JP2012185089A - 計測方法、及び計測装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】安価で信頼性の高いOTF計測を行う。
【解決手段】照明部12は、コヒーレンスファクタ(σ)が1以上に設定されている。計測チャートobは、0次及び奇数次の回折光を発生する。σを1以上に設定している照明部12により計測チャートobを透過照明して発生する0次及び奇数次の回折光は、被検レンズL0によりCCD11の撮像面imに結像される。CCD11は、計測チャートの像を撮像して強度分布データを得る。強度分布データは、メモリ17にいったん記憶される。OTF測定部18は、メモリ17から読み出した強度分布データに基づいて振幅及び位相を計って被検レンズL0のOTFを算出する。
【選択図】図1

Description

本発明は、光学系の光学的伝達関数を計測する計測方法、及び計測装置に関するものである。
レンズの撮像特性を定量化するために用いられる指標は、光学的伝達関数(OTF(Optical Transfer Function:光学的伝達関数))として知られている。OTFは、2つの成分からなる。第1の成分は、変調(振幅)伝達関数(MTF(Modulation Transfer Function:))であって、ある空間周波数におけるパワーがどれだけレンズを通過するかを定めるものである。これは、レンズのコントラストの指標である。第2の成分は、位相伝達関数(PTF(Phase Transfer Function))であり、ある空間周波数にどのような空間的な歪曲(distortion)が存在するかを定めるものである。これは、レンズのシャープさの指標である。
従来、OTFの計測装置としては、被検レンズの分解能を計測するために、多数のスリットを平行に、且つ等間隔に配列した正弦波チャートを透視して、透視画像のコントラストを計測する方法が知られている(非特許文献1)。
「フーリエ結像論」(小瀬輝次著、共立出版、1979年10月発売)
しかしながら、正弦波チャートは、スリットの幅、及び間隔に高精度(μmオーダー)が要求されるため、製造が難しく、コストが高くつく。また、MTFを計測する場合には、正弦波チャートの振幅特性を予め計測しておく必要がある。しかし、この場合、計測装置のMTF等の影響を加味して計測する必要があり、正確な値を知ることは著しく困難であった。また、PTFを計測する際には、正弦波チャートの位相を予め計測する必要がある。この場合、計測装置のPTFを考慮して計測精度を吟味する必要がある。このため、従来、正弦波チャートを用いてPTFまで計測するものはほとんど知られていない。
また、他のOTFの計測装置としては、点像のPSF(point spread function:点広がり関数)や孤立線のLSF(line spread function:線広がり関数)をフーリエ変換してOTFを求める方法や、ナイフエッジの像を微分してLSFを求め、これをフーリエ変換してOTFを求める方法が知られている。
しかし、この場合、点(ピンホール)、孤立線やナイフエッジをインコヒーレント結像する必要がある。これは照明部のコヒーレンスファクター(σ)を無限大にする必要がある。というのは、点、孤立線やナイフエッジは、高域方向に無限の高調波を含むためである。したがって、実際には、点、孤立線やナイフエッジに照明光を当てる際の方向に制限が生じる。このため、実現的には、不可能であった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、安価で信頼性の高いOTF計測が行える計測方法、及び計測装置を提供することを目的とする。
本発明を例示する計測装置の一態様は、コヒーレンスファクタ(σ)を1以上に設定している照明部と;前記照明部からの照明によって0次、及び奇数次の回折光を発生するマークと;前記照明されるマークの透過光又は反射光を被検レンズで集光し、集光される光を前記マークの像の強度分布データとして電気信号に変換する光電変換手段と;前記強度分布データに基づいて振幅及び位相のうちのいずれか一方又は両方を計って前記被検レンズの光学的伝達関数(OTF)を算出する算出手段と;を備えたものである。
本発明の計測装置によれば、コヒーレンスファクタ(σ)を1以上に設定している照明部により0次、及び奇数次の回折光を発生するマークを照明するように構成しているため、安価で信頼性の高いOTF計測が行える。
本実施形態の計測装置の概略を示す説明図である。 OTF計測部の要部を示すブロック図である。 水平方向の空間位置(x)での振幅透過率分布を示す説明図である。 水平方向の空間位置(x)での強度透過率分布を示す説明図である。 照明部のコヒーレントファクタσを示す説明図である。 照明部のコヒーレントファクタσの他の例を示す説明図である。 図1で説明した計測装置で透過照明を行う様子を示す説明図である。 計測チャートの他の態様を示す説明図である。 図8で説明した計測チャートを撮像して得た強度信号を示す説明図である。 計測チャートの他の態様を示す説明図である。 計測チャートの別の態様を示す説明図である。 図11で説明した計測チャートのうちのMTF計測用のマークを示す説明図である。 図11で説明した計測チャートを用いてMTFを計測して得たγカーブと近似曲線を示す説明図である。 図11で説明した計測チャートを用いてMTFを計測して得たγカーブの逆補正前の強度信号を示す説明図である。 図11で説明した計測チャートを用いてMTFを計測して得たγカーブの逆補正後の強度信号を示す説明図である。 (A)は、図14で説明したγカーブの逆補正前の画像、(B)は、γカーブの逆補正後の画像をそれぞれ示す説明図である。 空間周波数に対するMTF計測結果の一例を示す説明図である。 TV本に対するMTF計測結果の一例を示す説明図である。 ラインピッチに対するMTF計測結果の一例を示す説明図である。 空間周波数に対するPTF計測結果の一例を低域(A)、中域(B)、高域(C)に分けて示した説明図である。 波面収差算出部の概略を示すブロック図である。 15度刻みで取得した同径方向のMTFデータを示す説明図である。 図22で説明したMTFデータを方眼座標に補間したMTFデータを示す説明図である。 コンデンサーレンズを用いた照明部の他の実施形態を示す説明図である。 インテグレータレンズを用いた照明部の別の実施形態を示す説明図である。 計測チャートに用いるマークの他の例を示す断面図である。 図26で説明したマークを複素関数で示す説明図である。 図26で説明したマークを複素平面で示す説明図である。 図26で説明したマークの交流成分を示す説明図である。 図26で説明したマークの直流成分を示す説明図である。 複素振幅Acを示す説明図である。 複素振幅Bを示す説明図である。 複素振幅Cを示す説明図である。 空間周波数1/6Pの矩形波のフーリエスペクトルを示す説明図である。 空間周波数1/Pの矩形波のフーリエスペクトルを示す説明図である。 振幅分布ACのスペクトルを示す説明図である。
本実施形態のOTFの計測装置10には、図1に示すように、被検レンズL0を挟んだ一方側に計測チャートobが、他方側にはCCD11がそれぞれ配置されている。計測チャートobは、デューティー比が50%のラインアンドスペースマークをもつ透過タイプの解像力チャートとなっており、照明部12により背後から照明される。
CCD11は、計測チャートobの像が結像される位置に撮像面imが位置するように配される。CCD11の駆動は、CCD駆動回路13により制御される。CCD駆動回路13には、タイミング発生器14により必要なタイミングパルスが供給される。このタイミング発生器14の動作は制御部15より制御される。なお、CCD11の代わりに、CMOS等の2次元撮像センサを利用してもよい。
CCD11の各画素の出力信号は、A/D変換器16でデジタル信号に変換された後に、チャート像の強度分布データとしてメモリ17に供給される。メモリ17の書き込み、及び読み出しの動作は、制御部15によって制御される。
制御部15は、OTF測定部18、及び表示制御部19を備えている。OTF測定部18は、像の強度分布データに基づいて基本波の空間周波数での変調(振幅)伝達関数(MTF)、及び位相伝達関数(PTF)を計測して被検レンズL0の光学的伝達関数(OTF)を測定する。なお、振幅値と位相値とのうちのいずれか一方を計って被検レンズL0のOTFを測定してもよい。
制御部15には、OTF測定の開始を入力するため等の操作部20が接続されている。また、制御部15は、モニタ21の表示を制御する表示制御部19を備えている。表示制御部19は、OTF等の結果をモニタ21に表示する。
照明部12は、複数の直筒型蛍光管flと、これに近接して配した複数、例えば2枚の拡散板d1,d2とで構成されており、σ値(コヒーレンスファクタの大きさ)が「1」以上に設定されている。また、拡散板d1,d2を、例えば2枚重ねて用いることで、照明部12は、有効光源内(瞳座標内)の光強度の均一性、及び計測チャートobの物体面op上の光強度(輝度)の均一性が高められている。これにより、均一な輝度、σ値むらで物体面op上の計測チャートobを照明することができ、「σ≧1」の設定は容易に達成することができる。
なお、輝度の均一性について十分でない場合には、予めパターンの無い全面透過の補正用のチャートを用いて読み取った画像データをCCDの感度ムラ情報として記憶しておき、この情報に基づいて計測チャートobを用いて読み取った画像データを補正するようにしてもよい。
計測チャートobには、ロンキーグレーティングが形成されている。ロンキーグレーティングは、透明なガラス基板上に透明な光透過領域と不透明な遮光領域とが交互に設けられている。光透過領域と遮光領域とは等しい幅になっている。なお、ロンキーグレーティングとしては、不透明なフィルムで覆われたガラス基板上に、等間隔で設けられた光透過性繰り返しパターンで形成されていてもよい。
光透過領域の透過率は、略100%になっている。このようなロンキーグレーティングは、ガラス基板にクロム膜を真空蒸着して作成したものであってよい。なお、高精度を必要とする場合は、所望のマークを製作し、前記マークの位置を計測することが望ましい。クロム膜は、可視光を十分遮光するためには100nm以上製膜することが望ましい。クロム膜以外としては、MoSi等の材料を用いても良い。
ガラス基板にクロム膜をパターニングする場合、まず、所望のマークを感光剤上に転写するフォトリソ工程から始まる。これはガラス基板に感光剤を塗布し、光露光、又は電子ビーム描画によって行う。その後、現像し、ドライ又はウェットエッチングにより、クロム膜をエッチングし、所望のパターンを形成する。ガラス基板は、所望の平坦度、機械的強度が得られる厚さになっている。例えば対角14インチ程度の場合、2mm以上の厚さがあればよい。
OTF測定部18は、図2に示すように、フーリエ変換部23、OTF解析部24、グラフィック表示出力部25、PTF補正部26、波面収差算出部27、及び記憶部28等で構成されている。
フーリエ変換部23は、計測チャートobの画像データである強度分布データをフーリエ変換して、矩形波の周波数成分の中から基本波の成分を抽出する。OTF解析部24は、抽出した基本波の成分に基づいて振幅値、及び位相値を解析する。解析した振幅値及び位相値は、記憶部28に記憶される。
波面収差算出部27は、求めた振幅値、及び位相値を逆フーリエ変換してPSF(点像分布関数)を求め、前記求めたPSFに基づいて位相回復法によって波面収差を求める。PTF補正部26は、計測部29と補正部30とを備える。計測部29は、計測チャートobの画像に基づいて予め決められている基準位置からの縦及び横の長さを計測する。補正部30は、前記計測部29で計測した縦及び横長さに基づいて前記OTF解析部24で解析する位相値を補正する。
グラフィック表示出力部25は、操作部20から表示指示がなされることに応答して、記憶部28から振幅値、及び位相値の解析や波面収差等の計測結果を読み出してグラフィック表示に変換して表示制御部19に出力する。
ここで、計測チャートの原理を説明すると、光透過領域の振幅透過率を「A」、遮光領域の振幅透過率を「0」とすると、図3に示すように、水平方向の空間位置(x)での振幅透過率分布A(x)は[数1]に記載の式で示される。また、図4に示すように、水平方向の空間位置(x)での強度透過率分布Ir(x)は、[数2]に記載の式で示される。なお、「ωo」は、ロンキーグレーティング(周期構造)のx軸方向における空間角周波数である。
強度透過率分布Ir(x)をフーリエ変換した後の直流成分と一次成分の振幅比率は、[数3]に記載の式から求めることができる。
100%光透過領域と強度像をフーリエ変換した後の一次成分の振幅比率は、[数4]に記載の式から求めることができる。したがって、MTFが100%に対応する信号レベルは、[数4]に記載の「2/π」に決められる。透過率「1」のときの信号レベル「2/π」を使ってMTFの値を求めればよい。
光透過領域の振幅透過率A+D、遮光領域の振幅透過率Dとすると、振幅透過率分布A(x)は、[数5]に記載の式で示される。そして、強度透過率分布Ir(x)は、[数6]に記載の式で示される。
強度透過率分布Ir(x)をフーリエ変換した後の直流成分と一次成分の振幅比率は、[数7]に記載の式から求めることができる。
また、光透過領域と強度像をフーリエ変換した後の一次成分の振幅比率は、[数8]に記載の式から求めることができる。
MTFの計算に先立ち、透過領域の強度透過率と遮光領域の強度透過率を計測し、[数9]及び[数10]に記載の式より、A,Dを求め、光透過領域の光強度は、開口など大きなマークで実測し、[数8]に記載の式を用いて一次成分の振幅を規格化する。しかし、A,Dは、一般に複素数なので、[数9]に記載の式では誤差を持つ可能性がある。従って、Dが小さいマークほど計測精度的に望ましい。AとDの位相差が無視できない場合には、AとDの位相差を計測し、位相を考慮に入れた計算を行う必要がある。
[数9]
透過領域の強度透過率=(A+D)
[数10]
遮光領域の強度透過率=(D)
インコヒーレント結像状態を達成するため、本実施形態では、照明部12のσ値が「σ≧1」となるように設定している。ロンキーグレーティングを用いる場合、回折光は、ゼロ次、±1次、±3次、±5次、±7次・・・等、奇数次のみ発生し、また、強度像をフーリエ変換した各奇数次高調波(正弦波)成分は、ゼロ次、±1該当奇数次の成分のみから構成される。例えば基本波はゼロ次、±1次成分から構成される。したがって、ロンキーグレーティングの奇数次高調波の強度像の結像状態は、照明部12のσ値を「1」以上に設定することで、インコヒーレント結像とみなすことができる。
照明部12の照明のσ値の説明を図5に示す。図5は、物体側の開口数をNAo、像側の開口数をNAi、像側の照明系の開口数をNAilとし、mを結像倍率、FをFナンバーとしたときの瞳座標u,v上の関係を示している。直径NAoで示される円は、レンズの物体側瞳半径を示し、直径NAilは物体側の有効光源の大きさを表す。NAoとNAilとの比がσ値(コヒーレンスファクター)となる。これらの関係を[数11][数12][数13]に示す。
σ値を「1」以上に設定するということは、レンズの瞳より有効光源が大きいということである。例えば、ビグネッティング(口径食)等によってレンズの瞳形状が楕円になったとしても、有効光源の形に係わらず、レンズの瞳よりも大きく、レンズ瞳全体をカバーできれば、照明のσ値として図6に示すような態様としてもよい。
図1で説明した物体面op上にセットした計測チャートobを照明部12により主光線prに沿って透過照明する態様を図7に示す。同図では、照明光の外側の光線をi1,i2で示している。光線i1,i2は、主光線prに対してθilの角度をなし、θil>θoの関係となっており、コヒーレントファクタ(σ)≧1が達成されている。なお、図7では、レンズ瞳、有効光源の瞳座標での形状は、円の場合である。光軸axに沿って被検レンズL0が配置されている。被検レンズL0の主点と物体面opの距離a、被検レンズL0の主点と像面ipとの距離bにより、結像倍率mが決まる。計測チャートobの像が撮像面im上に結像しており、これをCCD11により、光電変換して強度画像データを取得する。
インコヒーレント結像では、[数14]に記載の式のように、強度点像分布関数PSF(x,y)と物体の強度分布O(x,y)の畳み込み積分により強度像I(x、y)を表すことができる。なお、[数14]の式に記載の記号のうちの「○」の中に「×」を記載した記号が畳み込み積分(コンボリューション)を表す演算記号である。
光学的伝達関数(OTF)は、[数15],[数16],[数17]に記載する式でそれぞれ定義されている。PSF(x、y)の2次元フーリエ変換を[数15]に記載の式とし、[数15]に記載の式をゼロ周波数の値R(0,0)で正規化し、[数16]に記載の式に示されるように、OTFを定義している。つまり、OTFは、インコヒーレント結像の結像系の周波数特性(振幅と位相)を表している。
OTFは、複素数であり、その絶対値をMTF、位相をPTFと称し、[数17]に示す式で表される。
物体が[数18]に記載の式で表される強度正弦波格子の場合、モジュレーションMoは、[数19]に記載の式で示される。
強度正弦波格子の像のモジュレーションは、[数20]に記載の式で示される。ここで、[数19][数20]に記載の式は、直流レベルαに対する交流成分の振幅「β」「βi」を示す。これにより、MTFは、[数21]に記載の式で示される。
x方向に直角なy方向に伸びた線像強度分布LSF(x1)を[数22]に記載の式で表さすと、像強度は[数23]に記載の式で表される。
一方、PTFは、[数24]に記載の式で表される。
すなわち、OTF計測は、像強度の振幅βiと位相φiとの像強度をフーリエ変換して求めればよい。フーリエ変換は、F(x)をフーリエ変換する場合、[数25]〜[数28]に記載の式により計算する。ただし、nは整数、pはピッチである。
本発明では奇数次の高調波、特に信号振幅が大きく、電気的なS/Nで有利な基本波の振幅と位相が必要なので、n=1で計算する。計測したフーリエ係数a1,b1より、振幅と位相を[数29][数30]に記載の式で計算する。
実際の積分は、CCDで撮像した画像信号を用いて行う。例えば遮光領域の振幅透過率がゼロとみなせる場合、[数31][数32]に記載の式より計算する。
ここで、正弦波の波長を「ptch」、計算の開始位置を「st」、計算の終了位置を「end」、CCDのピクセルカウントを「it」、ピクセルピッチを「pptc」、強度100%透過のレベルの信号強度(十分大きな開口部分、例えば数mm角程度の透過高強度で計測)を「Et」、ピクセルカウント位置での信号強度をE(it)(8ビットの場合「0〜255」の整数で計算される値)としてそれぞれ示している。
計測チャートobとしては、図8に示すようなチャート35を用いても良い。また、10μmピッチのマークを計測する時の信号強度を図9に示す。ピクセルピッチpptcは、1.4μmである。ピクセルサイズの平均化効果によるアパーチャ効果は、周波数特性としてローパスフィルタになるので、その影響を計算し、OTFの結果に対して逆補正することが望ましい。なお、PTFに関しての影響は発生しない。
計測マーク35には、漸次マーク36〜38が設けられている。各漸次マーク36〜38は、複数のラインを一定角度ずつずらして配したマークであり、隣り合う同士のラインのピッチが漸次変わってゆくように各ラインが斜めになっている。このため、複数のライン(走査線)を計測してゆくことで、複数の周波数でのOTFが求まる。
前述した[数31][数32]に記載の式では、基本周波数の振幅比2/π([数4]参照)で除算してあるので、β=1のときのβiが[数29]に記載の式より求まり、絶対値がMTF、位相がPTFとなる。
Etは、全体のゲインを調整して設定する。Etが「200」程度では大きな問題はないが、ダイナミックレンジ的には「255」に近いほど望ましい。しかし、これはOTF計測に限った場合で、SFT(system frequency response)測定の場合、中間の周波数でレスポンスが「120」程度になることは良くあるので、Etは「200」程度に設定することが望ましい。なお、図9に示す信号強度には、3周期のマークが表れている。この場合には、3周期の平均を求めてもよい。
位相算出の開始位置は、パターンのエッジから正確に開始する必要がある。そのためには、計測マーク35の左右ずれや傾きを計測する必要がある。それには一定周期のロンキーパターンの基本周期で位相を計測すればよい。この場合には、図10に示すような計測用チャート40を用いるのが望ましい。
計測用チャート40は、ガラス基板41のパターンニング領域42にアライメントマーク43,44をロンキーパターンで記録し、アライメントマーク43,44のピッチの位相を基準として相対的にPTFを計測する。その後、最も低い周波数のアライメントマーク43,44の位相がゼロになるように、各周波数のオフセットを補正すればよい。アライメントマーク43は縦のラインアンドスペースで、またアライメントマーク44は、横のラインアンドスペースで構成されている。これらマーク43,44をパターンニング領域42の左右端、及び下端の3箇所設けることにより、計測用チャート40の倍率、シフト、及び回転の成分をそれぞれ計測することが可能であり、必要に応じて計測結果を補正することができる。
パターンニング領域42には、計測チャート35が所定間隔離してマトリックス状に複数、例えば3行×3列で記録されている。PTF計測には、アライメントマーク43,44と計測チャート35の位置関係を事前に高精度に計測しておく必要がある。この場合、ウエハ上にパターンを露光する露光装置に用いるマスク用の長寸法計測装置を使用すればよい。
アライメントマーク43,44のエッジの位置は、近年のレチクル用EB(エレクトロンビーム)ライターを用いればマーク上100nm以下の誤差にて描画することができる。写真用レンズの分解能は、F(絞り値)×λ(光の波長(一般的に550nm)=1×550nm程度なので、転写倍率を1/10以下とすれば、10/550=20mλ程度の位相(PTF)測定が行える。これが問題となるレベルであれば、計測マーク35の描画位置をSEM(Scanning Electron Microscopy)やマスク用長寸法計測器で計測し、数値補正する必要がある。
また、計測対象が顕微鏡の対物レンズである場合、分解能はF×550nm=210nmとなり、計測マークの必要精度はこの「1/100」程度あると望ましいので、計測値に基づいて補正することが望ましい。
図11ないし図21にMTF計測の例を示す。これらの例は、デジタルカメラを用いたので電気系の伝達特性も含むいわゆるSFR(Spatial Frequency Response)となっている。そのため、エッジ強調などの信号処理回路の影響により、レスポンスの絶対値が「1」を超える周波数がある。図11は解像力チャート、図12はγカーブ計測用の透過率既知の濃淡チャート、図13はγカーブの計測結果と補間曲線を示すグラフをそれぞれ示す。そして、図14に示す補間曲線を用いてγの逆補正を行う。
図14、及び図15はγカーブ補正前後の透過率既知の濃淡チャートの走査線一本分の信号を示す。図16(A),(B)は、γ補正前後の解像力チャートの画像を示す。ここで、OTF計測用の漸次マーク36〜37を図8に示す。
図17ないし19は、MTF計測結果の例を示す。図17に示す結果では、収差、又はデフォーカスによって空間周波数が240本の時にMTFがいったんゼロになっている。図20は、PTF計測結果を示す。MTFに関しては、結果を一つのグラフにまとめているが、PTFに関しては、低域(図20(A))、中域(図20(B))、及び高域(図20(C))との3つの域に分けて計測結果を示している。
本実施例のMTFの周波数の刻みが離散的であるが、これはフーリエ変換の実行をピクセルピッチで計算しているために荒くなっている。これを改善するには、ナイキスト周波数以上をシャープカットするフィルタを用いてオーバーサンプリングして、サブピクセルのデータを算出すればよい。
次に、波面収差算出部27で行う波面収差計測について説明する。波面収差計測は、例えば位相回復法を用いる。そのため、波面収差算出部27は、図21に示すように、逆フーリエ変換部50、PSF算出部51、及び位相回復法演算部52を備える。逆フーリエ変換部50は、OTF解析部24で解析したOTFを逆フーリエ変換する。PSF算出部51は、逆フーリエ変換したデータからPSFを求める。位相回復法演算部52は、算出したPSFに対して位相回復法を適用して波面収差を求める。得られた波面収差は、記憶部28に記憶される。
本実施形態では、デフォーカス量を複数、例えば3つ変えて取得したOTFの計測結果を、2次元逆フーリエ変換する。計測チャートは、図11で説明したチャートを物体面内で、複数の角度、例えば15度刻みに傾けて配したチャートを用い、そのチャート像を撮像してOTF計測を行うための画像データを取得する。これを方眼座標に補間し、2次元逆フーリエ変換を行い、PSFを得る。
この例を模式的に図22、及び図23に示す。図22は、15度刻みで取得した同系方向のMTFデータ、図23は、補間により方眼状の格子点のデータに変換したMTFデータをそれぞれ示す。図22に示すデータを2次元逆フーリエ変換してPSFを得る。なお、本実施形態では、3つのフォーカス量におけるPSFを求めて位相回復を行っているが、フォーカス量の数は、1つ以上で行えばよい。フォーカス位置の数が少ないと信頼性にかけ、多すぎると逆に計算時間が増えるため、一般的には2つあれば十分である。
照明部としては、図24に示す照明部53を用いてもよい。光源は、例えば直筒型蛍光管flを複数並べた構成になっている。光源から焦点距離f1離れた位置にコンデンサーレンズL1を配している。コンデンサーレンズL1は、焦点距離f1離れた物体面op上に配した計測チャートobを背後から照明する。コンデンサーレンズL1と計測チャートobとの間には、拡散板d1が配置されている。拡散板d1は、輝度むら、σむらの低減に寄与する。
また、照明部としては、図25に示す照明部54を用いてもよい。この実施形態の光源flとしては、例えば直筒型蛍光管、LED、水銀ランプ、ハロゲンランプ等のいずれかを必要数並べて構成されている。光源から焦点距離f3離れた位置にコリメータレンズL3を配している。コリメータレンズL3は、インテグレータ部intに照明光をリレーする。インテグレータ部intにより均一化された照明光は、コンデンサーレンズL2を用いて物体面op上にリレーされ、物体面op上に配した計測チャートobを背後から照明する。コンデンサーレンズL2と計測チャートobとの間には、拡散板d1が配置されている。拡散板d1は、輝度むら、σむらの低減に寄与する。この照明部は、σむら、輝度むらの低減の能力に非常に優れた構成であり、半導体露光装置等にも用いられる。なお、インテグレータ部intとしては、フライアイレンズやロッドレンズ、DOE(diffraction optical element)を用いることができる。
なお、上記実施形態で説明した計測チャートのロンキーグレーティングとしては、ラインアンドスペースパターンとして説明しているが、本発明ではこれに限らず、透明なガラス板の一面上に、複数の矩形凸部を周期的に繰り返し配列した矩形パターンであってもよい。
また、上記実施形態で説明した計測チャートは、透過型のチャートとなっているが、本発明ではこれに限らず、反射型のチャートを利用してもよい。この場合には、ロンキーグレーティングとして、白紙に黒字のバーを描画して反射領域(明部)と非反射領域(暗部)とを作ったものとしてもよい。また、不透明な板部材の一面上に、複数の矩形凸部又は凹部を周期的に繰り返し配列した矩形パターンであってもよい。
矩形パターンとしては、例えば、図26に示すように、所定間隔で配した3つの凹部を群として、その群を所定の周期で3つ配した構成になっている。群の所定周期は、凹部の幅をW、凹部の隣り合う間隔をPとすると、6Pとなっている。凹部の幅Wは、間隔Pよりも小さく(P>W)なるように設定されている。また、振幅分布は、凹部の幅Wの部分の振幅反射率を「1」とし、その他の振幅反射率も「1」とし、さらに、深さを「h」とする。この矩形パターンのマークを複素関数表示したものが、図27に示すDnである。同図においてReは実数成分を示し、Imは虚数成分を示す。ここで座標0におけるRe−Im平面に平行なRe’−Im’平面によるマークDnの断面図を図28に示す。凹部以外の部分の振幅はベクトルocで示され、その大きさは1である。凹部部分の振幅はベクトルoaで示され、その大きさは「1」である。ベクトルocとベクトルoaのなす角Φは溝の深さをhとし、照明光の波長をλ(ブロードバンドの場合は平均波長と考える)とすると、落射照明では反射により光路長が2倍となるので2h/λ×2π=Φとなる。
このマークの複素振幅分布Dnは、直流成分Dcと、交流成分Acに分離して考えることができる。この場合の交流成分Acは、図28のベクトルacに平行な振幅の成分で表されるもので、図29のように示される。直流成分は、図29のベクトルocに平行な成分で、図30に示されている。複素振幅分布Dnによって発生する回折光を考える場合、直流成分Dcと交流成分Acを分けて考えることが有効である。直流成分Dcは、0次回折光を発生するのみである。一方、交流成分Acは、図31、図32、図33に示されるように、周期的な振幅分布B、Cの掛け算の結果と捉えることができる。また、振幅分布B,Cをフーリエ変換することにより図34、図35に示されるように、振幅分布B、Cのそれぞれのフーリエスペクトルが求まる。振幅分布Bは、周期6Pの矩形波であり、フーリエ変換によって得られるスペクトルは、0次成分のほかは奇数次のスペクトルのみとなる。奇数次のスペクトルは、±1/6P、±3/6P、±5/6P、±7/6P、…に離散的に発生する。
振幅分布Acのフーリエスペクトルは、これらのコンボリューションになり、図36のような離散的なフーリエスペクトルとなる。−6次回折光から+6次回折光の間の回折光は、奇数次回折光のみが発生することになる。この最低次数の偶数次回折光、すなわち±6次回折光は、λ0/P>(NA+NAi)の関係を満たすことによって、それが、被検レンズに入射することを阻止することができる。したがって、結像には、奇数次回折光と直流成分のみが寄与し、偶数次の回折光の影響を受けずに計測チャートの空間像を計測することができることになる。
図36に示されるように、マークの振幅分布のスペクトルでは、空間周波数0、±1/6P、±3/6P、±5/6P、±6/6Pにおいてそのピークが出現しているが、空間周波数±2/6P、±4/6Pについては、いずれも0となっている。すなわち、マークの振幅分布には、直流成分、基本周期Pに対応する6次以下の成分では、1次成分、3次成分、5次成分、6次成分だけが含まれており、2次、4次という、6次より小さい偶数次の空間周波数成分は0となっている。
図36の空間周波数スペクトルから、計測チャートからの各次の回折光の強度を読み取ることができる。すなわち、計測チャートから発生する回折光は、0次回折光の他は、±6次回折光以下では、±1次回折光、±3次回折光、±5次回折光、±6次回折光であり、2次、4次等の6次より小さい偶数次の回折光は、発生していない。
10 計測装置
11 CCD
12,53,54 照明部
d1,d2 拡散板
ob 計測チャート
L0 被検レンズ

Claims (10)

  1. コヒーレンスファクタ(σ)を1以上に設定している照明部と、
    前記照明部からの照明によって0次、及び奇数次の回折光を発生するマークと、
    前記照明されるマークの透過光又は反射光を被検レンズで集光し、集光される光を前記マークの像の強度分布データとして電気信号に変換する光電変換手段と、
    前記強度分布データに基づいて振幅及び位相のうちのいずれか一方又は両方を計って前記被検レンズの光学的伝達関数(OTF)を算出する算出手段と、
    を備えたことを特徴とする計測装置。
  2. 請求項1に記載の計測装置において、
    前記マークは、矩形形状を周期的に繰り返して構成されている矩形マークになっていることを特徴とする計測装置。
  3. 請求項1又は2に記載の計測装置において、
    前記算出手段は、前記マークを構成するうちの100%の光透過領域、又は光反射領域が「1」に対する正弦波の振幅が2/πのときを、変調伝達関数(MTF)が100%としていることを特徴とする計測装置。
  4. 請求項1から3のいずれか1項に記載の計測装置において、
    前記照明部は、複数の拡散板を備えていることを特徴とする計測装置。
  5. 請求項1から4のいずれか1項に記載の計測装置において、
    前記算出手段で得られる光学伝達関数を逆フーリエ変換して点像分布関数(PSF)を求め、前記求めた点像分布関数に基づいて位相回復法によって波面収差を求める波面収差算出手段を備えていることを特徴とする計測装置。
  6. 請求項5に記載の計測装置において、
    前記光電変換部は、撮像手段となっており、
    前記撮像手段から得られる前記マークの画像に基づいて予め決められている基準位置からの縦及び横の長さを計測する計測手段と、
    前記計測手段で計測した縦及び横長さに基づいて前記位相伝達関数を補正する補正手段と、
    を備えていることを特徴とする計測装置。
  7. コヒーレンスファクタ(σ)を1以上に設定している照明部で0次、及び奇数次の回折光を発生するマークを照明するステップと、
    前記照明されるマークの透過光又は反射光を被検レンズで集光し、集光される光を光電変換手段により強度分布データとして電気信号に変換する光電変換ステップと、
    前記強度分布データに基づいて前記マークの振幅及び位相のうちのいずれか一方又は両方を計って前記被検レンズの光学的伝達関数(OTF)を算出する算出ステップと、
    を含むことを特徴とする計測方法。
  8. 請求項7に記載の計測方法において、
    前記算出ステップは、前記マークを構成するうちの100%の光透過領域、又は光反射領域が「1」に対する正弦波の振幅が2/πのときを、変調伝達関数(MTF)が100%としていることを特徴とする計測方法。
  9. 請求項7又は8に記載の計測方法において、
    前記算出手段で算出される光学伝達関数を逆フーリエ変換して位相伝達関数(PSF)を求め、前記求めた位相伝達関数に基づいて位相回復法によって波面収差を求めるステップを含むことを特徴とする計測方法。
  10. 請求項9に記載の計測方法において、
    前記光電変換ステップは、前記マークの像を撮像手段で撮像するとともに、
    前記撮像手段から得られる前記マークの画像に基づいて予め決められている基準位置からの縦及び横の長さを計測する計測ステップと、
    前記計測ステップで計測した縦及び横長さに基づいて前記位相伝達関数を補正する補正ステップと、
    を含むことを特徴とする計測方法。
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