JP2012120127A - 撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】撮像用画素の間に焦点検出用画素を配置した撮像素子において、焦点検出用画素が配置されていることに起因する画質劣化を抑制する。
【解決手段】撮影レンズの射出瞳を通過した光束を受光する撮像用画素と撮影レンズの射出瞳の一部が遮光された光束を受光する焦点検出用画素SHA、SHBとが配列された撮像素子と、撮像用画素の信号を垂直方向に出力する第1の垂直出力線503aと、焦点検出用画素の信号を垂直方向に出力する第2の垂直出力線503bと、複数の撮像用画素の信号を垂直方向に加算する垂直加算部502と、垂直加算部により複数の撮像用画素の信号を加算する加算読み出しモードにおいて、加算の対象に焦点検出用画素が含まれる場合は、焦点検出用画素を除く撮像用画素の信号のみが加算されるように垂直加算部を制御する制御部とを備える。
【選択図】 図5

Description

本発明は、多数の光電変換素子で構成された撮像素子を有する撮像装置に関する。
近年、CCDやCMOSといったタイプの固体撮像素子を用いたデジタルカメラやビデオカメラが一般的に普及している。このようなデジタルカメラやビデオカメラには、自動的に撮影レンズの焦点位置を調節するためのオートフォーカス(以下、AFと略す)機能が搭載されている。コンパクトカメラやビデオカメラでは、撮像信号のコントラストを評価して焦点状態を調節する、コントラスト方式によるAFが行われている。
また、デジタル一眼レフカメラにおいては、光学ファインダーを使った静止画撮影では、クイックリターンミラーにより撮影光束を光学ファインダーと焦点検出手段に分割して、専用の位相差焦点検出装置によりAFを行う。また、電子ビューファインダーや動画撮影においては、クイックリターンミラーを退避させて固体撮像素子のみに撮影光束を導き、コンパクトカメラやビデオカメラと同じく、コントラスト方式によるAFが行われている。
しかしながら、専用の位相差焦点検出装置は、スペースやコストなどの点で不利であり、コントラスト方式は、撮影レンズの焦点位置を変えながら撮像信号のコントラストが最も大きくなる位置を探索するため、高速な焦点合わせが出来ないといった欠点がある。
上記の欠点を克服するため、撮像素子の一部の受光素子(画素)において、オンチップマイクロレンズの光軸に対して受光部の感度領域を偏心させることで瞳分割機能を付与し、これらの画素を焦点検出用画素とする技術が提案されている。焦点検出用画素を、撮像用画素群の間に所定の間隔で配置することで、電子ビューファインダーや動画撮影でも、高速な位相差方式によるAFを実現することができる(特許文献1参照)。
また、電子ビューファインダーや動画撮影において、複数の画素信号を加算して高速に読み出す際に、撮像用画素と焦点検出用画素の信号出力が混合しないように、種類別に加算して読み出す技術も提案されている。このようにすることで、表示画像の画質劣化を抑制しつつ、焦点検出を行うことが可能となる(特許文献2参照)。
また、電子ビューファインダーや動画撮影で、モアレなどによる画質劣化を防止するために、撮像素子の画素を加算しながら読み出す加算読み出しモードにおいて、次のようにすることも提案されている。すなわち、加算対象に焦点検出用画素が含まれる場合に、撮像用画素の信号と、焦点検出用画素の信号が混合しないように読み出す(特許文献3参照)。
特開2000−156823号公報 特開2009−86424号公報 特開2010−20055号公報
しかしながら、従来、撮像素子を利用して位相差AFを行う撮像装置で電子ビューファインダーモードや動画撮影モードが設定された場合に、画質の劣化を抑えて焦点検出を行うことはできなかった。
たとえば、特許文献1では、焦点検出用画素が配置された箇所は画像信号としては欠損部に相当するため、周辺の撮像用画素情報から補間して画像情報を創生しており、補間ミスによる画質劣化を防止できない。また、電子ビューファインダーモードや動画撮影時は画素を間引いて読み出しているため、モアレなどによる画質劣化が発生してしまう。
また、特許文献2では、電子ビューファインダーモードや動画撮影の際に画素加算を行うことで、モアレなどの発生を抑え画質劣化の抑制を行っている。しかし、同様に焦点検出用画素が配置された箇所は画像信号としては欠損部に相当するため、周辺の撮像用画素情報から補間して画像情報を創生しており、補間ミスによる画質劣化を防止できない。また、垂直方向の画素加算を行う際にライン毎にラインメモリに転送する必要があり、垂直転送による遅延が発生してしまうため、高フレームレートへの対応が困難である。
また、特許文献3では、水平の加算対象画素内に焦点検出用画素が含まれる場合に、焦点検出用画素を非加算で単独出力することが可能あるが、垂直方向の加算に関する具体的な記載はない。
本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、撮像用画素の間に焦点検出用画素を配置した撮像素子において、焦点検出用画素が配置されていることに起因する画質劣化を抑制することである。
本発明に関わる撮像装置は、撮影レンズの射出瞳を通過した光束を受光する撮像用画素と前記撮影レンズの射出瞳の一部が遮光された光束を受光する焦点検出用画素とが配列された撮像素子と、前記撮像用画素の信号を前記撮像素子の垂直方向に出力する第1の垂直出力手段と、前記焦点検出用画素の信号を前記撮像素子の垂直方向に出力する第2の垂直出力手段と、複数の撮像用画素の信号を前記撮像素子の垂直方向に加算する垂直加算手段と、前記撮像素子の全ての画素の信号を加算せずに読み出す全画素読み出しモードと、前記垂直加算手段により前記複数の撮像用画素の信号を加算して読み出す加算読み出しモードとを備え、前記加算読み出しモードにおいて、加算の対象に前記焦点検出用画素が含まれる場合は、前記焦点検出用画素を除く前記撮像用画素の信号のみが加算されるように前記垂直加算手段を制御し、加算された前記撮像用画素の信号と前記焦点検出用画素の信号をそれぞれ前記第1および第2の垂直出力手段によって同時に出力するように制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、撮像用画素の間に焦点検出用画素を配置した撮像素子において、焦点検出用画素が配置されていることに起因する画質劣化を抑制することである。
第1の実施形態のカメラのブロック図。 第1の実施形態の撮像素子の撮像用画素の平面図と断面図。 第1の実施形態の撮像素子の焦点検出用画素の平面図と断面図。 第1の実施形態の撮像素子の画素部回路図。 第1の実施形態の撮像素子の全体ブロック図。 第1の実施形態の撮像素子の画素配置および水平垂直加算の説明図。 第1の実施形態の撮像素子の垂直転送タイミングチャート。 第1の実施形態の撮像素子の水平転送タイミングチャート。 第1の実施形態の撮像素子の画素配置および水平垂直加算の説明図。 第1の実施形態の撮像素子の垂直転送タイミングチャート。 第1の実施形態の撮像素子の変形例の画素部回路図。 第2の実施形態の撮像素子の全体ブロック図。 第2の実施形態の撮像素子の画素配置および水平垂直加算の説明図。 第2の実施形態の撮像素子の水平転送タイミングチャート。 第3の実施形態の撮像素子の画素部回路図。 第3の実施形態の撮像素子の画素部の駆動タイミングチャート。 第3の実施形態の撮像素子の全体ブロック図。 第3の実施形態の撮像素子の画素配置および垂直加算の説明図。 第3の実施形態の撮像素子の垂直転送タイミングチャート。
以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の撮像装置の第1の実施形態であるデジタルカメラ100の構成を示すブロック図である。図1において、101は撮影光学系の先端に配置された第1レンズ群であり、光軸方向に進退可能に保持されている。102は絞り兼用シャッタであり、その開口径を調節することで撮影時の光量調節を行うほか、静止画撮影時には露光秒時調節用シャッタとして機能する。103は第2レンズ群である。絞り兼用シャッタ102及び第2レンズ群103は、一体で光軸方向に移動し、第1レンズ群101の移動と連動して変倍作用(ズーム機能)をなす。105はフォーカスレンズを含む第3レンズ群であり、光軸方向に移動して焦点調節を行う。106は光学的ローパスフィルターであり、撮影画像の偽色やモアレを軽減するための光学素子である。107はCMOSセンサとその周辺回路で構成された撮像素子である。撮像素子107には、横方向m画素、縦方向n画素の受光ピクセル上に、ベイヤー配列の原色カラーモザイクフィルタがオンチップで形成された、2次元単板カラーセンサが用いられる。撮像素子107は、撮像用画素と焦点検出用画素をそれぞれ複数有する。
111はズームアクチュエータであり、不図示のカム筒を回動することで、第1レンズ群101乃至第3レンズ群105を光軸方向に駆動して変倍操作を行う。112は絞りシャッタアクチュエータであり、絞り兼用シャッタ102の開口径を制御して撮影光量を調節すると共に静止画撮影時の露光時間制御を行う。114はフォーカスアクチュエータであり、第3レンズ群105を光軸方向に駆動して焦点調節を行う。115は撮影時の被写体照明用の電子フラッシュである。116はAF補助光部であり、所定の開口パターンを有したマスクの像を、投光レンズを介して被写界に投影し、暗い被写体あるいは低コントラスト被写体に対する焦点検出能力を向上させる。
121はCPUであり、カメラ本体の種々の制御を司る制御部である。CPU121は、演算部、ROM、RAM、A/Dコンバータ、D/Aコンバータ、通信インターフェース回路等を有し、ROMに記憶されたプログラムに基づいて、カメラが有する各種回路を駆動し、AF、撮影、画像処理、記録等の一連の動作を実行する。122は電子フラッシュ制御回路であり、撮影動作に同期して電子フラッシュ115を点灯制御する。123は補助光駆動回路であり、焦点検出動作に同期してAF補助光部116を点灯制御する。
124は撮像素子駆動回路であり、撮像素子107の撮像動作を制御すると共に取得した画像信号をA/D変換してCPU121に送信する。125は画像処理回路であり、撮像素子107が取得した画像のγ変換、カラー補間、JPEG圧縮等の処理を行う。
126はフォーカス駆動回路であり、CPU121による制御の下で焦点検出結果に基づいてフォーカスアクチュエータ114を駆動制御し、第3レンズ群105を光軸方向に駆動して焦点調節を行う。128は絞りシャッタ駆動回路であり、絞りシャッタアクチュエータ112を駆動制御して絞り兼用シャッタ102の開口を制御する。129はズーム駆動回路であり、撮影者のズーム操作に応じてズームアクチュエータ111を駆動する。
131はLCDなどの表示器であり、デジタルカメラ100の撮影モードに関する情報、撮影前のプレビュー画像と撮影後の確認用画像、焦点検出時の合焦状態表示画像などを表示する。132は操作スイッチ群であり、電源スイッチ、レリーズ(撮影トリガ)スイッチ、ズーム操作スイッチ、モード選択スイッチを有する。モード選択スイッチは、静止画撮影モード、動画撮影モード、電子ビューファインダーモードを設定可能なモード設定部として機能する。そして、動画撮影モードや電子ビューファインダーモードにおいては、後述する加算読み出しモード(又は第1加算読み出しモード若しくは第2加算読み出しモード)を設定することができる。133は着脱可能なフラッシュメモリであり、撮影済み画像を記録する。
図2及び図3は、撮像用画素と焦点検出用画素の構造を説明する図である。本実施形態では、撮影光学系の射出瞳の一部領域(一部が遮光された領域)を通る光を受光する焦点検出用画素が複数設けられている。本実施形態では、2行×2列(以降、行=X、列=Yとし、例えば2行×2列は2×2と表す。)の4画素のうち対角2画素にG(緑色)の分光感度を有する画素を配置し、他の2画素にR(赤色)とB(青色)の分光感度を有する画素を各1個配置したベイヤー配列を採用している。そして、ベイヤー配列の間に、後述する構造の焦点検出用画素を分散配置している。
図2に撮像用画素の配置と構造を示す。図2(a)は2×2の撮像用画素の平面図である。周知のごとく、ベイヤー配列では対角方向にG画素が、他の2画素にRとBの画素が配置され、2×2の構造が繰り返し配置される。図2(b)は図2(a)のA−A断面図である。MLは各画素の最前面に配置されたオンチップマイクロレンズである。CFRはR(赤色)のカラーフィルターである。CFGはG(緑色)のカラーフィルターである。PD(PhotoDiode)はCMOSセンサの光電変換部を模式的に示したものである。CL(ContactLayer)はCMOSセンサ内の各種信号を伝達する信号線を形成するための配線層である。TL(TakingLens)は撮影光学系を模式的に示したものである。
撮像用画素のオンチップマイクロレンズMLと光電変換部PDは、撮影光学系TLを通過した光束を可能な限り有効に取り込むように構成されている。撮影光学系TLの射出瞳EP(ExitPupil)と光電変換部PDは、オンチップマイクロレンズMLにより共役関係にあり、かつ光電変換部PDの有効面積は大面積に設計される。また、図2(b)ではR画素の入射光束について説明したが、G画素及びB(青色)画素も同一の構造となっている。従って、撮像用のRGB各画素に対応した射出瞳EPは大口径となり、被写体からの光束を効率よく取り込んで画像信号のS/Nを向上させている。このように、複数の撮像用画素は、射出瞳EPの全域を通る光を各々が受光して被写体の像を生成する。
図3は、撮影光学系TLの水平方向(左右方向又は横方向)に瞳分割を行うための焦点検出用画素の配置と構造を示す図である。ここで、「水平方向」とは、撮影光学系TLの光軸と撮像領域の長辺とが地面に平行となるように撮像装置を構えたとき、この光軸に直交し、かつ水平方向に伸びる直線に沿った方向をいう。図3(a)は、焦点検出用画素を含む2×2の画素の平面図である。記録又は観賞のための画像信号を得る場合、G画素で輝度情報の主成分を取得する。そして、人間の画像認識特性は輝度情報に敏感であるため、G画素が欠損すると画質劣化が認められやすい。一方、R画素又はB画素は、色情報(色差情報)を取得する画素ではあるが、人間の視覚特性は色情報には鈍感であるため、色情報を取得する画素は多少の欠損が生じても画質劣化は認識されにくい。そこで、本実施形態では、2×2の画素のうち、G画素は撮像用画素として残し、R画素とB画素を焦点検出用画素に置き換えている。この焦点検出用画素を図3(a)においてSHA及びSHBと示す。
図3(b)は、図3(a)におけるA−A断面図である。マイクロレンズMLと光電変換部PDは図2(b)に示した撮像用画素と同一構造である。本実施形態では、焦点検出用画素の信号を画像生成に使用せず、色分離用カラーフィルターの代わりに透明膜CFW(白色)を配置する。また、撮像素子107で瞳分割を行うため、配線層CLの開口部はマイクロレンズMLの中心線に対して一方向に偏倚している。具体的には、画素SHA及び開口部OPHAは右側に偏倚して撮影光学系TLの左側の射出瞳EPHAを通過した光束を受光する。画素SHBの開口部OPHBは左側に偏倚して撮影光学系TLの右側の射出瞳EPHBを通過した光束を受光する。画素SHAを水平方向に規則的に配列し、これらの画素群で取得した被写体像をA像とする。また画素SHBも水平方向に規則的に配列し、これらの画素群で取得した被写体像をB像とする。すると、A像とB像の相対位置を検出することで被写体像のピントずれ量(デフォーカス量)が検出できる。
図4は、本実施形態に用いられるCMOS型撮像素子の1画素部の回路を示した図である。401は、撮影レンズに入射する被写体からの反射光を受光し、光電変換を行うフォトダイオード、402は、フォトダイオードに蓄積された信号電荷を後述のフローティングディフュージョン部(以下、FDと略す)の容量に転送するための電荷転送MOSであり、信号φTXにより制御される。403は、フォトダイオードおよびFD容量をリセットするためのリセットMOSであり、信号φRESにより制御される。404は、ゲート部に図示しないFD容量を有し、FD容量に転送された信号電荷を電圧に変換するためのソースフォロワアンプである。また、垂直方向に画素出力を加算可能にするために、ソースフォロワアンプ404のゲート、すなわちFD容量に加算用信号線V_addが接続されている。具体的な加算の方法に関しては、後述する。405は、画素選択用のMOSトランジスタであり、制御信号φSELにより制御されて、前述のソースフォロワアンプ404の出力を垂直出力線に出力する。
図5は、本実施形態に用いられるCMOS型の撮像素子の全体回路ブロックを示した図である。実際の製品では、数百万以上の画素数を有するものが実用化されているが、ここでは、14x24画素の構成で説明を簡略化する。
501は、図4の回路構成を有する画素部であり、14x24画素が配置されている。画素座標は、左上の画素を基準として、(X,Y)=(0,0)から(13,23)が割り当てられている。カラーフィルターの配置は、ベイヤー配列であり、図中に示したR(赤)、G(緑)、B(青)は、フォトダイオード上に塗布されるカラーフィルターの色を示している。SHA、SHB画素は、図3で説明した焦点検出用画素を示しており、SHA画素が、座標(6,18)に、SHB画素が、座標(7,15)に配置されており、焦点検出用画素のカラーフィルターは、焦点検出を可能にするように、Gまたは透明に形成される。また、焦点検出用画素は、SHA画素およびSHB画素のペアが、撮像素子上に離散的に複数個配置され、焦点検出を行うものであるが、説明の簡略化のため、1つのペアが配置される構成で説明を行う。
502は、垂直方向に画素出力を加算するためのMOSトランジスタであり、信号線V_add0から21の22本の信号線によりそれぞれ行単位で共通に制御される。加算の方法であるが、列0で説明を代表させると、MOSトランジスタ502を適宜ONさせることにより、(0,0)、(0,2)、(0,4)の3画素の各R画素、(0,3)、(0,5)、(0,7)の3画素の各G画素、(0,6)、(0,8)、(0,10)の3画素の各R画素、(0,9)、(0,11)、(0,12)の3画素の各G画素、(0,12)、(0,14)、(0,16)の3画素の各R画素、(0,15)、(0,17)、(0,19)の3画素の各G画素、(0,18)、(0,20)、(0,22)の3画素の各R画素のFD容量が並列に接続(ショート)され、並列に接続されたFD容量に、それぞれのフォトダイオードの電荷を転送することにより、加算が行われる。その他の列に関しても、同様である。以上のような構成で、垂直方向に3画素ずつの加算処理が行われる。
また、SHAおよびSHBは、焦点検出用画素であるため、撮像用画素と加算されてしまうと焦点検出が困難になってしまう。そのため、3画素加算の対象に焦点検出用画素が含まれる場合には、焦点検出用画素を垂直加算対象から除外し、単独で焦点検出用画素を出力する必要がある。したがって、(6,18)のSHA画素が加算対象に含まれる(6,18)、(6,20)、(6,22)の画素の加算においては、(6,16)の画素及び(6,18)の画素の加算用のMOSトランジスタ502のゲート電位を、制御信号V_addによらず常時オフ状態とするために、GNDに固定している。また、(6,20)及び(6,22)の撮像用画素については、加算用のMOSトランジスタ502をON状態とし、FD容量が並列に接続され、並列に接続されたFD容量に、それぞれのフォトダイオードの電荷を転送することにより、加算が行われる。
同様に、(7,15)のSHB画素が加算対象に含まれる(7,15)、(7,17)、(7,19)の画素の加算においては、(7,13)の画素及び(7,15)の画素の加算用のMOSトランジスタ502のゲート電位を、制御信号V_addによらず常時オフ状態とするために、GNDに固定している。また、(7,17)及び(7,19)の撮像用画素については、加算用のMOSトランジスタ502をON状態とし、FD容量が並列に接続され、並列に接続されたFD容量に、それぞれのフォトダイオードの電荷を転送することにより、加算が行われる。
こうすることで焦点検出用画素を垂直加算の対象画素から除外できる。また、焦点検出用画素を含む加算グループ内の焦点検出用画素を除く撮像用画素については、垂直加算を行うことができる。
503は、図4に示した垂直出力線であり、ソースフォロワアンプ404の出力を出力するために各列に配置される。また、SHAおよびSHBの焦点検出用画素を含む列には、503a、及び503bの2つの垂直出力線(第1の垂直出力線と第2の垂直出力線)が配置されている。そして、上で説明した垂直加算処理において、焦点検出用画素を含む場合に加算した撮像用画素と非加算の焦点検出用画素をそれぞれ出力可能なように構成されている。504は、ソースフォロワアンプ404の負荷用定電流源であり、各垂直出力線にそれぞれ配置される。
505は、画素部の回路の制御信号、φRES、φTX、φSELおよびV_addを各行の画素群に出力するための垂直選択回路であり、垂直走査回路506により指定される行選択信号に応じて上記の制御信号を出力する。
507は、ラインメモリであり、制御信号MEMにより、垂直転送された1行分の画素信号を一次記憶するものであり、アナログ信号を記憶しておくための容量が、各垂直出力線ごとに配置されている。508から515は、水平画素加算を行うためのアナログスイッチであり、制御信号ADDにより、アナログメモリに転送された画素信号の水平画素加算を行う。垂直加算と同様に、アナログスイッチにより、ラインメモリを並列接続することで、水平加算が実行され、列0/2/4の3画素、列3/5/8の3画素、列6/10/12の3画素、および列11/13/15の3画素がそれぞれ加算される。ここで、SHAおよびSHBの焦点検出用画素の信号出力が垂直出力線503bにより接続されるラインメモリの列7/9は、水平加算の対象から除外するため他の列と接続されていない。
516は、水平出力線をリセットするためリセット用MOSトランジスタ、517は、ラインメモリの出力を水平出力線に接続するためのMOSトランジスタであり、後述の水平走査回路により制御され、画素信号を順次水平出力線に出力する。518は、公知の水平走査回路、519は、水平出力線の画素出力を外部に出力するためのアンプである。
以上のような構成で、垂直3画素加算後に水平方向の加算を実行することで、水平・垂直加算の対象グループに焦点検出用画素を含まない場合は、撮像用画素9画素の加算出力を得ることが可能になる。また、水平・垂直加算の対象ペアに焦点検出用画素を含む場合は、焦点検出用画素を除外した撮像用画素8画素の加算出力と、非加算の焦点検出用画素の出力を得ることが可能になる。
また、撮像素子は、図示しない制御信号と水平垂直走査のタイミング変更により、全画素読み出し、垂直3画素および水平3画素加算による加算間引き読み出し、および、垂直5画素および水平3画素加算による加算間引き読み出しを切り替えて読み出すことが可能なように構成される。垂直5画素加算については、後述する。
図6は、垂直3画素加算、及び、水平3画素加算読み出しにおける画素配置と加算読み出しの関係を示した図である。
まず、図6(a)は、14x24画素の全体配置を示しており、図中のハッチングで示された撮像用画素は、垂直、水平加算後の加算画素の重心位置を示している。また、SHA、SHBの焦点検出用画素については、単独で出力される画素である。図6(b)は、RG列、図6(c)は、GB列、図6(d)はSHA画素を含むRG列、図6(e)は、SHB画素を含むGB列の加算読みの関係を示している。図より、加算前と垂直加算後の関係は、明らかなので、説明は省略する。
同様に、図6(f)は、RG行、図6(g)は、GB行、図6(h)は、SHA画素を含むRG行、図6(i)は、SHB画素を含むGB行の加算読み出しの様子を示している。無印の画素については、接続された画素がなく、画像信号、及び、焦点検出用信号としては扱わない。図より、加算前と水平加算後の関係は、明らかなので、説明は省略する。
また、焦点検出用画素SHA、及び、SHB画素は、他の画素とは加算されずに単独出力が可能であるが、同時に、焦点検出用画素を含む加算グループの内、焦点検出用画素を除く他の撮像用画素は、すべて加算可能である。そして、より多くの撮像用画素の出力が画像信号として得られるように、加算位相と画素配置がなされている。
図7は、図5の撮像素子の読み出しを説明する図であり、垂直3画素加算読み出し時の垂直走査のタイミングを示している。また、全画素読み出しに関しては、説明を省略する。
まず、垂直走査信号φV0が出力され、次に、φRES0,2,4をLレベルにして、0,2,4行のリセットMOSをオフ状態とする。このとき、φSEL0,2,4を出力して、0,2,4行目の画素選択用MOSをオンする。この状態で、V_add0,V_add2をHレベルにして、0,2,4行のFD容量を並列接続し、φTX0,2,4により、電荷転送MOSをオンして、0,2,4行目のフォトダイオードの電荷を並列接続されたFD容量に転送する。転送完了後、φTX、V_add信号は、Lレベルにもどす。この後、MEM信号をHレベルにして、ラインメモリに3画素加算後の画素信号が垂直転送される。
垂直転送が完了したら、φRES信号をHレベルに戻し、再度φTX0,2,4をHレベルにして、フォトダイオードおよびFD容量をリセットする。リセット後、φTXを再度Lレベルに戻して、再び、0,2,4行目のフォトダイオードに電荷蓄積が開始される。垂直転送終了後、水平走査を行って、0,2,4行の読み出しが完了する。
その後、順次、3/5/7行の垂直転送→水平走査、6/8/10行の垂直転送→水平走査、9/11/13行の垂直転送→水平走査、12/14/16行の垂直転送→水平走査、15/17/19行の垂直転送→水平走査を行い、最後に18/20/22行の垂直転送→水平走査を行うことで、垂直3画素および水平3画素加算による加算間引き読み出しが終了する。このときのタイミングに関しては、図7より明らかなので詳細説明を省く。また、このとき、15行目に配置されたSHB画素、及び、18行目に配置されたSHA画素は、加算用MOSトランジスタが、常時オフ状態であるため、加算出力されず、単独出力される。水平走査の詳細に関しては、後述する。
図8は、図5の撮像素子の読み出しを説明する図であり、水平3画素加算読み出し時の水平走査のタイミングを示している。また、全画素読み出しに関しては、説明を省略する。まず、0/2/4行の垂直転送された画素信号を水平走査により、撮像素子の外部端子に出力する動作であるが、HRST信号を出力して、水平転送ラインを所定電位VHRSTにリセットする。次に、水平加算信号ADD=Hレベルに制御し、列0/2/4の3画素、列3/5/8の3画素、列6/10/12の3画素、および、列11/13/15の3画素は、ラインメモリを並列接続することで、水平加算が実行される。また、列7、及び、列9は、接続された画素がなく、画像信号、及び、焦点検出用信号としては扱わない。その後、水平走査回路により、水平走査信号をH2→H5→H7→H9→H10→H13のように順次出力し、517のMOSを順次オンし、ラインメモリの列2,5,7,9,10,13の信号をアンプ518を介して外部に出力する。
また、同様にして、3/5/7行の垂直転送→水平走査→6/8/10行の垂直転送→水平走査→9/11/13行の垂直転送→水平走査→12/14/16行の垂直転送→水平走査→15/17/19行の垂直転送→水平走査→18/20/22行の垂直転送→水平走査が順次繰り返される。詳細タイミングに関しては、図8より明らかなので、説明を省略する。また、15/17/19行、及び、18/20/22行の垂直加算信号には、それぞれ、SHA画素、及び、SHB画素が含まれているため、水平加算の対象から除外し、非加算で出力可能なように他の列と接続されていない列7、および、列9よりそれぞれ単独で出力される。
次に、本実施形態では垂直方向に加算する画素数を変更可能であり、垂直5画素加算読み出し時の制御について説明する。図9は、図5の撮像素子の垂直5画素加算、及び、水平3画素加算読み出しにおける画素配置と加算読み出しの関係を示した図である。
まず、図9(a)は、14x24画素の全体配置を示しており、図中のハッチングで示された撮像用画素は、垂直、水平加算後の加算画素の重心位置を示している。また、SHA、SHBの焦点検出用画素については、単独で出力される画素である。図9(b)は、RG列、図9(c)は、GB列、図9(d)はSHA画素を含むRG列、図9(e)は、SHB画素を含むGB列の加算読みの関係を示している。図より、加算前と垂直加算後の関係は、明らかなので、説明は省略する。
同様に、図9(f)は、RG行、図9(g)は、GB行、図9(h)は、SHA画素を含むRG行、図9(i)は、SHB画素を含むGB行の加算読み出しの様子を示している。無印の画素については、接続された画素がなく、画像信号、及び、焦点検出用信号としては扱わない。図より、加算前と水平加算後の関係は、明らかなので、説明は省略する。
また、垂直5画素加算時においても焦点検出用画素SHA、及び、SHB画素は、図6の(d)(e)で示した垂直3画素加算時と同様に、他の画素とは加算されずに単独出力が可能である。しかし、同時に、焦点検出用画素を含む加算グループの内、焦点検出用画素を除く他の撮像用画素は、すべて加算可能であり、より多くの撮像用画素の出力が撮像信号として得られるように、加算位相と画素配置が考慮されている。つまり、垂直3画素加算、及び、垂直5画素加算の加算グループの内、焦点検出用画素は、それぞれの加算モードにおいて加算グループの端の位置となるように加算位相に合わせた画素配置がされている。
図10は、図5の撮像素子の読み出しを説明する図であり、垂直5画素加算読み出し時の垂直走査のタイミングを示している。また、全画素読み出しに関しては、説明を省略する。
まず、垂直走査信号φV0が出力され、次に、φRES0,2,4,6,8をLレベルにして、0,2,4,6,8行のリセットMOSをオフ状態とする。このとき、φSEL0,2,4,6,8を出力して、0,2,4,6,8行目の画素選択用MOSをオンする。この状態で、V_add0、2,4,6をHレベルにして、0、2、4,6,8行のFD容量を並列接続し、φTX0,2,4,6,8により、電荷転送MOSをオンして、0,2,4,6,8行目のフォトダイオードの電荷を並列接続されたFD容量に転送する。転送完了後、φTX,V_add信号は、Lレベルにもどす。この後、MEM信号をHレベルにして、ラインメモリに5画素加算後の画素信号が垂直転送される。
垂直転送が完了したら、φRES信号をHレベルに戻し、再度φTX0,2,4,6,8をHレベルにして、フォトダイオードおよびFD容量をリセットする。リセット後、φTXを再度Lレベルに戻して、再び、0,2,4,6,8行目のフォトダイオードに電荷蓄積が開始される。垂直転送終了後、水平走査を行って、0,2,4,6,8行の読み出しが完了する。
その後、順次、5/7/9/11/13行の垂直転送→水平走査、10/12/14/16/18行の垂直転送→水平走査を行い、最後に15/17/19/21/23行の垂直転送→水平走査を行うことで、垂直5画素および水平3画素加算による加算間引き読み出しが終了する。このときのタイミングに関しては、図10より明らかなので詳細説明を省く。また、このとき、15行目に配置されたSHB画素、及び、18行目に配置されたSHA画素は、加算用MOSトランジスタが、常時オフ状態であるため、加算出力されず、単独出力される。水平走査の詳細に関しては、垂直3画素加算時と同様であるため、説明を省略する。
以上説明したように、垂直加算時に、異なる垂直加算周期の加算位相と焦点検出用画素の配置を合わせることで、焦点検出用画素の出力を加算せずに、かつ、加算グループに焦点検出用画素が含まれる場合は、焦点検出用画素を除くすべての撮像用画素の加算が可能となる。
また、焦点検出用画素を加算するための加算用MOSトランジスタを制御信号によらず、常時オフ状態に設定することで、焦点検出用画素を非加算に設定するための新たな制御信号を増やす必要がなくなり、画素の開口部を広く保てる利点がある。
また、焦点検出用画素を含む列に垂直出力線を2本配置することで、加算された撮像用画素と非加算の焦点検出用画素の出力を同時に得ることが可能となる。そのため、高速な読み出しの実現により、さらなる高フレームレートに対応しつつ、非加算で読み出した焦点検出用画素を用いて、応答性のよい焦点検出、及び、AFを実行することが可能になる。
また、画像信号としては、焦点検出用画素の周辺に配置された全ての撮像用画素の加算信号を得ることが可能であるため、欠損画素の補間処理を行わずに、より高画質な画像信号を得ることが可能である。
図11は、焦点検出用画素を非加算に設定するための変形例を示す。図4の画素部の回路と同一部分は、同一番号を付与している。同図の1101のように、非加算設定したい画素は、加算信号線V_addをカットすることにより、図5の場合と同様な効果を得ることも可能である。
(第2の実施形態)
図12は、本発明の第2の実施形態のCMOS型の撮像素子の全体回路ブロックを示す図である。図12において、第1の実施形態の図5と同一の機能のものには同一番号を付与してある。また、画素数、及び、撮像用画素、焦点検出用画素の画素配置も同じである。
図12の1203aと1203bは、図4に示した垂直出力線で、SHAおよびSHBの焦点検出用画素が隣接する列の間に設置されており、垂直加算処理において、焦点検出用画素を含む場合に、非加算の焦点検出用画素をともに出力可能なように接続されている。つまり、SHAおよびSHB画素の信号出力を共通の垂直出力線で出力可能にし、回路規模の削減を実現している。
図13は、本実施形態の垂直3画素加算、及び、水平3画素加算読み出しにおける画素配置と加算読み出しの関係を示した図である。
まず、図13(a)は、14x24画素の全体配置を示しており、図中のハッチングで示された撮像用画素は、垂直、水平加算後の加算画素の重心位置を示している。また、SHA、SHBの焦点検出用画素については、単独で出力される画素である。図13(b)は、RG列、図13(c)は、GB列、図13(d)はSHA画素を含むRG列、図13(e)は、SHB画素を含むGB列の加算読みの関係を示している。図より、加算前と垂直加算後mp関係は、明らかなので、説明は省略する。
同様に、図13(f)は、RG行、図13(g)は、GB行、図13(h)は、SHA画素を含むRG行、図13(i)は、SHB画素を含むGB行の加算読み出しの様子を示している。無印の画素については、接続された画素がなく、画像信号、及び、焦点検出用信号としては扱わない。図より、加算前と水平加算後の関係は、明らかなので、説明は省略する。
また、焦点検出用画素SHA、及び、SHB画素は、同一の垂直出力線に接続されているため、ラインメモリ上の同じ位置に出力されている、また、他の画素とは加算されずに単独出力が可能である。そして、同時に、焦点検出用画素を含む加算グループの内、焦点検出用画素を除く他の撮像用画素は、すべて加算可能であり、より多くの撮像用画素の出力が画像信号として得られるように、加算位相と画素配置が考慮されている。なお、垂直画素加算読み出し時の垂直走査のタイミングについては、第1の実施形態と同一であるため、説明を省略する。
図14は、図12の撮像素子の読み出しを説明する図であり、水平3画素加算読み出し時の水平走査のタイミングを示している。また、全画素読み出しに関しては、説明を省略する。まず、0/2/4行の垂直転送された画素信号を水平走査により、撮像素子の外部端子に出力する動作であるが、HRST信号を出力して、水平転送ラインを所定電位VHRSTにリセットする。次に、水平加算信号ADD=Hレベルに制御し、列0/2/4の3画素、列3/5/8の3画素、列6/9/11の3画素、および、列10/12/14の3画素は、ラインメモリを並列接続することで、水平加算が実行される。また、列7は、接続された画素がなく、画像信号、及び、焦点検出用信号としては扱わない。その後、水平走査回路により、水平走査信号をH2→H5→H7→H9→H12のように順次出力し、MOS517を順次オンし、ラインメモリの列2,5,7,9,12の信号をアンプ518を介して外部に出力する。
また、同様にして、3/5/7行の垂直転送→水平走査、6/8/10行の垂直転送→水平走査、9/11/13行の垂直転送→水平走査、12/14/16行の垂直転送→水平走査、15/17/19行の垂直転送→水平走査、18/20/22行の垂直転送→水平走査が順次繰り返される。詳細タイミングに関しては、図14より明らかなので、説明を省略する。また、15/17/19行、及び、18/20/22行の垂直加算信号には、それぞれ、SHA画素、及び、SHB画素が含まれているため、水平加算の対象から除外し、非加算で出力可能なように他の列と接続されていない列7よりそれぞれ単独で出力される。
以上説明したように、隣接する列に焦点検出用画素が連続で配置されている場合は、垂直出力線を兼用することが可能であり、第1の実施形態に対して、回路規模を縮小することが可能である。また、読み出し速度や画質についても第1の実施形態と同等の効果を得ることが可能である。
(第3の実施形態)
図15は、本発明の第3の実施形態の撮像素子の画素部の回路図である。図15において、図4と同一の機能のものには同一番号を付与してある。通常、CMOSを使用した撮像素子は、垂直転送は、行単位で行われるため、異なる行は、転送されるタイミングが異なる。したがって、画素の開口部を広く取るために、転送用のMOS以外の素子兼用が可能である。図15は、転送用MOS以外の素子を2画素で兼用していることを示している。1501は、フォトダイオード、1502は、フォトダイオード1501の転送用MOSであり、フォトダイオード1501は、転送用MOS1502により、FD容量404に電荷転送され、画素選択用MOS405で選択されて、垂直転送される。
図16は、2画素で素子を共通化した場合の垂直転送のタイミングチャートを示す図である。垂直走査信号に関しては省略している。まず、φRESをLレベルにして、リセットMOSをオフ状態とする。このとき、φSELを出力して、画素選択用MOSをオンする。次に、φTX1により、電荷転送MOSをオンして、フォトダイオード401の電荷をFD容量に転送する。転送完了後、φTX1は、Lレベルにもどす。この後、MEM信号をHレベルにして、ラインメモリに画素信号が垂直転送される。垂直転送が完了したら、φRES信号をHレベルに戻し、再度φTX0をHレベルにして、フォトダイオード401およびFD容量をリセットする。これで、フォトダイオード401の垂直転送が終了し、水平転送が実行される。
次に、再び、φRESをLレベルにして、リセットMOSをオフ状態とする。このとき、φSELを出力して、画素選択用MOSをオンする。次に、φTX1により、電荷転送MOSをオンして、フォトダイオード1501の電荷をFD容量に転送する。転送完了後、φTX2は、Lレベルにもどす。この後、MEM信号をHレベルにして、ラインメモリに画素信号が垂直転送される。垂直転送が完了したら、φRES信号をHレベルに戻し、再度φTX2をHレベルにして、フォトダイオード1501およびFD容量をリセットする。これで、フォトダイオード1501の垂直転送が終了し、水平転送が実行される。
以上、説明したように、フォトダイオード401,1501は、垂直転送のタイミングが異なるので、電荷転送MOSを2種類設けることにより、その他の素子を兼用することが可能である。
図17は、第3の実施形態に用いられるCMOS型の撮像素子の全体回路ブロックを示した図である。実際の製品では、数百万以上の画素数を有するものが実用化されているが、ここでは、14x24画素の構成で説明を簡略化する。また、図5と同一機能を有するものに関しては、図5と同一の符号を付与し、説明を省略する。
1701は、図15の回路構成を有する画素部であり、14x24画素が配置されている。画素座標は、左上の画素を基準として、(X,Y)=(0,0)から(13,23)が割り当てられている。カラーフィルターの配置は、ベイヤー配列であり、図中に示したR(赤)、G(緑)、B(青)は、フォトダイオード上に塗布されるカラーフィルターの色を示している。画素配置は、図4および図5と略同一であるが、図中のR/G、G/B、SHA/G、G/SHBで示した記号は、図15で示した2画素共通の画素部回路であることを示している。画素配置の詳細は、後述する。
図中の斜線で示した2個所は、2画素共通の画素中に、図3で説明した焦点検出用画素SHA画素およびSHA画素が、通常画素と一対で含まれていることを示している。また、焦点検出用画素は、SHA画素およびSHB画素のペアが、撮像素子上に離散的に複数個配置され、焦点検出を行うものであるが、説明の簡略化のため、1つのペアが配置される構成で説明を行う。
1702は、垂直方向に画素出力を加算するためのMOSトランジスタであり、信号線V_add0から10の11本の信号線によりそれぞれ行単位で共通に制御される。加算の方法であるが、列0で説明を代表させると、MOSトランジスタ1702を適宜ONさせることにより、(0,0)、(0,2)、(0,4)の3画素の各R画素、(0,3)、(0,5)、(0,7)の3画素の各G画素、(0,6)、(0,8)、(0,10)の3画素の各R画素、(0,9)、(0,11)、(0,13)の3画素の各G画素、(0,12)、(0,14)、(0,16)の3画素の各R画素、(0,15)、(0,17)、(0,19)の3画素の各G画素、(0,18)、(0,20)、(0,22)の3画素の各R画素のFD容量が並列に接続され、並列に接続されたFD容量に、それぞれのフォトダイオードの電荷を転送することにより、加算が行われる。その他の列に関しても、同様である。以上のような構成で、垂直方向に3画素ずつの加算処理が行われる。
また、SHAおよびSHBは、焦点検出用画素であるため、撮像用画素と加算されてしまうと焦点検出が困難になってしまう。そのため、3画素加算の対象に焦点検出用画素が含まれる場合には、垂直加算を実行せずに、単独で焦点検出用画素を出力する必要がある。図中の丸印で囲まれた部分の加算用のMOSトランジスタは、V_sadd6,V_sadd7,V_sadd8,V_sadd9に接続されており、図5と同様に制御信号V_addによらず、個別にオン/オフ状態を切り替えられるようになっている。
図18は、第3の実施形態の垂直3画素加算、及び、水平3画素加算読み出しにおける画素配置と加算読み出しの関係を示した図である。
まず、図18(a)は、14x24画素の全体配置を示しており、図中のハッチングで示された撮像用画素は、垂直、水平加算後の重心位置を示している。また、SHA、SHBについては、単独で出力される画素である。図18(b)は、RG列のR画素加算、図18(c)は、RG列のG画素加算、図18(d)はSHA画素を含むRG列のR画素加算、図18(e)は、GB列のG画素加算、図18(f)は、GB列のB画素加算、図18(g)は、SHB画素を含むBG列のB画素加算の関係を示している。
まず、図18(b)について説明する。図18(b)のスイッチは、R画素を加算する場合の、図17の加算用MOSトランジスタ1702の状態を示している。図18(b)のような状態に加算用MOSトランジスタを設定することにより、0,2,4行の3画素、6,8,10行の3画素、12,14,16行の3画素、及び、18,20,22行の3画素のR画素が、垂直方向にそれぞれ3画素加算される。
同様に、図18(c)のような状態に加算用MOSトランジスタを設定することにより、3,5,7行の3画素、9,11,13行の3画素、および、15,17,19行の3画素のG画素が、垂直方向にそれぞれ3画素加算される。
また、焦点検出用画素を含む列は、図18(d)のような状態に加算用MOSトランジスタを設定することにより、0,2,4行の3画素、6,8,10行の3画素、および、12,14,16行の3画素のR画素が画素加算され、18行のSHA画素は単独、20,22行のR画素が加算に設定される。第3の実施形態においても、焦点検出用画素を単独で出力するために、焦点検出用画素を加算しないように、加算スイッチが適宜設定される。つまり、焦点検出用画素を読み出す場合は、対応するV_saddをオフして、焦点検出用画素の出力を単独で読み出し、焦点検出用画素と回路部を共通で構成している画素を読み出す場合は、対応するV_saddをオンして、画素加算されるように制御する。
図18(e)、図18(f)、図18(g)は、GB列に関する加算スイッチの状態を示している。考え方は、RG列と同様であるので、説明を省略する。
同様に、図18(h)は、RG行、図18(i)は、GB行、図18(j)は、SHA画素を含むRG行、図18(k)は、SHB画素を含むGB行、図18(l)は、SHA画素と一部回路を共通する画素を含むGB行、図18(m)は、SHB画素と一部回路を共通する画素を含むRG行の加算読み出しの様子を示している。無印の画素、及び、網掛けしたG画素については、画像信号、及び、焦点検出用信号としては扱わない。図より、加算前と水平加算後の関係は、明らかなので、説明は省略する。
また、焦点検出用画素SHA、及び、SHB画素は、他の画素とは加算されずに単独出力が可能である。そして、同時に、焦点検出用画素を含む加算グループの内、焦点検出用画素を除く他の撮像用画素は、すべて加算可能であり、より多くの撮像用画素の出力が画像信号として得られるように、加算位相と画素配置が考慮されている。
図19は、図17の撮像素子の読み出しを説明する図であり、素垂3画直加算読み出し時の垂直走査のタイミングを示している。また、全画素読み出しに関しては、説明を省略する。
まず、垂直走査信号φV0が出力され、次に、φRES0,1,2をLレベルにして、0/1,2/3,4/5行のリセットMOSをオフ状態する。このとき、φSEL0,1,2を出力して、0/1,2/3,4/5行目の画素選択用MOSをオンする。この状態で、V_add0、V_add1をHレベルにして、0/1,2/3,4/5行のFD容量を並列接続し、φTX1_0,φTX1_2,φTX1_4により、電荷転送MOSをオンして、0,2,4行目のフォトダイオードの電荷を並列接続されたFD容量に転送する。転送完了後、φTX,V_add信号は、Lレベルにもどす。この後、MEM信号をHレベルにして、ラインメモリに3画素加算後の画素信号が垂直転送される。垂直転送が完了したら、φRES信号をHレベルに戻し、再度φTX1_0,φTX1_2,φTX1_4をHレベルにして、フォトダイオードおよびFD容量をリセットする。リセット後、φTXを再度Lレベルに戻して、再び、0,2,4行目のフォトダイオードに電荷蓄積が開始される。垂直転送終了後、水平走査を行って、0,2,4行の読み出しが完了する。
次に、垂直走査信号φV3が出力され、次に、φRES1,2,3をLレベルにして、2/3,4/5,6/7行のリセットMOSをオフ状態する。このとき、φSEL1,2,3を出力して、2/3,4/5,6/7行目の画素選択用MOSをオンする。この状態で、V_add1,V_add2をHレベルにして、2/3,4/5,6/7行のFD容量を並列接続し、φTX2_3,φTX2_5,φTX2_7により、電荷転送MOSをオンして、3,5,7行目のフォトダイオードの電荷を並列接続されたFD容量に転送する。転送完了後、φTX,V_add信号は、Lレベルにもどす。この後、MEM信号をHレベルにして、ラインメモリに3画素加算後の画素信号が垂直転送される。
同様にして、6,8,10行目、および、9,11,13行目についても、順次、垂直加算と垂直転送を行い、水平走査を行って読み出しが完了する。
次に、SHB画素と一部回路を共有しているR画素を含む12,14,16行目の垂直加算制御について説明する。まず、垂直走査信号φV12が出力され、次に、φRES6,7,8をLレベルにして、12/13,14/15,16/17行のリセットMOSをオフ状態とする。このとき、φSEL6,7,8を出力して、12/13,14/15,16/17行目の画素選択用MOSをオンする。この状態で、V_add6,V_add7、および、V_sadd6,V_sadd7をHレベルにして、12/13,14/15,16/17行のFD容量を並列接続し、φTX1_12,φTX1_14,φTX1_16により、電荷転送MOSをオンして、12,14,16行目のフォトダイオードの電荷を並列接続されたFD容量に転送する。転送完了後、φTX,V_add信号、およびV_sadd信号は、Lレベルにもどす。この後、MEM信号をHレベルにして、ラインメモリに3画素加算後の画素信号が垂直転送される。また、14行目に配置されたSHB画素と一部回路を共有しているG画素は、加算用MOSトランジスタのV_sadd6,V_sadd7がオンすることにより垂直加算されて出力される。垂直転送終了後、水平走査を行って、12,14,16行の読み出しが完了する。
次に、SHB画素、および、SHA画素と一部回路を共有しているG画素を含む15,17,19行目の垂直加算制御について説明する。まず、垂直走査信号φV15が出力され、次に、φRES7,8,9をLレベルにして、14/15,16/17,18/19行のリセットMOSをオフ状態とする。このとき、φSEL7,8,9を出力して、14/15,16/17,18/19行目の画素選択用MOSをオンする。この状態で、V_add7,V_add8、および、V_sadd9をHレベルにして、14/15,16/17,18/19行のFD容量を並列接続し、φTX2_15,φTX2_17,φTX2_19により、電荷転送MOSをオンして、15,17,19行目のフォトダイオードの電荷を並列接続されたFD容量に転送する。転送完了後、φTX,V_add信号、およびV_sadd信号は、Lレベルにもどす。この後、MEM信号をHレベルにして、ラインメモリに3画素加算後の画素信号が垂直転送される。また、15行目に配置されたSHB画素は、加算用MOSトランジスタのV_sadd7がオフすることにより、単独で出力される。また、19行目に配置されたSHA画素と一部回路を共有しているG画素は、加算用MOSトランジスタのV_sadd8がオンすることにより垂直加算されて出力される。垂直転送終了後、水平走査を行って、15,17,19行の読み出しが完了する。
次に、SHA画素を含む18,20,22行目の垂直加算制御について説明する。まず、垂直走査信号φV18が出力され、次に、φRES9,10,11をLレベルにして、18/19,20/21,22/23行のリセットMOSをオフ状態とする。このとき、φSEL9,10,11を出力して、18/19,20/21,22/23行目の画素選択用MOSをオンする。この状態で、V_add9,V_add10をHレベルにして、18/19,20/21,22/23行のFD容量を並列接続し、φTX1_18,φTX1_20,φTX1_21により、電荷転送MOSをオンして、18,20,22行目のフォトダイオードの電荷を並列接続されたFD容量に転送する。転送完了後、φTX,V_add信号は、Lレベルにもどす。この後、MEM信号をHレベルにして、ラインメモリに3画素加算後の画素信号が垂直転送される。また、18行目に配置されたSHA画素は、加算用MOSトランジスタのV_sadd9がオフすることにより、単独で出力される。垂直転送終了後、水平走査を行って、18,20,22行の読み出しが完了する。なお、水平走査については、第1の実施形態と同様である。
以上、説明したように、R/G,G/Bのようにフォトダイオード2画素で画素部の回路を共通化しているような場合には、焦点検出用画素と画素部の回路を共通化している加算用MOSトランジスタを個別の制御信号にて適宜制御することで、焦点検出用画素を垂直加算しないで単独で出力可能であり、加算対象に焦点検出用画素が含まれない通常画素は全て垂直加算が可能になる利点がある。

Claims (7)

  1. 撮影レンズの射出瞳を通過した光束を受光する撮像用画素と前記撮影レンズの射出瞳の一部が遮光された光束を受光する焦点検出用画素とが配列された撮像素子と、
    前記撮像用画素の信号を前記撮像素子の垂直方向に出力する第1の垂直出力手段と、
    前記焦点検出用画素の信号を前記撮像素子の垂直方向に出力する第2の垂直出力手段と、
    複数の撮像用画素の信号を前記撮像素子の垂直方向に加算する垂直加算手段と、
    前記撮像素子の全ての画素の信号を加算せずに読み出す全画素読み出しモードと、前記垂直加算手段により前記複数の撮像用画素の信号を加算して読み出す加算読み出しモードとを備え、前記加算読み出しモードにおいて、加算の対象に前記焦点検出用画素が含まれる場合は、前記焦点検出用画素を除く前記撮像用画素の信号のみが加算されるように前記垂直加算手段を制御し、加算された前記撮像用画素の信号と前記焦点検出用画素の信号をそれぞれ前記第1および第2の垂直出力手段によって同時に出力するように制御する制御手段と、
    を備えることを特徴とする撮像装置。
  2. 複数の前記撮像用画素は、輝度情報を出力する画素と、色情報を出力する画素とに分けられ、前記輝度情報を出力する画素と前記色情報を出力する画素とで、各画素に備えられている回路を共有することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
  3. 複数の前記色情報を出力する画素の一部の画素を前記焦点検出用画素に置き換えたことを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。
  4. 前記垂直加算手段は、前記撮像用画素に備えられたフローティングディフュージョン部をショートすることにより前記複数の撮像用画素の信号を加算することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の撮像装置。
  5. 前記焦点検出用画素が前記垂直加算手段の加算の対象に含まれる場合、前記焦点検出用画素は、加算の対象となる前記複数の撮像用画素のグループの端となる位置に配置されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の撮像装置。
  6. 前記撮像素子の複数の画素が配列された列のうちの前記焦点検出用画素を含む列に、前記第2の垂直出力手段が配置されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の撮像装置。
  7. 前記加算読み出しモードでは、加算の対象となる前記撮像用画素の数を変更可能であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の撮像装置。
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