JP2012109404A - Light emitting device and lighting apparatus having light emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光素子を搭載した発光装置および発光装置を備える照明装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device including a light emitting element and a lighting device including the light emitting device.
従来より、スルーホール基板のスルーホールが金属で充填され、スルーホールの上に発光素子の裏側の電極の一方が接続され、スルーホール基板のスルーホールとは絶縁された導電性パターンに発光素子の裏側の電極の他方が接続された発光装置および発光装置を備える照明装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1に記載の発光装置および発光装置を備える照明装置は、スルーホールが金属で充填されているためにヒートシンクとしての役割を果たし、放熱性に優れたものとなるために、発光効率も高く保たれ、素子寿命も長くなる。
Conventionally, the through hole of the through hole substrate is filled with metal, one of the electrodes on the back side of the light emitting element is connected to the through hole, and the conductive pattern of the light emitting element is insulated from the through hole of the through hole substrate. A light emitting device to which the other electrode on the back side is connected and a lighting device including the light emitting device are known (see, for example, Patent Document 1).
The light-emitting device and the lighting device including the light-emitting device described in
また、従来より、発光装置の絶縁基板を放熱するために、基体の上面の発光素子を搭載するための搭載部の周囲の備えた反射膜が、銀と金との全率固溶の合金である発光装置および発光装置を備える照明装置が知られている(例えば、特許文献2参照)。
特許文献2に記載の発光装置および発光装置を備える照明装置は、硫化により反射特性が低下しないようにできる。
Conventionally, in order to dissipate heat from the insulating substrate of the light-emitting device, the reflective film provided around the mounting portion for mounting the light-emitting element on the upper surface of the substrate is an alloy that is a solid solution of silver and gold. A lighting device including a certain light emitting device and the light emitting device is known (for example, see Patent Document 2).
The light emitting device and the lighting device including the light emitting device described in
ところが、前述した特許文献1に記載された発光装置および発光装置を備える照明装置は、高放熱を実現する手段としてのスルーホールが、線膨張係数の差に基づいて基材との間に割れが発生したり、めっき処理が必要なビア形成によりコストが上昇したりする。
また、前述した特許文献2に記載された発光装置および発光装置を備える照明装置は、反射層として適用される金属材料が、反射率を上げるために表面粗さを小さくしなければならないのでコストが増加する。さらに、環境負荷に伴う変色により色ずれや光出力が低下する。
However, in the lighting device including the light emitting device and the light emitting device described in
In addition, the light emitting device and the lighting device including the light emitting device described in
本発明は、前述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、高放熱、高光出力、長寿命および低コスト化できる発光装置および発光装置を備える照明装置を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a light-emitting device that can achieve high heat dissipation, high light output, long life, and low cost, and a lighting device including the light-emitting device. .
本発明に係る発光装置は、発光素子と、絶縁性を有し前記発光素子を載置する基材と、前記発光素子を点灯させるための充電部である電気接続部材および電気配線部材と、前記発光素子から発せられた熱を広げるために、前記基材の表面の全体を覆うように配置される熱拡散部材と、前記発光素子から発せられた光を反射させるために前記電気接続部材および前記電気配線部材を接続する箇所を除き、前記熱拡散部材を含めて前記基材の表面の全体を覆うように配置される光反射部材と、前記発光素子を搭載する載置部材とで構成される。 A light-emitting device according to the present invention includes a light-emitting element, a base material having insulating properties on which the light-emitting element is mounted, an electrical connection member and an electrical wiring member that are charging units for lighting the light-emitting element, A heat diffusing member disposed so as to cover the entire surface of the base material in order to spread the heat generated from the light emitting element; and the electrical connection member and the light reflecting the light emitted from the light emitting element. Except for the place where the electrical wiring member is connected, the light reflecting member is disposed so as to cover the entire surface of the base material including the heat diffusing member, and the mounting member on which the light emitting element is mounted. .
本発明に係る発光装置は、前記熱拡散部材が、前記電気配線部材よりも広い領域を有する。 In the light emitting device according to the present invention, the heat diffusing member has a wider area than the electric wiring member.
本発明に係る発光装置は、前記熱拡散部材が、前記載置部材よりも広い領域を有する。 In the light emitting device according to the present invention, the heat diffusing member has a wider area than the mounting member.
本発明に係る発光装置は、前記電気配線部材と前記熱拡散部材とが、絶縁部材または空間で分離される。 In the light emitting device according to the present invention, the electric wiring member and the heat diffusion member are separated by an insulating member or a space.
本発明に係る発光装置は、前記熱拡散部材が、前記電気配線部材を兼ねる。 In the light emitting device according to the present invention, the heat diffusion member also serves as the electric wiring member.
本発明に係る発光装置は、前記発光素子が、反射材料上に載置される。 In the light emitting device according to the present invention, the light emitting element is placed on a reflective material.
本発明に係る発光装置は、前記発光素子が、前記熱拡散部材上に載置される。 In the light emitting device according to the present invention, the light emitting element is placed on the heat diffusing member.
本発明に係る発光装置は、前記載置部材が、前記熱拡散部材の露出部分を覆う。 In the light emitting device according to the present invention, the mounting member covers an exposed portion of the heat diffusing member.
本発明に係る発光装置は、前記載置部材が、透明または前記光反射部材以上の反射率を有する。 In the light emitting device according to the present invention, the mounting member is transparent or has a reflectance higher than that of the light reflecting member.
本発明に係る発光装置は、前記載置部材が、前記熱反射部材以上の反射率を有する。 In the light emitting device according to the present invention, the mounting member has a reflectance higher than that of the heat reflecting member.
本発明に係る発光装置は、前記電気接続部材と前記電気配線部材との接続部に高反射材が塗布される。 In the light emitting device according to the present invention, a highly reflective material is applied to a connection portion between the electrical connection member and the electrical wiring member.
本発明に係る発光装置は、前記基材が、セラミックスを素材とする。 In the light emitting device according to the present invention, the base material is made of ceramics.
本発明に係る発光装置は、前記熱拡散部材が、前記基材以上の高熱伝導率を有する金属材料を素材とする。 In the light emitting device according to the present invention, the heat diffusing member is made of a metal material having a higher thermal conductivity than the base material.
本発明に係る発光装置は、前記電気配線部材が、Cu,Al,W,Ni,Pd,PtおよびAgのうちの少なくとも1つの金属材料を素材とする。 In the light emitting device according to the present invention, the electrical wiring member is made of at least one metal material of Cu, Al, W, Ni, Pd, Pt, and Ag.
本発明に係る発光装置は、前記光反射部材が、セラミックス,硫酸バリウム,炭酸カルシウムおよび酸化亜鉛のうちの少なくとも1つを含有し、少なくとも前記基材、前記熱拡散部材および前記電気配線部材以上の反射率を有する。 In the light emitting device according to the present invention, the light reflecting member contains at least one of ceramics, barium sulfate, calcium carbonate, and zinc oxide, and at least the base material, the heat diffusion member, and the electric wiring member or more. Has reflectivity.
本発明に係る発光装置は、前記電気配線部材の長さが、0.1mm以上であって、2mm以下である。 In the light emitting device according to the present invention, the length of the electric wiring member is 0.1 mm or more and 2 mm or less.
本発明に係る発光装置は、前記光反射部材の厚みが、10μm以上である。 In the light emitting device according to the present invention, the light reflecting member has a thickness of 10 μm or more.
本発明に係る発光装置は、前記発光素子が、複数載置される。 In the light emitting device according to the present invention, a plurality of the light emitting elements are mounted.
本発明に係る発光装置は、前記発光素子が、LEDである。 In the light emitting device according to the present invention, the light emitting element is an LED.
本発明に係る照明装置は、発光装置を搭載した。 The lighting device according to the present invention is equipped with a light emitting device.
本発明に係る発光装置および発光装置を備える照明装置によれば、高放熱、高光出力、長寿命および低コスト化できるという効果を奏する。 According to the light emitting device and the lighting device including the light emitting device according to the present invention, there are effects that high heat dissipation, high light output, long life, and low cost can be achieved.
以下、本発明に係る複数の実施形態の発光装置および発光装置を備える照明装置について図面を参照して説明する。 Hereinafter, a light emitting device and a lighting device including the light emitting device according to a plurality of embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(第1実施形態)
図1に示すように、本発明に係る第1実施形態の照明装置1に装備される発光装置10は、発光素子11と、絶縁性を有し発光素子11を載置する基材12と、発光素子11を点灯させるための充電部であるアノード側およびカソード側の一対の電気接続部材13および電気配線部材14と、発光素子11から発せられた熱を広げるために、基材12の表面の全体を覆うように配置される熱拡散部材15と、発光素子11から発せられた光を反射させるために電気接続部材13および電気配線部材14を接続する箇所を除き、熱拡散部材15を含めて基材12の表面の全体を覆うように配置される光反射部材16と、発光素子11を搭載する載置部材17とで構成される。
(First embodiment)
As shown in FIG. 1, the light-emitting
発光素子11は、LEDであって、サファイア基板の上にバッファ層,n型半導体層,発光層,p型半導体層を順に積層して形成される。n型半導体層の表面にn型電極を形成し、p型半導体層の表面にp型電極を形成する。LEDは、p型電極とn型電極とを電源に接続して電流を流すことにより発光する。
従って、発光素子11がLEDであることにより、省エネ化でき、低コスト化できる。
なお、LEDの基板は、サファイアに限らず、GaN基板等の他の材料を用いてもよい。
The
Therefore, when the
The LED substrate is not limited to sapphire, and other materials such as a GaN substrate may be used.
発光素子11は、光反射部材16上に載置されている。
従って、発光素子11の直下における熱拡散部材15や基材12での光の吸収や透過を抑制して高光反射を実現できる。
The
Therefore, high light reflection can be realized by suppressing the absorption and transmission of light at the
基材12は、アルミナ,窒化アルミ等のセラミックスや、ガラスエポキシ,ポリイミド等のプラスチックスや、ガラスの成形品あるいはフィルム状に形成される。
従って、基材12がセラミックスを素材とすることにより、有機材料以上の高熱伝導性と絶縁性を有しているために、ヒートシンク等を介さずに器具に直接固定でき、器具全体として低コスト化できる。
The
Therefore, since the
電気接続部材13は、Auを主成分とするボンディングワイヤであり、長さ寸法L1(図2参照)が0.1mm以上であって2mm以下である。電気接続部材13は、長さ寸法が短すぎると、発光素子11同士の熱や光が干渉し、これに反して、長さ寸法が長すぎると、ボンディングワイヤとしての形状や強度に影響を及ぼす。
従って、電気接続部材13の長さ寸法が0.1mm以上であって2mm以下であることにより、発光素子11同士の光と熱の干渉を防ぎ、かつ、ボンディングワイヤとしての形状および強度を保つために、光出力を増加でき、長寿命化できる。
The
Therefore, when the length dimension of the electrical connecting
電気接続部材13と発光素子11とを封止するための不図示の封止材が適用される。封止材は、屈折率がLED基材よりも小さく、空気よりも大きい、シリコン樹脂やエポキシ樹脂等の透明材料を用いて成形される。封止材は、蛍光体を含有してもよく、外側に蛍光体を含有したキャップやシートを設置してもよい。
A sealing material (not shown) for sealing the electrical connecting
電気配線部材14は、Cu微粒子を含有したインクを焼成させるか、あるいはCu箔等により形成される。ただし、投入電流の関係により、例えば、投入電流が1Aであって、Cuの幅が1mmの場合、約35μm以上にするのが好ましい。
なお、電気配線部材14は、Cuに代えて、タングステン,ニッケル,ロジウム,パラジウム,白金,アルミニウム等で形成されてもよい。
従って、電気配線部材14が、高熱伝導材料であるCu,Al,W,Ni,Pd,Pt,Ag等の金属材料を素材とすることにより効率的に熱を下げて、発光素子直下の熱が下げられるために、光出力を増加できる。
The
The
Accordingly, the
ここで、電気接続部材13と電気配線部材14との接続部に、高反射材18が塗布される。
従って、電気接続部材13と電気配線部材14との接続部に、高反射材18が塗布されることにより、電気配線部材14による光吸収を抑制できる。
Here, the highly
Therefore, the light reflection by the
熱拡散部材15は、Cu微粒子を含有したインクを焼成させるか、あるいはCu箔等により形成される。
なお、熱拡散部材15は、Cuでなくとも、AgやAuあるいはAl等の高熱伝導材料を用いてもよい。
従って、熱拡散部材15が、高熱伝導材料であるCu,Al,Ag等の基材12以上の高熱伝導率を有する金属材料を素材とすることにより効率的に熱を下げて、発光素子11の直下の熱が下げられるために、光出力を増加できる。
The
The
Accordingly, the
熱拡散部材15は、電気配線部材14よりも広い領域を有する。
従って、熱拡散部材15が電気配線部材14よりも広い領域を有するために、熱拡散部材15での熱の広がりが抑制されて低熱抵抗化が図られ、熱を効果的に拡散できる。
The
Therefore, since the
熱拡散部材15は、載置部材17よりも広い領域を有する。
従って、熱拡散部材15が載置部材17よりも広い領域を有するために、発光素子11から載置部材17へ広がった熱が熱拡散部材15へ放熱されることにより、熱を効果的に拡散できる。
The
Therefore, since the
熱拡散部材15は、電気配線部材14との間が長さ寸法(図2参照)L2の絶縁部材または空間で分離される。
従って、熱拡散部材15と電気配線部材14とが絶縁部材または空間で分離されることにより、熱拡散部材15として導電性の高熱伝導材料を用いることができる。
The
Therefore, when the
光反射部材16は、絶縁性を有する白色材料を用いて成形されており、セラミックス,硫酸バリウム,炭酸カルシウム,酸化亜鉛等の無機フィラーを含有し、少なくとも基材12、熱拡散部材15および電気配線部材14以上の反射率を有するインク材料であり、印刷やスプレー等により膜を形成する。
従って、光反射部材16が、セラミックス,硫酸バリウム,炭酸カルシウム,酸化亜鉛等を含有し、少なくとも基材12、熱拡散部材15および電気配線部材14以上の反射率を有することにより、光吸収を抑制できる。
The
Accordingly, the
光反射部材16は、環境負荷により変色するような電気配線部材14や基材12であれば、白色材料の厚みは30μm以上形成されるのが好ましい。ただし、白色材料の性能の向上により電気配線部材14や基材12の影響を受けないのであれば、厚さ寸法T1が10μm程度まで薄くしてもよい。
従って、光反射部材16の厚みが、10μm以上であることにより、熱拡散部材15、電気配線部材14および基材12による光吸収の影響を抑制できる。
If the
Therefore, when the thickness of the
載置部材17は、シリコン樹脂製であって、透明であり、屈折率がLED基材よりも大きく、封止材と同等あるいは、それ以上である。ただし、透明でなくとも、光反射部材16に劣らない反射率を有していれば、白色等に着色されていてもよい。また、シリコン樹脂でなくとも、光や熱による変色等の劣化が抑制された材料であれば、エポキシ樹脂等であってもよい。
載置部材17は、発光素子11の搭載後の樹脂の厚みが、熱抵抗の観点から、薄ければ薄いほどよく、接着の観点も含め、1〜3μm程度に設定される。
従って、載置部材17が透明または光反射部材16以上の反射率を有することにより、載置部材17による光吸収が抑制されて効率的に光を反射できる。
The mounting
The mounting
Therefore, when the mounting
図2に示すように、熱拡散部材15は、少なくとも発光素子11を中心に、載置部材17の広がり以上に、長さ寸法A<長さ寸法C,長さ寸法B<長さ寸法Dの熱拡散領域19が形成される。
As shown in FIG. 2, the
このように、発光装置10は、発光素子11と、絶縁性を有し発光素子11を載置する基材12と、発光素子11を点灯させるための充電部である一対の電気接続部材13および電気配線部材14と、発光素子11から発せられた熱を広げるために、基材12の表面の全体を覆うように配置される熱拡散部材15と、発光素子11から発せられた光を反射させるために電気接続部材13および電気配線部材14を接続する箇所を除き、熱拡散部材15を含めて基材12の表面の全体を覆うように配置される光反射部材16と、発光素子11を搭載する載置部材17とで構成される。
従って、光反射部材16が、基材12の表面の全体を覆うことにより、発光素子11からの熱を基材12の全体に広げ、電気接続部材13および電気配線部材14を接続する箇所を除き、熱拡散部材15を含めて基材12の表面の全体を覆うことにより、熱拡散部材15および基材12での光吸収および光透過を抑制して低熱抵抗および高光反射を実現できる。また、使用環境の影響に伴う熱拡散部材15や基材12の変色による光出力および色度の性能の低下を抑制して高寿命化できる。
As described above, the light-emitting
Accordingly, the
以上、説明したように第1実施形態の発光装置10によれば、光反射部材16が、基材12の表面の全体を覆うことにより、発光素子11からの熱を基材12の全体に広げ、電気接続部材13および電気配線部材14を接続する箇所を除き、熱拡散部材15を含めて基材12の表面の全体を覆うことにより、熱拡散部材15および基材12での光吸収および光透過を抑制して低熱抵抗および高光反射を実現できる。また、第1実施形態の発光装置10によれば、使用環境の影響に伴う熱拡散部材15や基材12の変色による光出力および色度の性能の低下を抑制して高寿命化できる。
As described above, according to the
第1実施形態の発光装置10によれば、熱拡散部材15が電気配線部材14よりも広い領域を有するために、熱拡散部材15での熱の広がりが抑制されて低熱抵抗化が図られ、熱を効果的に拡散できる。
According to the
第1実施形態の発光装置10によれば、熱拡散部材15が載置部材17よりも広い領域を有するために、発光素子11から載置部材17へ広がった熱が熱拡散部材15へ放熱されることにより、熱を効果的に拡散できる。
According to the
第1実施形態の発光装置10によれば、熱拡散部材15と電気配線部材14とが絶縁部材または空間で分離されることにより、熱拡散部材15として導電性の高熱伝導材料を用いることができる。
According to the
第1実施形態の発光装置10によれば、発光素子11の直下における熱拡散部材15や基材12での光の吸収や透過を抑制して高光反射を実現できる。
According to the
第1実施形態の発光装置10によれば、載置部材17が透明または光反射部材16以上の反射率を有することにより、載置部材17による光吸収が抑制されて効率的に光を反射できる。
According to the
第1実施形態の発光装置10によれば、電気接続部材13と電気配線部材14との接続部に、高反射材18が塗布されることにより、電気配線部材14による光吸収を抑制できる。
According to the
第1実施形態の発光装置10によれば、基材12がセラミックスを素材とすることにより、有機材料以上の高熱伝導性と絶縁性を有しているために、ヒートシンク等を介さずに器具に直接固定でき、器具全体として低コスト化できる。
According to the
第1実施形態の発光装置10によれば、熱拡散部材15が、高熱伝導材料であるCu,Al,Ag等の基材12以上の高熱伝導率を有する金属材料を素材とすることにより効率的に熱を下げて、発光素子11の直下の熱が下げられるために、光出力を増加できる。
According to the
第1実施形態の発光装置10によれば、電気配線部材14が、高熱伝導材料であるCu,Al,W,Ni,Pd,Pt,Ag等の金属材料を素材とすることにより効率的に熱を下げて、発光素子直下の熱が下げられるために、光出力を増加できる。
According to the
第1実施形態の発光装置10によれば、光反射部材16が、セラミックス,硫酸バリウム,炭酸カルシウム,酸化亜鉛等を含有し、少なくとも基材12、熱拡散部材15および電気配線部材14以上の反射率を有することにより、光吸収を抑制できる。
According to the
第1実施形態の発光装置10によれば、電気接続部材13の長さ寸法が0.1mm以上であって2mm以下であることにより、発光素子11同士の光と熱の干渉を防ぎ、かつ、ボンディングワイヤとしての形状および強度を保つために、光出力を増加でき、長寿命化できる。
According to the
第1実施形態の発光装置10によれば、光反射部材の厚みが、10μm以上であることにより、熱拡散部材15、電気配線部材14および基材12による光吸収の影響を抑制できる。
According to the
第1実施形態の発光装置10によれば、発光素子11がLEDであることにより、省エネ化でき、低コスト化できる。
According to the
第1実施形態の照明装置1によれば、高放熱、高光出力、長寿命および低コスト化できる。
According to the illuminating
(第2実施形態)
次に、本発明に係る第2実施形態の発光装置および発光装置を備える照明装置について説明する。
なお、以下の各実施形態において、前述した第1実施形態と重複する構成要素や機能的に同様な構成要素については、図中に同一符号あるいは相当符号を付することによって説明を簡略化あるいは省略する。
(Second Embodiment)
Next, a light emitting device and a lighting device including the light emitting device according to the second embodiment of the present invention will be described.
In the following embodiments, components that are the same as those in the first embodiment described above or components that are functionally similar are denoted by the same or corresponding reference numerals in the drawings, and the description thereof is simplified or omitted. To do.
図3に示すように、本発明に係る第2実施形態の照明装置2に装備される発光装置30は、熱拡散部材31が、電気配線部材を兼ねる。
As shown in FIG. 3, in the
第2実施形態の発光装置30によれば、熱拡散部材31が電気配線部材を兼ねるために、電気配線部材を省略して簡素にできる。
According to the
(第3実施形態)
次に、本発明に係る第3実施形態の発光装置および発光装置を備える照明装置について説明する。
図4に示すように、本発明に係る第3実施形態の照明装置3に装備される発光装置40は、発光素子11が、熱拡散部材15上に載置される。
また、発光装置40は、載置部材17が、熱拡散部材15の露出部分を覆う。すなわち、載置部材17の領域E≧熱拡散部材15露出部である。
そして、発光装置40は、熱拡散部材15の反射率以上の反射率を有する白色シリコン樹脂により成形される。
(Third embodiment)
Next, a light emitting device and a lighting device including the light emitting device according to the third embodiment of the present invention will be described.
As shown in FIG. 4, in the
In the
The
第3実施形態の発光装置40によれば、発光素子11が熱拡散部材15上に直接載置されることにより、低熱抵抗化が図られて放熱を効果的にできる。
According to the
第3実施形態の発光装置40によれば、載置部材17が熱拡散部材15の露出部分を覆うことにより、熱拡散部材15による光吸収が抑制されて光を効率的に反射できる。
According to the
第3実施形態の発光装置40によれば、載置部材17が熱反射部材15以上の反射率を有することにより、載置部材17による光吸収が抑制されて効率的に光を反射できる。
According to the
(第4実施形態)
次に、本発明に係る第4実施形態の発光装置および発光装置を備える照明装置について説明する。
図5に示すように、本発明に係る第4実施形態の照明装置4に装備される発光装置50は、複数載置された発光素子51,52を備える。
(Fourth embodiment)
Next, a light emitting device and a lighting device including the light emitting device according to the fourth embodiment of the present invention will be described.
As shown in FIG. 5, the light-emitting
第4実施形態の発光装置50によれば、複数の発光素子51,52を載置した場合においても、高放熱、高光出力、長寿命および低コスト化できる。
According to the
なお、本発明の発光装置および発光装置を備える照明装置は、前述した各実施形態に限定されるものでなく、適宜な変形や改良等が可能である。 Note that the light-emitting device and the lighting device including the light-emitting device of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and appropriate modifications and improvements can be made.
1,2,3,4 照明装置
10,30,40,50 発光装置
11,51,52 発光素子
12 基材
13 電気接続部材
14 電気配線部材
15 熱拡散部材
16 光反射部材
17 載置部材
18 高反射材
1, 2, 3, 4
Claims (20)
絶縁性を有し前記発光素子を載置する基材と、
前記発光素子を点灯させるための充電部である電気接続部材および電気配線部材と、
前記発光素子から発せられた熱を広げるために、前記基材の表面の全体を覆うように配置される熱拡散部材と、
前記発光素子から発せられた光を反射させるために前記電気接続部材および前記電気配線部材を接続する箇所を除き、前記熱拡散部材を含めて前記基材の表面の全体を覆うように配置される光反射部材と、
前記発光素子を搭載する載置部材とで構成される発光装置。 A light emitting element;
A base material having insulating properties on which the light emitting element is placed;
An electrical connecting member and an electrical wiring member, which are charging parts for lighting the light emitting element;
In order to spread the heat generated from the light emitting element, a heat diffusing member arranged to cover the entire surface of the base material;
Arranged so as to cover the entire surface of the substrate including the heat diffusing member, except for the place where the electrical connecting member and the electrical wiring member are connected to reflect the light emitted from the light emitting element. A light reflecting member;
A light emitting device comprising a mounting member on which the light emitting element is mounted.
前記熱拡散部材が、前記電気配線部材よりも広い領域を有する発光装置。 The light-emitting device according to claim 1.
The light-emitting device in which the said heat-diffusion member has an area | region wider than the said electrical wiring member.
前記熱拡散部材が、前記載置部材よりも広い領域を有する発光装置。 The light-emitting device according to claim 1 or 2,
The light-emitting device in which the said heat-diffusion member has a larger area | region than the mounting member.
前記電気配線部材と前記熱拡散部材とが、絶縁部材または空間で分離される発光装置。 The light-emitting device according to any one of claims 1 to 3,
A light emitting device in which the electrical wiring member and the heat diffusion member are separated by an insulating member or a space.
前記熱拡散部材が、前記電気配線部材を兼ねる発光装置。 The light-emitting device according to any one of claims 1 to 4,
The light emitting device in which the heat diffusion member also serves as the electric wiring member.
前記発光素子が、反射材料上に載置される発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 5,
A light emitting device in which the light emitting element is placed on a reflective material.
前記発光素子が、前記熱拡散部材上に載置される発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 6,
A light emitting device in which the light emitting element is placed on the heat diffusing member.
前記載置部材が、前記熱拡散部材の露出部分を覆う発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 5 and claim 7,
The light-emitting device with which the mounting member covers the exposed part of the said thermal-diffusion member.
前記載置部材が、透明または前記光反射部材以上の反射率を有する発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 6,
The light emitting device, wherein the placing member is transparent or has a reflectance higher than that of the light reflecting member.
前記載置部材が、前記熱反射部材以上の反射率を有する発光装置。 In the light-emitting device according to any one of claims 1 to 5, claim 7, and claim 8,
The light-emitting device in which the mounting member has a reflectance higher than that of the heat reflecting member.
前記電気接続部材と前記電気配線部材との接続部に高反射材が塗布される発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 10,
A light emitting device in which a highly reflective material is applied to a connection portion between the electrical connection member and the electrical wiring member.
前記基材が、セラミックスを素材とする発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 11,
A light emitting device in which the base material is made of ceramics.
前記熱拡散部材が、前記基材以上の高熱伝導率を有する金属材料を素材とする発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 12,
A light emitting device in which the heat diffusion member is made of a metal material having a higher thermal conductivity than the base material.
前記電気配線部材が、Cu,Al,W,Ni,Pd,PtおよびAgのうちの少なくとも1つの金属材料を素材とする発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 13,
A light emitting device in which the electrical wiring member is made of at least one metal material of Cu, Al, W, Ni, Pd, Pt, and Ag.
前記光反射部材が、セラミックス,硫酸バリウム,炭酸カルシウムおよび酸化亜鉛のうちの少なくとも1つを含有し、少なくとも前記基材、前記熱拡散部材および前記電気配線部材以上の反射率を有する発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 14,
The light-emitting device, wherein the light reflecting member contains at least one of ceramics, barium sulfate, calcium carbonate, and zinc oxide, and has a reflectance higher than that of the base material, the heat diffusion member, and the electric wiring member.
前記電気配線部材の長さが、0.1mm以上であって、2mm以下である発光装置。 The light-emitting device according to any one of claims 1 to 15,
The length of the said electrical wiring member is 0.1 mm or more, and the light-emitting device which is 2 mm or less.
前記光反射部材の厚みが、10μm以上である発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 16,
The light-emitting device whose thickness of the said light reflection member is 10 micrometers or more.
前記発光素子が、複数載置される発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 17,
A light emitting device in which a plurality of the light emitting elements are mounted.
前記発光素子が、LEDである発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 18,
The light-emitting device whose said light emitting element is LED.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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---|---|
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JP (1) | JP5638922B2 (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015038971A (en) * | 2013-07-16 | 2015-02-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Board, light-emitting device, illumination light source, and luminaire |
US9373767B2 (en) | 2013-09-30 | 2016-06-21 | Nichia Corporation | Light emitting device with light reflecting member having protrusion over bonding ball of wire |
US9385288B2 (en) | 2013-06-26 | 2016-07-05 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP2016162971A (en) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Led module |
JP2017163053A (en) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | LED module |
JP2017163058A (en) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | LED module |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07288341A (en) * | 1994-04-18 | 1995-10-31 | Nichia Chem Ind Ltd | Led display |
JP2007513520A (en) * | 2003-12-02 | 2007-05-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Lighting assembly based on light emitting diode |
JP2008060428A (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Nichia Chem Ind Ltd | Light emitting device and its manufacturing method |
JP2008244285A (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Denka Agsp Kk | Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method therefor |
JP2008258296A (en) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Sony Corp | Light-emitting device and light source device |
JP2009111273A (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Light-emitting device |
JP2009164210A (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Hitachi Ltd | Mounting substrate, and led light source device with mounting substrate |
JP3156732U (en) * | 2009-10-29 | 2010-01-14 | 柏友照明科技股▲フン▼有限公司 | LED package structure that can be soldered by reflow and enhances heat dissipation |
WO2010061433A1 (en) * | 2008-11-25 | 2010-06-03 | 電気化学工業株式会社 | Method for manufacturing substrate for light emitting element package, and light emitting element package |
WO2010116703A1 (en) * | 2009-04-06 | 2010-10-14 | パナソニック株式会社 | Nitride semiconductor element and method for production thereof |
-
2010
- 2010-11-17 JP JP2010257171A patent/JP5638922B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07288341A (en) * | 1994-04-18 | 1995-10-31 | Nichia Chem Ind Ltd | Led display |
JP2007513520A (en) * | 2003-12-02 | 2007-05-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Lighting assembly based on light emitting diode |
JP2008060428A (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Nichia Chem Ind Ltd | Light emitting device and its manufacturing method |
JP2008244285A (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Denka Agsp Kk | Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method therefor |
JP2008258296A (en) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Sony Corp | Light-emitting device and light source device |
JP2009111273A (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Light-emitting device |
JP2009164210A (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Hitachi Ltd | Mounting substrate, and led light source device with mounting substrate |
WO2010061433A1 (en) * | 2008-11-25 | 2010-06-03 | 電気化学工業株式会社 | Method for manufacturing substrate for light emitting element package, and light emitting element package |
WO2010116703A1 (en) * | 2009-04-06 | 2010-10-14 | パナソニック株式会社 | Nitride semiconductor element and method for production thereof |
JP3156732U (en) * | 2009-10-29 | 2010-01-14 | 柏友照明科技股▲フン▼有限公司 | LED package structure that can be soldered by reflow and enhances heat dissipation |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9385288B2 (en) | 2013-06-26 | 2016-07-05 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP2015038971A (en) * | 2013-07-16 | 2015-02-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Board, light-emitting device, illumination light source, and luminaire |
US9373767B2 (en) | 2013-09-30 | 2016-06-21 | Nichia Corporation | Light emitting device with light reflecting member having protrusion over bonding ball of wire |
JP2016162971A (en) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Led module |
JP2017163053A (en) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | LED module |
JP2017163058A (en) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | LED module |
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Publication number | Publication date |
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A621 | Written request for application examination |
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|
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