JP2012154921A - リーク補償された電子スイッチ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スイッチング用の電子回路は少なくとも4個の電子スイッチ200のセット100を備える。第1サブセット110の少なくとも2個の電子スイッチ210,230は直列接続され、第2サブセット120の少なくとも2個の電子スイッチ220,240は直列接続される。前記第1サブセット110の第1電子スイッチ210に接続される第1バッファ310、及び前記第2サブセット120の第2電子スイッチ220に接続される第2バッファ320を備え、前記第1バッファ310は開状態における前記第1電子スイッチ210を通した電圧降下を最小化し、前記第2バッファ320は開状態における前記第2電子スイッチ220を通した電圧降下を最小化する。また2個のサブセット110,120の間に配され、グランドに接続されたスイッチ410を備える。
【選択図】図1
Description
本願は、参照としてここに組み込まれる、2011年1月25日に出願された米国非仮出願13/013,486号の出願日の利益を受ける。
Claims (7)
- 所望の電流を流す閉状態及び所望の電流を流さない開状態を有する少なくとも4個の電子スイッチのセット、第1バッファ、第2バッファ、及び、グランドに接続されたスイッチを備え、
第1サブセットは前記セットの少なくとも2個の電子スイッチを含み、
第2サブセットは前記セットの少なくとも2個の別の電子スイッチを含み、
前記第1サブセットの前記少なくとも2個の電子スイッチは直列接続で配され、
前記第2サブセットの前記少なくとも2個の電子スイッチは直列接続で配され、
前記第1バッファは、前記第1サブセットの第1電子スイッチに接続され、
前記第2バッファは、前記第2サブセットの第2電子スイッチに接続され、
前記第1バッファは開状態における前記第1電子スイッチを通した電圧降下を最小化し、
前記第2バッファは開状態における前記第2電子スイッチを通した電圧降下を最小化し、
前記グランドに接続されたスイッチは、前記第1サブセット及び前記第2サブセットとの間に配され、
前記グランドに接続されたスイッチは、動作中に、その閉状態において前記グランドに接続されたスイッチを通じて電流を供給し、
前記グランドに接続されたスイッチを介した前記電流は、前記第1サブセットの前記第1バッファを介した電流及び前記第2サブセットの前記第2バッファを介した電流を含む
自動試験装置のスイッチング用のリーク補償された電子回路。 - 前記第1サブセットの前記第1バッファに供給する第1電力供給装置、及び
前記第2サブセットの前記第2バッファに供給する第2電力供給装置を備える、
請求項1に記載のリーク補償された電子回路。 - 前記第1サブセットの前記第1バッファは、前記第1サブセットの前記少なくとも2個の電子スイッチの前記第1電子スイッチと並列に接続され、
前記第2サブセットの前記第2バッファは、前記第2サブセットの前記少なくとも2個の電子スイッチの前記第2電子スイッチと並列に接続される、
請求項1又は2に記載のリーク補償された電子回路。 - 少なくとも4個の電子スイッチの前記セットは、厳密に4個の電子スイッチの直列接続であり、
前記セットの前記第1サブセットは前記セットの厳密に2個の電子スイッチを有し、
前記セットの前記第2サブセットは前記セットの厳密に2個の他の電子スイッチを有する、
請求項1から3のいずれか1項に記載のリーク補償された電子回路。 - 前記セットの前記電子スイッチの各々はトランジスタを含む、
請求項1から4のいずれか1項に記載のリーク補償された電子回路。 - 前記電子スイッチの各々は、MOSFETを含む、
請求項1から5のいずれか1項に記載のリーク補償された電子回路。 - 前記セットの前記第1サブセット及び前記セットの前記第2サブセットは直列に配される、
請求項1から6のいずれか1項に記載のリーク補償された電子回路。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6374831U (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-18 | ||
JPH0329512A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-07 | Nec Kansai Ltd | 半導体アナログスイッチ回路 |
US5910780A (en) * | 1996-11-13 | 1999-06-08 | Analog Devices, Inc. | Switched-transconductance multiplexer circuit with integrated T-switches |
JP2000101411A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Advantest Corp | 半導体リレー回路 |
WO2005029702A1 (ja) * | 2003-09-18 | 2005-03-31 | Advantest Corporation | 半導体スイッチ回路 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4544854A (en) * | 1983-08-04 | 1985-10-01 | Motorola, Inc. | Analog switch structure having low leakage current |
JPH08293775A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | アナログスイッチ |
GB2341288B (en) * | 1998-06-23 | 2003-12-10 | Eev Ltd | Switching arrangement |
WO2012031101A1 (en) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of updating drive scheme voltages |
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-
2012
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6374831U (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-18 | ||
JPH0329512A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-07 | Nec Kansai Ltd | 半導体アナログスイッチ回路 |
US5910780A (en) * | 1996-11-13 | 1999-06-08 | Analog Devices, Inc. | Switched-transconductance multiplexer circuit with integrated T-switches |
JP2000101411A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Advantest Corp | 半導体リレー回路 |
WO2005029702A1 (ja) * | 2003-09-18 | 2005-03-31 | Advantest Corporation | 半導体スイッチ回路 |
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