JP2012188732A - アーク式蒸発源 - Google Patents
アーク式蒸発源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012188732A JP2012188732A JP2011180544A JP2011180544A JP2012188732A JP 2012188732 A JP2012188732 A JP 2012188732A JP 2011180544 A JP2011180544 A JP 2011180544A JP 2011180544 A JP2011180544 A JP 2011180544A JP 2012188732 A JP2012188732 A JP 2012188732A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- evaporation source
- magnetic field
- arc
- outer peripheral
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】アーク式蒸発源は、磁場発生機構8と外周磁石3とを備えることを特徴とする。磁場発生機構8を、ターゲット2の前方において軸心がターゲット2の前面と略垂直となる方向に沿うように配置し、且つターゲット2の前面と略垂直方向となる磁場を発生するリング状とする。外周磁石3を、リング状として、磁化方向が当該リング形状の径方向に沿っていて、ターゲット2の外周を取り囲むように、且つ概磁化方向がターゲット2の前面と平行となる方向に沿うように配置する。
【選択図】図2
Description
カソード放電型アーク式蒸発源は、カソードであるターゲットの表面にアーク放電を発生させ、ターゲットを構成する物質を瞬時に溶解して蒸発させ、イオン化されたその物質を被処理物である基材の表面に引き込むことで薄膜を形成している。このアーク式蒸発源は、蒸発速度が速く、蒸発した物質のイオン化率が高いことから、成膜時には基材にバイアスを印加することで緻密な皮膜を形成できる。このため、切削工具などに耐摩耗性皮膜を形成する目的で産業的に用いられている。
アークスポットから放出される溶融ターゲット物質(マクロパーティクル)の量は、アークスポットが高速で移動すると抑制される傾向にあり、アークスポットの移動速度はターゲット表面に印加された磁界に影響されることが知られている。
このような問題を解消するために、ターゲット表面に磁界を印加し、アークスポットの移動を制御する次のような技術が提案されている。
このように中心付近で磁場が弱くなる技術は、大型のターゲットを用いる蒸発源には適用しにくいだけでなく、ターゲット表面からの磁力線が基材方向に向かって伸びていないため、蒸発してイオン化されたターゲットの物質を基材方向に向かって効率的に誘導することができない。この問題を回避するために、リング状の磁場発生源に付加する電流値を大きくすることも考えられるが、電流の増大のみに頼ることには発熱等の問題があり限度がある。
本発明に係るアーク式蒸発源は、ターゲットと、前記ターゲットの前方において軸心がターゲットの前面と略垂直となる方向に沿うように配置され、且つ前記ターゲットの前面と略垂直方向となる磁場を発生するリング状の磁場発生機構と、を有するアーク式蒸発源において、リング状であって、磁化方向が当該リング形状の径方向に沿っていて、前記ターゲットの外周を取り囲むように、且つ前記磁化方向が当該ターゲットの前面と平行となる方向に沿うように配置された外周磁石が備えられたことを特徴とする。
また、本発明に係るアーク式蒸発源は、ターゲットと、前記ターゲットの前方において軸心がターゲットの前面と略垂直となる方向に沿うように配置され、且つ前記ターゲットの前面と略垂直方向となる磁場を発生するリング状の磁場発生機構と、を有するアーク式蒸発源において、リング状であって、磁化方向が当該リング形状の径方向に沿っていて、前端部が前記ターゲットの背面よりも後方となるように、且つ前記磁化方向が当該ターゲットの前面と平行となる方向に沿うように配置された外周磁石が備えられたことを特徴とする。
また、好ましくは、前記磁場発生機構は、電磁コイルであるとよい。
さらに、好ましくは、前記ターゲットの前面における磁場が、100ガウス以上であるとよい。
図1及び図2を参照して、本発明の実施形態について説明する。図1は、本実施形態に係るアーク式蒸発源1(以下、蒸発源1という)を備えた成膜装置6を示している。
成膜装置6は、チャンバ11を備え、このチャンバ11内には被処理物である基材7を支持する回転台12と、基材7に向けて取り付けられた蒸発源1とが配備されている。チャンバ11には、当該チャンバ11内へ反応ガスを導入するガス導入口13と、チャンバ11内から反応ガスを排出するガス排気口14とが設けられている。
図1に示すように、蒸発源1は、蒸発面が基材7に向くように配置された所定の厚みを有する円板状(以下、「円板状」とは所定の高さを有する円柱形状も含む)のターゲット2と、ターゲット2の近傍に配備された磁界形成手段8(外周磁石3と背面磁石4から構成される)を備えている。なお、本実施形態の場合には、チャンバ11がアノードとして作用する。このような構成によって、蒸発源1は、カソード放電型のアーク式蒸発源として機能する。
蒸発源1は、上述したように、所定の厚みを有する円板状のターゲット2と、ターゲット2の近傍に配備された磁界形成手段8とから構成されている。
なお、以下の説明において、ターゲット2の蒸発面となる基材7側(基材方向)を向く面を「前面」、その反対側(基材と反対方向)を向く面を「背面」とする(図1及び図2参照)。
磁界形成手段8は、磁場発生機構としての電磁コイル9と、ターゲット2の外周を取り囲むように配置されたリング状(環状乃至はドーナツ状)の外周磁石3とを有している。外周磁石3は、保磁力の高いネオジム磁石により形成された永久磁石によって構成されている。
図2に示すように、この電磁コイル9はターゲット2の前面側に設けられ、径方向から見た電磁コイル9の投影が、ターゲット2の投影と重ならないものとなっている。このとき、電磁コイル9は、ターゲット2と同心軸状に並ぶように配置される。このように配置されたターゲット2及び電磁コイル9を基材7側から見ると、円環状の電磁コイル9の内側に、円形のターゲット2がほぼ同心に入り込んだ状態となっている。
外周磁石3は、上述のとおりリング体であって軸芯方向に所定の厚みを有している。外周磁石3の厚みは、ターゲット2の厚みとほぼ同じであるか若干小さい。
図2に示すように、外周磁石3は、内周面がN極となり、外周面がS極となるように磁化されている。なお、図中でS極からN極に向かう矢印が示されているが、以降、この矢印の方向を磁化方向と呼ぶ。本実施形態の外周磁石3は、この磁化方向がターゲット2の前面と平行となる方向に沿うように、すなわち磁化方向がターゲット2を向くように配備されている。
外周磁石3は、ターゲット2の外周を取り囲むように配置されており、このような配置においてターゲット2と同心軸状となっている。このとき、外周磁石3は、ターゲット2の厚みの範囲から出ないように配置される。よって、外周磁石3の径方向から見た投影がターゲット2の径方向から見た投影と重なるように配置されている。すなわち、外周磁石3は、ターゲット2の蒸発面と平行な方向に外周磁石3とターゲット2とを投影したときに形成される影が互いに重なると共に、外周磁石3の影がターゲット2の影に完全に含まれるように配置されている。
このように外周磁石3を設けると、電磁コイル9だけを用いた場合に比べて、ターゲット2近傍の磁力線を収束させてターゲット2の蒸発面を通過させることができる。また、ターゲット2の蒸発面を通過する磁力線の方向を蒸発面に対してほぼ垂直とすることが可能となるという効果が得られる。
まず、チャンバ11を真空引きして真空にした後、アルゴンガス(Ar)等の不活性ガスをガス導入口13より導入し、ターゲット2及び基材7上の酸化物等の不純物をスパッタによって除去する。不純物の除去後、チャンバ11内を再び真空にして、真空となったチャンバ11内にガス導入口13より反応ガスを導入する。
なお、反応ガスとしては、窒素ガス(N2)や酸素ガス(O2)、またはメタン(CH4)などの炭化水素ガスを用途に合わせて選択すればよく、チャンバ11内の反応ガスの圧力は1〜7Pa程度とすればよい。また、成膜時、ターゲット2は、100〜200Aのアーク電流を流すことで放電させると共に、10〜30Vの負電圧をアーク電源15により印加するとよい。さらに、基材7には10〜200Vの負電圧をバイアス電源16により印加するとよい。
なお、本実施形態の蒸発源1を用いて成膜を行っている場合における磁力線の分布状況は、以下の実施例で精説する。
なお、図3及び図4の上段に(a)で示される磁力線分布図は、ターゲット2の背面側から基材7の表面までの磁力線分布を示している。これら図3(a)及び図4(a)の磁力線分布図において、右端は基材7の表面の位置を示している。図3及び図4の下段に(b)で示される磁力線分布図は、それぞれ、図3(b)及び図4(b)における、ターゲット2周辺の拡大図である。
外周磁石3は、その寸法を(外径170mm、内径150mmφ、厚み10mm)としており、永久磁石により形成されている。
[従来例]
まず理解を深めるため、図3を参照して、従来の例、すなわち電磁コイル9だけを用いたときの磁力線分布について説明する。
図3(b)を参照すると、ターゲット2の前面(蒸発面)を通過する磁力線は、ターゲット2の外周から内周に向かう方向に傾いており、ターゲット2の背面から前面に向かって収束している。
[実施例]
図4を参照して、本発明の実施形態によるアーク式蒸発源1を用いたときの磁力線分布について説明する。
図3(a)に示す従来例と比較すると、図4(a)に示す実施例では、ターゲット2と電磁コイル9との間における磁力線の密度が高くなっていることがわかる。つまり、外周磁石2を用いることで、ターゲット2〜電磁コイル9間の磁力が強くなったといえる。
以上、本発明の実施形態及び実施例を通して以下のことが理解できる。つまり、イオン化されたターゲットの物質をターゲット2の蒸発面から効率よく引き出すために、ターゲット2〜電磁コイル9間の磁力を強くしたい場合、外周磁石3を設ければ電磁コイル9に付加する電流値を大きくしなくても、ターゲット2〜電磁コイル9間の磁力強度を高くすることができる。
例えば、外周磁石3を、ターゲット2の背面側に位置をずらして配置することができる。このように外周磁石3の位置をずらすことで、外周磁石3の径方向から見た投影の前面側が、ターゲット2の径方向から見た投影の背面側と重なる。すなわち、外周磁石3は、ターゲット2の蒸発面と平行な方向に外周磁石3とターゲット2とを投影したときに形成される投影が互いに部分的に重なると共に、外周磁石3の投影の前面側がターゲット2の投影の背面側に重なるように配置される。
このように、本実施形態における外周磁石3は、前端部がターゲット2の背面よりも前方に配置されるように蒸発源1に備えられている。さらに詳細に説明すると、外周磁石3は、ターゲット2の前面側の円環面である前端部及び/又はターゲット2の後面側の円環面である後端部が、ターゲット2の前面より背面側(後方)且つ背面より前面側(前方)に配置されるように、蒸発源1に備えられているといえる。
しかし、図5に示すように、本実施形態によるアーク式蒸発源1の変形例として、外周磁石3を、ターゲット2の外周を取り囲まずに、前端部がターゲット2の背面よりも後方となるように配置できる場合がある。このとき、外周磁石3の径方向から見た投影の前面側は、ターゲット2の径方向から見た投影の背面側よりも後方に位置することになる。すなわち、外周磁石3を、ターゲット2の蒸発面と平行な方向に外周磁石3とターゲット2とを投影したときに形成される投影が重ならず、外周磁石3の投影の前面側がターゲット2の投影の背面側よりも後方となるように配置することができる。
2 ターゲット
3 外周磁石
6 成膜装置
7 基材
8 磁界形成手段
9 電磁コイル
11 真空チャンバ
12 回転台
13 ガス導入口
14 ガス排気口
15 アーク電源
16 バイアス電源
18 グランド
Claims (6)
- ターゲットと、前記ターゲットの前方において軸心がターゲットの前面と略垂直となる方向に沿うように配置され、且つ前記ターゲットの前面と略垂直方向となる磁場を発生するリング状の磁場発生機構と、を有するアーク式蒸発源において、
リング状であって、磁化方向が当該リング形状の径方向に沿っていて、前記ターゲットの外周を取り囲むように、且つ前記磁化方向が当該ターゲットの前面と平行となる方向に沿うように配置された外周磁石が備えられたことを特徴とするアーク式蒸発源。 - 前記外周磁石は、前端部及び/又は後端部が、前記ターゲットの前面より後方且つ背面より前方となるように配置されていることを特徴とする請求項1に記載のアーク式蒸発源。
- ターゲットと、前記ターゲットの前方において軸心がターゲットの前面と略垂直となる方向に沿うように配置され、且つ前記ターゲットの前面と略垂直方向となる磁場を発生するリング状の磁場発生機構と、を有するアーク式蒸発源において、
リング状であって、磁化方向が当該リング形状の径方向に沿っていて、前端部が前記ターゲットの背面よりも後方となるように、且つ前記磁化方向が当該ターゲットの前面と平行となる方向に沿うように配置された外周磁石が備えられたことを特徴とするアーク式蒸発源。 - 前記ターゲットは円板状であり、前記外周磁石は永久磁石であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のアーク式蒸発源。
- 前記磁場発生機構は、電磁コイルからなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のアーク式蒸発源。
- 前記ターゲットの前面における磁場が、100ガウス以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のアーク式蒸発源。
Priority Applications (16)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011180544A JP5081320B2 (ja) | 2011-02-23 | 2011-08-22 | アーク式蒸発源 |
KR1020157022957A KR20150103383A (ko) | 2011-02-23 | 2012-02-23 | 아크식 증발원 |
CA2824749A CA2824749C (en) | 2011-02-23 | 2012-02-23 | Arc evaporation source |
BR112013021546-1A BR112013021546B1 (pt) | 2011-02-23 | 2012-02-23 | fonte de evaporação do arco |
KR1020157022958A KR20150103384A (ko) | 2011-02-23 | 2012-02-23 | 아크식 증발원 |
PCT/JP2012/054451 WO2012115203A1 (ja) | 2011-02-23 | 2012-02-23 | アーク式蒸発源 |
US14/001,315 US20130327642A1 (en) | 2011-02-23 | 2012-02-23 | Arc evaporation source |
KR1020157022951A KR20150103382A (ko) | 2011-02-23 | 2012-02-23 | 아크식 증발원 |
CN201280009978.3A CN103392026B (zh) | 2011-02-23 | 2012-02-23 | 电弧式蒸发源 |
KR1020137022180A KR20130121955A (ko) | 2011-02-23 | 2012-02-23 | 아크식 증발원 |
PT127501427T PT2679702T (pt) | 2011-02-23 | 2012-02-23 | Fonte de evaporação por arco |
EP12750142.7A EP2679702B1 (en) | 2011-02-23 | 2012-02-23 | Arc evaporation source |
MX2013009737A MX363412B (es) | 2011-02-23 | 2012-02-23 | Fuente de evaporacion por arco. |
IL227683A IL227683B (en) | 2011-02-23 | 2013-07-28 | arc evaporation source |
IL249382A IL249382B (en) | 2011-02-23 | 2016-12-04 | An arc evaporation source having a radially magnetized ring shape and a front end located behind a back surface of the evaporation target |
US16/110,095 US10982318B2 (en) | 2011-02-23 | 2018-08-23 | Arc evaporation source |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011037095 | 2011-02-23 | ||
JP2011037095 | 2011-02-23 | ||
JP2011180544A JP5081320B2 (ja) | 2011-02-23 | 2011-08-22 | アーク式蒸発源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012188732A true JP2012188732A (ja) | 2012-10-04 |
JP5081320B2 JP5081320B2 (ja) | 2012-11-28 |
Family
ID=47082209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011180544A Active JP5081320B2 (ja) | 2011-02-23 | 2011-08-22 | アーク式蒸発源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5081320B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016017374A1 (ja) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | 株式会社神戸製鋼所 | アーク蒸発源 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02232364A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-14 | Kobe Steel Ltd | 真空アーク蒸着装置 |
JPH04236770A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-25 | Kobe Steel Ltd | 真空アーク蒸着のアークスポットの制御方法及び蒸発源 |
JPH0925573A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-28 | Daewoo Electron Co Ltd | スパッタリング装置 |
JP2004523658A (ja) * | 2001-03-27 | 2004-08-05 | フンダシオン テクニケル | 大きい表面領域を有するターゲットのための強力な磁気ガイドを伴うアーク蒸着装置 |
JP2009144236A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-07-02 | Kobe Steel Ltd | アークイオンプレーティング装置用の蒸発源及びアークイオンプレーティング装置 |
JP2010275625A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-12-09 | Kobe Steel Ltd | 成膜速度が速いアーク式蒸発源及びこのアーク式蒸発源を用いた皮膜の製造方法 |
-
2011
- 2011-08-22 JP JP2011180544A patent/JP5081320B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02232364A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-14 | Kobe Steel Ltd | 真空アーク蒸着装置 |
JPH04236770A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-25 | Kobe Steel Ltd | 真空アーク蒸着のアークスポットの制御方法及び蒸発源 |
JPH0925573A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-28 | Daewoo Electron Co Ltd | スパッタリング装置 |
JP2004523658A (ja) * | 2001-03-27 | 2004-08-05 | フンダシオン テクニケル | 大きい表面領域を有するターゲットのための強力な磁気ガイドを伴うアーク蒸着装置 |
JP2009144236A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-07-02 | Kobe Steel Ltd | アークイオンプレーティング装置用の蒸発源及びアークイオンプレーティング装置 |
JP2010275625A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-12-09 | Kobe Steel Ltd | 成膜速度が速いアーク式蒸発源及びこのアーク式蒸発源を用いた皮膜の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016017374A1 (ja) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | 株式会社神戸製鋼所 | アーク蒸発源 |
JP2016033256A (ja) * | 2014-07-30 | 2016-03-10 | 株式会社神戸製鋼所 | アーク蒸発源 |
US10913997B2 (en) | 2014-07-30 | 2021-02-09 | Kobe Steel, Ltd. | Arc evaporation source |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5081320B2 (ja) | 2012-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI507555B (zh) | An arc-type evaporation source, and a method for manufacturing the same | |
US10982318B2 (en) | Arc evaporation source | |
KR101471269B1 (ko) | 성막 속도가 빠른 아크식 증발원, 이 아크식 증발원을 사용한 피막의 제조 방법 및 성막 장치 | |
JP5081320B2 (ja) | アーク式蒸発源 | |
JP5081315B2 (ja) | アーク式蒸発源 | |
JP5946337B2 (ja) | アーク式蒸発源 | |
JP5081327B1 (ja) | アーク式蒸発源 | |
JP5839422B2 (ja) | 成膜速度が速いアーク式蒸発源及びこのアーク式蒸発源を用いた皮膜の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120629 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20120629 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20120727 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120807 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120831 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150907 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5081320 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |