JP2012136373A - 単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材及び単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材12は、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の励起波長を532nmとするラマン分光解析によって、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素に由来のピークとして、T0ピーク及びL0ピーク以外のピークが観察される。
【選択図】図1
Description
シード基板12は、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。具体的には、図3に示すように、本実施形態では、シード基板12は、黒鉛からなる支持材12bと、多結晶炭化ケイ素膜12cとを有する。黒鉛からなる支持材12bは、炭化ケイ素のエピタキシャル成長プロセスに十分に耐えることのできる高い耐熱性を有している。また、黒鉛からなる支持材12bは、単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜20と似通った熱膨張率を有する。従って、黒鉛からなる支持材12bを用いることにより、炭化ケイ素エピタキシャル成長膜20を好適に形成することができる。
本実施形態においては、フィード基板11は、シード基板12よりもケイ素溶融層13への溶出が生じにくいものである限りにおいて特に限定されない。このため、フィード基板11としては、例えば、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有し、その表層の、励起波長を532nmとするラマン分光解析により、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素に由来のピークとして、実質的にL0ピーク及びT0ピークのみが観察され、かつ、L0ピークの972cm−1からのシフト量の絶対値が、4cm−1未満である基板を好適に用いることができる。
かさ密度1.85g/cm3、灰分5ppm以下である高純度等方性黒鉛材料からなる黒鉛材(15mm×15mm×2mm)を基材として用いた。この基材をCVD反応装置内に入れ、CVD法により基材上に厚み30μmの多結晶炭化ケイ素被膜を形成し、サンプル1を作製した。なお、原料ガスとしては、四塩化ケイ素及びプロパンガスを用いた。成膜は、常圧、1200℃で行った。成膜速度は、30μm/hとした。
反応温度を1400℃とし、成膜速度を60μm/hとしたこと以外は、上記作製例1と同様にして黒鉛材の表面上に50μmの多結晶炭化ケイ素被膜を形成し、サンプル2を作製した。
反応温度を1250℃とし、成膜速度10μm/hとし、四塩化ケイ素に代えてCH3SiCl3を用いたこと以外は、上記作製例1と同様にして黒鉛材の表面上に50μmの多結晶炭化ケイ素被膜を形成し、サンプル3を作製した。
四塩化ケイ素及びプロパンガスに代えてジクロロシラン(SiH2Cl2)及びアセチレンを用い、反応温度を1300℃とし、成膜速度10μm/hとしたこと以外は、上記作製例1と同様にして黒鉛材の表面上に50μmの多結晶炭化ケイ素被膜を形成し、サンプル4を作製した。なお、サンプル4では、多結晶炭化ケイ素被膜の厚みは、約1mmであった。
上記作製のサンプル1〜4の表層のラマン分光解析を行った。なお、ラマン分光解析には、532nmの励起波長を用いた。測定結果を図6に示す。
上記実施形態において説明した液相エピタキシャル成長方法により、サンプル1〜4をフィード基板として用い、下記の条件で単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜20を作製した。そして、炭化ケイ素エピタキシャル成長膜20の断面を光学顕微鏡を用いて観察することにより、炭化ケイ素エピタキシャル成長膜20の厚みを測定した。測定された厚みを炭化ケイ素エピタキシャル成長を行った時間で除算することにより、単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜20の成長速度を求めた。
シード基板:結晶多形が4Hである炭化ケイ素基板
雰囲気の圧力:10−6〜10−4Pa
雰囲気温度:1900℃
上記作製のサンプル1をフィード基板11として用い、上記作製のサンプル3をシード基板12として用い、上記成長速度評価実験と同様の条件で単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長実験を行った。その後、シード基板12としてのサンプル3の表面の走査型電子顕微鏡(SEM)写真を撮影した。サンプル3の表面のSEM写真を図10に示す。図10に示す写真より、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素に由来のピークとして、L0ピーク及びT0ピーク以外のピークが観察されたサンプル3をシード基板12として用いることにより、六方晶である単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜を得ることができることが分かる。
上記作製のサンプル1をフィード基板として用い、上記作製のサンプル2をシード基板として用い、上記成長速度評価実験と同様の条件で単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長実験を行った。その後、シード基板としてのサンプル2の表面の走査型電子顕微鏡(SEM)写真を撮影した。サンプル2の表面のSEM写真を図11に示す。図11に示す写真より、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素に由来のピークとして、L0ピーク及びT0ピーク以外のピークが実質的に観察されなかったサンプル2をシード基板として用いた場合は、ほとんどエピタキシャル成長が進行せず、かつ、六方晶である単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜が好適に得られないことが分かる。
11…フィード基板
11a…主面
11b…支持材
11c…多結晶炭化ケイ素膜
12…シード基板
12a…主面
12b…支持材
12c…多結晶炭化ケイ素膜
13…ケイ素溶融層
20…単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜
Claims (12)
- 単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法に用いられるシード材であって、
結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有し、
前記表層の、励起波長を532nmとするラマン分光解析によって、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素に由来のピークとして、T0ピーク及びL0ピーク以外のピークが観察される、単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。 - 前記T0ピーク及びL0ピーク以外のピークは、前記T0ピークよりも低波数側に観察される、請求項1に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
- 前記T0ピーク及びL0ピーク以外のピークのピーク強度は、前記T0ピークのピーク強度の0.3倍以上である、請求項1または2に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
- 前記L0ピークの972cm−1からのシフト量の絶対値が4cm−1以上である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
- 前記L0ピークの972cm−1からのシフト量が4cm−1以上である、請求項4に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
- 前記L0ピークの半値幅が15cm−1以下である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
- 前記表層は、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素を主成分として含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
- 前記表層は、実質的に、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素からなる、請求項7に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
- 支持材と、前記支持材の上に形成されており、前記表層を構成している多結晶炭化ケイ素膜とを備える、請求項1〜8のいずれか一項に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
- 前記多結晶炭化ケイ素膜の厚みは、30μm〜800μmの範囲内にある、請求項9に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
- 結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素を含む多結晶炭化ケイ素材により構成されている、請求項1〜8のいずれか一項に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材の表層と、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有するフィード材の表層とをケイ素溶融層を介して対向させた状態で加熱することにより前記シード材の表層上に単結晶炭化ケイ素をエピタキシャル成長させる、単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103270201B (zh) * | 2010-12-24 | 2016-02-10 | 东洋炭素株式会社 | 单晶碳化硅液相外延生长用种晶件和单晶碳化硅的液相外延生长方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0455397A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-24 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | α―SiC単結晶の製造方法 |
JP2000044398A (ja) * | 1998-05-29 | 2000-02-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 炭化珪素単結晶の製造方法及びそれによって得られた炭化珪素単結晶 |
JP2008037684A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Kwansei Gakuin | 単結晶炭化ケイ素種結晶の液相生成方法及び単結晶炭化ケイ素種結晶、単結晶炭化ケイ素種結晶板の液相エピタキシャル生成方法及び単結晶炭化ケイ素種結晶板、単結晶炭化ケイ素種結晶基板の生成方法及び単結晶炭化ケイ素種結晶基板 |
JP2008230946A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Kwansei Gakuin | 単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5838399B2 (ja) | 1979-04-26 | 1983-08-23 | シャープ株式会社 | 炭化珪素結晶層の製造方法 |
US4582561A (en) * | 1979-01-25 | 1986-04-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for making a silicon carbide substrate |
US5879450A (en) | 1997-08-13 | 1999-03-09 | City University Of Hong Kong | Method of heteroepitaxial growth of beta silicon carbide on silicon |
DE69916177T2 (de) | 1998-05-29 | 2005-04-14 | Denso Corp., Kariya | Verfahren zur Herstellung eines Siliziumkarbid-Einkristalls |
TWI232891B (en) * | 1999-08-02 | 2005-05-21 | Tokyo Electron Ltd | SiC material, semiconductor device fabricating system and SiC material forming method |
US20060249073A1 (en) * | 2003-03-10 | 2006-11-09 | The New Industry Research Organization | Method of heat treatment and heat treatment apparatus |
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JP2008037634A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Lintec Corp | シート貼合装置およびシート貼合方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0455397A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-24 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | α―SiC単結晶の製造方法 |
JP2000044398A (ja) * | 1998-05-29 | 2000-02-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 炭化珪素単結晶の製造方法及びそれによって得られた炭化珪素単結晶 |
JP2008037684A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Kwansei Gakuin | 単結晶炭化ケイ素種結晶の液相生成方法及び単結晶炭化ケイ素種結晶、単結晶炭化ケイ素種結晶板の液相エピタキシャル生成方法及び単結晶炭化ケイ素種結晶板、単結晶炭化ケイ素種結晶基板の生成方法及び単結晶炭化ケイ素種結晶基板 |
JP2008230946A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Kwansei Gakuin | 単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
J. JEONG ET AL.: "Raman scattering studies of polycrystalline 3C-SiC deposited on SiO2 and AlN thin films", PHYSICA B, vol. 404, JPN6011041440, 2009, pages 7 - 10, XP025816154, ISSN: 0003116320, DOI: 10.1016/j.physb.2008.09.040 * |
S. R. NISHITANI ET AL.: "Metastable solvent epitaxy of SiC", JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, vol. 310, JPN6011041467, 2008, pages 1815 - 1818, XP022697537, ISSN: 0003116319, DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.234 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015086122A (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | 株式会社豊田自動織機 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
WO2021060516A1 (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | 東海カーボン株式会社 | 多結晶SiC成形体 |
JP2021054667A (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-08 | 東海カーボン株式会社 | 多結晶SiC成形体 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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