JP2008304254A - Inspection socket and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は高周波帯で動作する受動回路素子及び、能動回路素子等を検査、測定する検査用ソケット、およびその検査用ソケットを用いた半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a passive circuit element that operates in a high frequency band, an inspection socket that inspects and measures an active circuit element, and a method of manufacturing a semiconductor device using the inspection socket.
図1は高周波帯で動作する受動回路素子及び、能動回路素子を内蔵した半導体装置の一例を示す図である。半導体装置10は図1に示す立方体の封止樹脂の1面に電源電圧やGND端子などの電極端子12を露出した構造になっている。従来、被検査物である半導体装置10の製造工程のうち検査工程において、検査に用いられる検査ソケットは図2、3に示すように、被検査物10を搭載するための台座1と、前記台座1上に設けられた基板2と、前記台座1に固定され外部に電気的に接続するための同軸コネクタ3と、前記基板2上に設けられた被検査物10の電気的特性を得るための配線4と、被検査物10の端子12と基板上の配線4とを電気的に接続するコンタクト8とを備え、検査時において被検査物10、コンタクト8、基板2上の配線4との接続は絶縁体のおさえ棒11で圧着する構成となっていた。
FIG. 1 is a diagram showing an example of a semiconductor device incorporating a passive circuit element operating in a high frequency band and an active circuit element. The
また、図4は従来の検査ソケットを上から見た図である。コンタクト8はおおよそL字の良導体、コンタクト14は細長い立方体の良導体で、図4に示すように樹脂でできたコンタクト保持装置9はコンタクト8、GND用コンタクト14を被検査物側の端子12と配線4とを接続する位置に保持している。コンタクト8の保持はコンタクト保持装置9に設けられた支柱13にはめ込んで実現されており、コンタクト8の電気的特性が劣化した場合にも容易に交換できるようになっている。
FIG. 4 is a top view of a conventional inspection socket. The
このような構成の検査ソケットを用いた従来の検査フローを図5に示す。被検査物10は樹脂の供給トレーに収納されており、おさえ棒11の先端部を被検査物10の表面に接触させ、おさえ棒11の先端部から空気を吸い込むことで吸着する。この後、おさえ棒が検査基板2上まで移動し、被検査物10を基板2に押しあてて検査スタートする。ここで、電気的特性が判定され、PASS品とFAIL品は分類されてトレーに搬出される。ここで、FAIL品が入ったトレーと供給トレーが同じ構造であればFAIL品が入ったトレーを供給トレーとすることで再検査を行うことができる。
FIG. 5 shows a conventional inspection flow using the inspection socket having such a configuration. The object to be inspected 10 is accommodated in a resin supply tray, and is adsorbed by bringing the tip of the
従来の検査用ソケットの構成の場合、被検査物10と基板2を圧着した時、信号経路にコンタクト8が存在する為、コンタクト8の自己インダクタンス成分、隣接するコンタクト8間の寄生容量などが付加されることとなる。よって、実用に供するために製品に実装状態にしてときに比べ、特性に影響を及ぼすインダクタンス成分、寄生容量が異なるため、実使用時と特性が異なり測定精度の劣化を招くという問題を有していた。
In the case of the conventional inspection socket configuration, when the object to be inspected 10 and the
更に、前記おさえ棒11はその先端部から空気を吸い込んで被検査物10を保持することで、収納されているトレーからの搬出、移動を行い、その状態でコンタクト8に機械的に圧着している。このため、トレーに収納されている被検査物10のトレー上での位置ズレ、おさえ棒11の先端部および被検査物10の表面と基板2の表面との水平のズレが発生し、このズレによって被検査物10の端子12とコンタクト8との接続不良や、被検査物10の電気的な耐圧の不足による受動回路素子、若しくは能動回路素子の破損や、破損することによってパッケージや端子の外観がそこなわれる問題も有していた。
Further, the
上記の課題を解決する方法としては、例えば特許文献1に記載された超高周波帯回路素子検査治具がある。従来の治具でははんだ付けするか、絶縁体のおさえ棒で圧着する構成となっており、はんだ付けの場合は被検査物のリード端子にはんだが乗ることにより外観がそこなわれ、ゴテのリーク電流による回路素子の破壊をおこしてしまうし、絶縁体のおさえ棒では大きな圧力によるリード端子の破壊がおこってしまう。また、絶縁体のおさえ棒ではストリップラインの特性インピーダンスの変化による測定精度の低下をおこすなどの欠点を有している。 As a method for solving the above-described problem, for example, there is an ultrahigh frequency band circuit element inspection jig described in Patent Document 1. Conventional jigs are either soldered or crimped with an insulation bar. In the case of soldering, the appearance of the lead is lost when solder is placed on the lead terminals of the object to be inspected. The circuit element is destroyed by the current, and the insulator terminal bar destroys the lead terminal by a large pressure. In addition, the insulator bar has a drawback in that the measurement accuracy is lowered due to the change in the characteristic impedance of the stripline.
特許文献1に記載されている超高周波回路素子検査治具は、被検査物のリード端子に直接気体圧力を印加することにより、特性インピーダンスをもつストリップラインに圧着接続する手段を有することを特徴として、リード端子部分の破損や外観がそこなわれることなくリード端子と所定の特性インピーダンスを有するストリップラインとを接続することができ、測定精度を上げている。
上記のように特許文献1に記載されている超高周波帯回路素子検査治具は、被検査物の端子がQFPタイプの形状であれば有効であるが、QFNタイプやWLCSPのようにパッケージ裏面に端子があって、端子に直接気体圧力を印加できないようなパッケージには実現できないという問題があった。 As described above, the super-high frequency band circuit element inspection jig described in Patent Document 1 is effective if the terminal of the object to be inspected has a QFP type shape, but it is effective on the back surface of the package like the QFN type or WLCSP. There is a problem in that there is a terminal, which cannot be realized in a package in which gas pressure cannot be directly applied to the terminal.
本発明は一般的なパッケージの端子形状に関係なく特性に影響を及ぼすリアクタンス成分、浮遊容量を削減し、測定精度をあげると共に、被検査物を圧着した時に生ずるストレスを低減させる検査用ソケット、およびその検査用ソケットを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention reduces the reactance component that affects the characteristics regardless of the terminal shape of a general package, the stray capacitance, increases the measurement accuracy, and reduces the stress generated when the object to be inspected is crimped. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the inspection socket.
上記の課題を解決し目的を達成するために本発明の提供する検査用ソケットは、被検査物を搭載する台座と、この上に設けられた基板と、前記台座に固定された外部接続用の同軸コネクタと、前記基板の表面上に設けられ、被検査物の電気的特性を得るための配線と、台座と基板に設けられた1つかそれ以上の貫通孔と、貫通孔から空気を吸い込む吸引装置とを備え、被検査物の基板側の面から貫通孔を通じて空気を吸い込んで被検査物と基板を圧着することにより、コンタクトを用いずに、基板上に形成された配線と被検査物の端子とを十分に接触させる。このため、特性に影響を及ぼすリアクタンス成分、浮遊容量を削減し、測定精度をあげることが可能となる。 In order to solve the above problems and achieve the object, an inspection socket provided by the present invention includes a pedestal on which an object to be inspected is mounted, a board provided thereon, and an external connection fixed to the pedestal. A coaxial connector, wiring provided on the surface of the substrate, for obtaining electrical characteristics of the object to be inspected, one or more through holes provided in the base and the substrate, and suction for sucking air from the through holes The apparatus is equipped with a device, and by sucking air from the surface of the object to be inspected through the through hole and crimping the object to be inspected and the substrate, the wiring formed on the substrate and the object to be inspected can be used without using a contact. Make sufficient contact with the terminals. For this reason, it is possible to reduce the reactance component and the stray capacitance that affect the characteristics and increase the measurement accuracy.
また、本発明によれば、貫通孔から空気を吸い込むことで被検査物を基板に圧着しているため、被検査物の基板上の位置にズレがあると貫通孔内の気圧が小さくならない。これにより、被検査物への力学的ストレスを低減できる。さらに、貫通孔内の圧力を検出することによって、被検査物が正しく接続されていないことを検出することができ、被検査物に検査用の電圧等のストレス印加をする前に、被検査物の再配置を行うことで被検査物に与える電気的ストレスを低減することが可能となる。 In addition, according to the present invention, since the object to be inspected is pressure-bonded to the substrate by sucking air from the through hole, the pressure in the through hole does not decrease if the position of the object to be inspected is displaced. Thereby, the mechanical stress to a to-be-inspected object can be reduced. Furthermore, by detecting the pressure in the through-hole, it can be detected that the object to be inspected is not correctly connected, and the object to be inspected can be detected before applying a voltage such as an inspection voltage to the object to be inspected. It is possible to reduce electrical stress applied to the object to be inspected by performing rearrangement.
またこの検査用ソケットを用いることで、本発明は、半導体装置の検査を行う検査工程を有する半導体装置の製造方法を提供することもできる。その検査工程は、被検査物である半導体装置を吸引装置により基板に吸着する手順と、その吸着の際、センサーにより貫通孔内の圧力を監視し、センサーの検出結果から、半導体装置の端子が前記配線と接触しているかどうかを判定する手順と、半導体装置の端子が配線と接触していると判定されたとき、半導体装置に電気印加して当該装置の電気的特性を判定する手順とを備える。 Further, by using this inspection socket, the present invention can also provide a method for manufacturing a semiconductor device having an inspection process for inspecting the semiconductor device. The inspection process consists of a procedure for adsorbing a semiconductor device, which is an object to be inspected, to a substrate by a suction device, and at the time of the adsorption, the pressure in the through-hole is monitored by a sensor. A procedure for determining whether or not the wiring is in contact with the wiring; and a procedure for determining the electrical characteristics of the device by applying electricity to the semiconductor device when it is determined that the terminal of the semiconductor device is in contact with the wiring. Prepare.
本発明は、上記構成を有しているので、実際に実装される状態とほぼ同じ状態で検査でき、コンタクトによる不要なリアクタンス成分や浮遊容量を考慮しなくてもよい高周波帯(特に300MHz〜3GHz)の検査が可能となる。 Since the present invention has the above-described configuration, it can be inspected in substantially the same state as actually mounted, and a high frequency band (especially 300 MHz to 3 GHz) that does not need to consider unnecessary reactance components and stray capacitance due to contacts. ) Inspection is possible.
さらに、本発明によれば、正常な位置に被検査物が配置されていないと貫通孔内の気圧は小さくならないので、被検査物への力的ストレスが低減され、端子部分の破損や外観をそこなうことも低減される。また、電気的特性の測定に必要な電圧や外部信号も被検査物に印加されないため、電気的あるいは熱によるストレスが無くなるので品質の向上が可能となる。 Furthermore, according to the present invention, unless the object to be inspected is arranged at a normal position, the air pressure in the through hole does not decrease, so that the mechanical stress on the object to be inspected is reduced, and the damage and appearance of the terminal portion are reduced. Missing is also reduced. Further, since no voltage or external signal necessary for measuring the electrical characteristics is applied to the object to be inspected, stress due to electrical or heat is eliminated, so that quality can be improved.
本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。この実施の形態では、300MHz〜3GHzで動作する高周波用半導体装置の製造方法における検査工程で用いる高周波帯用検査治具として本発明を具体化している。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In this embodiment, the present invention is embodied as a high-frequency band inspection jig used in an inspection process in a method for manufacturing a high-frequency semiconductor device operating at 300 MHz to 3 GHz.
図6、図7は本発明の一実施形態による高周波帯用検査治具を断面図、平面図で示している。この高周波帯用検査治具は、電気的特性を得るための端子12をもつ被検査物10を搭載する台座1と、この上に交換可能なようにして設けられた基板2と、前記台座1に固定された外部接続用の同軸コネクタ3と、前記基板2上に形成された、被検査物10の電気的特性を得るための配線4と、前記基板2上に被検査物を所定の位置に誘導するために勾配をもたせたハウジング7と、台座1と基板2に設けられた1つかそれ以上の貫通孔5と、貫通孔5から空気を吸い込む吸引装置6とを備えている。また補助的におさえ棒11が基板2の上方に設けられている。
6 and 7 show a high-frequency band inspection jig according to an embodiment of the present invention in a sectional view and a plan view. The high-frequency band inspection jig includes a pedestal 1 on which an object to be inspected 10 having
図6、7に示すように、被検査物10は、ハウジング7内側の矩形領域に配置される。この領域では、配線4の被検査物10側のリード端子と接触する部分が被検査物10の端子12と正確に対向するように設けられている。被検査物10は図1に示したように、大部分が樹脂からなる立方体の1面に電源電圧やGND端子などの複数の端子12を露出した構造になっており、中央部分の長方形部分はGND端子、その他の6つの端子が電源電圧端子、入出力端子となっている。配線4の接触部分は、このような被検査物10のリード端子の形状にあわせて配置されている。その配線4は同軸コネクタ3を介して外部と接続され、被検査物10のリード端子と配線4とが接触することで、被検査物10について電気的特性の判定がされる。
As shown in FIGS. 6 and 7, the
吸引装置6は筒状の構造を持っており、検査時に被検査物10を基板2に圧着できるように、基板2や台座1に設けられた貫通孔5を通じて図面下側に向かって空気を吸い込んでいる。この実施の形態において貫通孔5は、配線4の接触部分と被検査物10側のリード端子とが正しく対向しているとき、その被検査物10の中央に相当する位置にあって、被検査物10のGND端子と対向するよう配置されている。
The suction device 6 has a cylindrical structure, and sucks air toward the lower side of the drawing through the through
このような構成により、被検査物10と基板2を吸引装置6により吸着し圧着した時、端子12と基板2上の厚さの薄い配線4とが隙間なく直接接触するので、図3に示したように従来使用していたコンタクト8の自己インダクタンス成分、コンタクト8とコンタクト8間の寄生容量などが無くなり、実装状態にほぼ等しくなる。
With such a configuration, when the object to be inspected 10 and the
また従来では被検査物10はコンタクト8、14に圧着する際、おさえ棒11が上から定められた距離だけ下降することで実現しているため、被検査物10の厚みのばらつきや、被検査物とコンタクト8、14との位置関係にズレがある場合、上からの必要以上な力学的なストレスを受ける可能性があった。さらに、コンタクト8、14を介した被検査物10と基板2上の配線4のズレがあっても電気的特性の検査をスタートするので、使用状態と異なる電気印加状態となって、電気的なストレスが被検査物に加わる可能性も存在していた。
Conventionally, when the object to be inspected 10 is crimped to the
これに対し、本発明の実施の形態による構成によれば、被検査物10が正しい位置に存在した場合は吸引装置6によって被検査物10の基板2側の面から空気を吸い込んで圧着するので、被検査物10の厚みのばらつきにはほとんど関係しない。
On the other hand, according to the configuration according to the embodiment of the present invention, when the
また被検査物10が正しい位置に存在しない場合は貫通孔5が完全に封鎖されず吸引装置6が空気を吸い込んでも気圧が下がらない。このため、被検査物10の基板2上の位置にズレが生じても、被検査物10への力学的ストレスを低減できる。
Further, when the
さらに、本実施の形態における検査治具では被検査物が正しい位置に存在しているか検出するために、被検査物10が貫通孔5上方を封鎖した時に、貫通孔5内の圧力が正確な検査が可能となる所定の圧力以下になっているかを検出する手段としてバキュームセンサー15を備えている。気圧が下がらないと、被検査物10の端子12が配線4と適正に接触していないと判定され電気印加をしないため、被検査物10に電気的なストレスが加わるのを避けることができる。
Further, in the inspection jig according to the present embodiment, when the
本発明の実施の形態では被検査物をパッケージ裏面に端子があるQFNタイプにしているが、貫通孔部に端子が存在せずに、基板2と被検査物の裏面の密封性を保てるパッケージ(例えばQFPタイプ)なら何でも適用できる。また、貫通孔5の形状は円状にしているが、被検査物10の端子形状によってドーナッツ状、長方形など被検査物への荷重が最適なものであればどのような形状であってもよい。貫通孔5を2以上設けたときには、各貫通孔についてバキュームセンサーを設け、各センサーの検出結果に基づいて、被検査物10の端子12が配線4と適正に接触しているかどうかを判定することもできる。なお、その場合、検査が可能となる所定の圧力は、各貫通孔によって異ならせてもよい。
In the embodiment of the present invention, the object to be inspected is a QFN type having terminals on the back surface of the package. However, a package that can maintain the hermeticity of the back surface of the
上記のように構成された高周波帯用検査治具を使用した検査フローを図8に示す。まず被検査物10は樹脂の供給トレーに収納されており、おさえ棒11の先端部を被検査物10の表面に接触させ、おさえ棒11の先端部から空気を吸い込むことで吸着する。この後、おさえ棒が検査基板2上まで移動し、被検査物10をハウジング7まで降ろす。このハウジング7には図6、図7に示すように、配線4の被検査物10の端子12が接触する部分の方向に下降傾斜するようにテーパーが設けられているので、位置ズレを起こして下ろされたとしてもテーパーにより被検査物10はほぼその端子12と配線4とが接触する位置に誘導される。このテーパーによって大きな位置ズレを避けている。
FIG. 8 shows an inspection flow using the high-frequency band inspection jig configured as described above. First, the object to be inspected 10 is stored in a resin supply tray, and the tip of the
ここで、吸引装置を動作させ、基板2に圧着させる。この時バキュームセンサーにより、貫通孔内の気圧を監視し、被検査物10の端子が配線4と適正に接触しているかどうかを判定する。気圧が十分に下がっていれば、被検査物10の端子と配線4が接触していると判定し、検査スタートする。気圧が下がっていない場合は、被検査物10の端子と配線4が適正に接触していないと判定し、基板への吸引を解除してから、再度、被検査物10をおさえ棒で吸着し、置きなおす。このようにしてコンタクト判定がPASSであれば検査がスタートし、電気的特性が判定される。電気的特性の判定が行われると、基板への吸引が解除され、その電気的特性の判定結果にしたがって被検査物がPASS品とFAIL品に分類されてトレーに搬出される。
Here, the suction device is operated and pressed onto the
以上述べたように本実施の形態における高周波帯用検査治具によれば、従来使用されていたコンタクト8の自己インダクタンス成分、コンタクト8とコンタクト8間の寄生容量などが無くなり、実装状態にほぼ等しくなるので実使用状態と同様の状態で高周波用半導体装置の検査が正確に行うことができる。それに加えて本実施の形態における高周波帯用検査治具にはテーパーを形成したハウジングおよびバキュームセンサーが設置されているので、被検査物を正確に位置決めができ、端子部分の破損や外観をそこなうことも低減される。
As described above, according to the high-frequency band inspection jig of the present embodiment, the self-inductance component of the
本発明は高周波帯で動作する受動回路素子及び、能動回路素子等の検査、測定において有用である。 The present invention is useful in inspection and measurement of passive circuit elements and active circuit elements operating in a high frequency band.
1 台座
2 基板
3 同軸コネクタ
4 配線
5 貫通孔
6 吸引装置
7 ハウジング
8 コンタクト
9 コンタクト保持装置
10 被検査物
11 おさえ棒
12 端子
13 支柱
14 GND用コンタクト
15 バキュームセンサー
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (5)
前記基板の表面上に設けられ、前記被検査物の電気的特性を得るために、厚さが薄く前記被検査物側の端子と接触するように配置された配線と、
前記基板に設けられた1つ以上の貫通孔から空気を吸い込み前記被検査物を前記基板に真空吸着するための吸引装置と
を備えたことを特徴とする検査用ソケット。 A substrate on which the object to be inspected is mounted;
Wiring provided on the surface of the substrate and arranged to come into contact with a terminal on the inspection object side with a small thickness in order to obtain electrical characteristics of the inspection object;
An inspection socket comprising: a suction device for sucking air from one or more through holes provided in the substrate and vacuum-adsorbing the object to be inspected to the substrate.
前記検査工程が、
前記被検査物である半導体装置を前記吸引装置により前記基板に吸着する手順と、
前記吸着の際、前記センサーにより前記貫通孔内の圧力を監視し、前記センサーの検出結果から、前記半導体装置の端子が前記配線と接触しているかどうかを判定する手順と、
前記半導体装置の端子が前記配線と接触していると判定されたとき、前記半導体装置に電気印加して当該装置の電気的特性を判定する手順と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device comprising an inspection step of inspecting a semiconductor device using the inspection socket according to claim 4,
The inspection step is
A procedure for adsorbing the semiconductor device as the inspection object to the substrate by the suction device;
A procedure for monitoring the pressure in the through hole by the sensor at the time of the adsorption, and determining whether the terminal of the semiconductor device is in contact with the wiring from the detection result of the sensor;
And a step of determining the electrical characteristics of the device by applying electricity to the semiconductor device when it is determined that the terminal of the semiconductor device is in contact with the wiring. Method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR101371982B1 (en) | 2013-01-13 | 2014-03-11 | 주식회사 오킨스전자 | Test system using vacuum and fluid, and method thereof |
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