JP2012160491A - Substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus - Google Patents
Substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012160491A JP2012160491A JP2011017210A JP2011017210A JP2012160491A JP 2012160491 A JP2012160491 A JP 2012160491A JP 2011017210 A JP2011017210 A JP 2011017210A JP 2011017210 A JP2011017210 A JP 2011017210A JP 2012160491 A JP2012160491 A JP 2012160491A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- transfer
- insulating substrate
- arm
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
本発明は、基板搬送装置及び基板処理装置に関し、特に、絶縁性基板を搬送アームから分離する際の剥離帯電を低減するための構造を有する基板搬送装置、及びこのような基板搬送装置を用いた基板処理装置に関するものである。 The present invention relates to a substrate transfer apparatus and a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate transfer apparatus having a structure for reducing peeling charging when an insulating substrate is separated from a transfer arm, and such a substrate transfer apparatus. The present invention relates to a substrate processing apparatus.
従来から、物品の搬送装置には、帯電した物品の静電気をその搬送中に除去するものがあり、例えば特許文献１には、搬送中の物品に相対湿度の大きな空気を吹き付けるものが開示されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, there is an article transport apparatus that removes static electricity from a charged article during its transport. For example, Patent Document 1 discloses an apparatus that blows air having a high relative humidity onto an article being transported. Yes.
図６は、この特許文献１に開示の搬送装置を説明する図である。 FIG. 6 is a diagram for explaining the transport apparatus disclosed in Patent Document 1. In FIG.
この搬送装置２２０は液晶パネルに用いられるガラス基板１２を搬送するものである。この搬送装置２２０は、土台部材（図示せず）に配設されたレール１５と、該レール１５上に移動可能に設けられ、該ガラス基板１２を載置するステージ１１とを有している。またこの搬送装置２２０は、該レール１５の一端側に、該ステージ１１とボールネジ１４により連結して設けられ、該ボールネジ１４を回転させてステージを該レール１５上で移動させる駆動装置１３と、該レール１５の他端側に設けられ、回転テーブル２３を有する回転搬送部２０とを有している。この回転搬送部２０は、回転テーブル２３に回転シャフト２２により連結された回転駆動部２１と、該回転テーブル２３に取り付けられた搬送アーム２４とを有しており、該搬送アーム２４の下面には、該ステージ１１上に載置されているガラス基板を吸着する真空チャック１６が取付られている。 This conveyance device 220 conveys the glass substrate 12 used for a liquid crystal panel. The transfer device 220 includes a rail 15 disposed on a base member (not shown), and a stage 11 that is movably provided on the rail 15 and on which the glass substrate 12 is placed. The transport device 220 is provided on one end side of the rail 15 by being connected to the stage 11 by a ball screw 14, and the driving device 13 that rotates the ball screw 14 to move the stage on the rail 15; The rotary conveyance part 20 which is provided in the other end side of the rail 15 and has the turntable 23 is provided. The rotary transport unit 20 includes a rotation drive unit 21 connected to a rotary table 23 by a rotary shaft 22, and a transport arm 24 attached to the rotary table 23. A vacuum chuck 16 for adsorbing the glass substrate placed on the stage 11 is attached.
また、この搬送装置２２０は、搬送アーム２４に吸着されたガラス基板１２に加湿空気を吹き付ける送風装置３０を有している。この送風装置３０は、加湿器１７と、送風機１８と、送風機からの空気流を溜めるチャンバ１０とを有し、該チャンバ１０に設けられた排気口から加湿空気１０１を噴出すよう構成されている。 In addition, the transport device 220 includes a blower device 30 that blows humid air onto the glass substrate 12 adsorbed by the transport arm 24. The blower 30 includes a humidifier 17, a blower 18, and a chamber 10 that stores an air flow from the blower, and is configured to eject humidified air 101 from an exhaust port provided in the chamber 10. .
次に動作について説明する。 Next, the operation will be described.
この搬送装置２２０は、クリーンルーム内に設置され、ガラス基板の搬送を行う。 The transfer device 220 is installed in a clean room and transfers a glass substrate.
簡単に説明すると、ステージ１１上にガラス基板１２が載置されると、駆動装置１３がボールネジ１４を回転させ、これによりステージ１１が移動し、ガラス基板１２の搬送が開始される。該ステージ１１がその一端側から他端側に到達すると、回転搬送部２０が駆動し、搬送アーム２４の真空チャック１６により、ステージ１１上のガラス基板１２が吸着保持される。このようにガラス基板１２が保持された状態で、回転テーブル２３が回転することで、該ガラス基板は他の搬送レールを移動するステージ１１上に搬送されることとなる。 In brief, when the glass substrate 12 is placed on the stage 11, the driving device 13 rotates the ball screw 14, whereby the stage 11 moves and the conveyance of the glass substrate 12 is started. When the stage 11 reaches from the one end side to the other end side, the rotary transfer unit 20 is driven, and the glass substrate 12 on the stage 11 is sucked and held by the vacuum chuck 16 of the transfer arm 24. When the turntable 23 rotates with the glass substrate 12 held in this manner, the glass substrate is transported onto the stage 11 that moves on another transport rail.
この搬送装置２２０では、回転テーブル２３の回転によるガラス基板１２の搬送中に、該ガラス基板１２に送風装置３０からの加湿空気１０１が吹き付けられ、これにより帯電したガラス基板１２の除電が行われる。 In the transport device 220, while the glass substrate 12 is transported by the rotation of the turntable 23, the humidified air 101 from the blower device 30 is blown onto the glass substrate 12, whereby the charged glass substrate 12 is neutralized.
ところが、このような搬送装置では、ガラス基板の表面側の静電気はその搬送中に除去できるが、ステージ１１上に載置されたガラス基板１２をステージ１１から分離する場合などの剥離帯電により生じたガラス基板の裏面側に生じた静電気を除去することは、ガラス基板などの絶縁性基板の表面側に加湿空気を吹き付ける方法では本質的に不可能である。 However, in such a transfer apparatus, the static electricity on the surface side of the glass substrate can be removed during the transfer, but it is caused by peeling charging when the glass substrate 12 placed on the stage 11 is separated from the stage 11 or the like. It is essentially impossible to remove static electricity generated on the back side of the glass substrate by a method in which humidified air is blown onto the surface side of an insulating substrate such as a glass substrate.
このような絶縁性基板の裏面側に生じた静電気をその搬送中に除去可能な除電搬送装置としては、例えば、特許文献２に開示のものがあり、以下簡単に説明する。 As an example of a static elimination transfer device capable of removing static electricity generated on the back side of the insulating substrate during the transfer, for example, there is a device disclosed in Patent Document 2, which will be briefly described below.
図７は、特許文献２に開示の除電搬送装置を説明する斜視図である。 FIG. 7 is a perspective view for explaining the static elimination transport device disclosed in Patent Document 2. FIG.
この除電搬送装置２００は、ウエハ２００ａをカセット２０１に収容して搬送する際にウエハの静電気を除去するものであり、支持部材２１１によって支持された装置本体２１２を備えている。この装置本体２１２には、前後方向（ｙ方向）に延びる左右一対の旋回軸２２３，２２４が設けられている。 The static elimination transfer device 200 is for removing static electricity from a wafer when the wafer 200 a is accommodated in the cassette 201 and transferred, and includes a device main body 212 supported by a support member 211. The apparatus main body 212 is provided with a pair of left and right turning shafts 223 and 224 extending in the front-rear direction (y direction).
一方の旋回軸２２３には、一対の補助アーム２１３ａ，２１３ｂが取り付けられている。これらの補助アーム２１３ａ，２１３ｂには係合アーム２１５が取り付けられている。係合アーム２１５は、補助アーム２１３ａから延びる直線状部分１１５ａと、補助アーム２１３ｂから延びる直線状部分２１５ｃと、これらの直線状部分２１５ａ，２１５ｃの先端を連結するフック部２１５ｂとを含んでいる。このフック部２１５ｂは、搬送すべきカセット２０１のフランジ部２０４と係合する部分である。 A pair of auxiliary arms 213a and 213b is attached to one turning shaft 223. An engagement arm 215 is attached to these auxiliary arms 213a and 213b. The engagement arm 215 includes a linear portion 115a extending from the auxiliary arm 213a, a linear portion 215c extending from the auxiliary arm 213b, and a hook portion 215b connecting the tips of these linear portions 215a and 215c. The hook portion 215b is a portion that engages with the flange portion 204 of the cassette 201 to be transported.
他方の旋回軸２２４にも、上記旋回軸２２３全く同様に、一対の補助アーム２１６ａ，２１６ｂと、係合アーム２１６とが取り付けられている。係合アーム２１６は、直線状部分２１６ａ，２１６ｃと、フック部２１６ｂとを含み、フック部２１６ｂは、搬送すべきカセット２０１のフランジ部２０４と係合する部分である。 A pair of auxiliary arms 216 a and 216 b and an engagement arm 216 are attached to the other turning shaft 224 in the same manner as the turning shaft 223. The engagement arm 216 includes linear portions 216a and 216c and a hook portion 216b. The hook portion 216b is a portion that engages with the flange portion 204 of the cassette 201 to be transported.
上記装置本体２１２には、旋回軸２２３，２２４を回動させるためのステッピングモータが内蔵されている。旋回軸２２３，２２４が回動すると、補助アーム２１３ａ，２１３ｂ，２１４ａ，２１４ｂとともに係合アーム２１５，２１６のフック部２１５ｂ，２１６ｂが、円弧α，βで示すように回動する。 The apparatus main body 212 incorporates a stepping motor for rotating the turning shafts 223 and 224. When the pivot shafts 223 and 224 are rotated, the hook portions 215b and 216b of the engaging arms 215 and 216 together with the auxiliary arms 213a, 213b, 214a, and 214b are rotated as indicated by arcs α and β.
また、上記カセット２０１は、４フッ化樹脂からなる市販のウエハキャリアであり、ウエハ２００ａを収容するカセット本体２０２と、このカセット本体２０２の下部から下方へ突出した一対の脚部２０３とを有しており、このカセット本体２０２の上部側縁部は、外向きに突出した形状となっており、この部分は上記フランジ部２０４となっている。 The cassette 201 is a commercially available wafer carrier made of tetrafluororesin, and has a cassette body 202 that accommodates the wafer 200a and a pair of legs 203 that project downward from the lower portion of the cassette body 202. The upper side edge of the cassette main body 202 has a shape protruding outward, and this portion is the flange portion 204.
なお、上記カセット本体２０２には、円板状の半導体ウエハ２００ａを立てて収容するための溝（図示せず）が複数形成されている。 The cassette body 202 is formed with a plurality of grooves (not shown) for receiving the disk-shaped semiconductor wafer 200a in an upright manner.
そして、この除電搬送装置２００の装置本体２１２の下面には、カセット２０１に収容された半導体ウエハ２００ａへ向けてイオンを放出するイオナイザ２５１，２５２が取り付けられている。なお、図中、Ｄは、イオナイザ２５１，２５２から放出されるイオンの到達範囲を示している。 Further, ionizers 251 and 252 that emit ions toward the semiconductor wafer 200 a accommodated in the cassette 201 are attached to the lower surface of the apparatus main body 212 of the static elimination transport apparatus 200. In the figure, D indicates the reach range of ions emitted from the ionizers 251 and 252.
このような除電搬送装置２００では、上記補助アーム２１３ａ，２１３ｂとともに係合アーム２１５，２１６が回動して、係合アーム２１５，２１６のフック部２１５ｂ，２１６ｂがカセット２０１のフランジ部２０４と係合することにより、除電搬送装置２００の装置本体２１２の下方に、半導体ウエハ２００ａを収容したカセット２０１が保持される。 In such a static elimination transfer device 200, the engagement arms 215 and 216 rotate together with the auxiliary arms 213a and 213b, and the hook portions 215b and 216b of the engagement arms 215 and 216 engage with the flange portion 204 of the cassette 201. As a result, the cassette 201 containing the semiconductor wafer 200 a is held below the apparatus main body 212 of the static elimination transfer apparatus 200.
半導体ウエハ２００ａを収容したカセット２０１は、そのように保持された状態で除電搬送装置２００によって、上下方向（ｚ方向）及び水平方向（ｘ方向）搬送される。 The cassette 201 containing the semiconductor wafer 200a is transported in the vertical direction (z direction) and the horizontal direction (x direction) by the static elimination transport device 200 in such a state that the cassette 201 is held.
この搬送中には、帯電したウエハの静電気がイオナイザ２５１及び５２２から放出されるイオンにより中和されてウエハの除電が行われ、この場合は、ウエハの表面側に生じた静電気もウエハの裏面側に生じた静電気も除去されることとなる。 During this transfer, the static electricity of the charged wafer is neutralized by the ions released from the ionizers 251 and 522, and the wafer is neutralized. In this case, the static electricity generated on the front side of the wafer is also on the back side of the wafer. The static electricity generated in this is also removed.
さらに、特許文献３には、ガラス基板などの絶縁性基板の裏面側の帯電に対する対策、つまりガラス基板を作業ステージから剥離する際の剥離帯電に対する対策が開示されている。 Further, Patent Document 3 discloses a countermeasure against charging on the back side of an insulating substrate such as a glass substrate, that is, a countermeasure against peeling charging when the glass substrate is peeled off from the work stage.
図８は、特許文献３に開示の除電機能付き基板搬送アームを説明する図であり、図８（ａ）は外観を示す平面図であり、図８（ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図である。 8A and 8B are diagrams for explaining a substrate transfer arm with a static elimination function disclosed in Patent Document 3, FIG. 8A is a plan view showing an appearance, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. It is.
基板搬送アーム３０１は、アーム本体３０２と、アーム本体３０２に一体に形成された左右一対の支持アーム３０３と、これら支持アーム３０３上に対向するように配設され、それぞれネジ３０４により固定された２組の基板支持部材３０５と、各基板支持部材３０５に設けられた吸着パッド（真空吸着部）３０６とを備えている。 The substrate transfer arm 301 is arranged so as to face the arm main body 302, a pair of left and right support arms 303 formed integrally with the arm main body 302, and these support arms 303, and is fixed by screws 304, respectively. A set of substrate support members 305 and suction pads (vacuum suction portions) 306 provided on each substrate support member 305 are provided.
この吸着パッド３０６は弾性部材からなり、吸着パッド３０６の内部は、基板支持部材３０５内に形成された吸引通路３０７に接続され、さらにジョイント３０８を介して吸引管３０９に接続され、吸引管３０９はアーム本体３０２に配設された真空ポンプ３１０に接続されている。そして、一対の支持アーム３０３上の基板支持部材３０５の間の部分には、イオン発生装置３１１が装着されている。なお、図中、３１１ａはイオン発生装置３１１の電極である。 The suction pad 306 is made of an elastic member, and the inside of the suction pad 306 is connected to a suction passage 307 formed in the substrate support member 305, and further connected to a suction pipe 309 via a joint 308. It is connected to a vacuum pump 310 disposed on the arm main body 302. An ion generator 311 is mounted between the substrate support member 305 on the pair of support arms 303. In the figure, reference numeral 311a denotes an electrode of the ion generator 311.
なお、イオン発生方式としては、パルス直流方式または軟Ｘ線方式が好ましいが、通常の直流方式や交流方式等でもよい。 As the ion generation method, a pulse direct current method or a soft X-ray method is preferable, but a normal direct current method or an alternating current method may be used.
このような構成の基板搬送アーム３０１は、絶縁性基板３１２の下面周縁部を吸着パッド３０６上に載せた後、真空ポンプ３１０により真空引きを行うことにより絶縁性基板３１２を固定し、搬送ラインに沿って作業ステージ３１３上に移動する。 The substrate transfer arm 301 having such a configuration fixes the insulating substrate 312 by evacuating it with the vacuum pump 310 after placing the peripheral edge of the lower surface of the insulating substrate 312 on the suction pad 306 and fixing it to the transfer line. Along the work stage 313.
作業ステージ３１３には、吸着パッド３０６を収納可能にする段差部３１３ａが形成されており、吸着パッド３０６が段差部３１３ａ内に沈み込み、基板３１２が作業ステージ３１３上に載置されると、吸着パッド３０６の真空引きが解除される。 The work stage 313 is formed with a stepped portion 313a that can accommodate the suction pad 306. When the suction pad 306 sinks into the stepped portion 313a and the substrate 312 is placed on the work stage 313, suction is performed. The evacuation of the pad 306 is released.
作業ステージ３１３では、真空吸着により絶縁性基板３１２が固定され、作業ステージ３１３での処理が終了すると、再び吸着パッド３０６の真空引き行って絶縁性基板３１２が基板搬送アーム３０１に固定され、基板搬送アーム３０１は上方に移動して次工程の処理のための作業ステージに基板を搬送する。 In the work stage 313, the insulating substrate 312 is fixed by vacuum suction. When the processing in the work stage 313 is completed, the suction pad 306 is evacuated again, and the insulating substrate 312 is fixed to the substrate transport arm 301 to transport the substrate. The arm 301 moves upward and transports the substrate to the work stage for the next process.
この除電機能付き基板搬送アーム３０１では、基板の搬送中はもとより、基板のステージへの脱着時において、絶縁性基板３１２の裏面及びステージ３１３の上面の空間に向けて正と負のイオン化フローを送り込むことにより、絶縁性基板３１２及びステージ３１３に帯電する電荷を中和させている。このため、絶縁性基板３１２を作業ステージ３１３から剥離する場合に剥離帯電が生じることがなく、作業ステージから絶縁性基板を容易に剥離することができる。 In the substrate transfer arm 301 with a charge eliminating function, positive and negative ionization flows are sent to the space on the back surface of the insulating substrate 312 and the top surface of the stage 313 when the substrate is being transferred to and removed from the stage. As a result, the charges charged on the insulating substrate 312 and the stage 313 are neutralized. For this reason, when the insulating substrate 312 is peeled from the work stage 313, no peeling electrification occurs, and the insulating substrate can be easily peeled from the work stage.
しかしながら、特許文献１に開示の搬送装置では、上述したように、サファイア基板などの絶縁性基板の剥離帯電により基板裏面側に生じた静電気を除去することは困難である。 However, in the transport device disclosed in Patent Document 1, it is difficult to remove static electricity generated on the back side of the substrate due to peeling charging of an insulating substrate such as a sapphire substrate, as described above.
また、特許文献２及び３の搬送装置では、絶縁性基板の裏面側に生じた静電気、特に特許文献３の搬送装置では、作業ステージ３１３や基板搬送アーム３０２上に載置された絶縁性基板を作業ステージ３１３や基板搬送アーム３０２から分離する場合の剥離帯電により絶縁性基板の裏面側に生じた静電気を除去することは可能であるが、イオナイザーを設ける必要があり、装置の構成が大掛かりになり、また搬送装置のコスト増大を招くといった問題がある。 In addition, in the transport apparatuses of Patent Documents 2 and 3, static electricity generated on the back side of the insulating substrate, particularly in the transport apparatus of Patent Document 3, an insulating substrate placed on the work stage 313 or the substrate transport arm 302 is used. Although it is possible to remove static electricity generated on the back side of the insulating substrate due to peeling charging when separating from the work stage 313 or the substrate transfer arm 302, it is necessary to provide an ionizer, which increases the size of the apparatus. In addition, there is a problem that the cost of the transfer device is increased.
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、サファイア基板などの絶縁性基板の剥離帯電、特に搬送アームから絶縁性基板を引き離す際に生ずる剥離帯電を簡単な構成で低減することができる基板搬送装置、及びこのような基板搬送装置を装備した基板処理装置を得ることを目的とする。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and has a simple configuration for peeling charging of an insulating substrate such as a sapphire substrate, particularly peeling charging generated when the insulating substrate is pulled away from the transfer arm. It is an object of the present invention to obtain a substrate transfer apparatus that can be reduced by the above-described method and a substrate processing apparatus equipped with such a substrate transfer apparatus.
本発明に係る基板搬送装置は、種々の処理の対象となる絶縁性基板を搬送する基板搬送装置であって、該絶縁性基板を載置して一枚ごとに搬送する搬送アームを備え、該搬送アームは、少なくとも、該搬送アームの該絶縁性基板と接触する基板載置部に、該基板載置部と該絶縁性基板との摩擦係数が低減されるよう表面加工を施したものであり、そのことにより上記目的が達成される。 A substrate transport apparatus according to the present invention is a substrate transport apparatus for transporting an insulating substrate to be subjected to various processes, and includes a transport arm for placing the insulating substrate and transporting the substrates one by one, The transfer arm is obtained by subjecting at least a substrate mounting portion of the transfer arm that comes into contact with the insulating substrate so that a friction coefficient between the substrate mounting portion and the insulating substrate is reduced. This achieves the above object.
本発明は、上記基板搬送装置において、前記搬送アームは、前記基板載置部の表面に、該搬送アームの構成材料に比べて表面エネルギーの小さいコート膜を形成したものであることが好ましい。 In the substrate transport apparatus according to the present invention, it is preferable that the transport arm is formed by forming a coat film having a surface energy smaller than that of a constituent material of the transport arm on the surface of the substrate mounting portion.
本発明は、上記基板搬送装置において、前記搬送アームは、前記基板載置部の表面を、前記絶縁性基板と該基板載置部との接触面積が小さくなるよう微細な凹凸形状にしたものであることが好ましい。 In the substrate transport apparatus according to the present invention, the transport arm is configured such that a surface of the substrate platform is finely concavo-convex so that a contact area between the insulating substrate and the substrate platform is small. Preferably there is.
本発明は、上記基板搬送装置において、前記搬送アームは、前記基板載置部から前記絶縁性基板を引き剥がす際の剥離帯電による電荷が接地側に逃げるよう、少なくとも前記基板載置部の表面に導電性コート膜を形成したものであることが好ましい。 According to the present invention, in the substrate transport apparatus, the transport arm is disposed on at least a surface of the substrate platform so that electric charges due to peeling electrification when the insulating substrate is peeled off from the substrate platform are discharged to the ground side. It is preferable that a conductive coating film is formed.
本発明は、上記基板搬送装置において、前記搬送アームを移動可能に支持するアーム支持機構を有し、該搬送アームは、前記基板載置部から接地側への放電経路が形成されるよう、該アーム支持機構を介してアースされていることが好ましい。 In the substrate transport apparatus, the present invention includes an arm support mechanism that movably supports the transport arm, and the transport arm forms the discharge path from the substrate platform to the ground side. It is preferable to be grounded via an arm support mechanism.
本発明は、上記基板搬送装置において、前記絶縁性基板はサファイア基板であることが好ましい。 In the substrate transport apparatus according to the present invention, the insulating substrate is preferably a sapphire substrate.
本発明は、上記基板搬送装置において、前記搬送アームは、その表面の全面に導電性部材の塗布により前記導電性コート膜を形成したものであることが好ましい。 In the substrate transport apparatus according to the present invention, it is preferable that the transport arm has the conductive coat film formed on the entire surface by coating a conductive member.
本発明は、上記基板搬送装置において、前記導電性コート膜は、１０６〜１０１０Ω・ｍの範囲の表面抵抗を有していることが好ましい。 In the substrate transport apparatus according to the present invention, it is preferable that the conductive coating film has a surface resistance in a range of 10 6 to 10 10 Ω · m.
本発明は、上記基板搬送装置において、前記搬送アームの前記基板載置部に形成する導電性コート膜を、前記搬送アームの、該基板載置部以外の部分に形成する導電性コート膜より、該基板載置部との密着性の高い材料で構成したことが好ましい。 The present invention provides the substrate transport apparatus, wherein the conductive coat film formed on the substrate placement portion of the transport arm is formed of a conductive coat film formed on a portion of the transport arm other than the substrate placement portion, It is preferable to use a material having high adhesion to the substrate mounting portion.
本発明に係る基板処理装置は、絶縁性基板を処理する基板処理装置であって、該絶縁性基板を処理するための複数の処理チャンバと、該複数の処理チャンバに隣接して設けられたロードロック室とを有し、該ロードロック室には、前記複数の処理チャンバの相互間で該絶縁性基板を搬送する内部搬送装置が設けられており、該内部搬送装置は、上述した本発明に係る基板搬送装置であり、そのことにより上記目的が達成される。 A substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus for processing an insulating substrate, and a plurality of processing chambers for processing the insulating substrate, and a load provided adjacent to the plurality of processing chambers. A lock chamber, and the load lock chamber is provided with an internal transfer device for transferring the insulating substrate between the plurality of processing chambers. Such a substrate transfer apparatus achieves the above object.
本発明に係る基板処理装置は、絶縁性基板を処理する基板処理装置であって、該絶縁性基板を処理するための複数の処理チャンバと、該複数の処理チャンバに隣接して設けられたロードロック室と、前記絶縁性基板を格納する基板格納部と、該基板格納部と前記ロードロック室との間で該絶縁性基板を搬送する外部搬送装置とを有し、該外部搬送装置は、上述した本発明に係る基板搬送装置であり、そのことにより上記目的が達成される。 A substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus for processing an insulating substrate, and a plurality of processing chambers for processing the insulating substrate, and a load provided adjacent to the plurality of processing chambers. A lock chamber; a substrate storage portion that stores the insulating substrate; and an external transfer device that transfers the insulating substrate between the substrate storage portion and the load lock chamber. The substrate transport apparatus according to the present invention described above achieves the above object.
本発明に係る基板処理装置は、絶縁性基板を処理する基板処理装置であって、該絶縁性基板を処理するための複数の処理チャンバと、該複数の処理チャンバに隣接して設けられたロードロック室と、該ロードロック室に設けられ、前記複数の処理チャンバの相互間で該絶縁性基板を搬送する内部搬送装置と、前記絶縁性基板を格納する基板格納部と、該基板格納部と前記ロードロック室との間で該絶縁性基板を搬送する外部搬送装置とを有し、該外部搬送装置及び該内部搬送装置として、上述した本発明に係る基板搬送装置が用いられており、そのことにより上記目的が達成される。 A substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus for processing an insulating substrate, and a plurality of processing chambers for processing the insulating substrate, and a load provided adjacent to the plurality of processing chambers. A lock chamber; an internal transfer device that is provided in the load lock chamber and transfers the insulating substrate between the plurality of processing chambers; a substrate storage portion that stores the insulating substrate; and a substrate storage portion; An external transfer device that transfers the insulating substrate to and from the load lock chamber, and the substrate transfer device according to the present invention described above is used as the external transfer device and the internal transfer device. This achieves the above object.
本発明は、上記基板処理装置において、前記処理チャンバは、前記絶縁性基板上にスパッタ装置、ＣＶＤ装置、あるいはエッチング装置を構成する真空チャンバであることが好ましい。 In the substrate processing apparatus according to the present invention, it is preferable that the processing chamber is a vacuum chamber constituting a sputtering apparatus, a CVD apparatus, or an etching apparatus on the insulating substrate.
次に作用について説明する。 Next, the operation will be described.
本発明においては、各種処理の対象となる絶縁性基板を搬送する基板搬送装置において、該絶縁性基板を載置して一枚ごとに搬送する搬送アームを備え、該搬送アームを、少なくとも、該搬送アームの該絶縁性基板と接触する基板載置部に、該基板載置部と該絶縁性基板との摩擦係数が低減されるよう表面加工を施した構造としたので、該搬送アーム上に載置された絶縁性基板を該搬送アームから引き離す際に生ずる剥離帯電を簡単な構成で低減することができ、搬送アームの交換などによるランニングコストを抑えることができる。 In the present invention, a substrate transfer apparatus for transferring an insulating substrate to be subjected to various types of processing includes a transfer arm that carries the insulating substrate and transfers the individual substrates one by one, and the transfer arm includes at least the transfer arm. Since the substrate mounting portion of the transfer arm that comes into contact with the insulating substrate is subjected to surface processing so as to reduce the friction coefficient between the substrate mounting portion and the insulating substrate, It is possible to reduce the peeling electrification generated when the placed insulating substrate is separated from the transfer arm with a simple configuration, and to reduce the running cost due to the exchange of the transfer arm.
また、本発明においては、前記搬送アームの基板載置部の表面に、該搬送アームの構成材料に比べて表面エネルギーの小さいコート膜を形成したので、さらに摩擦による剥離帯電を低減することができる。 In the present invention, since the coat film having a surface energy smaller than that of the constituent material of the transfer arm is formed on the surface of the substrate mounting portion of the transfer arm, peeling electrification due to friction can be further reduced. .
また、本発明では、前記搬送アームの基板載置部の表面を、前記絶縁性基板と該基板載置部との接触面積が小さくなるよう微細な凹凸形状にしたので、さらに摩擦による剥離帯電を低減することができる。 In the present invention, the surface of the substrate mounting portion of the transfer arm is formed in a fine uneven shape so that the contact area between the insulating substrate and the substrate mounting portion is small. Can be reduced.
また、本発明では、前記搬送アームを、前記基板載置部から前記絶縁性基板を引き剥がす際の剥離帯電による電荷が接地側に逃げるよう、少なくとも前記基板載置部の表面に導電性コート膜を形成した構造としたので、剥離帯電により生じた電荷を放電することで、絶縁性基板での剥離帯電による電荷蓄積をほとんどなくすことができる。 Further, in the present invention, at least the surface of the substrate mounting portion has a conductive coating film so that electric charges due to peeling electrification at the time of peeling the insulating substrate from the substrate mounting portion escape to the ground side. Since the structure is formed, the charge generated by the peeling charge is discharged, so that the charge accumulation due to the peeling charge on the insulating substrate can be almost eliminated.
以上のように、本発明によれば、サファイア基板などの絶縁性基板の剥離帯電、特に搬送アームから絶縁性基板を引き離す際に生ずる剥離帯電を簡単な構成で低減することができる基板搬送装置、及びこのような基板搬送装置を装備した基板処理装置を得ることができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to reduce the peeling charge of an insulating substrate such as a sapphire substrate, particularly the peeling charge generated when the insulating substrate is pulled away from the transfer arm, with a simple configuration, And the substrate processing apparatus equipped with such a substrate conveyance apparatus can be obtained.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
（実施形態１）
図１は本発明の実施形態１による基板処理装置を説明する全体構成図であり、図２は、この基板処理装置に装備されている基板搬送装置の要部を説明する図であり、図２（ａ）はアーム支持機構の側面図、図２（ｂ）は、搬送アームの平面図、図２（ｃ）は搬送アームの断面図、図２（ｄ）は、実施形態１の変形例の搬送アームの平面図、図２（ｅ）は実施形態１の搬送アームの表面形状を示す断面図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is an overall configuration diagram for explaining a substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a diagram for explaining a main part of a substrate transfer apparatus equipped in the substrate processing apparatus. 2A is a side view of the arm support mechanism, FIG. 2B is a plan view of the transfer arm, FIG. 2C is a cross-sectional view of the transfer arm, and FIG. 2D is a modification of the first embodiment. FIG. 2E is a cross-sectional view showing the surface shape of the transfer arm according to the first embodiment.
本実施形態の基板処理装置１は、サファイア基板Ｗ５などの絶縁性基板を処理する基板処理装置である。この基板処理装置１は、該絶縁性基板を処理するための複数の処理チャンバ１３０ａ〜１３０ｃと、該複数の処理チャンバに隣接して設けられたロードロック室１２０とを有している。 The substrate processing apparatus 1 of this embodiment is a substrate processing apparatus that processes an insulating substrate such as a sapphire substrate W5. The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of processing chambers 130a to 130c for processing the insulating substrate, and a load lock chamber 120 provided adjacent to the plurality of processing chambers.
ここで、このロードロック室１２０には、該ロードロック室１２０に絶縁性基板を装填するためのロードポート１４０が設けられており、また該ロードロック室１２０内には、複数の処理チャンバ１３０ａ〜１３０ｃの相互間で該絶縁性基板を搬送する内部搬送装置１００が設けられている。また、前記処理チャンバの少なくとも１つは、スパッタ装置のチャンバ、つまり前記絶縁性基板上にスパッタ蒸着により種々の半導体層を形成するための真空チャンバである。 Here, the load lock chamber 120 is provided with a load port 140 for loading an insulating substrate into the load lock chamber 120, and the load lock chamber 120 includes a plurality of processing chambers 130a to 130a. An internal transfer device 100 is provided for transferring the insulating substrate 130c. Further, at least one of the processing chambers is a chamber of a sputtering apparatus, that is, a vacuum chamber for forming various semiconductor layers on the insulating substrate by sputtering deposition.
なお、上記処理チャンバは、スパッタ装置のチャンバに限定されるものではなく、例えば、化学気相成長により絶縁性基板上に半導体層あるいは絶縁層を形成するＣＶＤ装置のチャンバでもよく、さらに、絶縁性基板、絶縁性基板上に形成された半導体層あるいは絶縁層を、プラズマエッチング処理などの気相エッチングするエッチング装置のチャンバでもよい。 The processing chamber is not limited to the chamber of the sputtering apparatus. For example, it may be a chamber of a CVD apparatus that forms a semiconductor layer or an insulating layer on an insulating substrate by chemical vapor deposition. It may be a chamber of an etching apparatus that performs vapor phase etching such as plasma etching on a substrate, a semiconductor layer or an insulating layer formed on an insulating substrate.
また、基板処理装置１は、処理の対象となる絶縁膜基板を格納する基板格納部として、絶縁性基板を１枚ごとに分離して格納する基板格納カセット１６０を有している。 In addition, the substrate processing apparatus 1 has a substrate storage cassette 160 that separates and stores insulating substrates one by one as a substrate storage unit that stores an insulating film substrate to be processed.
そして、この基板格納カセット１６０と該ロードロック室１２０のロードポート１４０との間には、これらの間で絶縁性基板を搬送する外部搬送装置１００ａが設けられている。 Between the substrate storage cassette 160 and the load port 140 of the load lock chamber 120, an external transfer device 100a for transferring an insulating substrate is provided.
ここでは、前記内部搬送装置１００及び外部搬送装置１００ａはそれぞれ、種々の処理の対象となる絶縁性基板を異なる処理チャンバ内の基板載置ステージ間で移動させる、言い換えると、該絶縁性基板を載置する基板載置ステージ上に搬入するとともに、該基板載置ステージ上から搬出させるものであり、これらは同一の構成を有している。 Here, each of the internal transfer device 100 and the external transfer device 100a moves the insulating substrate to be subjected to various processes between the substrate mounting stages in different processing chambers, in other words, the insulating substrate is mounted. The substrate is loaded onto the substrate placement stage to be placed and unloaded from the substrate placement stage, and these have the same configuration.
例えば、内部搬送装置１００は、絶縁性基板を載置して一枚ごとに搬送する搬送アーム１５１を備えている。 For example, the internal transfer device 100 includes a transfer arm 151 that places an insulating substrate and transfers the substrate one by one.
この搬送アーム１５１は、少なくとも、該搬送アームの該絶縁性基板Ｗ５と接触する基板載置部に、該基板載置部と該絶縁性基板との摩擦係数が低減されるよう表面加工を施した構造となっている。 The transfer arm 151 is subjected to surface processing so that a friction coefficient between the substrate mounting portion and the insulating substrate is reduced at least on the substrate mounting portion that contacts the insulating substrate W5 of the transfer arm. It has a structure.
具体的には、搬送アーム１５１は、基板載置部の表面を、絶縁性基板Ｗ５と該基板載置部との接触面積が小さくなるよう、微細な凹凸形状にしたものである。なお、図２（ｅ）は、搬送アーム１５１の、凹凸形状になるよう加工した基板載置部の表面１５１ｃを概念的に示している。この凹凸形状は、顕微鏡などで拡大したときに観察できる形状であり、実際には、目の細かいサンドペーパなどの表面の凸凹形状に相当するものである。 Specifically, the transfer arm 151 is formed with a fine uneven shape on the surface of the substrate platform so that the contact area between the insulating substrate W5 and the substrate platform is reduced. Note that FIG. 2E conceptually shows the surface 151c of the substrate mounting portion of the transfer arm 151 processed so as to have an uneven shape. This concavo-convex shape is a shape that can be observed when magnified with a microscope or the like, and actually corresponds to a concavo-convex shape on the surface of fine sandpaper or the like.
なお、搬送アームに対する凹凸形状の加工は、搬送アームの基板載置部の表面のみではなく、搬送アームの表面全面に対して行ってもよい。 In addition, you may perform the process of uneven | corrugated shape with respect to a conveyance arm not only on the surface of the board | substrate mounting part of a conveyance arm but the whole surface of a conveyance arm.
さらに、上記のように、搬送アーム１５１の表面の基板載置部、あるいは表面全面を凹凸形状に加工する代わりに、搬送アーム１５１の表面の基板載置部、あるいは表面全面に、搬送アームの構成材料、例えばセラミックに比べて表面エネルギーの小さい絶縁性のコート膜を形成してもよい。 Further, as described above, instead of processing the substrate mounting portion on the surface of the transfer arm 151 or the entire surface of the transfer arm 151 into a concavo-convex shape, the structure of the transfer arm on the substrate mounting portion on the surface of the transfer arm 151 or the entire surface An insulating coating film having a surface energy smaller than that of a material such as ceramic may be formed.
さらには、搬送アーム１５１には、前記基板載置部から前記絶縁性基板を引き剥がす際の剥離帯電による電荷が接地側に逃げるよう、少なくとも前記基板載置部の表面に導電性コート膜１５１ａが形成されている。 Furthermore, the transfer arm 151 has a conductive coating film 151a on at least the surface of the substrate mounting portion so that charges due to peeling charging when the insulating substrate is peeled off from the substrate mounting portion escape to the ground side. Is formed.
つまり、この実施形態１の基板搬送装置１００では、搬送アーム１５１は、基板載置部の表面を、絶縁性基板Ｗ５と該基板載置部との接触面積が小さくなるよう、微細な凹凸形状にし、さらに、搬送アーム１５１を構成するセラミック材料の表面に導電樹脂を導電性コート膜１５１ａとしてコートした構造を有している。 That is, in the substrate transfer apparatus 100 of the first embodiment, the transfer arm 151 has a fine uneven shape on the surface of the substrate platform so that the contact area between the insulating substrate W5 and the substrate platform is reduced. Furthermore, the surface of the ceramic material constituting the transfer arm 151 has a structure in which a conductive resin is coated as a conductive coating film 151a.
また、ここでは、導電性コート膜１５１ａとしては、表面抵抗が１０６〜１０１０（Ω・ｍ）であるものを用いている。この表面抵抗の値は、導電性樹脂膜１５１ａの表面に単位距離だけ離して一対の電極針を接触させて、この電極針の間に印加する電圧を該電極針間で流れる電流で除算して得られる値である。 Here, as the conductive coating film 151a, one having a surface resistance of 10 6 to 10 10 (Ω · m) is used. The value of this surface resistance is obtained by dividing the voltage applied between the electrode needles by the current flowing between the electrode needles by bringing a pair of electrode needles into contact with the surface of the conductive resin film 151a by a unit distance. This is the value obtained.
ただし、上記搬送アームは、上記導電性コート膜を用いないで、その表面の基板載置部あるいは表面全面を、絶縁性基板Ｗ５と該基板載置部との接触面積が小さくなるよう、微細な凹凸形状にしただけの搬送アーム、あるいは表面全面に、搬送アームの構成材料、例えばセラミックに比べて表面エネルギーの小さい絶縁性のコート膜を形成しただけのものでもよい。図２（ｄ）には、このような構造の搬送アーム１６１を示しており、その斜線部は、微細な凹凸形状を形成した部分、あるいは表面エネルギーの小さい絶縁性のコート膜を形成した部分を示している。 However, the transfer arm does not use the conductive coating film, and the substrate mounting part on the surface or the entire surface is fine so that the contact area between the insulating substrate W5 and the substrate mounting part becomes small. The transfer arm may be simply formed in an uneven shape, or may be formed by forming an insulating coating film having a surface energy smaller than that of a material constituting the transfer arm, for example, ceramic, on the entire surface. FIG. 2D shows the transport arm 161 having such a structure, and the hatched portion is a portion where a fine uneven shape is formed or a portion where an insulating coating film having a small surface energy is formed. Show.
そして、内部搬送装置１００は前記搬送アームを移動可能に支持するアーム支持機構１ａを有し、該搬送アーム１５１の導電性コート膜１５１ａは、該アーム支持機構１ａを介してアースされている。 The internal transfer device 100 has an arm support mechanism 1a that movably supports the transfer arm, and the conductive coating film 151a of the transfer arm 151 is grounded via the arm support mechanism 1a.
つまり、該アーム支持機構１ａでは、該搬送アーム１５１は、取付部材１１０ａにより、ベース部材１１１上にそのガイド溝１１１ａに沿って移動可能に設けられた可動ステージ１１０に取付られており、また、ベース部材１１１は、基板処理装置本体の固定部材（図示せず）に回転可能に取付られている。 That is, in the arm support mechanism 1a, the transfer arm 151 is attached to the movable stage 110 provided on the base member 111 so as to be movable along the guide groove 111a by the attachment member 110a. The member 111 is rotatably attached to a fixing member (not shown) of the substrate processing apparatus main body.
ここで、搬送アーム１５１は、図２（ｃ）に示すように、セラミックからなるその本体部分の表面全面に導電性部材の塗布により導電性コート膜１５１ａを形成した構造となっている。なお、導電性コート膜１５１ａは、搬送アームの表面全面に形成するのではなく、搬送アームの、絶縁性基板と接触する基板載置部に選択的に形成してもよい。その場合、形成した導電性コート膜からアーム支持機構介してアースに電荷を放電するための放電経路を別途形成する必要がある。 Here, as shown in FIG. 2C, the transfer arm 151 has a structure in which a conductive coating film 151a is formed on the entire surface of the main body portion made of ceramic by applying a conductive member. Note that the conductive coat film 151a may be selectively formed on the substrate mounting portion of the transfer arm that contacts the insulating substrate, instead of being formed on the entire surface of the transfer arm. In that case, it is necessary to separately form a discharge path for discharging electric charges from the formed conductive coat film to the ground via the arm support mechanism.
また、搬送アーム１５１の、絶縁性基板を載置する基板載置部は、平面コ字型形状をしている。 In addition, the substrate placement portion of the transfer arm 151 on which the insulating substrate is placed has a planar U-shape.
そして、上記処理チャンバ内には、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すように、該絶縁性基板Ｗ５を載置する基板載置ステージ１８１が設けられており、この基板載置ステージ１８１は、基板載置ステージ１８１上で絶縁性基板Ｗ５を持ち上げる昇降ピン１８１ａ及び該昇降ピン１８１ａを駆動する駆動機構（図示せず）を有しており、絶縁性基板Ｗ５を昇降ピン１８１ａにより基板載置ステージ１８１から持ち上げた状態で、基板載置ステージ１８１と上記搬送アーム１５１との間で絶縁性基板の受け渡しが行われるようになっている。 In the processing chamber, as shown in FIGS. 4A to 4C, a substrate placement stage 181 on which the insulating substrate W5 is placed is provided. This substrate placement stage Reference numeral 181 includes a lift pin 181a for lifting the insulating substrate W5 on the substrate mounting stage 181 and a drive mechanism (not shown) for driving the lift pin 181a. The insulating substrate W5 is moved to the substrate by the lift pins 181a. The insulating substrate is transferred between the substrate mounting stage 181 and the transfer arm 151 while being lifted from the mounting stage 181.
上述したように全面に導電性コート膜を形成した構造の搬送アーム１５１では、図２（ｂ）に示すように、載置された絶縁性基板の電荷を接地側に逃がす放電経路１５２ａ、１５２ｂ、１５２を有し、これらの放電経路１５２ａ、１５２ｂ、１５２は導電性コート膜により形成されている。 As described above, in the transfer arm 151 having the structure in which the conductive coating film is formed on the entire surface, as shown in FIG. 2B, the discharge paths 152a, 152b for releasing the charge of the placed insulating substrate to the ground side. 152, and these discharge paths 152a, 152b, 152 are formed of a conductive coating film.
なお、前記搬送アームの前記絶縁性基板との接触部分に形成する導電性コート膜を、前記搬送アームの、該接触部分以外の部分に形成する導電性コート膜より、該搬送アームの構成部材との密着性の高い材料で構成してもよく、また、搬送アームの全体をより剥がれにくい上記密着性の高い導電性材料によりコートしてもよい。 In addition, the conductive coat film formed on the contact portion of the transfer arm with the insulating substrate is formed from the conductive coat film formed on the transfer arm at a portion other than the contact portion. The material may be made of a highly adhesive material, or the entire transfer arm may be coated with the above highly adhesive conductive material that is more difficult to peel off.
次に動作について説明する。 Next, the operation will be described.
このような構造の基板処理装置１では、基板格納カセット１６０に格納されている絶縁性基板Ｗ５が外部搬送装置（基板搬送装置）１００ａによりロードポート１４０まで搬送され、該ロードポート１４０から各種処理チャンバへの搬送は、ロードロック室１２０内に配置された内部搬送装置（基板搬送装置）１００により行われる。 In the substrate processing apparatus 1 having such a structure, the insulating substrate W5 stored in the substrate storage cassette 160 is transferred to the load port 140 by the external transfer device (substrate transfer device) 100a, and various processing chambers are transferred from the load port 140. Is transferred by an internal transfer device (substrate transfer device) 100 disposed in the load lock chamber 120.
例えば、内部搬送装置１００はベース部材１１１の回転により、搬送アーム１５１のコ字型形状の基板載置部がロードポート１４０に向けられ、可動ステージ１１０の移動により搬送アーム１５１の基板載置部がロードポート１４０内に挿入される。ここでは、搬送アームが昇降動作により該搬送アームの基板載置部上に、予め基板格納カセットから搬送されている絶縁性基板が載置される。このように搬送アーム１５１上に絶縁性基板Ｗ５が載置された状態で、可動ステージ１１０の移動とベース部材１１１の回転とにより、搬送アーム１５１に載置された絶縁性基板Ｗ５が処理チャンバ１３０ａ〜１３０ｃの目的のチャンバに搬送される。 For example, in the internal transfer apparatus 100, the U-shaped substrate placement portion of the transfer arm 151 is directed to the load port 140 by the rotation of the base member 111, and the substrate placement portion of the transfer arm 151 is moved by the movement of the movable stage 110. It is inserted into the load port 140. Here, the insulating substrate that has been previously transported from the substrate storage cassette is placed on the substrate placement portion of the transport arm by the lifting and lowering operation of the transport arm. With the insulating substrate W5 placed on the transfer arm 151 as described above, the insulating substrate W5 placed on the transfer arm 151 is moved into the processing chamber 130a by the movement of the movable stage 110 and the rotation of the base member 111. To the target chamber of ~ 130c.
そして、該処理チャンバで、半導体層などの成膜がスパッタ蒸着により行われると、スパッタ処理が完了した絶縁性基板Ｗ５は、内部搬送装置１００により次の処理を行うための処理チャンバに搬送される。また、すべての処理が完了した絶縁性基板は、外部搬送装置１００ａによりロードロック室を介して外部に取り出され、格納カセットに格納される。 Then, when film formation of a semiconductor layer or the like is performed by sputtering deposition in the processing chamber, the insulating substrate W5 that has been subjected to the sputtering processing is transported to the processing chamber for performing the next processing by the internal transport device 100. . Further, the insulating substrate that has been subjected to all the processing is taken out by the external transfer device 100a through the load lock chamber and stored in the storage cassette.
このような各処理チャンバへの絶縁性基板Ｗ５の搬入及び搬出の際には、内部搬送装置１００の搬送アーム１５１と各処理チャンバ内の基板載置ステージ１７１との間で絶縁性基板Ｗ５の受け渡しが行われることとなる。 When such an insulating substrate W5 is carried into and out of each processing chamber, the insulating substrate W5 is transferred between the transfer arm 151 of the internal transfer apparatus 100 and the substrate placement stage 171 in each processing chamber. Will be performed.
通常、基板載置ステージ１７１から絶縁性基板Ｗ５を引き離す際には剥離帯電により絶縁性基板に静電気が溜まるという現象が生ずるが、この帯電による電荷は、基板載置ステージ１７１の放電機構（図示せず）を介して放電される。なお、この放電機構としては、上記搬送アーム１５１に形成したような導電性コート膜を基板載置ステージの表面に形成した構造が適用可能である。また、剥離帯電そのものを低減する構造としては、上述したような基板載置ステージの表面を微細な凸凹形状とした構造や、基板載置ステージの表面に、基板載置ステージの表面エネルギーに比べて小さい表面エネルギーを有するコート膜を形成した構造が適用可能である。 Normally, when the insulating substrate W5 is pulled away from the substrate mounting stage 171, there is a phenomenon that static electricity accumulates on the insulating substrate due to peeling charging. The charge due to this charging is caused by a discharge mechanism (not shown) of the substrate mounting stage 171. )). As the discharge mechanism, a structure in which a conductive coating film formed on the transfer arm 151 is formed on the surface of the substrate mounting stage is applicable. In addition, as a structure for reducing the peeling charge itself, the surface of the substrate mounting stage as described above has a fine uneven shape, or the surface of the substrate mounting stage is compared with the surface energy of the substrate mounting stage. A structure in which a coating film having a small surface energy is formed is applicable.
また、搬送アーム１５１上に載置されている絶縁膜基板Ｗ５を、搬送アーム１５１から引き離す際にも、剥離帯電により絶縁性基板に静電気が溜まるという現象が生ずる。 Further, when the insulating film substrate W5 placed on the transfer arm 151 is pulled away from the transfer arm 151, a phenomenon occurs in which static electricity is accumulated on the insulating substrate due to peeling charging.
この実施形態１の内部搬送装置１００は、特に、この搬送アーム１５１からの絶縁性基板の剥離の際の剥離帯電を低減するよう構成したものであり、搬送アーム１５１は、その基板載置部の表面を、絶縁性基板Ｗ５と該基板載置部との接触面積が小さくなるよう、微細な凹凸形状にし、さらに、搬送アーム１５１を構成するセラミック材料の表面に導電樹脂を導電性コート膜１５１ａとしてコートした構造を有している。このため、搬送アーム１５１から絶縁性基板を引き離す際の剥離帯電により絶縁性基板に静電気が溜まるのが抑制され、溜まった電荷は該搬送アーム１５１の導電性コート膜を介してアースに放電される。 The internal transfer device 100 according to the first embodiment is particularly configured to reduce the peeling charge at the time of peeling the insulating substrate from the transfer arm 151. The transfer arm 151 includes The surface is finely concavo-convex so that the contact area between the insulating substrate W5 and the substrate mounting portion is small, and a conductive resin is used as the conductive coating film 151a on the surface of the ceramic material constituting the transfer arm 151. It has a coated structure. For this reason, it is possible to prevent static electricity from being accumulated on the insulating substrate due to peeling charging when the insulating substrate is pulled away from the transfer arm 151, and the accumulated charge is discharged to the ground via the conductive coating film of the transfer arm 151. .
以下、このように絶縁性基板をその基板載置ステージ上から引き剥がす動作を、図４（ａ）〜図４（ｃ）を用いて具体的に説明する。 Hereinafter, the operation of peeling the insulating substrate from the substrate mounting stage in this manner will be specifically described with reference to FIGS. 4 (a) to 4 (c).
例えば、１つの処理チャンバで絶縁性基板上に半導体層などを成膜する処理が行われた後、次の処理を行う処理チャンバ内で、図４（ａ）に示すように、昇降ピン１８１ａが突出した状態の基板載置ステージ１８１上に、搬送アーム１５１上に載置された絶縁性基板Ｗ５が位置決めされる。 For example, after the processing for forming a semiconductor layer or the like on the insulating substrate is performed in one processing chamber, the lifting pins 181a are provided in the processing chamber for performing the next processing as shown in FIG. The insulating substrate W5 placed on the transfer arm 151 is positioned on the substrate placement stage 181 in the protruding state.
この状態で、搬送アーム１５１が下降すると、図４（ｂ）に示すように、搬送アーム１５１上の絶縁性基板Ｗ５が昇降ピン１８１ａにより支持されて、搬送アーム１５１から引き離されることとなる。 When the transfer arm 151 is lowered in this state, as shown in FIG. 4B, the insulating substrate W5 on the transfer arm 151 is supported by the lift pins 181a and is separated from the transfer arm 151.
このように絶縁性基板Ｗ５が搬送アーム１５１から引き離されるときには、剥離帯電により絶縁性基板Ｗ５に電荷が生ずることとなるが、本実施形態の内部搬送装置の搬送アーム１５１の表面は微細な凸凹形状に加工されており、また、その表面には導電性コート膜１５１ｂが形成され、アースへの放電経路が形成されているため、摩擦による剥離帯電を抑制することができるとともに、剥離帯電により生じた電荷は該放電経路を介して放電されることとなり、搬送アームから基板載置ステージへの絶縁性基板の受け渡しの際の、絶縁性基板での電荷の蓄積を低減することができる。 As described above, when the insulating substrate W5 is separated from the transfer arm 151, charges are generated in the insulating substrate W5 due to peeling charging. However, the surface of the transfer arm 151 of the internal transfer device of the present embodiment has a fine uneven shape. In addition, since the conductive coating film 151b is formed on the surface and a discharge path to the ground is formed, it is possible to suppress the peeling charge due to friction and to be caused by the peeling charge. The electric charge is discharged through the discharge path, and the accumulation of electric charge on the insulating substrate when the insulating substrate is transferred from the transfer arm to the substrate mounting stage can be reduced.
その後、絶縁性基板Ｗ５と基板載置ステージ１８１との間のスペースから搬送アーム１５１が退避し、昇降ピン１８１ａが下降することで、図４（ｃ）に示すように、絶縁性基板Ｗ５が該基板載置ステージ１８１上に配置される。 After that, the transfer arm 151 is retracted from the space between the insulating substrate W5 and the substrate mounting stage 181 and the elevating pins 181a are lowered, so that the insulating substrate W5 is attached to the insulating substrate W5 as shown in FIG. It is disposed on the substrate mounting stage 181.
図５は、本発明による基板搬送装置における除電作用を、搬送アームにコートした導電性コート膜の抵抗値と対応つけて示している。 FIG. 5 shows the charge eliminating action in the substrate transfer apparatus according to the present invention in association with the resistance value of the conductive coating film coated on the transfer arm.
つまり、導電性コート膜１５１ａの表面抵抗が１０４（Ω・ｍ）以下である場合は、搬送アームから絶縁性基板を剥離する場合にスパークが発生し、この場合絶縁性基板に欠陥が入る。 That is, when the surface resistance of the conductive coating film 151a is 10 4 (Ω · m) or less, sparks are generated when the insulating substrate is peeled from the transfer arm, and in this case, the insulating substrate is defective.
また、導電性膜１５１ａの表面抵抗が１０４オーム〜１０６（Ω・ｍ）の範囲である場合も、やはり絶縁性基板にダメージが入る恐れがある。 Further, when the surface resistance of the conductive film 151a is in the range of 10 4 ohm to 10 6 (Ω · m), there is a possibility that the insulating substrate is damaged.
一方、導電性膜１５１ａの抵抗値が１０１０（Ω・ｍ）以上である場合は、除電スピードが遅く、搬送アームからの絶縁性基板の剥離中に、剥離帯電により絶縁性基板に生じた電荷が完全に放電されないか、除電不可能である。 On the other hand, when the resistance value of the conductive film 151a is 10 10 (Ω · m) or more, the charge removal speed is slow, and the charge generated on the insulating substrate due to peeling charging during the peeling of the insulating substrate from the transfer arm. Is not completely discharged or cannot be neutralized.
そして、本発明の実施形態のように、導電性コート膜１５１ａの抵抗値が１０６オーム〜１０１０オームの範囲である場合には、時定数を持って絶縁性基板の除電が行われた。 Then, as in the embodiment of the present invention, when the resistance value of the conductive coating film 151a is in the range of 10 6 ohm to 10 10 ohm, the insulating substrate is neutralized with a time constant.
このように、本実施形態１では、例えば、スパッタ処理の対象となる絶縁性基板Ｗ５を搬送する基板搬送装置１００において、該絶縁性基板を載置して一枚ごとに搬送する搬送アーム１５１を備え、該搬送アーム１５１は、基板載置部の表面を、絶縁性基板Ｗ５と該基板載置部との接触面積が小さくなるよう微細な凹凸形状にし、さらに、搬送アーム１５１を構成するセラミック材料の表面に導電樹脂を導電性コート膜１５１ａとしてコートした構造を有しているので、簡単な構成でサファイア基板などの絶縁性基板の剥離帯電を実質的に解消することができるという効果が得られる。 As described above, in the first embodiment, for example, in the substrate transport apparatus 100 that transports the insulating substrate W5 to be sputtered, the transport arm 151 that places the insulating substrate and transports it one by one is provided. The transfer arm 151 has a fine uneven shape on the surface of the substrate mounting portion so that a contact area between the insulating substrate W5 and the substrate mounting portion is small, and further a ceramic material constituting the transfer arm 151 Since the surface of the substrate has a structure in which a conductive resin is coated as the conductive coating film 151a, an effect that the peeling charge of an insulating substrate such as a sapphire substrate can be substantially eliminated with a simple configuration can be obtained. .
また、本実施形態では、前記搬送アームの基板載置部の表面に、該搬送アームの構成材料に比べて表面エネルギーの小さいコート膜を形成することで、摩擦による剥離帯電を低減することができる。 Further, in this embodiment, by forming a coat film having a surface energy smaller than that of the constituent material of the transfer arm on the surface of the substrate mounting portion of the transfer arm, it is possible to reduce peeling electrification due to friction. .
また、本実施形態では、前記搬送アームの基板載置部の表面を、前記絶縁性基板と該基板載置部との接触面積が小さくなるよう微細な凹凸形状にしたので、さらに摩擦による剥離帯電を低減することができる。 Further, in this embodiment, the surface of the substrate mounting portion of the transfer arm is formed in a fine uneven shape so that the contact area between the insulating substrate and the substrate mounting portion is small. Can be reduced.
また、本実施形態では、前記搬送アームを、前記基板載置部から前記絶縁性基板を引き剥がす際の剥離帯電による電荷が接地側に逃げるよう、少なくとも前記基板載置部の表面に導電性コート膜を形成した構造としたので、剥離帯電により生じた電荷を放電することで、絶縁性基板での剥離帯電による電荷蓄積をほとんどなくすことができる。 In this embodiment, the transport arm is provided with a conductive coating on at least the surface of the substrate platform so that charges due to peeling electrification when the insulating substrate is peeled off from the substrate platform are released to the ground side. Since the film is formed, it is possible to eliminate charge accumulation due to peeling charging on the insulating substrate by discharging charges generated by peeling charging.
また、上記実施形態１に記載の搬送アーム１５１に代えて、この搬送アームの構成に加えて、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、搬送アーム１５１の基板載置部、つまりコ字型の平行な２片部分の表面に数箇所（図３（ｂ）では３箇所ずつ）形成した突起部１７２ｃでのみ、絶縁性基板と接触するようにした構造の搬送アーム１７１を用いてもよい。 Further, instead of the transfer arm 151 described in the first embodiment, in addition to the configuration of the transfer arm, as shown in FIGS. A transfer arm 171 structured so as to be in contact with the insulating substrate can be used only at the protrusions 172c formed on the surface of the two parallel-shaped portions of the letter shape (three in FIG. 3B). Good.
なお、図３中、１７２、１７２ａ、１７２ｂは放電経路、１７１ａは導電性コート膜であり、それぞれ図２に示す放電経路１５２、１５２ａ、１５２ｂ、及び導電性コート膜１５１ａに相当するものである。 In FIG. 3, 172, 172a, and 172b are discharge paths, and 171a is a conductive coating film, which correspond to the discharge paths 152, 152a, 152b, and the conductive coating film 151a shown in FIG.
このような構成の搬送アーム１７１では、絶縁性基板との接触面積をさらに低減することも可能となる。 In the transfer arm 171 having such a configuration, the contact area with the insulating substrate can be further reduced.
以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。 As mentioned above, although this invention has been illustrated using preferable embodiment of this invention, this invention should not be limited and limited to this embodiment. It is understood that the scope of the present invention should be construed only by the claims. It is understood that those skilled in the art can implement an equivalent range based on the description of the present invention and the common general technical knowledge from the description of specific preferred embodiments of the present invention. It is understood that the patent documents cited in the present specification should be incorporated by reference into the present specification in the same manner as the content itself is specifically described in the present specification.
本発明は、基板搬送装置及び基板処理装置の分野において、絶縁性基板などの半導体部品の受け渡しの際、特にその搬送アームから該絶縁性基板などを分離する際の剥離帯電の問題を簡単な構成により解消することができる基板搬送装置、及びこのような基板搬送装置を用いた基板処理装置を提供することができる。 The present invention has a simple configuration in the field of a substrate transfer apparatus and a substrate processing apparatus, when transferring a semiconductor component such as an insulating substrate, particularly when peeling the insulating substrate from the transfer arm. Thus, it is possible to provide a substrate transport apparatus that can be solved by the above and a substrate processing apparatus using such a substrate transport apparatus.
１ 基板処理装置
１ａ アーム支持機構
１００ 内部搬送装置
１００ａ 外部搬送装置
１１０ 可動ステージ
１１０ａ 取付部材
１１１ ベース部材
１１１ａ ガイド溝
１２０ ロードロック室
１３０ａ〜１３０ｃ 処理チャンバ
１４０ ロードポート
１５１、１７１ 搬送アーム
１５１ａ、１７１ａ 導電性コート膜
１５２，１５２ａ、１７２，１７２ａ 放電経路
１６０ 基板格納カセット
１７２ｃ 突起部
１８１ 基板載置ステージ
１８１ａ 昇降ピン
Ｗ５ 絶縁性基板（サファイア基板）
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 1a Arm support mechanism 100 Internal transfer apparatus 100a External transfer apparatus 110 Movable stage 110a Mounting member 111 Base member 111a Guide groove 120 Load lock chamber 130a-130c Processing chamber 140 Load port 151,171 Transfer arm 151a, 171a Conductivity Coat film 152, 152a, 172, 172a Discharge path 160 Substrate storage cassette 172c Projection portion 181 Substrate placement stage 181a Lifting pin W5 Insulating substrate (sapphire substrate)
Claims (13)
該絶縁性基板を載置して一枚ごとに搬送する搬送アームを備え、
該搬送アームは、少なくとも、該搬送アームの該絶縁性基板と接触する基板載置部に、該基板載置部と該絶縁性基板との摩擦係数が低減されるよう表面加工を施したものである、基板搬送装置。 A substrate transfer apparatus for transferring an insulating substrate to be subjected to various treatments,
A transport arm for mounting the insulating substrate and transporting the substrates one by one;
The transfer arm is formed by subjecting at least a substrate mounting portion of the transfer arm that contacts the insulating substrate so that a friction coefficient between the substrate mounting portion and the insulating substrate is reduced. There is a substrate transfer device.
前記搬送アームは、前記基板載置部の表面に、該搬送アームの構成材料に比べて表面エネルギーの小さいコート膜を形成したものである、基板搬送装置。 The substrate transfer apparatus according to claim 1,
The substrate transfer apparatus, wherein the transfer arm is formed by forming a coating film having a surface energy smaller than that of a constituent material of the transfer arm on the surface of the substrate mounting portion.
前記搬送アームは、前記基板載置部の表面を、前記絶縁性基板と該基板載置部との接触面積が小さくなるよう微細な凹凸形状にしたものである、基板搬送装置。 The substrate transfer apparatus according to claim 1,
The substrate transfer apparatus, wherein the transfer arm has a surface of the substrate mounting portion that has a fine concavo-convex shape so that a contact area between the insulating substrate and the substrate mounting portion is reduced.
前記搬送アームは、前記基板載置部から前記絶縁性基板を引き剥がす際の剥離帯電による電荷が接地側に逃げるよう、少なくとも前記基板載置部の表面に導電性コート膜を形成したものである、基板搬送装置。 The substrate transfer apparatus according to claim 1,
The transfer arm is formed by forming a conductive coating film on at least the surface of the substrate mounting portion so that electric charges due to peeling charging when the insulating substrate is peeled off from the substrate mounting portion escape to the ground side. , Substrate transfer device.
前記搬送アームを移動可能に支持するアーム支持機構を有し、
該搬送アームは、前記基板載置部から接地側への放電経路が形成されるよう、該アーム支持機構を介してアースされている、基板搬送装置。 The substrate transfer apparatus according to claim 4,
An arm support mechanism for movably supporting the transfer arm;
The substrate transfer apparatus, wherein the transfer arm is grounded via the arm support mechanism so as to form a discharge path from the substrate mounting portion to the ground side.
前記絶縁性基板はサファイア基板である、基板搬送装置。 The substrate transfer apparatus according to claim 1,
The substrate transfer apparatus, wherein the insulating substrate is a sapphire substrate.
前記搬送アームは、その表面の全面に導電性部材の塗布により前記導電性コート膜を形成したものである、基板搬送装置。 The substrate transfer apparatus according to claim 4,
The transfer arm is a substrate transfer device in which the conductive coat film is formed on the entire surface of the transfer arm by applying a conductive member.
前記導電性コート膜は、１０６〜１０１０Ω・ｍの範囲の表面抵抗を有している、基板搬送装置。 The substrate transfer apparatus according to claim 5, wherein
The substrate transport apparatus, wherein the conductive coating film has a surface resistance in the range of 10 6 to 10 10 Ω · m.
前記搬送アームの前記基板載置部に形成する導電性コート膜を、前記搬送アームの、該基板載置部以外の部分に形成する導電性コート膜より、該絶縁性基板との密着性の高い材料で構成した、基板搬送装置。 In the board | substrate conveyance apparatus of Claim 7,
The conductive coating film formed on the substrate mounting portion of the transfer arm has higher adhesion to the insulating substrate than the conductive coating film formed on the transfer arm other than the substrate mounting portion. A substrate transport device made of materials.
該絶縁性基板を処理するための複数の処理チャンバと、
該複数の処理チャンバに隣接して設けられたロードロック室とを有し、
該ロードロック室には、前記複数の処理チャンバの相互間で該絶縁性基板を搬送する内部搬送装置が設けられており、
該内部搬送装置は、請求項１に記載の基板搬送装置である、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing an insulating substrate,
A plurality of processing chambers for processing the insulating substrate;
A load lock chamber provided adjacent to the plurality of processing chambers;
The load lock chamber is provided with an internal transfer device for transferring the insulating substrate between the plurality of processing chambers.
The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein the internal transfer apparatus is the substrate transfer apparatus according to claim 1.
該絶縁性基板を処理するための複数の処理チャンバと、
該複数の処理チャンバに隣接して設けられたロードロック室と、
前記絶縁性基板を格納する基板格納部と、
該基板格納部と前記ロードロック室との間で該絶縁性基板を搬送する外部搬送装置とを有し、
該外部搬送装置は、請求項１に記載の基板搬送装置である、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing an insulating substrate,
A plurality of processing chambers for processing the insulating substrate;
A load lock chamber provided adjacent to the plurality of processing chambers;
A substrate storage for storing the insulating substrate;
An external transfer device for transferring the insulating substrate between the substrate storage unit and the load lock chamber;
The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein the external transfer apparatus is a substrate transfer apparatus according to claim 1.
該絶縁性基板を処理するための複数の処理チャンバと、
該複数の処理チャンバに隣接して設けられたロードロック室と、
該ロードロック室に設けられ、前記複数の処理チャンバの相互間で該絶縁性基板を搬送する内部搬送装置と、
前記絶縁性基板を格納する基板格納部と、
該基板格納部と前記ロードロック室との間で該絶縁性基板を搬送する外部搬送装置とを有し、
該外部搬送装置及び該内部搬送装置として、請求項１に記載の基板搬送装置が用いられている、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing an insulating substrate,
A plurality of processing chambers for processing the insulating substrate;
A load lock chamber provided adjacent to the plurality of processing chambers;
An internal transfer device provided in the load lock chamber for transferring the insulating substrate between the plurality of processing chambers;
A substrate storage for storing the insulating substrate;
An external transfer device for transferring the insulating substrate between the substrate storage unit and the load lock chamber;
A substrate processing apparatus in which the substrate transfer apparatus according to claim 1 is used as the external transfer apparatus and the internal transfer apparatus.
前記処理チャンバは、スパッタ装置、ＣＶＤ装置、あるいはエッチング装置を構成する真空チャンバである、基板処理装置。 In the substrate processing apparatus in any one of Claims 10-12,
The substrate processing apparatus, wherein the processing chamber is a vacuum chamber constituting a sputtering apparatus, a CVD apparatus, or an etching apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011017210A JP2012160491A (en) | 2011-01-28 | 2011-01-28 | Substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011017210A JP2012160491A (en) | 2011-01-28 | 2011-01-28 | Substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012160491A true JP2012160491A (en) | 2012-08-23 |
Family
ID=46840807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011017210A Pending JP2012160491A (en) | 2011-01-28 | 2011-01-28 | Substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2012160491A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014034503A1 (en) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | シャープ株式会社 | Substrate processing device and device for producing liquid crystal display panel |
| WO2016017485A1 (en) * | 2014-07-29 | 2016-02-04 | シャープ株式会社 | Substrate processing device |
| KR101784380B1 (en) * | 2015-07-22 | 2017-10-11 | 김병현 | Substrate Transferring Apparatus |
| KR102024170B1 (en) * | 2018-07-16 | 2019-09-23 | 김순훈 | A method of manufacturing a clamp structure to be applied to a robot for manufacturing a semiconductor wafer and a clamp structure to be applied to a robot for manufacturing a semiconductor wafer fabrication facility manufactured by a clamp structure applied to the robot for the semiconductor wafer fabrication facility |
| KR20220066874A (en) * | 2019-04-17 | 2022-05-24 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | Semiconductor processing apparatus and method utilizing electrostatic discharge (esd) prevention layer |
| US11532499B2 (en) | 2019-04-17 | 2022-12-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor processing apparatus and method utilizing electrostatic discharge (ESD) prevention layer |
| JP7415782B2 (en) | 2020-05-11 | 2024-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate transfer mechanism and substrate transfer method |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0729961A (en) * | 1993-07-13 | 1995-01-31 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Fork for semiconductor wafer transfer |
| JP2000091402A (en) * | 1998-09-17 | 2000-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | Method and device for manufacturing electronic device |
| JP2003249540A (en) * | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Nippon Futsuso Kogyo Kk | Work holder |
| JP2006054279A (en) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Air Water Inc | Deposition method and device |
| JP2009194261A (en) * | 2008-02-17 | 2009-08-27 | Hirata Corp | Wafer conveyance system and wafer processor using wafer conveyance system |
| JP2010056467A (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Kyocera Chemical Corp | Jig for conveyance |
-
2011
- 2011-01-28 JP JP2011017210A patent/JP2012160491A/en active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0729961A (en) * | 1993-07-13 | 1995-01-31 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Fork for semiconductor wafer transfer |
| JP2000091402A (en) * | 1998-09-17 | 2000-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | Method and device for manufacturing electronic device |
| JP2003249540A (en) * | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Nippon Futsuso Kogyo Kk | Work holder |
| JP2006054279A (en) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Air Water Inc | Deposition method and device |
| JP2009194261A (en) * | 2008-02-17 | 2009-08-27 | Hirata Corp | Wafer conveyance system and wafer processor using wafer conveyance system |
| JP2010056467A (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Kyocera Chemical Corp | Jig for conveyance |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014034503A1 (en) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | シャープ株式会社 | Substrate processing device and device for producing liquid crystal display panel |
| JPWO2014034503A1 (en) * | 2012-08-29 | 2016-08-08 | シャープ株式会社 | Substrate processing apparatus and liquid crystal display panel manufacturing apparatus |
| WO2016017485A1 (en) * | 2014-07-29 | 2016-02-04 | シャープ株式会社 | Substrate processing device |
| JPWO2016017485A1 (en) * | 2014-07-29 | 2017-06-01 | シャープ株式会社 | Substrate processing equipment |
| KR101784380B1 (en) * | 2015-07-22 | 2017-10-11 | 김병현 | Substrate Transferring Apparatus |
| KR102024170B1 (en) * | 2018-07-16 | 2019-09-23 | 김순훈 | A method of manufacturing a clamp structure to be applied to a robot for manufacturing a semiconductor wafer and a clamp structure to be applied to a robot for manufacturing a semiconductor wafer fabrication facility manufactured by a clamp structure applied to the robot for the semiconductor wafer fabrication facility |
| KR20220066874A (en) * | 2019-04-17 | 2022-05-24 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | Semiconductor processing apparatus and method utilizing electrostatic discharge (esd) prevention layer |
| US11532499B2 (en) | 2019-04-17 | 2022-12-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor processing apparatus and method utilizing electrostatic discharge (ESD) prevention layer |
| US11854860B2 (en) | 2019-04-17 | 2023-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor processing apparatus and method utilizing electrostatic discharge (ESD) prevention layer |
| KR102636375B1 (en) | 2019-04-17 | 2024-02-13 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | Semiconductor processing apparatus and method utilizing electrostatic discharge (esd) prevention layer |
| JP7415782B2 (en) | 2020-05-11 | 2024-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate transfer mechanism and substrate transfer method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012160491A (en) | Substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus | |
| JP3751246B2 (en) | Thin film forming apparatus and conveying method | |
| WO2012046418A1 (en) | Substrate plasma treatment method | |
| JP5521066B1 (en) | Joining apparatus and joining system | |
| JP5740583B2 (en) | Peeling apparatus, peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
| US7631911B2 (en) | Transporting machine | |
| JP2010183005A (en) | Transfer chamber and particle deposition preventing method | |
| WO2009096380A1 (en) | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and computer storage medium | |
| WO2012140988A1 (en) | Separation method, separation device, and separation system | |
| JP5575934B2 (en) | Joining apparatus and joining system | |
| JP2012049266A (en) | Joint system, joint method, program and computer-storable medium | |
| JP5411177B2 (en) | Joining apparatus, joining system, joining method, program, and computer storage medium | |
| JPH08167643A (en) | Sample holding device and its dust removal method | |
| TWI649801B (en) | Substrate cleaning device, substrate processing device, substrate cleaning method, and substrate processing method | |
| JP2020161595A (en) | Substrate processing apparatus and destaticizing method for loading base | |
| JP2015202997A (en) | Substrate, substrate production system, peeling device, substrate production method and peeling method | |
| JP6851202B2 (en) | Board holder, vertical board transfer device and board processing device | |
| JPH11121600A (en) | Treatment device | |
| JP2005123642A (en) | Transfer mechanism and method | |
| JP3854757B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP2005317783A (en) | Substrate transport device, its washing method, substrate processing system and its washing method | |
| WO2009128431A1 (en) | Atmosphere cleaning device | |
| JP2001358193A (en) | Electrostatic chucking system, substrate-conveying device, vacuum processing device and substrate-holding method | |
| JP2000006072A (en) | Substrate handling method | |
| JPH11145266A (en) | Apparatus and method of electrostatic chucking, and apparatus and method of transferring substrate using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131001 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140725 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140801 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150128 |