JP2012219286A - 成膜処理装置および成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】成膜処理装置(1)は、成膜用ガス(N2,SiH4,NH3)を用いて基板(W0)への成膜処理が行われる成膜室(20)と、成膜室(20)に成膜用ガスを導入する成膜ガス導入手段としてのマスフローコントローラ(204A〜204C)と、成膜室(20)へ搬送するための基板(W0)が準備されるロードロック室(10)と、成膜室(20)とロードロック室(10)との間を仕切るゲートバルブ(G2)と、ゲートバルブ(G2)を開いて基板(W0)をロードロック室(10)から成膜室(20)へ搬送してゲートバルブ(G2)を閉じるまでの搬送期間に、圧力調整用ガスを成膜室(20)に導入する調整ガス導入手段としてのマスフローコントローラ(204A)と、を備える。
【選択図】図1
Description
請求項2の発明は、請求項1に記載の成膜処理装置において、成膜室に基板が搬送されてゲートバルブが閉じられると、調整ガス導入手段による圧力調整用ガスの導入を停止し成膜ガス導入手段による成膜用ガスの導入を開始するガス制御手段を、さらに備えたものである。
請求項3の発明は、請求項1に記載の成膜処理装置において、圧力調整用ガスに成膜用ガスを用いたものである。
請求項4の発明は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の成膜処理装置において、基板準備室を真空排気する真空排気装置と、調整ガス導入手段による成膜室への圧力調整用ガスの導入時に、真空排気装置による基板準備室の真空排気を停止する排気制御手段と、を備えたものである。
請求項5の発明は、成膜用ガスを用いて基板への成膜処理が行われる成膜室と、成膜室へ搬送するための基板が準備される基板準備室と、成膜室と基板準備室との間を仕切るゲートバルブとを備えた成膜処理装置における成膜方法であって、ゲートバルブを開いて基板を基板準備室から成膜室へ搬送してゲートバルブを閉じる搬送工程と、成膜用ガスを成膜室に導入して基板に成膜を行う成膜処理工程とを有し、ゲートバルブを開いてからゲートバルブを閉じるまでの搬送工程において、圧力調整用ガスを成膜室に導入する圧力調整処理を行うようにしたものである。
Claims (5)
- 成膜用ガスを用いて基板への成膜処理が行われる成膜室と、
前記成膜室に前記成膜用ガスを導入する成膜ガス導入手段と、
前記成膜室へ搬送するための基板が準備される基板準備室と、
前記成膜室と前記基板準備室との間を仕切るゲートバルブと、
前記ゲートバルブを開いて基板を前記基板準備室から前記成膜室へ搬送して前記ゲートバルブを閉じるまでの搬送期間に、圧力調整用ガスを前記成膜室に導入する調整ガス導入手段と、を備えたことを特徴とする成膜処理装置。 - 請求項1に記載の成膜処理装置において、
前記成膜室に基板が搬送されて前記ゲートバルブが閉じられると、前記調整ガス導入手段による圧力調整用ガスの導入を停止し前記成膜ガス導入手段による成膜用ガスの導入を開始するガス制御手段を、さらに備えたことを特徴とする成膜処理装置。 - 請求項1に記載の成膜処理装置において、
前記圧力調整用ガスに前記成膜用ガスを用いたことを特徴とする成膜処理装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の成膜処理装置において、
前記基板準備室を真空排気する真空排気装置と、
前記調整ガス導入手段による前記成膜室への前記圧力調整用ガスの導入時に、前記真空排気装置による前記基板準備室の真空排気を停止する排気制御手段と、を備えたことを特徴とする成膜処理装置。 - 成膜用ガスを用いて基板への成膜処理が行われる成膜室と、前記成膜室へ搬送するための基板が準備される基板準備室と、前記成膜室と前記基板準備室との間を仕切るゲートバルブとを備えた成膜処理装置における成膜方法であって、
前記ゲートバルブを開いて基板を前記基板準備室から前記成膜室へ搬送して前記ゲートバルブを閉じる搬送工程と、
前記成膜用ガスを前記成膜室に導入して基板に成膜を行う成膜処理工程とを有し、
前記ゲートバルブを開いてから前記ゲートバルブを閉じるまでの前記搬送工程において、圧力調整用ガスを前記成膜室に導入する圧力調整処理を行うことを特徴とする成膜方法。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03193877A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2009064873A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体製造装置における被処理体の搬送方法 |
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Patent Citations (2)
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JPH03193877A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2009064873A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体製造装置における被処理体の搬送方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170108819A (ko) * | 2016-03-17 | 2017-09-27 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
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