプレートTは、インターフェイスステーション321のテンプレート搬送体381によって、反転ユニット382に搬送されて、テンプレートTの表裏面が反転される。すなわち、テンプレートTの裏面Tが上方に向けられる。その後、テンプレートTは、テンプレート搬送体381によってインプリントユニット320に搬送され、テンプレート保持部420のチャック421に吸着保持される(図26の工程B7)。このとき、インプリントユニット320にテンプレートTを搬送する前に、バッファカセット383において、離型剤Sが成膜されたテンプレートTを一時的に保管してもよい。 Template T release film S F is deposited is transported to the transition unit 384. Subsequently, the template T is transported to the reversing unit 382 by the template transport body 381 of the interface station 321 and the front and back surfaces of the template T are reversed. That is, the rear surface T 2 of the template T is directed upwards. Thereafter, the template T is transported to the imprint unit 320 by the template transport body 381 and sucked and held on the chuck 421 of the template holding unit 420 (step B7 in FIG. 26). At this time, prior to conveying the template T in the imprint unit 320, the buffer cassette 383, the template T release agent S F is deposited may be temporarily stored.

このようにテンプレート処理ステーション3においてテンプレートTに所定の処理を行い、インプリントユニット320へテンプレートTを搬送中に、ウェハ搬入出ステーション330では、ウェハ搬送体342により、カセット載置台340上のウェハカセットCからウェハWが取り出され、ウェハ処理ステーション331のトランジションユニット351に搬送される(図26の工程B8)。なお、ウェハカセットC内のウェハWは、その被処理面が上方を向くように収容されている。 In this way, the template processing station 3 performs predetermined processing on the template T, and the template T is being transferred to the imprint unit 320. At the wafer carry-in / out station 330, the wafer cassette C on the cassette mounting table 340 is moved by the wafer transfer body 342. The wafer W is taken out from W and transferred to the transition unit 351 of the wafer processing station 331 (step B8 in FIG. 26). The wafer W in the wafer cassette CW is accommodated so that the surface to be processed faces upward.

その後、搬送ユニット350によって、ウェハWは洗浄ユニット370に搬送され、当該ウェハWの表面(被処理面)が洗浄される(図26の工程B9)。その後、ウェハWは塗布ユニット360に搬送され、ウェハW上に密着剤が塗布され(図26の工程B10)、さらにウェハWの密着剤上にアルコールAが塗布される(図26の工程B11)、その後、同塗布ユニット360において、ウェハW上の密着剤に超音波振動が付与される(図26の工程B12)。そうすると、ウェハWの表面と密着剤との化学反応が促進され、当該ウェハWの表面と密着剤との密着性が向上する。その後、ウェハWはリンスユニット361に搬送され、ウェハW上の密着剤がリンスされる(図26の工程B13)。こうして、図27(a)に示すように、ウェハW上に所定の膜厚の密着膜Bが成膜される。なお、これら工程B9〜B13では、上記実施の形態においてテンプレートTに対して行われた工程A2〜A6と同様の処理をウェハWに対して行うので、詳細な説明を省略する。 Thereafter, the wafer W is transferred to the cleaning unit 370 by the transfer unit 350, and the surface (surface to be processed) of the wafer W is cleaned (step B9 in FIG. 26). Thereafter, the wafer W is transferred to the coating unit 360, and an adhesive is applied on the wafer W (step B10 in FIG. 26), and alcohol A is further applied on the adhesive on the wafer W (step B11 in FIG. 26). Thereafter, in the coating unit 360, ultrasonic vibration is applied to the adhesive on the wafer W (step B12 in FIG. 26). Then, the chemical reaction between the surface of the wafer W and the adhesive agent is promoted, and the adhesion between the surface of the wafer W and the adhesive agent is improved. Thereafter, the wafer W is transferred to the rinse unit 361, and the adhesive on the wafer W is rinsed (step B13 in FIG. 26). In this way, an adhesion film BF having a predetermined thickness is formed on the wafer W as shown in FIG. In these steps B9 to B13, the same processing as the steps A2 to A6 performed on the template T in the above embodiment is performed on the wafer W, and thus detailed description thereof is omitted.

密着膜Bが成膜されたウェハWは、トランジションユニット352に搬送される。続いて、ウェハWは、ウェハ搬送体391によってインプリントユニット320内に搬送される(図26の工程B14)。このとき、インプリントユニット320にウェハWを搬送する前に、バッファカセット392において、密着膜Bが形成されたウェハWを一時的に保管してもよい。 The wafer W on which the adhesion film BF is formed is transferred to the transition unit 352. Subsequently, the wafer W is transferred into the imprint unit 320 by the wafer transfer body 391 (step B14 in FIG. 26). At this time, the wafer W on which the adhesion film BF is formed may be temporarily stored in the buffer cassette 392 before the wafer W is transferred to the imprint unit 320.

インプリントユニット320に搬入されたウェハWは、昇降ピン402に受け渡され、ウェハ保持部401上に載置され保持される。続いて、ウェハ保持部401に保持されたウェハWを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせをした後、レジスト液ノズル412をウェハWの径方向に移動させ、図27(b)に示すようにウェハWの密着膜B上にレジスト液Rが塗布される(図26の工程B15)。このとき、制御部160により、レジスト液ノズル412から供給されるレジスト液Rの供給タイミングや供給量等が制御される。すなわち、ウェハW上に形成されるレジストパターンにおいて、凸部に対応する部分(テンプレートTの転写パターンCにおける凹部に対応する部分)に塗布されるレジスト液Rの量は多く、凹部に対応する部分(転写パターンCにおける凸部に対応する部分)に塗布されるレジスト液Rの量は少なくなるように塗布される。このように転写パターンCの開口率に応じてウェハW上にレジスト液Rが塗布される。そして、ウェハW上の密着膜Bによって、ウェハWの表面とレジスト液Rが密着し、図27(c)に示すようにレジスト膜Rが形成される。 The wafer W carried into the imprint unit 320 is transferred to the lift pins 402 and is placed and held on the wafer holding unit 401. Subsequently, after aligning the wafer W held by the wafer holding unit 401 by moving it to a predetermined position in the horizontal direction, the resist solution nozzle 412 is moved in the radial direction of the wafer W, as shown in FIG. As shown, a resist solution R is applied on the adhesion film BF of the wafer W (step B15 in FIG. 26). At this time, the control unit 160 controls the supply timing and supply amount of the resist solution R supplied from the resist solution nozzle 412. That is, in the resist pattern formed on the wafer W, the amount of the resist solution R applied to the portion corresponding to the convex portion (the portion corresponding to the concave portion in the transfer pattern C of the template T) is large, and the portion corresponding to the concave portion. The resist solution R is applied so that the amount of the resist solution R applied to the portion corresponding to the convex portion in the transfer pattern C is small. Thus, the resist solution R is applied on the wafer W in accordance with the aperture ratio of the transfer pattern C. Then, the adhesive film BF on the wafer W causes the surface of the wafer W and the resist solution R to be in close contact, and a resist film RF is formed as shown in FIG.

ウェハW上にレジスト膜Rが形成されると、ウェハ保持部401に保持されたウェハWを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行うと共に、テンプレート保持部420に保持されたテンプレートTを所定の向きに回転させる。そして、図27(c)の矢印に示すようにテンプレートTをウェハW側に下降させる。テンプレートTは所定の位置まで下降し、テンプレートTの表面TがウェハW上のレジスト膜Rに押し付けられる。なお、この所定の位置は、ウェハW上に形成されるレジストパターンの高さに基づいて設定される。続いて、光源423から光が照射される。光源423からの光は、図27(d)に示すようにテンプレートTを透過してウェハW上のレジスト膜Rに照射され、これによりレジスト膜Rは光重合する。このようにして、ウェハW上のレジスト膜RにテンプレートTの転写パターンCが転写され、レジストパターンPが形成される(図26の工程B16)。 When the resist film RF is formed on the wafer W, the wafer W held on the wafer holder 401 is moved to a predetermined position in the horizontal direction for alignment, and the template held on the template holder 420 is used. T is rotated in a predetermined direction. Then, the template T is lowered to the wafer W side as shown by the arrow in FIG. Template T is lowered to a predetermined position, the surface T 1 of the template T is pressed against the resist film R F on the wafer W. The predetermined position is set based on the height of the resist pattern formed on the wafer W. Subsequently, light is emitted from the light source 423. Light from the light source 423 is irradiated to the resist film R F on the wafer W passes through the template T as shown in FIG. 27 (d), thereby the resist film R F is photopolymerized. Thus, the transfer pattern C of the template T on the resist film R F on the wafer W is transferred, the resist pattern P is formed (step B16 in FIG. 26).

その後、図27(e)に示すようにテンプレートTを上昇させて、ウェハW上にレジストパターンPを形成する。このとき、テンプレートTの表面Tには離型膜Sが成膜されているので、ウェハW上のレジストがテンプレートTの表面Tに付着することはない。その後、ウェハWは、昇降ピン402によりウェハ搬送体342に受け渡され、インプリントユニット320からウェハ搬入出ステーション330に搬送され、ウェハカセットCに戻される(図26の工程B17)。なお、ウェハW上に形成されたレジストパターンPの凹部には、薄いレジストの残存膜Lが残る場合があるが、例えばインプリントシステム300の外部において、図27(f)に示すように当該残存膜Lを除去してもよい。 Thereafter, as shown in FIG. 27E, the template T is raised to form a resist pattern P on the wafer W. At this time, the surface T 1 of the template T since Hanaregatamaku S F is deposited, does not resist on the wafer W adheres to the surface T 1 of the template T. Thereafter, the wafer W is transferred to the wafer transfer body 342 by the lift pins 402, transferred from the imprint unit 320 to the wafer carry-in / out station 330, and returned to the wafer cassette CW (step B17 in FIG. 26). Note that a thin resist residual film L may remain in the recesses of the resist pattern P formed on the wafer W. For example, as shown in FIG. The film L may be removed.

以上の工程B8〜B17を繰り返し行い、一のテンプレートTを用いて、複数のウェハW上にレジストパターンPをそれぞれ形成する。この間、上述した工程B1〜B6を繰り返し行い、複数のテンプレートTの表面T上に離型膜Sを成膜する。離型膜Sが成膜されたテンプレートTは、インターフェイスステーション321のバッファカセット383に保管される。 The above steps B8 to B17 are repeated to form resist patterns P on the plurality of wafers W using one template T, respectively. During this period, it repeats the step B1~B6 described above, forming a release film S F on the surface T 1 of the plurality of templates T. Template T release film S F is deposited are stored in the buffer cassette 383 in the interface station 321.

そして、所定枚数のウェハWに対して工程B8〜B17が行われると、テンプレート搬送体381によって、使用済みのテンプレートTがインプリントユニット320から搬出され、反転ユニット382に搬送される(図26の工程B18)。続いて、テンプレート搬送体381によって、バッファカセット383内のテンプレートTがインプリントユニット320に搬送される。こうして、インプリントユニット320内のテンプレートTが交換される。なお、テンプレートTを交換するタイミングは、テンプレートTの劣化等を考慮して設定される。また、ウェハWに異なるレジストパターンPを形成する場合にも、テンプレートTが交換される。そして、例えばテンプレートTを1回使用する度に当該テンプレートTを交換してもよい。また、例えば1枚のウェハW毎にテンプレートTを交換してもよいし、例えば1ロット毎にテンプレートTを交換してもよい。   Then, when Steps B8 to B17 are performed on the predetermined number of wafers W, the used template T is unloaded from the imprint unit 320 and transferred to the reversing unit 382 by the template transfer body 381 (Step of FIG. 26). B18). Subsequently, the template T in the buffer cassette 383 is transported to the imprint unit 320 by the template transport body 381. Thus, the template T in the imprint unit 320 is exchanged. Note that the timing for exchanging the template T is set in consideration of deterioration of the template T and the like. The template T is also replaced when a different resist pattern P is formed on the wafer W. For example, the template T may be exchanged each time the template T is used once. Further, for example, the template T may be exchanged for each wafer W, or the template T may be exchanged for each lot, for example.

反転ユニット382に搬送された使用済みのテンプレートTは、その表裏面が反転される。その後、テンプレート搬送体381、搬送ユニット20、テンプレート搬送体12によって、テンプレートTはテンプレートカセットCに戻される。このようにして、インプリントシステム300において、テンプレートTを連続的に交換しつつ、複数のウェハWに対して所定のレジストパターンPが連続的に形成される。 The used template T conveyed to the reversing unit 382 has its front and back surfaces reversed. Thereafter, the template carrier 381, the transport unit 20, the template carrier 12, the template T is returned to the template cassette C T. Thus, in the imprint system 300, the predetermined resist pattern P is continuously formed on the plurality of wafers W while the template T is continuously replaced.

以上の実施の形態によれば、ウェハ処理装置310において、密着剤が塗布されたウェハW上の密着剤に超音波振動が付与されるので、ウェハWの表面と密着剤との化学反応を促進することができ、当該ウェハWの表面と密着剤との密着性が向上する。すなわち、ウェハWの表面に密着剤を短時間で密着させることができる。これによって、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。   According to the above embodiment, since the ultrasonic vibration is applied to the adhesive on the wafer W coated with the adhesive in the wafer processing apparatus 310, the chemical reaction between the surface of the wafer W and the adhesive is promoted. This improves the adhesion between the surface of the wafer W and the adhesive. That is, the adhesive can be brought into close contact with the surface of the wafer W in a short time. Thereby, the throughput of wafer processing can be improved.

また、インプリントシステム300はテンプレート処理装置1とウェハ処理装置310とを有しているので、インプリントシステム300において、テンプレートT上に離型膜Sを成膜すると共に、ウェハW上に密着膜Bを成膜することができる。このようにテンプレート処理とウェハ処理が一のインプリトシステム300で行われるので、インプリント処理のスループットを向上させることができる。また、これによって、半導体デバイスの量産化を実現することも可能となる。 Further, since the imprint system 300 and a template processing apparatus 1 and the wafer processing apparatus 310, the imprinting system 300, together forming a release film S F on the template T, the adhesion on the wafer W A film BF can be formed. As described above, since the template processing and the wafer processing are performed by the one implement system 300, the throughput of the imprint processing can be improved. This also enables mass production of semiconductor devices.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood. The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.

1 テンプレート処理装置
30、32 塗布ユニット
102 テンプレート移動機構
110 超音波振動子
111 振動子移動機構
123 離型剤ノズル
130 アルコールノズル
160 制御部
200 混合液ノズル
210 支持板
250 塗布ユニット
300 インプリントシステム
310 ウェハ処理装置
360、362 塗布ユニット
A アルコール
密着膜
C 転写パターン
S 離型剤
離型膜
T テンプレート
W ウェハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Template processing apparatus 30, 32 Application | coating unit 102 Template moving mechanism 110 Ultrasonic vibrator 111 Oscillator moving mechanism 123 Release agent nozzle 130 Alcohol nozzle 160 Control part 200 Liquid mixture nozzle 210 Support plate 250 Coating unit 300 Imprint system 310 Wafer Processing device 360, 362 Application unit A Alcohol B F Adhesive film C Transfer pattern S Release agent S F Release film T Template W Wafer

Claims (23)

基板上にシランカップリング剤を成膜する成膜方法であって、
基板上にシランカップリング剤を供給する供給工程と、
前記供給工程で基板上に供給されたシランカップリング剤に超音波振動を付与して、当該基板上にシランカップリング剤の膜を形成する成膜工程と、を有することを特徴とする、成膜方法。
A film forming method for forming a silane coupling agent on a substrate,
A supplying step of supplying a silane coupling agent onto the substrate;
Forming a film of the silane coupling agent on the substrate by applying ultrasonic vibration to the silane coupling agent supplied on the substrate in the supplying step. Membrane method.
前記成膜工程において、前記基板上のシランカップリング剤に、基板の表面とシランカップリング剤との反応を促進させる反応促進剤を供給し、当該反応促進剤が供給されたシランカップリング剤に前記超音波振動を付与することを特徴とする、請求項1に記載の成膜方法。 In the film forming step, a reaction accelerator for promoting the reaction between the surface of the substrate and the silane coupling agent is supplied to the silane coupling agent on the substrate, and the silane coupling agent to which the reaction accelerator is supplied is supplied. The film forming method according to claim 1, wherein the ultrasonic vibration is applied. 前記成膜工程において、前記反応促進剤の供給は、前記基板上のシランカップリング剤が乾燥する前に行われることを特徴とする、請求項2に記載の成膜方法。 The film formation method according to claim 2, wherein in the film formation step, the reaction accelerator is supplied before the silane coupling agent on the substrate is dried. 前記成膜工程において、前記基板上のシランカップリング剤と対向して支持板を配置し、前記シランカップリング剤と前記支持板との間で前記反応促進剤を拡散させることを特徴とする、請求項2又は3に記載の成膜方法。 In the film forming step, a support plate is disposed opposite to the silane coupling agent on the substrate, and the reaction accelerator is diffused between the silane coupling agent and the support plate. The film forming method according to claim 2. 前記成膜工程において、基板を移動させて、前記基板上のシランカップリング剤上で前記反応促進剤を拡散させることを特徴とする、請求項2又は3に記載の成膜方法。 The film forming method according to claim 2, wherein in the film forming step, the substrate is moved to diffuse the reaction accelerator on the silane coupling agent on the substrate. 前記成膜工程において、前記基板上のシランカップリング剤に前記反応促進剤を供給する際、当該反応促進剤と前記シランカップリング剤の溶剤との混合液を供給することを特徴とする、請求項2〜5のいずれかに記載の成膜方法。 In the film formation step, when the reaction accelerator is supplied to the silane coupling agent on the substrate, a mixed solution of the reaction accelerator and the solvent of the silane coupling agent is supplied. Item 6. The film forming method according to any one of Items 2 to 5. 前記反応促進剤は、アルコールであることを特徴とする、請求項2〜6のいずれかに記載の成膜方法。 The film forming method according to claim 2, wherein the reaction accelerator is alcohol. 前記成膜工程において、前記超音波振動を基板表面に垂直な方向に付与することを特徴する、請求項1〜7のいずれかに記載の成膜方法。 The film forming method according to claim 1, wherein in the film forming step, the ultrasonic vibration is applied in a direction perpendicular to a substrate surface. 前記成膜工程において、前記超音波振動を付与する超音波振動子又は前記基板を相対的に移動させることを特徴とする、請求項1〜8のいずれかに記載の成膜方法。 The film forming method according to claim 1, wherein in the film forming step, the ultrasonic vibrator for applying the ultrasonic vibration or the substrate is relatively moved. 前記供給工程において、基板上に液体状又は気体状のシランカップリング剤を供給することを特徴とする、請求項1〜9のいずれかに記載の成膜方法。 The film forming method according to claim 1, wherein in the supplying step, a liquid or gaseous silane coupling agent is supplied onto the substrate. 前記基板は表面に所定のパターンが形成されたテンプレートであり、
前記シランカップリング剤は離型剤であることを特徴とする、請求項1〜10のいずれかに記載の成膜方法。
The substrate is a template having a predetermined pattern formed on the surface,
The film forming method according to claim 1, wherein the silane coupling agent is a mold release agent.
請求項1〜11のいずれかに記載の成膜方法を成膜装置によって実行させるために、当該成膜装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。 A program that operates on a computer of a control unit that controls the film forming apparatus in order to cause the film forming apparatus to execute the film forming method according to claim 1. 請求項12に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。 A readable computer storage medium storing the program according to claim 12. 基板上にシランカップリング剤を成膜する成膜装置であって、
基板上にシランカップリング剤を供給するシランカップリング剤供給部と、
前記シランカップリング剤供給部から基板上に供給されたシランカップリング剤に超音波振動を付与する超音波振動子と、を有することを特徴とする、成膜装置。
A film forming apparatus for forming a silane coupling agent on a substrate,
A silane coupling agent supply unit for supplying a silane coupling agent on the substrate;
A film forming apparatus comprising: an ultrasonic vibrator that applies ultrasonic vibration to the silane coupling agent supplied onto the substrate from the silane coupling agent supply unit.
前記シランカップリング剤供給部から基板上に供給されたシランカップリング剤に、基板の表面とシランカップリング剤との反応を促進させる反応促進剤を供給する反応促進剤供給部を有することを特徴とする、請求項14に記載の成膜装置。 It has a reaction accelerator supply part for supplying a reaction accelerator for promoting the reaction between the surface of the substrate and the silane coupling agent to the silane coupling agent supplied onto the substrate from the silane coupling agent supply part. The film forming apparatus according to claim 14. 前記基板上のシランカップリング剤と対向して配置され、当該シランカップリング剤との間で前記反応促進剤を拡散させる支持板を有することを特徴とする、請求項15に記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 15, further comprising a support plate that is disposed to face the silane coupling agent on the substrate and diffuses the reaction accelerator between the silane coupling agent and the silane coupling agent. . 前記反応促進剤供給部は、前記反応促進剤と前記シランカップリング剤の溶剤との混合液を供給することを特徴とする、請求項15又は16に記載の成膜装置。 The film formation apparatus according to claim 15 or 16, wherein the reaction accelerator supply unit supplies a mixed liquid of the reaction accelerator and a solvent of the silane coupling agent. 前記反応促進剤は、アルコールであることを特徴とする、請求項15〜17のいずれかに記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 15, wherein the reaction accelerator is alcohol. 前記超音波振動子は、前記超音波振動を基板表面に垂直な方向に付与することを特徴とする、請求項14〜18のいずれかに記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 14, wherein the ultrasonic vibrator applies the ultrasonic vibration in a direction perpendicular to a substrate surface. 前記基板を移動させる基板移動機構を有することを特徴とする、請求項14〜19のいずれかに記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 14, further comprising a substrate moving mechanism that moves the substrate. 前記超音波振動子を移動させる振動子移動機構を有することを特徴とする、請求項14〜20のいずれかに記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 14, further comprising a vibrator moving mechanism that moves the ultrasonic vibrator. 前記シランカップリング剤供給部は、基板上に液体状又は気体状のシランカップリング剤を供給することを特徴とする、請求項14〜21のいずれかに記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 14, wherein the silane coupling agent supply unit supplies a liquid or gaseous silane coupling agent onto the substrate. 前記基板は表面に所定のパターンが形成されたテンプレートであり、
前記シランカップリング剤は離型剤であることを特徴とする、請求項14〜22のいずれかに記載の成膜装置。
The substrate is a template having a predetermined pattern formed on the surface,
23. The film forming apparatus according to claim 14, wherein the silane coupling agent is a mold release agent.
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