JP2012104310A - 帯電防止部材および入力装置 - Google Patents

Abstract

【課題】静電気障害防止および帯電に伴う汚れ防止などに好適な帯電防止部材およびこの帯電防止部材を適用した入力装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板２８と、絶縁基板２８上に配置された島状の導電層１３０と、絶縁基板２８上に、導電層１３０の間に配置された中間絶縁層１２０とを備える帯電防止部材およびこの帯電防止部材を適用した入力装置。
【選択図】図１

Description

本発明は、帯電防止部材および入力装置に関し、特に、タッチパネルや各種コントロールスイッチなどの電磁波シールドおよび静電気障害防止に適用可能な帯電防止部材および入力装置に関する。

静電容量方式の入力装置は、機械的な接触部分が無く耐久性に優れるため、タッチパネルや、自動車ハンドル上に設けられたコントロールスイッチなどに広く使用されている。

液晶表示素子の表面に設けられたタッチパネルを有する端末として、例えば、液晶表示素子の表示エリア内に数字キーを表示し、タッチパネルで各数字キーの範囲に対応する入力領域に指が触れた場合、当該キーが押圧されたと判断する表示―入力システムは、広く携帯端末、固定端末などにおいて採用されている。

これらのタッチパネル用の入力装置としては、静電容量方式の入力装置が、可動部や電気的接点が存在しないため、また耐久性・信頼性が高いため、広く使用されている。

特開２００９‐３０１８３０号公報 特開２０１０‐１０６１２号公報

従来の静電容量方式の入力装置は、図１０（ａ）に示すように、絶縁基材１０ａと、絶縁基材１０ａ上に配置された電極１２ａと、電極１２ａ上に配置された誘電層１４ａとを備える。静電容量方式の入力装置は、図１０（ａ）に示すように、絶縁基材１０ａ上に設けられた電極１２ａと、指１５ａなどの人体が誘電層１４ａを介して容量結合することで動作する。

一方、図１０（ｂ）に示すように、液晶基板２０ａ上に配置された第１電極２２ａと、第１電極２２ａ上に配置された絶縁基材２４ａと、絶縁基材２４ａ上に配置された第２電極２６ａと、第２電極２６ａ上に配置された誘電層２８ａと、誘電層２８ａ上に配置された導電フィルム３０ａとを備えると、指１５ａは、導電フィルム３０ａを介して広く電極２６ａと容量結合を生じてしまい、入力装置は、正常に動作しなくなってしまう。このため、静電気によるシステムの故障・誤動作などの静電気障害から電子機器を保護するために、広く採用されている導電フィルムによる被覆は、静電容量方式の入力装置では、適用が困難であった。

また、静電気による汚れの吸着を防止するために使用される半導電塗料の塗布も、入力操作性および帯電防止特性を両立させるためには、適用が困難であった。特に、π共役系導電性ポリマーなどの電子伝導系の塗料では、その表面抵抗を精密に制御する必要があり、適用が著しく困難であった。

本発明の目的は、静電気障害防止および帯電に伴う汚れ防止などに好適な帯電防止部材および当該帯電防止部材を適用した入力装置を提供することにある。

上記目的を達成するための本発明の一態様によれば、絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された島状の導電層と、前記絶縁基板上に、前記導電層の間に配置された中間絶縁層とを備える帯電防止部材が提供される。

本発明の他の態様によれば、表示エリア内に入力領域を表示する表示部と、前記表示部上に配置された静電容量方式のタッチパネルと、前記静電容量方式のタッチパネルの入力面側に配置された帯電防止部材とを備え、前記帯電防止部材は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された島状の導電層と、前記絶縁基板上に、前記導電層の間に配置された中間絶縁層とを備える入力装置が提供される。

本発明の他の態様によれば、基板と、前記基板上に配置されたタッチパネルと、前記タッチパネル上に配置された絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された島状の導電層と、絶縁基板上に、前記導電層の間に配置された中間絶縁層と、前記導電層および前記中間絶縁層上に配置された絶縁層とを備える入力装置が提供される。

本発明の他の態様によれば、基板と、基板上に配置された絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された島状の導電層と、絶縁基板上に、前記導電層の間に配置された中間絶縁層と、前記導電層および前記中間絶縁層上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置されたタッチパネルとを備える入力装置が提供される。

本発明によれば、静電気障害防止および帯電に伴う汚れ防止などに好適な帯電防止部材および当該帯電防止部材を適用した入力装置を提供することができる。

本発明の実施の形態に係る入力装置の模式的断面構造図。 本発明の実施の形態の変形例に係る入力装置の模式的断面構造図。 （ａ）本発明の実施の形態に係る入力装置に適用可能な帯電防止層の模式的平面パターン構成図、（ｂ）図３（ａ）のＡ部分の拡大図。 （ａ）本発明の実施の形態に係る入力装置に適用可能な帯電防止層の別の模式的平面パターン構成図、（ｂ）図４（ａ）のＢ部分の拡大図。 本発明の実施の形態に係る入力装置であって、液晶表示素子の表面に設けられたタッチパネルを有する携帯端末の例。 本発明の実施の形態に係る帯電防止部材において、レーザ照射により中間絶縁層を形成する方法を説明する構成例。 （ａ）本発明の実施の形態に係る帯電防止部材の形成方法において、レーザ照射により中間絶縁層を形成する方法を説明する模式的平面パターン構成例、（ｂ）図７（ａ）のレーザ軌跡の模式的平面パターン拡大図。 本発明の実施の形態に係る帯電防止部材の形成方法において、熱プロセスにより中間絶縁層を形成する方法を説明する模式的断面構造図。 （ａ）比較例に係る帯電防止部材の帯電防止性能を説明する特性例、（ｂ）本発明の実施の形態に係る帯電防止部材の帯電防止性能を説明する特性例、（ｃ）本発明の実施の形態に係る帯電防止部材の帯電防止性能を説明するための模式的断面構造図。 （ａ）従来の入力装置の模式的断面構造図、（ｂ）別の従来の入力装置の模式的断面構造図。

次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。

又、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。

本発明の実施の形態に係る入力装置の模式的断面構造は、図１に示すように表される。また、本発明の実施の形態の変形例に係る入力装置の模式的断面構造は、図２に示すように表される。

実施の形態に係る入力装置１は、図１に示すように、液晶基板２０と、液晶基板２０上に粘着層２２を介して配置されたタッチパネル２４と、タッチパネル２４上に粘着層２６を介して配置された絶縁基板２８と、絶縁基板２８上に配置された島状の導電層１３０と、絶縁基板２８上に、導電層１３０の間に配置された中間絶縁層１２０と、導電層１３０および中間絶縁層１２０上に配置された絶縁層３２とを備える。ここで、例えば、導電層１３０の幅はＤ１で表され、中間絶縁層１２０の幅はＤ０で表されている。

実施の形態に係る入力装置１においては、図１に示すように、液晶基板２０上に粘着層２２を介してタッチパネル２４が配置され、このタッチパネル２４上に粘着層２６を介して帯電防止部材２が配置されている。

実施の形態に係る入力装置１は、指１５０を絶縁層３２の表面上に接触して、指１５０とタッチパネル２４との間の静電容量変化を検出する静電容量方式のタッチパネルを適用されている。静電容量変化は、タッチパネル２４の周囲に配置された回路系によって、検出され、信号処理される。

実施の形態の変形例に係る入力装置１は、図２に示すように、有機ＥＬ基板３０と、有機ＥＬ基板３０上に粘着層２２を介して配置された絶縁基板２８と、絶縁基板２８上に直接配置された島状の導電層１３０と、絶縁基板２８上に、導電層１３０の間に配置された中間絶縁層１２０と、導電層１３０および中間絶縁層１２０上に配置された絶縁層３２と、絶縁層３２上に粘着層２６を介して配置されたタッチパネル２４とを備える。同様に、例えば、導電層１３０の幅はＤ１で表され、中間絶縁層１２０の幅はＤ０で表されている。

実施の形態の変形例に係る入力装置１においては、図２に示すように、有機ＥＬ基板３０上に粘着層２２を介して帯電防止部材２が配置され、帯電防止部材２上に粘着層２６を介してタッチパネル２４が配置されている。

実施の形態の変形例に係る入力装置１は、指１５０をタッチパネル２４の表面上に接触して、指１５０とタッチパネル２４との間の静電容量変化を検出する静電容量方式のタッチパネルを適用されている。静電容量変化は、タッチパネル２４の周囲に配置された回路系によって、検出され、信号処理される。

ここで、タッチパネル２４には、静電容量方式のタッチパネルを適用することができる。静電容量方式のタッチパネル２４としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式のいずれも適用可能である。また、表面型静電容量方式のタッチパネルの構造としては、表面キャパシタ型、インナーキャパシタ型のいずれも適用可能である。また、投影型静電容量方式のタッチパネルの構造としては、ＩＴＯグリッド型、ワイヤセンサ型のいずれも適用可能である。図１および図２においては、タッチパネル２４の詳細構造は省略している。

また、実施の形態に係る入力装置１においては、図１に示すように、液晶基板２０を用いたが、図２と同様に、有機ＥＬ基板３０を用いても良い。

同様に、実施の形態の変形例に係る入力装置１においては、図２に示すように、有機ＥＬ基板３０を用いたが、図１と同様に、液晶基板２０を用いても良い。

図１および図２において、３１０、３１１、３１２、３１３、３１４は、表示エリアを模式的に示している。

（帯電防止部材）
本発明の実施の形態に係る入力装置１に適用される帯電防止部材２は、図１若しくは図２中に示されるように、絶縁基板２８と、絶縁基板２８上に配置された島状の導電層１３０と、絶縁基板２８上に、導電層１３０の間に配置された中間絶縁層１２０とを備える。

中間絶縁層１２０は、格子状に形成されていても良い。

また、中間絶縁層１２０は、導電層１３０に対する熱プロセスを経て形成されていても良い。

また、この熱プロセスは、レーザ光の照射により行われていても良い。

また、この熱プロセスは、通電発熱により行われていても良い。

また、導電層１３０と中間絶縁層１２０は、透明であることが望ましい。

また、絶縁基板２８は、透明であることが望ましい。

また、絶縁基板２８は、例えば、ポリエステルで形成されていても良い。

（平面パターン構成）
導電層１３０の島状領域を囲む中間絶縁層１２０のパターンの形状は、特に限定されるものではないが、例えば、表面型の静電容量方式の入力装置１に、実施の形態に係る帯電防止部材を適用する場合、設計、挙動の予測などから、Ｘ−Ｙ方向に中間絶縁層１２０のパターンが直交する格子状、２次元平面を最小の長さの正六角形が例示される。この他、三角形やランダムな海島構造などを適用しても良い。

実施の形態に係る入力装置１に適用可能な帯電防止部材２の模式的平面パターン構成の一例は、図３（ａ）に示すように表され、図３（ａ）のＡ部分の拡大図は、図３（ｂ）に示すように表される。図３においては、中間絶縁層１２０のパターンが２次元平面を最小の長さの正六角形が例示されている。

実施の形態に係る入力装置１に適用可能な帯電防止部材２の模式的平面パターン構成の別の例は、図４（ａ）に示すように表され、図４（ａ）のＢ部分の拡大図は、図４（ｂ）に示すように表される。図４においては、中間絶縁層１２０のパターンがＸ−Ｙ方向に直交する格子状に例が示されている。

図３および図４のいずれにおいても、帯電防止層１４０の周辺部は、外部導電層１６０を形成している。中間絶縁層１２０によって囲まれている島状の導電層１３０は、外部導電層１６０とは絶縁されている。図３（ｂ）および図４（ｂ）に示すように、導電層１３０の幅はＤ１で表され、中間絶縁層１２０の幅はＤ０で表されている。

（携帯端末の例）
実施の形態に係る入力装置１であって、液晶表示素子（液晶基板２０）の表面に設けられたタッチパネル２４を有する携帯端末の例は、図５に示すように表される。図５の詳細断面構造は、図１に示した通りである。図１において、３１０、３１１、３１２、３１３、３１４は、表示エリアを模式的に示している。

すなわち、実施の形態に係る入力装置１は、表示エリア３１０、３１１、３１２、３１３、３１４…内に入力領域（４１・４２・４３…）或いは入力表示領域４０を表示する表示部（２０）と、表示部（２０）上に配置された静電容量方式のタッチパネル２４と、静電容量方式のタッチパネル２４の入力面側に配置された帯電防止部材２とを備え、帯電防止部材２は、絶縁基板２８と、絶縁基板２８上に配置された島状の導電層１３０と、絶縁基板２８上に、導電層１３０の間に配置された中間絶縁層１２０とを備える。

図５においては、液晶表示素子（液晶基板２０）の表面に設けられたタッチパネル２４を有する端末として、例えば、液晶表示素子の表示エリア３１０、３１１、３１２、３１３、３１４…内に数字キー４１・４２・４３…を表示し、タッチパネル２４で各数字キー４１・４２・４３…の範囲に対応する入力領域（４１・４２・４３…）に指が触れた場合、当該数字キー４１・４２・４３…が押圧されたと判断するの携帯端末の例が示されている。

島状の導電層１３０の形状は、静電容量方式のタッチパネル２４が使用されるシステムで要求されるタッチパネル２４の分解能よりも細かくすることが望ましい。

すなわち、タッチパネル２４を液晶などの表示装置の上部に搭載し、液晶素子上にキーボードを表示して、これに対応する入力を行う場合、島状の導電層１３０の配列の大きさは、表示されるキーボードと同じピッチか、好ましくはキーボードのピッチの１／２以下にすることが好ましい。ここで、図５に示すように、表示される入力領域（キーボード）の幅はＷ１で示され、分離領域の幅はＷ０で示されている。また、図１に示すように、島状の導電層１３０の幅はＤ１で表され、中間絶縁層１２０の幅は、Ｄ０で表されることから、Ｗ１＋Ｗ０＞＝Ｄ１＋Ｄ０若しくは、（Ｗ１＋Ｗ０）／２＞＝Ｄ１＋Ｄ０にすることが好ましい。

（製造方法）
実施の形態に係る帯電防止部材２の製造方法は、以下の通りである。

絶縁基板２８上に導電層１３０を形成した導電性基板を用意し、この導電層１３０を除去若しくは変質させることで、絶縁化した中間絶縁層１２０を形成する。

絶縁基板２８としては、各種セラミック、ガラス、ガラスエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などが適用可能である。特に、実施の形態に係る帯電防止部材２を透明タッチパネルに適用する場合には、透明性に優れた、ガラス或いはポリエチレンテレフタレートフィルムを用いると良い。

導電層１３０としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）或いはニッケル（Ｎｉ）などに代表される金属を用いることができる。或いは、ＩＴＯなどに代表される金属酸化物系の導電性材料の蒸着膜を用いることもできる。また、チオフェン／アニリン／ピロールなどのπ共役高分子系の導電性材料の重合体を用いることができる。これらの重合体は、塗布、印刷その他の方法で形成することができる。

実施の形態に係る帯電防止部材２を透明タッチパネルに適用する場合には、絶縁基板２８上に導電層１３０を形成した導電性基板そのものを透明なものとする必要がある。ここで、「透明」とは、全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３６１−１）５０％以上であると定義される。

（製造例１）
―銀蒸着導電フィルム（導電基板）の作製―
厚さ約１８８μｍの透明なポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡績製Ａ４３００、全光線透過率約９３．５％、ヘイズ度約０．６８％）の片面にシリコーンアクリルのハードコート層を形成したものを用意し、このハードコート層とは反対の面に、マグネトロンスパッタ装置により、厚さ約６０ｎｍの酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜を形成した。

次に、このＺｎＯ膜の表面に、マグネトロンスパッタ装置を用いて、厚さ約２７ｎｍの銀膜を形成した。

さらに、この銀膜の表面に、上記のＺｎＯ膜と同様にして、厚さ約６０ｎｍのＺｎＯ膜を形成した。

この結果、この銀蒸着導電フィルムの透明導電層の表面抵抗は、９５Ω／□、全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３６１−１）は、約８５％であった。

（製造例２）
―ポリスチレンスルホン酸ドープポリ（３,４−エチレンジオキシチオフェン）水溶液の調整―
１４．２ｇの３,４−エチレンジオキシチオフェンと、３６．７ｇの製造例１で得られたポリエチレンスルホン酸を２０００ｍｌのイオン交換水に溶かした溶液とを２０℃で混合した。

これにより得られた混合溶液を２０℃に保ち、掻き混ぜながら、２００ｍｌのイオン交換水に溶かした２９．６４ｇの過硫酸アンモニウムと８．０ｇの硫酸第二鉄の酸化触媒溶液とをゆっくり添加し、３時間攪拌して反応させた。

得られた反応液に２０００ｍｌのイオン交換水を添加し、限外ろ過法を用いて、約２０００ｍｌの液を除去した。この操作を３回繰り返した。

さらに、得られた処理液に、２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて、約２０００ｍｌの液を除去した。この操作を５回繰り返し、約１．２質量％の青色のポリスチレンスルホン酸ドープポリ（３,４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）水溶液を得た。

次に、銀コロイド粒子（ナノサイズ社製、ＡＧ３２１、エチレングリコール溶剤、濃度５０質量％）６．０ｇ、ガーリック酸１．８ｇ、４,４’−（３−エチルオキセタン−３−イルメチルオキシメチル）ビフェニル（宇部興産社製、ＯＸＢＰ）４．２ｇ（π共役系導電性高分子とポリアニオンの合計１００質量％に対して、４,４’−（３−エチルオキセタン−３−イルメチルオキシメチル）ビフェニル６３．９質量％）、２−ヒドロキシエチルアクリルアミド２０ｇ、サンエイドＳＩ−１１０Ｌ（三新化学社製）０．０９２ｇ、エタノール８００ｇを混合し、攪拌した。これにより得た混合溶液に、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水溶液６００ｇを添加し、ホモジナイザ分散処理して、導電性高分子溶液Ａを得た。

導電性高分子溶液Ａを、ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡績製Ａ４３００、厚さ約１８８μｍ、全光線透過率約９３．５％、ヘイズ度約０．６８％）に、バーコーターにより塗布し、１２０℃、２分間、熱風により乾燥して、導電性塗布膜を得た。

―中間絶縁層のパターン形成―
実施の形態に係る帯電防止部材２において、島状の導電層１３０は、スクリーン印刷その他の方法で形成しても良い。

実施の形態に係る帯電防止部材２を透明タッチパネルに適用する場合には、透明性が要求されるため、絶縁基板２８上の導電層１３０の一部を除去または変質させることで、中間絶縁層１２０で囲まれる島状の導電層１３０を形成する。

導電層１３０の一部の除去方法としては、サンドブラストやエッチングを適用可能である。また、導電層１３０の一部の変質方法としては、レーザ光の照射法（図６）もしくは、先端の尖ったプローブ針６２０（図８）による通電などの熱プロセスを伴う手法を適用可能である。

実施の形態に係る帯電防止部材２において、レーザ照射法により中間絶縁層１２０を形成する方法を説明する構成例は、図６に示すように、レーザ発生装置５１０と、レーザ発生装置５１０から発生されたレーザ光線５２０を反射するガルバノミラー５４０と、ガルバノミラー５４０によって反射されたレーザ光線を集光する凸レンズ５３０とを備える。

凸レンズ５３０によって焦点５０１に集光されたレーザ光線を、図６に示すように、実施の形態に係る帯電防止部材２の表面上の集光エリア５０１ａにおいて照射する。

（実施例１）
キーエンス社のレーザ加工機ＭＤＶ―９９２０ＹＶ０４（１０６４ｎｍのパルス状レーザ、ガルバノミラー、焦点距離３００ｍｍ）を用い、製造例１の導電性フィルムに１５０×１５０ｍｍのエリアに幅０．１ｍｍ、間隔１ｍｍの格子状絶縁パターンで囲まれた導電層１３０のパターンを形成した。

このときの照射条件は、繰り返し周波数７０ｋＨｚ、走査速度６０００ｍｍ／ｓ、出力５０％であった。

（実施例２）
実施の形態に係る帯電防止部材２の形成方法において、先端の尖ったプローブ針６２０（図８）による通電などの熱プロセスを伴う手法により中間絶縁層１２０を形成する方法を説明する模式的平面パターン構成例は、図７（ａ）に示すように表され、図７（ａ）のレーザ軌跡の模式的平面パターンの拡大図は、図７（ｂ）に示すように表される。

また、実施の形態に係る帯電防止部材２の形成方法において、先端の尖ったプローブ針６２０（図８）による通電などの熱プロセスにより中間絶縁層１２０を形成する方法を説明する模式的断面構造は、図８に示すように表される。

製造例２によって作製されたＡ４版大の導電性フィルムの端に、幅５ｍｍの電極６００をＡｇペーストで形成し、この電極６００を接地した。

次に、先端の尖ったプローブ針６２０に電圧３００Ｖの電源を接続し、筆圧３０ｇｆで描画を行い、格子状の絶縁パターンＳ１〜Ｓ１５を形成した。このとき、絶縁パターンＳ１〜Ｓ１５の描画は、電極６００と直交する方向のパターンを先に中央から絶縁パターンＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１０の順に描画し、次に、電極６００と平行なパターンを電極６００から遠い順に、絶縁パターンＳ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１５の順に描画した。

絶縁パターンＳ１〜Ｓ１５を形成後、紫外線硬化アクリル樹脂塗料を８０×１５０ｍｍの範囲に塗布することで、中間絶縁層１２０を見えなくする。

（帯電防止性能）
特に、静電気障害の原因となる１０００Ｖ以上の電荷が迅速に減衰するのに対して、静電容量方式の入力装置の動作領域である１００Ｖ以下では、表面抵抗が実質的に絶縁状態になるために、レーザ光線の照射若しくは、先端の尖ったプローブ針６２０による通電等の熱プロセスを使用した絶縁パターン形成が静電容量方式の入力装置用の帯電防止部材２の形成方法として好適である。

帯電防止部材の帯電防止性能を説明するための模式的断面構造は、図９（ｃ）に示すように表される。帯電防止部材の帯電防止性能は、電圧ＶＨの高電圧と接地電圧を、絶縁基板２８上に配置された帯電防止層１４０の両端に印加した際の過渡応答によって求めることができる。

中間絶縁層１２０を備えない比較例に係る帯電防止層１４０の帯電防止性能を説明する特性例は、図９（ａ）に示すように表される。帯電防止層１４０が中間絶縁層１２０を備えないことから、帯電防止層１４０は、導電層１３０のみで形成されている。この場合、帯電防止層１４０の帯電防止性能は、電圧ＶＨの高電圧状態から急激に減衰するが、時刻ｔ１で電圧Ｖ１に減衰後は、時刻ｔ２以降まで、略一定値Ｖ１の値を維持する。例えば、ＶＨの値は５０００Ｖに対して、電圧Ｖ１の値は、例えば、１００Ｖ程度である。これは、特に、静電気障害の原因となる１０００Ｖ以上の電荷が迅速に減衰するのに対して、静電容量方式の入力装置の動作領域である１００Ｖ以下では、導電層１３０の表面抵抗が実質的に絶縁状態となり、インピーダンスは、キャパシタ状態となるためである。

これに対して、実施の形態に係る帯電防止部材２の帯電防止性能を説明する特性例は、図９（ｂ）に示すように、時刻ｔＬにおいて、Ｖ１よりも極めて低い値ＶＬまで、減衰する。ここで、ＶＬの値は、例えば、タッチパネルの動作電圧である５Ｖ〜１０Ｖ以下である。これは、中間絶縁層１２０によって囲まれた導電層１３０からなる帯電防止層１４０が、ＶＨの値５０００Ｖから迅速に減衰し、かつ、静電容量方式の入力装置の動作領域である１００Ｖ以下では、導電層１３０間の中間絶縁層１２０間で、電荷が急激に移動するからである。

実施例１によって形成された帯電防止部材２を、表面型静電容量方式のタッチパネル２４に搭載し操作を行った。その結果、図１に示すように、銀蒸着面を操作面（指１５０で接触する面）側に配置した構造、図２に示すように、銀蒸着面をタッチパネル２４面側に配置した構造のいずれの場合にも、配列ピッチＷ１＋Ｗ０＝５ｍｍのテンキー入力が問題なく操作可能であった。また、配列ピッチＷ１＋Ｗ０＝１０ｍｍのメニュー選択が問題なく操作可能であった。

同様に、図４（ａ）に示される格子状絶縁パターンのピッチ（Ｄ１＋Ｄ０）を、５ｍｍとした所、帯電防止性能として１０％までの減衰時間は、０．０７秒であった。この帯電防止部材２を配列ピッチＷ１＋Ｗ０＝５ｍｍのテンキー入力で入力操作を実施した所、入力にやや不安定な面は見られたが、略通常の入力操作が可能であった。

実施例２によって形成された帯電防止部材２の帯電防止性能を測定した所、１０％までの減衰時間は、０．１８秒であった。

実施例２によって形成された帯電防止部材２を、表面型静電容量方式のタッチパネル２４に搭載し操作を行った。その結果、配列ピッチＷ１＋Ｗ０＝５ｍｍのテンキー入力は、正常に操作できなかったが、配列ピッチＷ１＋Ｗ０＝１０ｍｍのメニュー入力は、入力操作が可能であった。

（比較例）
厚さ１８８μｍのＰＥＴフィルムの帯電防止性能を測定した所、３０秒経過しても１０％まで減衰しなかった。また、このフィルムを携帯端末上に載置し操作したところ、入力操作が不安定であった。

また、製造例１．２のフィルムに絶縁処理を行わない（中間絶縁層１２０を形成しない）で、帯電防止層１４０を形成し、この帯電防止層１４０を携帯端末上に載置し、入力操作を実行したところ、入力操作は全く実施できなかった。

本発明によれば、静電気障害防止および帯電に伴う汚れ防止などに好適な帯電防止部材および当該帯電防止部材を適用した入力装置を提供することができる。

上記のように、本発明は実施の形態およびその変形例によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。

本発明の帯電防止部材および当該帯電防止部材を適用した入力装置は、タッチパネルや各種コントロールスイッチなどの電磁波シールドおよび静電気障害防止に有効であることから、透明エレクトロニクス分野、照明分野、ハイブリッド／電気自動車分野など幅広い分野において適用可能である。

１…入力装置
２…帯電防止部材
２０…液晶基板
２２、２６…粘着層
２４…タッチパネル
２８…絶縁基板
３０…有機ＥＬ基板
３２…絶縁層
４０…入力表示領域
４１、４２、４３…入力領域（数字キー）
１２０…中間絶縁層
１３０…導電層
１４０…帯電防止層
１５０…指
１６０…外部導電層
３１０、３１１、３１２、３１３、３１４…表示エリア
５０１…焦点
５０１ａ…集光エリア
５１０…レーザ発生装置
５２０…レーザ光線
５３０…凸レンズ
５４０…ガルバノミラー
６００…電極
６２０…プローブ針
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１０、Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１５…絶縁パターン
Ｄ１…導電層の幅
Ｄ０…絶縁層の幅
Ｗ１…入力領域の幅
Ｗ０…分離領域の幅

Claims (20)

1. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板上に配置された島状の導電層と、
   前記絶縁基板上に、前記導電層の間に配置された中間絶縁層と
   を備えることを特徴とする帯電防止部材。
2. 前記中間絶縁層は、格子状に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の帯電防止部材。
3. 前記中間絶縁層は、前記導電層に対する熱プロセスを経て形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の帯電防止部材。
4. 前記熱プロセスは、レーザ光の照射により行われたことを特徴とする請求項３に記載の帯電防止部材。
5. 前記熱プロセスは、通電発熱により行われたことを特徴とする請求項３に記載の帯電防止部材。
6. 前記導電層と前記中間絶縁層は、透明であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の帯電防止部材。
7. 前記絶縁基板は、透明であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の帯電防止部材。
8. 前記絶縁基板は、ポリエステルで形成されたことを特徴とする請求項１に記載の帯電防止部材。
9. 表示エリア内に入力領域を表示する表示部と、
   前記表示部上に配置された静電容量方式のタッチパネルと、
   前記静電容量方式のタッチパネルの入力面側に配置された帯電防止部材と
   を備え、
   前記帯電防止部材は、
   絶縁基板と、
   前記絶縁基板上に配置された島状の導電層と、
   前記絶縁基板上に、前記導電層の間に配置された中間絶縁層と
   を備えることを特徴とする入力装置。
10. 前記島状の導電層の配置ピッチは、前記表示部に表示された前記入力領域の配置ピッチよりも小さいことを特徴とする請求項９に記載の入力装置。
11. 基板と、
    基板上に配置されたタッチパネルと、
    前記タッチパネル上に配置された絶縁基板と、
    前記絶縁基板上に配置された島状の導電層と、
    絶縁基板上に、前記導電層の間に配置された中間絶縁層と、
    前記導電層および前記中間絶縁層上に配置された絶縁層と
    を備えることを特徴とする入力装置。
12. 基板と、
    基板上に配置された絶縁基板と、
    前記絶縁基板上に配置された島状の導電層と、
    絶縁基板上に、前記導電層の間に配置された中間絶縁層と、
    前記導電層および前記中間絶縁層上に配置された絶縁層と、
    前記絶縁層上に配置されたタッチパネルと
    を備えることを特徴とする入力装置。
13. 前記基板は、液晶基板若しくは有機ＥＬ基板であることを特徴とする請求項９または１０に記載の入力装置。
14. 前記絶縁層は、格子状に形成されたことを特徴とする請求項１１または１２に記載の入力装置。
15. 前記絶縁層は、前記導電層に対する熱プロセスを経て形成されることを特徴とする請求項９〜１４のいずれか１項に記載の入力装置。
16. 前記熱プロセスは、レーザ光の照射により行われたことを特徴とする請求項１５に記載の入力装置。
17. 前記熱プロセスは、通電発熱により行われたことを特徴とする請求項１５に記載の入力装置。
18. 前記導電層と前記絶縁層は、透明であることを特徴とする請求項９〜１７のいずれか１項に記載の入力装置。
19. 前記絶縁基板は、透明であることを特徴とする請求項９〜１８のいずれか１項に記載の入力装置。
20. 前記絶縁基板は、ポリエステルで形成されたことを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の入力装置。

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