JP2008184358A - Manufacture method of electro-optical apparatus, and electro-optical apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To cut a pair of mother substrates so as to have cutting planes high in smoothness when cutting the pair of mother substrates to manufacture a plurality of electro-optical apparatuses. <P>SOLUTION: In the manufacturing method of electro-optical apparatuses, the pair of mother substrates (S1 and S2) are cut for every panel forming region (810) to manufacture electro-optical apparatuses provided each with a pair of substrates (10 and 20). Furthermore, the method includes a process for forming scribe grooves (510) by scribing the surface of the one mother substrate (S2) on the opposite side to the other substrate (S1) opposed to the mother substrate (S2) along a planned cutting line (L2) positioned at the boundary between the panel forming regions; a process for forming cracks (520) starting at the scribe grooves by pushing one mother substrate from the surface side opposed to the other substrate; and a process for forming dicing grooves (530) by applying a half-dicing after the process for forming cracks. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置の製造方法、及び該電気光学装置の製造方法によって製造された液晶装置等の電気光学装置の技術分野に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an electro-optical device such as a liquid crystal device, and a technical field of an electro-optical device such as a liquid crystal device manufactured by the method for manufacturing the electro-optical device.

この種の電気光学装置の一例として、シール材によって貼り合わされた一対の基板間に電気光学物質として液晶を挟持してなる液晶パネルを有する液晶装置がある。   As an example of this type of electro-optical device, there is a liquid crystal device having a liquid crystal panel in which liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates bonded with a sealing material as an electro-optical material.

このような液晶装置を製造するにあたっては、個々のパネルに対応した大きさに切断した2枚の基板を重ねて貼り合わせる場合もあるが、小型の液晶装置を製造する場合には特に複数のパネルを形成できるマザー基板(大型のガラス基板)に対して複数の液晶装置分の配線パターンや各種電子素子を形成するなど、製造工程の途中までは、大型のマザー基板のままで処理を行い、その後、マザー基板を個々のガラス基板に切断、分割することが多い。   In manufacturing such a liquid crystal device, there are cases where two substrates cut to a size corresponding to each panel are stacked and bonded together. For example, forming wiring patterns and various electronic elements for multiple liquid crystal devices on a mother substrate (large glass substrate) that can be formed, and then processing the large mother substrate until the middle of the manufacturing process. In many cases, the mother substrate is cut and divided into individual glass substrates.

このようなマザー基板を切断する方法としては、例えば、マザー基板の表面にダイヤモンドチップなどのカッタを当接させたまま、このカッタをマザー基板の切断予定線に沿って相対移動させることにより、マザー基板にスクライブ溝(スクライブライン)を形成し、しかる後に、マザー基板をブレーク用の治具(例えば、ゴムローラ)などで裏面側から押圧して曲げ応力を加え、この応力によりスクライブ溝を起点とするクラックを発生させることでマザー基板を切断する方法がある(以下、この方法を適宜「スクライブ・ブレイク法」と呼ぶ)。   As a method for cutting such a mother substrate, for example, a cutter such as a diamond tip is kept in contact with the surface of the mother substrate, and the cutter is moved relative to the mother substrate along a planned cutting line. A scribe groove (scribe line) is formed on the substrate, and then the mother substrate is pressed from the back side with a break jig (for example, a rubber roller) to apply bending stress, and this stress starts the scribe groove. There is a method of cutting a mother substrate by generating a crack (hereinafter, this method is appropriately referred to as a “scribe / break method”).

しかしながら、スクライブ・ブレイク法では、個々のガラス基板の切断面がスクライブ溝を起点とするクラックによって規定されるので、所望の切断面(例えば、基板面に対して垂直な面)に対して斜めにずれてしまうおそれがある。個々のガラス基板の切断面は、例えば、液晶装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として用いるため、所望の切断面からのずれによって、実装ケース内における液晶装置の位置ずれが生じてしまったり、実装ケース内に液晶装置を収容できなくなってしまったりするおそれがある。   However, in the scribe / break method, the cut surface of each glass substrate is defined by a crack starting from the scribe groove, so that it is inclined with respect to a desired cut surface (for example, a surface perpendicular to the substrate surface). There is a risk of shifting. The cut surfaces of the individual glass substrates are used, for example, as positioning means when the liquid crystal device is accommodated in the mounting case, and the displacement of the liquid crystal device within the mounting case may occur due to the deviation from the desired cutting surface. The liquid crystal device may not be accommodated in the mounting case.

そこで、スクライブ・ブレイク法に代えて、高速回転させたダイヤモンド製の円形回転刃(ダイシングブレード)によってマザー基板の切断予定線に対してハーフダイシングを施すことでダイシング溝を形成し、しかる後に、裏面側から曲げ応力を加えてダイシング溝を起点とするクラックを発生させることでマザー基板を切断する方法が採られることがある(以下、この方法を適宜「ハーフダイシング・ブレイク法」と呼ぶ)。ハーフダイシング・ブレイク法によれば、個々のガラス基板の切断面にはダイシング溝の側面によって規定される面が含まれるので、スクライブ・ブレイク法と比べて、所望の切断面からのずれを小さくすることができ、例えば、実装ケース内における液晶装置の位置ずれの発生を低減できる。   Therefore, instead of the scribing / breaking method, a dicing groove is formed by half-dicing the cutting line of the mother substrate with a diamond circular rotating blade (dicing blade) rotated at high speed, and then the back surface. A method of cutting the mother substrate by applying a bending stress from the side to generate a crack starting from the dicing groove may be employed (hereinafter, this method is appropriately referred to as a “half-dicing / breaking method”). According to the half dicing / breaking method, since the cut surface of each glass substrate includes a surface defined by the side surface of the dicing groove, the deviation from the desired cutting surface is reduced as compared with the scribe / breaking method. For example, the occurrence of displacement of the liquid crystal device in the mounting case can be reduced.

また、例えば特許文献1では、ガラス基板表面にスクライブラインを形成した後に、このスクライブラインに沿ってレーザー光を照射することでガラス基板を切断する技術が開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses a technique for cutting a glass substrate by forming a scribe line on the surface of the glass substrate and then irradiating laser light along the scribe line.

特開2001−35816号公報JP 2001-35816 A

しかしながら、上述したハーフダイシング・ブレイク法によってマザー基板を切断する場合、切断面のうちダイシング溝を起点とするクラックによって規定される部分は、例えばスクライブ・ブレイク法におけるスクライブ溝を起点とするクラックによって規定される切断面に比べて平滑性が低く、ガラス屑が発生しやすいという技術的問題点がある。このように発生したガラス屑によって、基板上に形成される配線パターンや各種電子素子に不具合が発生してしまうおそれがある。   However, when the mother substrate is cut by the above-described half dicing / breaking method, the portion of the cut surface that is defined by the crack starting from the dicing groove is defined by the crack starting from the scribe groove in the scribing / breaking method, for example. There is a technical problem that the smoothness is low compared to the cut surface to be produced, and glass dust is likely to be generated. Due to the glass waste generated in this way, there is a possibility that a defect may occur in the wiring pattern and various electronic elements formed on the substrate.

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、一対のマザー基板を切断して複数の電気光学装置を製造する際、一対のマザー基板を、平滑性の高い切断面を有するように切断可能な電気光学装置の製造方法、及び該電気光学装置の製造方法によって製造された電気光学装置を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of, for example, the above-described problems. When a plurality of electro-optical devices are manufactured by cutting a pair of mother substrates, the pair of mother substrates have a highly smooth cut surface. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an electro-optical device that can be cut into two pieces, and an electro-optical device manufactured by the method for manufacturing the electro-optical device.

本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、互いに貼り合わされた一対のマザー基板をパネル形成領域毎に切断して、電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記一対のマザー基板のうち一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面とは反対側の面に、前記パネル形成領域間の境界に位置する切断予定線に沿ってスクライブを施すことによりスクライブ溝を形成する工程と、前記一方のマザー基板を前記対向する面側から押圧することにより、前記一方のマザー基板に、前記スクライブ溝を起点とすると共に前記対向する側の面に達するクラックを形成する工程と、前記クラックを形成する工程の後、前記反対側の面に、前記切断予定線に沿ってハーフダイシングを施すことによりダイシング溝を形成する工程とを含む。   In order to solve the above problems, the electro-optical device manufacturing method of the present invention includes a pair of substrates formed by cutting a pair of mother substrates bonded to each other for each panel formation region and sandwiching an electro-optical material. An electro-optical device manufacturing method for manufacturing an electro-optical device, wherein one of the pair of mother substrates is disposed on a surface opposite to the surface facing the other mother substrate between the panel formation regions. A step of forming a scribe groove by scribing along a planned cutting line located at the boundary; and pressing the one mother substrate from the opposite surface side to thereby form the scribe groove on the one mother substrate. After the step of forming a crack reaching the opposite side surface and the step of forming the crack, on the opposite side surface to the planned cutting line And forming a dicing grooves by performing half-dicing I.

本発明の電気光学装置の製造方法によれば、一対のマザー基板は、例えばシール材によって互いに貼り合わされる。一対のマザー基板のうち一方は、例えば、複数の画素電極並びに該複数の画素電極に電気的に接続された配線及び電子素子が形成された素子基板を、パネル形成領域毎に1つずつ、複数含んでなる。一対のマザー基板のうち他方は、複数の画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板を、パネル形成領域毎に1つずつ、複数含んでなる。この互いに貼り合わされた一対のマザー基板をパネル形成領域毎に切断することで、例えば素子基板及び対向基板として構成される一対の基板間に例えば液晶等である電気光学物質が挟持された電気光学装置が製造される。尚、例えば液晶等である電気光学物質は、例えば、一対のマザー基板のいずれか一方におけるパネル形成領域毎に液晶を滴下した後に、一対のマザー基板を貼り合わせることで一対の基板間に挟持されるようにしてもよいし、シール材によって貼り合わされた一対のマザー基板をパネル形成領域毎に切断した後に、一対の基板間に封入するようにしてもよい。このように製造された電気光学装置では、その動作時に、例えば光源から入射された光が各画素において電気光学物質を透過して表示光として出射されることにより、画像表示が行われる。   According to the method for manufacturing an electro-optical device of the present invention, the pair of mother substrates are bonded to each other by, for example, a sealing material. One of the pair of mother substrates includes, for example, a plurality of pixel substrates and an element substrate on which wiring and electronic elements electrically connected to the plurality of pixel electrodes are formed, one for each panel formation region. Comprising. The other of the pair of mother substrates includes a plurality of counter substrates each having a counter electrode facing a plurality of pixel electrodes, one for each panel formation region. An electro-optical device in which an electro-optical material such as a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates configured as an element substrate and a counter substrate, for example, by cutting the pair of mother substrates bonded together for each panel formation region Is manufactured. For example, an electro-optical material such as a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates by, for example, dropping a liquid crystal in each panel formation region on either one of the pair of mother substrates and then bonding the pair of mother substrates together. Alternatively, the pair of mother substrates bonded together with the sealing material may be cut into each panel forming region and then sealed between the pair of substrates. In the electro-optical device manufactured as described above, during the operation, for example, light incident from a light source passes through the electro-optical material in each pixel and is emitted as display light, thereby displaying an image.

本発明では特に、互いに貼り合わされた一対のマザー基板を切断する際、スクライブ溝を形成する工程と、スクライブ溝を起点とするクラックを形成する工程と、ダイシング溝を形成する工程とをこの順に行う。   Particularly in the present invention, when cutting a pair of mother substrates bonded together, a step of forming a scribe groove, a step of forming a crack starting from the scribe groove, and a step of forming a dicing groove are performed in this order. .

即ち、先ず、一対のマザー基板のうち一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面とは反対側の面(即ち、電気光学物質に対向しないことになる面)に、パネル形成領域間の境界に位置する切断予定線に沿ってスクライブを施すことによりスクライブ溝(即ち、スクライブライン或いはV字状の切溝)を形成する工程を行う。スクライブは、例えばダイヤモンドチップなどのカッタを一方のマザー基板の表面に当接させたまま、このカッタを切断予定線に沿って相対移動させることにより行う。   That is, first, of the pair of mother substrates, one surface of the mother substrate is opposite to the surface facing the other mother substrate (that is, the surface not facing the electro-optical material) between the panel formation regions. A step of forming a scribe groove (that is, a scribe line or a V-shaped cut groove) is performed by scribing along a planned cutting line located at the boundary. The scribing is performed, for example, by relatively moving the cutter along a planned cutting line while keeping a cutter such as a diamond tip in contact with the surface of one mother substrate.

次に、スクライブ溝が形成された一方のマザー基板を、他方のマザー基板に対向する面(即ち、電気光学物質に対向することになる面)側から押圧或いは加圧し、一方のマザー基板に曲げ応力を加えることにより、一方のマザー基板に、スクライブ溝を起点とすると共に他方のマザー基板に対向する側の面に達するクラックを形成する工程を行う。ここで、スクライブ溝は切断予定線に沿って形成されているため、スクライブ溝を起点とするクラックも切断予定線に概ね沿って形成される。このようなスクライブ溝を起点とするクラックによって規定される切断面は、上述したハーフダイシング・ブレイク法におけるダイシング溝を起点とするクラックと比較して、平滑性が高いため、例えばガラス屑など、一方のマザー基板を構成する材料の屑(即ち、材料屑)が殆ど或いは全く発生しないという特性を有する。よって、例えば、一方のマザー基板を切断する際に例えばガラス屑などの材料屑が発生し、該材料屑が一対のマザー基板のいずれかに含まれる素子基板上に形成された配線或いは電子素子に対してダメージ或いは悪影響を及ぼしてしまうことを低減或いは防止できる。   Next, one mother substrate on which a scribe groove is formed is pressed or pressed from the side facing the other mother substrate (that is, the surface facing the electro-optical material), and bent to one mother substrate. By applying the stress, a process is performed in which one mother substrate is formed with a crack starting from the scribe groove and reaching the surface facing the other mother substrate. Here, since the scribe groove is formed along the planned cutting line, the crack starting from the scribe groove is also formed substantially along the planned cutting line. Since the cut surface defined by the crack starting from such a scribe groove has higher smoothness than the crack starting from the dicing groove in the above-mentioned half dicing / breaking method, for example, glass scraps, etc. This material has a characteristic that little or no material waste (that is, material waste) constituting the mother substrate is generated. Therefore, for example, when one mother substrate is cut, material waste such as glass waste is generated, and the material waste is generated on the wiring or electronic element formed on the element substrate included in one of the pair of mother substrates. On the other hand, it is possible to reduce or prevent damage or adverse effects on the device.

次に、一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面とは反対側の面(言い換えれば、スクライブ溝を形成した面)に、切断予定線に沿って(即ち、スクライブ溝及び該スクライブ溝を起点とするクラックに重ねて)ハーフダイシングを施すことによりダイシング溝を形成する。ハーフダイシングは、高速回転させた例えばダイヤモンド製等の円形回転刃(即ち、ダイシングブレード)を、一方のマザー基板における切断予定線に沿って所定の深さまで押し当てることにより行う。よって、一方のマザー基板における切断予定線に沿った切断面を、ダイシング溝の側面によって規定される部分と、スクライブ溝を起点とするクラックによって規定される部分とを含むように形成できる。即ち、一方のマザー基板における切断予定線に沿った切断面のうち、一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面とは反対側の面から所定の深さまでの部分は、ダイシング溝によって規定され、該ダイシング溝によって規定される部分よりも一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面側の部分は、スクライブ溝を起点とするクラックによって規定されるように、一方のマザー基板を切断することができる。このようなダイシング溝の側面によって規定される切断面は、上述したスクライブ・ブレイク法による切断面と比較して、平滑性が高く、所望の切断面を高精度に形成できる。従って、一方のマザー基板における切断予定線に沿った切断面(即ち、一対のマザー基板を切断することにより得られる一対の基板のうち一方のマザー基板に含まれる各基板の端面)のうちダイシング溝の側面によって規定される部分を、例えば、電気光学装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として好適に用いることができる。つまり、電気光学装置を実装ケースに収容する際、ダイシング溝の側面によって規定される部分を位置決め手段として用いることで、実装ケース内における電気光学装置の位置ずれの発生を殆ど或いは完全に無くすことができる、或いは、実装ケース内に電気光学装置を収容できなくなる事態を回避できる。   Next, along the planned cutting line (that is, the scribe groove and the scribe groove) on the surface of the one mother substrate opposite to the surface facing the other mother substrate (in other words, the surface on which the scribe groove is formed). A dicing groove is formed by performing half-dicing (overlapping on the crack starting from). Half dicing is performed by pressing a circular rotary blade (that is, a dicing blade) made of diamond or the like rotated at a high speed to a predetermined depth along a planned cutting line on one mother substrate. Therefore, the cut surface along the planned cutting line in one mother substrate can be formed so as to include a portion defined by the side surface of the dicing groove and a portion defined by the crack starting from the scribe groove. That is, of the cut surface along the planned cutting line in one mother substrate, the portion from the surface opposite to the surface facing the other mother substrate to the predetermined depth in one mother substrate is defined by the dicing groove. The portion of the surface of the one mother substrate that faces the other mother substrate is cut from the mother substrate so that the portion of the mother substrate facing the other mother substrate is defined by the crack starting from the scribe groove. can do. The cut surface defined by the side surface of such a dicing groove has higher smoothness than the above-described cut surface by the scribe / break method, and a desired cut surface can be formed with high accuracy. Therefore, a dicing groove in a cut surface (that is, an end surface of each substrate included in one mother substrate out of a pair of substrates obtained by cutting the pair of mother substrates) along a planned cutting line in one mother substrate. For example, the portion defined by the side surface can be suitably used as positioning means when the electro-optical device is accommodated in the mounting case. That is, when the electro-optical device is accommodated in the mounting case, the portion defined by the side surface of the dicing groove is used as a positioning unit, so that the occurrence of the positional deviation of the electro-optical device in the mounting case can be almost or completely eliminated. It is possible to avoid a situation where the electro-optical device cannot be accommodated in the mounting case.

以上説明したように、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、貼り合わされた一対のマザー基板を切断する際、スクライブ溝を形成する工程と、スクライブ溝を起点とするクラックを形成する工程と、ダイシング溝を形成する工程とをこの順に行うので、一対のマザー基板を、平滑性の高い切断面を有するように切断することができる。よって、製造プロセスにおいて、例えばガラス屑などの材料屑によって、マザー基板上に形成された例えば配線或いは電子素子に不具合が発生してしまうことを低減或いは防止できる。この結果、歩留まりを向上させることができ、信頼性の高い電気光学装置を製造することが可能となる。   As described above, according to the electro-optical device manufacturing method of the present invention, when cutting a pair of bonded mother substrates, a step of forming a scribe groove and a step of forming a crack starting from the scribe groove. Since the dicing groove forming step is performed in this order, the pair of mother substrates can be cut so as to have a highly smooth cut surface. Therefore, it is possible to reduce or prevent the occurrence of defects in, for example, wirings or electronic elements formed on the mother substrate due to material waste such as glass waste in the manufacturing process. As a result, the yield can be improved and a highly reliable electro-optical device can be manufactured.

本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記電気光学装置は、前記一対の基板として、複数の画素電極並びに該複数の画素電極に電気的に接続された配線及び電子素子が形成された素子基板と、前記複数の画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板とを備え、前記一方のマザー基板は、前記対向基板を複数含んでおり、前記他方のマザー基板は、前記素子基板を複数含んでいる。   In one aspect of the method of manufacturing an electro-optical device according to the aspect of the invention, the electro-optical device includes a plurality of pixel electrodes and wirings and electronic elements that are electrically connected to the plurality of pixel electrodes as the pair of substrates. An element substrate and a counter substrate on which counter electrodes facing the plurality of pixel electrodes are formed. The one mother substrate includes a plurality of the counter substrates, and the other mother substrate includes the element substrate. Includes multiple substrates.

この態様によれば、対向基板を複数含む一方のマザー基板に対して、スクライブ溝を形成する工程と、スクライブ溝を起点とするクラックを形成する工程と、ダイシング溝を形成する工程とをこの順に行うことにより、該一方のマザー基板を切断予定線に沿って切断する。よって、一方のマザー基板を切断する際に、例えばガラス屑などの材料屑によって、素子基板を複数含む他方のマザー基板上に形成された配線或いは電子素子に対して悪影響が及んでしまうことを回避できる。   According to this aspect, the step of forming the scribe groove, the step of forming the crack starting from the scribe groove, and the step of forming the dicing groove in this order on one mother substrate including a plurality of counter substrates. By performing this, the one mother substrate is cut along a planned cutting line. Therefore, when cutting one mother substrate, for example, material waste such as glass waste avoids adversely affecting wirings or electronic elements formed on the other mother substrate including a plurality of element substrates. it can.

尚、素子基板を複数含む他方のマザー基板に対して、スクライブ溝を形成する工程と、スクライブ溝を起点とするクラックを形成する工程と、ダイシング溝を形成する工程とをこの順に行うことにより、該他方のマザー基板を切断予定線に沿って切断してもよい。また、素子基板を複数含む他方のマザー基板と対向基板を複数含む他方のマザー基板とのうちいずれのマザー基板を先に切断してもよい。   In addition, by performing a step of forming a scribe groove, a step of forming a crack starting from the scribe groove, and a step of forming a dicing groove in this order for the other mother substrate including a plurality of element substrates, The other mother substrate may be cut along a planned cutting line. Further, any one of the other mother substrate including a plurality of element substrates and the other mother substrate including a plurality of counter substrates may be cut first.

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備え、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板における端部は、ハーフダイシングによる切断面を有するダイシング部分と、該ダイシング部分よりも前記少なくとも一方の基板の基板面に沿って外側へ突出すると共にスクライブ溝を起点として形成されたクラックによる切断面を有するクラック部分とを有する。   In order to solve the above problems, the electro-optical device of the present invention includes a pair of substrates sandwiching an electro-optical material, and at least one of the pair of substrates has a cut surface by half dicing. And a crack portion that protrudes outward along the substrate surface of the at least one substrate from the dicing portion and has a cut surface formed by a crack formed from a scribe groove.

本発明の電気光学装置によれば、例えば上述した本発明の電気光学装置の製造方法によって製造され、少なくとも一方の基板における側面の平滑性が高められている。よって、例えばガラス屑など少なくとも一方の基板を構成する材料の屑が発生しにくく、信頼性の高い電気光学装置を提供可能である。更に、ダイシング部分を、当該電気光学装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として用いることで、実装ケース内における当該電気光学装置の位置ずれの発生を殆ど或いは完全に無くすことができる。   According to the electro-optical device of the present invention, for example, it is manufactured by the above-described method for manufacturing the electro-optical device of the present invention, and the smoothness of the side surface of at least one of the substrates is enhanced. Accordingly, it is possible to provide a highly reliable electro-optical device that hardly generates scraps of materials constituting at least one substrate such as glass scraps. Further, by using the dicing portion as a positioning means when the electro-optical device is accommodated in the mounting case, the occurrence of the positional deviation of the electro-optical device in the mounting case can be almost or completely eliminated.

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。   The operation and other advantages of the present invention will become apparent from the best mode for carrying out the invention described below.

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, a driving circuit built-in type TFT active matrix driving type liquid crystal device, which is an example of the electro-optical device of the present invention, is taken as an example.

先ず、本実施形態に係る液晶装置の構成について、図1及び図2を参照して説明する。 図1は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図2は、図1のH−H´断面図である。   First, the configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a plan view showing the configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line HH ′ of FIG.

図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置では、本発明に係る「一対の基板」の一例としてのTFTアレイ基板10と対向基板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、画像表示領域10aの周囲に位置する枠状或いは額縁状のシール領域に設けられたシール材52により互いに貼り合わされている。   1 and 2, in the liquid crystal device according to the present embodiment, a TFT array substrate 10 as an example of a “pair of substrates” according to the present invention and a counter substrate 20 are disposed to face each other. A liquid crystal layer 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are in a frame-shaped or frame-shaped seal region located around the image display region 10a. The sealing material 52 provided is bonded to each other.

図1において、シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路7が額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路104は、この一辺に隣接する2辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。また、TFTアレイ基板10上には、対向基板20の4つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材107で接続するための上下導通端子106が配置されている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。   In FIG. 1, a light-shielding frame light-shielding film 53 that defines the frame area of the image display region 10a is provided on the counter substrate 20 side in parallel with the inside of the seal region where the sealing material 52 is disposed. A data line driving circuit 101 and an external circuit connection terminal 102 are provided along one side of the TFT array substrate 10 in a region located outside the sealing region in which the sealing material 52 is disposed in the peripheral region. The sampling circuit 7 is provided so as to be covered with the frame light shielding film 53 on the inner side of the seal region along the one side. Further, the scanning line driving circuit 104 is provided so as to be covered with the frame light-shielding film 53 inside the seal region along two sides adjacent to the one side. On the TFT array substrate 10, vertical conduction terminals 106 for connecting the two substrates with the vertical conduction material 107 are arranged in regions facing the four corner portions of the counter substrate 20. Thus, electrical conduction can be established between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20.

TFTアレイ基板10上には、外部回路接続端子102と、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104、上下導通端子106等とを電気的に接続するための引回配線90が形成されている。   On the TFT array substrate 10, a lead wiring 90 is formed for electrically connecting the external circuit connection terminal 102 to the data line driving circuit 101, the scanning line driving circuit 104, the vertical conduction terminal 106, and the like. .

図2において、TFTアレイ基板10上には、駆動素子である画素スイッチング用のTFT(Thin Film Transistor)や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域10aには、画素スイッチング用TFTや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極9aがマトリクス状に設けられている。画素電極9a上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上に、遮光膜23が形成されている。遮光膜23は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板20上の画像表示領域10a内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜23上に、ITO等の透明材料からなる対向電極21が複数の画素電極9aと対向してベタ状に形成されている。対向電極21上には配向膜が形成されている。また、液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。   In FIG. 2, on the TFT array substrate 10, there is formed a laminated structure in which pixel switching TFTs (Thin Film Transistors), which are driving elements, and wirings such as scanning lines and data lines are formed. In the image display area 10a, pixel electrodes 9a are provided in a matrix on the upper layer of wiring such as pixel switching TFTs, scanning lines, and data lines. An alignment film is formed on the pixel electrode 9a. On the other hand, a light shielding film 23 is formed on the surface of the counter substrate 20 facing the TFT array substrate 10. The light shielding film 23 is formed of, for example, a light shielding metal film or the like, and is patterned, for example, in a lattice shape in the image display region 10a on the counter substrate 20. On the light shielding film 23, a counter electrode 21 made of a transparent material such as ITO is formed in a solid shape so as to face the plurality of pixel electrodes 9a. An alignment film is formed on the counter electrode 21. Further, the liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one or several types of nematic liquid crystals are mixed, and takes a predetermined alignment state between the pair of alignment films.

尚、後に詳細に説明するが、TFTアレイ基板10及び対向基板20の各々の端面は、ハーフダイシングによる切断面とスクライブ溝を起点として形成されたクラックによる切断面とを含んでいる。   As will be described in detail later, each of the end surfaces of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 includes a cut surface by half dicing and a cut surface by a crack formed starting from a scribe groove.

尚、ここでは図示しないが、TFTアレイ基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。   Although not shown here, in addition to the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104, the TFT array substrate 10 is used for inspecting the quality, defects, and the like of the liquid crystal device during manufacturing or at the time of shipment. An inspection circuit, an inspection pattern, or the like may be formed.

次に、上述の如く構成された本実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図3から図8を参照して説明する。   Next, a method for manufacturing the liquid crystal device according to this embodiment configured as described above will be described with reference to FIGS.

図3は、複数個のTFTアレイ基板を含んで構成される第1マザー基板の一部を示す部分平面図であり、図4は、複数個の対向基板を含んで構成される第2マザー基板を示す平面図である。図5は、第1マザー基板と第2マザー基板とを互いに貼り合せた場合における図4のA−A´断面図である。   FIG. 3 is a partial plan view showing a part of a first mother substrate including a plurality of TFT array substrates, and FIG. 4 is a second mother substrate including a plurality of counter substrates. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 4 when the first mother substrate and the second mother substrate are bonded to each other.

本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、先ず、図3に示すように、図1及び図2を参照して上述したTFTアレイ基板10側の各種の構成要素(即ち、画素電極9a及び画素スイッチング用TFTや、走査線駆動回路104或いはデータ線駆動回路101など)を含む積層構造が、パネル形成領域810毎に第1マザー基板S1上に形成される。第1マザー基板S1は、比較的大型のガラス基板からなる。尚、第1マザー基板S1は、シリコン基板からなるようにしてもよい。   According to the method of manufacturing the liquid crystal device according to the present embodiment, first, as shown in FIG. 3, various components (that is, the pixel electrode 9a) on the TFT array substrate 10 side described above with reference to FIGS. And a layered structure including a pixel switching TFT, a scanning line driving circuit 104, a data line driving circuit 101, and the like) are formed on the first mother substrate S1 for each panel formation region 810. The first mother substrate S1 is made of a relatively large glass substrate. The first mother substrate S1 may be made of a silicon substrate.

他方、このような第1マザー基板S1側の形成工程と相前後して或いは並行して、図4に示す別の第2マザー基板S2上に、図1及び図2を参照して上述した対向基板20側の各種の構成要素(対向電極21、遮光膜23など)を含む積層構造が、パネル形成領域810毎に形成される。第2マザー基板S2は、比較的大型のガラス基板からなる。   On the other hand, on the other side of the second mother substrate S2 shown in FIG. 4 in parallel with or in parallel with the formation process on the first mother substrate S1 side, the above-described opposition described above with reference to FIGS. A laminated structure including various components (the counter electrode 21, the light shielding film 23, etc.) on the substrate 20 side is formed for each panel formation region 810. The second mother substrate S2 is made of a relatively large glass substrate.

その後、図5に示すように、貼合工程によって、第1マザー基板S1と第2マザー基板S2とを対向させて、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなるシール材52によって貼り合わせる。この際、第1マザー基板S1上にシール材52を各パネル形成領域810における枠状のシール領域に所定の高さで形成し、このシール材52の内側の領域に液晶層50を構成する所定量の液晶を滴下した後に、マザー基板S1及びS2をシール材52によって互いに貼り合せる。即ち、本実施形態では、所謂、液晶滴下貼り合わせ方式を採用している。尚、シール材52を、枠状のシール領域の一部において欠落させておき、貼り合わされたマザー基板S1及びS2を、後述するようにパネル形成領域810毎に切断した後に、シール材52が欠落された部分を注入口として液晶をTFTアレイ基板10及び対向基板20間に注入するようにしてもよい。   Thereafter, as shown in FIG. 5, the first mother substrate S <b> 1 and the second mother substrate S <b> 2 are opposed to each other in a bonding process, and are bonded together by a sealing material 52 made of, for example, an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin. At this time, the sealing material 52 is formed on the first mother substrate S1 at a predetermined height in the frame-shaped sealing region in each panel forming region 810, and the liquid crystal layer 50 is formed in the inner region of the sealing material 52. After the fixed amount of liquid crystal is dropped, the mother substrates S1 and S2 are bonded to each other by the sealing material 52. That is, in this embodiment, a so-called liquid crystal dropping and bonding method is adopted. Note that the sealing material 52 is omitted in a part of the frame-shaped sealing region, and the bonded mother substrates S1 and S2 are cut for each panel forming region 810 as will be described later, and then the sealing material 52 is missing. Liquid crystal may be injected between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 using the formed portion as an injection port.

図6は、第2マザー基板を切断する一連の切断工程を示す工程断面図である。図6(a)は、スクライブ溝形成工程を示す工程断面図であり、図6(b)は、クラック形成工程を示す工程断面図であり、図6(c)は、ダイシング溝形成工程を示す工程図である。図7は、図6(c)の部分C1を拡大して示す拡大図である。図8は、比較例としてのハーフダイシング・ブレイク法によるマザー基板の切断面を、図7に対応して示す図である。尚、図6は、図5に示した断面図に対応して示されている。   FIG. 6 is a process cross-sectional view showing a series of cutting processes for cutting the second mother substrate. 6A is a process cross-sectional view showing a scribe groove forming process, FIG. 6B is a process cross-sectional view showing a crack forming process, and FIG. 6C shows a dicing groove forming process. It is process drawing. FIG. 7 is an enlarged view showing a portion C1 of FIG. FIG. 8 is a view corresponding to FIG. 7 showing a cut surface of a mother substrate by a half dicing break method as a comparative example. FIG. 6 is shown corresponding to the cross-sectional view shown in FIG.

次に、図6に示す一連の切断工程によって、第2マザー基板S2をパネル形成領域810毎に(即ち、図4に示す第2マザー基板S2におけるパネル形成領域810間の境界に位置する切断予定線L2に沿って)切断する。続いて、第1マザー基板S1を、第2マザー基板S2を切断する切断工程と同様の切断工程によって、パネル形成領域810毎に(即ち、図4に示す第1マザー基板S1におけるパネル形成領域810間の境界に位置する切断予定線L1に沿って)切断する。このように、互いに貼り合わされたマザー基板S1及びS2を、パネル形成領域810毎に切断することによって、図1及び図2に示したような各個別の液晶装置が製造されることになる。   Next, through the series of cutting steps shown in FIG. 6, the second mother substrate S2 is scheduled to be cut for each panel formation region 810 (ie, at the boundary between the panel formation regions 810 in the second mother substrate S2 shown in FIG. 4). Cut along line L2. Subsequently, the first mother substrate S1 is cut for each panel formation region 810 (that is, the panel formation region 810 in the first mother substrate S1 shown in FIG. 4) by a cutting process similar to the cutting process for cutting the second mother substrate S2. Cut along the planned cutting line L1 located at the boundary between them. In this way, the mother substrates S1 and S2 bonded to each other are cut for each panel forming region 810, whereby each individual liquid crystal device as shown in FIGS. 1 and 2 is manufactured.

尚、第1マザー基板S1をパネル形成領域810毎に切断した後に、第2マザー基板S2をパネル形成領域810毎に切断してもよい。つまり、マザー基板S1及びS2のいずれを先に切断してもよい。   Note that the second mother substrate S2 may be cut for each panel formation region 810 after the first mother substrate S1 is cut for each panel formation region 810. That is, any of the mother substrates S1 and S2 may be cut first.

図6に示すように、本実施形態では特に、第2マザー基板S2をパネル形成領域810毎に切断する際、スクライブ溝形成工程(図6(a)参照)と、クラック形成工程(図6(b)参照)と、ダイシング溝形成工程(図6(c)参照)とをこの順に行う。   As shown in FIG. 6, in the present embodiment, in particular, when the second mother substrate S2 is cut for each panel forming region 810, a scribe groove forming step (see FIG. 6A) and a crack forming step (FIG. 6 ( b)) and the dicing groove forming step (see FIG. 6C) are performed in this order.

即ち、第2マザー基板S2をパネル形成領域810毎に切断する際、先ず、図6(a)に示すように、スクライブ溝形成工程によって、第2マザー基板S2における第1マザー基板S1に対向する面とは反対側の面(即ち、液晶層50に対向しない面、つまり、図中で上側の面)に、パネル形成領域810間の境界に位置する切断予定線L2(図4参照)に沿ってスクライブを施すことによりスクライブ溝510を形成する。スクライブは、例えばダイヤモンドチップなどのカッタを第2マザー基板S2の表面に当接させたまま、このカッタを切断予定線L2に沿って相対移動させることにより行う。   That is, when the second mother substrate S2 is cut for each panel formation region 810, first, as shown in FIG. 6A, the second mother substrate S2 is opposed to the first mother substrate S1 in the second mother substrate S2 by a scribe groove forming step. A cutting line L2 (see FIG. 4) located on the boundary between the panel forming regions 810 is formed on the surface opposite to the surface (that is, the surface not facing the liquid crystal layer 50, that is, the upper surface in the drawing). A scribe groove 510 is formed by scribing. The scribing is performed, for example, by relatively moving the cutter along the planned cutting line L2 while keeping a cutter such as a diamond tip in contact with the surface of the second mother substrate S2.

次に、図6(b)に示すように、クラック形成工程によって、スクライブ溝510が形成された第2マザー基板S2を、第1マザー基板S1に対向する面(即ち、液晶層50に対向する面、つまり、図中で下側の面)側から押圧して第2マザー基板S2に曲げ応力を加えることにより、第2マザー基板S2に、スクライブ溝510を起点とすると共に第1マザー基板S1に対向する側の面に達するクラック520を形成する。ここで、スクライブ溝510は切断予定線L2に沿って形成されているため、スクライブ溝510を起点とするクラック520も切断予定線L2に概ね沿って形成される。このようなスクライブ溝510を起点とするクラック520によって規定される切断面は、図8に比較例として示すハーフダイシング・ブレイク法(即ち、上述したスクライブ溝形成工程及びクラック形成工程を行うことなく、先ず、第2マザー基板S2の表面にハーフダイシングを施すことによりダイシング溝530bを形成し、第2マザー基板S2に曲げ応力を加えることでクラック540bを形成することによりマザー基板S2を切断する方法)におけるダイシング溝530bを起点とするクラック540bによって規定される切断面541bと比較して、平滑性が高い。よって、第2マザー基板S2を切断する際にガラス屑が発生し、該ガラス屑が第1マザー基板S1上に形成されたTFTアレイ基板10側の各種構成要素に対して悪影響を及ぼしてしまうことを低減或いは防止できる。   Next, as shown in FIG. 6B, the second mother substrate S <b> 2 in which the scribe grooves 510 are formed by the crack formation step is opposed to the surface facing the first mother substrate S <b> 1 (that is, facing the liquid crystal layer 50). By applying a bending stress to the second mother substrate S2 by pressing from the surface, that is, the lower surface in the drawing, the first mother substrate S1 has the scribe groove 510 as a starting point in the second mother substrate S2. A crack 520 reaching the surface on the side opposite to is formed. Here, since the scribe groove 510 is formed along the planned cutting line L2, the crack 520 starting from the scribe groove 510 is also formed substantially along the planned cutting line L2. The cut surface defined by the crack 520 starting from such a scribe groove 510 is a half dicing break method shown as a comparative example in FIG. 8 (that is, without performing the above-described scribe groove formation process and crack formation process, First, a method of cutting the mother substrate S2 by forming a dicing groove 530b by half-dicing the surface of the second mother substrate S2 and forming a crack 540b by applying a bending stress to the second mother substrate S2. Compared with the cut surface 541b defined by the crack 540b starting from the dicing groove 530b, the smoothness is high. Therefore, glass waste is generated when the second mother substrate S2 is cut, and the glass waste adversely affects various components on the TFT array substrate 10 side formed on the first mother substrate S1. Can be reduced or prevented.

次に、図6(c)に示すように、ダイシング溝形成工程によって、第2マザー基板S2における第1マザー基板S1に対向する面とは反対側の面(言い換えれば、スクライブ溝510を形成した面)に、切断予定線L2に沿って(即ち、スクライブ溝510及びクラック520に重ねて)ハーフダイシングを施すことによりダイシング溝530を形成する。ハーフダイシングは、高速回転させたダイヤモンド製のダイシングブレードを、第2マザー基板S2における切断予定線L2に沿って所定の深さまで押し当てることにより行う。   Next, as shown in FIG. 6C, the surface of the second mother substrate S2 opposite to the surface facing the first mother substrate S1 (in other words, the scribe groove 510 is formed by the dicing groove forming step. The dicing groove 530 is formed by performing half dicing along the planned cutting line L2 (that is, overlapping the scribe groove 510 and the crack 520). Half dicing is performed by pressing a diamond dicing blade rotated at a high speed to a predetermined depth along the planned cutting line L2 in the second mother substrate S2.

よって、図7に示すように、第2マザー基板S2における切断予定線L2に沿った切断面を、ダイシング溝530の側面によって規定される切断面531と、スクライブ溝510を起点とするクラック520によって規定される切断面521とを含むように形成できる。このようなダイシング溝530の側面によって規定される切断面531は、上述したスクライブ・ブレイク法による切断面と比較して、平滑性が高く、所望の切断面を高精度に形成できる。従って、このようなダイシング溝530の側面によって規定される切断面531を、例えば、液晶装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として好適に用いることができる。つまり、ダイシング溝の側面によって規定される切断面531を、液晶装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として用いることで、実装ケース内における液晶装置の位置ずれの発生を殆ど或いは完全に無くすことができる、或いは、実装ケース内に液晶装置を収容できなくなる事態を回避できる。   Therefore, as shown in FIG. 7, the cut surface along the planned cutting line L <b> 2 in the second mother substrate S <b> 2 is cut by the cut surface 531 defined by the side surface of the dicing groove 530 and the crack 520 starting from the scribe groove 510. It can be formed so as to include a defined cut surface 521. Such a cut surface 531 defined by the side surface of the dicing groove 530 has higher smoothness and can form a desired cut surface with high accuracy as compared with the cut surface by the scribe / break method described above. Therefore, the cut surface 531 defined by the side surface of the dicing groove 530 can be suitably used as a positioning unit when the liquid crystal device is accommodated in the mounting case, for example. That is, by using the cut surface 531 defined by the side surface of the dicing groove as a positioning means when the liquid crystal device is accommodated in the mounting case, the occurrence of the displacement of the liquid crystal device in the mounting case is almost or completely eliminated. Or a situation in which the liquid crystal device cannot be accommodated in the mounting case can be avoided.

以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、貼り合わされた一対のマザー基板S1及びS2を切断する際、スクライブ溝形成工程と、クラック形成工程と、ダイシング溝形成工程とをこの順に行うので、一対のマザー基板S1及びS2を、平滑性の高い切断面を有するように切断することができる。よって、製造プロセスにおいて、切断面から発生し得るガラス屑を低減でき、このようなガラス屑によって、例えば、第1マザー基板S1上に形成されたTFTアレイ基板10側の各種構成要素に不具合が発生してしまうことを低減或いは防止できる。この結果、歩留まりを向上させることができ、信頼性の高い液晶装置を製造することが可能である。   As described above, according to the manufacturing method of the liquid crystal device according to the present embodiment, when the pair of mother substrates S1 and S2 bonded together are cut, a scribe groove forming process, a crack forming process, and a dicing groove forming process are performed. In this order, the pair of mother substrates S1 and S2 can be cut so as to have a highly smooth cut surface. Therefore, in the manufacturing process, glass waste that can be generated from the cut surface can be reduced, and such glass waste causes a problem in various components on the TFT array substrate 10 side formed on the first mother substrate S1, for example. This can be reduced or prevented. As a result, the yield can be improved and a highly reliable liquid crystal device can be manufactured.

次に、上述のような製造方法によって製造される、本実施形態に係る液晶装置の一対の基板の端部における特徴的な構成について、図9を参照して説明する。   Next, a characteristic configuration of the ends of the pair of substrates of the liquid crystal device according to the present embodiment manufactured by the manufacturing method as described above will be described with reference to FIG.

図9は、本実施形態に係る液晶装置の一対の基板の端部における特徴的な構成を示す模式図である。尚、図9では、TFTアレイ基板10、対向基板20、シール材52及び液晶層50のみを示し、図1及び図2を参照して上述した各種構成要素を省略している。また、図9は、図5に示した断面図に対応して示されており、図5に示された一対のマザー基板の一部から製造される複数の液晶装置のうちの一つを示している。   FIG. 9 is a schematic diagram showing a characteristic configuration at the ends of a pair of substrates of the liquid crystal device according to the present embodiment. In FIG. 9, only the TFT array substrate 10, the counter substrate 20, the sealing material 52, and the liquid crystal layer 50 are shown, and various components described above with reference to FIGS. 1 and 2 are omitted. FIG. 9 is shown corresponding to the cross-sectional view shown in FIG. 5, and shows one of a plurality of liquid crystal devices manufactured from a part of the pair of mother substrates shown in FIG. ing.

図9において、本実施形態に係る液晶装置は、図6を参照して上述した切断工程によって切断されることで製造されているので、対向基板20における端部20eは、ダイシング部分20e1と、クラック部分20e2とを有している。ダイシング部分20e1は、ハーフダイシングによる切断面531を有している。クラック部分20e2は、このダイシング部分20e1よりも対向基板20の基板面に沿って(即ち、対向基板20上で平面的に見て、対向基板20の中央部から対向基板20の周縁へ向かう方向に沿って)外側へ突出すると共にスクライブ溝510を起点として形成されたクラック520による切断面521を有している。更に、TFTアレイ基板10における端部10eは、ダイシング部分10e1と、クラック部分10e2とを有している。ダイシング部分10e1は、ハーフダイシングによる切断面532を有している。クラック部分10e2は、このダイシング部分10e1よりもTFTアレイ基板10の基板面に沿って(即ち、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、TFTアレイ基板10の中央部からTFTアレイ基板10の周縁へ向かう方向に沿って)外側へ突出すると共にスクライブ溝を起点として形成されたクラックによる切断面522を有している。   9, the liquid crystal device according to the present embodiment is manufactured by being cut by the cutting process described above with reference to FIG. 6, so that the end 20e of the counter substrate 20 has a dicing portion 20e1 and a crack. Part 20e2. The dicing portion 20e1 has a cut surface 531 by half dicing. The crack portion 20e2 is closer to the substrate surface of the counter substrate 20 than the dicing portion 20e1 (that is, in a direction from the center of the counter substrate 20 toward the periphery of the counter substrate 20 when viewed in plan on the counter substrate 20). And a cut surface 521 by a crack 520 formed from the scribe groove 510 as a starting point. Furthermore, the end 10e of the TFT array substrate 10 has a dicing portion 10e1 and a crack portion 10e2. The dicing portion 10e1 has a cut surface 532 by half dicing. The crack portion 10e2 is located along the substrate surface of the TFT array substrate 10 more than the dicing portion 10e1 (that is, when viewed in plan on the TFT array substrate 10, from the center of the TFT array substrate 10 to the periphery of the TFT array substrate 10). It has a cut surface 522 by a crack that protrudes outward (along the direction toward the outer side) and is formed starting from a scribe groove.

よって、対向基板20及びTFTアレイ基板10の各々における側面の平滑性が高められている。従って、対向基板20及びTFTアレイ基板10の各々における側面からガラス屑が発生しにくく、信頼性の高い液晶装置を提供可能である。更に、ダイシング部分20e1の切断面531或いはダイシング部分10e1の切断面532を、当該液晶装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として用いることで、実装ケース内における当該液晶装置の位置ずれの発生を殆ど或いは完全に無くすことができる。   Therefore, the smoothness of the side surfaces of each of the counter substrate 20 and the TFT array substrate 10 is improved. Accordingly, it is possible to provide a highly reliable liquid crystal device in which glass dust is hardly generated from the side surfaces of each of the counter substrate 20 and the TFT array substrate 10. Further, by using the cut surface 531 of the dicing portion 20e1 or the cut surface 532 of the dicing portion 10e1 as positioning means when the liquid crystal device is accommodated in the mounting case, the positional deviation of the liquid crystal device in the mounting case can be generated. It can be almost or completely eliminated.

尚、図6に示したマザー基板を切断する切断工程は、例えば、一対のTFTアレイ基板10及び対向基板20の外側表面(即ち、一対の基板における液晶層50に対向しない側の面)に設けられ得る防塵用基板を形成する際に適用してもよい。即ち、例えば、マザー基板S1及びS2とは別に、複数の防塵用基板がパネル形成領域毎に1つずつ形成された第3マザー基板を用意し、第2マザー基板S2をパネル形成領域810毎に切断した後に、第2マザー基板S2の外側表面に貼り合わせ、しかる後に、第3マザー基板を、図6に示した切断工程と同様の工程によって切断してもよい。この場合には、防塵用基板の端面の平滑性を高めることができ、防塵用基板の端面から例えばガラス屑などの材料屑が発生してしまうことを低減できる。ここで、液晶装置の一対の基板の外側表面に防塵用基板を設けることで、一対の基板の外側表面に直接に粉塵が付着するのを防止できると共に、防塵用基板上に仮に粉塵が付着したとしても、該防塵用基板が所定の厚さを有することにより、画像上に粉塵の像が投影されるというような事態を未然に回避することができる。   The cutting step for cutting the mother substrate shown in FIG. 6 is provided, for example, on the outer surfaces of the pair of TFT array substrates 10 and the counter substrate 20 (that is, the surfaces of the pair of substrates that do not face the liquid crystal layer 50). You may apply when forming the dust-proof board | substrate which can be obtained. That is, for example, apart from the mother substrates S1 and S2, a third mother substrate in which a plurality of dust-proof substrates are formed for each panel formation region is prepared, and the second mother substrate S2 is provided for each panel formation region 810. After cutting, it is bonded to the outer surface of the second mother substrate S2, and then the third mother substrate may be cut by a process similar to the cutting process shown in FIG. In this case, the smoothness of the end surface of the dust-proof substrate can be improved, and the generation of material waste such as glass waste from the end surface of the dust-proof substrate can be reduced. Here, by providing a dustproof substrate on the outer surface of the pair of substrates of the liquid crystal device, it is possible to prevent dust from directly adhering to the outer surface of the pair of substrates, and the dust temporarily adhered to the dustproof substrate. However, it is possible to avoid a situation in which a dust image is projected on an image because the dust-proof substrate has a predetermined thickness.

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification, and an electro-optical device with such a change. The manufacturing method and the electro-optical device are also included in the technical scope of the present invention.

第1実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the liquid crystal device which concerns on 1st Embodiment. 図1のH−H´断面図である。It is HH 'sectional drawing of FIG. 複数個のTFTアレイ基板を含んで構成される第1マザー基板の一部を示す部分平面図である。It is a fragmentary top view which shows a part of 1st mother board | substrate comprised including a some TFT array board | substrate. 複数個の対向基板を含んで構成される第2マザー基板を示す平面図である。It is a top view which shows the 2nd mother board | substrate comprised including a some opposing board | substrate. 第1マザー基板と第2マザー基板とを互いに貼り合せた場合における図4のA−A´断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 4 when the first mother substrate and the second mother substrate are bonded together. 第2マザー基板を切断する一連の切断工程を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows a series of cutting processes which cut | disconnect a 2nd mother board | substrate. 図6(c)の一部を拡大して示す拡大図である。It is an enlarged view which expands and shows a part of FIG.6 (c). 比較例におけるマザー基板の切断面を示す図である。It is a figure which shows the cut surface of the mother board | substrate in a comparative example. 一対の基板の端部の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the edge part of a pair of board | substrate.

符号の説明Explanation of symbols

7…サンプリング回路、9a…画素電極、10…TFTアレイ基板、10a…画像表示領域、10e…端部、10e1…ダイシング部分、10e2…クラック部分、20…対向基板、20e…端部、20e1…ダイシング部分、20e2…クラック部分、21…対向電極、23…遮光膜、50…液晶層、52…シール材、53…額縁遮光膜、101…データ線駆動回路、102…外部回路接続端子、104…走査線駆動回路、106…上下導通端子、107…上下導通材、510…スクライブ溝、520…クラック、530…ダイシング溝、810…パネル形成領域、S1、S2…マザー基板、L1、L2…切断予定線   DESCRIPTION OF SYMBOLS 7 ... Sampling circuit, 9a ... Pixel electrode, 10 ... TFT array substrate, 10a ... Image display area, 10e ... End part, 10e1 ... Dicing part, 10e2 ... Crack part, 20 ... Opposite substrate, 20e ... End part, 20e1 ... Dicing Part: 20e2: Crack part, 21: Counter electrode, 23: Light shielding film, 50: Liquid crystal layer, 52: Sealing material, 53: Frame light shielding film, 101: Data line driving circuit, 102: External circuit connection terminal, 104: Scanning Line drive circuit 106 ... Vertical conduction terminal 107 ... Vertical conduction material 510 ... Scribe groove 520 ... Crack 530 ... Dicing groove 810 ... Panel formation region S1, S2 Mother board, L1, L2 ... Planned cutting line

Claims (3)

互いに貼り合わされた一対のマザー基板をパネル形成領域毎に切断して、電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記一対のマザー基板のうち一方のマザー基板における他方のマザー基板に対向する面とは反対側の面に、前記パネル形成領域間の境界に位置する切断予定線に沿ってスクライブを施すことによりスクライブ溝を形成する工程と、
前記一方のマザー基板を前記対向する面側から押圧することにより、前記一方のマザー基板に、前記スクライブ溝を起点とすると共に前記対向する側の面に達するクラックを形成する工程と、
前記クラックを形成する工程の後、前記反対側の面に、前記切断予定線に沿ってハーフダイシングを施すことによりダイシング溝を形成する工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
A method of manufacturing an electro-optical device, which manufactures an electro-optical device including a pair of substrates formed by cutting a pair of mother substrates bonded to each other for each panel formation region and sandwiching an electro-optical material,
Scribing is performed by scribing one of the pair of mother substrates on the surface of the one mother substrate opposite to the surface facing the other mother substrate along a planned cutting line located at the boundary between the panel forming regions. Forming a groove;
By pressing the one mother substrate from the opposing surface side to form a crack reaching the opposing surface while starting from the scribe groove on the one mother substrate; and
And a step of forming a dicing groove by performing half dicing on the opposite surface along the planned cutting line after the step of forming the crack.
前記電気光学装置は、前記一対の基板として、複数の画素電極並びに該複数の画素電極に電気的に接続された配線及び電子素子が形成された素子基板と、前記複数の画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板とを備え、
前記一方のマザー基板は、前記対向基板を複数含んでおり、
前記他方のマザー基板は、前記素子基板を複数含んでいる
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。
The electro-optical device includes, as the pair of substrates, a plurality of pixel electrodes, an element substrate on which wirings and electronic elements electrically connected to the plurality of pixel electrodes are formed, and an opposing surface that faces the plurality of pixel electrodes. An opposite substrate on which an electrode is formed,
The one mother substrate includes a plurality of the counter substrates,
The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the other mother substrate includes a plurality of the element substrates.
電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備え、
前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板における端部は、
ハーフダイシングによる切断面を有するダイシング部分と、
該ダイシング部分よりも前記少なくとも一方の基板の基板面に沿って外側へ突出すると共にスクライブ溝を起点として形成されたクラックによる切断面を有するクラック部分と
を有することを特徴とする電気光学装置。
Comprising a pair of substrates sandwiching an electro-optic material;
The end of at least one of the pair of substrates is
A dicing portion having a cut surface by half dicing, and
An electro-optical device comprising: a crack portion that protrudes outward along the substrate surface of the at least one substrate from the dicing portion and has a cut surface due to a crack formed with a scribe groove as a starting point.
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JP7399059B2 (en) 2020-09-30 2023-12-15 シチズンファインデバイス株式会社 Image display panel manufacturing method

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