JP2012220250A - ガス濃度測定装置及びガス濃度測定方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】低濃度から高濃度までの広い範囲でガス濃度を精度良く測定できるガス濃度測定装置。
【解決手段】半導体レーザ1aを有する光源1と、低周波信号を発生する低周波信号発生器11bと、高周波変調信号を発生する高周波信号発生器11cと、低周波発生器からの低周波信号に高周波変調信号を重畳させて光源の駆動電流を発生する光源駆動電流発生器11aと、ガスを封入し且つ半導体レーザからのレーザ光を入射するガスセル5と、ガスセルからのレーザ光を受光する受光素子8とを有するガス濃度測定装置において、半導体レーザを駆動する時に受光素子からの信号に基づき低周波信号に高周波変調信号を重畳させるか否かを判断する判断回路12dと、高周波信号発生器に接続され、判断回路の出力結果に応じてオン/オフするスイッチSW1とを有する。
【選択図】図3
【解決手段】半導体レーザ1aを有する光源1と、低周波信号を発生する低周波信号発生器11bと、高周波変調信号を発生する高周波信号発生器11cと、低周波発生器からの低周波信号に高周波変調信号を重畳させて光源の駆動電流を発生する光源駆動電流発生器11aと、ガスを封入し且つ半導体レーザからのレーザ光を入射するガスセル5と、ガスセルからのレーザ光を受光する受光素子8とを有するガス濃度測定装置において、半導体レーザを駆動する時に受光素子からの信号に基づき低周波信号に高周波変調信号を重畳させるか否かを判断する判断回路12dと、高周波信号発生器に接続され、判断回路の出力結果に応じてオン/オフするスイッチSW1とを有する。
【選択図】図3
Description
本発明は、波長可変型の半導体レーザを用いてガスセル内のガスの濃度を測定するガス濃度測定装置及びガス濃度測定方法に関する。
気体の分子においては主に分子の振動とその倍音や結合音に起因する固有の吸収スペクトルが赤外線領域で観測される。この吸収の強度は光路上に存在する分子の数に比例することを利用して、ガスの吸収スペクトルに波長を合わせた光源をガスに入射させ、ガスを透過した光を観測して吸光度を求めて、ガスの濃度を求めることができる。この光源に波長可変レーザを用いた波長可変型半導体レーザ分光吸収法(TDLAS)は、感度の高い手法として知られている。
この手法は、図8に示すように、半導体レーザの発振波長が注入電流により制御できることを利用したものである。即ち、ガスの吸収スペクトルに一致させた波長を発振する半導体レーザを用いて、半導体レーザの駆動電流に変調を施してガスに照射し、透過光を変調周波数やその高調波によって同期検波することにより、高感度にガス濃度を測定することができる。
測定ガスの濃度を測定する装置として、特許文献1に記載された技術が知られている。図9は、特許文献1に記載された従来のガス濃度測定装置の送信側の概略構成を示すブロック図である。図9において、半導体レーザ36には、半導体レーザ36の温度を検出するサーミスタ37及び半導体レーザ36の温度を調整するペルチェ素子38が設けられている。温度制御部35は、サーミスタ37で検出された温度に基づいてペルチェ素子38を駆動することにより、半導体レーザ36の温度を制御する。
波長走査駆動信号発生器31は、半導体レーザ36からのレーザ光の波長をスキャンさせる波長走査信号S1を発生させ、高周波変調信号発生器32は、半導体レーザ36からのレーザ光を周波数変調する高周波変調信号S2を発生させ、合成器33は、波長走査信号S1と高周波変調信号S2とを合成する。
切替制御部40は、レーザ光の波長スキャンが行われている一部の期間内に周波数変調が行われるように周波数変調のタイミングを切り替える切替信号をスイッチ39に出力し、スイッチ39は、切替制御部40からの切替信号により高周波変調信号発生器32の出力をオン/オフする。電流制御部34は、波長走査信号S1に高周波変調信号S2が間欠的に合成された信号に基づいて半導体レーザ36を駆動する電流を制御する。
以上の構成により、図10に示す波長スキャンにおいて、レーザ光の波長をスキャンさせている一部の期間内に周波数変調を行う期間(正弦波信号部分)と、周波数変調を行わない期間(直線部分)とが設けられる。対象とするガスは少なくとも2種類(この例ではHClガス(吸光量少)とH2Oガス(吸光量多))のガスである。
従来のガス濃度測定方法は、図11に示すフローチャートに従って行われる。レーザの波長走査駆動が開始され(ステップS101)、吸収の強いガススペクトルの波長スキャンのタイミングの場合(ステップS102のYES)、吸光量が多い方のガス濃度は、変調を行わない時の受光信号に基づいて計算される(ステップS103)。
吸収の強いガススペクトルの波長スキャンのタイミングでない場合(ステップS102のNO)、レーザの変調動作を開始し(ステップS104)、変調周波数の2倍検波を行い(ステップS105)、吸光量が少ない方のガス濃度は、変調周波数の2倍検波成分に基づいて計算される(ステップS106)。
また、特許文献1では、少なくとも2種類のガスと記載されているガスの間には、10倍〜100倍以上の濃度差があることを前提としている。
特許文献1の技術では、隣接する複数の測定対象ガスの濃度は、予め想定され、その濃度に応じて、周波数変調を重畳するか否かを予め決めていた。また、対象ガスの濃度は大幅に変動しないという前提であった。
しかし、測定対象ガスそのももの濃度が変動する場合、その変化した濃度によっては、周波数変調を重畳しないと精度の良い測定ができない場合に周波数変調が重畳されなかったりすることがあった。
また、図12に示すように、吸収が強いガスに対して周波数変調を重畳して動作させ、歪んだ2倍周波数2f信号によって精度の良い測定ができないことがあった。図12(a)は吸収が大きいガスで得られた信号を示し、図12(b)は図12(a)のA部の詳細を示し、図12(c)は図12(a)のB部の詳細を示す。図12(b)では、吸収が大きく変調信号がつぶれ、図12(c)では、吸収が小さく変調信号がそのままである。
本発明の課題は、低濃度から高濃度までの広い範囲でガス濃度を精度良く測定することができるガス濃度測定装置及びガス濃度測定方法を提供する。
本発明に係るガス濃度測定装置は、上記課題を解決するために、半導体レーザを有する光源と、低周波信号を発生する低周波信号発生器と、高周波変調信号を発生する高周波信号発生器と、前記低周波発生器からの低周波信号に前記高周波変調信号を重畳させて前記光源の駆動電流を発生する光源駆動電流発生器と、前記半導体レーザからのレーザ光をガスに入射させガスを透過したレーザ光を受光する受光素子とを有するガス濃度測定装置において、前記半導体レーザを駆動する時に前記受光素子からの信号に基づき前記低周波信号に前記高周波変調信号を重畳させるか否かを判断する判断回路と、前記高周波信号発生器に接続され、前記判断回路の出力結果に応じてオン/オフするスイッチとを有することを特徴とする。
また、本発明のガス濃度測定方法は、低周波信号に高周波信号発生器の高周波変調信号を重畳させて光源の駆動電流を発生させて半導体レーザを発振し、前記半導体レーザからのレーザ光をガスに入射し、ガスを透過したレーザ光を受光し受光信号に基づきガス濃度を測定するガス濃度測定方法において、前記半導体レーザを駆動する時に前記受光信号に基づき前記低周波信号に前記高周波変調信号を重畳させるか否かを判断する判断ステップと、前記高周波信号発生器に接続されたスイッチにより、前記判断ステップの出力結果に応じてオン/オフする切替ステップとを有することを特徴とする。
本発明によれば、半導体レーザを駆動する時に受光信号に基づき低周波信号に高周波変調信号を重畳させるか否かを判断し、高周波信号発生器に接続されたスイッチが判断回路の出力結果に応じてオン/オフするので、低濃度から高濃度までの広い範囲でガス濃度を精度良く測定することができる。
以下、本発明のガス濃度測定装置及びガス濃度測定方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。本発明のガス濃度測定装置及びガス濃度測定方法は、ガス濃度測定中にも信号から読み取られる吸収強度により、高周波変調を重畳するか否かを切り替えることを特徴とする。
図1は、実施例1のガス濃度測定装置の構成図である。図1に示すガス濃度測定装置において、ガスセル5の一端側には窓材4を介して光源ユニット1とコリメートレンズ2と光源制御回路11とを有する光源ユニットケース3が設けられている。光源制御回路11は、光源ユニット11を制御する。光源ユニット11は、レーザ光をコリメートレンズ2と窓材4を介してガスセル5に照射する。
ガスセル5の一端側に設けられたガス導入管6からガスセル5にガスが導入され、ガスセル5の他端側に設けられたガス排出管7からガスセル5内のガスが排出されるようになっている。
ガスセル5の他端側には受光素子8と信号増幅回路9と信号処理回路12とを有する受光ユニットケース10が設けられている。受光素子8は、ガスセル5を透過したレーザ光を受光し受光信号を電気信号に変換し、信号増幅回路9は、受光素子8で変換された電気信号を増幅し、信号処理回路12は、信号増幅回路9で増幅された電気信号に基づきガスの濃度を計算する。
測定対象のガスは、NH3、NO、NO2、SO2、HCL、H2O、CO、CO2、等の赤外活性を有するガスあるいは、O2のような核スピンを持つため、磁気双極子相互作用に伴う電子遷移によって760nm付近にA-Bandと呼ばれる吸収体を有するガスである。(有本元、木村徹他 「変調分光法による排ガス測定における高温動作時の振舞い」 第43回光波センシング技術研究会講演論文集 p.103-110,2009)
光源はDFB−LD(半導体レーザ)やDFB−QCL(量子カスケードレーザ)であり、受光素子8は、PD(フォトダイオード)やMCT検出器である。
光源はDFB−LD(半導体レーザ)やDFB−QCL(量子カスケードレーザ)であり、受光素子8は、PD(フォトダイオード)やMCT検出器である。
図2は、実施例1のガス濃度測定装置の他の構成図である。図2に示す他の構成例は、図1に示すガスセル5に代えて、光源ユニット1からのレーザ光に対して略直角方向に配置された煙道14にガスが流れる場合にガスの濃度を測定するものである。
図3は、実施例1のガス濃度測定装置の送信側及び受信側の詳細な構成ブロックを示す図である。まず、送信側の構成を説明する。光源ユニット1は、光源素子1a、測温素子1b、ペルチェ素子1cを有している。
光源素子1aは、レーザ光を発生する波長可変型の半導体レーザからなり、測温素子1bは、光源素子1aの温度を検出し、温度調整器11dは、測温素子1bで検出された温度に基づきペルチェ素子1cを駆動することにより光源素子1aの温度を制御する。
光源制御回路11は、光源駆動電流発生器11a、低周波信号発生器11b、高周波信号発生器11c、温度調整器11dを有している。低周波信号発生器11bは、図4(a)に示すようなガスの吸収スペクトルを走査するための低周波信号(低周波電流)を発生し、この低周波信号を光源駆動電流発生器11aに出力する。低周波信号としては、例えば、100Hzの鋸波電流が光源駆動電流発生器11aから光源素子1aに供給される。
高周波信号発生器11cは、図4(b)に示すような高周波変調動作をするための高周波変調信号(高周波電流)を発生する。高周波信号発生器11cは、スイッチSW1を有し、スイッチSW1がオン時に発生した高周波変調信号を光源駆動電流発生器11aに出力する。高周波変調信号としては、例えば、100kHzの正弦波電流が光源駆動電流発生器11aから光源素子1aに供給される。
スイッチSW1は、受信側に設けられた判断回路12dからのオン/オフ信号に応じてオン/オフされる。光源駆動電流発生器11aは、スイッチSW1がオン時に、低周波信号発生器11bからの低周波信号と高周波信号発生器11cからの高周波変調信号とを合成して、図4(c)に示すようなスペクトルを走査しつつ、高周波変調動作するための駆動電流を光源素子1aに供給する。
また、高周波信号発生器11cは、受信側の検波器12aに高周波変調信号を参照信号eとして出力する。
次に、受信側の構成を説明する。信号処理回路12は、検波器12a、A/D変換器12b、信号処理部12c、判断回路12d、濃度計算部12eを有している。
検波器12aは、高周波変調動作を行っているときには、高周波信号発生器11cから供給される参照信号(周波数は高周波変調周波数f)の2倍の周波数を用いて、増幅回路9からの電気信号から2f信号を検出して、A/D変換器12bは、検出された2f信号をA/D変換する。高周波変調動作を行っていないときには、A/D変換器12bは、増幅回路9からの電気信号をA/D変換する。
信号処理部12cは、A/D変換器12bからの信号に基づき検出光強度(吸光度)を計算し、この検出光強度を判断回路12dと濃度計算部12eとに出力する。
判断回路12dは、光源素子1aとしての半導体レーザを駆動する時に、受光素子8からの信号に基づき低周波信号に高周波変調信号を重畳させるか否かを判断する。具体的には、判断回路12dは、信号処理部12cから送られてくるガスの吸収を受けないときの検出光強度Ioとガスの吸収を受けたときの検出光強度Iとの光強度比が所定値を超えた場合、低周波信号に高周波変調信号を重畳させないためのオフ信号を生成し、光強度比が所定値以下の場合、低周波信号に高周波変調信号を重畳させるためのオン信号を生成する。
スイッチSW1は、判断回路12dからのオフ信号によりオフし、判断回路12dからのオン信号によりオンする。濃度計算部12eは、信号処理部12cからの吸光度に基づいてガスの濃度を計算する。
次に、このように構成された実施例1のガス濃度測定装置の動作(ガス濃度測定方法)を図5乃至図7を参照しながら詳細に説明する。
まず、レーザの波長走査駆動を開始する(ステップS11)。この場合、高周波信号発生器11cによる高周波変調はなしとする。このとき、スイッチSW1はオフである。即ち、濃度のわからないガスに対して、高周波変調を重畳させないでガスの吸収スペクトルを走査するように光源を動作させる。
このように高周波変調を重畳させない動作により受光素子8で得られた信号強度は、図5に示すようになる。図5の吸収のない部分から得られる近似直線が、ガスによる吸収が無い時の信号と考えられる。従って、この信号を近似直線で除することにより、図6に示すような透過率を示す透過スペクトルとなる。
このとき、信号処理部12cは、A/D変換器12bからの信号に基づき吸光度を計算し(ステップS12)、判断回路12dは、吸光度に対応する透過スペクトルを用いて、継続するガスの濃度測定に高周波変調動作を重畳させるか否かを判断する。
判断の基準として、例えば、Second-Harmonic Detection with Tunable Diode Lasers-Comparison of Experiment and Theory, J.Reid and D.Labrie Appl.Phys. B26,203-210(1981)によると、吸収を受けないときの検出光強度をIo、吸収を受けたときの検出光強度をIとしたとき、ln(Io/I)≦0.05でない場合には(ステップS13のNO)、即ち、ln(Io/I)が0.05よりも大きい場合には、スイッチSW1をオフさせて、次の測定動作も高周波変調を重畳させずに測定動作を行う。ln(Io/I)が求まれば、吸光係数をα、光路長をLとすれば、αLが求められる。そして、αはモル吸光係数と濃度との積であり、Lは測定系の既知である。モル吸光係数はガス種と波長とにより決まる物性値であるから、ガスの濃度を求めることができる(ステップS14)。
一方、ln(Io/I)≦0.05である場合には(ステップS13のYES)、即ち、ln(Io/I)が0.05よりも小さい場合には、スイッチSW1をオンさせて、高周波信号発生器11cによる高周波変調動作を重畳させて波長走査駆動を開始する(ステップS15)。
検波器12aは、高周波信号発生器11cから供給される参照信号の2倍の周波数を用いて、2f信号を検出する(ステップS16)。濃度計算部12eは、得られる信号と、吸光度が比例する関係などを用いて演算によりガスの濃度を計算する(ステップS17)。
さらに、判断回路12dは、高周波変調を重畳させるか否かを判断する。ln(Io/I)≦0.05である場合には(ステップS18のYES)、ステップS15の処理に戻り、ステップS15からステップS17の処理を繰り返す。ln(Io/I)≦0.05でない場合には(ステップS18のNO)、高周波変調動作を停止する(ステップS19)。
このように実施例1のガス濃度測定装置及びガス濃度測定方法によれば、ガスの吸光度が所定値以下の場合には、高周波変調を重畳させ、ガスの吸光度が所定値を超えた場合には、高周波変調を重畳させないようにしたので、ガスの濃度が変動した場合でも、低濃度から高濃度までの広い範囲でガス濃度を精度良く測定することができる。
なお、本発明のガス濃度測定装置では、ガスの濃度変化が高周波変調動作の有無の判定処理周期に近づくと、光源の動作は高周波変調の有無の2つの動作状態を繰り返したり、判断処理速度より速いガス濃度変化がある場合には、精度の高い測定ができなくなる恐れがある。このため、波長走査の周波数を100Hz程度にすることで、例えば大気中のガスや燃焼ガスの濃度測定ではそれほど速い変化はないので、精度良くガスの濃度を測定できる。
本発明に係るガス濃度測定装置は、ガス分析装置に利用可能である。
1‥光源ユニット、1a‥光源素子、1b‥測温素子、1c‥ペルチェ素子、2‥コリメートレンズ、3‥光源ユニットケース、4‥窓材、5‥ガスセル、6‥ガス導入管、7‥ガス排出管、8‥受光素子、9‥信号増幅回路、10‥受光ユニットケース、11‥光源制御回路、11a‥光源駆動電流発生器、11b‥低周波信号発生器、11c‥高周波信号発生器、11d‥温度調整器、11e‥参照信号、12‥信号処理回路、12a‥検波器、12b‥A/D変換器、12c‥信号処理部、12d‥判断回路、12e‥濃度計算部、13‥取付フランジ、14‥煙道。
Claims (4)
- 半導体レーザを有する光源と、低周波信号を発生する低周波信号発生器と、高周波変調信号を発生する高周波信号発生器と、前記低周波発生器からの低周波信号に前記高周波変調信号を重畳させて前記光源の駆動電流を発生する光源駆動電流発生器と、前記半導体レーザからのレーザ光をガスに入射させ、該ガスを透過したレーザ光を受光する受光素子とを有するガス濃度測定装置において、
前記半導体レーザを駆動する時に前記受光素子からの信号に基づき前記低周波信号に前記高周波変調信号を重畳させるか否かを判断する判断回路と、
前記高周波信号発生器に接続され、前記判断回路の出力結果に応じてオン/オフするスイッチと、
を有することを特徴とするガス濃度測定装置。 - 前記判断回路は、前記ガスの吸収を受けないときの検出光強度と前記ガスの吸収を受けたときの検出光強度との光強度比が所定値を超えた場合、前記低周波信号に前記高周波変調信号を重畳させないためのオフ信号を生成し、前記光強度比が所定値以下の場合、前記低周波信号に前記高周波変調信号を重畳させるためのオン信号を生成し、
前記スイッチは、前記判断回路からのオフ信号によりオフし、前記判断回路からのオン信号によりオンすることを特徴とする請求項1記載のガス濃度測定装置。 - 低周波信号に高周波信号発生器の高周波変調信号を重畳させて光源の駆動電流を発生させて半導体レーザを発振し、前記半導体レーザからのレーザ光をガスに入射させガスを透過したレーザ光を受光し受光信号に基づきガス濃度を測定するガス濃度測定方法において、
前記半導体レーザを駆動する時に前記受光信号に基づき前記低周波信号に前記高周波変調信号を重畳させるか否かを判断する判断ステップと、
前記高周波信号発生器に接続されたスイッチにより、前記判断ステップの出力結果に応じてオン/オフする切替ステップと、
を有することを特徴とするガス濃度測定方法。 - 前記判断ステップは、前記ガスの吸収を受けないときの検出光強度と前記ガスの吸収を受けたときの検出光強度との光強度比が所定値を超えた場合、前記低周波信号に前記高周波変調信号を重畳させないためのオフ信号を生成し、前記光強度比が所定値以下の場合、前記低周波信号に前記高周波変調信号を重畳させるためのオン信号を生成し、
前記スイッチは、前記判断ステップからのオフ信号によりオフし、前記判断ステップからのオン信号によりオンすることを特徴とする請求項3記載のガス濃度測定方法。
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