JP2012112686A - Inspection method for semiconductor device and semiconductor inspection device - Google Patents
Inspection method for semiconductor device and semiconductor inspection device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012112686A JP2012112686A JP2010259725A JP2010259725A JP2012112686A JP 2012112686 A JP2012112686 A JP 2012112686A JP 2010259725 A JP2010259725 A JP 2010259725A JP 2010259725 A JP2010259725 A JP 2010259725A JP 2012112686 A JP2012112686 A JP 2012112686A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- vibration
- semiconductor
- inspection
- probe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体装置の検査方法、及び半導体検査装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device inspection method and a semiconductor inspection device.
近年、半導体装置の小型化、高密度化に伴い、外部端子の多ピン化が進んでいる。このため、半導体装置の検査工程において、外部端子を検査装置の微細なプローブに対して確実に電気的接触をさせることが困難となってきている。プローブの接触不良が生じた場合は、半導体装置が良品であっても、オープン不良品として誤認してしまう可能性がある。 In recent years, with the miniaturization and high density of semiconductor devices, the number of external terminals has increased. For this reason, in the inspection process of a semiconductor device, it has become difficult to make electrical contact between the external terminal and a fine probe of the inspection apparatus. When a probe contact failure occurs, even if the semiconductor device is a non-defective product, it may be mistaken for an open defective product.
特許文献1(特開2005−129444号公報)には、プローブの先端を円筒状でかつ90度以下の角度とし、プローブに60kHz以上の超音波振動を付加する超音波振動装置を有する半導体装置の検査ソケットが記載されている。特許文献1によれば、プローブを超音波振動させ、半田ボール表面に形成された酸化膜を破壊することで、半田ボールとプローブの電気的接触が不良になることを抑制できるとされている。 Patent Document 1 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-129444) discloses a semiconductor device having an ultrasonic vibration device in which the tip of a probe is cylindrical and has an angle of 90 degrees or less and ultrasonic vibration of 60 kHz or more is applied to the probe. Inspection socket is listed. According to Patent Document 1, it is said that the electrical contact between the solder ball and the probe can be suppressed by causing the probe to vibrate ultrasonically and destroying the oxide film formed on the surface of the solder ball.
プローブの接触不良の原因としては、上記した半田ボールの酸化膜が生じている場合のみではなく、プローブ上に異物が生じている場合や、プローブが斜めに接触している場合などが考えられる。特許文献1のようにプローブを超音波振動させる方法では、プローブ上に異物が生じている場合や、プローブが斜めに接触している場合などにおいて、振動の周波数が大きすぎるため、プローブを適正な接触状態に修正することができない。 Possible causes of probe contact failure include not only the case where the oxide film of the solder ball described above is generated, but also a case where foreign matter is generated on the probe or a case where the probe is in contact at an angle. In the method of ultrasonically vibrating the probe as in Patent Document 1, the frequency of vibration is too high when foreign matter is generated on the probe or when the probe is in contact with the probe at an angle. The contact state cannot be corrected.
本発明によれば、
ハンドラにより半導体装置をテスターのソケットに載置するセット工程と、
前記半導体装置を水平方向に1000Hz以下の周波数で振動させる振動工程と、
前記振動工程の後、前記半導体装置を前記テスターのプローブに押し当てることにより、前記テスター内のテストボードと電気的に接続するテスト工程と、
を備える半導体装置の検査方法、が提供される。
According to the present invention,
A setting step of placing the semiconductor device on the socket of the tester by the handler;
A vibration step of vibrating the semiconductor device in a horizontal direction at a frequency of 1000 Hz or less;
After the vibration step, a test step of electrically connecting the semiconductor device to a test board in the tester by pressing the semiconductor device against a probe of the tester;
A method for inspecting a semiconductor device is provided.
本発明によれば、
半導体装置を載置するソケットと、
前記半導体装置を保持しながら上下に移動させる昇降機構と、前記ソケットに前記半導体装置が載置された状態で前記半導体装置を水平方向に1000Hz以下の周波数で振動させる振動部を備えるハンドラと、
を備える半導体検査装置、が提供される。
According to the present invention,
A socket for mounting a semiconductor device;
An elevating mechanism that moves the semiconductor device up and down while holding the semiconductor device, and a handler that includes a vibrating unit that vibrates the semiconductor device in a horizontal direction at a frequency of 1000 Hz or less in a state where the semiconductor device is placed in the socket;
A semiconductor inspection apparatus is provided.
本発明によれば、半導体装置を水平方向に1000Hz以下の周波数で振動させることにより、プローブと半田ボールとの間に挟まれた異物が除去され、また、斜めに接触したプローブは半田ボールに対して適正な位置に修正される。以上により、確実に電気的接続を行い、半導体装置の検査を行うことができる。 According to the present invention, the foreign matter sandwiched between the probe and the solder ball is removed by vibrating the semiconductor device in the horizontal direction at a frequency of 1000 Hz or less. To correct the position. As described above, electrical connection can be reliably performed and the semiconductor device can be inspected.
本発明によれば、確実に電気的接続を行い、半導体装置の検査を行うことができる。 According to the present invention, electrical connection can be reliably performed and a semiconductor device can be inspected.
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.
(第一の実施形態)
図1は、第一の実施形態における半導体検査装置の構成を示す断面図である。この半導体検査装置は、例えば、テスター100、及びハンドラ300を備える。このテスター100は、テスター本体120、及びテストヘッド200を備える。
(First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of the semiconductor inspection apparatus according to the first embodiment. This semiconductor inspection apparatus includes a
図1のように、テスター100は、半導体装置の製造工程において、モジュール化された半導体装置(後述、10)に対して電気的試験の検査を行う。この検査により、半導体装置(10)を良品か否かに選別する。
As shown in FIG. 1, the
また、テスター本体120は、テストヘッド200及びハンドラ300に配線140で接続しており、検査信号及び制御信号を送受信する。
The tester
ハンドラ300は、テスター本体120から送信された制御信号に従って動作することにより、テストヘッド200へ半導体装置(10)を自動搬送する。ハンドラ300には、テストヘッド200のソケット(後述、260)へ半導体装置(10)を載置するプッシャー部(後述、320)が設けられている。このプッシャー部(320)等については、詳細を後述する。
The
テストヘッド200は、テスター本体120から送信された検査信号を、半導体装置10に入力する。そして、テストヘッド200は、検査結果信号を半導体装置10から受信してテスター本体120へ送信する。
The test head 200 inputs the inspection signal transmitted from the tester
また、ハンドラ300は、テスター本体120から上記した検査結果に基づいて送信された制御信号に従って、半導体装置(10)を良品または不良品へ分別して搬送する。
Further, the handler 300 sorts and transports the semiconductor device (10) into a non-defective product or a defective product according to the control signal transmitted from the tester
図2は、図1に示すA部分を拡大した断面図である。本実施形態における半導体検査装置は、以下の構成を備える。半導体検査装置のテストヘッド200には、半導体装置10を載置するソケット260が備えられている。また、半導体検査装置のハンドラ300には、半導体装置10をプッシャー基部322に保持しながら、上下に移動させる昇降機構326が備えられている。また、当該ハンドラ300には、ソケット260に半導体装置10が載置された状態で、半導体装置10を水平方向に1000Hz以下の周波数で振動させる振動部324が備えられている。以下、詳細を説明する。
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a portion A shown in FIG. The semiconductor inspection apparatus in the present embodiment has the following configuration. The
図2のように、半導体装置10は、例えばBGA(Ball Grid Array)タイプの半導体パッケージである。
As shown in FIG. 2, the
図2のように、半導体検査装置のテストヘッド200には、テストボード220、プローブ240、及びソケット260が備えられている。テストボード220は、プローブ240と電気的に接続されており、テスター本体120と検査信号を送受信する配線(非図示)が備えられている。
As shown in FIG. 2, the
また、プローブ240は、一般にポゴピンと呼ばれるものである。プローブ240には、バネ(非図示)とコンタクトピン(非図示)が備えられている。なお、コンタクトピンの先端部における形状は、半導体装置10の外部端子の形状と接触しやすいように形成されている。例えば、コンタクトピンの先端部は、半導体装置10の半田ボール12と接触しやすいように、断面形状がV字となるように形成されている。
The
さらに、半導体検査装置のテストヘッド200には、半導体装置10を載置するソケット260が備えられている。ソケット260の内枠は、半導体装置10の外形寸法に一定のマージンを加えた大きさを有している。ここでのマージンは、ハンドラ300の搬送精度、及び振動工程(後述)における振幅以上のマージンを有する。
Further, the
一方、半導体検査装置のハンドラ300には、プッシャー部320が備えられている。また、プッシャー部320には、プッシャー基部322、振動部324、及び昇降機構326が備えられている。ここで、プッシャー基部322には、半導体装置10を保持するための吸着機構(非図示)が備えられている。
On the other hand, the
プッシャー部320は、半導体装置10をプッシャー基部322に吸着させて保持しながら、昇降機構326によって上下に移動させる。この昇降機構326は、たとえば、圧縮空気で可動するシリンダである。
The
また、プッシャー部320は、半導体装置10をプッシャー基部322に保持したまま、振動部324によって半導体装置10を振動させる。このとき、ソケット260に半導体装置10が載置された状態で、半導体装置10を水平方向に1000Hz以下の周波数で振動させる。この半導体装置10を振動させる工程(振動工程)については、詳細を後述する。
The
ここで、振動部324は、例えば、振動モーターである。振動モーターの振動部分(非図示)には、プッシャー基部322が固定されている。
Here, the
このとき、振動モーターによる振幅は、回転軸と、プッシャー基部322の取り付け位置との距離で決定されている。半導体装置10を水平方向に振動させるために、プッシャー基部322は、プッシャー基部322の振動方向と、半導体装置10が保持される吸着面とが平行になるように取り付けられている。
At this time, the amplitude by the vibration motor is determined by the distance between the rotating shaft and the position where the
次に、図3を用いて、第一の実施形態における半導体装置10の検査方法について説明する。図3は、第一の実施形態における半導体装置10の検査方法を説明するためのフローチャートである。第一の実施形態における半導体装置10の検査方法は、以下の工程を備える。まず、ハンドラ300により、半導体装置10をテスター100のうちテストヘッド200のソケット260に載置する(セット工程、S20)。次いで、半導体装置10を水平方向に1000Hz以下の周波数で振動させる(振動工程、S60)。次いで、半導体装置10をテスター100のプローブ240に押し当てることにより、テスター100内のテストボード220と電気的に接続する(テスト工程、S80)。以下、詳細を説明する。
Next, an inspection method for the
半導体装置10は、ハンドラ300内のトレイ(非図示)に入れられた状態で準備されている。
The
まず、ハンドラ300は、テスター本体120から送信された制御信号に従って、吸着機構(非図示)を動作させて、トレイ(非図示)にある半導体装置10をプッシャー基部322に吸着させる。次いで、ハンドラ300は、プッシャー部320を移動させることにより、半導体装置10をトレイ(非図示)から取り出し、ソケット260直上まで搬送する(S10)。
First, the
次いで、ハンドラ300は、半導体装置10を保持したプッシャー部320を下降させることにより、半導体装置10をテストヘッド200のソケット260に載置する(S20)。以降、この工程をセット工程(S20)と表記する。
Next, the
次いで、半導体装置10をソケット260に載置した状態で、プッシャー部320を水平方向に1000Hz以下の周波数で振動させる(S60)。このとき、プッシャー部320に設けられた振動部324は、半導体装置10を保持したプッシャー基部322のみを振動させる。以降、この工程を振動工程(S60)と表記する。
Next, with the
ここで、水平方向の振動により、プローブ240と半田ボール12との間に挟まれた異物(後述、50)が除去され、また、斜めに接触したプローブ240は半田ボール12に対して適正な位置に修正される。
Here, the foreign matter (described later, 50) sandwiched between the
このとき、振動工程(S60)において、振動時間は、振動部324の仕様または振動周波数等を考慮して決定される。この振動時間は、たとえば0.5秒以下である。検査時間を短くするために、または半導体装置10への振動の影響をより少なくするために、振動時間は、たとえば0.2秒以下としてもよい。
At this time, in the vibration step (S60), the vibration time is determined in consideration of the specification of the
さらに、この振動工程(S60)において、半導体装置10を振動させる振幅は、たとえば半導体装置10の外形寸法公差の1/2以下である。このように、振幅を上記範囲内に設定することにより、半導体装置10を故障させることなく、後述する異物(50)の除去やプローブ240位置の適正化が行われる。具体的には、半導体装置10を振動させる振幅は、たとえば0.05mm以下である。
Furthermore, in this vibration step (S60), the amplitude for vibrating the
次いで、振動工程(S60)の後、半導体装置10をテスター100のプローブ240に押し当てることにより、テスター100内のテストボード220と電気的に接続する。このとき、プローブ240ひとつあたり、たとえば35g重を荷重する。これにより、半導体装置10を検査する(S80)。以降、この工程をテスト工程(S80)と表記する。
Next, after the vibration step (S60), the
以上の工程により、検査を行い、半導体装置10を良品か否かに選別する。
Inspection is performed through the above steps, and the
図4を用いて、第一の実施形態の効果について説明する。この図4は、セット工程(S20)後の半導体装置10とプローブ240の状態を示している。
The effect of 1st embodiment is demonstrated using FIG. FIG. 4 shows the state of the
図4(a)のように、セット工程(S20)後において、プローブ240と半田ボール12との間に異物50が挟まれている場合や、プローブ240が適正な位置で半田ボール12と接触していない場合が生じる。このような場合、その後のテスト工程(S80)において、良品の半導体装置10であってもオープン不良と誤認してしまう可能性がある。
As shown in FIG. 4A, after the setting step (S20), when the
一方、図4(b)のように、本実施形態では、半導体装置10を水平方向に1000Hz以下の周波数で振動させることにより、プローブ240上の異物50がプローブ240と半田ボール12との間から外され、また、斜めに接触したプローブ240は半田ボール12に対して適正な位置に修正される。以上により、確実に電気的接続を行い、半導体装置10の検査を行うことができる。
On the other hand, as shown in FIG. 4B, in the present embodiment, the
(第二の実施形態)
図5は、第二の実施形態における半導体装置10の検査方法を説明するためのフローチャートである。第二の実施形態は、以下の点を除いて、第一の実施形態と同様である。
(Second embodiment)
FIG. 5 is a flowchart for explaining an inspection method for the
第二の実施形態では、複数の半導体装置10の全てに対してセット工程(S20)とテスト工程(S80)を行うが、振動工程(S60)については、サンプルとして抽出した所定数の半導体装置10に対してのみ行う。以下、詳細を説明する。
In the second embodiment, the setting process (S20) and the test process (S80) are performed on all of the plurality of
あらかじめ、パッケージング工程(非図示)が完了した複数の半導体装置10が、ハンドラ300内のトレイ(非図示)に入れられた状態で準備されている。そのうちの一つの半導体装置10に対して、第一の実施形態と同様にして、セット工程(S20)までを行う。
A plurality of
次いで、前回の検査で振動工程(S60)を実施したか否かを判断する(S32)。前回の検査で振動工程(S60)を実施した場合は(S32のYES)、振動工程(S60)を行わずに、テスト工程(S80)を行う。 Next, it is determined whether or not the vibration step (S60) was performed in the previous inspection (S32). When the vibration process (S60) is performed in the previous inspection (YES in S32), the test process (S80) is performed without performing the vibration process (S60).
一方、前回の検査で振動工程(S60)を実施しなかった場合は(S32のNO)、第一の実施形態と同様にして、半導体装置10をソケット260に載置した状態で、プッシャー部320を水平方向に1000Hz以下の周波数で振動させる(S60)。
On the other hand, when the vibration process (S60) is not performed in the previous inspection (NO in S32), the
次いで、振動工程(S60)の後、半導体装置10をテスター100のプローブ240に押し当て、半導体装置10を検査する(S80)。
Next, after the vibration step (S60), the
このように、たとえば、検査対象となる複数の半導体装置10のうち、1/2の半導体装置10をサンプルとして抽出し、抽出した半導体装置10に対して、セット工程(S20)、振動工程(S60)、及びテスト工程(S80)を行ってもよい。上記した例では、複数の半導体装置10のうち、1/2の半導体装置10を抽出したが、抽出する所定数は任意の数であってもよく、他の抽出比率であってもよい。
Thus, for example, of the plurality of
第二の実施形態によれば、複数の半導体装置10のうち、サンプルとして所定数の半導体装置10を抽出した半導体装置10に対してのみ、振動工程(S60)を行う。プローブの接触不良は連続して起こることが少ないため、本実施形態の方法を用いることにより、適正に検査時間の短縮を図ることができる。
According to the second embodiment, the vibration step (S60) is performed only on the
(第三の実施形態)
図6は、第三の実施形態における半導体装置10の検査方法を説明するためのフローチャートである。第三の実施形態は、以下の点を除いて、第一の実施形態と同じである。
(Third embodiment)
FIG. 6 is a flowchart for explaining an inspection method for the
第三の実施形態では、所定数の半導体装置10に対して、セット工程(S20)とテスト工程(S80)を行う検査を行った後、当該検査において、オープン不良となった半導体装置10の個数が多かった場合は、振動工程の振動時間を増加させ(後述、S64)、オープン不良となった半導体装置10の個数が少なかった場合は、振動工程の振動時間を減少させる(後述、S66)。以下、詳細を説明する。
In the third embodiment, after performing an inspection for performing a set process (S20) and a test process (S80) on a predetermined number of
ここでは、たとえば100個の半導体装置10に対して検査を行った後、当該検査の結果から判断して、振動工程を以下のように調整する。
Here, for example, after 100
あらかじめ、パッケージング工程(非図示)が完了した複数の半導体装置10が、ハンドラ300内のトレイ(非図示)に準備されている。そのうちの一つの半導体装置10に対して、第一の実施形態と同様にして、セット工程(S20)までを行う。
A plurality of
次いで、これまでの検査で検査回数が100回を超えたか否かを判断する(S34)。検査回数が100回を超えていない場合は(S34のNO)、振動工程(たとえば、S64、S66)を行わずに、テスト工程(S80)を行う。 Next, it is determined whether or not the number of inspections has exceeded 100 in the previous inspections (S34). When the number of inspections does not exceed 100 (NO in S34), the test process (S80) is performed without performing the vibration process (for example, S64, S66).
検査回数が100回を超えた場合において、振動工程を以下のように調整する。まず、100回の検査においてオープン不良が0個の場合は(S42のYES)、半導体装置10にオープン不良品が存在しなかっただけでなく、プローブ240の接触不良も生じなかったことを意味するため、その後に振動工程(たとえば、S64、S66)を行わず、テスト工程を行う(S80)。
When the number of inspections exceeds 100, the vibration process is adjusted as follows. First, if there are no open defects in 100 inspections (YES in S42), it means that not only the open defective product exists in the
100回の検査においてオープン不良が0個でなく、たとえば5個以上であった場合(S44のYES)には、プローブ240の接触不良によって誤認が生じていた可能性がある。このため、振動工程として、プッシャー部320を水平方向に0.5秒間振動させる(S64)。次いで、半導体装置10をテスター100のプローブ240に押し当て、半導体装置10を検査する(S80)。
If the number of open failures is not 0 in 100 inspections, for example, 5 or more (YES in S44), there is a possibility that misidentification has occurred due to a contact failure of the
100回の検査においてオープン不良が0個でなく、たとえば5個未満であった場合(S44のNO)には、プローブ240の接触不良が生じていたとしても発生確率の低い軽微な接触不良であったと予想できる。このため、S64の場合よりも短い振動工程として、プッシャー部320を水平方向に0.2秒間振動させる(S66)。次いで、半導体装置10をテスター100のプローブ240に押し当て、半導体装置10を検査する(S80)。
If the number of open failures is not 0 in 100 inspections, for example, less than 5 (NO in S44), even if a contact failure of the
第三の実施形態によれば、複数の半導体装置10のうち、所定数の半導体装置10に対して検査を行った後、当該検査の結果から判断して、振動工程(たとえば、S64、S66)を調整する。当該検査において、オープン不良となった半導体装置10の個数が多かった場合は、振動工程(S64)の振動時間を増加させ、オープン不良となった半導体装置10の個数が少なかった場合は、振動工程(S66)の振動時間を減少させる。これにより、プローブ240の接触不良の原因を解消しつつ、適正に検査時間の短縮を図ることができる。
According to the third embodiment, after a predetermined number of
以上の実施形態において、半導体装置10は、BGAタイプの半導体パッケージである場合を説明したが、そのほか、半導体装置10は、QFP(Quad Flat Package)タイプの半導体パッケージであっても良い。また、振動部324は、上記した振動モーターのほか、電磁誘導で可動するコイルと磁石(非図示)であってもよく、または圧電効果によって可動するピエゾ素子(非図示)であってもよい。
In the above embodiment, the
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are the illustrations of this invention, Various structures other than the above are also employable.
10 半導体装置
12 半田ボール
50 異物
100 テスター
120 テスター本体
140 配線
200 テストヘッド
220 テストボード
240 プローブ
260 ソケット
300 ハンドラ
320 プッシャー部
322 プッシャー基部
324 振動部
326 昇降機構
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記半導体装置を水平方向に1000Hz以下の周波数で振動させる振動工程と、
前記振動工程の後、前記半導体装置を前記テスターのプローブに押し当てることにより、前記テスター内のテストボードと電気的に接続するテスト工程と、
を備える半導体装置の検査方法。 A setting step of placing the semiconductor device on the socket of the tester by the handler;
A vibration step of vibrating the semiconductor device in a horizontal direction at a frequency of 1000 Hz or less;
After the vibration step, a test step of electrically connecting the semiconductor device to a test board in the tester by pressing the semiconductor device against a probe of the tester;
Semiconductor device inspection method comprising:
前記振動工程は、前記ハンドラのプッシャー部に設けられた振動部により行われる半導体装置の検査方法。 In the inspection method of the semiconductor device according to claim 1,
The said vibration process is a test | inspection method of the semiconductor device performed by the vibration part provided in the pusher part of the said handler.
前記振動工程の振動時間は、0.5秒以下である半導体装置の検査方法。 In the inspection method of the semiconductor device according to claim 1 or 2,
The method for inspecting a semiconductor device, wherein a vibration time of the vibration step is 0.5 seconds or less.
前記振動工程の振幅は、前記半導体装置の外形寸法公差の1/2以下である半導体装置の検査方法。 In the inspection method of the semiconductor device according to any one of claims 1 to 3,
A method for inspecting a semiconductor device, wherein an amplitude of the vibration step is ½ or less of an outer dimension tolerance of the semiconductor device.
前記振動工程の振幅は、0.05mm以下である半導体装置の検査方法。 In the inspection method of the semiconductor device according to any one of claims 1 to 4,
A method for inspecting a semiconductor device, wherein an amplitude of the vibration step is 0.05 mm or less.
複数の前記半導体装置の全てに対して前記セット工程と前記テスト工程を行い、
サンプルとして所定数の前記半導体装置を抽出し、抽出した前記半導体装置に対して、前記セット工程、前記振動工程、及び前記テスト工程を行う半導体装置の検査方法。 In the inspection method of the semiconductor device according to any one of claims 1 to 5,
Performing the set step and the test step for all of the plurality of semiconductor devices;
A method for inspecting a semiconductor device, wherein a predetermined number of the semiconductor devices are extracted as samples, and the set step, the vibration step, and the test step are performed on the extracted semiconductor devices.
所定数の前記半導体装置に対して前記セット工程と前記テスト工程を行う検査を行った後、
当該検査において、オープン不良となった前記半導体装置の個数が多かった場合は、前記振動工程の振動時間を増加させ、前記オープン不良となった前記半導体装置の個数が少なかった場合は、前記振動工程の振動時間を減少させる半導体装置の検査方法。 In the inspection method of the semiconductor device according to any one of claims 1 to 6,
After performing an inspection for performing the set step and the test step on a predetermined number of the semiconductor devices,
In the inspection, when the number of the semiconductor devices that are open defects is large, the vibration time of the vibration process is increased, and when the number of the semiconductor devices that are open defects is small, the vibration process is performed. Semiconductor device inspection method for reducing vibration time of semiconductor device.
前記半導体装置を保持しながら上下に移動させる昇降機構と、前記ソケットに前記半導体装置が載置された状態で前記半導体装置を水平方向に1000Hz以下の周波数で振動させる振動部を備えるハンドラと、
を備える半導体検査装置。 A socket for mounting a semiconductor device;
An elevating mechanism that moves the semiconductor device up and down while holding the semiconductor device, and a handler that includes a vibrating unit that vibrates the semiconductor device in a horizontal direction at a frequency of 1000 Hz or less in a state where the semiconductor device is placed in the socket;
A semiconductor inspection apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010259725A JP2012112686A (en) | 2010-11-22 | 2010-11-22 | Inspection method for semiconductor device and semiconductor inspection device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010259725A JP2012112686A (en) | 2010-11-22 | 2010-11-22 | Inspection method for semiconductor device and semiconductor inspection device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012112686A true JP2012112686A (en) | 2012-06-14 |
Family
ID=46497075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010259725A Pending JP2012112686A (en) | 2010-11-22 | 2010-11-22 | Inspection method for semiconductor device and semiconductor inspection device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012112686A (en) |
-
2010
- 2010-11-22 JP JP2010259725A patent/JP2012112686A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101267145B1 (en) | Probe Card | |
JP4767147B2 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
US6933736B2 (en) | Prober | |
JP5067280B2 (en) | Semiconductor wafer measuring device | |
JP2008101944A (en) | Supporting member for inspection, inspection device and inspection method | |
JP2007285882A (en) | Board inspection contact, tool, and system | |
JP4592885B2 (en) | Semiconductor substrate testing equipment | |
JP2010002302A (en) | Contact structure for inspection | |
JP2001281300A (en) | Device and method for inspecting semiconductor chip or package | |
US7576552B2 (en) | Surface mount package fault detection apparatus | |
JP6531344B2 (en) | Probe device | |
TW522438B (en) | Method for producing semiconductor device | |
KR20160042189A (en) | Socket for testing semiconductor package and method for manufacturing the same | |
JP2009270835A (en) | Inspection method and device for semiconductor component | |
JP6596374B2 (en) | Board inspection equipment | |
JP5655599B2 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
JP2012112686A (en) | Inspection method for semiconductor device and semiconductor inspection device | |
KR20230055953A (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
JP2007071537A (en) | Device and method for inspecting printed circuit board | |
KR100709963B1 (en) | Measurement system having multi cavity for the flexible printed circuit board and the method for measuring of the same | |
JP2008309540A (en) | Method for inspecting semiconductor chip and inspection-use jig therefor | |
JP2008304254A (en) | Inspection socket and manufacturing method of semiconductor device | |
JPS6231200A (en) | Holder for sheet circuit board | |
JPH0758168A (en) | Probing device | |
JP2007292696A (en) | Testing tool and test method for semiconductor device |