JP2012124027A - 電子銃のコンディショニング方法および電子線描画装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子線描画装置1には、電子銃100と、電子銃100の電極に電圧を供給する電圧供給部3と、電子銃100の電極間のリーク電流を検出する電流検出部4と、リーク電流の検出データに基づき電圧供給部3を制御する制御部5が備えられる。制御部5内には、リーク電流の検出データを保存する電流保存部6が設けられる。そして、電子銃100の電極に電圧供給部3から電圧を供給し、電流検出部4がリーク電流を検出し、制御部5が電流保存部6に保存された検出データをオフセットとして用いてリーク電流を評価し、電極間に印加する電圧を制御し、電子銃100のコンディショニング処理を行うようにする。
【選択図】図2
Description
電子線描画装置に使用される電子銃100は、図5の断面図に示すように、電子光学鏡筒101の上方部に配設され、一対の第1の電極102(102a、102b)、第2の電極103および第3の電極104(例えば、ウェネルト)を有する。
リーク電流の検出データを保存し、保存されたリーク電流の検出データをオフセットと見なしてリーク電流の評価をし、電圧を制御することを特徴とするものである。
すなわち、電流保存部6に保存された、電流検出部4で検出された過去のリーク電流の検出データのうち、複数の検出データを選択する。次いで、これらの検出データを用いて、標準偏差値を算出する処理を行う。この標準偏差値に所望の数を掛けて所望の倍数化をする演算処理をし、得られた値を用いて放電検出閾値を設定する。
その場合、第2基準値(I2)は、放電検出閾値(I1)より大きい値が設定される。例えば、第2基準値(I2)を10μAとすることができる。そして、電子銃100で大きな放電が発生し、リーク電流ILにおいて、(IL−IO)≧I2の関係が満たされた場合に、印加電圧Vを所定電圧Vuだけ降下するようにすることができる。この場合、印加電圧Vは、その保持時間がリーク電流ILにより異なったものになり、VminからVmaxまでステップ状に増加するが、逆に電圧降下が生じる場合もある。
図4では、上述の図1と同様、電子銃の電極に流れるリーク電流を、経過時間(t)に対しプロットしている。
すなわち、図4では、電子銃100に放電が発生していない状態で常時検出されるリーク電流値が、バックグラウンドのリーク電流値となり、その経時変化が、図4のグラフのベースラインを構成している。そして、過去に検出された複数のリーク電流の検出データの平均値や、過去に検出されたリーク電流検出値のうちの直近の検出データがオフセットと見なされて、現在の検出によるリーク電流が評価される。
例えば、図4に示すように、時間T1では、放電が発生し、それによる大量のリーク電流が発生する。その場合、時間T1で大きな電流のピークが形成され、これが放電検出閾値を超えることにより、放電発生として判定される。
3 電圧供給部
4 電流検出部
5 制御部
6 電流保存部
100 電子銃
101 電子光学鏡筒
102、102a、102b 第1の電極
103 第2の電極
104 第3の電極
105 カソード
106 電子線
107 引き出し電極
108 高電圧源
109 バイアス電源
Claims (5)
- 電子銃を構成する電極に電圧を印加し、前記電極に流れるリーク電流を検出して前記電極に印加する電圧を制御する電子銃のコンディショニング方法であって、
前記リーク電流の検出データを保存し、保存された前記リーク電流の検出データをオフセットと見なして前記リーク電流の評価をし、前記電圧を制御することを特徴とする電子銃のコンディショニング方法。 - 前記オフセットと見なされる前記リーク電流の検出データは、保存された前記リーク電流の検出データの中の最新の検出データであることを特徴とする請求項1に記載の電子銃のコンディショニング方法。
- 前記オフセットと見なされる前記リーク電流の検出データは、保存された前記リーク電流の検出データから選択された複数の検出データの平均値であることを特徴とする請求項1に記載の電子銃のコンディショニング方法。
- 前記リーク電流の基準値を定め、検出された前記リーク電流値と前記基準値との大小関係を評価して前記電圧を制御することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子銃のコンディショニング方法。
- 電子線を放出する電子銃と、
前記電子銃を構成する電極に電圧を供給する電圧供給手段と、
前記電子銃の電極間に流れるリーク電流を検出するリーク電流検出手段と、
前記リーク電流の検出データを保存するデータ保存手段と、
前記リーク電流の検出データに基づき前記電圧供給手段を制御するデータ処理手段とを有し、
前記電子銃の前記電極に前記電圧供給手段から電圧を供給して、前記リーク電流検出手段が前記リーク電流を検出し、前記データ処理手段は前記データ保存手段に保存された前記検出データをオフセットとして用いて前記リーク電流を評価し、前記電圧を制御し、前記電子銃のコンディショニング処理を行うよう構成されたことを特徴とする電子線描画装置。
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
JP2015135847A (ja) * | 2014-01-16 | 2015-07-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子線描画装置及び電子線描画方法 |
JP2019140063A (ja) * | 2018-02-15 | 2019-08-22 | 株式会社荏原製作所 | 昇圧方法、昇圧システム、昇圧装置および昇圧プログラム |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61296641A (ja) * | 1985-06-26 | 1986-12-27 | Hitachi Ltd | 電子管のスポツトノツキング方法 |
JPS63261649A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Hitachi Ltd | 陰極線管の高電圧処理方法 |
JP2007012512A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Shimadzu Corp | 高電圧漏れ電流測定装置、及びtftアレイ検査装置 |
JP2008078103A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Nuflare Technology Inc | 電子銃のコンディショニング処理方法および処理装置 |
JP2010219372A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Nuflare Technology Inc | 電子ビーム描画装置及び電子銃のカソード寿命の判定方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61296641A (ja) * | 1985-06-26 | 1986-12-27 | Hitachi Ltd | 電子管のスポツトノツキング方法 |
JPS63261649A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Hitachi Ltd | 陰極線管の高電圧処理方法 |
JP2007012512A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Shimadzu Corp | 高電圧漏れ電流測定装置、及びtftアレイ検査装置 |
JP2008078103A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Nuflare Technology Inc | 電子銃のコンディショニング処理方法および処理装置 |
JP2010219372A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Nuflare Technology Inc | 電子ビーム描画装置及び電子銃のカソード寿命の判定方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015135847A (ja) * | 2014-01-16 | 2015-07-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子線描画装置及び電子線描画方法 |
JP2019140063A (ja) * | 2018-02-15 | 2019-08-22 | 株式会社荏原製作所 | 昇圧方法、昇圧システム、昇圧装置および昇圧プログラム |
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