JP2012119464A - Device and method for holding wafer - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、ウエハ保持装置およびウエハ保持方法に関する。 The present invention relates to a wafer holding apparatus and a wafer holding method.
シリコン(Si)からなるウエハに様々な処理を施す処理装置において、1枚1枚のウエハに対して処理を行う枚葉式の処理装置が多用されている。このような処理装置または該処理装置にウエハを搬送するウエハ搬送機構では、ウエハの中央部または外周部の一部を真空吸着することによって保持した後、ウエハに様々な処理を施したり、ウエハを搬送したりしている。 In a processing apparatus that performs various processing on a wafer made of silicon (Si), a single-wafer processing apparatus that performs processing on each wafer is often used. In such a processing apparatus or a wafer transport mechanism for transporting a wafer to the processing apparatus, the wafer is subjected to various processing or wafers after being held by vacuum-sucking a portion of the center or outer periphery of the wafer. It is being transported.
ウエハ搬送機構によってウエハを搬送する際に、ウエハに大きな外力が加わることはない。このため、ウエハの外周部の一部を吸着して保持する構成や、ウエハを吸着せずに、ウエハの水平方向の位置ずれを防止するガイドのみを有する板状の保持部を備える構成などからなる、保持力の低いウエハ搬送機構も提案されている。 When the wafer is transferred by the wafer transfer mechanism, a large external force is not applied to the wafer. For this reason, from a configuration in which a part of the outer peripheral portion of the wafer is sucked and held, a configuration having a plate-like holding portion having only a guide that prevents the wafer from being displaced in the horizontal direction without sucking the wafer A wafer transfer mechanism having a low holding force has also been proposed.
それに対して、ウエハにレジストを回転塗布する処理などを行う処理装置では、ウエハを回転させる際に、ウエハに大きな遠心力が生じる。このような処理装置では、上述したウエハ搬送機構よりも高い保持力でウエハを保持する必要がある。この場合、例えば、ウエハを真空吸着して保持する治具(以下、吸着チャックとする)を備えるウエハ保持装置が用いられている。 On the other hand, in a processing apparatus that performs a process of spin-coating a resist on a wafer, a large centrifugal force is generated on the wafer when the wafer is rotated. In such a processing apparatus, it is necessary to hold the wafer with a higher holding force than the above-described wafer transfer mechanism. In this case, for example, a wafer holding device including a jig (hereinafter referred to as a suction chuck) that holds the wafer by vacuum suction is used.
図6は、従来のウエハ保持装置の一部を示す説明図である。図6では、吸着チャックとウエハとの接触面を明確にするために、吸着チャックの部分を拡大して図示している(以下、図7においても同様)。図6に示すウエハ保持装置は、ウエハ101を真空吸着する吸着チャック111を備える。吸着チャック111のウエハ101を保持する側の面(以下、ウエハ保持面とする)には、真空引き可能な複数の溝(以下、吸着溝とする)112が設けられている。
FIG. 6 is an explanatory view showing a part of a conventional wafer holding apparatus. In FIG. 6, in order to clarify the contact surface between the suction chuck and the wafer, the portion of the suction chuck is shown enlarged (hereinafter, the same applies to FIG. 7). The wafer holding apparatus shown in FIG. 6 includes a
吸着チャック111の支持軸113の内部には、真空引き可能な通気用の孔114が設けられている。通気用の孔114は、吸着溝112に連結されている。また、通気用の孔114は、真空発生源(不図示)に接続されている。このようなウエハ保持装置では、吸着チャック111のウエハ保持面にウエハ101が載置されるとともに、真空発生源によって通気用の孔114を真空引きし、吸着溝112にウエハ101を真空吸着する。
Inside the
ウエハを真空吸着するウエハ保持装置として、ウエハを吸着固定するウエハ保持面を、半導体ウエハの反りに合わせた形状に加工して、半導体ウエハの反りを吸収する構造とすることにより、半導体ウエハの反りを矯正することなく、半導体ウエハを吸着固定できるようにする装置が提案されている(例えば、下記特許文献1参照。)。
As a wafer holding device that vacuum-sucks a wafer, the wafer holding surface for sucking and fixing the wafer is processed into a shape that matches the warp of the semiconductor wafer to absorb the warp of the semiconductor wafer. There has been proposed a device that can adsorb and fix a semiconductor wafer without correcting the above (for example, see
しかしながら、発明者が鋭意研究を重ねた結果、次のような問題が発生することが判明した。従来のウエハ保持装置(図6参照)を用いて、おもて面側に凹状に反ったウエハ101を、おもて面を上にして吸着チャック111のウエハ保持面に載置した場合、吸着チャック111のウエハ保持面の中央部に設けられた吸着溝112にのみ、ウエハ101が吸着される。つまり、ウエハ101は、吸着チャック111のウエハ保持面の外周部に設けられた吸着溝112には接触しない。このため、吸着チャック111のウエハ保持面の外周部に、吸着溝112から気体が流入する箇所(リーク箇所)121ができてしまう。
However, as a result of extensive research by the inventor, it has been found that the following problems occur. When a conventional wafer holding device (see FIG. 6) is used to place a
このような問題は、おもて面側に凸状に反ったウエハを、おもて面を上にして吸着チャック111のウエハ保持面に載置する場合にも同様に生じる。図7は、従来のウエハ保持装置の一部を示す説明図である。図7に示すように、おもて面側に凸状に反ったウエハ102は、吸着チャック111のウエハ保持面のほぼ全ての吸着溝112に接触しない。このため、吸着チャック111のウエハ保持面のほぼ全面に、リーク箇所122ができてしまう。
Such a problem also occurs when a wafer warped in a convex shape on the front side is placed on the wafer holding surface of the
つまり、吸着チャック111のウエハ保持面の一部または全面で吸着することができない程度にウエハ101,102が反っている、また、吸着チャック111の真空吸着力によって反りを矯正することができない程度にウエハ101,102が反っている場合、上述したようにリーク箇所121,122ができ、ウエハ101,102を真空吸着して保持することができないという問題が生じる。
That is, the
具体的には、ウエハ101,102の反りが3mm以下程度である場合、吸着チャック111による真空吸着力によってウエハの反りを矯正することができ、ウエハ101,102の反りが5mm以下程度である場合、吸着チャック111にウエハを真空吸着して保持することができることがわかっている。
Specifically, when the warpage of the
つまり、ウエハ101,102の反りが5mmを超える場合、吸着チャック111にウエハ101,102を真空吸着して保持することができない。このように、従来のウエハ保持装置(図6,7参照)では、ウエハ101,102の反りがウエハ保持装置によって吸着可能な反りの範囲を超えている場合、ウエハ101,102を真空吸着して保持することができない。
That is, when the warpage of the
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、ウエハの反りの状態に依らず、ウエハを保持することができるウエハ保持装置およびウエハ保持方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a wafer holding apparatus and a wafer holding method that can hold a wafer regardless of the state of warping of the wafer, in order to solve the above-described problems caused by the prior art.
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、請求項1の発明にかかるウエハ保持装置は、ウエハを吸着して保持するウエハ保持装置であって、反りの生じている前記ウエハの外周部を保持する保持手段と、前記ウエハを平坦な状態に近づける矯正手段と、前記ウエハの中央部を吸着する吸着手段と、を備え、前記保持手段と前記矯正手段とを相対的に移動させた後、前記吸着手段によって前記ウエハの中央部を吸着することを特徴とする。
In order to solve the above-described problems and achieve the object of the present invention, a wafer holding device according to the invention of
また、請求項2の発明にかかるウエハ保持装置は、請求項1に記載の発明において、前記保持手段は、反りの生じている前記ウエハの外周部を支持した状態で該ウエハを吸引することで、該ウエハの外周部を保持することを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, there is provided the wafer holding apparatus according to the first aspect of the invention, wherein the holding means sucks the wafer while supporting the outer peripheral portion of the warped wafer. The outer periphery of the wafer is held.
また、請求項3の発明にかかるウエハ保持装置は、請求項1または2に記載の発明において、前記保持手段は、前記矯正手段の上方に前記ウエハを保持した後、該ウエハが前記矯正手段に接触するまで下降することを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, there is provided the wafer holding apparatus according to the first or second aspect, wherein the holding means holds the wafer above the straightening means, and then the wafer becomes the straightening means. It is characterized by descending until contact.
また、請求項4の発明にかかるウエハ保持装置は、請求項3に記載の発明において、前記保持手段は、前記矯正手段の上方に前記ウエハを保持した後、前記ウエハを吸引しながら下降することを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the wafer holding apparatus according to the third aspect, wherein the holding means holds the wafer above the correction means and then lowers the wafer while sucking it. It is characterized by.
また、請求項5の発明にかかるウエハ保持装置は、請求項3または4に記載の発明において、前記矯正手段の前記ウエハが接触する部分は平坦であることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, the wafer holding apparatus according to the third or fourth aspect is characterized in that a portion of the correcting means that contacts the wafer is flat.
また、請求項6の発明にかかるウエハ保持装置は、請求項1〜5のいずれか一つに記載の発明において、前記矯正手段は、前記吸着手段が通過する開口部を有することを特徴とする。 A wafer holding apparatus according to a sixth aspect of the invention is characterized in that, in the invention according to any one of the first to fifth aspects, the correction means has an opening through which the suction means passes. .
また、請求項7の発明にかかるウエハ保持装置は、請求項6に記載の発明において、前記吸着手段は、前記矯正手段に接触した前記ウエハの、該矯正手段の前記開口部に露出する部分を吸着することを特徴とする。 According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the wafer holding device according to the sixth aspect, wherein the suction unit is configured to expose a portion of the wafer that is in contact with the correction unit and exposed to the opening of the correction unit. It is characterized by adsorbing.
また、請求項8の発明にかかるウエハ保持装置は、請求項2〜7のいずれか一つに記載の発明において、前記矯正手段は、前記保持手段が前記ウエハを吸引するときに排気される空気が通う吸引管を有することを特徴とする。 A wafer holding apparatus according to an eighth aspect of the present invention is the wafer holding apparatus according to any one of the second to seventh aspects, wherein the correction means is an air exhausted when the holding means sucks the wafer. It has the suction pipe which passes.
また、上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、請求項9の発明にかかるウエハ保持方法は、ウエハを吸着して保持するウエハ保持方法であって、反りの生じている前記ウエハを、平坦な面を有する部材の該平坦な面に対向する位置に載置する載置工程と、前記載置工程の後、前記ウエハの外周部を保持する保持工程と、前記保持工程によって外周部が保持された前記ウエハを、前記平坦な面に接触させる矯正工程と、前記平坦な面に接触した状態の前記ウエハの中央部を吸着する吸着工程と、を含むことを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object of the present invention, a wafer holding method according to claim 9 is a wafer holding method for adsorbing and holding a wafer, wherein the warp is generated. A placing step of placing the wafer at a position facing the flat surface of the member having a flat surface; a holding step of holding the outer peripheral portion of the wafer after the placing step; and the holding step. And a correction step of bringing the wafer having the outer periphery held into contact with the flat surface, and an adsorption step of sucking the central portion of the wafer in contact with the flat surface.
また、請求項10の発明にかかるウエハ保持方法は、請求項9に記載の発明において、前記載置工程では、前記ウエハを前記平坦な面の上方に載置し、前記矯正工程では、前記ウエハを下降させて、前記平坦な面に接触させることを特徴とする。 According to a tenth aspect of the present invention, in the method for holding a wafer according to the ninth aspect, the wafer is placed above the flat surface in the placing step, and the wafer is placed in the correcting step. Is lowered and brought into contact with the flat surface.
また、請求項11の発明にかかるウエハ保持方法は、請求項9または10に記載の発明において、反りの生じている前記ウエハの外周部を支持した状態で該ウエハを吸引することを特徴とする。
The wafer holding method according to the invention of
また、請求項12の発明にかかるウエハ保持方法は、請求項9〜11のいずれか一つに記載の発明において、前記矯正工程では、前記ウエハを吸引しながら下降させることを特徴とする。 A wafer holding method according to a twelfth aspect of the invention is characterized in that, in the invention according to any one of the ninth to eleventh aspects, in the correction step, the wafer is lowered while being sucked.
また、請求項13の発明にかかるウエハ保持方法は、請求項9〜12のいずれか一つに記載の発明において、前記吸着工程では、前記ウエハの前記平坦な面に接する側の面の中央部を吸着することを特徴とする。 A wafer holding method according to a thirteenth aspect of the present invention is the wafer holding method according to any one of the ninth to twelfth aspects, wherein, in the adsorption step, a central portion of a surface of the wafer that is in contact with the flat surface. It is characterized by adsorbing.
また、請求項14の発明にかかるウエハ保持方法は、請求項9〜13のいずれか一つに記載の発明において、前記吸着工程では、前記ウエハの、前記平坦な面を有する前記部材の開口部に露出する部分を吸着することを特徴とする。 A wafer holding method according to a fourteenth aspect of the present invention is the wafer holding method according to any one of the ninth to thirteenth aspects, wherein, in the adsorption step, the opening of the member having the flat surface of the wafer. It is characterized by adsorbing a portion exposed to the surface.
上述した請求項1〜9によれば、ウエハを吸引してウエハの外周部を保持する保持手段と、保持手段に保持されたウエハを平坦な状態に近づける矯正手段と、保持手段および矯正手段によって平坦な状態に近づけられたウエハを吸着する吸着手段と、を備える。吸着手段は、ウエハが平坦な状態に近づけられた後にウエハを吸着するため、吸着手段のウエハ保持面の外周部や全面に、リーク箇所(図6,7参照)ができることはない。したがって、従来よりも強い吸着力で、反っているウエハを吸着することができる。 According to the first to ninth aspects, the holding means for sucking the wafer and holding the outer peripheral portion of the wafer, the correcting means for bringing the wafer held by the holding means close to a flat state, and the holding means and the correcting means. Suction means for sucking a wafer brought close to a flat state. Since the suction means sucks the wafer after the wafer is brought close to a flat state, there is no possibility of a leak (see FIGS. 6 and 7) on the outer peripheral portion or the entire surface of the wafer holding surface of the suction means. Therefore, the warped wafer can be sucked with a stronger suction force than before.
また、矯正手段には、吸着手段が上昇したときに吸着手段が通過する開口部(以下、吸着チャック用開口部とする)が設けられている。このため、吸着手段は、矯正手段および保持手段に保持された状態にあるウエハを、矯正手段および保持手段に保持されたままの状態で吸着することができる。このため、吸着手段がウエハを吸着するときに、平坦な状態に近づけられたウエハが元の反った状態に戻ることない。これにより、吸着手段は、平坦な状態に近づけられたウエハを吸着することができる。したがって、反っているウエハを吸着手段によって確実に吸着することができる。 The correction means is provided with an opening through which the suction means passes when the suction means rises (hereinafter referred to as an suction chuck opening). For this reason, the adsorption unit can adsorb the wafer held in the correction unit and the holding unit while being held in the correction unit and the holding unit. For this reason, when the suction means sucks the wafer, the wafer brought close to the flat state does not return to the original warped state. Thereby, the suction means can suck the wafer brought close to a flat state. Therefore, the warped wafer can be reliably adsorbed by the adsorbing means.
また、上述した請求項9〜14によれば、ウエハを吸引力によって保持した状態で保持手段を下降し、矯正手段(平坦な面を有する部材)の平坦な面に接触させる。このため、ウエハは、保持手段から外れることなく、矯正手段の平坦な面に接触される。これにより、反りの生じているウエハを、矯正手段の平坦な面に沿って平坦な状態に近づけることができる。また、ウエハを平坦な状態に近づけた後、吸着手段によって吸着する。このため、吸着手段のウエハ保持面の外周部や全面に、リーク箇所(図6,7参照)ができることはない。したがって、反っているウエハ1を強い吸着力で吸着することができる。
According to the ninth to fourteenth aspects described above, the holding means is lowered while the wafer is held by the suction force, and is brought into contact with the flat surface of the correcting means (a member having a flat surface). For this reason, the wafer is brought into contact with the flat surface of the correcting means without being detached from the holding means. Thus, the warped wafer can be brought close to a flat state along the flat surface of the correcting means. Further, after the wafer is brought close to a flat state, it is adsorbed by the adsorbing means. For this reason, a leak location (see FIGS. 6 and 7) is not formed on the outer peripheral portion or the entire surface of the wafer holding surface of the suction means. Therefore, the
本発明にかかるウエハ保持装置およびウエハ保持方法によれば、ウエハの反りの状態に依らず、ウエハを保持することができるという効果を奏する。 According to the wafer holding device and the wafer holding method of the present invention, there is an effect that the wafer can be held regardless of the state of warping of the wafer.
以下に添付図面を参照して、この発明にかかるウエハ保持装置およびウエハ保持方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 Exemplary embodiments of a wafer holding apparatus and a wafer holding method according to the present invention will be explained below in detail with reference to the accompanying drawings. Note that, in the following description of the embodiments and the accompanying drawings, the same reference numerals are given to the same components, and duplicate descriptions are omitted.
(実施の形態)
図1は、実施の形態にかかるウエハ保持装置の構成を示す説明図である。図1に示すように、実施の形態にかかるウエハ保持装置は、ウエハ1を真空吸着して保持する。ここでは、おもて面側に凹状に反ったウエハ1の裏面を真空吸着して保持する場合について説明する。
(Embodiment)
FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating a configuration of a wafer holding device according to an embodiment. As shown in FIG. 1, the wafer holding apparatus according to the embodiment holds the
図1に示すように、ウエハ保持装置は、ウエハ1を真空吸着して保持する治具(吸着チャック)11と、ウエハ1の反りを矯正して、反りの生じているウエハ1を平坦な状態に近づける治具(矯正部)21と、ウエハ1の外周部を支持した状態でウエハ1を吸引して、ウエハ1の外周部を保持する治具(保持部:以下、吸引ガードとする)31と、を備える。ウエハ保持装置は、吸引ガード31と矯正部21とを相対的に移動させた後、吸着チャック11によってウエハの中央部を吸着する。ウエハ保持装置の各構成の動作については後述する。
As shown in FIG. 1, the wafer holding device has a jig (suction chuck) 11 that holds the
吸着チャック11は、吸引ガード31の内部に設けられている。また、吸着チャック11は、支持軸13によって昇降可能に設けられている。吸着チャック11は、例えば円形状の平面形状を有する。吸着チャック11の直径は、例えばウエハ1の直径よりも小さい。吸着チャック11のウエハ1を保持する側の面(ウエハ保持面)には、真空引き可能な複数の溝(吸着溝)12が設けられている。
The
吸着チャック11の支持軸13の内部には、真空引き可能な通気用の孔14が設けられている。通気用の孔14は、全ての吸着溝12に連結されている。また、通気用の孔14は、例えば真空ポンプなどの真空発生源(不図示)に接続されている。真空発生源によって、吸着溝12および通気用の孔14が真空引きされる。
Inside the
矯正部21は、吸引ガード31の内部の、吸着チャック11の上方に設けられている。また、矯正部21は、支持軸22によって昇降可能に設けられている。矯正部21は、吸引ガード31に保持されたウエハ1に接触して、ウエハ1を平坦な状態に近づける。具体的には、矯正部21のウエハ1が接触する面は平坦となっている。この平坦な面に、吸引ガード31に保持された状態のウエハ1が接触して押し付けられることで、ウエハ1の反りが矯正される。
The
矯正部21の支持軸22は、例えば吸着チャック11を囲む。また、矯正部21は、吸着チャック11のウエハ保持面に水平に設けられている。矯正部21は、板状の断面形状を有する。矯正部21の、吸着チャック11に対向する部分には、吸着チャック11が上昇したときに吸着チャック11が通過する開口部(吸着チャック用開口部)23が設けられている。吸着チャック用開口部23は、例えば矯正部21の中央部に設けられている。
The
吸着チャック用開口部23の内径は、吸着チャック11が通過することができる大きさであればよい。例えば、吸着チャック用開口部23の内径は、吸着チャック11の内径よりも若干大きい内径を有する円形状の平面形状を有する。これにより、吸着チャック11が上昇したときに、矯正部21に接触したウエハ1の、矯正部21の吸着チャック用開口部23に露出する部分が吸着チャック11に吸着される。つまり、吸着チャック用開口部23は、ウエハ1の中央部が露出する程度に開口している。
The inner diameter of the suction chuck opening 23 may be any size as long as the
また、矯正部21には、吸引ガード31によってウエハ1が吸引され、吸引ガード31内部の排気が行われたときに排気される空気が通う複数の通気用の孔(以下、吸引管とする)24が設けられている。吸引管24は、吸着チャック用開口部23と離れて設けられている。また、吸引管24は、吸着チャック用開口部23を囲む円周状平面形状を有している。吸引管24は、吸着チャック用開口部23を選択的に囲む円弧形状の平面形状を有していてもよい。
Further, a plurality of ventilation holes (hereinafter referred to as suction pipes) through which the air exhausted when the
吸引ガード31は、筒状の支持軸32によって昇降可能に設けられている。吸引ガード31は、上面が開口し、側壁および底面を有する形状の本体部からなり、本体部の底面には排気口が設けられている。吸引ガード31の開口部33の直径は、ウエハ1の外周部がちょうど接する寸法となっている。例えば、吸引ガード31の開口部33の直径は、反りの生じているウエハ1の平面形状の直径とほぼ同じ寸法であってもよい。ここで、反りの生じているウエハ1の平面形状の直径とは、反りの生じていない状態のウエハ1の直径よりも、反りが生じている分だけ小さい直径である。
The
吸引ガード31は、側壁の上端でウエハ1の外周部を保持する。具体的には、吸引ガード31は、側壁の上端にウエハ1が載置された後、ウエハ1の外周部を支持した状態で、ウエハ1を吸引する。これにより、ウエハ1に下向きの吸引力が働き、ウエハ1の外周端部は、吸引ガード31の側壁の上端に保持される。つまり、吸引ガード31は、ウエハ1によって開口部33が塞がれるように、ウエハ1の外周部を保持する。これにより、吸引ガード31の内部において、ウエハ1と吸着チャック21との間に、矯正部21が位置される状態となる。
The
また、吸引ガード31は、矯正部21の上方にウエハ1を保持した後、矯正部21に接触するまで、ウエハ1を吸引しながら下降する。これにより、吸引ガード31に保持されたウエハ1は、矯正部21に接触した後も吸引ガード31から外れない。吸引ガード31によってウエハ1にかける吸引力は、吸引ガード31が保持するウエハ1が矯正部21に接触したときに、吸引ガード31から外れない程度の吸引力であればよい。
Further, the
吸引ガード31の支持軸32は、吸引ガード31の排気口に接続されている。つまり、吸引ガード31の支持軸32は、吸引ガード31の開口部33に対して反対側の底面に設けられている。吸引ガード31の支持軸32には、排気機構(不図示)が接続されている。排気機構によって、吸引ガード31の本体部の内部が、吸引ガード31の支持軸32を介して排気される。つまり、吸引ガード31および吸引ガード31の支持軸32によって、漏斗形状の吸引ガード31が構成されている。
The
吸引ガード31の開口部33に段差部34を設けてもよい。段差部34を含む吸引ガード31の開口部33の直径は、反りの生じているウエハ1が平坦な状態に近づいたときの直径とほぼ同じ寸法を有する。このような段差部34を設けることで、反りの生じているウエハ1が平坦な状態に近づいたときに、吸引ガード31の、ウエハ1の外周部を保持する部分をふやすことができる。これにより、吸引ガード31によってウエハ1を安定して保持することができる。
A
次に、図1に示すウエハ保持装置を用いたウエハの保持方法について説明する。図2〜5は、実施の形態にかかるウエハ保持方法について示す説明図である。まず、図1に示すように、おもて面側に凹状に反りの生じているウエハ1を、おもて面を上にして、吸引ガード31の開口部33に載置する(載置工程)。これにより、ウエハ1は、矯正部21の上方の、矯正部21の平坦な面に対向する位置に載置される。このとき、矯正部21は、吸着チャック11の上方に位置している。ウエハ1は、矯正部21に接していてもよいし、矯正部21から離れていてもよい。
Next, a wafer holding method using the wafer holding apparatus shown in FIG. 1 will be described. 2 to 5 are explanatory diagrams showing the wafer holding method according to the embodiment. First, as shown in FIG. 1, the
ついで、図2に示すように、排気機構(不図示)によって吸引ガード31内部の排気30を行う。吸引ガード31の排気口は、吸引ガード31の底面に設けられている。このため、ウエハ1と排気口の間には矯正部21が位置するが、矯正部21には吸引管24が設けられているため、吸引ガード31は、矯正部21の吸引管24を介してウエハ1を吸引することができる。これにより、ウエハ1に下向きの吸引力が働き、ウエハ1の外周端部は、吸引ガード31の側壁の上端に保持される。これにより、ウエハ1は吸引ガード31に固定される(保持工程)。
Next, as shown in FIG. 2, the
ついで、ウエハ1を保持した状態で吸引ガード31を下降させ、ウエハ1を矯正部21に接触させる。つまり、吸引ガード31の位置を、第1の位置41から第2の位置42(図3参照)に移動する。図2において、符号40は、吸引ガード31の移動方向を示している(図4においても同様)。吸引ガード31の位置とは、吸引ガード31の上端の位置を示している(以下、吸着チャック11および矯正部21においても同様)。また、吸引ガード31を下降させると同時に、排気機構によって吸引ガード31内部の排気30を行う。
Next, the
これにより、図3に示すように、吸引ガード31の開口部33に吸引力によって保持されたウエハ1の裏面側が矯正部21の平坦な面に接触し、ウエハ1が矯正部21に押し付けられる。したがって、ウエハ1の反りは、矯正部21の平坦な面に沿って矯正され、ウエハ1は平坦な状態に近づけられる。つまり、ウエハ1は、吸引ガード31に載置される前の状態よりも平坦な状態となる(矯正工程)。
Thereby, as shown in FIG. 3, the back side of the
矯正工程では、ウエハ1の反りが吸着チャック11によって吸着可能な例えば1mm以下となるように、ウエハ1の反りを矯正するのがよい。ここで、ウエハ1の、吸着チャック11によって吸着される部分のみが、吸着チャック11によって吸着可能な程度に平坦な状態になっていればよい。
In the correction step, it is preferable to correct the warpage of the
ついで、矯正部21の第3の位置51よりも下方に位置する吸着チャック11を上昇させる。吸着チャック11は、矯正部21の吸着チャック用開口部23の内部を移動し、第4の位置61から、矯正部21の第3の位置51まで上昇して、第5の位置62に移動する。つまり、吸着チャック11の第5の位置62は、矯正部21の第3の位置51とほぼ同様となる。図3において、符号60は、吸着チャック11の移動方向を示している。
Next, the
これにより、図4に示すように、吸着チャック11は、ウエハ1の裏面の、矯正部21の吸着チャック用開口部23に露出する部分に接触する。ウエハ1は矯正工程によって平坦な状態に近づいているため、吸着チャック11の全ての吸着溝12(図1参照)は、ウエハ1によって塞がれた状態となる。
As a result, as shown in FIG. 4, the
ついで、真空発生手段(不図示)によって、吸着チャック11の支持軸13に設けられた通気用の孔14(図1参照)を介して、吸着チャック11の複数の吸着溝12を真空引きする。これにより、ウエハ1の裏面が吸着チャック11の吸着溝12に吸着する(吸着工程)。上述したように、ウエハ1は吸着チャック11の全ての吸着溝12に接しているため、吸着チャック11の全ての吸着溝12に確実に吸着される。
Next, a plurality of suction grooves 12 of the
ついで、吸引ガード31を下降させ、吸引ガード31の位置を、第2の位置42から第6の位置43(図5参照)に移動する。同時に、矯正部21を下降させ、矯正部21の位置を、第3の位置51から第7の位置52(図5参照)に移動する。図4において、符号50は、矯正部21の移動方向を示している。これにより、吸引ガード31および矯正部21がウエハ1から離れ、ウエハ1は、吸着チャック11のみで保持される。このとき、吸着チャック11は、吸引ガード31および矯正部21に保持されたままの状態のウエハ1を吸着する。
Next, the
以上、説明したように、実施の形態のウエハ保持装置によれば、ウエハ1の外周部を保持する吸引ガード31と、吸引ガード31に保持されたウエハ1を平坦な状態に近づける矯正部21と、吸引ガード31および矯正部21によって平坦な状態に近づけられたウエハを吸着する吸着チャック11と、を備える。吸着チャック11は、ウエハ1が平坦な状態に近づけられた後にウエハ1を吸着するため、吸着チャック11のウエハ保持面の外周部に、リーク箇所(図6参照)ができることはない。したがって、従来よりも強い吸着力で、反っているウエハ1を吸着することができる。
As described above, according to the wafer holding apparatus of the embodiment, the
また、矯正部21には、吸着チャック11が通過する吸着チャック用開口部23が設けられている。このため、吸着チャック11は、矯正部21および吸引ガード31に保持された状態にあるウエハ1を、矯正部21および吸引ガード31に保持されたままの状態で吸着することができる。このため、吸着チャック11がウエハ1を吸着するときに、平坦な状態に近づけられたウエハ1が元の反った状態に戻ることない。これにより、吸着チャック11は、平坦な状態に近づけられたウエハを吸着することができる。したがって、反っているウエハ1を吸着チャック11によって確実に吸着することができる。
Further, the
また、実施の形態のウエハ保持方法によれば、ウエハ1を吸引力によって保持した状態で吸引ガード31を下降し、矯正部21の平坦な面に接触させる。このため、ウエハ1は、吸引ガード31から外れることなく、矯正部21の平坦な面に接触される。これにより、反りの生じているウエハ1を、矯正部21の平坦な面に対応した平坦な状態に近づけることができる。また、ウエハを平坦な状態に近づけた後、吸着チャック11によって吸着する。このため、吸着チャック11のウエハ保持面の外周部に、リーク箇所(図6参照)ができることはない。したがって、反っているウエハ1を強い吸着力で吸着することができる。
Further, according to the wafer holding method of the embodiment, the
上述したように、ウエハ1の反りの状態に依らず、ウエハ1を吸着チャック11によって確実に吸着して保持することができる。このため、従来の自動搬送機構などを用いて処理を施すことができない程度に反っていたウエハも、本発明のウエハ保持装置に吸着して保持することができる。これにより、高い保持力を必要とする例えばレジストを回転塗布する処理なども、本発明のウエハ保持装置およびウエハ保持方法を用いて行うことができる。
As described above, the
以上において本発明では、おもて面側に凹状に反ったウエハを用いて説明したが、上述した実施の形態に限らず、おもて面側に凸状に反ったウエハの裏面を吸着する場合にも適用することが可能である。この場合、吸着チャックのウエハ保持面のほぼ全面に、リーク箇所ができるのを防止する。また、平坦なウエハに適用してもよい。また、矯正部および吸着チャックの形状は一例であり、吸着チャックに吸着する前にウエハの反りを矯正して平坦な状態に近づけることができる構成であれば、他の形状であってもよい。 In the above description, the present invention has been described using the wafer warped in a concave shape on the front surface side. It can also be applied to cases. In this case, a leak portion is prevented from being formed on almost the entire wafer holding surface of the chuck. Moreover, you may apply to a flat wafer. Further, the shapes of the correction unit and the suction chuck are only examples, and other shapes may be used as long as the warp of the wafer can be corrected to approach a flat state before being sucked by the suction chuck.
以上のように、本発明にかかるウエハ保持装置およびウエハ保持方法は、ウエハを保持した後、ウエハに様々な処理を施したり、ウエハを搬送したりする際に有用である。 As described above, the wafer holding apparatus and the wafer holding method according to the present invention are useful when various processes are performed on the wafer or the wafer is transferred after the wafer is held.
1 ウエハ
11 吸着チャック
12 吸着溝
13 吸着チャックの支持軸
21 矯正部
22 矯正部の支持軸
23 吸着チャック用開口部
24 吸引管
31 吸引ガード
32 吸引ガードの支持軸
33 吸引ガードの開口部
34 吸引ガードの段差部
DESCRIPTION OF
Claims (14)
反りの生じている前記ウエハの外周部を保持する保持手段と、
前記ウエハを平坦な状態に近づける矯正手段と、
前記ウエハの中央部を吸着する吸着手段と、
を備え、
前記保持手段と前記矯正手段とを相対的に移動させた後、前記吸着手段によって前記ウエハの中央部を吸着することを特徴とするウエハ保持装置。 A wafer holding device for sucking and holding a wafer,
Holding means for holding the outer peripheral portion of the wafer in which warpage occurs;
Correction means for bringing the wafer close to a flat state;
A suction means for sucking the central portion of the wafer;
With
A wafer holding apparatus, wherein after the holding means and the correcting means are relatively moved, the central portion of the wafer is sucked by the sucking means.
反りの生じている前記ウエハを、平坦な面を有する部材の該平坦な面に対向する位置に載置する載置工程と、
前記載置工程の後、前記ウエハの外周部を保持する保持工程と、
前記保持工程によって外周部が保持された前記ウエハを、前記平坦な面に接触させる矯正工程と、
前記平坦な面に接触した状態の前記ウエハの中央部を吸着する吸着工程と、
を含むことを特徴とするウエハ保持方法。 A wafer holding method for adsorbing and holding a wafer,
A placing step of placing the warped wafer at a position facing the flat surface of a member having a flat surface;
After the placing step, a holding step for holding the outer periphery of the wafer;
A correction step of bringing the wafer having the outer periphery held by the holding step into contact with the flat surface;
An adsorption step for adsorbing a central portion of the wafer in contact with the flat surface;
A wafer holding method comprising:
前記矯正工程では、前記ウエハを下降させて、前記平坦な面に接触させることを特徴とする請求項9に記載のウエハ保持方法。 In the placing step, the wafer is placed above the flat surface,
The wafer holding method according to claim 9, wherein in the correcting step, the wafer is lowered and brought into contact with the flat surface.
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015073977A (en) * | 2013-10-11 | 2015-04-20 | 平田機工株式会社 | Processing system |
JP2015185669A (en) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | リンテック株式会社 | Supporting device and supporting method of planar member |
CN109273398A (en) * | 2018-09-28 | 2019-01-25 | 上海微松工业自动化有限公司 | A kind of smooth fixed device of wafer |
US10410908B2 (en) | 2017-02-28 | 2019-09-10 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate holding device |
JP2019208020A (en) * | 2018-05-29 | 2019-12-05 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングSuss MicroTec Lithography GmbH | Holding device of substrate and substrate holding method |
CN112658986A (en) * | 2019-10-16 | 2021-04-16 | 株式会社迪思科 | Method for holding workpiece |
CN114777826A (en) * | 2022-04-01 | 2022-07-22 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | Air-float bearing equipment |
CN116487314A (en) * | 2023-06-21 | 2023-07-25 | 上海新创达半导体设备技术有限公司 | Wafer carrier with warp correction function |
-
2010
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015073977A (en) * | 2013-10-11 | 2015-04-20 | 平田機工株式会社 | Processing system |
JP2015185669A (en) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | リンテック株式会社 | Supporting device and supporting method of planar member |
US10410908B2 (en) | 2017-02-28 | 2019-09-10 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate holding device |
JP2019208020A (en) * | 2018-05-29 | 2019-12-05 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングSuss MicroTec Lithography GmbH | Holding device of substrate and substrate holding method |
CN109273398A (en) * | 2018-09-28 | 2019-01-25 | 上海微松工业自动化有限公司 | A kind of smooth fixed device of wafer |
CN109273398B (en) * | 2018-09-28 | 2023-01-20 | 上海微松工业自动化有限公司 | Wafer flattening and fixing device |
JP2021064741A (en) * | 2019-10-16 | 2021-04-22 | 株式会社ディスコ | Workpiece holding method |
CN112658986A (en) * | 2019-10-16 | 2021-04-16 | 株式会社迪思科 | Method for holding workpiece |
JP7305276B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-07-10 | 株式会社ディスコ | Workpiece holding method |
CN112658986B (en) * | 2019-10-16 | 2024-03-08 | 株式会社迪思科 | Method for holding workpiece |
CN114777826A (en) * | 2022-04-01 | 2022-07-22 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | Air-float bearing equipment |
CN116487314A (en) * | 2023-06-21 | 2023-07-25 | 上海新创达半导体设备技术有限公司 | Wafer carrier with warp correction function |
CN116487314B (en) * | 2023-06-21 | 2023-09-01 | 上海新创达半导体设备技术有限公司 | Wafer carrier with warp correction function |
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