JP2012193373A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. ガラス織布と、前記ガラス織布の両面に設けられ、エポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂（ポリフェニレンエーテル及び相互侵入ポリマー網目構造を除く。）を含有する樹脂層とを備え、
   ＩＰＣ−ＴＭ−６５０ Ｍｅｔｈｏｄ ２．３．１７に準拠し、１７１±３℃、１３８０±７０ｋＰａの条件で５分間加熱加圧して測定された樹脂流れが、１５重量％以上５０重量％以下である、ビルドアップ用プリプレグ。
2. 前記樹脂層は無機充填材をさらに含有する請求項１に記載のビルドアップ用プリプレグ。
3. ロール状に巻回積層された請求項１または２に記載のビルドアップ用プリプレグ。
4. 片面又は両面に支持基材が設けられ、前記支持基材が介在した状態で巻回積層された請求項３に記載のビルドアップ用プリプレグ。
5. 前記ガラス織布を中心として相対的に厚い樹脂層と相対的に薄い樹脂層とを有する、請求項１乃至４いずれか１項に記載のビルドアップ用プリプレグ。
6. 片面又は両面に金属箔が設けられた請求項１乃至５いずれか１項に記載のビルドアップ用プリプレグ。
7. 片面又は両面に回路形成面を有するコア層と、
   前記コア層の前記回路形成面に積層されたビルドアップ層と、
   を備え、
   前記ビルドアップ層は、請求項１乃至６いずれか１項に記載のビルドアップ用プリプレグを硬化して形成したものである、積層板。
8. 前記ビルドアップ用プリプレグが前記ガラス織布を中心として相対的に厚い樹脂層と相対的に薄い樹脂層とを有し、
   前記厚い樹脂層が前記回路形成面に積層された、請求項７に記載の積層板。
9. 請求項７又は８に記載の積層板と、
   前記積層板に実装された半導体素子と、
   を備える半導体装置。
10. 片面又は両面に回路形成面を有するコア層の前記回路形成面に、加熱加圧下、ビルドアップ用プリプレグをラミネートするラミネート工程と、
    ラミネートした前記ビルドアップ用プリプレグの表面を平滑化して積層板を得る平滑化工程と、
    を連続的に行う積層板の製造方法であって、
    前記ラミネート工程において、対向する一対の金属板で前記コア層と前記ビルドアップ用プリプレグとを挟んだ状態で加熱及び加圧し、
    前記ビルドアップ用プリプレグとして、請求項１乃至６いずれか１項に記載のビルドアップ用プリプレグを用いる、積層板の製造方法。
11. 前記ビルドアップ用プリプレグがロール状に巻回積層されており、
    巻回積層されたビルドアップ用プリプレグを搬送するとともに、シート状のコア層を搬送し、前記ラミネート工程、及び、前記平滑化工程を連続的に行う、請求項１０に記載の積層板の製造方法。
12. 前記平滑化工程において、対向する一対の板状弾性体で前記コア層と前記ビルドアップ用プリプレグを挟んだ状態で加熱及び加圧する、請求項１１に記載の積層板の製造方法。