JP2012183637A - Method and apparatus for processing substrate - Google Patents

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エリック, シー. ワッシンガー,
Gary C Ettinger
ギャリー, シー. エッティンガー,
Sen-Hou Ko
センーホウ コー,
Wei-Yung Hsu
ウェイ−ユン ヒュー,
Liang-Yuh Chen
リアン−ユー チェン,
Ho Seon Shin
ホー, セオン シン,
Donald Olgado
ドナルド オルガド,
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide methods and an apparatus that are improved to clean an edge of a substrate.SOLUTION: The apparatus and methods adapted to polish an edge of the substrate include: a polishing film; a frame 502 adapted to apply a tension and a load on the polishing film so that at least a portion of the film is supported in a plane; and a substrate rotation driver 510 adapted to rotate a substrate against the plane of the polishing film such that the polishing film is adapted to apply force to the substrate, contour to the edge of the substrate, the edge including at least an outer edge and a first bevel, and polish the outer edge and the first bevel as the substrate is rotated.

Description

関連出願の相互参照Cross-reference of related applications

本出願は、2005年12月9日に出願された“METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSIN G A SUBSTRATE”と題する米国特許出願第11/299,295号(代理人整理番号第10121号)、及び2005年12月9日に出願された“METHOD AND APPARATUS FOR PRO CESSING A SUBSTRATE”と題する米国特許出願第11/298,555号(代理人整理番号第10414号)の優先権を主張するものであり、その各は、全ての目的で、そのまま参考としてここに援用される。   This application is filed on Dec. 9, 2005, US Patent Application No. 11 / 299,295 (Attorney Docket No. 10121) entitled “METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSIN GA SUBSTRATE”, and Dec. 2005 Claims the priority of US Patent Application No. 11 / 298,555 (Attorney Docket No. 10414) entitled “METHOD AND APPARATUS FOR PRO CESSING A SUBSTRATE” filed on the 9th. , For all purposes, incorporated herein by reference in its entirety.

本発明は、一般に、基板処理に係り、より詳細には、基板の縁を洗浄する方法及び装置に関する。   The present invention relates generally to substrate processing, and more particularly to a method and apparatus for cleaning the edge of a substrate.

基板の縁に研磨材膜を接触させて縁をきれいにする従来のシステムでは、縁が完全にきれいにならないことがある。例えば、研磨材膜が洗浄中に縁の両斜面に充分接触しないことがある。更に、研磨材膜が使用によって摩滅し、それ故、基板を充分きれいにする能力を失って頻繁な交換を必要とし、半導体デバイスの製造スループットに影響することもある。従って、基板の縁を洗浄するための改良された方法及び装置が要望される。   In a conventional system that cleans the edge by contacting an abrasive film with the edge of the substrate, the edge may not be completely clean. For example, the abrasive film may not fully contact both edges of the edge during cleaning. In addition, the abrasive film may be worn away by use, thus losing the ability to clean the substrate sufficiently, requiring frequent replacement, and affecting semiconductor device manufacturing throughput. Accordingly, there is a need for an improved method and apparatus for cleaning substrate edges.

本発明の第1の態様において、基板の縁を研磨するよう適応される装置は、研磨膜と、この研磨膜に張力をかけて膜の少なくとも一部分が平面内に支持されるように適応されるフレームと、研磨膜の平面に対して基板を回転するように適応される基板回転駆動装置であって、研磨膜が、基板に張力を付与し、少なくとも外縁及び第1斜面を含む基板の縁に輪郭合わせし、更に、基板が回転されるときに外縁及び第1斜面を研磨するように適応される基板回転駆動装置と、を備えている。   In a first aspect of the invention, an apparatus adapted to polish an edge of a substrate is adapted to provide a polishing film and tension the polishing film such that at least a portion of the film is supported in a plane. A frame and a substrate rotation drive adapted to rotate the substrate relative to the plane of the polishing film, wherein the polishing film imparts tension to the substrate and includes at least an outer edge and a first slope on the edge of the substrate And a substrate rotation drive adapted to contour and further polish the outer edge and the first bevel when the substrate is rotated.

本発明の第2の態様において、基板の縁を研磨するよう適応される装置は、複数の研磨膜と、これら研磨膜の各々に張力をかけて各膜の少なくとも一部分が各平面内に支持されるように適応されるフレームと、研磨膜の各平面の少なくとも1つに対して基板を回転するように適応される基板回転駆動装置であって、基板に接触する研磨膜が、基板に圧力を付与し、基板の縁に輪郭合わせし、更に、基板が回転されるときに縁を研磨するようにされた基板回転駆動装置と、を備えている。   In a second aspect of the invention, an apparatus adapted to polish an edge of a substrate includes a plurality of polishing films and at least a portion of each film supported in each plane by tensioning each of the polishing films. A frame adapted to rotate and a substrate rotation drive adapted to rotate the substrate relative to at least one of each plane of the polishing film, wherein the polishing film in contact with the substrate exerts pressure on the substrate. And a substrate rotation driving device adapted to polish the edge when the substrate is rotated.

本発明の第3の態様において、基板の縁を研磨するよう適応される装置は、研磨側及び第2の側部を有する研磨膜と、この研磨膜の第2の側部に隣接して配置された膨張可能なパッドと、これら研磨膜及び膨張可能なパッドを支持するように適応されるフレームと、研磨膜の研磨側に対して基板を回転するように適応される基板回転駆動装置と、を備えている。研磨膜は、基板の縁と膨張可能なパッドとの間に配置されて、膨張可能なパッド及び研磨膜が基板の縁に輪郭合わせすると共に、研磨膜が基板の縁に接触するようにされる。   In a third aspect of the invention, an apparatus adapted to polish an edge of a substrate is disposed adjacent to a polishing film having a polishing side and a second side, and the second side of the polishing film. An inflatable pad, a frame adapted to support the polishing film and the inflatable pad, a substrate rotation drive adapted to rotate the substrate relative to the polishing side of the polishing film, It has. The polishing film is disposed between the edge of the substrate and the inflatable pad so that the inflatable pad and polishing film contour the edge of the substrate and the polishing film contacts the edge of the substrate. .

本発明の第4の態様において、基板の縁を洗浄するための方法は、(a)研磨膜を支持するステップと、(b)外縁及び少なくとも1つの斜面を含む基板の縁に研磨膜を適合させるステップと、(c)基板を回転するステップと、を備えている。   In a fourth aspect of the invention, a method for cleaning an edge of a substrate includes: (a) supporting the polishing film; and (b) adapting the polishing film to the edge of the substrate including an outer edge and at least one bevel. And (c) rotating the substrate.

本発明の他の特徴及び態様は、以下の詳細な説明、特許請求の範囲、及び添付図面から完全に明らかとなろう。   Other features and aspects of the present invention will become more fully apparent from the following detailed description, the appended claims and the accompanying drawings.

詳細な説明Detailed description

本発明は、基板の縁を洗浄及び/又は研磨するための改良された方法及び装置を提供する。図1を参照すれば、基板100は、2つの主面102、102’及び縁104を含むことができる。基板100の各主面102、102’は、デバイス領域106、106’ 及び除外(exclusion)領域108、108’を含むことができる。(しかしながら、典型的には、2つの主面102、102’の片方だけがデバイス領域及び除外領域を含む。)除外領域108、108’は、デバイス領域106、106’と縁104との間の緩衝域として働くことができる。基板100の縁104は、外縁110及び斜面112、114を含むことができる。斜面112、114は、外縁110と、2つの主面102、102’の除外領域108、108’との間に位置することができる。本発明は、デバイス領域106、106’に影響することなく、基板100の外縁110及び少なくとも1つの斜面112、114をきれいにし及び/又は研磨するように適応される。幾つかの実施形態では、除外領域108、108’の全部又は一部分もきれいにし又は研磨することができる。   The present invention provides an improved method and apparatus for cleaning and / or polishing the edge of a substrate. Referring to FIG. 1, the substrate 100 can include two major surfaces 102, 102 ′ and an edge 104. Each major surface 102, 102 ′ of the substrate 100 can include device regions 106, 106 ′ and exclusion regions 108, 108 ′. (However, typically only one of the two major surfaces 102, 102 ′ includes the device region and the exclusion region.) The exclusion region 108, 108 ′ is between the device region 106, 106 ′ and the edge 104. Can act as a buffer area. The edge 104 of the substrate 100 may include an outer edge 110 and slopes 112, 114. The slopes 112, 114 can be located between the outer edge 110 and the exclusion regions 108, 108 'of the two major surfaces 102, 102'. The present invention is adapted to clean and / or polish the outer edge 110 and at least one bevel 112, 114 of the substrate 100 without affecting the device regions 106, 106 '. In some embodiments, all or a portion of the exclusion zone 108, 108 'can also be cleaned or polished.

本発明は、基板100が回転されるときに(例えば、真空チャック、駆動ローラ、等により)基板100の縁104に対して膜(例えば、研磨材研磨膜)又は研磨材緩衝材を支持するためのフレームを提供する。この膜は、アクチュエータにより押されるパッド及び/又は膨張可能なパッドを使用して、回転する基板の縁104に対して押し付けることができる。いずれにせよ、このパッド及び/又は膨張可能なパッドは、柔軟なものであり、及び/又は基板の縁104の形状に合致する輪郭を含み又は輪郭を生成することができる。アクチュエータにより付与される力の量、選択されたパッドの弾力性、膨張可能なパッドの膨張の量、及び/又は膜に対する張力の量に基づいて、制御された量の圧力を、縁104の研磨のために付与することができる。それとは別に又はそれに加えて、フレーム内で膜に張力をかけて、膜自身が、可変量の張力を基板の縁104に付与すると共に、(例えば、パッドからの付加的な支持を伴ったり伴わなかったりして)外縁110と、斜面112、114の少なくとも1つとの両方に輪郭合わせするように適応されてもよい。従って、本発明は、縁104から材料が除去されるときに基板100における異なる幾何学的縁形状及び変化を補償するのに使用できる縁研磨プロセスの正確な制御を提供する。   The present invention supports a film (eg, abrasive polishing film) or abrasive cushioning material against the edge 104 of the substrate 100 when the substrate 100 is rotated (eg, by a vacuum chuck, drive roller, etc.). Provide frames. This membrane can be pressed against the rotating substrate edge 104 using a pad pressed by an actuator and / or an inflatable pad. In any case, the pad and / or the inflatable pad may be flexible and / or include or generate a contour that matches the shape of the edge 104 of the substrate. Based on the amount of force applied by the actuator, the elasticity of the selected pad, the amount of expansion of the inflatable pad, and / or the amount of tension on the membrane, a controlled amount of pressure is applied to the edge 104 polishing. Can be granted for. Alternatively or additionally, the membrane is tensioned within the frame, which itself applies a variable amount of tension to the edge 104 of the substrate (eg, with or with additional support from the pad). (Although not) it may be adapted to contour both the outer edge 110 and at least one of the slopes 112, 114. Thus, the present invention provides precise control of the edge polishing process that can be used to compensate for different geometric edge shapes and changes in the substrate 100 as material is removed from the edge 104.

幾つかの実施形態では、フレームが複数のヘッドを支持することができ、各ヘッドは、研磨膜を支持するように適応される。ヘッドは、同時に、又は予め定義されたシーケンスで、又は異なる時間に使用できる異なる形式の膜(例えば、異なる研磨材粒度の膜)を支持することができる。ヘッドは、支持された膜が回転基板100の縁104の異なる部分を研磨できるように、異なる位置に配置することができる。ヘッドは、縁104の異なる部分を研磨するためにフレームにより縁104の周りを移動されるように(例えば、基板100の接線方向軸の周りを及び/又は基板100に対して周囲方向に角度的に並進移動されるように)適応されてもよい。幾つかの実施形態では、ヘッドは、基板100の回転する縁104の周りを連続的に振動してもよい。各ヘッドは、膜のインデックス付きスプールを含んでもよく、及び/又は交換可能なカセットに収容されてもよい。   In some embodiments, the frame can support multiple heads, each head being adapted to support a polishing film. The head can support different types of membranes (eg, membranes of different abrasive particle sizes) that can be used simultaneously, in a predefined sequence, or at different times. The head can be placed at different positions so that the supported film can polish different portions of the edge 104 of the rotating substrate 100. The head is moved around the edge 104 by the frame to polish different portions of the edge 104 (eg, around the tangential axis of the substrate 100 and / or circumferentially relative to the substrate 100). To be translated). In some embodiments, the head may continuously vibrate around the rotating edge 104 of the substrate 100. Each head may include a membrane indexed spool and / or housed in a replaceable cassette.

それに加えて又はそれとは別に、本発明は、研磨されている基板縁104へ流体を送出し易くすることを含んでもよい。幾つかの実施形態では、化学物質又は水を基板縁104へ向けるために1つ以上のチャンネルを設けて、研磨を助成し、及び/又は研磨から生じる粒子を洗い流すことができる。化学物質は、基板/研磨膜の界面において基板100へ直接スプレーされてもよく、及び/又は膜及び/又はパッドへ、及び/又はそれを通して付与されてもよい。流体は、基板100のいずれかの側又は両側からスプレーされてもよく、又、本発明は、基板100の他の部分又は本発明の装置を汚染したり又はそれに接触したりしないように、重力又は吸引を利用して排水することができる。更に、エネルギー(例えば、メガソニックエネルギー)を搬送する流体を介して基板縁104にそのようなエネルギーを付与してもよい。   In addition or alternatively, the present invention may include facilitating delivery of fluid to the substrate edge 104 being polished. In some embodiments, one or more channels may be provided to direct chemicals or water to the substrate edge 104 to aid in polishing and / or wash away particles resulting from polishing. The chemical may be sprayed directly onto the substrate 100 at the substrate / polishing film interface and / or applied to and / or through the film and / or pad. The fluid may be sprayed from either side or both sides of the substrate 100, and the present invention is gravity free so as not to contaminate or contact other parts of the substrate 100 or the device of the present invention. Or it can drain using suction. Further, such energy may be applied to the substrate edge 104 via a fluid carrying energy (eg, megasonic energy).

基板100は、水平面内で回転することができる。付加的な実施形態又は別の実施形態では、基板100は、垂直面又は他の非水平面内で回転することもできるし、及び/又は異なる回転平面間で移動することもできる。   The substrate 100 can rotate in a horizontal plane. In additional or alternative embodiments, the substrate 100 can rotate in a vertical plane or other non-horizontal plane and / or move between different planes of rotation.

図2は、縁研磨装置200の概略図である。フレーム202は、基板100の主面102、102’に垂直な平面内で研磨膜204を支持し且つそれに張力をかけ、(例えば、まっすぐな下向きの矢印205a、205bで示されたように)基板100の縁104が研磨膜204に対して押し付けられ、且つ研磨膜204が基板縁104に輪郭合わせできるようにする。カーブした矢印205cで示されたように、基板100は、研磨膜204に対して回転することができる。基板100は、例えば、約50から300RPMの範囲の速度で回転できるが、他の速度を使用してもよい。基板100は、使用する膜の形式、膜の粒度、回転速度、必要な研磨量、等に基づいて、約15から150秒間、研磨膜204に接触することができる。それより長い時間又は短い時間が使用されてもよい。幾つかの実施形態では、研磨膜204は、研磨膜204の背面(例えば、非研磨材側)に隣接して配置されてフレーム202に装着されたパッド206により支持されてもよい。上方を向いたまっすぐな矢印207で示すように、張力の掛けられた研磨膜204及び/又はパッド206を含むフレーム202は、基板100の縁104に対して押し付けることができる。幾つかの実施形態では、基板は、約0.5ポンドから約2.0ポンドの範囲の力の大きさで研磨膜に対して押し付けることができる。他の力の大きさを使用してもよい。   FIG. 2 is a schematic view of the edge polishing apparatus 200. The frame 202 supports and tensions the polishing film 204 in a plane perpendicular to the major surfaces 102, 102 'of the substrate 100 (eg, as indicated by straight down arrows 205a, 205b). 100 edge 104 is pressed against polishing film 204 and allows polishing film 204 to contour to substrate edge 104. As indicated by the curved arrow 205 c, the substrate 100 can rotate with respect to the polishing film 204. The substrate 100 can rotate, for example, at a speed in the range of about 50 to 300 RPM, although other speeds may be used. The substrate 100 can contact the polishing film 204 for about 15 to 150 seconds, based on the type of film used, film size, rotation speed, amount of polishing required, and the like. Longer or shorter times may be used. In some embodiments, the polishing film 204 may be supported by a pad 206 that is disposed adjacent to the back surface (eg, non-abrasive side) of the polishing film 204 and attached to the frame 202. A frame 202 including a tensioned polishing film 204 and / or a pad 206 can be pressed against the edge 104 of the substrate 100, as indicated by a straight arrow 207 pointing upward. In some embodiments, the substrate can be pressed against the polishing film with a force magnitude in the range of about 0.5 pounds to about 2.0 pounds. Other force magnitudes may be used.

それに加えて又はそれとは別に、フレーム202に装着されたスプール208、210により研磨膜204の付加的な長さを支持し、それに張力をかけることができる。供給スプール208は、解かれて基板100の隣接位置へ引き出して使用される未使用研磨膜204を含み、一方、巻き取りスプール210は、使用済み及び/又は摩滅した研磨膜204を受け取るように適応することができる。前進される研磨膜204の量を正確に制御するためにスプール208、210の一方又は両方にインデックスを設けてもよい。研磨膜204は、酸化アルミニウム、酸化シリコン、炭化シリコン、等を含む多数の異なる材料から作ることができる。又、他の材料を使用してもよい。幾つかの実施形態では、使用する研磨材は、そのサイズが約0.5ミクロンから約3ミクロンの範囲であるが、他のサイズを使用してもよい。約1インチから約1.5インチの範囲の異なる巾を使用することができる(が、他の巾を使用してもよい)。1つ以上の実施形態において、研磨膜は、約0.002から約0.02インチ厚みであり、更に、パッド206を使用する実施形態では約1から5ポンドの張力に耐えることができ、又、パッドを使用しない実施形態では約3から約8ポンドの張力に耐えることができる。異なる厚み及び強度をもつ他の膜を使用してもよい。スプール208、210は、直径が約1インチで、約500インチの研磨膜204を保持し、又、ポリウレタン、ポリビニルジフロライド(PVDF)、等の実用的な材料から作ることができる。フレーム202は、アルミニウム、ステンレススチール等の実用的な材料から作ることができる。   In addition or alternatively, additional lengths of the polishing film 204 can be supported and tensioned by spools 208, 210 attached to the frame 202. The supply spool 208 includes an unused polishing film 204 that is unwound and used to be pulled to an adjacent location on the substrate 100, while the take-up spool 210 is adapted to receive used and / or worn polishing film 204. can do. An index may be provided on one or both of the spools 208, 210 to accurately control the amount of polishing film 204 advanced. The polishing film 204 can be made from a number of different materials including aluminum oxide, silicon oxide, silicon carbide, and the like. Other materials may also be used. In some embodiments, the abrasive used ranges in size from about 0.5 microns to about 3 microns, although other sizes may be used. Different widths ranging from about 1 inch to about 1.5 inches can be used (although other widths may be used). In one or more embodiments, the polishing film is from about 0.002 to about 0.02 inches thick, and in embodiments using the pad 206, can withstand about 1 to 5 pounds of tension, and The padless embodiment can withstand about 3 to about 8 pounds of tension. Other membranes with different thicknesses and strengths may be used. The spools 208, 210 are about 1 inch in diameter and hold a polishing film 204 of about 500 inches, and can be made from practical materials such as polyurethane, polyvinyl difluoride (PVDF), and the like. The frame 202 can be made of a practical material such as aluminum or stainless steel.

幾つかの実施形態では、1つ以上の流体チャンネル212(例えば、スプレーノズル又はバー)を設けて、化学物質及び/又は水を送出し、基板縁104の研磨/洗浄を助成し、基板を潤滑し、及び/又は除去された物質を洗い流すことができる。流体チャンネル212は、基板100、研磨膜204、及び/又はパッド206に流体を送出するように適応させることができる。流体は、潤滑剤として働くと共に粒子をどっと洗い流す脱イオン水を含んでもよい。又、表面活性剤及び/又は他の既知の洗浄化学物質が含まれてもよい。幾つかの実施形態では、音波(例えば、メガソニック)ノズルを使用して、音波処理された流体を基板縁104へ送出し、洗浄を補足することができる。又、流体は、研磨膜204及び/又はパッド206を通して縁104へ送出されてもよい。   In some embodiments, one or more fluid channels 212 (eg, spray nozzles or bars) are provided to deliver chemicals and / or water, assist in polishing / cleaning the substrate edge 104, and lubricate the substrate. And / or the removed material can be washed away. The fluid channel 212 can be adapted to deliver fluid to the substrate 100, the polishing film 204, and / or the pad 206. The fluid may include deionized water that acts as a lubricant and flushes away the particles. Surfactants and / or other known cleaning chemicals may also be included. In some embodiments, a sonic (eg, megasonic) nozzle can be used to deliver sonicated fluid to the substrate edge 104 to supplement the cleaning. The fluid may also be delivered to the edge 104 through the polishing film 204 and / or the pad 206.

図3A及び図3Bは、図2の研磨膜204及びパッド206の各々拡大前面及び側面断面図である。力(まっすぐな矢印で示す)により研磨膜204及びパッド206が基板100の縁104に輪郭合わせされ且つ合致されることに注意されたい。幾つかの実施形態では、基板100が存在しない場合に、パッド206は、基板100がパッド206を圧縮して示されているところに平らな表面をもつことになる。同様に、基板100が存在しない場合には、研磨膜204は、平らに横たわり、両図において直線で表わされる。   3A and 3B are enlarged front and side sectional views of the polishing film 204 and the pad 206 of FIG. 2, respectively. Note that the polishing film 204 and pad 206 are contoured and matched to the edge 104 of the substrate 100 by force (indicated by straight arrows). In some embodiments, if the substrate 100 is not present, the pad 206 will have a flat surface where the substrate 100 is shown compressing the pad 206. Similarly, in the absence of the substrate 100, the polishing film 204 lies flat and is represented by a straight line in both figures.

図4及び図5には、縁研磨装置400、500の2つの付加的な別々の実施形態が示されている。図4に示したように、例示的な縁研磨装置400は、ヘッド404を含むベース又はフレーム402を備え、ヘッド404は、スプール208、210間に引っ張られてパッド206により更に支持された研磨膜204を支持する。図示されたように、パッド206は、バイアス器具406(例えば、スプリング)を介してヘッド404に装着することができる。又、図4の縁研磨装置400は、1つ以上の駆動ローラ408(2つ示されている)及びガイドローラ410(2つ示されている)を備え、これらは、研磨膜204に対して基板100の縁104を回転するように適応される。駆動ローラ408それ自体は、駆動装置412(例えば、モータ、ギア、ベルト、チェーン、等)により各々駆動することができる。   4 and 5 show two additional separate embodiments of the edge polishing apparatus 400,500. As shown in FIG. 4, an exemplary edge polishing apparatus 400 includes a base or frame 402 that includes a head 404, which is pulled between spools 208, 210 and further supported by a pad 206. 204 is supported. As shown, the pad 206 can be attached to the head 404 via a biasing device 406 (eg, a spring). Also, the edge polishing apparatus 400 of FIG. 4 includes one or more drive rollers 408 (two shown) and guide rollers 410 (two shown) that are connected to the polishing film 204. It is adapted to rotate the edge 104 of the substrate 100. The drive rollers 408 themselves can each be driven by a drive 412 (eg, motor, gear, belt, chain, etc.).

駆動ローラ408及びガイドローラ410は、これらローラ408、410のみで基板100を支持できるようにする溝を含むことができる。幾つかの実施形態では、駆動ローラ408内の溝は、その直径が約2.5インチでよく、ガイドローラ410内の溝は、その直径が約1インチでよい。他の直径も考えられる。基板100に接触する駆動ローラ408のエリアは、駆動ローラ408が基板100を把持できるようにするためのテクスチャ又は十字溝を含むことができる。駆動ローラ408及びガイドローラ410は、ポリウレタン、ポリビニルジフロライド(PVDF)、等の材料から作ることができる。他の材料を使用してもよい。   The driving roller 408 and the guide roller 410 may include grooves that allow the substrate 100 to be supported only by the rollers 408 and 410. In some embodiments, the groove in the drive roller 408 may be about 2.5 inches in diameter, and the groove in the guide roller 410 may be about 1 inch in diameter. Other diameters are also contemplated. The area of the drive roller 408 that contacts the substrate 100 can include textures or cross grooves to allow the drive roller 408 to grip the substrate 100. The drive roller 408 and the guide roller 410 can be made from materials such as polyurethane, polyvinyl difluoride (PVDF), and the like. Other materials may be used.

図5に示すように、別の例示的縁研磨装置500は、ヘッド504を含むベース又はフレーム502を備え、ヘッド504は、スプール208、210間に引っ張られてパッド206により更に支持された研磨膜204を支持する。図示されたように、パッド206は、アクチュエータ506(例えば、空気圧スライド、液圧ラム、サーボモータ駆動プッシャー、等)を介してヘッド504に装着することができる。図5の縁研磨装置500は、駆動装置510(例えば、モータ、ギア、ベルト、チェーン、等)に結合された真空チャック508も含むことができる。図5に示す実施形態の効果は、装置500が、研磨されている縁104に接触する必要がないことである。従って、粒子が駆動ローラに累積したり縁104に再堆積したりする可能性が排除される。ローラをきれいにする必要性も排除される。更に、ローラが縁にダメージを及ぼしたりひっかき傷をつけたりする可能性も排除される。基板を真空チャックに保持することにより、振動のない高速回転を得ることができる。   As shown in FIG. 5, another exemplary edge polishing apparatus 500 includes a base or frame 502 that includes a head 504, which is pulled between spools 208, 210 and further supported by a pad 206. 204 is supported. As shown, the pad 206 can be attached to the head 504 via an actuator 506 (eg, pneumatic slide, hydraulic ram, servo motor driven pusher, etc.). The edge polishing apparatus 500 of FIG. 5 can also include a vacuum chuck 508 coupled to a drive 510 (eg, a motor, gear, belt, chain, etc.). The effect of the embodiment shown in FIG. 5 is that the device 500 does not need to contact the edge 104 being polished. Thus, the possibility of particles accumulating on the drive roller or redepositing on the edge 104 is eliminated. The need to clean the rollers is also eliminated. Furthermore, the possibility of the roller damaging or scratching the edges is eliminated. By holding the substrate on the vacuum chuck, high-speed rotation without vibration can be obtained.

図6から図8Bを参照して、図4及び5の実施形態の特徴をある程度詳細に説明する。異なる設計上の課題や問題に応じるために、異なる実施形態からの特徴を多数の異なる実行可能な仕方で結合できることに注意されたい。   The features of the embodiment of FIGS. 4 and 5 will be described in some detail with reference to FIGS. Note that features from different embodiments can be combined in a number of different feasible ways to meet different design challenges and problems.

図6は、図5のヘッド504を含むフレーム502を詳細に示す。上述したように、ヘッド504は、スプール208と210との間に引っ張られた研磨膜204を支持する。フレーム502(ヘッド504を含む)は、駆動装置600(例えばサーボモータ)及びピボット602により角度的に並進移動される(縁研磨装置500(図5)に保持された基板100の縁104に接する軸に対して)ように適応されてもよい。フレーム(及び研磨膜204)の角度的な並進移動は、図9Aから10Cを参照して以下に詳細に説明する。   FIG. 6 shows in detail the frame 502 that includes the head 504 of FIG. As described above, the head 504 supports the polishing film 204 that is pulled between the spools 208 and 210. The frame 502 (including the head 504) is translated angularly by a driving device 600 (for example, a servo motor) and a pivot 602 (an axis that contacts the edge 104 of the substrate 100 held by the edge polishing device 500 (FIG. 5)). May be adapted). The angular translation of the frame (and polishing film 204) will be described in detail below with reference to FIGS. 9A to 10C.

それに加えて、ヘッド504に装着されるスプール208、210は、1つ以上の駆動装置606(例えば、サーボモータ)により駆動することができる。駆動装置604は、特定量の未使用の研磨膜204を基板縁へ前進させ又は連続的にフィードできるようにするインデックス能力と、研磨膜を教えられたようにピンと張って基板縁に圧力を付与するための張力能力との両方を備えることができる。   In addition, the spools 208, 210 attached to the head 504 can be driven by one or more drive devices 606 (eg, servo motors). The drive device 604 provides an indexing capability that allows a specified amount of unused polishing film 204 to be advanced or continuously fed to the substrate edge, and tensions the polishing film as taught to apply pressure to the substrate edge. Both with the ability to tension.

図6から更に明確に明らかなように(図5に比して)、研磨膜204を基板縁104(図5)に対して調整可能に押し付け且つ輪郭合わせするように適応されるアクチュエータ506を介してオプションのパッド206をヘッド504に装着することができる。更に、1つ以上の支持ローラ606をヘッド504に装着して、縁研磨装置500(図5)に保持された基板100の主面102(図1)に垂直な平面内で研磨膜204をガイドし、整列させることもできる。   As more clearly apparent from FIG. 6 (as compared to FIG. 5), via an actuator 506 adapted to adjustably press and contour the polishing film 204 against the substrate edge 104 (FIG. 5). An optional pad 206 can be attached to the head 504. Further, one or more support rollers 606 are mounted on the head 504 to guide the polishing film 204 in a plane perpendicular to the main surface 102 (FIG. 1) of the substrate 100 held by the edge polishing apparatus 500 (FIG. 5). And can be aligned.

図5及び図6に示す実施形態では、研磨膜204の長さが、研磨される基板100の縁104に直交して配置される。これは、研磨膜204の長手方向が、研磨される基板100の縁104に整列して配置された図2に示す実施形態と対照的である。研磨膜の他の向き及び構成が使用されてもよい。例えば、研磨膜204は、基板100の主面102に対して斜めに保持されてもよい。   In the embodiment shown in FIGS. 5 and 6, the length of the polishing film 204 is disposed perpendicular to the edge 104 of the substrate 100 to be polished. This is in contrast to the embodiment shown in FIG. 2 where the longitudinal direction of the polishing film 204 is aligned with the edge 104 of the substrate 100 to be polished. Other orientations and configurations of the polishing film may be used. For example, the polishing film 204 may be held obliquely with respect to the main surface 102 of the substrate 100.

図7A及び図7Bは、交換可能なカセット700A、700Bの2つの異なる実施形態の拡大斜視図である。これらのカセット700A、700Bは、異なる縁研磨装置400、500のフレーム402、502に素早く且つ容易に装着でき及び/又はそこから除去できる使い捨て、詰め替え型及び/又は交換型パッケージにおけるヘッド404及び研磨膜204の特徴を与えるように適応されてもよい。   7A and 7B are enlarged perspective views of two different embodiments of replaceable cassettes 700A, 700B. These cassettes 700A, 700B are heads 404 and polishing films in disposable, refillable and / or replaceable packages that can be quickly and easily mounted and / or removed from the frames 402, 502 of different edge polishing devices 400, 500. It may be adapted to give 204 features.

図7Aに示すように、カセット700Aは、供給リール208から巻き取りリール210まで広がる研磨膜204を支持するヘッド404を備えることができる。研磨膜204は、ヘッド404に装着された支持ローラ606によりガイドし、整列させることができる。パッド206は、上述したように、研磨膜204を更にサポートするために設けることができる。又、上述したように、バイアス器具406(例えば、スプリング)を使用して、パッド206をヘッド404に装着し、柔軟な/動的な対抗圧力をパッド206に与えることができる。それとは別に又はそれに加えて、調整可能なアクチュエータ506(図6)を使用して、パッド206を研磨膜204に対して押し付けるか、又は全ヘッド404を基板100に向かって押し付けることができる。   As shown in FIG. 7A, the cassette 700 </ b> A can include a head 404 that supports a polishing film 204 that extends from the supply reel 208 to the take-up reel 210. The polishing film 204 can be guided and aligned by a support roller 606 attached to the head 404. The pad 206 can be provided to further support the polishing film 204 as described above. Also, as described above, a biasing device 406 (eg, a spring) can be used to attach the pad 206 to the head 404 and provide a flexible / dynamic counter pressure to the pad 206. Alternatively or additionally, an adjustable actuator 506 (FIG. 6) can be used to press the pad 206 against the polishing film 204 or the entire head 404 against the substrate 100.

図7Bに示した更に別の実施形態では、パッド206に代わって、ヘッド404が単に研磨膜204の張力に依存して、基板縁104(図1)に横方向圧力を与えることができる。幾つかの実施形態では、ヘッド404は、基板100を受け入れるために図7Bに示すようなノッチ702を含むことができる。   In yet another embodiment shown in FIG. 7B, instead of the pad 206, the head 404 can apply lateral pressure to the substrate edge 104 (FIG. 1) simply depending on the tension of the polishing film 204. FIG. In some embodiments, the head 404 can include a notch 702 as shown in FIG. 7B for receiving the substrate 100.

図8A及び図8Bには、パッド206A、206Bの2つの異なる別々の実施形態が示されている。基板が存在しないときに研磨膜204と同一平面のフラットな面を有するパッド206(図6)に加えて、パッド206Aは、基板100の縁104の輪郭に一致する凹面を含むことができる。或いは又、図8Bに示すように、パッド206Bは、基板100の縁104の輪郭に良く一致するために二重凹面を含んでもよい。更に別の実施形態では、パッド206は、斜面112、114及び外縁110(図1)を含む基板100の縁104の輪郭に正確に一致する整形溝を含むことができる。   8A and 8B show two different separate embodiments of pads 206A, 206B. In addition to the pad 206 (FIG. 6) having a flat surface that is coplanar with the polishing film 204 when the substrate is not present, the pad 206A can include a concave surface that matches the contour of the edge 104 of the substrate 100. Alternatively, as shown in FIG. 8B, the pad 206B may include a double concave surface to better match the contour of the edge 104 of the substrate 100. In yet another embodiment, the pad 206 can include a shaping groove that exactly matches the contour of the edge 104 of the substrate 100, including the bevels 112, 114 and the outer edge 110 (FIG. 1).

パッド206、206A、206Bは、例えば、アセタール樹脂(例えば、デュポン社により製造されたDelrin(登録商標))、PVDF、ポリウレタンクローズドセル発泡材、シリコンゴム、等の材料で作ることができる。他の材料を使用してもよい。このような材料は、パッドの厚み又は密度の関数である弾力性又は適合能力を有してもよい。この材料は、その弾力性に基づいて選択されてもよい。望ましい弾力性は、必要な研磨の形式に基づいて選択されてもよい。   The pads 206, 206A, 206B can be made of a material such as acetal resin (for example, Delrin (registered trademark) manufactured by DuPont), PVDF, polyurethane closed cell foam, silicon rubber, and the like. Other materials may be used. Such materials may have a resiliency or adaptability that is a function of the pad thickness or density. This material may be selected based on its elasticity. The desired elasticity may be selected based on the type of polishing required.

幾つかの実施形態では、パッド206、206A、206Bは、基板の縁に対して調整可能な量の適合能力を有することができる。例えば、パッド206、206A、206Bは、膨張可能な嚢であるか又はそれを含み、より多くの空気又は液体又は他の流体を追加することによりパッドがより硬くなり、一方、嚢における空気又は液体又は他の流体の量を減少することによりパッドの適合性が高くなるものでよい。図8は、流体供給源806からの流体を、流体チャンネル804を経て充填できる(及び/又は空にできる)膨張可能な嚢802を含むパッド206Cの実施形態を示す。幾つかの実施形態では、流体供給源806は、オペレータの指令のもとで又はプログラムされ及び/又はユーザ操作されるコントローラのもとで嚢802を膨張/収縮することができる。このような実施形態では、シリコンゴム等のエラストマ材料を嚢802に使用して、基板縁104に対して伸びて適合するパッドの能力を更に向上させることができる。このような実施形態は、例えば、嚢802へポンプ送りされる流体の量を制限することにより、研磨膜204が基板100に接触するために、除外領域108及び/又は108’(図1)に向かって(もしあっても)斜面112、114をどれほど越えるかをオペレータ/コントローラが正確に制御できるようにする。例えば、基板の外縁110が、収縮した嚢802を伴うパッド206Cに載せられると、嚢802が膨張し、パッド206Cが基板100の外縁110及び斜面112、114の周りを取り巻いてそれに適合するよう強制されるが、基板100のデバイス領域106、106’の周りは取り巻かない。幾つかの実施形態では、複数の嚢をパッドに使用できると共に、異なる形状の膨張可能な嚢を異なる形状のパッド206、206A、206B内に使用できることに注意されたい。   In some embodiments, the pads 206, 206A, 206B can have an adjustable amount of conformability relative to the edge of the substrate. For example, the pads 206, 206A, 206B are or include an inflatable sac and the pad becomes stiffer by adding more air or liquid or other fluid, while the air or liquid in the sac Alternatively, the pad can be made more compatible by reducing the amount of other fluids. FIG. 8 illustrates an embodiment of a pad 206C that includes an inflatable bladder 802 that can be filled (and / or emptied) with fluid from a fluid source 806 via a fluid channel 804. FIG. In some embodiments, the fluid supply 806 can inflate / deflate the bladder 802 under operator command or under a programmed and / or user-operated controller. In such embodiments, an elastomeric material such as silicone rubber can be used for the bladder 802 to further improve the ability of the pad to stretch and conform to the substrate edge 104. Such an embodiment may be located in the exclusion zone 108 and / or 108 ′ (FIG. 1), for example, by limiting the amount of fluid pumped to the bladder 802 so that the polishing film 204 contacts the substrate 100. Allow the operator / controller to accurately control how far (if any) the slope 112, 114 is crossed. For example, when the outer edge 110 of the substrate is placed on a pad 206C with a contracted sac 802, the sac 802 expands and forces the pad 206C to surround and fit around the outer edge 110 and bevels 112, 114 of the substrate 100. However, it does not surround the device area 106, 106 ′ of the substrate 100. It should be noted that in some embodiments, multiple sac can be used for the pad and different shaped inflatable sac can be used in the different shaped pads 206, 206A, 206B.

幾つかの実施形態では、研磨を助成するのに使用される流体は、パッド206、206A、206Bを経て基板の縁へ送出することができる。流体をパッド上に又はパッド内に滴下又はスプレーするために流体チャンネルを設けてもよい。或いは又、膨張可能なパッドが半浸透性メンブレーンをもつ嚢を含み、(例えば、パッドを通して)流体をゆっくり解放して研磨膜204へ伝達させてもよい。このような実施形態では、パッド206、206A、206Bは、使用する流体を吸収及び/又は保有する材料(例えば、ポリビニルアルコール(PVA)、等)で覆われてもよく、その材料で作られてもよく、及び/又はその材料を含んでもよい。   In some embodiments, the fluid used to aid polishing can be delivered to the edge of the substrate via pads 206, 206A, 206B. Fluid channels may be provided for dripping or spraying fluid onto or into the pad. Alternatively, the inflatable pad may include a sac with a semi-permeable membrane so that fluid can be slowly released (eg, through the pad) and transferred to the polishing film 204. In such embodiments, the pads 206, 206A, 206B may be covered with and made of a material that absorbs and / or retains the fluid used (eg, polyvinyl alcohol (PVA), etc.). And / or may include materials thereof.

図9Aから図9C及び図10Aから図10Cは、各々、上述した別々の縁研磨装置400、500の考えられる異なるヘッド位置を例示している。本発明は、研磨膜204を、基板100のデバイス領域106に接触することなく、基板100の斜面112、114及び外縁110に接触させるように適応される。運転中に、これは、ヘッド404、504(及び、従って、基板100の縁104に接触してそこに輪郭合わせされる研磨膜の部分)を、基板100が回転するときに基板100の外縁110に接する軸の周りで角度的に並進移動することにより達成される。図9Aから図9C及び図10Aから図10Cを参照すれば、この角度的並進移動の軸は、“P”と示された点においてこれら図面が描かれた紙面から垂直に延びる線で表わすことができる。ヘッド404、504は、基板100が回転されるときに基板縁104の望ましい部分をきれいにするために種々の位置に保持することができる。幾つかの実施形態では、ヘッド404、504は、図示された種々の位置及び/又は他の位置の間で連続的又は間欠的に振動するように適応されてもよい。ヘッド404、504は、プログラムされた又はユーザ操作されるコントローラの指令のもとで、駆動装置600(図6)によってフレーム502上で移動することができる。或いは又、ヘッド404、504は、基板が回転されない間に固定され及び/又は調整のみが行われてもよい。更に別の実施形態では、ヘッドが振動され(上述したように)且つ基板100の周囲を回転される間に、基板が固定保持されてもよい。更に、研磨膜204は、ヘッド404、504に連続ループで装着されてもよく、及び/又は研磨膜204は、基板縁104を研磨するために連続的に(又は間欠的に)前進されてもよい。例えば、膜の前進を利用して、研磨運動を生成又は増強してもよい。上述した研磨運動及び/又は実行可能な方法を組み合わせて使用することができる。   FIGS. 9A-9C and FIGS. 10A-10C each illustrate different possible head positions of the separate edge polishers 400, 500 described above. The present invention is adapted to bring the polishing film 204 into contact with the slopes 112, 114 and the outer edge 110 of the substrate 100 without contacting the device region 106 of the substrate 100. During operation, this causes the heads 404, 504 (and thus the portion of the polishing film that contacts and contours to the edge 104 of the substrate 100) to move the outer edge 110 of the substrate 100 as the substrate 100 rotates. This is accomplished by translational translation in an angular manner about an axis in contact with. Referring to FIGS. 9A through 9C and FIGS. 10A through 10C, this angular translational axis can be represented by a line extending perpendicularly from the plane of the drawing on which these drawings are drawn at the point labeled “P”. it can. The heads 404, 504 can be held in various positions to clean the desired portion of the substrate edge 104 as the substrate 100 is rotated. In some embodiments, the heads 404, 504 may be adapted to vibrate continuously or intermittently between the various positions shown and / or other positions. The heads 404, 504 can be moved on the frame 502 by the drive device 600 (FIG. 6) under the command of a programmed or user-operated controller. Alternatively, the heads 404, 504 may be fixed and / or adjusted only while the substrate is not rotated. In yet another embodiment, the substrate may be held stationary while the head is vibrated (as described above) and rotated around the substrate 100. Further, the polishing film 204 may be attached to the heads 404, 504 in a continuous loop, and / or the polishing film 204 may be advanced continuously (or intermittently) to polish the substrate edge 104. Good. For example, film advancement may be utilized to generate or enhance the polishing motion. A combination of the above-described polishing motions and / or feasible methods can be used.

図11及び図12を参照すれば、縁研磨装置の付加的な実施形態が示されている。図11は、3つのヘッド404を含む縁研磨装置1100を示し、図12は、2つのヘッド504を含む縁研磨装置1200を示し、図13は、4つのヘッド1304を含む縁研磨装置1300を示している。図面で示唆されたように、いかなる数及び形式のヘッド404、504、1304が、いかなる実行可能な組み合わせで使用されてもよい。更に、このような多ヘッド実施形態では、各ヘッド404、504、1304が、異なる構成又は形式の研磨膜204(例えば、異なる粒度、材料、張力、圧力、等)に使用されてもよい。又、いかなる数のヘッド404、504、1304が、同時に、個々に及び/又はあるシーケンスで使用されてもよい。又、異なるヘッド404、504、1304が、異なる基板100又は異なる形式の基板に使用されてもよい。例えば、硬いバイアス器具406で凹面パッド206Bのようなパッド206及び粒度の粗い研磨膜204を支持する第1ヘッド404を最初に使用して、比較的多量の粗い材料を基板の斜面112、114(図1)から除去することができる。この第1ヘッド404は、斜面112、114にアクセスするように適当に位置することができる。第1ヘッド404での洗浄が完了した後に、第1ヘッド404を基板100から後退させることができ、次いで、微粒度の研磨膜204をもつ(パッドをもたない)第2ヘッド504を、斜面112、114及び外縁110を研磨する位置へ移動することができる。   Referring to FIGS. 11 and 12, an additional embodiment of the edge polishing apparatus is shown. 11 shows an edge polishing apparatus 1100 that includes three heads 404, FIG. 12 shows an edge polishing apparatus 1200 that includes two heads 504, and FIG. 13 shows an edge polishing apparatus 1300 that includes four heads 1304. ing. As suggested in the drawings, any number and type of heads 404, 504, 1304 may be used in any possible combination. Further, in such a multi-head embodiment, each head 404, 504, 1304 may be used for a different configuration or type of polishing film 204 (eg, different particle size, material, tension, pressure, etc.). Also, any number of heads 404, 504, 1304 may be used simultaneously, individually and / or in a sequence. Different heads 404, 504, 1304 may also be used for different substrates 100 or different types of substrates. For example, the first head 404, which first supports the pad 206, such as the concave pad 206B, and the coarse abrasive film 204, with a hard biasing device 406, is used to transfer a relatively large amount of coarse material to the substrate ramps 112, 114 ( Can be removed from FIG. This first head 404 can be suitably positioned to access the slopes 112, 114. After the cleaning with the first head 404 is completed, the first head 404 can be retracted from the substrate 100, and then the second head 504 having a fine-grained polishing film 204 (without a pad) is 112 and 114 and the outer edge 110 can be moved to a position for polishing.

1つ以上の基板100を洗浄した後に、このような洗浄に使用された研磨膜204の部分が磨滅することがある。それ故、巻き取りリール210(図4)は、供給リール210(図4)から巻き取りリール210に向けて固定量だけ研磨膜204を引き出すように駆動することができる。このように、巻き取りリール210と供給リール208との間に研磨膜204の未使用部分を準備することができる。研磨膜204の未使用部分は、その後、上述したのと同様に、1つ以上の他の基板100をきれいにするのに使用できる。従って、装置1100、1200は、基板の処理スループットにほとんど又は全く影響なく、研磨膜204の摩滅した部分を未使用部分に置き換えることができる。同様に、交換可能なカセット700Aが使用される場合には、そのカセット700Aの全ての研磨膜204が使用されたときにカセット700Aを素早く交換することによりスループットへの影響を最小にすることができる。   After cleaning one or more substrates 100, the portion of the polishing film 204 used for such cleaning may be worn away. Therefore, the take-up reel 210 (FIG. 4) can be driven to draw the polishing film 204 from the supply reel 210 (FIG. 4) toward the take-up reel 210 by a fixed amount. Thus, an unused portion of the polishing film 204 can be prepared between the take-up reel 210 and the supply reel 208. The unused portion of the polishing film 204 can then be used to clean one or more other substrates 100, as described above. Thus, the apparatus 1100, 1200 can replace a worn portion of the polishing film 204 with an unused portion with little or no effect on the substrate throughput. Similarly, when a replaceable cassette 700A is used, the impact on throughput can be minimized by quickly replacing the cassette 700A when all polishing films 204 of that cassette 700A are used. .

特に、図13の縁研磨装置1300の実施形態に関して、複数のヘッド1304を支持するフレーム1302が概略的に示されている。ヘッド1304は、各々、フレーム1302に装着され、又、各ヘッドは、コントローラ1308(例えば、プログラムされたコンピュータ、オペレータ指令型バルブシステム、埋め込まれたリアルタイムプロセッサ、等)からの制御信号に応答して、パッド206及びある長さの研磨膜204を基板100の縁104に対して押し付けるように適応されるアクチュエータ1306(例えば、空気圧ピストン、サーボ駆動型スライド、液圧ラム、等)を備えている。コントローラ1308は、アクチュエータ1306の各々に結合される(例えば、電気的に、機械的に、空気圧的に、液圧的に、等々)ことに注意されたい。   In particular, with respect to the embodiment of the edge polishing apparatus 1300 of FIG. 13, a frame 1302 that supports a plurality of heads 1304 is schematically illustrated. Each head 1304 is mounted on a frame 1302 and each head is responsive to control signals from a controller 1308 (eg, a programmed computer, an operator commanded valve system, an embedded real-time processor, etc.). , An actuator 1306 (eg, a pneumatic piston, servo-driven slide, hydraulic ram, etc.) adapted to press the pad 206 and a length of polishing film 204 against the edge 104 of the substrate 100. Note that a controller 1308 is coupled to each of the actuators 1306 (eg, electrically, mechanically, pneumatically, hydraulically, etc.).

更に、コントローラ1308の制御のもとで流体供給源806を結合することができる。この流体供給源806は、1つ以上の流体チャンネル212を経てヘッド1304の各々に流体(例えば、DI水、洗浄化学物質、音波処理された流体、ガス、空気、等)を独立して送出するように制御することができる。コントローラ1308の指令のもとで、種々の流体を、流体チャンネル212を経て、パッド206、研磨膜204、及び/又は基板縁104へ選択的に送出することができる。流体は、研磨、潤滑、粒子の除去/すすぎ、及び/又はパッド206内の嚢802(図8C)の膨張に使用することができる。例えば、幾つかの実施形態では、浸透性パッド206を経て送出される同じ流体を、研磨及びパッド206の膨張の両方に使用できるが、すすぎ及び潤滑には、第2チャンネル(図示せず)を経て同じヘッド1304に送出される異なる流体が使用される。   Further, the fluid source 806 can be coupled under the control of the controller 1308. The fluid supply 806 independently delivers fluid (eg, DI water, cleaning chemical, sonicated fluid, gas, air, etc.) to each of the heads 1304 via one or more fluid channels 212. Can be controlled. Various fluids can be selectively delivered to the pad 206, the polishing film 204, and / or the substrate edge 104 via the fluid channel 212 under the direction of the controller 1308. The fluid may be used for polishing, lubrication, particle removal / rinsing, and / or inflation of the bladder 802 (FIG. 8C) within the pad 206. For example, in some embodiments, the same fluid delivered through the permeable pad 206 can be used for both polishing and expansion of the pad 206, but a second channel (not shown) is used for rinsing and lubrication. Different fluids are then used that are delivered to the same head 1304.

以上、本発明の実施形態のみを説明した。当業者であれば、以上に開示した装置及び方法の、本発明の範囲内に入る変更が、容易に明らかであろう。例えば、丸い基板を洗浄する実施例のみを開示したが、本発明は、他の形状を有する基板(例えば、フラットパネルディスプレイのためのガラス又はポリマープレート)をきれいにするように変更できる。更に、装置による単一基板の処理を上記で示したが、ある実施形態では、装置が複数の基板を同時に処理することもできる。   Heretofore, only the embodiment of the present invention has been described. Those skilled in the art will readily appreciate variations of the apparatus and methods disclosed above that fall within the scope of the present invention. For example, although only examples of cleaning round substrates have been disclosed, the present invention can be modified to clean substrates having other shapes (eg, glass or polymer plates for flat panel displays). Furthermore, while processing of a single substrate by the apparatus has been shown above, in some embodiments the apparatus can process multiple substrates simultaneously.

従って、本発明は、その実施形態に関連して開示したが、他の実施形態も、特許請求の範囲に規定された本発明の精神及び範囲内に包含され得ることを理解されたい。   Thus, although the invention has been disclosed in connection with its embodiments, it is to be understood that other embodiments may be encompassed within the spirit and scope of the invention as defined by the claims.

基板の一部分の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of a part of board | substrate. 本発明による縁洗浄装置の一実施形態を示す概略図である。It is the schematic which shows one Embodiment of the edge cleaning apparatus by this invention. 図2の縁洗浄装置の一部分を示す拡大前面断面図である。FIG. 3 is an enlarged front sectional view showing a part of the edge cleaning device of FIG. 2. 図2の縁洗浄装置の一部分を示す拡大側面断面図である。FIG. 3 is an enlarged side sectional view showing a part of the edge cleaning apparatus of FIG. 2. 本発明による縁洗浄装置の一実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows one Embodiment of the edge cleaning apparatus by this invention. 本発明による縁洗浄装置の別の実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows another embodiment of the edge cleaning apparatus by this invention. 図5に示す実施形態の一部分の斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of a portion of the embodiment shown in FIG. 本発明の実施形態に使用するための交換カセットの実施形態を示す拡大斜視図である。It is an expansion perspective view which shows embodiment of the exchange cassette for using for embodiment of this invention. 本発明の実施形態に使用するための交換カセットの実施形態を示す拡大斜視図である。It is an expansion perspective view which shows embodiment of the exchange cassette for using for embodiment of this invention. 本発明の実施形態に使用するためのパッドの実施形態を示す拡大斜視図である。It is an expansion perspective view which shows embodiment of the pad for using for embodiment of this invention. 本発明の実施形態に使用するためのパッドの実施形態を示す拡大斜視図である。It is an expansion perspective view which shows embodiment of the pad for using for embodiment of this invention. 本発明の実施形態に使用するためのパッドの実施形態を示す拡大斜視図である。It is an expansion perspective view which shows embodiment of the pad for using for embodiment of this invention. 図4の縁研磨装置の考えられるヘッド位置を例示する平面図である。FIG. 5 is a plan view illustrating possible head positions of the edge polishing apparatus of FIG. 4. 図4の縁研磨装置の考えられる異なるヘッド位置を例示する平面図である。FIG. 5 is a plan view illustrating different possible head positions of the edge polishing apparatus of FIG. 4. 図4の縁研磨装置の考えられる異なるヘッド位置を例示する平面図である。FIG. 5 is a plan view illustrating different possible head positions of the edge polishing apparatus of FIG. 4. 図5の縁研磨装置の考えられるヘッド位置を例示する平面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating possible head positions of the edge polishing apparatus of FIG. 5. 図5の縁研磨装置の考えられる異なるヘッド位置を例示する平面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating different possible head positions of the edge polishing apparatus of FIG. 5. 図5の縁研磨装置の考えられる異なるヘッド位置を例示する平面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating different possible head positions of the edge polishing apparatus of FIG. 5. 本発明による多ヘッドの縁研磨装置の実施形態を示す斜視図である。1 is a perspective view showing an embodiment of a multi-head edge polishing apparatus according to the present invention. 本発明による多ヘッドの縁研磨装置の別の実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows another embodiment of the multi-head edge grinding | polishing apparatus by this invention. 本発明による多ヘッドの縁研磨装置の更に別の実施形態を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing still another embodiment of a multi-head edge polishing apparatus according to the present invention.

100…基板、102、102’…主面、104…縁、106、106’…デバイス領域、108、108’…除外領域、110…外縁、112、114…斜面、200…縁研磨装置、202…フレーム、204…研磨膜、206、206A、206B…パッド、208、210…スプール、400、500…縁研磨装置、402…フレーム、404、504、1304…ヘッド、406…バイアス器具、408…駆動ローラ、410…ガイドローラ、502…フレーム、506…アクチュエータ、508…真空チャック、510…駆動装置、600…駆動装置、602…ピボット、606…支持ローラ、700A、700B…カセット、802…膨張可能な嚢、804…流体チャンネル、806…流体供給源、1300…縁研磨装置、1302…フレーム、1304…ヘッド、1306…アクチュエータ、1308…コントローラ DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Substrate, 102, 102 '... Main surface, 104 ... Edge, 106, 106' ... Device region, 108, 108 '... Exclusion region, 110 ... Outer edge, 112, 114 ... Slope, 200 ... Edge polishing apparatus, 202 ... Frame 204, Polishing film 206, 206 A, 206 B Pad, 208, 210 Spool 400, 500 Edge polishing device 402 Frame 404 504 1304 Head 406 Biasing device 408 Driving roller , 410 ... guide roller, 502 ... frame, 506 ... actuator, 508 ... vacuum chuck, 510 ... drive device, 600 ... drive device, 602 ... pivot, 606 ... support roller, 700A, 700B ... cassette, 802 ... expandable sac , 804 ... Fluid channel, 806 ... Fluid supply source, 1300 ... Edge polisher, 13 2 ... frame, 1304 ... head, 1306 ... actuator, 1308 ... controller

Claims (65)

基板の縁を研磨するように適応される装置において、
研磨膜と、
上記研磨膜の少なくとも第1の長さに張力をかけるように適応されるフレームと、
上記第1の長さの一部分に沿って上記研磨膜に対して上記基板を回転するように適応される基板回転駆動装置であって、上記研磨膜が、
上記基板に張力を付与し、
少なくとも外縁及び第1斜面を含む上記基板の縁に輪郭合わせし、
上記基板が回転されるときに上記外縁及び第1斜面を研磨する、
ように適応される基板回転駆動装置と、
を備えた装置。
In an apparatus adapted to polish the edge of a substrate,
A polishing film;
A frame adapted to tension at least a first length of the polishing film;
A substrate rotation drive adapted to rotate the substrate relative to the polishing film along a portion of the first length, the polishing film comprising:
Apply tension to the substrate,
Contouring the edge of the substrate including at least the outer edge and the first bevel;
Polishing the outer edge and the first slope when the substrate is rotated;
A substrate rotation drive device adapted to
With a device.
上記フレームは、上記研磨膜のための供給スプールと巻き取りスプールを含み、更に、上記フレームは、上記基板に接触する上記研磨膜の部分を交換できるように適応される、請求項1に記載の装置。   2. The frame of claim 1, wherein the frame includes a supply spool and a take-up spool for the polishing film, and wherein the frame is adapted to allow replacement of a portion of the polishing film that contacts the substrate. apparatus. 上記研磨膜は、上記供給スプールと巻き取りスプールとの間で長手方向に延び、更に、上記基板回転駆動装置は、上記研磨膜の長手方向に上記基板の縁を移動する、請求項2に記載の装置。   3. The polishing film according to claim 2, wherein the polishing film extends in a longitudinal direction between the supply spool and the take-up spool, and the substrate rotation driving device moves an edge of the substrate in a longitudinal direction of the polishing film. Equipment. 上記研磨膜及び上記フレームは、交換可能なカセットに収容される、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the polishing film and the frame are housed in a replaceable cassette. 上記フレームは、上記研磨膜を上記基板の外縁、第1斜面及び第2斜面に接触させるために、上記基板の外縁に接する軸の周りで上記研磨膜を角度的に並進移動するよう適応される、請求項1に記載の装置。   The frame is adapted to angularly translate the polishing film about an axis in contact with the outer edge of the substrate to bring the polishing film into contact with the outer edge, the first inclined surface, and the second inclined surface of the substrate. The apparatus of claim 1. 上記フレームは、更に、上記基板に対し、上記基板の縁の周りで上記研磨膜を周囲方向に回転するように適応される、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the frame is further adapted to rotate the polishing film circumferentially about an edge of the substrate relative to the substrate. 流体供給チャンネルを更に備え、該流体供給チャンネルは、上記基板の縁へ流体を送出するように適応される、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, further comprising a fluid supply channel, wherein the fluid supply channel is adapted to deliver fluid to an edge of the substrate. 上記流体供給チャンネルは、更に、上記研磨膜を経て上記基板の縁に流体を送出するように適応される、請求項7に記載の装置。   The apparatus of claim 7, wherein the fluid supply channel is further adapted to deliver fluid through the polishing film to an edge of the substrate. 上記流体供給チャンネルは、上記基板の縁に音波エネルギーを送出するように適応される、請求項7に記載の装置。   The apparatus of claim 7, wherein the fluid supply channel is adapted to deliver sonic energy to an edge of the substrate. 前記流体は、水及び洗浄化学物質の少なくとも1つを含む、請求項7に記載の装置。   The apparatus of claim 7, wherein the fluid comprises at least one of water and a cleaning chemical. 基板の縁を研磨するように適応される装置において、
複数の研磨膜と、
各研磨膜の少なくとも第1の長さに沿って各研磨膜に張力をかけるよう適応される少なくとも1つのフレームと、
少なくとも1つの上記研磨膜の第1の長さの一部分に対して基板を回転して、基板に接触する研磨膜が、基板に圧力を付与し、基板の縁に輪郭合わせし、更に、基板が回転されるときに縁を研磨するように適応された基板回転駆動装置と、
を備えた装置。
In an apparatus adapted to polish the edge of a substrate,
A plurality of polishing films;
At least one frame adapted to tension each polishing film along at least a first length of each polishing film;
Rotating the substrate relative to a portion of the first length of the at least one polishing film, the polishing film in contact with the substrate applies pressure to the substrate and contours the edge of the substrate; A substrate rotation drive adapted to polish the edge when rotated;
With a device.
上記複数の研磨膜は、異なる研磨材を有する膜を含む、請求項11に記載の装置。   The apparatus of claim 11, wherein the plurality of polishing films include films having different abrasives. 上記フレームは、複数のヘッドを備え、各ヘッドは、少なくとも1つの研磨膜を支持するように適応され、更に、上記ヘッドは、支持された研磨膜を基板の縁にほぼ同時に接触させるよう適応される、請求項11に記載の装置。   The frame includes a plurality of heads, each head adapted to support at least one polishing film, and the head adapted to contact the supported polishing film substantially simultaneously with the edge of the substrate. The apparatus according to claim 11. 上記フレームは、複数のヘッドを備え、各ヘッドは、少なくとも1つの研磨膜を支持するように適応され、更に、各ヘッドは、支持された研磨膜を異なる時間に基板の縁に接触保持するように適応されるパッドを含む、請求項11に記載の装置。   The frame includes a plurality of heads, each head being adapted to support at least one polishing film, and each head holding the supported polishing film in contact with the edge of the substrate at different times. The apparatus of claim 11, comprising a pad adapted to. 上記各ヘッドのパッドは、アクチュエータがそのパッドを押すのに応答して、回転する基板に対してヘッドの研磨膜を押し付けるように適応される、請求項14に記載の装置。   15. The apparatus of claim 14, wherein each head pad is adapted to press the head polishing film against a rotating substrate in response to an actuator pressing the pad. 各研磨膜及び各ヘッドは交換可能なカセットに収容される、請求項14に記載の装置。   The apparatus of claim 14, wherein each polishing film and each head is contained in a replaceable cassette. 上記フレームは、更に、上記研磨膜を上記基板の外縁、第1斜面、及び第2斜面に接触させるために、上記基板の外縁に接する各軸の周りで各ヘッドの研磨膜を角度的に(angularly)並進移動するよう適応される、請求項14に記載の装置。   The frame further angularly attaches the polishing film of each head around each axis in contact with the outer edge of the substrate to bring the polishing film into contact with the outer edge of the substrate, the first inclined surface, and the second inclined surface ( 15. Apparatus according to claim 14, adapted to translate angularly). 上記フレームは、更に、上記基板に対して、上記基板の縁の周りで各ヘッドの研磨膜を周囲方向に回転するように適応される、請求項14に記載の装置。   The apparatus of claim 14, wherein the frame is further adapted to rotate the polishing film of each head circumferentially about an edge of the substrate relative to the substrate. 流体供給チャンネルを更に備え、該流体供給チャンネルは、上記基板の縁へ流体を送出するように適応される、請求項11に記載の装置。   The apparatus of claim 11, further comprising a fluid supply channel, the fluid supply channel being adapted to deliver fluid to an edge of the substrate. 流体供給チャンネルを更に備え、該流体供給チャンネルは、更に、各ヘッドの研磨膜を経て上記基板の縁へ流体を送出するように適応される、請求項14に記載の装置。   15. The apparatus of claim 14, further comprising a fluid supply channel, wherein the fluid supply channel is further adapted to deliver fluid through the polishing film of each head to the edge of the substrate. 上記流体供給チャンネルは、上記基板の縁に音波エネルギーを送出するように適応される、請求項19に記載の装置。   The apparatus of claim 19, wherein the fluid supply channel is adapted to deliver sonic energy to an edge of the substrate. 前記流体は、水及び洗浄化学物質の少なくとも1つを含む、請求項19に記載の装置。   The apparatus of claim 19, wherein the fluid comprises at least one of water and a cleaning chemical. 基板の縁を洗浄する方法において、
フレームで研磨膜に張力をかけるステップと、
上記研磨膜を基板の縁に対して接触させるステップと、
外縁及び少なくとも1つの斜面を含む上記基板の縁に上記研磨膜を適合させるステップと、
上記研磨膜を上記基板と接触したまま上記基板を回転するステップと、
を備えた方法。
In a method for cleaning the edge of a substrate,
Applying tension to the polishing film with a frame;
Contacting the polishing film against the edge of the substrate;
Adapting the polishing film to an edge of the substrate including an outer edge and at least one bevel;
Rotating the substrate while keeping the polishing film in contact with the substrate;
With a method.
水及び洗浄化学物質の少なくとも1つを、膨張可能なパッドを経て上記基板の縁に付与するステップを更に備えた、請求項23に記載の方法。   24. The method of claim 23, further comprising applying at least one of water and a cleaning chemistry to the edge of the substrate via an inflatable pad. 水及び洗浄化学物質の少なくとも1つを、上記研磨膜を経て上記基板の縁に付与するステップを更に備えた、請求項23に記載の方法。   24. The method of claim 23, further comprising applying at least one of water and cleaning chemicals to the edge of the substrate through the polishing film. 付加的な研磨膜を上記基板の縁に適合させるステップを更に備えた、請求項23に記載の方法。   24. The method of claim 23, further comprising adapting an additional polishing film to the edge of the substrate. 音波エネルギーを含む流体を上記基板の縁に送出するステップを更に備えた、請求項23に記載の方法。   24. The method of claim 23, further comprising delivering a fluid containing sonic energy to the edge of the substrate. 上記基板の外縁に接する軸の周りで上記研磨膜を角度的に並進移動するステップを更に備えた、請求項23に記載の方法。   24. The method of claim 23, further comprising angularly translating the polishing film about an axis that contacts an outer edge of the substrate. 上記基板に対し、上記基板の縁の周りで上記研磨膜を周囲方向に回転するステップを更に備えた、請求項23に記載の方法。   24. The method of claim 23, further comprising rotating the polishing film circumferentially about the substrate edge relative to the substrate. 基板の縁を研磨するよう適応される装置において、
研磨側及び第2の側部を有する研磨膜と、
上記研磨膜の第2の側部に隣接して配置された膨張可能なパッドと、
上記研磨膜及び膨張可能なパッドを支持するように適応されるフレームと、
上記研磨膜の研磨側に対して上記基板を回転するよう適応される基板回転駆動装置と、
を備え、上記研磨膜は、上記基板の縁と上記膨張可能なパッドとの間に配置されて、上記研磨膜が上記基板の縁に接触した状態で上記膨張可能なパッド及び上記研磨膜が上記基板の縁に輪郭合わせするようにした装置。
In an apparatus adapted to polish the edge of a substrate,
A polishing film having a polishing side and a second side;
An inflatable pad disposed adjacent to the second side of the polishing film;
A frame adapted to support the polishing film and the inflatable pad;
A substrate rotation drive adapted to rotate the substrate relative to the polishing side of the polishing film;
The polishing film is disposed between an edge of the substrate and the expandable pad, and the expandable pad and the polishing film are in the state where the polishing film is in contact with the edge of the substrate. A device that contours to the edge of the substrate.
上記膨張可能なパッドは、選択的に膨張可能である、請求項30に記載の装置。   32. The device of claim 30, wherein the inflatable pad is selectively inflatable. 上記基板の縁は、外縁及び少なくとも1つの斜面を含み、更に、上記膨張可能なパッドは、これが膨張して、この膨張可能なパッド及び上記研磨膜が上記外縁及び上記少なくとも1つの斜面に輪郭合わせするように適応される、請求項31に記載の装置。   The edge of the substrate includes an outer edge and at least one bevel, and the expandable pad expands so that the expandable pad and the polishing film contour the outer edge and the at least one bevel. 32. The apparatus of claim 31, wherein said apparatus is adapted to: 上記基板の縁は、外縁、第1斜面及び第2斜面を含み、
上記基板は、デバイス領域及び除外領域を含み、
上記膨張可能なパッドは、これが選択的に膨張して、この膨張可能なパッド及び上記研磨膜が、上記外縁、第1斜面、第2斜面及び除外領域の1つ以上に選択的に輪郭合わせするように適応される、請求項31に記載の装置。
The edge of the substrate includes an outer edge, a first slope and a second slope,
The substrate includes a device region and an exclusion region,
The inflatable pad is selectively inflated so that the inflatable pad and the polishing film selectively contour to one or more of the outer edge, the first bevel, the second bevel and the exclusion region. 32. The apparatus of claim 31, wherein said apparatus is adapted as follows.
上記膨張可能なパッド及び上記研磨膜は、上記デバイス領域に接触することが阻止される、請求項33に記載の装置。   34. The apparatus of claim 33, wherein the inflatable pad and the polishing film are prevented from contacting the device region. 上記研磨膜、上記膨張可能なパッド、及び上記フレームは、交換可能なカセットに収容される、請求項30に記載の装置。   32. The apparatus of claim 30, wherein the polishing film, the expandable pad, and the frame are housed in a replaceable cassette. 上記フレームは、更に、上記基板の縁に接する軸の周りで上記研磨膜を角度的に並進移動するように適応される、請求項30に記載の装置。   31. The apparatus of claim 30, wherein the frame is further adapted to angularly translate the polishing film about an axis that contacts an edge of the substrate. 上記フレームは、更に、上記基板に対し、上記基板の縁の周りで上記研磨膜を周囲方向に回転するように適応される、請求項30に記載の装置。   32. The apparatus of claim 30, wherein the frame is further adapted to rotate the polishing film circumferentially about an edge of the substrate relative to the substrate. 流体供給チャンネルを更に備え、該流体供給チャンネルは、水及び洗浄化学物質の少なくとも1つを上記基板の縁へ送出するように適応される、請求項30に記載の装置。   32. The apparatus of claim 30, further comprising a fluid supply channel, wherein the fluid supply channel is adapted to deliver at least one of water and cleaning chemicals to the edge of the substrate. 上記流体供給チャンネルは、更に、上記研磨膜を経て上記基板の縁に流体を送出するように適応される、請求項38に記載の装置。   40. The apparatus of claim 38, wherein the fluid supply channel is further adapted to deliver fluid through the polishing film to an edge of the substrate. 上記流体供給チャンネルは、更に、上記膨張可能なパッドを経て上記基板の縁に流体を送出するように適応される、請求項38に記載の装置。   39. The apparatus of claim 38, wherein the fluid supply channel is further adapted to deliver fluid to the edge of the substrate via the inflatable pad. 上記膨張可能なパッドは、浸透性があり、流体で膨張できる、請求項40に記載の装置。   41. The device of claim 40, wherein the inflatable pad is permeable and inflatable with a fluid. 上記流体供給チャンネルは、上記基板の縁に音波エネルギーを送出するように適応される、請求項38に記載の装置。   40. The apparatus of claim 38, wherein the fluid supply channel is adapted to deliver sonic energy to an edge of the substrate. 基板の縁を洗浄する方法において、
研磨膜を支持するステップと、
上記研磨膜を基板の縁に対して接触させるステップと、
外縁及び少なくとも1つの斜面を含む上記基板の縁に上記研磨膜を適合させるステップと、
上記研磨膜を上記基板に接触したままで上記基板を回転するステップと、
を備えた方法。
In a method for cleaning the edge of a substrate,
Supporting the polishing film;
Contacting the polishing film against the edge of the substrate;
Adapting the polishing film to an edge of the substrate including an outer edge and at least one bevel;
Rotating the substrate while keeping the polishing film in contact with the substrate;
With a method.
研磨膜を適合させる上記ステップは、フレームにおいて上記研磨膜に張力をかけることを含む、請求項43に記載の方法。   44. The method of claim 43, wherein the step of adapting a polishing film comprises tensioning the polishing film in a frame. 研磨膜を適合させる上記ステップは、膨張可能なパッドで上記基板の縁に対して上記研磨膜を押し付けることを含む、請求項43に記載の方法。   44. The method of claim 43, wherein the step of adapting a polishing film comprises pressing the polishing film against an edge of the substrate with an inflatable pad. 上記膨張可能なパッドを調整することによって上記基板の縁に対する上記研磨膜の適合具合を調整するステップを更に備えた、請求項45に記載の方法。   46. The method of claim 45, further comprising adjusting the fit of the polishing film to an edge of the substrate by adjusting the inflatable pad. 上記膨張可能なパッドを経て上記基板の縁に水及び洗浄化学物質の少なくとも1つを付与するステップを更に備えた、請求項45に記載の方法。   46. The method of claim 45, further comprising applying at least one of water and a cleaning chemical to the edge of the substrate through the inflatable pad. 上記研磨膜を経て上記基板の縁に水及び洗浄化学物質の少なくとも1つを付与するステップを更に備えた、請求項45に記載の方法。   46. The method of claim 45, further comprising applying at least one of water and a cleaning chemical to the edge of the substrate through the polishing film. 上記基板の縁に付加的な研磨膜を適合させるステップを更に備えた、請求項45に記載の方法。   46. The method of claim 45, further comprising adapting an additional polishing film to the edge of the substrate. 音波エネルギーを含む流体を上記基板の縁に配布するステップを更に備えた、請求項45に記載の方法。   46. The method of claim 45, further comprising the step of distributing a fluid containing sonic energy to the edge of the substrate. 上記基板の外縁に接する軸の周りで上記研磨膜を角度的に並進移動するステップを更に備えた、請求項45に記載の方法。   46. The method of claim 45, further comprising angularly translating the polishing film about an axis that contacts an outer edge of the substrate. 上記基板に対し、上記基板の縁の周りで上記研磨膜を周囲方向に回転するステップを更に備えた、請求項45に記載の方法。   46. The method of claim 45, further comprising rotating the polishing film circumferentially about the substrate edge relative to the substrate. 基板の縁を研磨するように適応される装置において、
研磨材側及び後ろ側を有する研磨膜と、
上記研磨膜の後ろ側に隣接して配置された輪郭合わせされたパッドと、
上記研磨膜及び上記輪郭合わせされたパッドを支持するように適応されるフレームと、
上記研磨膜の上記研磨側に対して上記基板を回転するように適応される基板回転駆動装置と、
を備え、
上記研磨膜は、上記基板の縁と上記輪郭合わせされたパッドとの間に配置され、上記研磨膜が上記基板の縁に接触した状態で上記輪郭合わせされたパッド及び上記研磨膜が上記基板の縁に輪郭合わせするようにした装置。
In an apparatus adapted to polish the edge of a substrate,
A polishing film having an abrasive side and a back side;
A contoured pad disposed adjacent to the back side of the polishing film;
A frame adapted to support the polishing film and the contoured pad;
A substrate rotation drive adapted to rotate the substrate relative to the polishing side of the polishing film;
With
The polishing film is disposed between an edge of the substrate and the contoured pad, and the contoured pad and the polishing film are disposed on the substrate in a state where the polishing film is in contact with the edge of the substrate. A device that contours the edges.
上記基板の縁は、外縁及び少なくとも1つの斜面を含み、
上記輪郭合わせされたパッドは、上記外縁及び少なくとも1つの斜面に対して上記研磨膜を輪郭合わせするように適応される、請求項53に記載の装置。
The edge of the substrate includes an outer edge and at least one bevel;
54. The apparatus of claim 53, wherein the contoured pad is adapted to contour the polishing film against the outer edge and at least one bevel.
上記基板の縁は、外縁、第1斜面及び第2斜面を含み、
上記基板は、デバイス領域及び除外領域を含み、
上記輪郭合わせされたパッドは、上記研磨膜を、上記外縁、第1斜面、第2斜面、及び除外領域の1つ以上に輪郭合わせするように適応される、請求項53に記載の装置。
The edge of the substrate includes an outer edge, a first slope and a second slope,
The substrate includes a device region and an exclusion region,
54. The apparatus of claim 53, wherein the contoured pad is adapted to contour the polishing film to one or more of the outer edge, first slope, second slope, and exclusion region.
上記輪郭合わせされたパッド及び上記研磨膜は、上記デバイス領域に接触することが阻止される、請求項55に記載の装置。   56. The apparatus of claim 55, wherein the contoured pad and the polishing film are prevented from contacting the device region. 上記研磨膜、上記輪郭合わせされたパッド及び上記フレームは、交換可能なカセットに収容される、請求項53に記載の装置。   54. The apparatus of claim 53, wherein the polishing film, the contoured pad and the frame are contained in a replaceable cassette. 上記フレームは、更に、上記基板の縁に接する軸の周りで上記研磨膜を角度的に並進移動するように適応される、請求項53に記載の装置。   54. The apparatus of claim 53, wherein the frame is further adapted to angularly translate the polishing film about an axis that contacts an edge of the substrate. 上記フレームは、更に、上記基板に対し、上記基板の縁の周りで上記研磨膜を周囲方向に回転するように適応される、請求項53に記載の装置。   54. The apparatus of claim 53, wherein the frame is further adapted to rotate the polishing film circumferentially about an edge of the substrate relative to the substrate. 流体供給チャンネルを更に備え、該流体供給チャンネルは、水及び洗浄化学物質の少なくとも1つを上記基板の縁へ送出するように適応される、請求項53に記載の装置。   54. The apparatus of claim 53, further comprising a fluid supply channel, wherein the fluid supply channel is adapted to deliver at least one of water and cleaning chemicals to the edge of the substrate. 上記流体供給チャンネルは、更に、上記研磨膜を経て上記基板の縁に流体を送出するように適応される、請求項60に記載の装置。   61. The apparatus of claim 60, wherein the fluid supply channel is further adapted to deliver fluid through the polishing film to an edge of the substrate. 上記流体供給チャンネルは、更に、上記輪郭合わせされたパッドを経て上記基板の縁に流体を送出するように適応される、請求項60に記載の装置。   61. The apparatus of claim 60, wherein the fluid supply channel is further adapted to deliver fluid through the contoured pad to an edge of the substrate. 上記輪郭合わせされたパッドは、浸透性のものであり、流体で膨張できる、請求項62に記載の装置。   64. The apparatus of claim 62, wherein the contoured pad is permeable and can be inflated with a fluid. 上記流体供給チャンネルは、上記基板の縁に音波エネルギーを送出するように適応される、請求項60に記載の装置。   61. The apparatus of claim 60, wherein the fluid supply channel is adapted to deliver sonic energy to an edge of the substrate. 上記輪郭合わせされたパッドは、流体を受け取り、その流体を上記研磨膜に付与するように適応される、請求項53に記載の装置。   54. The apparatus of claim 53, wherein the contoured pad is adapted to receive a fluid and apply the fluid to the polishing film.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014083647A (en) * 2012-10-25 2014-05-12 Avanstrate Inc Magnetic fluid for glass substrate polishing
JP2018524190A (en) * 2015-07-10 2018-08-30 ティーレンハウス・テヒノロギース・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング Push shoe with expansion chamber
JP2018161721A (en) * 2017-03-27 2018-10-18 株式会社荏原製作所 Substrate processing method and device

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7993485B2 (en) 2005-12-09 2011-08-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
US7976361B2 (en) 2007-06-29 2011-07-12 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
JP5274993B2 (en) * 2007-12-03 2013-08-28 株式会社荏原製作所 Polishing equipment
TWI620240B (en) * 2013-01-31 2018-04-01 應用材料股份有限公司 Methods and apparatus for post-chemical mechanical planarization substrate cleaning
CN105722641B (en) 2013-10-25 2019-05-28 应用材料公司 System, method and apparatus for the substrate polishing precleaning after chemical-mechanical planarization
JP2017087305A (en) * 2015-11-02 2017-05-25 日本電気硝子株式会社 Polishing method and polishing device for disk-shaped work-piece
JP6414353B1 (en) * 2018-03-27 2018-10-31 株式会社不二越 Film wrap processing equipment

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10264002A (en) * 1998-04-20 1998-10-06 Toyota Motor Corp Grinding method
JP2001239445A (en) * 2000-01-28 2001-09-04 Tsk America Inc Wafer finishing machine
JP2002208572A (en) * 2001-01-09 2002-07-26 Ebara Corp Grinding device
WO2005081301A1 (en) * 2004-02-25 2005-09-01 Ebara Corporation Polishing apparatus and substrate processing apparatus

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4533399A (en) * 1983-04-12 1985-08-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company Contact lens cleaning method
JPH081494A (en) * 1994-06-27 1996-01-09 Sanshin:Kk Wafer material edge end part polishing device
US6622334B1 (en) * 2000-03-29 2003-09-23 International Business Machines Corporation Wafer edge cleaning utilizing polish pad material
JP2002154041A (en) * 2000-11-17 2002-05-28 I M T Kk Polishing device
JP4125148B2 (en) * 2003-02-03 2008-07-30 株式会社荏原製作所 Substrate processing equipment
JP2005186176A (en) * 2003-12-24 2005-07-14 Shinko Electric Ind Co Ltd Wafer end face polishing device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10264002A (en) * 1998-04-20 1998-10-06 Toyota Motor Corp Grinding method
JP2001239445A (en) * 2000-01-28 2001-09-04 Tsk America Inc Wafer finishing machine
JP2002208572A (en) * 2001-01-09 2002-07-26 Ebara Corp Grinding device
WO2005081301A1 (en) * 2004-02-25 2005-09-01 Ebara Corporation Polishing apparatus and substrate processing apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014083647A (en) * 2012-10-25 2014-05-12 Avanstrate Inc Magnetic fluid for glass substrate polishing
JP2018524190A (en) * 2015-07-10 2018-08-30 ティーレンハウス・テヒノロギース・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング Push shoe with expansion chamber
US10589396B2 (en) 2015-07-10 2020-03-17 Thielenhaus Technologies Gmbh Pressure shoe with expansion chamber
JP2018161721A (en) * 2017-03-27 2018-10-18 株式会社荏原製作所 Substrate processing method and device

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