JP2012112723A - 分光センサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 信頼性の高い分光センサを得ることができる分光センサの製造方法を提供する。
【解決手段】 分光センサ１の製造方法では、ハンドル基板上にナノインプリント法によってキャビティ層２１を形成する。このように、ハンドル基板に対してナノインプリント法を実施することで、高精度のキャビティ層２１を安定して得ることができる。さらに、光透過基板３側にキャビティ層２１及びＤＢＲ層２２，２３を形成した後に、光検出基板４を接合する。これにより、キャビティ層２１やＤＢＲ層２２，２３を形成するための各プロセスにおいて光検出基板４にダメージが与えられるのを防止することができる。
【選択図】 図２
【解決手段】 分光センサ１の製造方法では、ハンドル基板上にナノインプリント法によってキャビティ層２１を形成する。このように、ハンドル基板に対してナノインプリント法を実施することで、高精度のキャビティ層２１を安定して得ることができる。さらに、光透過基板３側にキャビティ層２１及びＤＢＲ層２２，２３を形成した後に、光検出基板４を接合する。これにより、キャビティ層２１やＤＢＲ層２２，２３を形成するための各プロセスにおいて光検出基板４にダメージが与えられるのを防止することができる。
【選択図】 図２
Description
本発明は、分光センサの製造方法に関する。
従来の分光センサとして、光の入射位置に応じて所定の波長の光を透過させる複数の干渉フィルタ部と、干渉フィルタ部に入射する光を透過させる光透過基板と、干渉フィルタ部を透過した光を検出する光検出基板と、を備えるものが知られている。ここで、各干渉フィルタ部は、キャビティ層を介して一対のミラー層が対向させられることによりファブリペロー型に構成されている場合がある。
このような分光センサの製造方法として、特許文献１には、次のような方法が記載されている。まず、光検出基板上に一方のミラー層を複数形成し、その後、それらのミラー層上にナノインプリント法によってキャビティ層を形成する。続いて、キャビティ層上に他方のミラー層を複数形成し、最後に、それらのミラー層上に光透過基板を接合する。
しかしながら、特許文献１記載の分光センサの製造方法あっては、製造された分光センサの信頼性が低下するおそれがある。その理由は次のとおりである。すなわち、光検出基板の表面には、受光部や配線層等の形成に起因した凹凸が存在しているので、そのような表面に形成されたミラー層上に、ナノインプリント法によってキャビティ層を形成しても、高精度（例えば、厚さにおいてｎｍオーダー）のキャビティ層を得ることができないおそれが高い。また、光検出基板にミラー層やキャビティ層を積み上げるように形成していくので、各プロセスにおいて光検出基板にダメージを与えるおそれが高い。
そこで、本発明は、信頼性の高い分光センサを得ることができる分光センサの製造方法を提供することを課題とする。
上記課題を解決するために、本発明の分光センサの製造方法は、キャビティ層並びにキャビティ層を介して対向する第１及び第２のミラー層を有し、所定の波長範囲の光を入射位置に応じて選択的に透過させる干渉フィルタ部と、干渉フィルタ部に入射する光を透過させる光透過基板と、干渉フィルタ部を透過した光を検出する光検出基板と、を備える分光センサの製造方法であって、ハンドル基板上にナノインプリント法によってキャビティ層を形成する第１の工程と、第１の工程の後、キャビティ層上に第１のミラー層を形成する第２の工程と、第２の工程の後、第１のミラー層上に光透過基板を接合する第３の工程と、第３の工程の後、キャビティ層からハンドル基板を除去する第４の工程と、第４の工程の後、ハンドル基板が除去されたキャビティ層上に第２のミラー層を形成する第５の工程と、第５の工程の後、第２のミラー層上に光検出基板を接合する第６の工程と、を備えることを特徴とする。
この分光センサの製造方法では、ハンドル基板上にナノインプリント法によってキャビティ層を形成する。このように、ハンドル基板に対してナノインプリント法を実施することで、高精度のキャビティ層を安定して得ることができる。さらに、光透過基板側にキャビティ層並びに第１及び第２のミラー層を形成した後に、光検出基板を接合する。これにより、キャビティ層やミラー層を形成するための各プロセスにおいて光検出基板にダメージが与えられるのを防止することができる。よって、この分光センサの製造方法によれば、信頼性の高い分光センサを得ることが可能となる。
ここで、ハンドル基板は、選択的に除去することができる表面層を有しており、第１の工程では、表面層上にキャビティ層を形成し、第４の工程では、表面層を選択的に除去することによりキャビティ層からハンドル基板を除去することが好ましい。このように、ハンドル基板の表面層を選択的に除去することで、キャビティ層にダメージが与えられるのを防止しつつ、キャビティ層からハンドル基板を除去するのに要する時間を短縮化することができる。
また、第１の工程では、第３の工程において第１のミラー層上に光学樹脂層を介して光透過基板を接合する場合に、光学樹脂層が配置される領域を含むように、ハンドル基板上にキャビティ層を形成することが好ましい。これによれば、ハンドル基板を除去するときには、ハンドル基板にはキャビティ層のみが接触することになるので、単純な条件でハンドル基板を除去することができる。
また、第３の工程の前に、所定の波長範囲の光を透過させる光学フィルタ層を光透過基板上に形成しておき、第３の工程では、第１のミラー層と光学フィルタ層とが対向するように、第１のミラー層上に光透過基板を接合することが好ましい。これによれば、所定の波長範囲の光を効率良く干渉フィルタ部に入射させることができる。
本発明によれば、信頼性の高い分光センサを得ることができる。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図１及び図２に示されるように、分光センサ１は、所定の波長範囲の光を入射位置に応じて選択的に透過させる複数の干渉フィルタ部２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃと、干渉フィルタ部２０Ａ〜２０Ｃに入射する光を透過させる光透過基板３と、干渉フィルタ部２０Ａ〜２０Ｃを透過した光を検出する光検出基板４と、を備えている。分光センサ１は、直方体状のＣＳＰ（Chip Size Package）として構成されており、干渉フィルタ部２０Ａ〜２０Ｃは、光透過基板３と光検出基板４との間において分光センサ１の長手方向に沿って配列されている。
光透過基板３は、ガラス等からなり、厚さ０．２ｍｍ〜２ｍｍ程度の矩形板状に形成されている。光透過基板３の裏面３ｂには、各干渉フィルタ部２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃと対向するように光学フィルタ層５が形成されている。各光学フィルタ層５は、誘電多層膜や有機カラーフィルタ（カラーレジスト）であり、厚さ０．１μｍ〜１０μｍ程度の矩形膜状に形成されている。光学フィルタ層５は、対向する干渉フィルタ部２０Ａ〜２０Ｃに入射させるべき所定の波長範囲の光を透過させるバンドパスフィルタとして機能する。
光検出基板４は、フォトダイオードアレイであり、厚さ１０μｍ〜１５０μｍ程度の矩形板状に形成されている。光検出基板４の表面４ａには、干渉フィルタ部２０Ａ〜２０Ｃを透過した光を受光する受光部６が形成されている。受光部６は、光検出基板４の長手方向に略垂直な方向に沿って延在する長尺状のフォトダイオードが光検出基板４の長手方向に沿って一次元に配列されて構成されている。さらに、光検出基板４には、受光部６で光電変換された電気信号を外部に取り出すための配線７（表面配線、裏面配線、貫通配線等）が形成されている。光検出基板４の裏面４ｂには、配線７と電気的に接続された表面実装用のバンプ８が設けられている。なお、光検出基板４は、フォトダイオードアレイに限定されず、他の半導体光検出素子（Ｃ−ＭＯＳイメージセンサ、ＣＣＤイメージセンサ等）であってもよい。
各干渉フィルタ部２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃは、キャビティ層２１及びＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）層２２，２３を有している。各干渉フィルタ部２０Ａ〜２０Ｃにおいて、ＤＢＲ層（第１のミラー層）２２とＤＢＲ層（第２のミラー層）２３とは、キャビティ層２１を介して対向している。つまり、キャビティ層２１は、対向するＤＢＲ層２２，２３間の距離を保持している（各干渉フィルタ部２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃにおけるキャビティ層２１の膜厚はそれぞれ異なっている）。各ＤＢＲ層２２，２３は、誘電多層膜であり、厚さ０．１μｍ〜１０μｍ程度の矩形膜状に形成されている。なお、各干渉フィルタ部２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃにおいて、ＤＢＲ層２２の厚さは互いに異なっており、同様に、各干渉フィルタ部２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃにおいて、ＤＢＲ層２３の厚さは互いに異なっている。
ＤＢＲ層２２は、キャビティ層２１に対して光透過基板３側に位置しており、干渉フィルタ部２０Ａ〜２０Ｃごとに分離されている。ＤＢＲ層２３は、キャビティ層２１に対して光検出基板４側に位置しており、干渉フィルタ部２０Ａ〜２０Ｃごとに分離されている。隣り合うＤＢＲ層２２，２２間の領域Ｒ１の幅、及び隣り合うＤＢＲ層２３，２３間の領域Ｒ２の幅は、それぞれ０．５μｍ〜１０μｍ程度である。
キャビティ層２１は、光透過性材料（光学樹脂、ガラス、半導体、誘電体等）からなり、干渉フィルタ部２０Ａ〜２０Ｃのそれぞれに渡って一体的に形成されている。キャビティ層２１の外縁部は、分光センサ１の側面（すなわち、光透過基板３の側面及び光検出基板４の側面）に到達しており、それらの側面は、略面一となっている。各干渉フィルタ部２０Ａ〜２０Ｃにおいて、キャビティ層２１の厚さは、分光センサ１の長手方向に沿った一方の側に向かって１００ｎｍ〜数百ｎｍ程度の範囲で漸増している。これにより、光検出基板４の受光部６の各チャネルに入射する光の波長は、各チャネルに対向する部分でのＤＢＲ層２２，２３の種類と厚さ及びキャビティ層２１の厚さによって一意に決定される。
光透過基板３は、キャビティ層２１に対してＤＢＲ層２２側に配置されており、光学樹脂層１１を介してＤＢＲ層２２に接合されている。これにより、各光学フィルタ層５は、光学樹脂層１１を介して各干渉フィルタ部２０Ａ〜２０ＣのＤＢＲ層２２と対向することになる。光検出基板４は、キャビティ層２１に対してＤＢＲ層２３側に配置されており、光学樹脂層１２を介してＤＢＲ層２３に接合されている。なお、各光学樹脂層１１，１２は、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系の有機材料、或いは有機無機からなるハイブリッド材料等の光学樹脂からなり、厚さ５μｍ〜１００μｍ程度に形成されている。
以上のように構成された分光センサ１では、光透過基板３の表面３ａから光透過基板３に入射した光が、光透過基板３を透過して光透過基板３の裏面３ｂに到達すると、各干渉フィルタ部２０Ａ〜２０Ｃに入射させるべき所定の波長範囲の光のみが、光学フィルタ層５によって透過させられる。そして、光学フィルタ層５を透過した光が、各干渉フィルタ部２０Ａ〜２０Ｃに入射すると、各干渉フィルタ部２０Ａ〜２０Ｃにおいては、所定の波長範囲の光が、入射位置に応じて選択的に透過させられる。つまり、入射位置でのＤＢＲ層２２，２３の種類と厚さ及びキャビティ層２１の厚さによって、光検出基板４の受光部６の各チャネルに入射する光の波長が一意に決定される。これにより、光検出基板４では、受光部６のチャネルごとに異なる波長の光が検出される。
次に、上述した分光センサ１の製造方法について説明する。まず、図３に示されるように、ハンドル基板５０を準備する。ハンドル基板５０は、基層５１及び表面層５２を有している。表面層５２は、エッチングにより選択的に除去することができる犠牲層であり、その表面５２ａは、平坦かつ平滑な面（表面粗さＲａが数ｎｍ以下の平滑な面）となっている。基層５１は、シリコン、石英、ガラス等からなる。表面層５２は、ＳｉＯ２、シリコン、金属、樹脂等からなり、厚さ数十ｎｍ〜数十μｍ程度に形成されている。
続いて、図４に示されるように、ハンドル基板５０の表面層５２の表面５２ａに（すなわち、表面層５２上に）、マトリックス状に配列された複数のキャビティ層２１をナノインプリント法によって一体的に形成する。このとき、キャビティ層２１の外縁部がハンドル基板５０の側面（すなわち、基層５１の側面及び表面層５２の側面）に到達し、それらの側面が略面一となるようにする。ナノインプリント法を実施するに際しては、キャビティ層２１の素材を表面５２ａの全面に略均一に塗布した後、加熱、加圧、ＵＶ照射等を行いつつモールド金型にて当該素材を所望のキャビティ形状に成型する。ナノインプリント法による成型は、チップ（１つの分光センサ１に対応する部分）単位、或いは複数のチップを含むブロック単位でステップアンドリピート方式により実施してもよいし、全面一括で実施してもよい。
続いて、図５に示されるように、１つの分光センサ１に対応する部分ごとに、キャビティ層２１上にＤＢＲ層２２を形成する。ＤＢＲ層２２を形成するに際しては、イオンプレーティング法、蒸着法、スパッタ法等による成膜、並びに、ホトエッチ及びリフトオフ、或いはエッチングによるパターニングを行う。ＤＢＲ層２２は、誘電多層膜であって、ＳｉＯ２、ＴＩＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＦ２等からなる積層膜である。
その一方で、図６に示されるように、マトリックス状に配列された複数の光透過基板３を含む光透過ウェハ３０を準備し、光透過基板３に対応する部分ごとに光透過ウェハ３０上に（すなわち、光透過基板３上に）、光学フィルタ層５を形成する。光学フィルタ層５を誘電多層膜で形成する場合には、イオンプレーティング法、蒸着法、スパッタ法等による成膜、並びに、ホトエッチ及びリフトオフ、或いはエッチングによるパターニングを行う。また、光学フィルタ層５を有機カラーフィルタで形成する場合には、ホトレジストのように露光・現像等でパターニングする。
続いて、図７に示されるように、１つの分光センサ１に対応する部分ごとにＤＢＲ層２２と光学フィルタ層５とを対向させて、ハンドル基板５０と光透過ウェハ３０とを光学樹脂層１１によって接合する。つまり、光学樹脂層１１を介してＤＢＲ層２２と光学フィルタ層５とが対向するように、ＤＢＲ層２２上に光学樹脂層１１を介して光透過基板３を接合する。この接合に際しては、ハンドル基板５０及び光透過ウェハ３０の少なくとも一方の全面に光学樹脂層１１を塗布した後、ハンドル基板５０と光透過ウェハ３０とをアライメントし、加熱、加圧、ＵＶ照射等を行ってハンドル基板５０と光透過ウェハ３０とを接合する。このとき、真空中で接合した後に大気中に戻せば、光学樹脂層１１にボイドが発生するのを抑制することができる。
続いて、図８に示されるように、ウェットエッチング或いはドライエッチングで表面層５２を選択的に除去することにより、キャビティ層２１からハンドル基板５０を除去する。この除去に際しては、キャビティ層２１の外縁部がハンドル基板５０の側面（すなわち、基層５１の側面及び表面層５２の側面）に到達しており、表面層５２にはキャビティ層２１のみが接触しているので、表面層５２とキャビティ層２１との界面に有効に作用する単一のエッチング剤で表面層５２を除去することができる。なお、表面層５２を効率良く除去するために、ハンドル基板５０の基層５１に、エッチング剤進行用の貫通孔を形成しておいてもよい。
続いて、図９に示されるように、ハンドル基板５０が除去されることにより露出したキャビティ層２１上にＤＢＲ層２３を形成する。これにより、１つの分光センサ１に対応する部分ごとに、ＤＢＲ層２２とＤＢＲ層２３とがキャビティ層２１を介して対向し、干渉フィルタ部２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃが形成される。そして、１つの分光センサ１に対応する部分が分光フィルタ基板９となって、マトリックス状に配列された複数の分光フィルタ基板９を含む分光フィルタウェハ９０が製造される。ＤＢＲ層２３を形成するに際しては、イオンプレーティング法、蒸着法、スパッタ法等による成膜、並びに、ホトエッチ及びリフトオフ、或いはエッチングによるパターニングを行う。ＤＢＲ層２３は、誘電多層膜であって、ＳｉＯ２、ＴＩＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＦ２等からなる積層膜である。
続いて、図１０に示されるように、マトリックス状に配列された複数の光検出基板４を含む光検出ウェハ４０を準備し、１つの分光センサ１に対応する部分ごとにＤＢＲ層２３と受光部６とを対向させて、分光フィルタウェハ９０と光検出ウェハ４０とを光学樹脂層１２によって接合する。つまり、光学樹脂層１２を介してＤＢＲ層２３と受光部６とが対向するように、ＤＢＲ層２３上に光学樹脂層１２を介して光検出基板４を接合する。この接合に際しては、分光フィルタウェハ９０及び光検出ウェハ４０の少なくとも一方の全面に光学樹脂層１２を塗布した後、分光フィルタウェハ９０と光検出ウェハ４０とをアライメントし、加熱、加圧、ＵＶ照射等を行って分光フィルタウェハ９０と光検出ウェハ４０とを接合する。このとき、真空中で接合した後に大気中に戻せば、光学樹脂層１２にボイドが発生するのを抑制することができる。
続いて、図１１に示されるように、光検出ウェハ４０の裏面に対して研削、研磨、エッチング等を施すことにより、光検出ウェハ４０を厚さ１０μｍ〜１５０μｍ程度に薄型化する。そして、表面配線に対応する部分にエッチングで貫通孔を形成して、貫通配線、裏面配線等を形成することにより、１つの分光センサ１に対応する部分ごとに配線７を形成する。さらに、光検出ウェハ４０の裏面に、１つの分光センサ１に対応する部分ごとにバンプ８を形成する。続いて、図１２に示されるように、互いに接合された分光フィルタウェハ９０及び光検出ウェハ４０を、１つの分光センサ１に対応する部分ごとにダイシングし、複数の分光センサ１を得る。
以上説明したように、分光センサ１の製造方法では、ハンドル基板５０上にナノインプリント法によってキャビティ層２１を形成する。このように、ハンドル基板５０に対してナノインプリント法を実施することで、高精度のキャビティ層２１を安定して得ることができる。さらに、光透過基板３側にキャビティ層２１及びＤＢＲ層２２，２３を形成した後に、光検出基板４を接合する。これにより、キャビティ層２１やＤＢＲ層２２，２３を形成するための各プロセスにおいて光検出基板４にダメージが与えられるのを防止することができる。よって、分光センサ１の製造方法によれば、信頼性の高い分光センサ１を得ることが可能となる。
また、分光フィルタウェハ９０の各分光フィルタ基板９の性能を検査した後に、分光フィルタウェハ９０と光検出ウェハ４０とを接合するので、分光フィルタウェハ９０側の不具合に起因して光検出ウェハ４０が無駄になるのを防止することができる。
また、ハンドル基板５０は、選択的に除去することができる表面層５２を有しており、その表面層５２を選択的に除去することによりキャビティ層２１からハンドル基板５０を除去する。このように、ハンドル基板５０の表面層５２を選択的に除去することで、キャビティ層２１にダメージが与えられるのを防止しつつ、キャビティ層２１からハンドル基板５０を除去するのに要する時間を短縮化することができる。
また、光学フィルタ層５を光透過基板３上に形成しておき、光学樹脂層１１を介してＤＢＲ層２２と光学フィルタ層５とが対向するように、ＤＢＲ層２２上に光学樹脂層１１を介して光透過基板３を接合する。これにより、所定の波長範囲の光を効率良く干渉フィルタ部２０Ａ〜２０Ｃに入射させることができる。
また、キャビティ層２１の外縁部をハンドル基板５０の側面（すなわち、基層５１の側面及び表面層５２の側面）に到達させることで、ハンドル基板５０の厚さ方向から見た場合に、光学樹脂層１１が配置される領域を含むように、ハンドル基板５０上にキャビティ層２１を形成する。これにより、ハンドル基板５０を除去するときには、ハンドル基板５０にはキャビティ層２１のみが接触することになるので、表面層５２とキャビティ層２１との界面に有効に作用する単一のエッチング剤を用いれば済むという単純な条件で、キャビティ層２１からハンドル基板５０を除去することができる。
なお、ハンドル基板５０の表面層５２は、表面層５２自体が離型処理層のような機能を有し、ハンドル基板５０を引き剥がし易くするものであってもよい。そのような場合に、図１３の（ａ）に示されるように、表面層５２にキャビティ層２１及び光学樹脂層１１が接触していると（つまり、ハンドル基板５０の厚さ方向から見た場合に、光学樹脂層１１が配置される領域を含むように、ハンドル基板５０上にキャビティ層２１を形成しないと）、表面層５２とキャビティ層２１との界面と、表面層５２と光学樹脂層１１との界面とで、引き剥がし力が異なるために、キャビティ層２１からハンドル基板５０を均一に引き剥がすことが困難となる。これに対し、図７に示されるように、ハンドル基板５０の厚さ方向から見た場合に、光学樹脂層１１が配置される領域を含むように、ハンドル基板５０上にキャビティ層２１を形成すれば、表面層５２にはキャビティ層２１のみが接触することになるので、キャビティ層２１からハンドル基板５０を均一に引き剥がすことが可能となる。
また、図１３の（ｂ）に示されるように、キャビティ層２１からハンドル基板５０を引き剥がした後には、キャビティ層２１と光学樹脂層１１との界面が裏面側に露出することになるので、ＤＢＲ層２３のパターニングする際のフォトエッチングや成膜等の熱工程において、当該界面が剥離したり、当該界面に隙間が生じたりするおそれがある。これに対し、図８に示されるように、ハンドル基板５０の厚さ方向から見た場合に、光学樹脂層１１が配置される領域を含むように、ハンドル基板５０上にキャビティ層２１を形成すれば、キャビティ層２１からハンドル基板５０を引き剥がした後には、キャビティ層２１のみが裏面側に露出するので、そのような界面に関する問題の発生を防止することが可能となる。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、ハンドル基板５０は、表面層５２を有せず、ハンドル基板５０自体が除去可能なものであってもよい。このような場合において、ハンドル基板５０をエッチングにより選択的に除去するときには、研削、研磨等によりハンドル基板５０を予め薄型化しておくことが好ましい。
また、光検出基板４は、一次元センサに限定されず、二次元センサであってもよい。そして、キャビティ層２１の厚さは、二次元的に変化していてもよいし、また、ステップ状に変化していてもよい。また、ＤＢＲ層２２，２３に代えて、ミラー層として、ＡＬ、Ａｕ、Ａｇ等の単層の金属反射膜を適用してもよい。また、光学樹脂層１１，１２による接合に代えて、分光センサ１の外縁部における接合を適用してもよい。その場合には、スペーサによってギャップを保持しつつ、低融点ガラスや半田等によって接合することが可能である。なお、接合部に包囲された領域はエアギャップとしてもよいし、或いは当該領域に光学樹脂を充填してもよい。
１…分光センサ、３…光透過基板、４…光検出基板、５…光学フィルタ層、１１…光学樹脂層、２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ…干渉フィルタ部、２１…キャビティ層、２２…ＤＢＲ層（第１のミラー層）、２３…ＤＢＲ層（第２のミラー層）、５０…ハンドル基板、５２…表面層。
Claims (4)
- キャビティ層並びに前記キャビティ層を介して対向する第１及び第２のミラー層を有し、所定の波長範囲の光を入射位置に応じて選択的に透過させる干渉フィルタ部と、前記干渉フィルタ部に入射する光を透過させる光透過基板と、前記干渉フィルタ部を透過した光を検出する光検出基板と、を備える分光センサの製造方法であって、
ハンドル基板上にナノインプリント法によって前記キャビティ層を形成する第１の工程と、
前記第１の工程の後、前記キャビティ層上に前記第１のミラー層を形成する第２の工程と、
前記第２の工程の後、前記第１のミラー層上に前記光透過基板を接合する第３の工程と、
前記第３の工程の後、前記キャビティ層から前記ハンドル基板を除去する第４の工程と、
前記第４の工程の後、前記ハンドル基板が除去された前記キャビティ層上に前記第２のミラー層を形成する第５の工程と、
前記第５の工程の後、前記第２のミラー層上に前記光検出基板を接合する第６の工程と、を備えることを特徴とする分光センサの製造方法。 - 前記ハンドル基板は、選択的に除去することができる表面層を有しており、
前記第１の工程では、前記表面層上に前記キャビティ層を形成し、
前記第４の工程では、前記表面層を選択的に除去することにより前記キャビティ層から前記ハンドル基板を除去することを特徴とする請求項１記載の分光センサの製造方法。 - 前記第１の工程では、前記第３の工程において前記第１のミラー層上に光学樹脂層を介して前記光透過基板を接合する場合に、前記光学樹脂層が配置される領域を含むように、前記ハンドル基板上に前記キャビティ層を形成することを特徴とする請求項１又は２記載の分光センサの製造方法。
- 前記第３の工程の前に、前記所定の波長範囲の光を透過させる光学フィルタ層を前記光透過基板上に形成しておき、
前記第３の工程では、前記第１のミラー層と前記光学フィルタ層とが対向するように、前記第１のミラー層上に前記光透過基板を接合することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の分光センサの製造方法。
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