JP2012215431A - 赤外線センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】視野角制限体を一体で配置した赤外線センサにおいて、視野角制限体の存在による測定誤差の発生を防止した赤外線センサを提供することにある。
【解決手段】所定の視野角以外からの光が入射しないように視野角制限を行う視野角制限部と、前記視野角制限部の上流側の開口部に設けられ、該開口部から入射する光のうち赤外線のみを下流側に透過する光学フィルタと、前記視野角制限部下流側に接続され、前記光学フィルタを透過した赤外線を光電変換して電気信号として出力する光電変換部を有する赤外線センサ素子とを備えた赤外線センサであって、前記赤外線センサは、前記赤外線センサ素子の温度を測定する温度センサを前記視野角制限部と前記赤外線センサ素子と熱的に一体構成にして樹脂封止していることを特徴とする赤外線センサである。
【選択図】図1
【解決手段】所定の視野角以外からの光が入射しないように視野角制限を行う視野角制限部と、前記視野角制限部の上流側の開口部に設けられ、該開口部から入射する光のうち赤外線のみを下流側に透過する光学フィルタと、前記視野角制限部下流側に接続され、前記光学フィルタを透過した赤外線を光電変換して電気信号として出力する光電変換部を有する赤外線センサ素子とを備えた赤外線センサであって、前記赤外線センサは、前記赤外線センサ素子の温度を測定する温度センサを前記視野角制限部と前記赤外線センサ素子と熱的に一体構成にして樹脂封止していることを特徴とする赤外線センサである。
【選択図】図1
Description
本発明は赤外線センサに関し、より詳細には、赤外線センサの受光面に視野角制限体を一体で配置することにより、赤外線センサの出力が外乱の影響を受けにくいようにした赤外線センサに関する。
赤外線センサは、赤外領域の光(赤外線IR:Infrared)を受光して電気信号に変換し、必要な情報として取り出すために用いられている。例えば物体がその温度に応じた赤外線を放射することから、赤外線センサは、所望の部位の温度を非接触で測定する手段としても用いられている。より詳細には、赤外線センサは、所望の部位から温度に応じて放射される赤外線スペクトルと赤外線センサ自身の持つ温度での赤外線スペクトルとの差分を赤外線センサの感度で電気信号に変換して出力するので、赤外線センサの出力値と感度と温度により、所望の部位の温度算出している。このような非接触で温度測定する赤外線センサでは、所望の部位の温度を正確に測定するために、赤外線センサの温度を正確に測定すると共に、視野角制限体を設けて所望の部位以外の周囲の赤外線をカットしている。
このような視野角制限体が設けられた赤外線センサとしては、例えば図7に示すような光デバイスが知られていた(特許文献1参照)。この光デバイスでは、センサ素子を構成する基板62と信号処理回路65とを開口部64を残して封止部材63で樹脂封止する構成としたことにより、基板62へ入射する光の視野が開口部64のみからに制限されている。光デバイスはさらに、開口部64からの入射される光のうち赤外光のみを透過させる光学調整部61と、透過した赤外線を光電変換する光電変換部60とを搭載した基板62を備えている。光電変換された信号は、光電変換部60と電気的に接続された信号処理回路部65によりさらに信号処理される。
この光デバイスでは、光電変換部60を搭載した基板62と信号処理回路部65とが互いに熱の影響を与えないようにする観点から、配線端子上に積層されたインターポーザー67上に金属バンプ66など介して基板62と信号処理回路部65とを設けている。すなわち、光電変換部60と信号処理回路部65とは、インターポーザー67上で、互いに熱の影響を与えない(与えにくい)位置に、光電変換部60および信号処理回路部65を配置することにより、光電変換部60の温度を安定させ、所望の信号精度得ることを目的としている。
また、視野角制限体が設けられた赤外線センサの他の例として、図8に示す赤外線センサも知られている(特許文献2参照)。図8に示す赤外線センサは、鼓膜の温度を測定するための非接触式温度計として用いられるものである。この非接触式温度計は、測定対象の部位(鼓膜)から放射される赤外線を検出する赤外線センサ70と、鼓膜から赤外線センサ70に赤外線を導く視野角制限体として機能する導光部71とを備えている。
また、赤外線センサ70は、赤外線センサ70自体の温度と測定部位の温度との差に基づいた赤外線を感知するので、赤外線センサ70自体の温度を管理することが重要である。このため、図8の非接触式温度計では、赤外線センサ70の周囲に空間部S1、S2、S3、S4を設けて外乱の影響を受けにくいように構成している。さらに、導光部71と赤外線センサ70とが温度が異なることを考慮して、導光部71と赤外線センサ70とにそれぞれ補正用温度センサ72と、基準用温度センサ73とを設けて赤外線センサ70の温度補正を行っている。
しかしながら、赤外線センサ70に設けられた温度センサ74で測定した温度を基準用温度として用い、導光部71に設けられた温度センサ73で測定した温度に基づいて補正して温度値の算出を行う構成では、赤外線センサ70は温度の異なる導光部71の温度を視野に入れてセンサ出力が得られることとなるので、センサ出力には測定誤差が生じてしまうという問題があった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、視野角制限体を一体で配置した赤外線センサにおいて、視野角制限体の存在による測定誤差の発生を防止した赤外線センサを提供することにある。
上記の課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、所定の視野角以外からの光が入射しないように視野角制限を行う視野角制限部と、前記視野角制限部の上流側の開口部に設けられ、該開口部から入射する光のうち赤外線のみを下流側に透過する光学フィルタと、前記視野角制限部下流側に接続され、前記光学フィルタを透過した赤外線を光電変換して電気信号として出力する光電変換部を有する赤外線センサ素子とを備えた赤外線センサであって、前記赤外線センサは、前記赤外線センサ素子の温度を測定する温度センサを前記視野角制限部と前記赤外線センサ素子と熱的に一体構成にして樹脂封止していることを特徴とする赤外線センサである。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の赤外線センサにおいて、前記光電変換部から出力された電気信号に対して前記温度センサで得られた温度に基づいて補正する信号処理用ICと、前記信号処理用ICと電気的に接続された配線端子とをさらに備え、該信号処理用ICは前記温度センサを有し、前記配線端子と赤外線センサ素子とを積層してバンプ配線により電気的に接続することを特徴とする。
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
(第1の実施形態)
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。まず、本発明の赤外線センサ1について図1を用いて説明する。図1は赤外線センサの概略構成を示す側面図である。
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。まず、本発明の赤外線センサ1について図1を用いて説明する。図1は赤外線センサの概略構成を示す側面図である。
赤外線センサ1は、光学フィルタ2と、視野角制限部3と、赤外線センサ素子4と、温度センサが組み込まれた信号処理用IC5と、赤外線センサ素子4および信号処理用IC5を電気的に接続するための接続配線7、8a、接続端子6a、6bとを、光学フィルタ4aを設けた開口部9a以外からの赤外光を遮ることができる封止樹脂9で一体に封止した構成とされる。なお、接続端子6bは外部出力のための端子であり、接続配線8bはIC5をこの接続端子6bと接続する配線である。封止樹脂9としては、例えば、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂、ホットメルト型樹脂など、一般的な電子部品の封止用樹脂を用いることができる。
視野角制限部3は、所定の視野角以外からの光が入射しないように視野角制限する部位である。視野角制限部3は、光を遮る封止樹脂9に囲まれた空間として形成されており、上流に光学フィルタ2が挿入された開口部9aが光学的に接続されている。光学フィルタ2は、接着部9bで開口部9aに固定されており、開口部9aから入射する光Lのうち赤外線Rのみを下流側の視野角制限部3へと透過するフィルタである。
赤外線センサ素子4は、視野角制限部3の下流側に光学的に接続されて設けられている。赤外線センサ素子4の周囲には視野角制限部3との接続面以外には封止樹脂9が設けられており、光学フィルタ2を透過した所定の波長の赤外線以外は赤外線センサ素子4には到達しない。また、視野角制限部3で制限された範囲の光(赤外線)のみしか赤外線センサ素子4には到達しない。この赤外線センサ素子4と視野角制限部3との界面には、反射防止膜4aが設けられていることが好ましい。反射防止膜4aを設けると、光学フィルタ2を透過した所定の波長の赤外線が赤外線センサ素子4の表面で反射するのを抑制できるからである。
また、赤外線センサ素子4は、基板41、光電変換部42、接続端子43とを備えており、光学フィルタ2を透過した所定の波長の赤外線を光電変換部42により光電変換して受光した赤外線量に応じた電気信号を出力する。光電変換部42は、反射防止膜4aに隣接する基板41の面とは反対側の面(裏面)に接続端子43と共に設けられている。基板41は、例えばGaAs、Si、Ge、サファイヤなどの赤外線を透過することができる材料で構成することができる。基板41が赤外線を透過する材料で構成されるので、光学フィルタ2を透過して反射防止膜4aで反射が抑制された赤外線をさらに基板41を透過させて光電変換部42に到達させることができる。
このように本発明では赤外線センサ素子4として、基板に光電変換部を搭載したチップ型の赤外線センサ素子を用いることができる。このようなチップ型の赤外線センサ素子としては、代表的には赤外線を電気信号に直接変換する機能を有する量子型の赤外線センサが考えられるがこれに限定されない。チップ型に構成可能な赤外線センサ素子であれば、赤外線を一旦熱に変換してから電気信号に変換する機能を有するMEMS技術を用いたサーモパイルなどのいわゆる熱型センサでも同様の構成とすることができる。
図2、3は、赤外線センサ素子4を構成する基板41の裏面の構成例を示している。基板41の裏面は例えば図2に示すように、光電変換部42の周囲に4つの接続端子43が設けられる構成としてもよいし、図3に示すように光電変換部42を2つの接続端子43の周囲に設ける構成としてもよく、任意の構成とすることができる。
信号処理用IC5は、赤外線センサ素子4に電気的に接続されており、温度センサと信号処理用回路とを備えている。赤外線センサ素子4から出力される電気信号を温度センサで検出した温度に基づいて補正してセンサ出力値として検出する処理を行う。赤外線センサ素子4は、温度に応じて出力特性が変化するので、同じ赤外線量を受光しても、温度によって、異なる電気信号が出力される。したがって、正確な検出をするためには、温度に基づいて赤外線センサ素子4からの出力を補正することが重要になる。信号処理用IC5は接続端子6a、6bなどと同様に金属材料で構成された金属タブ6cの上に載置されている。また、信号処理用IC5と接続端子6aとを接続する接続配線8aとしてはボンディングワイヤが採用されている。
図4は、信号処理用IC5の構成の一例を示す図である。信号処理用IC5は、温度センサ51と、IV変換増幅回路52と、温度補正演算回路53とを備えて構成される。IV変換増幅回路52は、赤外線センサ素子4の出力をIV変換して増幅して温度補正演算回路53に出力する。また、温度センサ51は、検出した温度を温度補正演算回路53に出力する。温度補正演算回路53は、赤外線センサ素子4の出力を温度センサ51の出力を用いて補正して出力することができる。
接続端子6aおよび接続配線7、8aは、赤外線センサ素子4と信号処理用IC5とを電気的に接続している。具体的には、赤外線センサ素子4が接続配線7を介して接続端子6aに接続され、さらに信号処理用IC5も接続配線8aを介して接続端子6aと接続されている。本発明の赤外線センサでは、赤外線センサ素子4と接続端子6aとの接続配線7として、金属バンプを用いているので、赤外線センサ素子4と接続端子6aとを積層することができ、視野角制限部3と赤外線センサ素子4と温度センサが組み込まれた信号処理用IC5とを熱的に一体に構成可能とすることができる。赤外線センサ素子4と温度センサ51が組み込まれた信号処理用IC5とが熱的に一体に構成されていることにより、温度センサ51が検出する温度と赤外線センサ素子4の温度とに実質的な差がなくなる。さらに、赤外線センサ素子4へ入射する光の導波路となる視野角制限部3が、これらの素子(赤外線センサ素子4および温度センサ51が組み込まれた信号処理用IC5)と熱的に一体に構成されていることにより、赤外線センサ素子4の温度が安定したものとなるので、赤外線センサ素子4の出力値に対して正確な温度補正ができる。
ここで熱的に一体構成にするとは、視野角制限部3と赤外線センサ素子4と温度センサ51との温度差が、赤外線センサ素子4の温度特性に応じて決定される誤差許容範囲内に含まれるように構成することをいう。
因みに、従来の赤外線センサ20では、図5に示すように、赤外線センサ素子4を構成する基板の裏面に設けられた接続端子とパッケージ外部へ接続される接続端子22とがボンディングワイヤ21を用いて接続されていた。ボンディングワイヤ21で接続するためには、接続端子22と赤外線センサ素子4とは積層できず、接続端子22を赤外線センサ素子4の側方に設けなければならない。このため、従来のボンディングワイヤ21を用いた接続方法では赤外線センサ素子4の側方に接続のためのスペースDを必要とする。従って、赤外線センサ素子4を温度センサが組み込まれた信号処理用IC5と熱的に一体に構成することは困難であった。むしろ、従来ではこれらの素子をワンパッケージにする場合は、素子同士が互いに発する熱の影響を考慮してこれらの素子を熱的に分離することが一般であった(図7参照)。
熱的に一体構成にするには、例えば、視野角制限部3と赤外線センサ素子4と温度センサ51との距離を、封止樹脂の熱伝導率と発熱電力を考慮した距離以下となるよう構成することで実現できる。ここで熱伝導率と発熱電力と温度上昇との関係は、下記(式1)、(式2)によって導かれる。すなわち、
温度上昇=熱抵抗×発熱電力・・・(式1)
熱抵抗=厚さ/(熱伝導率×幅×長さ)・・・(式2)
と表すことができるので、(式1)、(式2)より、
温度上昇=厚さ/(熱伝導率×幅×長さ)×発熱電力・・・(式3)
となる。例えば、封止樹脂として断面が幅4mm、長さ1mmのエポキシ樹脂(一例として熱伝導率が0.5W/m・K)を用いて、赤外線センサ素子4や信号処理用IC5が動作する際に発生する発熱電力が10mWである場合について考える。まずは断面方向のみを考慮する。赤外線センサ素子4の誤差許容範囲が1℃であるとすると、温度差が1℃で抑えられるのは上記(式3)より、厚さが0.2mm以内の部分となる。ただし、現実には発熱源から上下左右など全方向への放熱があるため、距離は緩和されるが視野角制限部3と赤外線センサ素子4と温度センサ51との距離を0.2mm程度にすることが好ましい。また、放熱性を高める為のエポキシ樹脂として高熱伝導率2〜4W/m・Kの封止樹脂を用いると、さらに温度分布を抑えることが出来、温度精度を向上したり、視野角制限部3と赤外線センサ素子4と温度センサ51との距離をさらに広がりを許容したりすることが可能となる。なお、信号処理用IC5は熱伝導率が非常に高いので、本実施形態のように温度センサ51が信号処理用IC5に組み込まれている場合は、実際には視野角制限部3と赤外線センサ素子4と信号処理用IC5との距離が上記範囲になるように設計すればよい。
温度上昇=熱抵抗×発熱電力・・・(式1)
熱抵抗=厚さ/(熱伝導率×幅×長さ)・・・(式2)
と表すことができるので、(式1)、(式2)より、
温度上昇=厚さ/(熱伝導率×幅×長さ)×発熱電力・・・(式3)
となる。例えば、封止樹脂として断面が幅4mm、長さ1mmのエポキシ樹脂(一例として熱伝導率が0.5W/m・K)を用いて、赤外線センサ素子4や信号処理用IC5が動作する際に発生する発熱電力が10mWである場合について考える。まずは断面方向のみを考慮する。赤外線センサ素子4の誤差許容範囲が1℃であるとすると、温度差が1℃で抑えられるのは上記(式3)より、厚さが0.2mm以内の部分となる。ただし、現実には発熱源から上下左右など全方向への放熱があるため、距離は緩和されるが視野角制限部3と赤外線センサ素子4と温度センサ51との距離を0.2mm程度にすることが好ましい。また、放熱性を高める為のエポキシ樹脂として高熱伝導率2〜4W/m・Kの封止樹脂を用いると、さらに温度分布を抑えることが出来、温度精度を向上したり、視野角制限部3と赤外線センサ素子4と温度センサ51との距離をさらに広がりを許容したりすることが可能となる。なお、信号処理用IC5は熱伝導率が非常に高いので、本実施形態のように温度センサ51が信号処理用IC5に組み込まれている場合は、実際には視野角制限部3と赤外線センサ素子4と信号処理用IC5との距離が上記範囲になるように設計すればよい。
このように本実施形態によれば、視野角制限体と赤外線センサ素子と温度センサとが熱的に一体化することにより、温度センサを用いた正確な温度補正が可能となり、高感度の赤外線センサが得られる。
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態の赤外線センサについて説明する。図6は第2の実施形態の赤外線センサの概略構成を示す断面図である。本実施形態の赤外線センサ30では、第1の実施形態の赤外線センサ1の信号処理用IC5と接続端子6aとをボンディングワイヤで接続していた構成に代えて、金属バンプ31で接続している。
次に、第2の実施形態の赤外線センサについて説明する。図6は第2の実施形態の赤外線センサの概略構成を示す断面図である。本実施形態の赤外線センサ30では、第1の実施形態の赤外線センサ1の信号処理用IC5と接続端子6aとをボンディングワイヤで接続していた構成に代えて、金属バンプ31で接続している。
この構成にすると、信号処理用IC5と接続端子6aとを積層して接続することができるので、ボンディングワイヤを接続する端子引き回し部分が不要になるため、赤外線センサ30を第1の実施形態の赤外線センサ1よりもさらに小型化することができる。
第2の実施形態の赤外線センサ30によれば、第1の実施形態の赤外線センサ1よりもさらに小型化することができ、よって、赤外線センサよりもさらに強固に熱的一体化を図ることができる。
1、20、30:赤外線センサ
2:光学フィルタ
3:視野角制限部
4:赤外線センサ素子
41:基板
42:光電変換部
43:接続端子
5:信号処理用IC
51:温度センサ
52:IV変換増幅回路
53:演算温度補正回路
6a、6b:接続端子
7、8a、8b:接続配線
9:封止樹脂
9a:開口部
2:光学フィルタ
3:視野角制限部
4:赤外線センサ素子
41:基板
42:光電変換部
43:接続端子
5:信号処理用IC
51:温度センサ
52:IV変換増幅回路
53:演算温度補正回路
6a、6b:接続端子
7、8a、8b:接続配線
9:封止樹脂
9a:開口部
Claims (2)
- 所定の視野角以外からの光が入射しないように視野角制限を行う視野角制限部と、
前記視野角制限部の上流側の開口部に設けられ、該開口部から入射する光のうち赤外線のみを下流側に透過する光学フィルタと、
前記視野角制限部下流側に接続され、前記光学フィルタを透過した赤外線を光電変換して電気信号として出力する光電変換部を有する赤外線センサ素子とを備えた赤外線センサであって、
前記赤外線センサは、前記赤外線センサ素子の温度を測定する温度センサを前記視野角制限部と前記赤外線センサ素子と熱的に一体構成にして樹脂封止していることを特徴とする赤外線センサ。 - 前記光電変換部から出力された電気信号に対して前記温度センサで得られた温度に基づいて補正する信号処理用ICと、前記信号処理用ICと電気的に接続された配線端子とをさらに備え、
該信号処理用ICは前記温度センサを有し、前記配線端子と赤外線センサ素子とを積層してバンプ配線により電気的に接続することを特徴とする請求項1に記載の赤外線センサ。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014125800A1 (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-21 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線センサ用フィルタ部材及びその製造方法、赤外線センサ及びその製造方法 |
JP2020068264A (ja) * | 2018-10-23 | 2020-04-30 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 光デバイス |
KR20220078183A (ko) * | 2020-12-03 | 2022-06-10 | 주식회사 이엠텍 | Ir 센서를 이용한 휴대용 에어로졸 발생기의 온도 측정 및 제어 장치 |
-
2011
- 2011-03-31 JP JP2011079780A patent/JP2012215431A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014125800A1 (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-21 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線センサ用フィルタ部材及びその製造方法、赤外線センサ及びその製造方法 |
JP6039789B2 (ja) * | 2013-02-14 | 2016-12-07 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線センサ及びその製造方法 |
JPWO2014125800A1 (ja) * | 2013-02-14 | 2017-02-02 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線センサ及びその製造方法 |
US9638576B2 (en) | 2013-02-14 | 2017-05-02 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Infrared-sensor filter member, manufacturing method thereof, infrared sensor, and manufacturing method thereof |
JP2020068264A (ja) * | 2018-10-23 | 2020-04-30 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 光デバイス |
JP7368081B2 (ja) | 2018-10-23 | 2023-10-24 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 光デバイス |
KR20220078183A (ko) * | 2020-12-03 | 2022-06-10 | 주식회사 이엠텍 | Ir 센서를 이용한 휴대용 에어로졸 발생기의 온도 측정 및 제어 장치 |
KR102503544B1 (ko) * | 2020-12-03 | 2023-02-24 | 주식회사 이엠텍 | Ir 센서를 이용한 휴대용 에어로졸 발생기의 온도 측정 및 제어 장치 |
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