JP2012193102A - シリカガラスの処理方法及び光ファイバ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリカガラスを重水素含有雰囲気に所定時間暴露して該シリカガラス内に重水素分子を拡散させる重水素拡散ステップ、該シリカガラスを40℃以上に保持する高温保持ステップ、次いで該シリカガラスを室温にまで冷却する冷却ステップからなることを特徴とするシリカガラスの処理方法であり、前記シリカガラスは、シリカガラス系の光ファイバであって、中心に少なくともゲルマニウムを含有するシリカガラスのコアを有し、該コアをこれよりも屈折率の低いシリカガラスのクラッドが囲み、シリカガラスの表面には、樹脂被覆が施されている。
【選択図】 なし
Description
wavelength division multiplexing)は、1300〜1625nmの波長域で複数の波長の信号光を同一ファイバで同時に伝送する方式である。この方式によれば、単一波長の伝送の場合に比べて、原理的に、同時に入射させる波長の数を乗じた分だけ伝送容量が向上する。
シリカガラス系の光ファイバは、1300〜1600nmでの透明度が高く、一般にその伝送損失は0.4dB/km以下である。伝送損失は波長依存性を持ち、伝送損失をα、波長をλとして[数2]式で表わされる。
(NBOHC; Non-Bridging Oxygen Hole Center)と呼ばれる構造欠陥が発生すると考えられている。
さらに、このような1400nmでの吸収損失の増加を抑制した光ファイバが開示されているが、線引き速度の遅い条件であったり、電子スピン共鳴法評価による製造条件の最適化が必要であるなど、生産性に劣る手法で実現されていた。
なお、前記シリカガラスは、シリカガラス系の光ファイバであって、中心に少なくともゲルマニウムを含有するシリカガラスのコアを有し、該コアをこれよりも屈折率の低いシリカガラスのクラッドが囲み、シリカガラスの表面には、樹脂被覆が施されている。
第三の伝送損失は基準値以下とし、この基準値は、第三の計測ステップにおいて波長700nm以上1600nm以下の範囲で、さらに計測した複数波長における伝送損失から、波長をλ、伝送損失をαとして、[数1]式のA,Bの最適値を決定し、波長630nmに外挿した値に3dB/kmを加えた値とされる。または、この基準値を予め類似のファイバの測定値から決定しておくこともできる。
高温保持ステップは、大気中でもしくは重水素含有雰囲気で行い、高温保持ステップの後又は冷却ステップの後、さらにシリカガラスを水素含有雰囲気に暴露する水素拡散ステップを設けるのが好ましい。水素拡散ステップの後、波長1383nm付近の第四の伝送損失を計測する第四の計測ステップを設ける。第四の伝送損失は0.35dB/km以下とされる。
なお、クラッドの一部にフッ素を含有していてもよい。クラッドの直径は125μmで、樹脂被覆の直径が250μmであり、光ファイバを5mmの円筒に巻きつけたときの伝送損失は1dB/turn 以下とされる。
SMP1;VAD法でシリカガラスコア母材を製造し、そのコア母材の外周にOVD法でクラッドを堆積させ、シリカガラス母材とした。
先ず、回転軸1の先端に取り付けられたターゲット部材2を回転させつつ、コア部の屈折率を高めるために、Geを含むシリカガラススートをバーナー3から吹き付けるとともに、シリカガラスクラッド部を形成するためにバーナー4からシリカガラススートを吹き付けて多孔質コア母材5を作製し、この多孔質コア母材5を塩素含有雰囲気にて1200℃で熱処理することにより脱水を行い、さらに水含有量を1ppm以下に抑えた乾燥ヘリウム雰囲気内にて1500℃で熱処理することにより透明ガラス化を行い、透明シリカガラスコア母材6を作製した(図3,4参照)。
このコア母材を加熱延伸して外径を均一に揃えコア母材22とした後、回転軸21に取り付け、コア母材22のコアを中心軸として回転させ、コア母材22の外周に向けてバーナー23からFを含むシリカガラススートを吹き付け、シリカガラスからなる第一クラッド部24を堆積し、コア母材22と第一クラッド部24とが一体となった第一クラッド母材25を作製した(図6参照)。
さらに、この第一クラッド母材25を回転軸に取り付け、バーナーからシリカガラススートを吹き付けて多孔質シリカガラスクラッド部を堆積させ、第一クラッド母材25とシリカガラスクラッド部とが一体となった多孔質母材を作製した。さらに、この多孔質母材を塩素含有雰囲気にて1500℃で熱処理することにより脱水・透明ガラス化を行い、透明シリカガラス母材を作製した。
なお、フッ素を含むガスを吹き付ける製法としては、OVD法、プラズマ法等、公知の方法を用いればよく、特に限定されない。ここでは、図6に示した従来のプラズマ装置を一例として挙げている。
また、上記では、バーナー23からフッ素を含むシリカガラススートを吹き付ける方法を実施しているが、フッ素がドープされた石英管をコア母材周囲に配置し一体化する方法を用いることも可能である。
上記SMP1、 SMP2で製作した透明シリカガラス母材を紡糸してシリカガラス光ファイバSMF1、 SMF2をそれぞれ製造した。
紡糸の条件は、線引炉温2000℃、線引き速度1000m/分、線引き張力250gとした。シリカガラス光ファイバの直径は125μmであり、紡糸直後に紫外線硬化型のアクリル樹脂にて表面を被覆し、直径250μmの被覆シリカガラス光ファイバを作製した。
処理1;
シリカガラス光ファイバSMF1を1.5km準備し、その伝送損失をカットバック法によって測定したところ、図7(a)および(b)に示した初期損失スペクトル51が得られた。このファイバを室温にて、5%の重水素を含む窒素ガス雰囲気中で約1日放置した。雰囲気ガスの全圧は約1気圧とした。従って、重水素の分圧は約5kPaである。その後、大気中で約1日放置した。重水素処理前を起点として、合計2日後にこのファイバの伝送損失を測定したところ損失スペクトル52が得られた。
損失スペクトル52では、630nmでの伝送損失は9.3dB/kmであり、重水素処理によってNBOHC欠陥がほぼ消滅していることを示している。他方、1400nm付近の伝送損失は、約0.1dB/km上昇している。
なお、630nm付近の吸収ピークは波長700nm付近まで裾を引いているので、近似曲線算出に用いる波長は700nm以上とするのが望ましい。1600nmを超えた長波長領域ではシリカガラスの赤外線吸収損失が顕著となることが知られているので、近似曲線算出に用いる波長は1600nm以下とする事が望ましい。また、図7(b)の53、54の様な高次モードの影響によるピークを避けて選定するのが望ましい。
1400nmでの損失はその後次第に減少し、8日後(重水素処理1日+放置1日+高温処理6日)には、1400nmでの損失増加分は0.01dB/km以下となり、実用的な低損失光ファイバのレベルとなった。念のため、さらに高温処理を継続したところ、21日後にはほぼ重水素処理前のレベルに戻っていることが確認できた。
B1.3の規定に準じるものであり、室温で1kPa分圧の水素雰囲気で処理を行った。
1383nmでの損失を測定したところ、水素処理前で0.304dB/km、水素処理後は0.304dB/kmであった。すなわち,重水素処理の結果、NBOHC欠陥が不活性化されており、よって、その後の水素処理によるOH基の増加が無いことを示している。
シリカガラス光ファイバSMF2を10km用意し、47℃にて、1%の重水素を含む窒素ガス雰囲気の容器内に24時間放置した。雰囲気ガスの全圧は約1気圧とした。従って、重水素の分圧は約1kPaである。その後、容器内を窒素ガス雰囲気に置換して4時間放置したのち、光ファイバを大気中に取り出し、85℃での高温処理を10時間行った。その後、室温25℃まで冷却した。
630nmでの伝送損失は、当初は15.8dB/kmであり、NBOHC欠陥の無い同種のファイバでは、10dB/km以下であるのに比べて5〜6dB/kmほど高い値となっている。重水素処理開始時を起点として、約30時間後における630nmでの伝送損失は9.6dB/kmに低下し、NBOHC欠陥が重水素と結合して不活性化したことが判る。
1383nmおよび1400nmでの伝送損失は、重水素処理開始前の計測ではそれぞれ0.297dB/kmおよび0.274dB/kmであった。630nmでの伝送損失の低下とほぼ同時に、それぞれが0.454dB/kmおよび0.442dB/kmに上昇し、POLまたは何らかの別の欠陥種が重水素と反応したことを示している。
2. ターゲット部材、
3,4,9. バーナー、
5. 多孔質コア母材、
6,8,22. コア母材、
10. 多孔質シリカガラス層、
11. 多孔質母材、
12. 加熱装置、
23. プラズマトーチ、
24. 第一クラッド部、
25. 第一クラッド母材、
26. コイル、
27. フッ素ガス供給装置、
28. 排気口。
Claims (21)
- シリカガラスを重水素含有雰囲気に所定時間暴露して該シリカガラス内に重水素分子を拡散させる重水素拡散ステップ、該シリカガラスを40℃以上に保持する高温保持ステップ、次いで該シリカガラスを室温にまで冷却する冷却ステップからなることを特徴とするシリカガラスの処理方法。
- 前記シリカガラスが、シリカガラス系の光ファイバであって、中心に少なくともゲルマニウムを含有するシリカガラスのコアを有し、該コアをこれよりも屈折率の低いシリカガラスのクラッドが囲む請求項1に記載のシリカガラスの処理方法。
- 前記シリカガラスの表面に、樹脂被覆が施されている請求項1又は2に記載のシリカガラスの処理方法。
- 重水素拡散ステップにより、波長630nm付近に吸収損失ピークを持つシリカガラス内の構造を不活性化する請求項1乃至3のいずれかに記載のシリカガラスの処理方法。
- 重水素拡散ステップに先立ち、波長1383nm付近における第一の伝送損失を計測する第一の計測ステップと、前記冷却ステップ後に,波長1383nm付近における第二の伝送損失を計測する第二の計測ステップとを行う請求項1乃至4のいずれかに記載のシリカガラスの処理方法。
- 第一の伝送損失に対する第二の伝送損失の増分が0.005dB/km以下である請求項5に記載のシリカガラスの処理方法。
- 高温保持ステップにより、波長1400nm付近に吸収損失ピークを持つシリカガラス内の構造を不活性化する請求項1乃至6のいずれかに記載のシリカガラスの処理方法。
- 高温保持ステップに先立ち,少なくとも630nm付近の第三の伝送損失を計測する第三の計測ステップを行う請求項1乃至6のいずれかに記載のシリカガラスの処理方法。
- 第三の伝送損失が、基準値以下である請求項8に記載のシリカガラスの処理方法。
- 前記基準値が、予め類似のファイバの測定値から決定されている請求項9に記載のシリカガラスの処理方法。
- 重水素拡散ステップにおいて、重水素含有雰囲気中の重水素分圧が1〜5kPaである請求項1乃至11のいずれかに記載のシリカガラスの処理方法。
- 重水素拡散ステップが、40℃以上の温度雰囲気で行われる請求項1乃至12のいずれかに記載のシリカガラスの処理方法。
- 高温保持ステップが、大気中で行われる請求項1乃至13のいずれかに記載のシリカガラスの処理方法。
- 高温保持ステップが、重水素含有雰囲気で行われる請求項1乃至13のいずれかに記載のシリカガラスの処理方法。
- 高温保持ステップの後、または冷却ステップの後、さらにシリカガラスを水素含有雰囲気に暴露する水素拡散ステップを有する請求項1乃至15のいずれかに記載のシリカガラスの処理方法。
- 水素拡散ステップの後、波長1383nm付近の第四の伝送損失を計測する第四の計測ステップを設ける請求項16に記載のシリカガラスの処理方法。
- 第四の伝送損失が0.35dB/km以下である請求項17に記載のシリカガラスの処理方法。
- 中心に少なくともゲルマニウムを含有するシリカガラスのコアを有し、該コアをこれよりも屈折率の低いシリカガラスのクラッドが囲み、該クラッドを樹脂被覆が囲むシリカガラス系の光ファイバであって、重水素含有雰囲気に所定時間暴露してシリカガラス内に重水素分子を拡散させる重水素拡散ステップ、該シリカガラスを40℃以上に保持する高温保持ステップ、該シリカガラスを室温に冷却する冷却ステップを施してなり、波長630nmにおける伝送損失が10dB/km 以下、波長1383nmにおける伝送損失が 0.35dB/km 以下、光ファイバ長22mで測定するカットオフ波長が 1260nm 以下であることを特徴とする光ファイバ。
- クラッドの一部にフッ素を含有している請求項19に記載の光ファイバ。
- クラッドの直径が125μmであり、樹脂被覆の直径が250μmであり、光ファイバを5mmの円筒に巻きつけたときの伝送損失が1dB/turn 以下である請求項19又は20に記載の光ファイバ。
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