JP2012164697A - Power module for electric power, and semiconductor device for electric power - Google Patents

Power module for electric power, and semiconductor device for electric power Download PDF

Info

Publication number
JP2012164697A
JP2012164697A JP2011021679A JP2011021679A JP2012164697A JP 2012164697 A JP2012164697 A JP 2012164697A JP 2011021679 A JP2011021679 A JP 2011021679A JP 2011021679 A JP2011021679 A JP 2011021679A JP 2012164697 A JP2012164697 A JP 2012164697A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power
semiconductor element
power semiconductor
heat spreader
electric power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011021679A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2012164697A5 (en
Inventor
Yasushi Nakajima
泰 中島
Noriyuki Betsushiba
範之 別芝
Hirotoshi Maekawa
博敏 前川
Seiji Ishibashi
誠司 石橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2011021679A priority Critical patent/JP2012164697A/en
Publication of JP2012164697A publication Critical patent/JP2012164697A/en
Publication of JP2012164697A5 publication Critical patent/JP2012164697A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/48139—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4901—Structure
    • H01L2224/4903—Connectors having different sizes, e.g. different diameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83909—Post-treatment of the layer connector or bonding area
    • H01L2224/83951—Forming additional members, e.g. for reinforcing, fillet sealant
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To resolve a problem that, since a semiconductor element for electric power is broken if large thermal stress is generated in the semiconductor element for electric power in a process of performing resin encapsulation of a semiconductor module for electric power and a process of bonding the semiconductor module for electric power to a heat sink by solder, and electrical characteristics become abnormal, which causes incompatibility in shipment, thereby, it is required to reduce the thermal stress of the semiconductor element for electric power.SOLUTION: A power module for electric power has: a heat spreader having conductivity and heat radiation property; a semiconductor element for electric power fixed to the heat spreader; and an electrode terminal connected to the semiconductor element for electric power via the heat spreader. A lateral face region of the semiconductor element for electric power is covered with a protection resin. The heat sink cooling the power module for electric power is unified by a fixed layer.

Description

この発明は、電力用パワーモジュール及び電力用半導体装置に関し、特に金属製の冷却器に一体化されたものに関する。   The present invention relates to a power module for power and a semiconductor device for power, and particularly relates to an integrated power cooler made of metal.

従来のこの種発明としては、特許文献１を挙げることができるが、この特許文献１では、金属製のヒートシンクに電力用半導体モジュールが、ハンダ接合されて電力用半導体装置を構成している。
このような構成の場合に問題となるのは、ヒートシンクと電力用半導体モジュール間の線膨張係数差に起因してハンダ層に発生する熱応力である。
特に特許文献１では、電力用半導体モジュール内にヒートスプレッダと呼ばれる金属ブロックを用いているが、この金属ブロックとヒートシンク間の線膨張係数に差が大きいと、ハンダ層に生じる歪量が増大するので、これが小さいことが望ましい。
又、特許文献１では、ヒートスプレッダの材質として銅又はアルミニウムに、めっき（ニッケルめっき）を施したものが提案されており、ヒートシンクにはアルミニウムが提案されている。
しかし、この特許文献１では、本発明が課題（後述）としている、ヒートスプレッダ（金属ブロック）とヒートシンクの材料を、線膨張係数を合わせ込んだ場合の線膨張係数差の合わせこみ効果の問題点の解消については言及されてはいない。 Patent Document 1 can be cited as a conventional invention of this type. In Patent Document 1, a power semiconductor module is configured by soldering a power semiconductor module to a metal heat sink.
A problem in such a configuration is thermal stress generated in the solder layer due to a difference in linear expansion coefficient between the heat sink and the power semiconductor module.
In particular, in Patent Document 1, a metal block called a heat spreader is used in a power semiconductor module, but if the difference in linear expansion coefficient between the metal block and the heat sink is large, the amount of strain generated in the solder layer increases. It is desirable that this is small.
Patent Document 1 proposes a heat spreader made of copper or aluminum plated with nickel (nickel plating) and aluminum as a heat sink.
However, in this Patent Document 1, the problem of the effect of combining the linear expansion coefficient difference when the linear expansion coefficient is combined between the heat spreader (metal block) and the heat sink material, which is a problem (described later) of the present invention. There is no mention of resolution.

特開２０１０−１１４２５７号公報JP 2010-114257 A

アルミニウムでヒートシンクを構成した従来の電力用半導体装置においては、電力用半導体モジュールのヒートスプレッダについてもアルミニウムとすることが提案されており、これには明示も示唆もされてはいないが、このヒートスプレッダによって、結果的にヒートシンクと電力用半導体モジュール間のハンダ層の歪量を低減している。
しかし、このような場合の問題点としては、電力用半導体素子がヒートスプレッダに固着している界面において、Cu系の材料よりも線膨張係数差が増大しており、その結果、電力用半導体素子に生じる熱応力が増大していることが挙げられる。 In the conventional power semiconductor device in which the heat sink is made of aluminum, it has been proposed that the heat spreader of the power semiconductor module is made of aluminum, and although this is not clearly shown or suggested, this heat spreader As a result, the strain amount of the solder layer between the heat sink and the power semiconductor module is reduced.
However, the problem in such a case is that, at the interface where the power semiconductor element is fixed to the heat spreader, the difference in linear expansion coefficient is larger than that of the Cu-based material. It is mentioned that the generated thermal stress is increased.

具体的には、電力用半導体モジュールを樹脂封止する時には、少なくとも１８０℃に加熱することが行われ、この他、電力用半導体モジュールをヒートシンクにハンダ接合する場合も、少なくともハンダの融点以上に温度を上昇させることが行われている。
このような場合、Cuなどよりもアルミニウムの方が、線膨張係数が大きいことに起因して、電力用半導体素子に、大きな熱応力が生じることが問題点として挙げられる。
具体的には、樹脂封止やハンダ接合する過程で電力用半導体素子が割れてしまい、電気特性が異常となり、出荷不適合となるという問題がある。
このようなことから、電力用半導体素子の熱応力の低減が課題となっていた。 Specifically, when the power semiconductor module is resin-sealed, it is heated to at least 180 ° C. In addition to this, when soldering the power semiconductor module to the heat sink, the temperature is at least above the melting point of the solder. Has been done to raise.
In such a case, aluminum has a larger coefficient of linear expansion than Cu or the like, so that a large thermal stress is generated in the power semiconductor element.
Specifically, there is a problem that the power semiconductor element breaks in the process of resin sealing and solder bonding, the electrical characteristics become abnormal, and the shipping becomes incompatible.
For these reasons, it has been a problem to reduce the thermal stress of the power semiconductor element.

又、電力用半導体素子の構成材料は、シリコン（Si）やSiCであり、これらの材料は脆
性材料である。このような脆性材料に、大きな熱応力が生じたことで、割れが発生することになる。
すなわち、通常の金属材料であれば、破断応力としては、ばらつきは１０〜２０％以内
となり、その分の応力マージンを持たせて設計すれば、実際上出荷不適合の発生は防止でき、検査も不要となる。
これに対して脆性材料においては、破断応力のばらつきは４０％以上にもなり、すなわち平均破壊応力の１／３程度でも破壊が発生しうることになり、それを防止する設計は非常に困難である。
このような脆性材料における破断応力のばらつきは、表面などに存在する微細欠陥によるものという説明がなされており、例えばセラミック板であれば、研磨をすることで破断応力が向上するなどの現象が知られている。 The constituent material of the power semiconductor element is silicon (Si) or SiC, and these materials are brittle materials. Such a brittle material is cracked by a large thermal stress.
In other words, if it is a normal metal material, the variation in fracture stress is within 10 to 20%, and if it is designed with a corresponding stress margin, the occurrence of non-conformity can be prevented in practice and inspection is not required. It becomes.
On the other hand, in the brittle material, the variation of the breaking stress is 40% or more, that is, the breaking can occur even about 1/3 of the average breaking stress, and the design for preventing it is very difficult. is there.
It has been explained that the variation in breaking stress in such brittle materials is due to fine defects existing on the surface. For example, in the case of a ceramic plate, it is known that the breaking stress is improved by polishing. It has been.

電力用半導体素子は、基本的に円筒形のインゴットから薄い円盤型に切り出したウェハに、リソグラフィ技術を用いて電子回路を作りこんで形成され、又ウェハを賽の目に切り出すダイシング工程を経て、個片化されるが、この時に、厚みを薄く削るグラインド工程と、賽の目に切り出すダイシング工程において、微細な欠陥が入ることが知られている。
すなわち、電力用半導体素子は、表面及びエッジ部に微細な欠陥を内在しており、ここに熱応力が作用すると、きわめて低い応力でも破壊が発生するという課題がある。 A power semiconductor element is basically formed by forming an electronic circuit on a wafer cut into a thin disk shape from a cylindrical ingot, using a lithography technique, and after passing through a dicing process of cutting the wafer into squares. However, at this time, it is known that a fine defect is introduced in a grinding process for thinning the thickness and a dicing process for cutting out into a grid.
That is, the power semiconductor element has minute defects in the surface and the edge portion, and when thermal stress acts on the surface, there is a problem in that destruction occurs even at extremely low stress.

熱応力は、電力用半導体素子のサイズが大きいほど大きくなり、又電力用半導体素子の厚みが薄いほど割れやすくなるという関係がある。すなわち、電力用半導体素子の扱う電力をより大きくするためには、電流密度を下げること、つまりはサイズを大きくすることが必要となるし、損失を下げることで熱的制約をクリヤして、より電流密度を高めた使い方をしようとしたときに、厚みが薄いことが損失低減にきわめて効果的であるので、
より低い損失の素子を用いようとすればするほど、このような熱応力による電力用半導体素子の破壊が顕在化するという問題がある。 The thermal stress increases as the size of the power semiconductor element increases, and the thickness of the power semiconductor element decreases, so that the thermal stress is easily broken. In other words, in order to increase the power handled by the power semiconductor element, it is necessary to decrease the current density, that is, to increase the size, and to clear the thermal constraint by reducing the loss. When trying to use with increased current density, thin thickness is extremely effective in reducing loss.
There is a problem that the destruction of the power semiconductor element due to such thermal stress becomes more obvious as the element of lower loss is used.

本発明は、このような脆性材料の破壊現象を防止することを目的としており、電力用半導体素子をよりサイズが大きい大出力としたり、又厚みが薄い低損失のものにした時でも、問題なく電力用半導体装置を製造でき、不必要な検査工程を省くことができるようにすることを目的としている。   The object of the present invention is to prevent such a brittle material destruction phenomenon, and even when the power semiconductor device has a large output with a larger size or a low loss with a small thickness, there is no problem. An object of the present invention is to manufacture a power semiconductor device so that unnecessary inspection processes can be omitted.

又、本発明は、上述したヒートスプレッダとヒートシンクの材料を、線膨張係数を合わせ込んだ場合の問題点についての解消を目的としている。
具体的には、ヒートシンクをアルミニウムで構成し、ヒートスプレッダも同様にアルミニウムで構成した場合の問題点の解消を目的としている。すなわち、本発明は、電力用半導体素子１を、大きな面積や厚みがより薄いものにしたとき、上述のようなアルミニウムもしくはアルミ合金系ヒートシンク１１に固着したパワーモジュールに内蔵されるヒートスプレッダの材料に、アルミニウムもしくはアルミニウム合金を用いた場合でも、電力用半導体素子１の破壊を防止することを目的としている。
又本発明は、アルミニウム以外の材料でも、ヒートシンクと、電力用半導体モジュールの線膨張係数差を最小限にすることを目的としており、好ましくは同じ金属をベースとして配合された合金成分が異なる程度の近い線膨張係数の材料で構成する場合についても適用される。
したがって、当然ながら本発明が奏する作用は、アルミニウムを採用する場合に限定されるわけではなく、ヒートシンク材料がアルミニウム以外であっても、同様にヒートシンク材料と同種の金属及び同種の金属をベースとして合金化して得たヒートスプレッダ材料を用いた場合に対しても同様な作用を奏することは言うまでもない。 Another object of the present invention is to solve the problems that arise when the materials of the heat spreader and heat sink described above are combined with the coefficient of linear expansion.
Specifically, the object is to solve the problem when the heat sink is made of aluminum and the heat spreader is also made of aluminum. That is, according to the present invention, when the power semiconductor element 1 is made to have a larger area and thickness, the heat spreader material incorporated in the power module fixed to the aluminum or aluminum alloy heat sink 11 as described above, Even when aluminum or an aluminum alloy is used, the object is to prevent the power semiconductor element 1 from being destroyed.
Another object of the present invention is to minimize the difference in coefficient of linear expansion between the heat sink and the power semiconductor module, even with materials other than aluminum, and preferably have different alloy components blended based on the same metal. The present invention is also applied to a case where the material is made of a material having a close linear expansion coefficient.
Accordingly, the action of the present invention is naturally not limited to the case of using aluminum, and even if the heat sink material is other than aluminum, the same kind of metal as the heat sink material and the same kind of metal as the base are similarly used. Needless to say, the same effect can be obtained even when the heat spreader material obtained by the process is used.

この発明に係わる電力用パワーモジュールは、導電性と放熱性を有するヒートスプレッダ、このヒートスプレッダに固着された電力用半導体素子、及びこの電力用半導体素子に上記ヒートスプレッダを介し接続された電極端子を有する電力用パワーモジュールであっ
て、上記電力用半導体素子１の側面領域を、保護樹脂で覆ったものである。
又、この発明に係わる電力用半導体装置は、電力用パワーモジュールと、この電力用パワーモジュールを冷却するヒートシンクを、固着層で一体化したものである。 A power module for power according to the present invention includes a heat spreader having conductivity and heat dissipation, a power semiconductor element fixed to the heat spreader, and an electrode terminal connected to the power semiconductor element through the heat spreader. In the power module, a side region of the power semiconductor element 1 is covered with a protective resin.
According to another aspect of the present invention, there is provided a power semiconductor device in which a power power module and a heat sink for cooling the power power module are integrated with a fixing layer.

この発明の電力用パワーモジュール及び電力用半導体装置によれば、保護樹脂部を設けたので、線膨張係数が大きく異なるヒートスプレッダと電力用半導体素子を組み合わせたものであっても、モールド封止工程などの加熱工程において、電力用半導体素子に生じる熱応力に対し、熱応力を低減もしくは、破断応力を増大させ、電力用半導体素子の破壊を防止することができる。   According to the power module for power and the power semiconductor device of the present invention, since the protective resin portion is provided, even if the heat spreader and the power semiconductor element having greatly different linear expansion coefficients are combined, the mold sealing process, etc. In the heating step, the thermal stress can be reduced or the breaking stress can be increased with respect to the thermal stress generated in the power semiconductor element, thereby preventing the power semiconductor element from being broken.

この発明による電力用パワーモジュールの基本的構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the basic composition of the power module for electric power by this invention. この発明の実施の形態１における電力用パワーモジュールを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the power module for electric power in Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態１における電力用パワーモジュールによって構成した電力用半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor device for electric power comprised by the power module for electric power in Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態２における電力用半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor device for electric power in Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態３における電力用半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor device for electric power in Embodiment 3 of this invention. この発明の実施の形態４における電力用パワーモジュールを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the power module for electric power in Embodiment 4 of this invention. この発明の実施の形態４における電力用パワーモジュールによって構成した電力用半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor device for electric power comprised by the power module for electric power in Embodiment 4 of this invention.

以下、図面に基づいて、この発明の各実施の形態を説明する。
なお、各図間において、同一符号は同一あるいは相当部分を示す。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
In addition, the same code | symbol shows the same or an equivalent part between each figure.

実施の形態１．
図１は、この発明による電力用パワーモジュール１００の基本的構成を示す斜視図である。
図１に示すように、ヒートスプレッダ２上に搭載、固着された電力用半導体素子１は、その露出側面部が全域にわたり後述する絶縁樹脂による保護樹脂部４で覆われている。
ヒートスプレッダ２の材質としては、例えばアルミニウムが挙げられる。例えば、厚み１〜５ｍｍ程度のアルミニウムもしくはアルミニウム合金を採用したヒートスプレッダ２の場合、電力用半導体素子搭載領域には、ハンダ濡れ性がアルミニウムよりも良好な金属層（例えばNiやSn、Auなど）を、例えばめっきなどで固着している。
電力用半導体素子１としては、シリコンやSiC、GaNなどが用いられる。
このため、電力用半導体素子１の材料とヒートスプレッダ２の材料は、線膨張係数の差が大きく、例えばアルミニウムとシリコンの場合１０倍程度の差があるとされている。
このような線膨張係数の差が大きい組み合わせで問題となるのが、熱応力である。 Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a perspective view showing a basic configuration of a power module 100 for electric power according to the present invention.
As shown in FIG. 1, the power semiconductor element 1 mounted and fixed on the heat spreader 2 is covered with a protective resin portion 4 made of an insulating resin, which will be described later, over the entire exposed side surface portion.
Examples of the material of the heat spreader 2 include aluminum. For example, in the case of the heat spreader 2 employing aluminum or aluminum alloy having a thickness of about 1 to 5 mm, a metal layer (for example, Ni, Sn, Au, etc.) having better solder wettability than aluminum is provided in the power semiconductor element mounting region. For example, it is fixed by plating.
As the power semiconductor element 1, silicon, SiC, GaN, or the like is used.
For this reason, the material of the power semiconductor element 1 and the material of the heat spreader 2 have a large difference in linear expansion coefficient. For example, in the case of aluminum and silicon, there is a difference of about 10 times.
Thermal stress is a problem in such a combination with a large difference in linear expansion coefficient.

前述のように構成された電力用パワーモジュール１００は、例えば後述するモールド樹脂１０のモールド工程時に、少なくとも金型温度近傍にまで加熱されるが、ヒートスプレッダ２と電力用半導体素子１の線膨張係数の差が大きいため、ヒートスプレッダ２の伸びによって、電力用半導体素子１には水平方向に引っ張る熱応力が生じる。
このような熱応力は、電力用半導体素子１の面積が大きいほど大きく、又電力用半導体素子１が薄いほど大きくなる。
ところで、電力用半導体素子１の構成材料は、脆性材料であり、その特性として、引張応力による破断に関しては、表面の微細な欠陥や内在するマイクロクラックと呼ばれる加
工欠陥により大きく破断強度がばらつくことが知られている。
このような加工欠陥は、電力用半導体素子１がウェハの状態の時に、厚みを薄くするグラインド加工の時に生じたり、電力用半導体素子１をウェハから個片に切り出すダイシング加工の時に生じる。 The power module 100 for power configured as described above is heated to at least near the mold temperature, for example, in the molding process of the mold resin 10 described later, but the linear expansion coefficient of the heat spreader 2 and the power semiconductor element 1 is Since the difference is large, the heat spreader 2 is stretched to generate a thermal stress that is pulled in the horizontal direction in the power semiconductor element 1.
Such thermal stress increases as the area of the power semiconductor element 1 increases, and increases as the power semiconductor element 1 decreases.
By the way, the constituent material of the power semiconductor element 1 is a brittle material, and as its characteristic, the breaking strength due to tensile stress is greatly varied due to fine defects on the surface and processing defects called inherent microcracks. Are known.
Such a processing defect occurs when the power semiconductor element 1 is in a wafer state, during grinding processing to reduce the thickness, or during dicing processing in which the power semiconductor element 1 is cut into individual pieces from the wafer.

このようなマイクロクラックの抑制は、困難で検査もきわめて難しいため、電力用半導体素子１を極端に薄くした場合に、電力用半導体素子１の加熱時の割れを抑制することは困難であった。
そのため、例えば、厚みが１００μｍ以下の電力用半導体素子１では、きわめてこの影響が大きくリーク試験などで破壊した電力用半導体素子を排除する必要が生じており工程が煩雑であった。
この発明によれば、電力用半導体素子の加熱時の割れの起点となるマイクロクラックを、後述する保護樹脂部４で覆っており、応力集中を軽減するため、割れの発生率を最小限に抑制できる。 Since suppression of such microcracks is difficult and extremely difficult to inspect, it is difficult to suppress cracking during heating of the power semiconductor element 1 when the power semiconductor element 1 is extremely thinned.
For this reason, for example, in the power semiconductor element 1 having a thickness of 100 μm or less, the influence is so great that it is necessary to eliminate the power semiconductor element destroyed by a leak test or the like, and the process is complicated.
According to the present invention, the microcrack, which is the starting point of cracking during heating of the power semiconductor element, is covered with the protective resin portion 4 described later, and the stress rate is reduced to minimize the crack generation rate. it can.

以下、この実施の形態１における電力用パワーモジュール１００の構造を、図１〜図３に基づいて詳述する。
なお、この実施の形態１では、ヒートスプレッダ２の材料例として、アルミニウムを採り挙げているが、これは銅に比べて軽量であり、かつ低コストである代表的な良熱伝導性金属材料であるためである。しかしながら、アルミニウムは線膨張係数が銅に比べておよそ１．５倍と大きく、電力用半導体素子の熱応力に悪影響を及ぼすため、これが解決を目的としている。
又、ヒートスプレッダ２の材料に、アルミニウムを挙げている別の理由については、図３に示す本発明の電力用半導体装置２００の構造に関連して説明する。 Hereinafter, the structure of the power module 100 for electric power in this Embodiment 1 is explained in full detail based on FIGS.
In the first embodiment, aluminum is taken as an example of the material of the heat spreader 2, but this is a typical highly heat conductive metal material that is lighter and lower in cost than copper. Because. However, since aluminum has a coefficient of linear expansion that is about 1.5 times larger than that of copper and adversely affects the thermal stress of power semiconductor elements, this is intended to be solved.
Another reason why aluminum is used as the material of the heat spreader 2 will be described in relation to the structure of the power semiconductor device 200 of the present invention shown in FIG.

図３に示す電力用半導体装置２００は、ヒートシンク１１に電力用パワーモジュール１００を、例えば、ハンダなどの良熱伝導率材料による固着層１２で固着したものである。
このような形態によれば、従来の熱伝導グリスを用いた構成の場合におけるグリース層の熱抵抗が大きい問題点を克服でき、又電力用パワーモジュールを固定するための固定部も省略できるというメリットがある。
ところで、ヒートシンク１１の材料としては、現在、加工性やコスト、重量の観点からアルミ系の材料が最も経済性が高いと言える。
ところで、電力用半導体素子１とヒートスプレッダ２の部材には、銅及び銅合金系材料を用いることが通常である。
すなわち、銅が、良導電性材料であり、かつ熱伝導率が大きく、かつ経済的であるため、大電流を扱う電力用パワーモジュールの構成材料としては、銅及び銅合金系材料を用いている。 A power semiconductor device 200 shown in FIG. 3 is obtained by fixing a power module 100 to a heat sink 11 with a fixing layer 12 made of a material having good thermal conductivity such as solder.
According to such a configuration, it is possible to overcome the problem that the thermal resistance of the grease layer is large in the case of the configuration using the conventional heat conductive grease, and it is possible to omit the fixing portion for fixing the power module for electric power. There is.
By the way, as a material of the heat sink 11, it can be said that the aluminum material is the most economical from the viewpoint of workability, cost, and weight.
By the way, it is normal to use copper and a copper alloy-based material for the members of the power semiconductor element 1 and the heat spreader 2.
That is, since copper is a highly conductive material, has a large thermal conductivity, and is economical, copper and a copper alloy-based material are used as constituent materials for power modules for handling large currents. .

前述のように、ヒートシンク１１に、アルミ材を用いても、電力用パワーモジュールに内蔵される配線材料には、通常銅材が多く用いられ、通常のパワーモジュールは、きわめて銅を多用して製造されている。これに対してヒートシンク１１は、ほぼアルミ材で製造され、従来の通常のパワーモジュールでは、このヒートシンクのアルミニウムとパワーモジュールの部材である銅の線膨張係数の差を、熱伝導グリースを間の面に塗布して、非接合（ただしネジ固定）とすることで吸収していた。   As described above, even if an aluminum material is used for the heat sink 11, a copper material is usually used as a wiring material incorporated in the power module for power, and a normal power module is manufactured using a large amount of copper. Has been. On the other hand, the heat sink 11 is substantially made of an aluminum material, and in the conventional normal power module, the difference in linear expansion coefficient between the aluminum of the heat sink and the copper which is a member of the power module is measured between the heat conductive grease. It was absorbed by applying to the non-bonded (but fixed with screws).

これに対し、この実施の形態１が念頭としているところは、アルミニウムのヒートシンク１１に、電力用パワーモジュール１００を直接接合する構成であり、その前提としては、アルミヒートスプレッダ２の内蔵による線膨張係数の差の低減が必要となる。
その場合、電力用半導体素子１への熱応力は、ヒートスプレッダ２が銅の場合に比べてアルミニウムの場合は大きくなり、この熱応力が増大することが問題となる。
すなわち、この実施の形態１では、アルミのヒートスプレッダ２を採用する場合でも脆性材料である電力用半導体素子１が壊れないものを得ることを目的としているわけである。そして、ヒートシンク１１と電力用パワーモジュール１００の接合の例として、ハンダ付けの場合と、樹脂接着の場合を採り上げ、電力用パワーモジュール１００をヒートシンク１１に固着した場合の問題の解決を目的としている。 On the other hand, the first embodiment has a configuration in which the power module 100 for power is directly joined to the aluminum heat sink 11, and the premise is that the linear expansion coefficient of the built-in aluminum heat spreader 2 is It is necessary to reduce the difference.
In that case, the thermal stress applied to the power semiconductor element 1 becomes larger in the case of aluminum than in the case where the heat spreader 2 is made of copper, and there is a problem that this thermal stress increases.
That is, the first embodiment aims to obtain a power semiconductor element 1 that is a brittle material that does not break even when an aluminum heat spreader 2 is employed. And as an example of joining of the heat sink 11 and the power module 100 for power, the case of soldering and the case of resin bonding are taken, and the object is to solve the problem when the power module 100 for power is fixed to the heat sink 11.

例えば、電力用パワーモジュール１００とヒートシンク１１をハンダ層を介して固着した場合、この時、アルミ系の材料からなるヒートシンク１１と、電力用パワーモジュール１００の線膨張率の差が無視できないほど大きく、ハンダ層には電力用半導体装置２００の使用時の温度変化により熱応力が生じ、ハンダ層のひずみ量が大きい角部から金属疲労による亀裂進展が生じ放熱性が阻害されるという問題が生じる。   For example, when the power module 100 for power and the heat sink 11 are fixed via a solder layer, the difference in linear expansion coefficient between the heat sink 11 made of an aluminum material and the power module 100 for power is so large that it cannot be ignored. A thermal stress is generated in the solder layer due to a temperature change when the power semiconductor device 200 is used, and there is a problem that the heat dissipation is hindered due to crack growth due to metal fatigue from a corner portion where the strain amount of the solder layer is large.

別の例としては、固着層として良熱伝導率の接着シートなどを用いる構成も可能であるが、このような接着シートを用いた場合、電力用半導体装置の使用時の温度変化による熱応力により、接着層の界面剥離が生じることになる。
この防止のためには、ヒートスプレッダ２の線膨張係数を、ヒートシンク１１の線膨張係数に近づけることが効果的である。このため、例えばアルミニウムもしくはアルミニウム合金をヒートスプレッダ２に用いることになる。 As another example, it is possible to use an adhesive sheet with good thermal conductivity as the fixing layer, but when such an adhesive sheet is used, due to thermal stress due to temperature changes during use of the power semiconductor device. Then, interface peeling of the adhesive layer occurs.
In order to prevent this, it is effective to make the linear expansion coefficient of the heat spreader 2 close to the linear expansion coefficient of the heat sink 11. For this reason, for example, aluminum or an aluminum alloy is used for the heat spreader 2.

この場合の背反として、電力用半導体素子１とアルミ系材料を採用したヒートスプレッダ２の線膨張係数の差が更に大きくなってしまうという問題が生じる。すなわち、先に述べたような電力用半導体素子１に生じる応力が銅よりもアルミニウムを用いたことで増大してしまうことになる。   As a contradiction in this case, there arises a problem that the difference in coefficient of linear expansion between the power semiconductor element 1 and the heat spreader 2 employing an aluminum-based material is further increased. That is, the stress generated in the power semiconductor element 1 as described above is increased by using aluminum rather than copper.

又、この実施の形態１は、ヒートスプレッダ２が銅よりも線膨張係数が大きいアルミニウムにした場合でも、大きな面積の電力用半導体素子１や厚みがより薄い電力用半導体素子１の熱応力の問題をなくすことを目的としている。
すなわち、前述のようなアルミニウム及びアルミ合金系ヒートシンク１１に固着したパワーモジュールに内蔵されるヒートスプレッダ２の材料に、アルミニウムもしくはアルミニウム合金を用いた場合でも、電力用半導体素子１の破壊を防止することを目的としている。 Further, in the first embodiment, even when the heat spreader 2 is made of aluminum having a linear expansion coefficient larger than that of copper, there is a problem of thermal stress of the power semiconductor element 1 having a large area or the power semiconductor element 1 having a smaller thickness. The purpose is to eliminate.
That is, even when aluminum or an aluminum alloy is used as the material of the heat spreader 2 incorporated in the power module fixed to the aluminum and aluminum alloy heat sink 11 as described above, the power semiconductor element 1 can be prevented from being destroyed. It is aimed.

前述したように、脆性材料の破壊は、表面の微細なクラックによる影響が大であり、そのようなクラックは、応力集中部を電力用半導体素子１のグラインディングやダイシングの加工面から遠ざけることで、破壊の起点とならないように仕向けることができる。
すなわち、電力用半導体素子１の底面は、ハンダにてヒートスプレッダ２に全面固着されているが、この実施の形態１は、これに加えて電力用半導体素子１の側面領域に絶縁樹脂部、すなわち保護樹脂部４を更に設けたものである。
この保護樹脂部４の材料は、少なくともヒートスプレッダ２と電力用半導体素子１間を接合するハンダよりも弾性率の小さい絶縁樹脂で、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂であれば、モールド封止時の１８０℃においても軟化せず、良好な電力用半導体素子１の応力低減作用を得ることができる。 As described above, the fracture of the brittle material is greatly influenced by fine cracks on the surface, and such a crack is caused by moving the stress concentration portion away from the grinding or dicing processing surface of the power semiconductor element 1. , Can be directed not to become the starting point of destruction.
That is, the bottom surface of the power semiconductor element 1 is fixed to the heat spreader 2 by soldering, but in the first embodiment, in addition to this, an insulating resin portion, that is, a protection is provided in the side surface region of the power semiconductor element 1. A resin portion 4 is further provided.
The material of the protective resin portion 4 is an insulating resin having a lower elastic modulus than that of the solder that joins at least the heat spreader 2 and the power semiconductor element 1. Even at 180 ° C., it is not softened, and a good stress reducing action of the power semiconductor element 1 can be obtained.

更に、保護樹脂部４を設けた理由について詳述する。
ハンダに生ずる熱応力は、電力用半導体素子１とヒートスプレッダ２の線膨張係数の差が存在することに起因する。例えばモールド樹脂封止時や、別の部材のハンダ付け工程などにおいて、温度変化に応じて、伸びの差が生じるが、接合界面において、接合を維持しようとして伸びの差をハンダ層が吸収する時に生じる。ところで、このような熱応力は端部に集中応力場を形成することがよく知られている。この応力場は、角度変化が起きている箇所で応力集中が大きいことがよく知られている。すなわち、電力用半導体素子１とヒ
ートスプレッダ２の間のハンダ層において、端部には応力集中部が形成され、その値が大きいことを避けることが必要である。
そこに、すなわち電力用半導体素子１の側面領域に、樹脂の保護部（保護樹脂部４）を設けることで、ハンダ応力集中を緩和する効果が生じる。すなわち空気との界面が保護部側に移動したことで、角度変化に対する応力集中が軽減されるのである。
ただし、保護部（保護樹脂部４）の弾性率がハンダよりも大きいと、電力用半導体素子１とヒートスプレッダ２の伸びの差は、ハンダ層が多く変形して吸収することになってしまう。これに対して、保護層（保護樹脂部４）の弾性率がハンダ層よりも小さく、より容易に変形してくれることで、上記応力集中の緩和効果を高めることができる。 Further, the reason why the protective resin portion 4 is provided will be described in detail.
The thermal stress generated in the solder is caused by the difference in the coefficient of linear expansion between the power semiconductor element 1 and the heat spreader 2. For example, when molding resin is sealed or when soldering another member, the difference in elongation occurs depending on the temperature change, but when the solder layer absorbs the difference in elongation in order to maintain the bonding at the bonding interface. Arise. By the way, it is well known that such thermal stress forms a concentrated stress field at the end. It is well known that this stress field has a large stress concentration at a position where an angle change occurs. That is, in the solder layer between the power semiconductor element 1 and the heat spreader 2, it is necessary to avoid that a stress concentration portion is formed at the end and the value thereof is large.
By providing the resin protective part (protective resin part 4) there, that is, in the side surface region of the power semiconductor element 1, an effect of relaxing the solder stress concentration is produced. That is, the stress concentration with respect to the angle change is reduced by moving the interface with the air toward the protective part.
However, if the elastic modulus of the protective part (protective resin part 4) is larger than that of the solder, the difference in elongation between the power semiconductor element 1 and the heat spreader 2 is deformed and absorbed by the solder layer. On the other hand, since the elastic modulus of the protective layer (protective resin portion 4) is smaller than that of the solder layer and deforms more easily, the effect of alleviating the stress concentration can be enhanced.

前述のように、応力低減作用が有効に働く樹脂の弾性率としては、ヒートスプレッダ２よりも小さいことが必要であり、例えば１／２から１／１００程度の弾性率であれば有効に作用した。
このような絶縁樹脂としては、例えばエポキシ樹脂だけでなくポリイミド樹脂などでもよく、絶縁性があり耐熱性を有する材料であれば他のものでもよい。例えば、ポリイミド樹脂の場合おおよその弾性率はアルミニウムに対して１／１０である。
この絶縁樹脂は、電力用半導体素子１の側面領域およびハンダ及びヒートスプレッダ２のうち電力用半導体素子の周囲部を覆った状態を図１及び図２に示しているが、電力用半導体素子表面をも覆っていてもよく、同様に応力抑制効果を発揮する。
電力用半導体素子表面を覆う場合は、電力用半導体素子の外縁部を全て覆うように供給することで、応力集中を防ぐことができる。また電力用半導体素子全面を覆っていてもかまわない。また、配線用の材料を接続する電極部を露出させた状態で覆っていてもよい。
通常、樹脂封止型の電力用パワーモジュールにおいては、内部のハンダが溶融すると、ハンダが膨張してパワーモジュールの内部の界面を伝ったり、樹脂を破壊してハンダが流出し、破壊されてしまうため、少なくともパワーモジュールの内部のハンダの融点よりも、固着層１２のハンダの融点は低く構成する必要がある。
アルミニウムは、ハンダには濡れない材料であるため固着導体３に、ハンダを用いた場合は、ヒートスプレッダ２のアルミニウム表面の少なくとも電力用半導体素子１を固着する箇所には、良ハンダ濡れ性が得られる、ニッケルや銅の層を例えばめっきなどで設けておくことが必要である。 As described above, the elastic modulus of the resin that effectively reduces the stress needs to be smaller than that of the heat spreader 2. For example, an elastic modulus of about 1/2 to 1/100 worked effectively.
As such an insulating resin, not only an epoxy resin but also a polyimide resin may be used, and other materials may be used as long as they have insulating properties and heat resistance. For example, in the case of polyimide resin, the approximate elastic modulus is 1/10 with respect to aluminum.
The insulating resin covers the side surface region of the power semiconductor element 1 and the periphery of the power semiconductor element in the solder and heat spreader 2, as shown in FIGS. 1 and 2. It may be covered, and similarly exhibits a stress suppressing effect.
When covering the surface of the power semiconductor element, stress concentration can be prevented by supplying the power semiconductor element so as to cover the entire outer edge portion of the power semiconductor element. The entire surface of the power semiconductor element may be covered. Moreover, you may cover in the state which exposed the electrode part which connects the material for wiring.
Normally, in a resin-encapsulated power module for power, when the internal solder melts, the solder expands and travels along the internal interface of the power module, or the resin breaks down and the solder flows out and is destroyed. Therefore, it is necessary to configure the solder of the fixing layer 12 to have a melting point lower than the melting point of the solder inside the power module.
Since aluminum is a material that does not wet solder, when solder is used for the fixed conductor 3, good solder wettability can be obtained at least at the location where the power semiconductor element 1 is fixed on the aluminum surface of the heat spreader 2. It is necessary to provide a nickel or copper layer by plating, for example.

ヒートスプレッダ２と電力用半導体素子１、固着導体３、保護樹脂部４は、モールド樹脂１０により封止されるが、外部との配線接続のための電極端子を備えている。
例えば、図１では一対の主端子５ａ、５ｂが電力用半導体素子１の表面及び裏面に対して接続されている。 The heat spreader 2, the power semiconductor element 1, the fixed conductor 3, and the protective resin portion 4 are sealed with the mold resin 10, but have electrode terminals for wiring connection with the outside.
For example, in FIG. 1, a pair of main terminals 5 a and 5 b are connected to the front and back surfaces of the power semiconductor element 1.

すなわち、一方の主端子５ｂがヒートスプレッダ２に例えば超音波接合やハンダ付けなど図示しない電気的接続手段により接合されており、もう一方の主端子５ａと電力用半導体素子１の表面を、アルミニウムワイヤ６で接続している。
電力用半導体素子１を任意にオンオフ動作させるためのゲート電極を備えた構成の場合には、別の制御電極を更に備え、同様にアルミニウムワイヤ６で制御端子７に配線している。
そのようなゲート電極を有する電力用半導体素子としては、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴなどが知られており、例えばシリコン（Ｓｉ）のみならず、ＧａＮやＳｉＮなどといった素材によっても構成可能である。ちなみにＳｉＣを用いるとより高温動作が可能であり、ロスも小さくなるため電力用パワーモジュールとして好適である。 That is, one main terminal 5b is bonded to the heat spreader 2 by an electrical connection means (not shown) such as ultrasonic bonding or soldering, and the other main terminal 5a and the surface of the power semiconductor element 1 are connected to the aluminum wire 6 Connected with.
In the case of a configuration provided with a gate electrode for arbitrarily turning on and off the power semiconductor element 1, another control electrode is further provided and similarly wired to the control terminal 7 with an aluminum wire 6.
IGBTs, MOSFETs, and the like are known as power semiconductor elements having such a gate electrode. For example, not only silicon (Si) but also materials such as GaN and SiN can be used. Incidentally, when SiC is used, it is possible to operate at a higher temperature and the loss is reduced, which is suitable as a power module for electric power.

これらのように複数の主端子５ａ、５ｂ及び制御端子７を備えた電力用パワーモジュール１００は、お互いの電極間の絶縁を維持する必要がある。
この電極間の絶縁維持をも兼ねたモールド樹脂１０は、絶縁性の封止材料であり、異な
る電位がかかる部位について絶縁性を保っている。
ところで電力用半導体装置を示す図３では、電力用パワーモジュール１００は、ヒートシンク１１に一体（一ユニット）が搭載された例を図示しているが、複数の電力用パワーモジュールが搭載されていてもよいし、又電力用パワーモジュールには、複数のヒートスプレッダ２が搭載されていてもよい。
そのように、高密度に配置する場合の妨げとなるのが、ヒートスプレッダ２が良電気伝導性の材料で構成されるということである。
一般に良熱伝導率の材料は、良電気伝導性であるため、これはいたし方がないことである。ここで異なる電位間の絶縁性を保つ必要があるが、この絶縁機能は、絶縁樹脂層８により実現されている。
すなわち、電力用パワーモジュールのヒートスプレッダ２の底面１００ａと放熱面１００ｂの間に、薄い絶縁樹脂層８を備えることで、ヒートスプレッダ２と電力用パワーモジュールの底面間の絶縁性を確保しているのである。 As described above, the power module 100 for power including the plurality of main terminals 5a and 5b and the control terminal 7 needs to maintain insulation between the electrodes.
The mold resin 10 that also serves to maintain insulation between the electrodes is an insulating sealing material, and maintains the insulating properties at portions to which different potentials are applied.
FIG. 3 showing the power semiconductor device shows an example in which the power power module 100 is integrally (one unit) mounted on the heat sink 11, but even if a plurality of power power modules are mounted. Also, a plurality of heat spreaders 2 may be mounted on the power module for electric power.
As such, a hindrance to the high density arrangement is that the heat spreader 2 is made of a material having good electrical conductivity.
In general, materials with good thermal conductivity have good electrical conductivity, so this is inconvenient. Here, it is necessary to maintain insulation between different potentials, but this insulating function is realized by the insulating resin layer 8.
That is, by providing the thin insulating resin layer 8 between the bottom surface 100a and the heat radiating surface 100b of the heat spreader 2 of the power module for power, insulation between the heat spreader 2 and the bottom surface of the power module for power is ensured. .

この例の場合は、ヒートシンク１１と電力用パワーモジュール１００間の固着層１２に、ハンダを使う場合についての技術を開示しているが、そのような場合、絶縁樹脂層８は、通常ハンダ濡れ性はないため、ハンダ濡れ性という機能を実現するために、保護層９を更にそなえている。
この保護層９は、例えば厚み１００μｍ程度の銅箔やアルミ箔である。ただし、ハンダ濡れ性を得るために、保護層９がアルミニウムの場合には、表面にめっきなどで、ハンダ濡れ性が得られる構成にしておく必要がある。
このように電力用パワーモジュール１００の底面部には、絶縁樹脂層８を介してハンダ濡れ性を有した保護層９を備え、この保護層９とヒートシンク１１間には更に固着層１２を備えて一体化されており電力用半導体装置２００が構成されている。 In the case of this example, a technique for using solder for the fixing layer 12 between the heat sink 11 and the power module 100 for electric power is disclosed. In such a case, the insulating resin layer 8 is usually provided with solder wettability. Therefore, a protective layer 9 is further provided in order to realize the function of solder wettability.
The protective layer 9 is, for example, a copper foil or an aluminum foil having a thickness of about 100 μm. However, in order to obtain solder wettability, in the case where the protective layer 9 is aluminum, it is necessary to have a configuration in which solder wettability can be obtained by plating or the like on the surface.
As described above, the power module 100 for electric power is provided with a protective layer 9 having solder wettability via the insulating resin layer 8 on the bottom surface portion, and a fixing layer 12 is further provided between the protective layer 9 and the heat sink 11. The power semiconductor device 200 is integrated.

実施の形態１では、電力用半導体素子１の外縁部である側面領域を、保護樹脂部４が覆うことで、電力用パワーモジュール製造におけるモールド封止時のような加熱工程においても、マイクロクラックなどによる応力集中による電力用半導体素子の破壊を防止できた。   In the first embodiment, the protective resin portion 4 covers the side surface region that is the outer edge portion of the power semiconductor element 1, so that microcracking or the like can be performed even in a heating process during mold sealing in power module production. The destruction of the power semiconductor element due to the stress concentration due to stress could be prevented.

実施の形態２．
図４は、この発明の実施の形態２における電力用半導体装置の断面図である。
図４において、保護樹脂部４は、ヒートスプレッダ２主面（電力用半導体素子搭載面）の電力用半導体素子１の周囲（側面領域）のみならず、広い範囲（電力用半導体素子１が固着されていないヒートスプレッダ２の上面）を覆っている。
このようにすることで、アルミ系の材料を採用したヒートスプレッダ２とモールド樹脂１０間の線膨張係数に差がある場合の熱応力を低減する作用が働く。すなわち、モールド樹脂１０は、通常銅及び銅合金、鉄合金などに合わせた材料設計をしているものがほとんどであり、アルミニウムのような線膨張係数が大きい材料に対しては線膨張係数の差が大きいという問題点がある。 Embodiment 2. FIG.
4 is a cross-sectional view of a power semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.
In FIG. 4, the protective resin portion 4 has not only the periphery (side region) of the power semiconductor element 1 on the heat spreader 2 main surface (power semiconductor element mounting surface) but also a wide range (the power semiconductor element 1 is fixed). The upper surface of the heat spreader 2 is not covered.
By doing in this way, the effect | action which reduces the thermal stress in case there exists a difference in the linear expansion coefficient between the heat spreader 2 which employ | adopted the aluminum-type material, and the mold resin 10 works. That is, most of the mold resin 10 is usually designed with a material designed to match copper, a copper alloy, an iron alloy, etc., and a material having a large linear expansion coefficient such as aluminum has a difference in linear expansion coefficient. There is a problem that is large.

アルミニウムに近い線膨張係数に近づけることは、例えばモールド樹脂１０に内包されるフィラー成分の割合を下げることなどで実現可能であるが、不経済であった。
ところで、銅に合わせた線膨張係数の材料とアルミニウムのヒートスプレッダ２を組み合わせた場合、線膨張係数の差が無視できず、電力用半導体装置２００の使用にともなう温度変化により、熱応力が生じ、モールド樹脂１０とヒートスプレッダ２間の樹脂が剥がれるなどの問題が発生する危険が高まり、長い寿命を保証することが困難となっていた。これに対してヒートスプレッダ２の主面（電力用半導体素子搭載面）の大半、ただし主端子５ａ、５ｂの接続部や電力用半導体素子１の表面の配線を行う部分を除いた部分を保護樹脂部４が覆うことでこのような線膨張係数が異なる材料の組み合わせにおいても剥離の
発生を制限でき、長い寿命を保証することができるようになった。
この絶縁樹脂は、電力用半導体素子１の側面領域およびハンダ及びヒートスプレッダ２のうち電力用半導体素子の周囲部を覆った状態を図１および図２に示しているが、電力用半導体素子表面をも覆っていてもよく、同様に応力抑制効果を発揮する。
この例では、ヒートシンク１１は、内部に流路１１ａを有する液冷式ヒートシンクの場合について示しており、固着層１２にて一体化されている。 Although it is possible to achieve a linear expansion coefficient close to that of aluminum by, for example, reducing the proportion of the filler component included in the mold resin 10, it is uneconomical.
By the way, when the material of the linear expansion coefficient matched to copper and the aluminum heat spreader 2 are combined, the difference in the linear expansion coefficient cannot be ignored, and a thermal stress is generated due to a temperature change accompanying the use of the power semiconductor device 200, and the mold The risk of problems such as peeling of the resin between the resin 10 and the heat spreader 2 has increased, making it difficult to guarantee a long life. On the other hand, most of the main surface (surface for mounting the power semiconductor element) of the heat spreader 2, except for the connection portion of the main terminals 5a and 5b and the portion for wiring on the surface of the power semiconductor element 1, is the protective resin portion. As a result of covering with 4, the occurrence of delamination can be limited even in a combination of materials having different linear expansion coefficients, and a long life can be assured.
FIG. 1 and FIG. 2 show the state in which the insulating resin covers the side surface region of the power semiconductor element 1 and the periphery of the power semiconductor element in the solder and heat spreader 2. It may be covered, and similarly exhibits a stress suppressing effect.
In this example, the heat sink 11 is shown as a liquid-cooled heat sink having a flow path 11 a therein, and is integrated by a fixing layer 12.

実施の形態３．
図５は、この発明の実施の形態３における電力用半導体装置の断面図である。
この実施の形態３におけるヒートシンク１１では、図５のように、対面にヒートシンク１１の取付面を有し、かつそれぞれの取付面に電力用パワーモジュール１００を固着層１２によって搭載した形態を構成している。
このように電力用パワーモジュール１００をヒートシンク１１の両取付面に固着した場合、電力用パワーモジュール１００の線膨張係数とヒートシンク１１の線膨張係数の差による熱応力が、高まるという問題がある。
すなわち、ヒートシンク１１の片面に電力用パワーモジュール１００を固着した場合は、ヒートシンク１１が反ることで熱応力が開放され、結果電力用パワーモジュール１００に生じる熱応力は相対的に小さくなる。
これに対してヒートシンク１１の両面に、電力用パワーモジュール１００を搭載した場合、バランスが取れた結果反ることができず、電力用パワーモジュール１００に与えられる熱応力が増大してしまうという問題がある。 Embodiment 3 FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view of the power semiconductor device according to the third embodiment of the present invention.
In the heat sink 11 according to the third embodiment, as shown in FIG. 5, the heat sink 11 is attached to the opposite surface, and the power module 100 for power is mounted on each attachment surface by the fixing layer 12. Yes.
When the power module 100 for power is fixed to both mounting surfaces of the heat sink 11 as described above, there is a problem that thermal stress due to the difference between the linear expansion coefficient of the power module 100 for power and the linear expansion coefficient of the heat sink 11 increases.
That is, when the power module 100 is fixed to one surface of the heat sink 11, the thermal stress is released by warping the heat sink 11, and as a result, the thermal stress generated in the power module 100 becomes relatively small.
On the other hand, when the power module 100 is mounted on both sides of the heat sink 11, there is a problem that the thermal stress applied to the power module 100 cannot be warped and the thermal stress applied to the power module 100 increases. is there.

この時に、電力用パワーモジュール１００に内蔵されるヒートスプレッダ２とモールド樹脂１０間の熱応力も更に増大するという問題があり、より長い寿命を保証したいという意図を実現できなかった。
例えば、ヒートスプレッダ２とモールド樹脂１０間の剥離が生じると、その剥離の先端は応力特異場であるため、容易に剥離が進展し、電力用半導体素子１の周辺に剥離が達した場合、剥離は電力用半導体素子１の内部に移動して、電力用半導体素子１を破壊してしまうという不具合が生じるため、ヒートスプレッダ２とモールド樹脂１０の剥離進展の抑制は非常に重要であった。例えば、ハンダ付けを固着に用いた場合、両面に電力用パワーモジュール１００を搭載した場合、片面の場合の１／３程度の寿命になっていた。 At this time, there is a problem that the thermal stress between the heat spreader 2 built in the power module 100 for power and the mold resin 10 further increases, and the intention to guarantee a longer life could not be realized.
For example, when peeling between the heat spreader 2 and the mold resin 10 occurs, the leading edge of the peeling is a stress singular field, so that the peeling easily progresses and the peeling reaches the periphery of the power semiconductor element 1. Since there is a problem in that the power semiconductor element 1 moves to the inside of the power semiconductor element 1 and destroys the power semiconductor element 1, it is very important to suppress the progress of peeling between the heat spreader 2 and the mold resin 10. For example, when soldering is used for fixing, when the power module 100 for power is mounted on both sides, the life is about 1/3 of that on one side.

この実施の形態３における電力用半導体装置は、上記の点に対処するため、ヒートスプレッダ部分を覆う保護樹脂部４に、複数の凹状部４ａを設けている。
そして、電力用半導体素子１、端子５ａ、５ａ、７、及び保護樹脂部４を、モールド樹脂１０で封止する時、複数の凹状部４ａにモールド樹脂１０が充填されるようにしたものである。
例えば、保護樹脂部４の厚みを２００μｍとすると、直径３００μｍ、深さ１５０μｍから２００μｍ程度の凹みを多数付与する。
この凹状部４ａを、ヒートスプレッダ２の主面（電力用半導体素子１が固着されていないヒートスプレッダ２の上面）に多数分布させることで、剥離を確実に防止することができる。
例えば８００μｍピッチで縦横に配置することで耐ヒートサイクル性を３倍以上拡大することができた。 The power semiconductor device according to the third embodiment is provided with a plurality of concave portions 4a in the protective resin portion 4 that covers the heat spreader portion in order to cope with the above-described points.
When the power semiconductor element 1, the terminals 5a, 5a, and 7 and the protective resin portion 4 are sealed with the mold resin 10, the plurality of concave portions 4a are filled with the mold resin 10. .
For example, if the thickness of the protective resin portion 4 is 200 μm, a large number of recesses having a diameter of 300 μm and a depth of about 150 μm to 200 μm are provided.
By distributing a large number of the concave portions 4a on the main surface of the heat spreader 2 (the upper surface of the heat spreader 2 to which the power semiconductor element 1 is not fixed), peeling can be reliably prevented.
For example, the heat cycle resistance can be increased by 3 times or more by arranging the vertical and horizontal directions at a pitch of 800 μm.

又、絶縁樹脂による保護膜（保護樹脂部４）は、ヒートスプレッダ表面との接着が維持されないと作用を失うことになる。このため、電力用半導体素子１が固着されていないヒートスプレッダ部分に、保護樹脂を入り込ませる複数の凹部（図示せず）を設け、この凹部により保護樹脂が抜け出ないようにして保護樹脂がヒートスプレッダ部分から剥離するのを防止している。
すなわち、優先的な保護膜の変形と、外形としての角度変化が大きいことによる応力集中抑制などによる熱応力の低減は、保護膜が剥がれると失われてしまう。このことの防止のためには、保護膜（保護樹脂部４）のヒートスプレッダ表面への接着性の向上が有効である。この獲得のためには、例えばプライマ処理、ＵＶ処理などによる接着力の向上によっても得られるが、そのほかの手法として、上記のように電力用半導体素子１が固着されていないヒートスプレッダ部分に、保護樹脂を入り込ませる複数の凹部（図示せず）を設け、この凹部にアンカー効果をもたせることで実現できる。 Further, the protective film (protective resin portion 4) made of insulating resin loses its action unless adhesion with the heat spreader surface is maintained. For this reason, a plurality of recesses (not shown) for allowing the protective resin to enter are provided in the heat spreader portion to which the power semiconductor element 1 is not fixed, and the protective resin is prevented from coming out by the recesses so that the protective resin is removed from the heat spreader portion. Prevents peeling.
That is, the preferential deformation of the protective film and the reduction of the thermal stress due to the stress concentration suppression due to the large angle change as the outer shape are lost when the protective film is peeled off. In order to prevent this, it is effective to improve the adhesion of the protective film (protective resin portion 4) to the heat spreader surface. For this acquisition, it can also be obtained by improving the adhesive force by, for example, primer treatment, UV treatment, etc. As another method, as described above, a protective resin is applied to the heat spreader portion where the power semiconductor element 1 is not fixed. This can be realized by providing a plurality of recesses (not shown) for allowing the recesses to enter and having an anchor effect in the recesses.

アンカー効果とは、錨が海底に食い込むことで船の移動を阻止するように、物理的に引き剥がすことを防止する効果のことで、例えば蛸壺のような形状の凹部を多数ヒートスプレッダ表面に形成し、かつその凹部に保護膜（保護樹脂部４）を入り込ませることで実現できる。この時、単に凹み形状であれば、水平方向へのアンカー効果は得られるが、垂直方向には劇的な効果は得られない。好ましくは、凹部は、深くなるほど断面積が大きくなるような、庇のある形状にすることで、垂直方向へのアンカー効果を獲得できる。そのような蛸壺形状に類するような庇のある凹部は、例えば円筒形の突起をヒートスプレッダ表面に加圧して凹みを設けた後、より直径の大きい円筒形の突起で更に加圧することで形成できる。   The anchor effect is an effect that prevents the ship from moving physically as the dredging digs into the seabed, and forms a number of depressions, such as dredging, on the surface of the heat spreader. And it can implement | achieve by making a protective film (protective resin part 4) enter in the recessed part. At this time, if it is simply a concave shape, an anchor effect in the horizontal direction can be obtained, but a dramatic effect cannot be obtained in the vertical direction. Preferably, the anchoring effect in the vertical direction can be obtained by forming the concave portion into a wrinkled shape in which the cross-sectional area increases as the depth increases. Such a wrinkled recess similar to a wrinkle shape can be formed by, for example, pressing a cylindrical protrusion on the surface of the heat spreader to provide a recess, and then further pressing with a cylindrical protrusion having a larger diameter. .

庇が凹みの全周にある必要はないため、同じ形状の突起を半分ずらして加圧してもよい。又例えば四角柱の突起で加圧して凹みを設けた後、同じ中心をもち４５度角度が回転した突起で更に凹み部を形成することで、複数の庇が生じる形状も容易に実現可能である。加圧に用いる金型の加工のためには、このような方形の突起を縦横に配列して凹み部を形成した窪み部を複数設けることが産業的に低コストとなった。すなわち金型に溝を縦横に形成することで、縦横に方形の突起を複数形成することが比較的容易であり好ましかった。   Since the ridge does not need to be on the entire circumference of the dent, the same-shaped protrusion may be shifted by half and pressurized. In addition, for example, by forming a recess by pressurizing with a quadrangular prism protrusion and then forming a recess with a protrusion having the same center and rotated by 45 degrees, it is possible to easily realize a shape in which a plurality of wrinkles are generated. . In order to process a mold used for pressurization, it has become industrially low cost to provide a plurality of indentations formed by arranging such square protrusions vertically and horizontally to form indentations. That is, by forming grooves in the mold vertically and horizontally, it is relatively easy and preferable to form a plurality of rectangular protrusions vertically and horizontally.

実施の形態４．
図６は、この発明の実施の形態４における電力用パワーモジュールを示す断面図で、図７は、この電力用パワーモジュールによって構成した電力用半導体装置の断面図である。
この実施の形態４の例では、主端子５ａが電力用半導体素子１に覆いかぶさる位置に配置されており、固着導体３ａによって電力用半導体素子１と接続されている。
例えば、ハンダによって電力用半導体素子１を接続する場合において、まずヒートスプレッダ２に固着導体３で電力用半導体素子１を固着する工程、保護樹脂部４を付与する工程、主端子５ａと重ね合わせ、固着導体３ａによって主端子５ａと電力用半導体素子１を固着する工程を備えるが、この時、固着導体３ａに、ハンダを用いた場合の問題点として、電力用半導体素子１が、ヒートスプレッダ２に固着された状態で、ハンダの融点にまで加熱されるという問題点が生じる。
ハンダの融点は、モールド樹脂１０の融点より大きく設定することが、モールド時に電力用半導体素子１が動いたり破壊しないために必要である。 Embodiment 4 FIG.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a power module for power according to Embodiment 4 of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view of a power semiconductor device constituted by the power module for power.
In the example of the fourth embodiment, the main terminal 5a is arranged at a position covering the power semiconductor element 1, and is connected to the power semiconductor element 1 by the fixed conductor 3a.
For example, when the power semiconductor element 1 is connected by solder, first, the step of fixing the power semiconductor element 1 to the heat spreader 2 with the fixing conductor 3, the step of applying the protective resin portion 4, the overlapping with the main terminal 5a and fixing The step of fixing the main terminal 5a and the power semiconductor element 1 by the conductor 3a is provided. At this time, as a problem when solder is used for the fixed conductor 3a, the power semiconductor element 1 is fixed to the heat spreader 2. In this state, there is a problem that the solder is heated to the melting point of the solder.
It is necessary to set the melting point of the solder to be larger than the melting point of the mold resin 10 so that the power semiconductor element 1 does not move or break during molding.

例えば、固着導体３ａが軟化状態にある時に、モールド樹脂１０による成形圧力が与えられると、通常の成形圧力は、１００気圧程度であるため電力用半導体素子１は破壊されてしまう。
この防止には、モールド樹脂１０よりも高い融点を持つハンダを用いることが必要である。そのため、この例のような電力用半導体素子１の両面に固着導体３、３ａによる接続を適用する場合、電力用半導体素子１がヒートスプレッダ２に固着された状態で、ハンダの融点にまで加熱されることになり、先に述べた例に対して、更に高い温度にまでさらされることになる。
このように内部に二層以上のハンダ層を有する場合、電力用半導体素子１に生じる熱応力は大きくなるため、層状の保護樹脂部４による保護作用は更に有効に作用する。
図７に、電力用半導体装置２００として構成した例を示しているが、このような場合においても剥離防止効果も有効に作用することは言うまでもない。 For example, when the molding conductor 10a is in a softened state and a molding pressure is applied by the mold resin 10, the power semiconductor element 1 is destroyed because the normal molding pressure is about 100 atm.
In order to prevent this, it is necessary to use solder having a melting point higher than that of the mold resin 10. Therefore, when the connection by the fixed conductors 3 and 3a is applied to both surfaces of the power semiconductor element 1 as in this example, the power semiconductor element 1 is heated to the melting point of the solder while being fixed to the heat spreader 2. As a result, the above-described example is exposed to a higher temperature.
Thus, when two or more solder layers are provided inside, the thermal stress generated in the power semiconductor element 1 is increased, so that the protective action by the layered protective resin portion 4 is more effective.
Although FIG. 7 shows an example configured as the power semiconductor device 200, it is needless to say that the peeling prevention effect also works effectively in such a case.

１ 電力用半導体素子
２ ヒートスプレッダ（金属ブロック）
３、３ａ 固着導体
４ 保護樹脂部
５ａ、５ｂ 主端子
６ アルミニウムワイヤ
７ 制御端子
８絶縁樹脂層
９ 保護層
１０ モールド樹脂
１１ ヒートシンク
１２ 固着層
１００ 電力用パワーモジュール
２００ 電力用半導体装置。 1 Power semiconductor device 2 Heat spreader (metal block)
3, 3a Fixed conductor 4 Protective resin portion 5a, 5b Main terminal 6 Aluminum wire 7 Control terminal 8 Insulating resin layer 9 Protective layer 10 Mold resin 11 Heat sink 12 Fixed layer 100 Power module for power 200 Semiconductor device for power.

Claims (7)

導電性と放熱性を有するヒートスプレッダ、このヒートスプレッダに固着された電力用半導体素子、及びこの電力用半導体素子に上記ヒートスプレッダを介し接続された電極端子を有する電力用パワーモジュールであって、
上記電力用半導体素子の側面領域を、保護樹脂で覆ったことを特徴とする電力用パワーモジュール。 A heat spreader having electrical conductivity and heat dissipation, a power semiconductor element fixed to the heat spreader, and a power module having power connected to the power semiconductor element via the heat spreader,
A power module for power, wherein a side region of the power semiconductor element is covered with a protective resin. 上記電力用半導体素子が固着されていない上記ヒートスプレッダ部分を、上記保護樹脂で覆ったことを特徴とする請求項１記載の電力用パワーモジュール。   2. The power module according to claim 1, wherein the heat spreader portion to which the power semiconductor element is not fixed is covered with the protective resin. 上記ヒートスプレッダ、上記電力用半導体素子、上記電極端子、及び上記保護樹脂で覆った保護樹脂部を、モールド樹脂で封止するとともに、上記電力用半導体素子が固着されていない上記ヒートスプレッダ部分を、上記保護樹脂で覆ったことを特徴とする請求項１記載の電力用パワーモジュール。   The heat spreader, the power semiconductor element, the electrode terminal, and the protective resin portion covered with the protective resin are sealed with a mold resin, and the heat spreader portion to which the power semiconductor element is not fixed is protected. The power module for electric power according to claim 1, wherein the power module is covered with resin. 請求項３記載の保護樹脂部に、上記モールド樹脂が充填される複数の凹状部を設けたことを特徴とする請求項３記載の電力用パワーモジュール。   The power module for electric power according to claim 3, wherein the protective resin portion according to claim 3 is provided with a plurality of concave portions filled with the mold resin. 上記電力用半導体素子が固着されていないヒートスプレッダ部分に、上記保護樹脂を入り込ませる複数の凹部を設け、この凹部により上記保護樹脂が抜け出ないようにして上記保護樹脂が上記ヒートスプレッダ部分から剥離するのを防止したことを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれか１項に記載の電力用パワーモジュール。   The heat spreader part to which the power semiconductor element is not fixed is provided with a plurality of recesses for allowing the protection resin to enter, and the protection resin is separated from the heat spreader part by preventing the protection resin from coming out by the recesses. The power module for power according to any one of claims 2 to 4, wherein the power module is prevented. 上記保護樹脂は、上記ヒートスプレッダと上記電力用半導体素子間を接合するハンダよりも弾性率が小さいことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の電力用パワーモジュール。   6. The power module for power according to claim 1, wherein the protective resin has an elastic modulus smaller than that of solder that joins between the heat spreader and the power semiconductor element. 請求項１から請求項６記載のいずれか１項に記載の電力用パワーモジュールと、当該電力用パワーモジュールを冷却するヒートシンクを、固着層で一体化したことを特徴とする電力用半導体装置。   The power semiconductor device according to claim 1, wherein the power module according to claim 1 and a heat sink for cooling the power module are integrated with a fixing layer.
JP2011021679A 2011-02-03 2011-02-03 Power module for electric power, and semiconductor device for electric power Pending JP2012164697A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011021679A JP2012164697A (en) 2011-02-03 2011-02-03 Power module for electric power, and semiconductor device for electric power

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011021679A JP2012164697A (en) 2011-02-03 2011-02-03 Power module for electric power, and semiconductor device for electric power

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012164697A true JP2012164697A (en) 2012-08-30
JP2012164697A5 JP2012164697A5 (en) 2013-08-01

Family

ID=46843838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011021679A Pending JP2012164697A (en) 2011-02-03 2011-02-03 Power module for electric power, and semiconductor device for electric power

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012164697A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015029186A1 (en) * 2013-08-29 2015-03-05 三菱電機株式会社 Semiconductor module, semiconductor device, and automobile
JP2016096302A (en) * 2014-11-17 2016-05-26 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor device and method of manufacturing the same
WO2016125669A1 (en) * 2015-02-02 2016-08-11 株式会社村田製作所 Semiconductor module
WO2017138402A1 (en) * 2016-02-08 2017-08-17 ローム株式会社 Semiconductor device, power module, method for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing power module
JP2018063999A (en) * 2016-10-11 2018-04-19 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor device
CN115023805A (en) * 2020-02-06 2022-09-06 三菱电机株式会社 Semiconductor module and power conversion device
WO2024004026A1 (en) * 2022-06-28 2024-01-04 三菱電機株式会社 Semiconductor device and power conversion device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5556648A (en) * 1978-10-20 1980-04-25 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS5867050A (en) * 1981-10-16 1983-04-21 Nec Corp Resin seal type semiconductor device
JPH09213844A (en) * 1995-09-04 1997-08-15 Anam Ind Co Inc Heat sink internally installing type semiconductor package with double sealed part and its manufacture
JPH11243165A (en) * 1998-12-22 1999-09-07 Sanken Electric Co Ltd Semiconductor device
JP2010114257A (en) * 2008-11-06 2010-05-20 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2010219420A (en) * 2009-03-18 2010-09-30 Fuji Electric Systems Co Ltd Semiconductor device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5556648A (en) * 1978-10-20 1980-04-25 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS5867050A (en) * 1981-10-16 1983-04-21 Nec Corp Resin seal type semiconductor device
JPH09213844A (en) * 1995-09-04 1997-08-15 Anam Ind Co Inc Heat sink internally installing type semiconductor package with double sealed part and its manufacture
JPH11243165A (en) * 1998-12-22 1999-09-07 Sanken Electric Co Ltd Semiconductor device
JP2010114257A (en) * 2008-11-06 2010-05-20 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2010219420A (en) * 2009-03-18 2010-09-30 Fuji Electric Systems Co Ltd Semiconductor device

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112013007390B4 (en) 2013-08-29 2020-06-25 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor module, semiconductor device and vehicle
CN105493272A (en) * 2013-08-29 2016-04-13 三菱电机株式会社 Semiconductor module, semiconductor device, and automobile
US20160111345A1 (en) * 2013-08-29 2016-04-21 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor module, semiconductor device, and vehicle
WO2015029186A1 (en) * 2013-08-29 2015-03-05 三菱電機株式会社 Semiconductor module, semiconductor device, and automobile
US11239123B2 (en) * 2013-08-29 2022-02-01 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor module, semiconductor device, and vehicle
JP6020731B2 (en) * 2013-08-29 2016-11-02 三菱電機株式会社 Semiconductor module, semiconductor device, and automobile
JPWO2015029186A1 (en) * 2013-08-29 2017-03-02 三菱電機株式会社 Semiconductor module, semiconductor device, and automobile
JP2016096302A (en) * 2014-11-17 2016-05-26 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPWO2016125669A1 (en) * 2015-02-02 2017-10-12 株式会社村田製作所 Semiconductor module
WO2016125669A1 (en) * 2015-02-02 2016-08-11 株式会社村田製作所 Semiconductor module
WO2017138402A1 (en) * 2016-02-08 2017-08-17 ローム株式会社 Semiconductor device, power module, method for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing power module
JP2018063999A (en) * 2016-10-11 2018-04-19 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor device
CN115023805A (en) * 2020-02-06 2022-09-06 三菱电机株式会社 Semiconductor module and power conversion device
WO2024004026A1 (en) * 2022-06-28 2024-01-04 三菱電機株式会社 Semiconductor device and power conversion device
JP7493686B1 (en) 2022-06-28 2024-05-31 三菱電機株式会社 Semiconductor device and power conversion device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012164697A (en) Power module for electric power, and semiconductor device for electric power
TWI638461B (en) Semiconductor device and power converter
JP5306171B2 (en) Semiconductor device
JP6576108B2 (en) Power semiconductor device
JP2014216459A (en) Semiconductor device
JP2007311441A (en) Power semiconductor module
WO2014097798A1 (en) Semiconductor device
JP3988735B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5251791B2 (en) Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2016125419A1 (en) Semiconductor device
JP2006066813A (en) Semiconductor device
JP2009076703A (en) Semiconductor apparatus
US20150130042A1 (en) Semiconductor module with radiation fins
JP2007109880A (en) Semiconductor device
US9245954B2 (en) Semiconductor device and production method thereof
JP6360035B2 (en) Semiconductor device
WO2019038906A1 (en) Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device
JP6129090B2 (en) Power module and method for manufacturing power module
JP2012209470A (en) Semiconductor device, semiconductor device module, and manufacturing method of the semiconductor device
JP7419781B2 (en) semiconductor module
JP5761280B2 (en) Semiconductor package and manufacturing method thereof
JP6157320B2 (en) Power semiconductor device, power semiconductor module, and method of manufacturing power semiconductor device
JP5849935B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP2021141237A (en) Semiconductor device
JP5588766B2 (en) Semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130301

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130618

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131108

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131112

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131225

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140401