JP2012131182A - Metal mold and method for manufacturing semiconductor mounting substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体チップを実装した半導体実装基板の樹脂モールドに用いられるモールド金型に関する。 The present invention relates to a mold used for resin molding of a semiconductor mounting substrate on which a semiconductor chip is mounted.
従来から、基板に半導体チップを実装した基板に対して樹脂モールドを行う際には、上型と下型から構成されるモールド金型で基板をクランプし、プランジャを用いてモールド金型のキャビティ内部に樹脂を圧送する。ここで、樹脂が充填されるキャビティの高さ（深さ）が半導体チップの高さに比べて十分に大きい場合には、樹脂は容易にキャビティ内部に充填される。 Conventionally, when resin molding is performed on a substrate on which a semiconductor chip is mounted on the substrate, the substrate is clamped with a mold die composed of an upper die and a lower die, and the inside of the mold die cavity using a plunger The resin is pumped to. Here, when the height (depth) of the cavity filled with the resin is sufficiently larger than the height of the semiconductor chip, the resin is easily filled into the cavity.
ところで特許文献１には、リリースフィルム３０が伸びてしわが生じることを防ぐため、キャビティブロック２８のキャビティ底面にリリースフィルム３０のたるみを吸収するためのたるみ吸収溝を設けた樹脂封止装置が開示されている。 By the way, Patent Document 1 discloses a resin sealing device in which a sag absorbing groove for absorbing a sag of the release film 30 is provided on the bottom surface of the cavity block 28 in order to prevent the release film 30 from stretching and causing wrinkles. Has been.
しかしながら、近年、最終製品である半導体装置において、複数の半導体チップを多層化して基板（多層樹脂基板、ＢＴ基板、リードフレーム）上に実装する場合がある。このような構成では、多層化した半導体チップの最上面は単一の半導体チップの場合に比べて高くなるが、半導体装置の薄型化の要請により、半導体装置のパッケージ（樹脂）の厚さ（高さ）は、単一の半導体チップを実装した場合と同様の厚さか場合に拠っては更に薄くなるように設計される。このため、多層化した半導体チップの最上面とパッケージ表面との間の距離は小さくなる。 However, in recent years, in a semiconductor device which is a final product, a plurality of semiconductor chips may be multilayered and mounted on a substrate (multilayer resin substrate, BT substrate, lead frame). In such a configuration, the uppermost surface of the multi-layered semiconductor chip is higher than that of a single semiconductor chip. However, the thickness (high) of the package (resin) of the semiconductor device is required due to the demand for thinning the semiconductor device. The thickness is the same as that in the case where a single semiconductor chip is mounted. For this reason, the distance between the uppermost surface of the multilayered semiconductor chip and the package surface is reduced.
このような場合、樹脂モールドの際に用いられるモールド金型において、樹脂が充填されるキャビティの高さは、半導体チップの高さ（多層化された半導体チップの高さ）に近づける必要がある。しかしながら、キャビティの高さと半導体チップの高さが近接すると、樹脂の流れる経路の断面積が狭くなり、樹脂を圧送しても樹脂が充填されていない領域（未充填領域）が発生するなどの問題が生じるおそれがある。 In such a case, in the mold used for resin molding, the height of the cavity filled with the resin needs to be close to the height of the semiconductor chip (the height of the multi-layered semiconductor chip). However, if the height of the cavity and the height of the semiconductor chip are close to each other, the cross-sectional area of the path through which the resin flows becomes narrow, and a region that is not filled with resin (unfilled region) occurs even if the resin is pumped. May occur.
そこで本発明は、薄型の樹脂モールド製品（半導体実装基板）に対して樹脂の充填性を向上させたモールド金型及び半導体実装基板の製造方法を提供する。 Therefore, the present invention provides a mold and a method for manufacturing a semiconductor mounting substrate, in which resin filling property is improved for a thin resin mold product (semiconductor mounting substrate).
本発明の一側面としてのモールド金型は、複数の半導体チップを実装した半導体実装基板の樹脂モールドを行うために用いられるモールド金型であって、前記半導体実装基板を上面側から押さえるように構成された上型と、前記半導体実装基板を下面側から押さえるように構成された下型とを有し、前記上型及び前記下型の少なくとも一つには、前記樹脂モールドにより樹脂が充填されるキャビティが形成されており、前記キャビティには、前記半導体実装基板のカット部位に対応する位置に凹部が形成されており、前記凹部の幅は、前記半導体実装基板のカット幅以下である。 A mold according to one aspect of the present invention is a mold used for resin molding of a semiconductor mounting substrate on which a plurality of semiconductor chips are mounted, and is configured to hold the semiconductor mounting substrate from the upper surface side. And a lower mold configured to hold the semiconductor mounting substrate from a lower surface side, and at least one of the upper mold and the lower mold is filled with resin by the resin mold. A cavity is formed, and a recess is formed in the cavity at a position corresponding to a cut portion of the semiconductor mounting substrate, and the width of the recess is equal to or smaller than the cut width of the semiconductor mounting substrate.
本発明の他の側面としての半導体実装基板の製造方法は、複数の半導体チップを実装した半導体実装基板の製造方法であって、基板に複数の半導体チップを実装する工程と、上型及び下型で前記基板をクランプする工程と、前記基板をクランプした状態で、前記上型及び前記下型の少なくとも一つに形成されたキャビティの内部に樹脂を充填する工程とを有し、前記樹脂を充填する工程は、前記樹脂を前記キャビティに形成された凹部に充填することにより、前記半導体実装基板のカット部位に対応する成形品位置に凸部を形成し、前記凸部の幅は、ダイサーのカット幅以下である。 A method for manufacturing a semiconductor mounting substrate according to another aspect of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor mounting substrate in which a plurality of semiconductor chips are mounted. The step of clamping the substrate, and the step of filling the resin in a cavity formed in at least one of the upper mold and the lower mold in a state where the substrate is clamped. The step of filling the concave portion formed in the cavity with the resin to form a convex portion at the position of the molded product corresponding to the cut portion of the semiconductor mounting substrate, and the width of the convex portion is the cut of the dicer Below the width.
本発明の他の目的及び特徴は、以下の実施例において説明される。 Other objects and features of the present invention are illustrated in the following examples.
本発明によれば、薄型の樹脂モールド製品（半導体実装基板）に対して樹脂の充填性を向上させたモールド金型及び半導体実装基板の製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the mold metal mold | die and the semiconductor mounting substrate which improved the filling property of resin with respect to a thin resin mold product (semiconductor mounting substrate) can be provided.
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the same members are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
まず、図１乃至図３を参照して、本発明の実施例１における半導体実装基板（樹脂モールド製品）及びモールド金型について説明する。図１は、本実施例における半導体実装基板及びモールド金型の概略図であり、図１（ａ）は半導体実装基板の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＢ−Ｂ面における半導体実装基板の断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）中のＣ−Ｃ面におけるモールド金型の断面図を示す。図２は本実施例におけるモールド金型（上型）の概略図であり、図２（ａ）はモールド金型（上型）の平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）中のＢ−Ｂ面における上型の断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）中のＣ−Ｃ面における上型の断面図である。図３は本実施例におけるモールド金型（下型）の概略図であり、図３（ａ）は下型の平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）中のＢ−Ｂ面における下型の断面図、図３（ｃ）は図３（ａ）中のＣ−Ｃ面における下型の断面図である。 First, with reference to FIG. 1 thru | or FIG. 3, the semiconductor mounting substrate (resin mold product) and mold metal mold | die in Example 1 of this invention are demonstrated. FIG. 1 is a schematic view of a semiconductor mounting substrate and a mold mold according to the present embodiment. FIG. 1A is a plan view of the semiconductor mounting substrate, and FIG. FIG. 1C is a cross-sectional view of the mold on the CC plane in FIG. 1A. FIG. 2 is a schematic view of a mold die (upper die) in the present embodiment, FIG. 2 (a) is a plan view of the mold die (upper die), and FIG. 2 (b) is a view in FIG. 2 (a). FIG. 2C is a cross-sectional view of the upper mold on the BB plane, and FIG. 2C is a cross-sectional view of the upper mold on the CC plane in FIG. FIG. 3 is a schematic view of a mold (lower mold) in this embodiment, FIG. 3 (a) is a plan view of the lower mold, and FIG. 3 (b) is a BB plane in FIG. 3 (a). FIG. 3C is a cross-sectional view of the lower mold, and FIG. 3C is a cross-sectional view of the lower mold on the CC plane in FIG.
図１（ａ）〜（ｃ）に示されるように、半導体実装基板１００は、基板１０の上に複数の半導体チップ３０を配列して樹脂モールドされている。半導体チップ３０はワイヤ３２により基板１０と電気的に接続されているが、これに限定されるものではなく、フリップチップ実装などの方法を採用してもよい。各々の半導体チップ３０は、単一の半導体チップとして構成されているか、又は、複数の半導体チップを積層して構成されるものであってもよい。 As shown in FIGS. 1A to 1C, the semiconductor mounting substrate 100 is resin-molded with a plurality of semiconductor chips 30 arranged on the substrate 10. Although the semiconductor chip 30 is electrically connected to the substrate 10 by the wire 32, the present invention is not limited to this, and a method such as flip chip mounting may be employed. Each semiconductor chip 30 may be configured as a single semiconductor chip, or may be configured by stacking a plurality of semiconductor chips.
本実施例のモールド金型は、半導体実装基板１００の樹脂モールドを行うために用いられ、上型５０及び下型６０を主体として構成されている。図２（ａ）〜（ｃ）に示されるように、上型５０は、上キャビティブロック５１及び上センターブロック５２を備えており、樹脂モールドの際に基板１０を上面側（半導体チップ３０の実装面側）から押さえ付ける。上キャビティブロック５１には金型キャビティ５７（キャビティ、空間）が形成されており、金型キャビティ５７の内部には樹脂モールドにより樹脂２０が充填される。上センターブロック５２には金型カル５３、金型ランナ５４、及び、金型ゲート５５が形成されている。本実施例では、３つの金型カル５３のそれぞれに金型ランナ５４が接続されており、各金型ランナ５４は途中で３つに分岐され、それぞれ金型ゲート５５へと繋がっている。ただし、本実施例はこのような構造に限定されるものではない。 The mold according to the present embodiment is used to perform resin molding of the semiconductor mounting substrate 100, and mainly includes an upper mold 50 and a lower mold 60. 2A to 2C, the upper die 50 includes an upper cavity block 51 and an upper center block 52, and the substrate 10 is mounted on the upper surface side (mounting of the semiconductor chip 30) during resin molding. Press from the front side. A mold cavity 57 (cavity, space) is formed in the upper cavity block 51, and the mold cavity 57 is filled with the resin 20 by a resin mold. In the upper center block 52, a mold cull 53, a mold runner 54, and a mold gate 55 are formed. In the present embodiment, a mold runner 54 is connected to each of the three mold cules 53, and each mold runner 54 is branched into three on the way and connected to the mold gate 55. However, the present embodiment is not limited to such a structure.
図３（ａ）〜（ｃ）に示されるように、下型６０は、下キャビティブロック６１及び下センターブロック６２を備えており、樹脂モールドの際に基板１０を下面側（半導体チップ３０の実装面とは反対側）から押さえ付ける。樹脂モールドの対象となる基板１０は、下キャビティブロック６１の上に配置される。また下型６０は、ポット６３及びプランジャ６４を備えている。樹脂モールドの際には、上型５０及び下型６０で基板１０をクランプした（挟んだ）状態で、トランスファモールドにより樹脂２０を加熱溶融させ上型５０と下型６０との間に形成された金型キャビティ（空間）に充填する。 3A to 3C, the lower mold 60 includes a lower cavity block 61 and a lower center block 62, and the substrate 10 is mounted on the lower surface side (mounting of the semiconductor chip 30) during resin molding. Press from the opposite side. The substrate 10 to be subjected to resin molding is disposed on the lower cavity block 61. The lower mold 60 includes a pot 63 and a plunger 64. At the time of resin molding, the resin 20 was heated and melted by transfer molding in a state in which the substrate 10 was clamped (sandwiched) by the upper mold 50 and the lower mold 60 and formed between the upper mold 50 and the lower mold 60. Fill the mold cavity (space).
本実施例では、例えば熱硬化性樹脂等をタブレット（円柱）状に成形した樹脂タブレットを用いてトランスファモールド（樹脂モールド）を行う。樹脂モールドの際、予熱された下型６０のポット６３内に樹脂タブレット（不図示）を投入して溶融させる。そして、プランジャ６４を上動させて溶融した樹脂を圧送することにより、上型５０と下型６０との間の金型キャビティ（空間）は樹脂２０で充填される。プランジャ６４は、不図示のトランスファ機構によってポット６３に沿って上下に摺動可能に構成されている。なお、樹脂タブレットに替えて粉末樹脂、顆粒樹脂や液状の熱硬化性樹脂をディスペンサ（不図示）で供給することもできる。 In this embodiment, transfer molding (resin molding) is performed using, for example, a resin tablet obtained by molding a thermosetting resin or the like into a tablet (column) shape. At the time of resin molding, a resin tablet (not shown) is put into the pot 63 of the preheated lower mold 60 and melted. Then, the mold cavity (space) between the upper mold 50 and the lower mold 60 is filled with the resin 20 by moving the plunger 64 upward to pump the molten resin. The plunger 64 is configured to slide up and down along the pot 63 by a transfer mechanism (not shown). In addition, it can replace with a resin tablet and can also supply powder resin, granule resin, and liquid thermosetting resin with a dispenser (not shown).
図１（ｃ）に示されるように、上型５０と下型６０との間に基板１０をクランプして、プランジャ６４によって樹脂が圧送されることにより、溶融した樹脂は、金型カル５３、金型ランナ５４、及び、金型ゲート５５を順に通って、上型５０と下型６０との間に形成された金型キャビティ５７（空間）へ供給される。このように樹脂２０は、金型キャビティ５７内において金型カル５３、金型ランナ５４、及び、金型ゲート５５に近い側から遠い側に向けて順次供給される。 As shown in FIG. 1C, the substrate 10 is clamped between the upper mold 50 and the lower mold 60 and the resin is pumped by the plunger 64, so that the molten resin The material passes through the mold runner 54 and the mold gate 55 in order, and is supplied to a mold cavity 57 (space) formed between the upper mold 50 and the lower mold 60. As described above, the resin 20 is sequentially supplied from the side closer to the mold cull 53, the mold runner 54, and the mold gate 55 in the mold cavity 57 toward the far side.
半導体実装基板１００は、基板１０の上に複数の半導体チップ３０（本実施例では、縦３個、横９個の半導体チップ３０）を格子状に実装して構成されている。複数の半導体チップ３０は、上述の上型５０及び下型６０（金型）を用いたトランスファモールドにより、樹脂２０で一括に充填されている。図１（ａ）に示されるように、金型から樹脂モールド後の半導体実装基板１００を取り出すと、金型カル５３、金型ランナ５４、及び、金型ゲート５５の対応位置に、これらの形状を反映した樹脂による成形品カル２１、成形品ランナ２２、及び、成形品ゲート２３がそれぞれ形成される。 The semiconductor mounting substrate 100 is configured by mounting a plurality of semiconductor chips 30 (three vertical and nine horizontal semiconductor chips 30 in this embodiment) on the substrate 10 in a grid pattern. The plurality of semiconductor chips 30 are collectively filled with the resin 20 by transfer molding using the above-described upper mold 50 and lower mold 60 (mold). As shown in FIG. 1A, when the semiconductor mounting substrate 100 after resin molding is taken out from the mold, these shapes are formed at corresponding positions of the mold cull 53, the mold runner 54, and the mold gate 55. A molded product cal 21, a molded product runner 22, and a molded product gate 23 made of resin reflecting the above are formed.
図２に示されるように、上型の金型キャビティ５７には、複数の凹部５８が形成されている。本実施例において、各々の凹部５８は、樹脂モールドの際に樹脂が流れる第１の方向（図２（ａ）中の矢印Ｆの方向）に沿って直線状に形成されている。また、凹部５８は、半導体実装基板１００の切断部位（カット部位）に対応する成形品位置に形成されており、凹部５８の幅ｗは、切断の際に用いられるダイサー（不図示）のカット幅以下（ダイサーブレードの幅以下）に設定されている。通常、ダイサーのカット幅は０．５ｍｍの幅を有するため、凹部５８の幅ｗは０．１〜０．５ｍｍに設定されることが好ましい。また、凹部５８の幅ｗを０．３〜０．４ｍｍに設定するとより好ましい。なお、凹部５８の深さ（高さ）は０．５〜１．０ｍｍ程度に設定される。 As shown in FIG. 2, a plurality of recesses 58 are formed in the upper mold cavity 57. In this embodiment, each recess 58 is formed linearly along a first direction (in the direction of arrow F in FIG. 2A) in which resin flows during resin molding. The recess 58 is formed at the position of the molded product corresponding to the cut site (cut site) of the semiconductor mounting substrate 100, and the width w of the recess 58 is the cut width of a dicer (not shown) used for cutting. The following is set (below the width of the dicer blade). Usually, since the cut width of the dicer has a width of 0.5 mm, the width w of the recess 58 is preferably set to 0.1 to 0.5 mm. Further, it is more preferable that the width w of the recess 58 is set to 0.3 to 0.4 mm. The depth (height) of the recess 58 is set to about 0.5 to 1.0 mm.
このように、金型キャビティ５７に形成された凹部５８の幅ｗをダイサーのカット幅以下に設定することで、樹脂２０の凸部２５の幅ｗをダイサーのカット幅以下にすることができる。このため、半導体実装基板１００をダイサーにて切断（個片化）したとき、個片化後の各々の半導体装置に樹脂の凸部２５が残ることがない。従って、薄い樹脂モールド製品に対して樹脂の充填性を向上させたモールド金型を用いながら、最終製品である半導体装置を薄くすることができる。 Thus, by setting the width w of the concave portion 58 formed in the mold cavity 57 to be equal to or smaller than the cut width of the dicer, the width w of the convex portion 25 of the resin 20 can be equal to or smaller than the cut width of the dicer. For this reason, when the semiconductor mounting substrate 100 is cut (divided into pieces) with a dicer, the resin protrusions 25 do not remain in each semiconductor device after being divided into pieces. Therefore, the semiconductor device as the final product can be made thin while using a mold having improved resin filling properties for a thin resin mold product.
次に、図４を参照して、本発明の実施例２における半導体実装基板（樹脂モールド製品）及びモールド金型について説明する。図４は、本実施例における半導体実装基板及び樹脂モールド製品の概略図であり、図４（ａ）は半導体実装基板の平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）中のＢ−Ｂ面における半導体実装基板の断面図、図４（ｃ）は図４（ａ）中のＣ−Ｃ面におけるモールド金型の断面図を示す。 Next, with reference to FIG. 4, a semiconductor mounting substrate (resin mold product) and a mold mold according to the second embodiment of the present invention will be described. 4A and 4B are schematic views of the semiconductor mounting substrate and the resin molded product according to the present embodiment. FIG. 4A is a plan view of the semiconductor mounting substrate, and FIG. 4C is a cross-sectional view of the semiconductor mounting substrate on the surface, and FIG. 4C is a cross-sectional view of the mold on the CC plane in FIG.
本実施例の半導体実装基板１００ａにおいては、樹脂２０の凸部２５ａが、樹脂モールドの際に樹脂２０が流れる第１の方向（図４（ａ）中の矢印Ｆ）及び第１の方向と直交する第２の方向（図４（ａ）中の矢印Ｐ）の両方に沿って格子状に形成されている。このため、本実施例における上型５０ａの金型キャビティ５７には、第１の方向及び第２の方向の両方に沿って格子状に形成された凹部５８ａが設けられている。なお、本実施例の下型としては実施例１と同様の下型６０が用いられる。 In the semiconductor mounting substrate 100a of the present embodiment, the convex portion 25a of the resin 20 is orthogonal to the first direction (arrow F in FIG. 4A) and the first direction in which the resin 20 flows during resin molding. It is formed in a lattice shape along both of the second directions (arrow P in FIG. 4A). For this reason, the mold cavity 57 of the upper mold 50a in the present embodiment is provided with recesses 58a formed in a lattice shape along both the first direction and the second direction. As the lower mold of this embodiment, the lower mold 60 similar to that of the first embodiment is used.
本実施例において、凹部５８ａは、第１の方向及び第２の方向のいずれについても、半導体実装基板１００ａの切断部位（カット部位）に対応する位置に形成されている。また、凹部５８ａの第１の方向における幅及び第２の方向における幅はいずれも、切断の際に用いられるダイサー（不図示）のカット幅以下（ダイサーブレードの幅以下）に設定されている。実施例１と同様に、凹部５８ａの幅ｗは、好ましくは０．１〜０．５ｍｍに設定され、より好ましくは０．３〜０．４ｍｍに設定される。なお、凹部５８ａの幅ｗは、第１の方向及び第２の方向の両方で同一に設定してもよいし、互いに異なる幅に設定してもよい。 In the present embodiment, the recess 58a is formed at a position corresponding to a cutting site (cut site) of the semiconductor mounting substrate 100a in both the first direction and the second direction. In addition, the width in the first direction and the width in the second direction of the recess 58a are both set to be equal to or smaller than the cut width of a dicer (not shown) used for cutting (less than the width of the dicer blade). Similar to the first embodiment, the width w of the recess 58a is preferably set to 0.1 to 0.5 mm, and more preferably set to 0.3 to 0.4 mm. The width w of the recess 58a may be set to be the same in both the first direction and the second direction, or may be set to different widths.
本実施例のモールド金型及び半導体実装基板の製造方法によれば、薄い樹脂モールド製品に対して樹脂の充填性をより向上させながら、最終製品である半導体装置を薄くすることができる。 According to the manufacturing method of the mold and the semiconductor mounting substrate of the present embodiment, it is possible to make the semiconductor device as the final product thin while further improving the resin filling property with respect to the thin resin mold product.
次に、図５を参照して、本発明の実施例３における半導体実装基板（樹脂モールド製品）及びモールド金型について説明する。図５は、本実施例における半導体実装基板及び樹脂モールド製品の概略図であり、図５（ａ）は半導体実装基板の平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）中のＢ−Ｂ面における半導体実装基板の断面図、図５（ｃ）は図５（ａ）中のＣ−Ｃ面におけるモールド金型の断面図を示す。 Next, with reference to FIG. 5, a semiconductor mounting substrate (resin mold product) and a mold mold in Example 3 of the present invention will be described. FIG. 5 is a schematic view of a semiconductor mounting substrate and a resin mold product in this example, FIG. 5 (a) is a plan view of the semiconductor mounting substrate, and FIG. 5 (b) is a BB in FIG. FIG. 5C is a cross-sectional view of the mold on the CC plane in FIG. 5A.
図５（ｃ）に示されるように、本実施例のモールド金型における上型５０ｂは、上キャビティブロック５１ｂ及び上センターブロック５２ｂを備えており、樹脂モールドの際に基板１０を上面側（半導体チップ３０の実装面とは反対側）から押さえ付ける。上キャビティブロック５１ｂには、樹脂モールドの対象となる基板１０が配置される。上センターブロック５２ｂは、金型カル５３ｂ及び金型ランナ５４ｂを備えている。 As shown in FIG. 5C, the upper mold 50b in the mold of this embodiment includes an upper cavity block 51b and an upper center block 52b, and the substrate 10 is placed on the upper surface side (semiconductor) during resin molding. Press from the side opposite to the mounting surface of the chip 30. In the upper cavity block 51b, the substrate 10 to be subjected to resin molding is disposed. The upper center block 52b includes a mold cull 53b and a mold runner 54b.
モールド金型の下型６０ｂは、下キャビティブロック６１ｂ及び下センターブロック６２ｂを備えており、樹脂モールドの際に基板１０を下面側（半導体チップ３０の実装面側）から押さえ付ける。下キャビティブロック６１ｂには金型キャビティ６７（空間）が形成されており、金型キャビティ６７の内部には樹脂モールドにより樹脂２０が充填される。下センターブロック６２ｂには金型ランナ５４ｂの一部、及び、金型ランナ５４ｂに接続された金型ゲート５５ｂが形成されている。本実施例では、３つの金型カル５３ｂのそれぞれに金型ランナ５４ｂが接続されており、各金型ランナ５４ｂは途中で３つに分岐され、それぞれ金型ゲート５５ｂへと繋がっている。ただし本実施例はこのような構造に限定されるものではない。 The lower mold 60b of the mold die includes a lower cavity block 61b and a lower center block 62b, and presses the substrate 10 from the lower surface side (the mounting surface side of the semiconductor chip 30) during resin molding. A mold cavity 67 (space) is formed in the lower cavity block 61b, and the mold cavity 67 is filled with the resin 20 by a resin mold. A part of the mold runner 54b and a mold gate 55b connected to the mold runner 54b are formed in the lower center block 62b. In the present embodiment, a mold runner 54b is connected to each of the three mold culls 53b, and each mold runner 54b is branched into three on the way and connected to the mold gate 55b. However, the present embodiment is not limited to such a structure.
下センターブロック６２ｂには金型ランナ５４ｂの一部が形成されている。また下型６０ｂは、ポット６３ｂ及びプランジャ６４ｂを備えている。樹脂モールドの際には、上型５０ｂ及び下型６０ｂで基板１０をクランプして（挟み）、トランスファモールドにより樹脂２０を上型５０ｂと下型６０ｂとの間に形成された金型キャビティ６７（空間）に充填する。 A part of the mold runner 54b is formed in the lower center block 62b. The lower mold 60b includes a pot 63b and a plunger 64b. In resin molding, the substrate 10 is clamped (sandwiched) by the upper mold 50b and the lower mold 60b, and the mold cavity 67 (the mold cavity 67) formed between the upper mold 50b and the lower mold 60b by transfer molding is used. Fill the space.
このように、本実施例のモールド金型では、下型６０ｂに金型キャビティ６７が形成されている。金型キャビティ６７には、第１の方向（図５（ａ）中の矢印Ｆ）及び第１の方向と直交する第２の方向（図５（ａ）中の矢印Ｐ）の両方に沿って格子状に形成された凹部６８が設けられている。 Thus, in the mold according to the present embodiment, the mold cavity 67 is formed in the lower mold 60b. The mold cavity 67 has both a first direction (arrow F in FIG. 5A) and a second direction orthogonal to the first direction (arrow P in FIG. 5A). Concave portions 68 formed in a lattice shape are provided.
本実施例において、下型６０ｂの凹部６８は、第１の方向及び第２の方向のいずれについても、半導体実装基板１００ｂの切断部位（カット部位）に対応する位置に形成されている。また、凹部６８の第１の方向における幅及び第２の方向における幅はいずれも、切断の際に用いられるダイサー（不図示）のカット幅以下（ダイサーブレードの幅以下）に設定されている。実施例２と同様に、凹部５８ａの幅は、好ましくは０．１〜０．５ｍｍに設定され、より好ましくは０．３〜０．４ｍｍに設定される。 In the present embodiment, the concave portion 68 of the lower mold 60b is formed at a position corresponding to a cutting portion (cut portion) of the semiconductor mounting substrate 100b in both the first direction and the second direction. In addition, the width in the first direction and the width in the second direction of the recess 68 are both set to be equal to or smaller than the cut width of a dicer (not shown) used for cutting (less than the width of the dicer blade). Similarly to the second embodiment, the width of the recess 58a is preferably set to 0.1 to 0.5 mm, and more preferably set to 0.3 to 0.4 mm.
このため、半導体実装基板１００ｂには、図５（ａ）に示されるように、上述のようにダイサーのカット幅以下の幅を有する樹脂２０の凸部２５ｂが、樹脂モールドの際に樹脂２０が流れる第１の方向及び第１の方向と直交する第２の方向の両方に沿って格子状に形成される。このような構成により、薄い樹脂モールド製品に対して樹脂の充填性をより向上させながら、最終製品である半導体装置を薄くすることができる。 For this reason, as shown in FIG. 5A, the semiconductor mounting substrate 100b has the convex portion 25b of the resin 20 having a width equal to or smaller than the cut width of the dicer as described above. A grid is formed along both the flowing first direction and the second direction orthogonal to the first direction. With such a configuration, the semiconductor device as the final product can be made thin while further improving the resin filling property with respect to the thin resin mold product.
上記各実施例によれば、薄い樹脂モールド製品に対して樹脂の充填性を向上させたモールド金型を提供することができる。また、そのような樹脂モールド製品を製造するための半導体実装基板の製造方法を提供することができる。 According to each said Example, the mold metal mold | die which improved the filling property of resin with respect to a thin resin mold product can be provided. Moreover, the manufacturing method of the semiconductor mounting substrate for manufacturing such a resin mold product can be provided.
以上、本発明の実施例について具体的に説明した。ただし、本発明は上記実施例として記載された事項に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。 The embodiment of the present invention has been specifically described above. However, the present invention is not limited to the matters described as the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the technical idea of the present invention.
１０ 基板
２０ 樹脂
２５ 凸部
５０ 上型
５３ 金型カル
５４ 金型ランナ
５５ 金型ゲート
５７ 金型キャビティ
５８ 凹部
６０ 下型
６３ ポット
６４ プランジャ
１００ 半導体実装基板
10 Substrate 20 Resin 25 Convex 50 Upper Mold 53 Mold Cull 54 Mold Runner 55 Mold Gate 57 Mold Cavity 58 Recess 60 Lower Mold 63 Pot 64 Plunger 100 Semiconductor Mounting Board
Claims (6)
前記半導体実装基板を上面側から押さえるように構成された上型と、
前記半導体実装基板を下面側から押さえるように構成された下型と、を有し、
前記上型及び前記下型の少なくとも一つには、前記樹脂モールドにより樹脂が充填されるキャビティが形成されており、
前記キャビティには、前記半導体実装基板のカット部位に対応する位置に凹部が形成されており、
前記凹部の幅は、ダイサーのカット幅以下であることを特徴とするモールド金型。 A mold used for resin molding of a semiconductor mounting substrate on which a plurality of semiconductor chips are mounted,
An upper mold configured to hold the semiconductor mounting substrate from the upper surface side;
A lower mold configured to hold the semiconductor mounting substrate from the lower surface side,
At least one of the upper mold and the lower mold is formed with a cavity filled with resin by the resin mold,
In the cavity, a recess is formed at a position corresponding to the cut portion of the semiconductor mounting substrate,
The mold has a width that is less than or equal to a cut width of a dicer.
基板に複数の半導体チップを実装する工程と、
上型及び下型で前記基板をクランプする工程と、
前記基板をクランプした状態で、前記上型及び前記下型の少なくとも一つに形成されたキャビティの内部に樹脂を充填する工程と、を有し、
前記樹脂を充填する工程は、前記樹脂を前記キャビティに形成された凹部に充填することにより、前記半導体実装基板のカット部位に対応する成形品位置に凸部を形成し、
前記凸部の幅は、ダイサーのカット幅以下であることを特徴とする半導体実装基板の製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor mounting substrate on which a plurality of semiconductor chips are mounted,
Mounting a plurality of semiconductor chips on a substrate;
Clamping the substrate with an upper mold and a lower mold;
Filling the inside of a cavity formed in at least one of the upper mold and the lower mold with the substrate clamped, and
The step of filling the resin includes forming a convex portion at a molded product position corresponding to the cut portion of the semiconductor mounting substrate by filling the concave portion formed in the cavity with the resin,
The method of manufacturing a semiconductor mounting substrate, wherein the width of the convex portion is equal to or less than a cut width of a dicer.
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| JP2002176067A (en) * | 2000-12-11 | 2002-06-21 | Apic Yamada Corp | Resin sealing method and resin sealing apparatus |
| JP2011151104A (en) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Elpida Memory Inc | Method for manufacturing semiconductor device and intermediate structure of the semiconductor device |
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