JP2012193080A - Break method and break apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、マザー基板をブレークするブレーク方法、及びブレーク装置に関する。 The present invention relates to a break method and a break device for breaking a mother substrate.
上記したブレーク装置は、例えば、特許文献1に記載のような装置が用いられ、ガラス基板等からなる基板間に液晶が挟持された一対のマザー基板をブレーク(分断)し、複数の液晶装置を切り出す。 As the break device described above, for example, a device as described in Patent Document 1 is used, and breaks (divides) a pair of mother substrates in which liquid crystal is sandwiched between substrates made of glass substrates, etc. cut.
液晶装置は、例えば、外部と電気的に接続するための外部接続端子が露出するように形成される。詳述すると、外部接続端子は、一対の基板のうち一方の基板(例えば、素子基板)において、他方の基板(例えば、対向基板)よりも外部方向に張り出すように形成された張出し部に形成されている。 The liquid crystal device is formed, for example, such that an external connection terminal for electrical connection with the outside is exposed. More specifically, the external connection terminal is formed in an overhanging portion formed so as to protrude outward in one substrate (for example, an element substrate) of the pair of substrates from the other substrate (for example, a counter substrate). Has been.
ブレーク方法は、まず、対向基板側をブレークする。具体的には、対向基板における張出し部の基端に対応する部分にスクライブラインを形成する。次に、一対の基板を反転させ、素子基板側からブレークバーを用いて押圧し、スクライブラインに沿って対向基板をブレークする。素子基板側のブレーク方法も同様の方法を用いて行う。 In the break method, first, the counter substrate side is broken. Specifically, a scribe line is formed in a portion corresponding to the base end of the overhang portion in the counter substrate. Next, the pair of substrates are reversed and pressed using a break bar from the element substrate side, and the counter substrate is broken along the scribe line. The break method on the element substrate side is also performed using the same method.
しかしながら、対向基板における張出し部の基端に対応する部分をブレークする際、対向基板のみをブレークするが、マザー基板の外周側からクラックが入り、その結果、素子基板にもクラックが入る、いわゆる共割れが発生するという課題がある。 However, when the portion of the counter substrate corresponding to the base end of the overhang portion is broken, only the counter substrate is broken, but a crack is generated from the outer peripheral side of the mother substrate, and as a result, the element substrate is also cracked. There is a problem that cracking occurs.
また、対向基板側をブレークした後、素子基板側をブレークするが、マザー基板の外周付近において、正規の分断ラインから反れ曲がってブレークする場合があり、バリや欠けが発生するという課題がある。 Further, after breaking the counter substrate side, the element substrate side is broken. However, there is a case where a break occurs in the vicinity of the outer periphery of the mother substrate by curving from a normal dividing line, and there is a problem that burrs and chips occur.
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[適用例1]本適用例に係るブレーク方法は、複数の素子基板が面付けされた素子側マザー基板と、複数の対向基板が面付けされた対向側マザー基板と、が貼り合わされた一対のマザー基板をブレークすることにより、複数の電気光学装置を製造するブレーク方法であって、前記対向側マザー基板の表面に対向側スクライブラインを形成する対向側スクライブライン形成工程と、前記素子側マザー基板の表面を、前記素子側マザー基板における周縁部より中心部が先に接触するような中凸状のブレークバーで叩いて、前記対向側スクライブラインに沿って前記対向側マザー基板をブレークする第1ブレーク工程と、前記素子側マザー基板の表面に素子側スクライブラインを形成する素子側スクライブライン形成工程と、前記対向側マザー基板の表面を、前記対向側マザー基板における中心部よりも周縁部が先に接触するような中凹状のブレークバーで叩いて、前記素子側スクライブラインに沿って前記素子側マザー基板をブレークする第2ブレーク工程と、を有していることを特徴とする。 [Application Example 1] A break method according to this application example includes a pair of an element-side mother substrate having a plurality of element substrates attached thereto and a counter-side mother substrate having a plurality of opposite substrates attached thereto. A break method for manufacturing a plurality of electro-optical devices by breaking a mother substrate, wherein a facing scribe line forming step for forming a facing scribe line on a surface of the facing mother substrate, and the element side mother substrate First, the counter-side mother substrate is broken along the counter-side scribe line by hitting the surface of the element-side mother board with a center-convex break bar whose central portion comes into contact with the peripheral portion of the element-side mother substrate first. A break step, an element-side scribe line forming step for forming an element-side scribe line on the surface of the element-side mother substrate, and the counter-side mother substrate A second break that breaks the element-side mother substrate along the element-side scribe line by hitting the surface with a center-recessed break bar whose peripheral edge comes in contact with the front side of the center of the counter-side mother substrate. And a process.
この方法によれば、第1ブレーク工程において、対向側スクライブラインに沿って対向側マザー基板をブレークする際、中凸状のブレークバーを用いるので、マザー基板の中央付近から叩くことが可能となり、従来のマザー基板の外周側が先に当たった(叩いた)ときのように、共割れ(割りたくない素子側マザー基板が割れる)が発生することを抑えることができる。また、第2ブレーク工程において、素子側スクライブラインに沿って素子側マザー基板をブレークする際、中凹状のブレークバーを用いるので、マザー基板の外周側を先に叩くことが可能となり、分断予定線に沿ってブレークできるので、バリや欠けが発生することを抑えることができる。 According to this method, in the first break step, when the opposing mother substrate is broken along the opposing scribe line, the middle convex break bar is used, so that it is possible to strike from the center of the mother substrate. It is possible to suppress the occurrence of co-cracking (the element-side mother substrate that is not to be cracked), such as when the outer peripheral side of the conventional mother substrate first hits (hits). In the second break process, when the element-side mother board is broken along the element-side scribe line, a break bar having a concave shape is used, so that the outer peripheral side of the mother board can be hit first, and the planned dividing line Therefore, the occurrence of burrs and chips can be suppressed.
[適用例2]上記適用例に係るブレーク方法において、前記素子基板は、前記対向基板より外側に張り出した張出し部を有し、前記第1ブレーク工程は、前記対向側マザー基板における前記張出し部の基端に対応する部分をブレークすることが好ましい。 [Application Example 2] In the break method according to the application example, the element substrate has an overhang portion that protrudes outward from the counter substrate, and the first break step includes the step of forming the overhang portion of the counter mother substrate. It is preferable to break the portion corresponding to the proximal end.
この方法によれば、張出し部の基端に対応する部分を中凸状のブレークバーを用いてブレークするので、マザー基板の略中央から周縁部に向かって順に叩いていくことが可能となる。よって、対向側マザー基板のみを分断することができ、素子側マザー基板まで割れてしまう共割れが発生することを抑えることができる。 According to this method, the portion corresponding to the base end of the overhanging portion is broken using the center-convex break bar, so that it is possible to hit in order from the approximate center of the mother substrate toward the peripheral portion. Therefore, it is possible to divide only the opposite-side mother substrate, and to suppress the occurrence of co-cracking that breaks up to the element-side mother substrate.
[適用例3]上記適用例に係るブレーク方法において、前記第1ブレーク工程の後、前記第2ブレーク工程を行うことが好ましい。 Application Example 3 In the break method according to the application example, it is preferable that the second break process is performed after the first break process.
この方法によれば、第1ブレーク工程によって対向側マザー基板をブレークすると、対向側マザー基板(特に周縁部)の強度が弱くなり不安定な状態になりやすいが、第2ブレーク工程によって中凹状のブレークバーを用いて素子側マザー基板の周縁部から叩いていくので、分断予定線に沿ってブレークすることが可能となり、バリや欠けが発生することを抑えることができる。 According to this method, when the opposing mother substrate is broken by the first break step, the strength of the opposing mother substrate (especially the peripheral portion) is weakened and is likely to be unstable. Since the break bar is used to strike from the peripheral portion of the element-side mother substrate, it is possible to break along the planned dividing line and to suppress the occurrence of burrs and chips.
[適用例4]上記適用例に係るブレーク方法において、前記第1ブレーク工程において、前記対向側スクライブラインに対応する前記素子側マザー基板のラインは、分断ラインではなく、前記第2ブレーク工程において、前記素子側スクライブラインに対応する前記対向側マザー基板のラインは、分断ラインであることが好ましい。 Application Example 4 In the break method according to the application example, in the first break process, the element-side mother substrate line corresponding to the counter-side scribe line is not a dividing line, but in the second break process. It is preferable that the line of the opposing mother substrate corresponding to the element side scribe line is a dividing line.
この方法によれば、第2ブレーク工程は、素子側マザー基板及び対向側マザー基板の共通の分断ラインをブレークするので、例えば、中凹状のブレークバーを用いて共割れが発生したとしても、対向側マザー基板側に悪影響を及ぼすことを抑えることができる。 According to this method, since the second break process breaks the common dividing line of the element-side mother substrate and the counter-side mother substrate, for example, even if co-cracking occurs using a concave recess bar, It is possible to suppress adverse effects on the side mother substrate side.
[適用例5]上記適用例に係るブレーク方法において、前記対向側マザー基板及び前記素子側マザー基板は、ウエハー状であることが好ましい。 Application Example 5 In the break method according to the application example described above, it is preferable that the counter-side mother substrate and the element-side mother substrate have a wafer shape.
この方法によれば、ウエハー状のマザー基板を用いてブレークを行った際、マザー基板の周縁部が分断予定線に対し反れ曲がって分断されやすい傾向にあるが、第2ブレーク工程において中凹状のブレークバーを用いるので、周縁部が反れ曲がることを抑えることが可能となり、バリや欠けが発生することを抑えることができる。 According to this method, when a break is performed using a wafer-like mother substrate, the peripheral edge of the mother substrate tends to be bent with respect to the planned dividing line. Since the break bar is used, it is possible to suppress the peripheral portion from being bent and to suppress occurrence of burrs and chips.
[適用例6]本適用例に係るブレーク装置は、一対のマザー基板をブレークバーを用いてブレークすることにより複数の電気光学装置を製造するブレーク装置であって、前記ブレークバーは、中凸状のブレークバーと、中凹状のブレークバーと、を備え、前記一対のマザー基板において周縁部より中心部を先にブレークしたい場合は前記中凸状のブレークバーを用い、前記一対のマザー基板において中心部より周縁部を先にブレークしたい場合は前記中凹状のブレークバーを用いるように制御することを特徴とする。 Application Example 6 A break device according to this application example is a break device that manufactures a plurality of electro-optical devices by breaking a pair of mother substrates using a break bar, and the break bar has a convex shape. If the center of the pair of mother substrates is to be broken before the peripheral portion, the center of the pair of mother substrates is used. When it is desired to break the peripheral portion before the portion, it is controlled to use the above-mentioned concave break bar.
この構成によれば、中凸状のブレークバーを用いることにより、例えば、一対のマザー基板のうち対向側マザー基板をブレークする際、マザー基板の中央付近から叩くことが可能となり、従来のマザー基板の外周側が先に当たった(叩いた)ときのように、共割れ(割りたくない素子側マザー基板が割れる)が発生することを抑えることができる。また、中凹状のブレークバーを用いることにより、例えば、一対のマザー基板のうち素子側マザー基板をブレークする際、マザー基板の外周側を先に叩くことが可能となり、バリや欠けが発生することを抑えることが可能なブレーク装置を提供することができる。 According to this configuration, for example, when the opposite mother substrate of the pair of mother substrates is to be broken, it is possible to strike from the center of the mother substrate by using the middle convex break bar. The occurrence of co-cracking (breaking of the element-side mother substrate that is not to be broken) can be suppressed as in the case where the outer peripheral side of the substrate first hits (hits). In addition, by using a concave break bar, for example, when breaking the element-side mother substrate out of a pair of mother substrates, it is possible to hit the outer peripheral side of the mother substrate first, which causes burrs and chips. It is possible to provide a break device capable of suppressing the above.
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings to be used are appropriately enlarged or reduced so that the part to be described can be recognized.
(第1実施形態)
<電気光学装置の構成>
図1は、電気光学装置としての液晶装置の構造を示す模式平面図である。図2は、図1に示す液晶装置のA−A'線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図1及び図2を参照しながら説明する。
(First embodiment)
<Configuration of electro-optical device>
FIG. 1 is a schematic plan view showing a structure of a liquid crystal device as an electro-optical device. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line AA ′ of the liquid crystal device shown in FIG. Hereinafter, the structure of the liquid crystal device will be described with reference to FIGS.
図1及び図2に示すように、液晶装置100は、例えば、薄膜トランジスター(以下、「TFT(Thin Film Transistor)素子」と称する。)を画素のスイッチング素子として用いたTFTアクティブマトリクス方式の液晶装置である。液晶装置100は、一対の基板を構成する素子基板12と対向基板13とが、平面視略矩形枠状のシール材14を介して貼り合わされている。
As shown in FIGS. 1 and 2, a
素子基板12及び対向基板13は、例えば、ガラスや石英などの透光性材料から構成されている。液晶装置100は、シール材14に囲まれた領域内に液晶層15が封入された構成になっている。なお、シール材14には液晶を注入するための注入口16が設けられ、注入口16は封止材17により封止されている。
The
液晶層15としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。液晶装置100は、シール材14の内周近傍に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の額縁遮光膜18が対向基板13に形成されており、この額縁遮光膜18の内側の領域が表示領域19となっている。
As the
額縁遮光膜18は、例えば、遮光性材料であるアルミ(Al)で形成されており、対向基板13側の表示領域19の外周を区画するように設けられている。
The frame
表示領域19内には、画素領域21がマトリクス状に設けられている。画素領域21は、表示領域19の最小表示単位となる1画素を構成している。また、素子基板12は、平面的に見て一辺に沿う領域が対向基板13よりも外側に張り出した張出し部29を有している。この張出し部29の領域には、信号線駆動回路22及び外部接続端子23が形成されている。
In the
また、シール材14の内側の領域には、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆動回路24がそれぞれ形成されている。素子基板12の残る一辺(図1における上側)には、検査回路25が形成されている。対向基板13側に形成された額縁遮光膜18は、例えば、素子基板12上に形成された走査線駆動回路24及び検査回路25に対向する位置(言い換えれば、平面的に重なる位置)に形成されている。
Further, scanning
一方、対向基板13の各角部(例えば、シール材14のコーナー部の4箇所)には、素子基板12と対向基板13との間の電気的導通をとるための上下導通端子26が配設されている。
On the other hand,
また、図2に示すように、素子基板12の液晶層15側には、複数の画素電極27が形成されており、これら画素電極27を覆うように第1配向膜28が形成されている。画素電極27は、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電材料からなる導電膜である。
As shown in FIG. 2, a plurality of
一方、対向基板13の液晶層15側には、格子状の遮光膜(BM:ブラックマトリクス)(図示せず)が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極31が形成されている。そして、共通電極31上には、第2配向膜32が形成されている。共通電極31は、ITO等の透明導電材料からなる導電膜である。
On the other hand, a lattice-shaped light shielding film (BM: black matrix) (not shown) is formed on the
液晶装置100は透過型であって、素子基板12及び対向基板13における光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光板(図示せず)等が配置されて用いられる。なお、液晶装置100の構成は、これに限定されず、反射型や半透過型の構成であってもよい。
The
図3は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の電気的な構成を、図3を参照しながら説明する。 FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing an electrical configuration of the liquid crystal device. Hereinafter, the electrical configuration of the liquid crystal device will be described with reference to FIG.
図3に示すように、液晶装置100は、表示領域19を構成する複数の画素領域21を有している。各画素領域21には、それぞれ画素電極27が配置されている。また、画素領域21には、TFT素子33が形成されている。
As shown in FIG. 3, the
TFT素子33は、画素電極27へ通電制御を行うスイッチング素子である。TFT素子33のソース側には、信号線34が電気的に接続されている。各信号線34には、例えば、信号線駆動回路22(図1参照)から画像信号S1,S2,…,Snが供給されるようになっている。
The
また、TFT素子33のゲート側には、走査線35が電気的に接続されている。走査線35には、例えば、走査線駆動回路24(図1参照)から所定のタイミングでパルス的に走査信号G1,G2,…,Gmが供給されるようになっている。また、TFT素子33のドレイン側には、画素電極27が電気的に接続されている。
A
走査線35から供給された走査信号G1,G2,…,Gmにより、スイッチング素子であるTFT素子33が一定期間だけオン状態となることで、信号線34から供給された画像信号S1,S2,…,Snが、画素電極27を介して画素領域21に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
.., Gm supplied from the
画素領域21に書き込まれた所定レベルの画像信号S1,S2,…,Snは、画素電極27と共通電極31(図2参照)との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号S1,S2,…,Snがリークするのを防止するために、画素電極27と容量線36との間に蓄積容量37が形成されている。
Image signals S1, S2,..., Sn written in the
このように、液晶層15に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶層15に入射した光が変調されて、画像光が生成されるようになっている。
Thus, when a voltage signal is applied to the
<一対のマザー基板(ウエハー)の構成>
図4は、液晶装置を切り出す前の、一対のマザー基板(ウエハー)の構造を示す模式斜視図である。図5は、一対のマザー基板を分断する分断予定線を説明する平面図である。なお、本実施形態に係る液晶装置は、複数の液晶装置となる構成要素が一体に形成された後にそれぞれ個片に分断されることで形成される。すなわち、液晶装置は、いわゆるマザー基板から多面取りを行う方法により形成される。
<Configuration of a pair of mother substrates (wafers)>
FIG. 4 is a schematic perspective view showing the structure of a pair of mother substrates (wafers) before cutting out the liquid crystal device. FIG. 5 is a plan view for explaining a dividing line for dividing the pair of mother substrates. Note that the liquid crystal device according to the present embodiment is formed by dividing each component into a single piece after a plurality of components to be a liquid crystal device are integrally formed. That is, the liquid crystal device is formed by a method of performing multi-cavity from a so-called mother substrate.
具体的には、一対のマザー基板は、図4に示すように、素子側マザー基板41上に複数の素子基板12を構成する積層構造44を行列状に連なった状態で形成し、また同様に対向側マザー基板42上に複数の対向基板13を構成する積層構造を行列状に形成し、この素子側マザー基板41と対向側マザー基板42とをシール材14を介して貼り合わせることにより形成される。
Specifically, as shown in FIG. 4, the pair of mother substrates is formed by stacking
本実施形態では、各マザー基板41,42は、オリエンテーションフラット(Orientation Flat:以下、「オリフラ」と称する。)43を有するウエハー状の略円板形状を有する。マザー基板41,42の大きさは、例えば、200mmである。マザー基板41,42の厚みは、例えば、それぞれ(素子側マザー基板41、対向側マザー基板42)1.2mmである。
In this embodiment, each of the mother substrates 41 and 42 has a wafer-like substantially disk shape having an orientation flat (hereinafter referred to as “orientation flat”) 43. The size of the mother substrates 41 and 42 is, for example, 200 mm. The thicknesses of the mother substrates 41 and 42 are, for example, 1.2 mm (element-
以下の説明においては、対向側マザー基板42と対向する面上においてオリフラ43と平行な軸をX軸とし、また当該面上において該X軸と直交する軸をY軸とする。また、X軸及びY軸に直交する軸をZ軸とする。
In the following description, an axis parallel to the orientation flat 43 on the surface facing the opposing
素子側マザー基板41上に形成される複数の積層構造44は、対向側マザー基板42に対向する面上においてX軸及びY軸に沿う行列状に配列される。
The plurality of
また、図5に示すように、貼り合わされた状態の一対のマザー基板41,42を平面的に見た場合、X方向に平行な対向基板13の外形の一辺を規定すると共に、張出し部29の基端側を規定する線を第1分断予定線51(分断ライン)とする。また、X軸に平行な素子基板12の1辺を規定すると共に、張出し部29の先端側を規定する線を第2分断予定線52(分断ライン)とする。また、Y軸に平行な外形の1辺を規定する線を第3分断予定線53(分断ライン)とする。
Further, as shown in FIG. 5, when the pair of
<ブレーク装置の構造>
図6(a)は、ブレーク装置の構造を示す模式側面図である。図6(b)、(c)は、ブレーク装置を構成するブレークバーの構造を示す模式側面図である。図7は、ブレーク装置の構造を斜め方向から見た模式斜視図である。以下、ブレーク装置の構造について、図6及び図7を参照しながら説明する。
<Structure of break device>
FIG. 6A is a schematic side view showing the structure of the break device. 6B and 6C are schematic side views showing the structure of the break bar constituting the break device. FIG. 7 is a schematic perspective view of the structure of the break device viewed from an oblique direction. Hereinafter, the structure of the break device will be described with reference to FIGS.
図6及び図7に示すように、ブレーク装置61には、ステージ62が設けられている。ステージ62の大きさは、例えば、520mm×520mmである。また、ステージ62の材質は、ステンレス板とゴム板との合板である。
As shown in FIGS. 6 and 7, the
ステージ62には、一対のマザー基板41,42を吸引して固定するための開口部が複数設けられている。複数の開口部は、ステージ62に加工された図示しない真空回路に接続されている。ステージ62の上部には、ブレーク(切断)の対象となる一対のマザー基板41,42が載置される。
The
また、ブレーク装置61には、図7に示すように、ステージ62の上方に移動自在の枠状部63が設けられている。枠状部63の囲まれた中には、シリンダー64によってステージ62と平行に上下動することが可能なブレークバー65が設けられている。
Further, as shown in FIG. 7, the
ブレークバー65の下降速度や最下端で停止する時間、また一対のマザー基板41,42を押圧させるためにシリンダー64に供給される圧力などは、調整自在とする。ブレークバー65は、棒状の金属部材66の下面に断面がV字形状をなすV字部材67(例えば、ウレタンゴム)が接合されたものである。また、ブレークバー65の長さは、例えば、520mmである。ブレークバー65の硬度は、例えば、ショアA硬度90である。
The descending speed of the
なお、ブレークバー65は、V字部材67の中央に向かって除々に凸状となった第1ブレークバー65aと、V字部材67の中央に向かって除々に凹状となった第2ブレークバー65bとを有する。凸部の高さ、及び凹部の深さは、例えば、1mmである。
The
第1ブレークバー65aは、マザー基板41,42をブレークする際、マザー基板41,42の周縁部と比較して中央部を先に接触したい場合に用いられる。また、第2ブレークバー65bは、マザー基板41,42の中央部と比較して周縁部を先に接触したい場合に用いられる。
The
また、ステージ62は、回転機構により90°ごと回転させることができる。つまり、直交するスクライブラインが形成されているマザー基板41,42に対しても、マザー基板41,42をブレーク(分断)することが可能となっている。
Further, the
ブレーク装置61は、一対のマザー基板41,42において周縁部より中心部を先にブレークしたい場合は中凸状の第1ブレークバー65aを用い、一対のマザー基板41,42において中心部より周縁部を先にブレークしたい場合は中凹状の第2ブレークバー65bを用いるように制御する。
The
<電気光学装置の製造方法、ブレーク方法>
図8は、電気光学装置としての液晶装置の製造方法、及びブレーク方法を工程順に示すフローチャートである。図9〜図11は、液晶装置の製造方法、及びブレーク方法の一部の工程を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法、及びブレーク方法を、図8〜図11を参照しながら説明する。
<Electro-optical device manufacturing method, break method>
FIG. 8 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a liquid crystal device as an electro-optical device and a break method in the order of steps. 9 to 11 are schematic cross-sectional views illustrating some steps of the method for manufacturing the liquid crystal device and the break method. Hereinafter, a method for manufacturing a liquid crystal device and a break method will be described with reference to FIGS.
まず、ステップS11では、素子側マザー基板41の一方の面上に、複数の積層構造44を、行及び列方向にそれぞれ所定の間隔で形成する。具体的には、図9(a)に示すように、素子側マザー基板41の面上に、公知の製造方法を用いて積層構造44を形成する。積層構造44は、素子基板12の液晶層15側に形成される構成であって、第1配向膜28、画素電極27、走査線35、信号線34、容量線36、TFT素子33、外部接続端子23などを有する。
First, in step S <b> 11, a plurality of
ステップS12では、素子側マザー基板41と対向側マザー基板42とを貼り合わせる。具体的には、図9(b)に示すように、複数の素子基板12の積層構造44が形成された素子側マザー基板41と、複数の対向基板13の積層構造が形成された対向側マザー基板42とを、シール材14を介して貼り合わせる。対向側マザー基板42に形成されている積層構造は、共通電極31や第2配向膜32などからなる。
In step S12, the element-
また、このステップS12においては、一対のマザー基板41,42を貼り合わせると共に、一対のマザー基板41,42との間に液晶を充填する。本実施形態においては、複数の積層構造44上にそれぞれ枠状のシール材14を形成し、シール材14により囲まれた領域内に所定量の液晶を滴下した後に対向側マザー基板42を貼り合わせる、いわゆる液晶滴下方式が用いられる。
In step S12, the pair of
なお、素子側マザー基板41と対向側マザー基板42との間に液晶を充填する方法は、液晶滴下方式に限定されるものではなく、素子側マザー基板41と対向側マザー基板42とが貼り合わされた状態で切り出された後に、シール材14に形成された開口部から液晶を注入して封止する、いわゆる液晶注入方式であってもよい。
The method of filling the liquid crystal between the element-
ステップS13(対向側スクライブライン形成工程、第1ブレーク工程)では、対向側マザー基板42に対し一次ブレーク処理を行う。具体的には、図9(c)に示すように、スクライブ刃(図示せず)によって、第1分断予定線51に沿って、対向側マザー基板42に対向側スクライブラインとしてのスクライブライン71を形成する。
In step S13 (opposing side scribe line forming step, first break step), a primary break process is performed on the opposing side mother substrate. Specifically, as shown in FIG. 9C, a
ここで、第1分断予定線51は、貼り合わされた状態の一対のマザー基板41,42を平面的に見た場合、対向基板13の外形の一辺を規定すると共に、張出し部29の基端側を規定する線である。
Here, the
次に、第1分断予定線51のスクライブライン71を基点としたクラック72を生じさせて、対向側マザー基板42を分断(一次ブレーク)する(クラック72を伸張させる)。分断には、V字部材67の中央が凸状になった第1ブレークバー65aを用いる。これにより、対向側マザー基板42の中央付近から第1ブレークバー65aを当てることが可能となり、従来の対向側マザー基板の周縁部から当たったときのような、共割れが発生することを抑えることができる。
Next, a
なお、図9(c)は、一対のマザー基板41,42の配置(上下方向の向き)を他の図と同じにして示しており、図7に示すブレーク装置61を用いて実際に加工するときは、第1ブレークバー65aが上方に配置され、素子側マザー基板41と接触することとなる。
FIG. 9C shows the arrangement (vertical direction) of the pair of
ステップS14では、対向側マザー基板42に対してダイシングを行う。具体的には、図10(a)に示すように、第1分断予定線51、第2分断予定線52、及び第3分断予定線53に沿って、対向側マザー基板42に所定の深さの溝状部57を形成する。
In step S14, dicing is performed on the opposing mother substrate. Specifically, as shown in FIG. 10A, a predetermined depth is formed in the opposing
溝状部57の深さは、対向側マザー基板42の厚みよりも小さい値であり、対向側マザー基板42が完全に切断されない厚さ(例えば、100μm)を残すように設定される。ダイシングは、例えば、外形の寸法精度を出すために行われる。よって、寸法精度が高く要求されなければ、ダイシングを行わなくてもよい。
The depth of the groove-
ここで、第2分断予定線52は、貼り合わされた状態の一対のマザー基板41,42を平面的に見た場合、素子基板12のX軸に平行な2辺と対向基板13の1辺とを規定すると共に、張出し部29の先端側を規定する線である。
Here, when the pair of
すなわち、張出し部29は、その先端及び基端が第1分断予定線51及び第2分断予定線52によって規定されている。対向側マザー基板42における張出し部29に対向する領域である重畳部58(図10(c)参照)は、クラック及び溝状部57によって挟まれた状態となる。
That is, the tip and the base end of the
ステップS15(素子側スクライブライン形成工程、第2ブレーク工程)では、素子側マザー基板41を分断(二次ブレーク)する。具体的には、図10(b)に示すように、図示しないスクライブ刃により第2分断予定線52及び第3分断予定線53に沿って、素子側マザー基板41に素子側スクライブラインとしてのスクライブライン73を形成する。次に、第3分断予定線53に沿って形成したスクライブライン73を基点としたクラック74を生じさせて(伸張させて)、素子側マザー基板41を分断する。
In step S15 (element-side scribe line forming process, second break process), the element-
分断には、V字部材67の中央が凹状になった第2ブレークバー65bを用いる。これにより、素子側マザー基板41の周縁部から第2ブレークバー65bを当てることが可能となり、分断予定線に沿ってブレークできるので、バリや欠けが発生することを抑えることができる。
For the division, the
そして、一対のマザー基板41,42を短冊状に分割した後、図10(c)に示すように、複数の個片100aに分断する。この個片100aは、上述した液晶装置100の構成に対して、対向基板13から重畳部58が張出し部29とは反対の方向へ延出している。
And after dividing a pair of mother board |
ステップS16では、重畳部58を分断する。具体的には、図11に示すように、個片100aの対向基板13から延出する重畳部58に対して、溝状部57において折り曲げるような力を加えることにより、重畳部58を対向基板13から分断する。これにより、一対のマザー基板41,42から液晶装置100が切り出される。
In step S16, the superimposing
以上詳述したように、第1実施形態のブレーク方法、及びブレーク装置によれば、以下に示す効果が得られる。 As described above in detail, according to the break method and break device of the first embodiment, the following effects can be obtained.
(1)第1実施形態のブレーク方法によれば、一次ブレーク(第1ブレーク工程)において、第1分断予定線51に沿って対向側マザー基板42をブレークする際、中凸状の第1ブレークバー65aを用いるので、一対のマザー基板41,42の中央付近から叩くことが可能となり、従来のマザー基板の外周側が先に当たった(叩いた)ときのように、共割れ(割りたくない素子側マザー基板41が割れる)が発生することを抑えることができる。また、二次ブレーク(第2ブレーク工程)において、スクライブライン73に沿って素子側マザー基板41をブレークする際、中凹状の第2ブレークバー65bを用いるので、一対のマザー基板41,42の周縁部を先に叩くことが可能となり、正規の分断ラインに近いラインで分断できるので、バリや欠けが発生することを抑えることができる。
(1) According to the break method of the first embodiment, in the primary break (first break process), when the opposing
(2)第1実施形態のブレーク装置61によれば、中凸状の第1ブレークバー65aと中凹状の第2ブレークバー65bとの2本のブレークバー65を備えているので、ブレーク工程の種類によって専用のブレークバー65に交換する手間がなく、効率よく生産することができるブレーク装置61を提供することができる。
(2) According to the
(第2実施形態)
<電気光学装置の製造方法、ブレーク方法>
図12は、第2実施形態の電気光学装置としての液晶装置の製造方法、及びブレーク方法を工程順に示すフローチャートである。図13は、液晶装置の製造方法、及びブレーク方法の一部の工程を示す模式断面図である。以下、第2実施形態の液晶装置の製造方法、及びブレーク方法を、図12及び図13を参照しながら説明する。
(Second Embodiment)
<Electro-optical device manufacturing method, break method>
FIG. 12 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a liquid crystal device as an electro-optical device according to the second embodiment and a break method in the order of steps. FIG. 13 is a schematic cross-sectional view illustrating some steps of the method for manufacturing the liquid crystal device and the break method. Hereinafter, a manufacturing method and a breaking method of the liquid crystal device according to the second embodiment will be described with reference to FIGS.
第2実施形態のブレーク方法は、貼り合わされた一対のマザー基板41,42において先に張出し部29の領域を露出させる部分が、第1実施形態と異なっている。以下、第1実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。なお、ステップS21〜ステップS22は、第1実施形態のステップS11〜ステップS12と同様である。
The break method of the second embodiment is different from that of the first embodiment in the portion where the region of the
ステップS23では、対向側マザー基板42に対し一次ブレーク処理を行う。具体的には、図13(a)に示すように、スクライブ刃(図示せず)用いて第1分断予定線51に沿って、対向側マザー基板42にスクライブライン71を形成する。次に、第1分断予定線51のスクライブライン71を基点としたクラック72を生じさせて、対向側マザー基板42を分断(一次ブレーク)する。
In step S23, a primary break process is performed on the opposing
第1実施形態と同様に、分断には、V字部材67の中央が凸状になった第1ブレークバー65aを用いる。これにより、対向側マザー基板42の中央付近から第1ブレークバー65aを当てることが可能となり、従来の対向側マザー基板の周縁部から当たったときのような、共割れが発生することを抑えることができる。
As in the first embodiment, the
なお、第1分断予定線51は、上記したように、貼り合わされた状態の一対のマザー基板41,42を平面的に見た場合、対向基板13の外形の一辺を規定すると共に、張出し部29の基端側を規定する線である。
As described above, the
ステップS24では、対向側マザー基板42に対してダイシングを行う。具体的には、図13(b)に示すように、第1分断予定線51、第2分断予定線52、及び第3分断予定線53に沿って、対向側マザー基板42に所定の深さの溝状部57を形成する。
In step S24, dicing is performed on the opposing mother substrate. Specifically, as shown in FIG. 13B, a predetermined depth is formed in the opposing
なお、第1実施形態と異なる点として、溝状部57の深さは、第2分断予定線52のみ素子側マザー基板41に食い込む深さまでダイシングを行う。これにより、張出し部29に対応する対向側マザー基板42の重畳部58が除去され、張出し部29が露出する。
Note that as a difference from the first embodiment, the
なお、上記したように、第2分断予定線52は、貼り合わされた状態の一対のマザー基板41,42を平面的に見た場合、素子基板12のX軸に平行な2辺と対向基板13の1辺とを規定すると共に、張出し部29の先端側を規定する線である。
As described above, the
ステップS25では、素子側マザー基板41を分断する。具体的には、図13(c)に示すように、図示しないスクライブ刃により第2分断予定線52及び第3分断予定線53に沿って、素子側マザー基板41にスクライブライン73を形成する。次に、素子側マザー基板41に形成したスクライブライン73を基点としたクラック74を生じさせて、素子側マザー基板41を分断する。
In step S25, the element-
第1実施形態と同様に、分断には、V字部材67の中央が凹状になった第2ブレークバー65bを用いる。これにより、素子側マザー基板41の周縁部から第2ブレークバー65bを当てることが可能となり、バリや欠けが発生することを抑えることができる。
Similar to the first embodiment, the
そして、一対のマザー基板41,42は、ブレークによって複数の個片100aに分断され、チップソーターなどを用いて、複数の個片をピックアップする。これにより、一対のマザー基板41,42から液晶装置100が切り出される。
The pair of
以上詳述したように、第2実施形態のブレーク方法によれば、上記した第1実施形態の(1)の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。 As described above in detail, according to the break method of the second embodiment, in addition to the effect (1) of the first embodiment, the following effects can be obtained.
(3)第2実施形態のブレーク方法によれば、第1実施形態の製造工程と異なる工程を有する製造設備を有していた場合でも、複数の高品質な液晶装置100を製造することができる。
(3) According to the break method of the second embodiment, a plurality of high-quality
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。 In addition, embodiment is not limited above, It can also implement with the following forms.
(変形例1)
上記したように、ブレーク装置61は、中凸状の第1ブレークバー65aと、中凹状の第2ブレークバー65bと、の2本のブレークバー65を備えているが、これに限定されず、1本のブレークバー65を備え、中凸状のブレークバーと中凹状のブレークバーとを交互に交換して用いるようにしてもよい。
(Modification 1)
As described above, the
また、1本のブレークバー65のみを用い、先端のV字部材のみ中凸状のブレークバーや中凹状のブレークバーに交換できるようにしてもよい。また、V字部材が交互に反転できるような機構を備えていてもよい。
Alternatively, only one
(変形例2)
上記したように、電気光学装置は、液晶装置100に限定されず、例えば、有機EL装置やプラズマ装置などであってもよい。
(Modification 2)
As described above, the electro-optical device is not limited to the
12…素子基板、13…対向基板、14…シール材、15…液晶層、16…注入口、17…封止材、18…額縁遮光膜、19…表示領域、21…画素領域、22…信号線駆動回路、23…外部接続端子、24…走査線駆動回路、25…検査回路、26…上下導通端子、27…画素電極、28…第1配向膜、29…張出し部、31…共通電極、32…第2配向膜、33…TFT素子、34…信号線、35…走査線、36…容量線、37…蓄積容量、41…素子側マザー基板、42…対向側マザー基板、43…オリフラ、44…積層構造、51…第1分断予定線、52…第2分断予定線、53…第3分断予定線、57…溝状部、58…重畳部、61…ブレーク装置、62…ステージ、63…枠状部、64…シリンダー、65…ブレークバー、65a…第1ブレークバー、65b…第2ブレークバー、66…金属部材、67…V字部材、71…対向側スクライブラインとしてのスクライブライン、72,74…クラック、73…素子側スクライブラインとしてのスクライブライン、100…電気光学装置としての液晶装置、100a…個片。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記対向側マザー基板の表面に対向側スクライブラインを形成する対向側スクライブライン形成工程と、
前記素子側マザー基板の表面を、前記素子側マザー基板における周縁部より中心部が先に接触するような中凸状のブレークバーで叩いて、前記対向側スクライブラインに沿って前記対向側マザー基板をブレークする第1ブレーク工程と、
前記素子側マザー基板の表面に素子側スクライブラインを形成する素子側スクライブライン形成工程と、
前記対向側マザー基板の表面を、前記対向側マザー基板における中心部よりも周縁部が先に接触するような中凹状のブレークバーで叩いて、前記素子側スクライブラインに沿って前記素子側マザー基板をブレークする第2ブレーク工程と、
を有していることを特徴とするブレーク方法。 A plurality of electro-optical devices can be obtained by breaking a pair of mother substrates on which an element-side mother substrate on which a plurality of element substrates are affixed and a counter-side mother substrate on which a plurality of counter substrates are affixed are bonded together A break method to manufacture,
A counter scribe line forming step of forming a counter scribe line on the surface of the counter mother substrate;
Strike the surface of the element-side mother substrate with a middle-convex break bar whose central portion comes in contact with the center of the element-side mother substrate before the peripheral edge portion, and the counter-side mother substrate along the counter-side scribe line A first break step for breaking
An element side scribe line forming step of forming an element side scribe line on the surface of the element side mother substrate;
The element-side mother substrate is struck along the element-side scribe line by striking the surface of the counter-side mother substrate with a concave recess bar whose peripheral part comes in contact first with respect to the center of the counter-side mother substrate. A second break step for breaking
The break method characterized by having.
前記素子基板は、前記対向基板より外側に張り出した張出し部を有し、
前記第1ブレーク工程は、前記対向側マザー基板における前記張出し部の基端に対応する部分をブレークすることを特徴とするブレーク方法。 The break method according to claim 1,
The element substrate has a projecting portion that projects outward from the counter substrate,
The first break step breaks a portion corresponding to a base end of the overhang portion in the opposing mother substrate.
前記第1ブレーク工程の後、前記第2ブレーク工程を行うことを特徴とするブレーク方法。 The break method according to claim 1 or 2,
A break method, wherein the second break step is performed after the first break step.
前記第1ブレーク工程において、前記対向側スクライブラインに対応する前記素子側マザー基板のラインは、分断ラインではなく、
前記第2ブレーク工程において、前記素子側スクライブラインに対応する前記対向側マザー基板のラインは、分断ラインであることを特徴とするブレーク方法。 A break method according to any one of claims 1 to 3,
In the first break step, the line on the element side mother substrate corresponding to the opposing scribe line is not a dividing line,
In the second break step, the line on the opposite mother substrate corresponding to the element side scribe line is a dividing line.
前記対向側マザー基板及び前記素子側マザー基板は、ウエハー状であることを特徴とするブレーク方法。 A break method according to any one of claims 1 to 4,
The opposing mother substrate and the element mother substrate are in the form of a wafer.
前記ブレークバーは、中凸状のブレークバーと、中凹状のブレークバーと、を備え、
前記一対のマザー基板において周縁部より中心部を先にブレークしたい場合は前記中凸状のブレークバーを用い、
前記一対のマザー基板において中心部より周縁部を先にブレークしたい場合は前記中凹状のブレークバーを用いるように制御することを特徴とするブレーク装置。 A break device for manufacturing a plurality of electro-optical devices by breaking a pair of mother substrates using a break bar,
The break bar includes a middle convex break bar and a middle concave break bar,
If you want to break the center part first from the peripheral part in the pair of mother substrates, use the middle convex break bar,
A break device characterized in that when the pair of mother boards want to break the peripheral portion first from the center portion, the break bar having the concave shape is used.
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Cited By (2)
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KR20150037481A (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-08 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Method and apparatus for breaking brittle material substrate |
CN115570689A (en) * | 2022-11-18 | 2023-01-06 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | Crystal cut-off device, crystal growth equipment and crystal cut-off method |
-
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