JP2012099559A - Mounting method and mounting structure of electronic component - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mounting method and a mounting structure of an electronic component which securely and easily mount an electronic component on a die pad of a circuit board without causing gaps.SOLUTION: A semiconductor chip 21 is placed on a die pad 11 inclining a joining surface 21a of the semiconductor chip 21 relative to one surface 11a of the die pad 11 so that only a part of the joining surface 21a of the semiconductor chip 21 contacts with a solder chip 13 (an electronic component placement process). In this structure, the semiconductor chip 21 inclines so that, for example, one of four corners runs on the solder chip 13. At the same time, the semiconductor chip 21 inclines so that one end (end part), which excludes a portion contacting with the solder chip 13, contacts with the one surface 11a of the die pad 11.

Description

本発明は、電子部品の実装方法、および電子部品の実装構造に関し、詳しくは、電子部品を実装するダイパッドと電子部品とを、確実に、かつ容易に接合する技術に関する。    The present invention relates to an electronic component mounting method and an electronic component mounting structure, and more particularly, to a technique for reliably and easily joining a die pad for mounting an electronic component and an electronic component.

従来、電子部品、例えば半導体チップを、回路基板のダイパッドに接合する際には、例えば、図５に示す工程を経て接合していた。即ち、
（１）スクリーン印刷等を用いて、ダイパッド１の一面側１ａにおける、半導体チップ２が接合される接合領域Ｅ１の中央部分にハンダＨを塗布する（図５（ａ））。
（２）接合領域Ｅ１の中央部分に塗布されたハンダＨに重ねて、半導体チップ２を載置する。これにより、半導体チップ２の接合面がダイパッドの一面１ａとほぼ平行になるように半導体チップ２が配置される（図５（ｂ））。
（３）リフローによってハンダＨを溶融してダイパッド１の接合領域Ｅ１全体に広げ、半導体チップ２とダイパッド１とをハンダＨを介して接合させる（図５（ｃ））。 Conventionally, when an electronic component, for example, a semiconductor chip is bonded to a die pad of a circuit board, for example, it is bonded through a process shown in FIG. That is,
(1) Using screen printing or the like, solder H is applied to the central portion of the bonding area E1 to which the semiconductor chip 2 is bonded on one surface side 1a of the die pad 1 (FIG. 5A).
(2) The semiconductor chip 2 is placed on the solder H applied to the central portion of the bonding region E1. Thereby, the semiconductor chip 2 is arranged so that the bonding surface of the semiconductor chip 2 is substantially parallel to the one surface 1a of the die pad (FIG. 5B).
(3) The solder H is melted by reflow and spreads over the entire bonding region E1 of the die pad 1, and the semiconductor chip 2 and the die pad 1 are bonded via the solder H (FIG. 5C).

しかしながら、上述した方法では、ダイパッドに塗布されたハンダＨに重ねて半導体チップ２を載置した際に、ハンダＨと半導体チップ２との間に、空気Ｇが挟まれる（図１（ｂ））。この状態でリフローによってハンダＨを溶融して接合領域Ｅ１全体に広げると、半導体チップ２の接合面とハンダＨとの間に多量の空気Ｇを巻き込んでしまい、ハンダが固化した後にこの空気Ｇがボイド（気泡）として残る（図１（ｃ））。こうした接合面におけるボイド（気泡）の存在は、半導体チップ２とダイパッド１との接合強度の不足や、導電性の低下などの原因となる。    However, in the above-described method, when the semiconductor chip 2 is placed on the solder H applied to the die pad, the air G is sandwiched between the solder H and the semiconductor chip 2 (FIG. 1B). . In this state, when the solder H is melted by reflow and spread over the entire bonding region E1, a large amount of air G is caught between the bonding surface of the semiconductor chip 2 and the solder H, and the air G is solidified after the solder is solidified. It remains as a void (bubble) (FIG. 1 (c)). The presence of voids (bubbles) on the bonding surface may cause insufficient bonding strength between the semiconductor chip 2 and the die pad 1 or decrease in conductivity.

こうした、半導体チップを回路基板のダイパッドに接合する際の空気の巻き込みを抑制するために、例えば、特許文献１に記載された発明では、基板の接合領域にパッドとダミーパッドとを隣接して配置し、ハンダのリフロー時に、ハンダを不均一に溶解させる（溶融速度に差をつける）ことによって実装部品を傾斜させ、巻き込まれた空気を一端側から放出しつつ接合させる構成が開示されている。
また、例えば、特許文献２に記載された発明では、ハンダ接合部の中央部分から外気に連通するように流路（スリット）を形成することによって、ハンダの塗布時に巻き込んだ空気等の気体を、この流路を介して外部に放出する構成が開示されている。 In order to suppress such air entrainment when bonding a semiconductor chip to a die pad of a circuit board, for example, in the invention described in Patent Document 1, a pad and a dummy pad are arranged adjacent to each other in a bonding region of the board. In addition, a configuration is disclosed in which, during solder reflow, the mounting components are inclined by dissolving the solder non-uniformly (differing the melting rate), and the entrained air is discharged from one end side.
Further, for example, in the invention described in Patent Document 2, by forming a flow path (slit) so as to communicate with the outside air from the central portion of the solder joint, a gas such as air entrained at the time of solder application, The structure which discharge | releases outside through this flow path is disclosed.

特願２０１０−０５６１８１号公報Japanese Patent Application No. 2010-056181 特開２００８−３１１４１７号公報JP 2008-311417 A

しかしながら、特許文献１に開示された発明では、基板の接合領域に、ハンダの溶融速度を不均一にするために、互いに異なる形状ないし異なる材質のパッドとダミーパッドとを形成する必要があり、接合構造が複雑になり、かつ製造工程が増加するという課題があった。
一方、特許文献２に開示された発明では、基板の接合面を加工する必要があり、形状が複雑になり、接合面全体が導電性材料で形成されるダイパッドに対してこうした構成を適用することは困難であるという課題があった。 However, in the invention disclosed in Patent Document 1, it is necessary to form pads and dummy pads having different shapes or different materials in the bonding region of the substrate in order to make the solder melting rate non-uniform. There has been a problem that the structure becomes complicated and the number of manufacturing steps increases.
On the other hand, in the invention disclosed in Patent Document 2, it is necessary to process the bonding surface of the substrate, the shape is complicated, and such a configuration is applied to a die pad in which the entire bonding surface is formed of a conductive material. There was a problem that it was difficult.

本発明にかかるいくつかの態様は、上記事情に鑑みてなされたものであり、回路基板のダイパッドに対して、電子部品を隙間なく確実に、かつ容易に実装することが可能な電子部品の実装方法、および電子部品の実装構造を提供することを目的とする。    Some aspects of the present invention have been made in view of the above circumstances, and mounting of an electronic component capable of reliably and easily mounting an electronic component on a circuit board die pad without gaps. It is an object to provide a method and a mounting structure of an electronic component.

上記課題を解決するために、本発明のいくつかの態様は次のような電子部品の実装方法、および電子部品の実装構造を提供した。
すなわち、本発明の電子部品の実装方法は、電子部品を実装するダイパッドの一面と電子部品の接合面とを、ハンダを用いて接合する電子部品の実装方法であって、
前記ダイパッドの一面のうち、前記電子部品の接合面と接合される接合領域の周縁を含む一部分に、非対称にハンダを配置するハンダ配置工程と、前記電子部品の接合面の一部分だけが前記ハンダと接するように、前記ダイパッドの一面に対して前記接合面を傾斜させて前記電子部品を載置する電子部品載置工程と、前記はんだを溶融し、前記接合領域全体に前記はんだを広げる溶融工程と、を少なくとも備えたこと特徴とする。 In order to solve the above-described problems, some aspects of the present invention provide the following electronic component mounting method and electronic component mounting structure.
That is, the electronic component mounting method of the present invention is an electronic component mounting method in which one surface of a die pad for mounting an electronic component and a bonding surface of the electronic component are bonded using solder,
Of the one surface of the die pad, a solder placement step of placing solder asymmetrically at a part including a peripheral edge of a joining region to be joined to the joining surface of the electronic component, and only a part of the joining surface of the electronic component is connected to the solder An electronic component placing step of placing the electronic component with the joining surface inclined with respect to one surface of the die pad so as to contact, and a melting step of melting the solder and spreading the solder over the entire joining region; , At least.

前記ハンダ配置工程において、前記ハンダは、前記ダイパッドの一面における前記接合領域の周縁よりも外側まで覆うように配置されていればよい。
前記電子部品載置工程において、前記電子部品は、前記ハンダと接する領域からその外側の領域に向かって前記ダイパッドの一面に接近するように傾斜して載置されればよい。 In the solder arrangement step, the solder may be arranged so as to cover the outer side of the periphery of the bonding region on one surface of the die pad.
In the electronic component placing step, the electronic component may be placed so as to be inclined so as to approach one surface of the die pad from an area in contact with the solder toward an outer area.

前記電子部品載置工程において、前記電子部品は、前記接合面の一端が前記ダイパッドの一面に接するように傾斜して載置されればよい。
前記溶融工程において、前記ハンダは前記ダイパッドの一面との接触面において均一に溶融させればよい。 In the electronic component placing step, the electronic component may be placed so as to be inclined so that one end of the joint surface is in contact with one surface of the die pad.
In the melting step, the solder may be uniformly melted on the contact surface with one surface of the die pad.

本発明の電子部品の実装構造は、前記電子部品の実装方法によって実装された電子部品の実装構造であって、
前記ダイパッドの一面のうち、前記電子部品の接合面と接合される接合領域の周縁よりも外側に、ハンダを含む合金層の薄膜が形成されていること特徴とする。 The electronic component mounting structure of the present invention is an electronic component mounting structure mounted by the electronic component mounting method,
A thin film of an alloy layer including solder is formed on one surface of the die pad outside the periphery of a bonding region bonded to the bonding surface of the electronic component.

前記ダイパッドの一面のうち、少なくとも前記接合領域は、全体が導電性材料で形成されていればよい。    Of the one surface of the die pad, at least the bonding region may be formed entirely of a conductive material.

また、本発明の電子部品の実装構造は、電子部品を実装するダイパッドの一面と電子部品の接合面とが、ハンダを介して接合された電子部品の実装構造であって、
前記ダイパッドの一面のうち、前記電子部品の接合面と接合される接合領域の周縁を含む一部分に、非対称にハンダを配置したハンダ配置領域から、前記接合領域全体に延びる溝部を、前記ダイパッドに形成したこと特徴とする。 The electronic component mounting structure of the present invention is an electronic component mounting structure in which one surface of a die pad for mounting an electronic component and a bonding surface of the electronic component are bonded via solder,
A groove extending from the solder placement region in which solder is placed asymmetrically to a part of one surface of the die pad including the periphery of the joint region to be joined to the joint surface of the electronic component is formed in the die pad. It is characterized by that.

前記溝部は、その端部が前記接合領域の周縁よりも外側まで延びていればよい。
前記溝部は、前記接合領域の周縁に向けて枝分かれしていればよい。 The groove part should just have the edge part extended to the outer side rather than the periphery of the said joining area | region.
The groove may be branched toward the periphery of the joining region.

本発明の電子部品の実装方法、および電子部品の実装構造によれば、電子部品の接合面と接合される接合領域の周縁を含む一部分に、非対称にハンダを配置させることによって、溶融したハンダがハンダを配置した配置から接合領域の周縁に向けて流れる。この時、電子部品の接合面とハンダとの隙間にあった気泡（空気層）は、溶融したハンダが接合領域の周縁に向けて流される際に、接合領域の周縁から外部に押し出される。これにより、電子部品とダイパッドとを接合するハンダは、巻き込まれた気泡が溶融時に外部に排出されるので、気泡による導通不良や接合強度の不足といった不具合が生じることなく、強固に、かつ導電性を良好に保った状態で電子部品をダイパッドに接合させることが可能になる。    According to the electronic component mounting method and the electronic component mounting structure of the present invention, the molten solder is disposed asymmetrically on a part including the periphery of the bonding region bonded to the bonding surface of the electronic component. It flows from the arrangement in which the solder is arranged toward the periphery of the joining region. At this time, bubbles (air layer) in the gap between the joining surface of the electronic component and the solder are pushed out from the periphery of the joining region when the molten solder flows toward the periphery of the joining region. As a result, the solder that joins the electronic component and the die pad discharges the entrained bubbles to the outside at the time of melting. It is possible to bond the electronic component to the die pad in a state in which is kept good.

電子部品の実装方法の一実施形態を段階的に示した説明図である。It is explanatory drawing which showed one Embodiment of the mounting method of an electronic component in steps. 電子部品の実装方法の一実施形態を段階的に示した説明図である。It is explanatory drawing which showed one Embodiment of the mounting method of an electronic component in steps. ハンダ（ハンダチップ）の載置例を示す平面図である。It is a top view which shows the example of mounting of solder | solder (solder chip | tip). 溝部の形成例を示す平面図、断面図である。It is the top view which shows the example of formation of a groove part, and sectional drawing. 従来の電子部品の実装方法を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the mounting method of the conventional electronic component.

以下、図面を参照して、本発明に係る電子部品の実装方法、および電子部品の実装構造の一実施形態について説明する。なお、本実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。    Hereinafter, an embodiment of an electronic component mounting method and an electronic component mounting structure according to the present invention will be described with reference to the drawings. The present embodiment is specifically described for better understanding of the gist of the invention, and does not limit the invention unless otherwise specified. In addition, in the drawings used in the following description, in order to make the features of the present invention easier to understand, there is a case where a main part is shown in an enlarged manner for convenience, and the dimensional ratio of each component is the same as the actual one. Not necessarily.

図１、図２は、本発明の電子部品の実装方法の一実施形態を段階的に示した説明図である。なお、各図の（ａ）、（ｂ）における上部には、電子部品の実装構造を上から見た時の図が示され、下部には、そのＡ−Ａ線に沿った断面図が示される。
本発明の電子部品の実装方法によって、回路基板１０に形成された、電子部品を載置（実装）するためのダイパッド１１に対して、電子部品、例えば半導体チップ（集積回路）２１を実装する際には、図１（ａ）に示すように、まず、ダイパッド１１の一面側１１ａにハンダチップ（ハンダ）１３を載置する（ハンダ配置工程）。ハンダチップ１３は、例えば、断面楕円形の円盤状に形成されたハンダの小片であればよい。なお、ダイパッド１１は、半導体チップ２１を載置して、半導体チップ２１の端子と、回路基板１０に形成された配線（図示略）とを電気的に接続する、回路基板１０上に形成された領域である。 FIG. 1 and FIG. 2 are explanatory views showing an embodiment of the electronic component mounting method of the present invention step by step. In addition, the figure when the mounting structure of an electronic component is seen from the top is shown in the upper part in each figure (a), (b), and the sectional view along the AA line is shown in the lower part. It is.
When an electronic component, for example, a semiconductor chip (integrated circuit) 21 is mounted on a die pad 11 for mounting (mounting) the electronic component formed on the circuit board 10 by the electronic component mounting method of the present invention. First, as shown in FIG. 1A, first, a solder chip (solder) 13 is placed on one surface side 11a of the die pad 11 (solder arrangement step). For example, the solder chip 13 may be a small piece of solder formed in a disk shape having an elliptical cross section. The die pad 11 is formed on the circuit board 10 on which the semiconductor chip 21 is placed and electrically connects the terminals of the semiconductor chip 21 and the wiring (not shown) formed on the circuit board 10. It is an area.

こうしたハンダチップ１３は、例えば、ダイパッド１１の一面１１ａのうち、半導体チップ（電子部品）２１の接合面２１ａ（図１（ｂ）参照）と接合される接合領域Ｅ２の周縁を含む一部分に、非対称に配置される。例えば、ハンダチップ１３は、ダイパッド１１の一面１１ａにおける接合領域Ｅ２の周縁よりも外側まで覆うように、即ち、接合領域Ｅ２の周縁を跨いで外側にはみ出るように配置すればよい。本実施形態では、ハンダチップ１３は、接合領域Ｅ２の四隅のうちのいずれかの角部分に配置される。
なお、ダイパッド１１が半導体チップ２１の接合面２１ａと接合される接合領域Ｅ２は、その全体が導電性材料、例えばＣｕ、Ａｌなどから形成されていればよい。 For example, such a solder chip 13 is asymmetrical in a part of the one surface 11a of the die pad 11 including the peripheral edge of the bonding region E2 bonded to the bonding surface 21a (see FIG. 1B) of the semiconductor chip (electronic component) 21. Placed in. For example, the solder chip 13 may be disposed so as to cover to the outside of the periphery of the bonding region E2 on the one surface 11a of the die pad 11, that is, so as to protrude beyond the periphery of the bonding region E2. In the present embodiment, the solder chip 13 is disposed at any one of the four corners of the bonding region E2.
The bonding region E2 where the die pad 11 is bonded to the bonding surface 21a of the semiconductor chip 21 only needs to be formed entirely from a conductive material such as Cu or Al.

また、ダイパッド１１の一面１１ａのうち、半導体チップ（電子部品）２１の接合面２１ａと接合される接合領域Ｅ２には、溝部２２が形成されている。この溝部２２は、ダイパッド１１の一面１１ａのうち、ハンダチップ１３が配置されるハンダ配置領域Ｅ３から、接合領域Ｅ２全体に広がるように延びる。溝部２２は、複数本形成されていれば良く、例えば、ダイパッド１１の一面１１ａに彫り込まれた細長い溝であれば良い。
こうした溝部２２は、ハンダチップ１３を溶融した際に、溶融されたハンダが接合領域Ｅ２全体に広がりやすくする。 Further, a groove 22 is formed in a bonding region E2 bonded to the bonding surface 21a of the semiconductor chip (electronic component) 21 in the one surface 11a of the die pad 11. The groove 22 extends from the solder placement region E3 where the solder chip 13 is placed on the one surface 11a of the die pad 11 so as to spread over the entire bonding region E2. The groove part 22 should just be formed in multiple numbers, for example, should just be the elongate groove | channel carved in the one surface 11a of the die pad 11. FIG.
These groove portions 22 make it easy for the melted solder to spread over the entire joining region E2 when the solder chip 13 is melted.

次に、図１（ｂ）に示すように、半導体チップ２１の接合面２１ａの一部分だけがハンダチップ１３と接するように、ダイパッド１１の一面１１ａに対して、半導体チップ２１の接合面２１ａを傾斜させるように、半導体チップ２１をダイパッド１１に載置する（電子部品載置工程）。これによって、半導体チップ２１は、例えば、四隅のうちのいずれかの角部分がハンダチップ１３に乗り上げるように傾斜する。同時に、半導体チップ２１は、ハンダチップ１３に接している部分以外の一端（端部）が、ダイパッド１１の一面１１ａに接するように傾斜する。半導体チップ２１は、例えば、ダイパッド１１の一面１１ａに対して、２°〜３０°の角度θとなるように載置されればよい。    Next, as shown in FIG. 1B, the bonding surface 21 a of the semiconductor chip 21 is inclined with respect to the one surface 11 a of the die pad 11 so that only a part of the bonding surface 21 a of the semiconductor chip 21 is in contact with the solder chip 13. Thus, the semiconductor chip 21 is placed on the die pad 11 (electronic component placing step). Thereby, the semiconductor chip 21 is inclined so that, for example, any one of the four corners rides on the solder chip 13. At the same time, the semiconductor chip 21 is inclined so that one end (end portion) other than the portion in contact with the solder chip 13 is in contact with the one surface 11 a of the die pad 11. For example, the semiconductor chip 21 may be placed so as to have an angle θ of 2 ° to 30 ° with respect to the one surface 11a of the die pad 11.

なお、こうした半導体チップ２１を載置する際には、図１（ｂ）に示すように、半導体チップ２１の一端（端部）がダイパッド１１の一面１１ａに接するように傾斜させなくても、例えば、ハンダチップ１３と接する部分（領域）から、その外側の領域に向かってダイパッド１１の一面１１ａに向けて接近するように傾斜させるだけであってもよい。    When such a semiconductor chip 21 is placed, as shown in FIG. 1B, for example, even if one end (end portion) of the semiconductor chip 21 is not inclined so as to contact the one surface 11a of the die pad 11, for example, Further, it is only necessary to incline from the portion (region) in contact with the solder chip 13 toward the outer surface of the die pad 11 toward the one surface 11a.

このように、半導体チップ２１のいずれかの角部分がハンダチップ１３に乗り上げるように載置しただけの状態では、半導体チップ２１の接合面２１ａとハンダチップ１３との間は密着することが無いので、隙間による気泡（空気層）Ｇが形成される。    As described above, in a state in which any one corner portion of the semiconductor chip 21 is placed so as to run on the solder chip 13, the bonding surface 21 a of the semiconductor chip 21 and the solder chip 13 do not adhere to each other. A bubble (air layer) G is formed by the gap.

以上のように、ダイパッド１１の一面１１ａにハンダチップ（ハンダ）１３を配置し、更に半導体チップ（電子部品）２１を傾斜させて載置したら、加熱によってハンダチップ１３を溶融させる（溶融工程）。この溶融工程では、例えば、ヒーターなどの加熱装置を用いて、ハンダチップ１３を１８０〜３００℃程度に加熱して、ハンダチップ１３を溶融させて液体にする。    As described above, when the solder chip (solder) 13 is disposed on the one surface 11a of the die pad 11 and the semiconductor chip (electronic component) 21 is placed at an inclination, the solder chip 13 is melted by heating (melting step). In this melting step, for example, the solder chip 13 is heated to about 180 to 300 ° C. by using a heating device such as a heater to melt the solder chip 13 into a liquid.

図２（ａ）に示すように、溶融したハンダ１４は、ダイパッド１１の一面１１ａと半導体チップ２１の接合面２１ａとの間に生ずる張力によって、ダイパッド１１の一面１１ａと半導体チップ２１との隙間全体、即ち接合領域Ｅ２全体に広がる。この時、ダイパッド１１の一面１１ａのうち、ハンダ配置領域Ｅ３から接合領域Ｅ２全体に広がる溝部２２によって、溶融したハンダ１４は容易に接合領域Ｅ２全体に展開することができる。    As shown in FIG. 2A, the melted solder 14 has an entire gap between the one surface 11 a of the die pad 11 and the semiconductor chip 21 due to the tension generated between the one surface 11 a of the die pad 11 and the bonding surface 21 a of the semiconductor chip 21. That is, it spreads over the entire joining region E2. At this time, the melted solder 14 can be easily spread over the entire bonding area E2 by the groove 22 extending from the solder arrangement area E3 to the entire bonding area E2 in the one surface 11a of the die pad 11.

こうした溶融工程において、ハンダチップ（ハンダ）１３は、ダイパッド１１の一面１１ａとの接触面、即ちハンダ配置領域Ｅ３において、均一に溶融させることが好ましい。これによって、ハンダチップ１３を接合領域Ｅ２全体に均一に広げることができる。このため、ハンダチップ１３を溶融させる加熱装置としては、面状の領域を均一に加熱できる加熱装置を用いることが好ましい。    In such a melting step, it is preferable that the solder chip (solder) 13 is uniformly melted on the contact surface with the one surface 11a of the die pad 11, that is, the solder arrangement region E3. As a result, the solder chip 13 can be uniformly spread over the entire bonding region E2. For this reason, it is preferable to use a heating device that can uniformly heat the planar region as a heating device that melts the solder chip 13.

半導体チップ２１は、前述した電子部品載置工程において、半導体チップ２１はダイパッド１１の一面１１ａに対して傾斜して配置されているので、ハンダチップ１３が溶融すると、半導体チップ２１は溶融したハンダ１４に対して水平に浮いた状態になろうとするため、ハンダ配置領域Ｅ３から接合領域Ｅ２の周縁に向けて流れる。この時、半導体チップ２１の接合面２１ａとハンダチップ１３との隙間にあった気泡（空気層）Ｇは、溶融したハンダが接合領域Ｅ２の周縁に向けて流れると同時に、一緒に接合領域Ｅ２の周縁に向けて移動する。そして、接合領域Ｅ２の周縁から外部に押し出される。    Since the semiconductor chip 21 is inclined with respect to the one surface 11a of the die pad 11 in the electronic component placing step described above, when the solder chip 13 is melted, the semiconductor chip 21 is melted. Therefore, the air flows from the solder placement region E3 toward the periphery of the joining region E2. At this time, the bubbles (air layer) G in the gap between the bonding surface 21a of the semiconductor chip 21 and the solder chip 13 flow toward the peripheral edge of the bonding region E2, and at the same time, the molten solder flows in the bonding region E2. Move towards the periphery. And it is extruded outside from the periphery of the joining area | region E2.

このような作用によって、半導体チップ２１をダイパッド１１に載置した際に生じた隙間による気泡Ｇは、溶融したハンダ１４の流れによってハンダ１４内から除去される。そして、図２（ｂ）に示すように、ハンダ１４が固化すると、半導体チップ２１は、ハンダ１４を介してダイパッド１１の一面１１ａに導通可能に接合される。ハンダ（ハンダ層）１４は、前述した溶融工程において、気泡Ｇが外部に排出されているので、気泡による導通不良や接合強度の不足といった不具合が生じることなく、強固に、かつ導電性を良好に保った状態で半導体チップ２１がダイパッド１１に接合される。    Due to such an action, the bubbles G due to the gap generated when the semiconductor chip 21 is placed on the die pad 11 are removed from the solder 14 by the flow of the molten solder 14. 2B, when the solder 14 is solidified, the semiconductor chip 21 is joined to the one surface 11a of the die pad 11 through the solder 14 so as to be conductive. The solder (solder layer) 14 is strong and has good conductivity without causing problems such as poor conduction due to bubbles and insufficient bonding strength because the bubbles G are discharged to the outside in the melting process described above. In this state, the semiconductor chip 21 is bonded to the die pad 11.

なお、図２（ｂ）に示す本発明の電子部品の実装構造では、ダイパッド１１の一面１１ａのうち、半導体チップ２１（電子部品）の接合面２１ａと接合される接合領域Ｅ２の周縁よりも外側に、ハンダ１４を含む合金層の薄膜が形成される。即ち、ハンダチップ１３が溶融すると、溶融したハンダ１４は張力によって半導体チップ２１とダイパッド１１とが対面している領域、即ち接合領域Ｅ２内に凝集され、ハンダ配置領域Ｅ３のうち、接合領域Ｅ２と重なる部分よりも外側（図４（ｂ）における領域Ｍ）からは除去される。    In the electronic component mounting structure of the present invention shown in FIG. 2B, the outer surface of the one surface 11a of the die pad 11 is outside the periphery of the bonding region E2 bonded to the bonding surface 21a of the semiconductor chip 21 (electronic component). Further, a thin film of an alloy layer including the solder 14 is formed. That is, when the solder chip 13 is melted, the melted solder 14 is agglomerated in the region where the semiconductor chip 21 and the die pad 11 face each other, that is, in the bonding region E2, and the bonding region E2 in the solder arrangement region E3. It is removed from the outside (region M in FIG. 4B) from the overlapping portion.

しかしながら、この領域Ｍにおいては、ハンダチップ１３が溶融された時点で、ダイパッド１１の一面１１ａを成す金属層、例えばＣｕ、Ａｌとの合金が生じる。このため、その後に溶融したハンダ１４が接合領域Ｅ２の内側に凝集して引き込まれても、接合領域Ｅ２の外側のこの領域Ｍには、ハンダ１４と、ダイパッド１１の金属層との合金層１６、例えば、ハンダ−Ｃｕ合金、ハンダ−Ａｌ合金などの合金層１６が残される。    However, in this region M, when the solder chip 13 is melted, an alloy with a metal layer, for example, Cu or Al, that forms one surface 11a of the die pad 11 is generated. For this reason, even if the solder 14 melted thereafter is agglomerated and drawn inside the joining region E2, the alloy layer 16 of the solder 14 and the metal layer of the die pad 11 is placed in this region M outside the joining region E2. For example, an alloy layer 16 such as a solder-Cu alloy or a solder-Al alloy is left.

以上のように、本発明の電子部品の実装方法、および電子部品の実装構造によれば、半導体チップ（電子部品）２１をダイパッド１１の一面１１ａに対して傾斜して配置させることによって、溶融させたハンダはハンダ配置領域Ｅ３から接合領域Ｅ２の周縁に向けて流れる。この時、半導体チップ２１の接合面２１ａとハンダチップ１３との隙間にあった気泡（空気層）Ｇは、溶融したハンダが接合領域Ｅ２の周縁に向けて流される際に、接合領域Ｅ２の周縁から外部に押し出される。これにより、半導体チップ２１とダイパッド１１とを接合するハンダ１４は、気泡Ｇが外部に排出されているので、気泡による導通不良や接合強度の不足といった不具合が生じることなく、強固に、かつ導電性を良好に保った状態で半導体チップ２１がダイパッド１１に接合させることが可能になる。    As described above, according to the electronic component mounting method and the electronic component mounting structure of the present invention, the semiconductor chip (electronic component) 21 is melted by being disposed to be inclined with respect to the one surface 11 a of the die pad 11. The solder flows from the solder arrangement region E3 toward the periphery of the bonding region E2. At this time, the bubble (air layer) G in the gap between the bonding surface 21a of the semiconductor chip 21 and the solder chip 13 is moved to the periphery of the bonding region E2 when the molten solder is flowed toward the periphery of the bonding region E2. Is pushed out from the outside. As a result, the solder 14 that joins the semiconductor chip 21 and the die pad 11 has the bubbles G discharged to the outside. Therefore, the solder 14 is firmly and electrically conductive without causing problems such as poor conduction due to bubbles and insufficient bonding strength. Thus, the semiconductor chip 21 can be bonded to the die pad 11 in a state in which is kept good.

図３は、ダイパッドにハンダ（ハンダチップ）を載置するバリエーション（他の実施形態）を示す平面図である。
図３（ａ）に示す実施形態では、ダイパッド２１の一面２１ａの接合領域Ｅ２内に、半導体チップ（電子部品）の平面形状と相似した形状、例えば、半導体チップが平面四角形である時に、ハンダチップ（ハンダ）２２をそれよりも小さい四角形に形成し、接合領域Ｅ２の四隅のうち、一方の角部に配置した。これによって、溶融工程でハンダチップ２２を溶融させた際に、半導体チップの形状に倣って、溶融したハンダを均一に広がりやすくすることができる。 FIG. 3 is a plan view showing a variation (another embodiment) in which solder (solder chip) is placed on the die pad.
In the embodiment shown in FIG. 3A, when the semiconductor chip (electronic component) has a shape similar to the planar shape of the semiconductor chip (electronic component) in the bonding region E2 of the one surface 21a of the die pad 21, for example, a solder chip (Solder) 22 was formed into a smaller quadrangle and arranged at one corner of the four corners of the joining region E2. Thus, when the solder chip 22 is melted in the melting step, the melted solder can be easily spread uniformly following the shape of the semiconductor chip.

図３（ｂ）に示す実施形態では、ダイパッド３１の一面３１ａの接合領域Ｅ２の四隅のうち、一方の角部に平面形状が三角形のハンダチップ（ハンダ）３２を配置したものである。こうしたハンダチップ３２の形状であっても、接合領域Ｅ２の全体に溶融したハンダを均一に広がりやすくすることができる。    In the embodiment shown in FIG. 3B, a solder chip (solder) 32 having a triangular planar shape is arranged at one corner of the four corners of the joining region E2 of the one surface 31a of the die pad 31. Even in such a shape of the solder chip 32, the molten solder can be easily spread uniformly over the entire joining region E2.

図３（ｃ）に示す実施形態では、ダイパッド４１の一面４１ａの接合領域Ｅ２の四隅のうち、互いに隣接する２つの角部に平面形状が円形のハンダチップ（ハンダ）４２ａ，４２ｂを配置したものである。このように、複数個のハンダチップ４２ａ，４２ｂを配置することで、より一層、接合領域Ｅ２の全体に溶融したハンダを均一に広がりやすくすることができる。    In the embodiment shown in FIG. 3C, solder chips (solder) 42 a and 42 b having a circular planar shape are arranged at two corners adjacent to each other among the four corners of the bonding region E <b> 2 of the one surface 41 a of the die pad 41. It is. As described above, by disposing the plurality of solder chips 42a and 42b, the molten solder can be more easily spread uniformly over the entire joining region E2.

図４は、ダイパッドの一面に形成される溝部のバリエーション（他の実施形態）を示す平面図、断面図である。
図４（ａ）に示す実施形態では、ダイパッド５１の一面５１ａに載置されるハンダチップのハンダ配置領域Ｅ３から、接合領域Ｅ２全体に広がるように延び、更に、接合領域Ｅ２よりも外側まで延長した複数の溝部５３を形成した例である。これによって、溶融したハンダを接合領域Ｅ２の周縁まで確実に広げることができる。 FIG. 4 is a plan view and a cross-sectional view showing a variation (another embodiment) of a groove formed on one surface of the die pad.
In the embodiment shown in FIG. 4A, the solder chip placed on one surface 51a of the die pad 51 extends from the solder placement area E3 so as to spread over the entire joining area E2, and further extends to the outside of the joining area E2. This is an example in which a plurality of groove portions 53 are formed. Thereby, the melted solder can be surely spread to the periphery of the joining region E2.

図４（ｂ）に示す実施形態では、ダイパッド６１の一面６１ａに載置されるハンダチップのハンダ配置領域Ｅ３から、接合領域Ｅ２全体に広がるように延びる複数の溝部６３を形成した例である。そして、それぞれの溝部６３は、ハンダ配置領域Ｅ３から接合領域Ｅ２の周縁に向かうにつれて、溝の幅が漸増するように（周縁に行くほど幅が広がるように）形成されている。溝部６３をこうした形状に形成することによって、溶融したハンダをハンダ配置領域Ｅ３から接合領域Ｅ２の周縁に向けて容易に広げることができる。    The embodiment shown in FIG. 4B is an example in which a plurality of grooves 63 extending from the solder placement region E3 of the solder chip placed on the one surface 61a of the die pad 61 so as to spread over the entire joining region E2 is formed. Each groove 63 is formed such that the width of the groove gradually increases from the solder placement region E3 toward the periphery of the bonding region E2 (the width increases toward the periphery). By forming the groove 63 in such a shape, the melted solder can be easily spread from the solder placement region E3 toward the periphery of the joining region E2.

図４（ｃ）に示す実施形態では、ダイパッド７１の一面７１ａに載置されるハンダチップのハンダ配置領域Ｅ３から、接合領域Ｅ２全体に枝分かれして樹状に広がる溝部７３を形成した例である。溝部７３をこうした樹状に形成することによって、溶融したハンダを接合領域Ｅ２全体にムラ無く均一に広げることができる。    The embodiment shown in FIG. 4C is an example in which a groove 73 that branches from the solder placement region E3 of the solder chip placed on the one surface 71a of the die pad 71 to the entire joining region E2 and spreads in a tree shape is formed. . By forming the groove 73 in such a tree shape, the molten solder can be uniformly spread over the entire joining region E2.

図４（ｄ）に示す実施形態では、ダイパッド８１の一面８１ａに載置されるハンダチップのハンダ配置領域Ｅ３から、接合領域Ｅ２の周縁に向かうにつれて、溝の深さＤが漸増するような溝部８３を形成したものである。溝部７３の深さを周縁に向かうにつれて徐々に深くすることによって、溶融したハンダをハンダ配置領域Ｅ３から接合領域Ｅ２の周縁に向けて容易に広げることができる。    In the embodiment shown in FIG. 4D, the groove portion in which the groove depth D gradually increases from the solder placement region E3 of the solder chip placed on the one surface 81a of the die pad 81 toward the periphery of the bonding region E2. 83 is formed. By gradually increasing the depth of the groove 73 toward the periphery, the melted solder can be easily expanded from the solder placement region E3 toward the periphery of the bonding region E2.

なお、これまで説明したダイパッドにハンダ（ハンダチップ）を載置するバリエーションや、ダイパッドの一面に形成される溝部のバリエーションは、適宜組み合わせて構成することができる。    In addition, the variation which mounts solder (solder chip | tip) on the die pad demonstrated so far, and the variation of the groove part formed in the one surface of die pad can be comprised suitably.

１０…回路基板、１１…ダイパッド、１３…ハンダチップ（ハンダ）、２１…半導体チップ（電子部品）、２２…溝部、Ｅ２…接合領域。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Circuit board, 11 ... Die pad, 13 ... Solder chip (solder), 21 ... Semiconductor chip (electronic component), 22 ... Groove part, E2 ... Joining area | region.

Claims (10)

電子部品を実装するダイパッドの一面と電子部品の接合面とを、ハンダを用いて接合する電子部品の実装方法であって、
前記ダイパッドの一面のうち、前記電子部品の接合面と接合される接合領域の周縁を含む一部分に、非対称にハンダを配置するハンダ配置工程と、
前記電子部品の接合面の一部分だけが前記ハンダと接するように、前記ダイパッドの一面に対して前記接合面を傾斜させて前記電子部品を載置する電子部品載置工程と、
前記はんだを溶融し、前記接合領域全体に前記はんだを広げる溶融工程と、
を少なくとも備えたこと特徴とする電子部品の実装方法。 A method for mounting an electronic component in which one surface of a die pad for mounting an electronic component and a bonding surface of the electronic component are bonded using solder,
A solder disposing step of asymmetrically disposing a solder on a part of one surface of the die pad including a peripheral edge of a bonding region bonded to a bonding surface of the electronic component;
An electronic component placing step of placing the electronic component by inclining the joining surface with respect to one surface of the die pad so that only a part of the joining surface of the electronic component is in contact with the solder;
A melting step of melting the solder and spreading the solder over the entire joining region;
An electronic component mounting method characterized by comprising at least 前記ハンダ配置工程において、前記ハンダは、前記ダイパッドの一面における前記接合領域の周縁よりも外側まで覆うように配置されることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装方法。   2. The electronic component mounting method according to claim 1, wherein, in the solder placement step, the solder is placed so as to cover an outer side of a periphery of the bonding region on one surface of the die pad. 前記電子部品載置工程において、前記電子部品は、前記ハンダと接する領域からその外側の領域に向かって前記ダイパッドの一面に接近するように傾斜して載置することを特徴とする請求項１または２記載の電子部品の実装方法。   2. The electronic component placing step, wherein the electronic component is placed with an inclination so as to approach one surface of the die pad from an area in contact with the solder toward an outer area thereof. The electronic component mounting method according to 2. 前記電子部品載置工程において、前記電子部品は、前記接合面の一端が前記ダイパッドの一面に接するように傾斜して載置することを特徴とする請求項１ないし３いずれか１項記載の電子部品の実装方法。   The electronic component according to any one of claims 1 to 3, wherein, in the electronic component placing step, the electronic component is placed so as to be inclined so that one end of the joint surface is in contact with one surface of the die pad. Component mounting method. 前記溶融工程において、前記ハンダは前記ダイパッドの一面との接触面において均一に溶融させることを特徴とする請求項１ないし４いずれか１項記載の電子部品の実装方法。   5. The electronic component mounting method according to claim 1, wherein in the melting step, the solder is uniformly melted on a contact surface with one surface of the die pad. 請求項１または２記載の電子部品の実装方法によって実装された電子部品の実装構造であって、
前記ダイパッドの一面のうち、前記電子部品の接合面と接合される接合領域の周縁よりも外側に、ハンダを含む合金層の薄膜が形成されていること特徴とする電子部品の実装構造。 An electronic component mounting structure mounted by the electronic component mounting method according to claim 1 or 2,
A mounting structure for an electronic component, wherein a thin film of an alloy layer including solder is formed outside a periphery of a bonding region bonded to a bonding surface of the electronic component on one surface of the die pad. 前記ダイパッドの一面のうち、少なくとも前記接合領域は、全体が導電性材料で形成されていること特徴とする請求項６記載の電子部品の実装構造。   The electronic component mounting structure according to claim 6, wherein at least the bonding region of one surface of the die pad is entirely formed of a conductive material. 電子部品を実装するダイパッドの一面と電子部品の接合面とが、ハンダを介して接合された電子部品の実装構造であって、
前記ダイパッドの一面のうち、前記電子部品の接合面と接合される接合領域の周縁を含む一部分に、非対称にハンダを配置したハンダ配置領域から、前記接合領域全体に延びる溝部を、前記ダイパッドに形成したこと特徴とする電子部品の実装構造。 An electronic component mounting structure in which one surface of a die pad for mounting an electronic component and a bonding surface of the electronic component are bonded via solder,
A groove extending from the solder placement region in which solder is placed asymmetrically to a part of one surface of the die pad including the periphery of the joint region to be joined to the joint surface of the electronic component is formed in the die pad. An electronic component mounting structure characterized by that. 前記溝部は、その端部が前記接合領域の周縁よりも外側まで延びていることを特徴とする請求項８記載の電子部品の実装構造。   9. The mounting structure for an electronic component according to claim 8, wherein an end of the groove extends to the outside of a peripheral edge of the joining region. 前記溝部は、前記接合領域の周縁に向けて枝分かれしていることを特徴とする請求項８または９記載の電子部品の実装構造。   10. The mounting structure for an electronic component according to claim 8, wherein the groove is branched toward the periphery of the joining region.
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6175532A (en) * 1984-09-20 1986-04-17 Mitsubishi Electric Corp Soldering method for semiconductor element
JPH02203541A (en) * 1989-01-31 1990-08-13 Nec Kansai Ltd Method of mounting semiconductor pellet
JPH03233944A (en) * 1990-02-09 1991-10-17 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
JPH08288319A (en) * 1995-04-14 1996-11-01 Hitachi Ltd Manufacture of semiconductor device
JPH10247665A (en) * 1997-01-08 1998-09-14 Esec Sa Device for forming liquid solder portion in soldering semiconductor chip
JP2003045903A (en) * 2001-08-01 2003-02-14 Fujitsu Ten Ltd Die bonding apparatus
JP2005079241A (en) * 2003-08-29 2005-03-24 Toyota Motor Corp Method of mounting bare chip
JP2006253208A (en) * 2005-03-08 2006-09-21 Renesas Technology Corp Method of manufacturing semiconductor device
JP2008166626A (en) * 2006-12-29 2008-07-17 Denso Corp Semiconductor device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6175532A (en) * 1984-09-20 1986-04-17 Mitsubishi Electric Corp Soldering method for semiconductor element
JPH02203541A (en) * 1989-01-31 1990-08-13 Nec Kansai Ltd Method of mounting semiconductor pellet
JPH03233944A (en) * 1990-02-09 1991-10-17 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
JPH08288319A (en) * 1995-04-14 1996-11-01 Hitachi Ltd Manufacture of semiconductor device
JPH10247665A (en) * 1997-01-08 1998-09-14 Esec Sa Device for forming liquid solder portion in soldering semiconductor chip
JP2003045903A (en) * 2001-08-01 2003-02-14 Fujitsu Ten Ltd Die bonding apparatus
JP2005079241A (en) * 2003-08-29 2005-03-24 Toyota Motor Corp Method of mounting bare chip
JP2006253208A (en) * 2005-03-08 2006-09-21 Renesas Technology Corp Method of manufacturing semiconductor device
JP2008166626A (en) * 2006-12-29 2008-07-17 Denso Corp Semiconductor device

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