JP2012084214A - 近接場光発生素子、及び近接場光発生素子の製造方法、近接場光ヘッド、近接場光ヘッドの製造方法並びに情報記録再生装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光量を確保した上で、近接場光のスポットサイズを縮小できる近接場光発生素子、及び近接場光発生素子の製造方法、近接場光ヘッド、近接場光ヘッドの製造方法並びに情報記録再生装置を提供する。
【解決手段】コア２３は、第１コア５４と、第１コア５４の側面を覆う第２コア５５と、を備え、Ｚ方向から見て多角形状に形成され、金属膜５１は、コア２３における側面２３ｇ上に配置され、Ｚ方向から見て、金属膜５１におけるコア２３との界面の幅Ｗ１が、コア２３の側面２３ｇの幅Ｗ３よりも狭く形成されていることを特徴とする。
【選択図】図５

Description

本発明は、光束を集光した近接場光を利用して磁気記録媒体に各種の情報を記録再生する近接場光発生素子、及び近接場光発生素子の製造方法、近接場光ヘッド、近接場光ヘッドの製造方法並びに情報記録再生装置に関するものである。

近年、コンピュータ機器におけるハードディスク等の容量増加に伴い、単一記録面内における情報の記録密度が増加している。例えば、磁気ディスクの単位面積当たりの記録容量を多くするためには、面記録密度を高くする必要がある。ところが、記録密度が高くなるにつれて、記録媒体上で１ビット当たりの占める記録面積が小さくなっている。このビットサイズが小さくなると、１ビットの情報が持つエネルギーが、室温の熱エネルギーに近くなり、記録した情報が熱揺らぎ等のために反転したり、消えてしまったりする等の熱減磁の問題が生じてしまう。

一般的に用いられてきた面内記録方式では、磁化の方向が記録媒体の面内方向に向くように磁気を記録する方式であるが、この方式では上述した熱減磁による記録情報の消失等が起こり易い。そこで、このような不具合を解消するために、近年では記録媒体に対して垂直な方向に磁化信号を記録する垂直記録方式が採用されている。この方式は、記録媒体に対して、単磁極を近づける原理で磁気情報を記録する方式である。この方式によれば、記録磁界が記録膜に対してほぼ垂直な方向を向く。垂直な磁界で記録された情報は、記録膜面内においてＮ極とＳ極とがループを作り難いため、エネルギー的に安定を保ち易い。そのため、この垂直記録方式は、面内記録方式に対して熱減磁に強くなっている。

しかしながら、近年の記録媒体は、より大量且つ高密度情報の記録再生を行いたい等のニーズを受けて、さらなる高密度化が求められている。そのため、隣り合う磁区同士の影響や、熱揺らぎを最小限に抑えるために、保磁力の強いものが記録媒体として採用され始めている。そのため、上述した垂直記録方式であっても、記録媒体に情報を記録することが困難になっていた。

そこで、上述した不具合を解消するために、光を集光したスポット光、若しくは、近接場光を利用して磁区を局所的に加熱して一時的に保磁力を低下させ、その間に記録媒体への書き込みを行うハイブリッド磁気記録方式の記録再生ヘッドが提供されている。
このような記録再生ヘッドのうち、近接場光を利用した記録再生ヘッド（以下、近接場光ヘッドという）は、スライダと、スライダ上に配置された主磁極及び補助磁極を有する記録素子と、照射されたレーザ光から近接場光を発生させる近接場光発生素子と、近接場光発生素子に向けてレーザ光を照射するレーザ光源と、レーザ光源から発せられたレーザ光を近接場光発生素子まで導く光導波路と、を主に備えている（例えば、特許文献１参照）。近接場光発生素子は、レーザ光を反射させながら伝播させるコア、及びコアに密着してコアを封止するクラッドを有する光束伝播素子と、コア及びクラッド間に配置されてレーザ光から近接場光を発生させる金属膜と、を有している。コアは、一端側（光入射側）から他端側（光出射側）に向かうレーザ光の伝播方向に直交する断面積が漸次減少するように絞り成形されており、レーザ光を集光させながら他端側に向けて伝播させるようになっている。そして、コアにおける他端側の側面に上述した金属膜が配置されている。

このように構成された近接場光ヘッドを利用する場合には、近接場光を発生させると同時に記録磁界を印加することで、記録媒体に各種の情報を記録している。すなわち、レーザ光源から出射されたレーザ光は光導波路を介して光束伝播素子内に入射する。そして、光束伝播素子に入射したレーザ光は、コア内を伝播して金属膜に達する。すると、金属膜では、レーザ光によって内部の自由電子が一様に振動させられるのでプラズモンが励起され、コアの他端側に近接場光を局在化させた状態で発生させる。その結果、磁気記録媒体の磁気記録層は、近接場光によって局所的に加熱され、一時的に保磁力が低下する。
また、上述したレーザ光の照射と同時に記録素子に駆動電流を供給することで、主磁極の先端に近接する磁気記録媒体の磁気記録層に対して記録磁界を局所的に印加する。その結果、保磁力が一時的に低下した磁気記録層に各種の情報を記録することができる。つまり、近接場光と磁場との協働により、磁気記録媒体への記録を行うことができる。

特開２００８−１５２８９７号公報

ところで、記録媒体のさらなる高密度化を図るためには、近接場光のスポットサイズを縮小して、磁気記録媒体の磁気記録層をより局所的に加熱し、上述した熱揺らぎ現象等の影響を抑制する必要がある。近接場光のスポットサイズを縮小するためには、金属膜の幅（レーザ光の伝播方向から見てコアとの界面の幅）を縮小することが考えられる。

この場合、従来では金属膜の幅に合わせてコアを形成しているため、金属膜の縮小に伴ってコアの幅（レーザ光の伝播方向から見て金属膜との接触面の幅）が縮小される。
しかしながら、コアの幅を縮小すると、コア内を伝播するレーザ光の損失が大きくなり、十分な光量を得られないという問題がある。すなわち、近接場光のスポットサイズは縮小できるものの、光量が低下してしまう。

そこで、本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、その目的は、光量を確保した上で、近接場光のスポットサイズを縮小できる近接場光発生素子、及び近接場光発生素子の製造方法、近接場光ヘッド、近接場光ヘッドの製造方法並びに情報記録再生装置を提供することである。

本発明は、上述した課題を解決するために以下の手段を提供する。
本発明に係る近接場光発生素子は、一端側に導入された光束を他端側に向けて集光しながら伝播するとともに、近接場光に生成した後に外部に発する近接場光発生素子であって、前記他端側に向けて前記光束を伝播させるコアと、前記コアにおける前記一端側から前記他端側に向かう前記光束の伝播方向に沿って配置され、前記コアとの界面に沿って前記光束を伝播させて、前記光束から前記近接場光を発生させる近接場光発生部と、を有し、前記コアは、第１コアと、前記第１コアを間に挟んで前記近接場光発生部の反対側から前記第１コアを覆う第２コアと、を備え、前記伝播方向から見て、前記第２コアの外側端部は、前記近接場光発生部の外側端部よりも外側に位置していることを特徴としている。

この構成によれば、第２コアにおける外側端部が、近接場光発生部の外側端部よりも外側に位置することで、伝播方向から見て近接場光発生部の幅が、コア全体における近接場光発生部との界面の幅に比べて狭く形成されることになる。そのため、コア全体における近接場光発生部との界面の幅よりも小さいスポットサイズの近接場光を発生させることができるとともに、スポットサイズの縮小に伴う光束の伝播効率の低下を抑制できる。これにより、光量を確保した上で、近接場光のスポットサイズを縮小できる。

また、前記第１コアと前記第２コアとが同一材料からなることを特徴としている。
この構成によれば、第１コアと第２コアとの界面における光束の反射や吸収等を防止して、コアの一端側から他端側に向けて効果的に光束を伝播することができる。

また、前記コアの他端面を外部に露出させた状態で、前記コアを覆うクラッドを有し、前記第１コア、前記第２コア、及び前記クラッドは、前記クラッド、前記第２コア、前記第１コアの順で屈折率が大きくなるように構成されていることを特徴としている。
この構成によれば、第２コアとクラッドとの界面で全反射する光束を、徐々に中心（第１コア）に向けて集光できるので、光束の伝播効率を向上できる。

また、前記コアの他端面は、前記伝播方向から見て三角形状、または台形状に形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、コア内を伝播した光束を、近接場光発生部に向けて効果的に反射させることができる。

また、前記第２コアを間に挟んで前記第１コアの反対側から前記第２コアを覆うように遮光膜が形成されていることを特徴としている。
この構成では、第２コアを覆うように遮光膜を形成することで、コアに入射した光束は、外部に漏れることなく、遮光膜と第２コアとの界面で反射されながら他端側に向けて伝播する。これにより、光束を効率的に近接場光発生部に入射させることができ、近接場光の発生効率を向上できる。

また、前記第１コアは、前記伝播方向に沿って延在する複数の側面を有し、前記複数の側面は、前記近接場光発生素子が配置された第１側面と、前記伝播方向から見て前記第１側面の両側で、前記第１側面の面方向に交差する方向に沿って配置された第２側面と、を有し、前記伝播方向から見て、前記第１コアの前記第２側面と同一面上に前記近接場光発生部の外側端部が配置されていることを特徴としている。
この構成によれば、伝播方向に直交する方向から見て第１コアと近接場光発生部とが重なり合うように配置されるため、コアの他端側まで伝播した光束を漏れなく近接場光発生部に入射させることができる。よって、近接場光の発生効率を向上させることができる。

また、本発明に係る近接場光発生素子の製造方法は、一端側に導入された光束を他端側に向けて集光しながら伝播するとともに、近接場光に生成した後に外部に発する近接場光発生素子の製造方法であって、前記他端側に向けて前記光束を伝播させるコアと、前記コアにおける前記一端側から前記他端側に向かう前記光束の伝播方向に沿って配置され、前記コアとの界面に沿って前記光束を伝播させて、前記光束から前記近接場光を発生させる近接場光発生部と、を有し、前記近接場光発生部の母材を形成する近接場光発生部形成工程と、前記近接場光発生部を覆うように前記コアのうち、第１コアの母材を形成する第１コア形成工程と、前記第１コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材を一括してパターニングするパターニング工程と、前記第１コアを間に挟んで前記近接場光発生部の反対側から前記第１コアを覆うように、前記コアのうち、第２コアを形成する第２コア形成工程と、を有していることを特徴としている。

この構成によれば、第１コアの母材と近接場光発生部の母材とを同一のパターニング工程で一括してパターニングすることで、近接場光発生部と第１コアとの界面の幅を同等に形成することができる。そして、パターニング工程の後、第１コアを覆うように第２コアを形成することで、伝播方向から見て近接場光発生部の幅が、コア全体における近接場光発生部との界面の幅に比べて狭い近接場光発生部を簡単に形成できる。しかも、例えば、第１コアと近接場光発生部とをそれぞれ別工程でパターニングする場合と異なり、近接場光発生部と第１コアとを精度良く位置決めすることができる。

また、本発明に係る近接場光ヘッドの製造方法は、上記本発明の近接場光発生素子の製造方法を使用して、一定方向に回転する磁気記録媒体を加熱するとともに、前記磁気記録媒体に対して記録磁界を与えることで磁化反転を生じさせ、情報を記録させる近接場光ヘッドの製造方法であって、前記近接場光発生部形成工程の前段に、記録磁界を発生させる磁極の母材を形成する磁極形成工程を有し、前記パターニング工程では、前記第１コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材とともに、前記磁極の母材を同一工程で一括してパターニングすることを特徴としている。
この構成によれば、第１コア、及び近接場光発生部の母材とともに磁極の母材を同一のパターニング工程で一括してパターニングすることで、伝播方向から見て第１コア、近接場光発生部の、及び磁極の外側端部が同一面上に配置されることになる。これにより、例えば、第１コア、近接場光発生部、及び磁極をそれぞれ別工程でパターニングする場合と異なり、近接場光発生部、コア、及び磁極を精度良く位置決めすることができる。さらに、高価な位置合わせ装置を用いることなく、コア、近接場光発生部、及び磁極を位置決めすることができるので、装置コストを低減できる。
この場合、磁極が、近接場光発生素子を間に挟んで第１コアの反対側から近接場光発生部を覆うように形成される。そのため、近接場光の発生位置と、磁極からの磁場の発生位置とを高精度に位置決めでき、近接場光ヘッド自体の書き込みの信頼性を高め、高品質化を図ることができる。
また、仮に近接場光発生部でプラズモン共鳴を起こさずに、光束が近接場光発生部を透過してしまった場合であっても、光束を磁極で反射させてコア内に戻すことで、再び近接場光発生部に光束を入射させることができる。これにより、近接場光の発生効率をより向上できる。さらに、光束が近接場光発生部でプラズモン共鳴を起こさずに外部に漏れるのを抑制できるので、コアの近傍のみに極めて小さい近接場光のスポットを生成させることができる。

また、本発明に係る近接場光ヘッドは、一定方向に回転する磁気記録媒体を加熱するとともに、前記磁気記録媒体に対して記録磁界を与えることで磁化反転を生じさせ、情報を記録させる近接場光ヘッドであって、前記磁気記録媒体の表面に対向配置されたスライダと、前記スライダの先端側に配置され、前記記録磁界を発生させる磁極を有する記録素子と、前記他端側を前記磁気記録媒体側に向けた状態で前記記録素子に隣接して固定された、請求項１記載の近接場光発生素子と、前記スライダに固定され、前記一端側から前記コア内に前記光束を導入させる光束導入手段と、を備えていることを特徴としている。
この構成によれば、上記本発明の近接場光発生素子を備えているので、上述した熱揺らぎ現象等の影響を抑制して、安定した記録を行うことができる。よって、近接場光ヘッド自体の書き込みの信頼性を高めることができ、高品質化を図ることができる。

また、前記第１コアは、前記伝播方向に沿って延在する複数の側面を有し、前記複数の側面は、前記近接場光発生素子が配置された第１側面と、前記伝播方向から見て前記第１側面の両側で、前記第１側面の面方向に交差する方向に沿って配置された第２側面と、を有し、前記磁極は、前記近接場光発生部を間に挟んで前記第１コアの前記第１側面に対向配置されるとともに、前記伝播方向から見て、前記第１コアの前記第２側面と同一面上に前記磁極の外側端部が配置されていることを特徴としている。
この構成によれば、磁極が、近接場光発生素子を間に挟んでコアの反対側から近接場光発生部を覆うように形成されるため、近接場光の発生位置と、磁場の発生位置とを高精度に位置決めでき、近接場光ヘッド自体の書き込みの信頼性を高め、高品質化を図ることができる。
また、仮に近接場光発生部でプラズモン共鳴を起こさずに、光束が近接場光発生部を透過してしまった場合であっても、光束を磁極で反射させてコア内に戻すことで、再び近接場光発生部に光束を入射させることができる。これにより、近接場光の発生効率をより向上できる。さらに、光束が近接場光発生部でプラズモン共鳴を起こさずに外部に漏れるのを抑制できるので、コアの近傍のみに極めて小さい近接場光のスポットを生成させることができる。

また、前記近接場光発生部と前記磁極との間には、前記近接場光発生部と前記磁極との間を画成する離間膜が形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、近接場光発生部と磁極とが導電性を有する金属材料からなる場合に、近接場光発生部と磁極とを電気的に絶縁できるとともに、近接場光発生部の合金化を抑制できるので、近接場光発生部での自由電子の運動に悪影響が及ぶことがない。そのため、近接場光の発生効率をより向上できる。

また、本発明に係る情報記録再生装置は、上記本発明の近接場光ヘッドと、前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に移動可能とされ、前記磁気記録媒体の表面に平行で且つ互いに直交する２軸回りに回動自在な状態で前記近接場光ヘッドを先端側で支持するビームと、前記光束伝播素子に対して前記光束を入射させる光源と、前記ビームの基端側を支持するとともに、前記ビームを前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に向けて移動させるアクチュエータと、前記磁気記録媒体を前記一定方向に回転させる回転駆動部と、前記記録素子及び前記光源の作動を制御する制御部と、を備えていることを特徴とする。
この構成によれば、上記本発明の近接場光ヘッドを備えているので、書き込みの信頼性を高めることができ、高品質化を図ることができる。

本発明に係る近接場光発生素子、及びその製造方法によれば、光量を確保した上で、近接場光のスポットサイズを縮小できる。
本発明に係る近接場光ヘッド及び情報記録再生装置によれば、上述した熱揺らぎ現象等の影響を抑制して、安定した記録を行うことができる。よって、書き込みの信頼性が高く、高密度記録化に対応することができ、高品質化を図ることができる。

本発明の実施形態における情報記録再生装置の構成図である。 記録再生ヘッドの拡大断面図である。 記録再生ヘッドの流出端側の側面を拡大した断面図である。 図３のＡ矢視図である。 図３のＢ矢視図である。 図３のＣ部拡大図である。 レーザ光源の周辺を拡大した図である。 情報記録再生装置により情報を記録再生する際の説明図であって、図３に相当する拡大断面図である。 情報記録再生装置により情報を記録再生する際の説明図であって、図５に相当する図である。 図５に相当する図であって、近接場光発生素子の製造方法を説明するための工程図である。 図５に相当する図であって、近接場光発生素子の製造方法を説明するための工程図である。 第２実施形態における記録再生ヘッドの流出端側の側面を拡大した断面図である。 図１１のＤ部拡大図である。 記録再生ヘッドの流出端側の断面図であり、（ａ）は図１２のＥ−Ｅ線に沿う断面図、（ｂ）は、Ｆ−Ｆ線に沿う断面図、（ｃ）はＧ−Ｇ線に沿う断面図である。 図１３に相当する断面図であり、光束伝播素子の他の構成を示す断面図である。 図３に相当する図であって、記録再生ヘッドの他の構成を示す図である。 第３実施形態における記録再生ヘッドの流出端側の側面を拡大した断面図である。 図１６のＨ矢視図である。 第３実施形態の他の構成を示す図である。 図５に相当する図であって、第４実施形態における記録再生ヘッドを示す図である。 図１０に相当する図であって、記録再生ヘッドの製造方法を説明するための工程図である。 図５に相当する図であって、第５実施形態における記録再生ヘッドを示す図である。 図１２に相当する図であって、記録再生ヘッドの製造方法を説明するための工程図である。 図５に相当する図であって、記録再生ヘッドの他の構成を示す図である。 図５に相当する図であって、第６実施形態における記録再生ヘッドを示す図である。

次に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態の情報記録再生装置１は、垂直記録層ｄ２を有するディスク（磁気記録媒体）Ｄに対して、近接場光Ｒと記録磁界とを協働させたハイブリッド磁気記録方式によりディスクＤに記録再生を行う装置である（図２参照）。

（第１実施形態）
（情報記録再生装置）
図１は情報記録再生装置の構成図である。
本実施形態の情報記録再生装置１は、図１に示すように、記録再生ヘッド（近接場光ヘッド）２と、記録再生ヘッド２を支持するビーム３と、記録再生ヘッド２にレーザ光（光束）Ｌ（図２参照）を入射させる光束入射機構４と、ビーム３を移動させるアクチュエータ５と、ディスクＤを一定方向に回転させるスピンドルモータ（回転駆動部）６と、上述した各構成品を総合的に制御する制御部８と、各構成品を内部に収容するハウジング９と、を備えている。

ハウジング９は、アルミニウム等の金属材料により、上面視四角形状に形成されているとともに、内側に各構成品を収容する凹部９ａが形成されている。また、このハウジング９には、凹部９ａの開口を塞ぐように図示しない蓋が着脱可能に固定されるようになっている。凹部９ａの略中心には、スピンドルモータ６が取り付けられており、スピンドルモータ６に中心孔を嵌め込むことでディスクＤが着脱自在に固定される。なお、本実施形態では、３枚のディスクＤがスピンドルモータ６に固定されている場合を例に挙げて説明している。但し、ディスクＤの数は３枚に限定されるものではない。

凹部９ａの隅角部には、アクチュエータ５が取り付けられている。このアクチュエータ５には、軸受１０を介してキャリッジ１１が取り付けられている。キャリッジ１１は、例えば金属材を切削加工によって形成されたものであり、軸受１０を介してアクチュエータ５に固定される基端部１１ａから先端に向かう部分が３枚のディスクＤの上面に配置されるように３層構造となっている。つまり、キャリッジ１１を側面から見た時に、Ｅ型になるように形成されている。そして、３層に分かれたキャリッジ１１の各先端には、ビーム３の基端側が固定されている。よって、アクチュエータ５は、キャリッジ１１を介してビーム３の基端側を支持しており、ビーム３をディスク面（磁気記録媒体の表面）Ｄ１（図２参照）に平行なＸＹ方向に向けてスキャン移動させることができるようになっている。

ビーム３は、上述したようにアクチュエータ５によってキャリッジ１１とともにＸＹ方向に移動可能とされているとともに、ディスク面Ｄ１に平行で且つ互いに直交する２軸（Ｘ軸、Ｙ軸）回りに回動自在な状態で記録再生ヘッド２を先端側で支持している。なお、ビーム３及びキャリッジ１１は、ディスクＤの回転停止時にアクチュエータ５の駆動によって、ディスクＤ上から退避するようになっている。

（記録再生ヘッド）
図２は記録再生ヘッドの拡大断面図であり、図３は記録再生ヘッドの流出端側の側面を拡大した断面図である。
記録再生ヘッド２は、図２，図３に示すように、レーザ光Ｌから生成した近接場光Ｒを利用して回転するディスクＤに各種の情報を記録再生するヘッドである。記録再生ヘッド２は、ディスク面Ｄ１から所定距離Ｈだけ浮上した状態でディスクＤに対向配置されたスライダ２０と、ディスクＤに情報を記録する記録素子２１と、ディスクＤに記録されている情報を再生する再生素子２２と、導入されたレーザ光Ｌを集光しながら伝播するとともに、近接場光Ｒに生成した後に外部に発する近接場光発生素子２６と、を備えている。

スライダ２０は、石英ガラス等の光透過性材料や、ＡｌＴｉＣ（アルチック）等のセラミック等によって直方体状に形成されている。このスライダ２０は、ディスクＤに対向する対向面２０ａを有しており、ジンバル部３０（図２参照）を介してビーム３の先端にぶら下がるように支持されている。このジンバル部３０は、Ｘ軸回り及びＹ軸回りにのみ変位するように動きが規制された部品である。これによりスライダ２０は、上述したようにディスク面Ｄ１に平行で且つ互いに直交する２軸（Ｘ軸、Ｙ軸）回りに回動自在とされている。

また対向面２０ａには、回転するディスクＤによって生じた空気流の粘性から、浮上するための圧力を発生させる凸条部２０ｂが形成されている。この凸条部２０ｂは、長手方向（Ｘ方向）に沿って延びるように形成されており、レール状に並ぶように間隔を空けて左右（Ｙ方向）に２つ形成されている。但し、凸条部２０ｂはこの場合に限定されるものではなく、スライダ２０をディスク面Ｄ１から離そうとする正圧と、スライダ２０をディスク面Ｄ１に引き付けようとする負圧と、を調整して、スライダ２０を最適な状態で浮上させるように設計されていれば、どのような凹凸形状でも構わない。なお、この凸条部２０ｂの表面はＡＢＳ（ＡＩＲ ＢＥＡＲＩＮＧ ＳＵＲＦＡＣＥ）２０ｃと呼ばれている。

そしてスライダ２０は、この２つの凸条部２０ｂによってディスク面Ｄ１から浮上する力を受けている。一方、ビーム３はディスク面Ｄ１に垂直なＺ方向に撓むようになっており、スライダ２０の浮上力を吸収している。つまり、スライダ２０は、浮上した際にビーム３によってディスク面Ｄ１側に押さえ付けられる力を受けている。よってスライダ２０は、この両者の力のバランスによって、上述したようにディスク面Ｄ１から所定距離Ｈ離間した状態で浮上するようになっている。しかもスライダ２０は、ジンバル部３０によってＸ軸回り及びＹ軸回りに回動するようになっているので、常に姿勢が安定した状態で浮上するようになっている。
なお、ディスクＤの回転に伴って生じる空気流は、スライダ２０の流入端側（ビーム３のＸ方向基端側）から流入した後、ＡＢＳ２０ｃに沿って流れ、スライダ２０の流出端側（ビーム３のＸ方向先端側）から抜けている。

記録素子２１は、図３に示すように、ディスクＤに記録磁界を作用させて情報を記録する素子であって、スライダ２０の流出端側の側面（先端面）に固定された補助磁極３１と、磁気回路３２を介して補助磁極３１に接続され、ディスクＤに対して垂直な記録磁界を補助磁極３１との間で発生させる主磁極３３と、磁気回路３２を中心として磁気回路３２の周囲を螺旋状に巻回するコイル３４と、を備えている。つまり、スライダ２０の流出端側から順に、補助磁極３１、磁気回路３２、コイル３４、主磁極３３が並んだ状態で配置されている。

両磁極３１，３３及び磁気回路３２は、磁束密度が高い高飽和磁束密度（Ｂｓ）材料（例えば、ＣｏＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金等）により形成されている。また、コイル３４は、ショートしないように、隣り合うコイル線間、磁気回路３２との間、両磁極３１，３３との間に隙間が空くように配置されており、この状態で絶縁体３５によってモールドされている。そして、コイル３４は、情報に応じて変調された電流が制御部８から供給されるようになっている。すなわち、磁気回路３２及びコイル３４は、全体として電磁石を構成している。なお、主磁極３３及び補助磁極３１は、ディスクＤに対向する端面（Ｚ方向端面）がスライダ２０のＡＢＳ２０ｃと面一となるように設計されている。また、主磁極３３の先端部分３３ａ（レーザ光Ｌの出射側）は、絶縁体３５から再生素子２２側に向けて突出しており、後述する第１クラッド２４ａ内に埋設されている。なお、主磁極３３における先端部分３３ａを、基端部分と異なる材料（飽和磁束密度が高い材料）で構成しても構わない。

図４は図３のＡ矢視図であり、図５は図３のＢ矢視図である。
図３から図５に示すように、光束伝播素子２５は、レーザ光Ｌの入射側（Ｚ方向一端側）がスライダ２０の上方を向くとともに、出射側（Ｚ方向他端側）がディスクＤ側を向いた状態で、記録素子２１の主磁極３３のＸ方向側に隣接して固定されている。この光束伝播素子２５は、一端側から導入されたレーザ光ＬをディスクＤに対向する他端側に伝播させるコア２３と、コア２３に密着するクラッド２４とから構成されており、全体として略板状に形成されている。

コア２３は、一端側から他端側にかけて漸次絞り成形されており、レーザ光Ｌを内部で徐々に集光させながら伝播させることができるようになっている。具体的に、コア２３は一端側から反射面２３ａと、光束集光部２３ｂと、近接場光生成部２３ｃと、を有し、レーザ光Ｌの伝播方向（Ｚ方向）から見て三角形状に形成されている。

反射面２３ａは、後述する光導波路４２から導入されたレーザ光Ｌを導入方向とは異なる方向に反射させるものである。本実施形態では、レーザ光Ｌの向きが略９０度変わるように反射させている。この反射面２３ａによって光導波路４２から導入されたレーザ光Ｌは、コア２３内で全反射を繰り返しながら他端側に向けて伝播される。
光束集光部２３ｂは、一端側から他端側に向かうＺ方向に直交する断面積（ＸＹ方向の断面積）が漸次減少するように絞り成形された部分であり、導入されたレーザ光Ｌを集光させながら他端側に向けて伝播させている。つまり、光束集光部２３ｂに導入されたレーザ光Ｌのスポットサイズを、徐々に小さいサイズに絞ることができるようになっている。

近接場光生成部２３ｃは、光束集光部２３ｂの端部から他端側に向けてさらに絞り成形された部分である。具体的には、コア２３の他端側の近傍において、内部を伝播するレーザ光Ｌの光軸（Ｚ方向）に対して傾斜した状態で再生素子２２に対向するように形成された傾斜面２３ｈによって絞り成形されている。この傾斜面２３ｈによって、コア２３は他端側が尖形した状態となっている。

なお、本実施形態では、光束集光部２３ｂ及び近接場光生成部２３ｃがＺ方向に沿う３つの側面を有するように形成されており、そのうちの１つの側面２３ｇが主磁極３３に対向配置されるようになっている。この場合、側面２３ｇの両端（Ｙ方向両端）からは、再生素子２２に向かって側面２３ｇのＹ方向（面方向）に交差する方向に沿って延在する一対の側面２３ｄが形成され、これによりコア２３はＺ方向から見てＸ方向に向かって先細る三角形状に形成されている。そのため、図５に示すように、近接場光生成部２３ｃの他端側で外部に露出する端面２３ｅが三角形状に形成されている。また、この端面２３ｅはスライダ２０のＡＢＳ２０ｃと面一となるように設計されている。

図６は、図３のＣ部拡大図である。
ここで、図５，図６に示すように、本実施形態のコア２３の他端側は、２層構造に構成されている。具体的に、コア２３の他端側は、Ｚ方向から見て三角形状の第１コア５４と、第１コア５４を覆うように形成された第２コア５５と、で構成されている。この場合、第１コア５４は、Ｚ方向において、スライダ２０の側面（流出端側の側面）の全域に形成され、コア２３の全体（上述した反射面２３ａから近接場光生成部２３ｃ）を構成している。一方、第２コア５５は、Ｚ方向において、第１コア５４の他端側を覆うように形成され、光束集光部２３ｂの他端側から近接場光生成部２３ｃを構成している。なお、第２コア５５の形成領域は、上述した範囲に限られず、第１コア５４全体を覆うように形成しても構わない。また、図５では、第２コア５５のＹ方向両端部には、第１クラッド２４ａ上をＹ方向に沿って延在する裾野部５５ａが形成されているが、少なくとも第１コア２３を覆っていれば、裾野部５５ａは除去しても構わない。なお、以下の説明では、第１コア５４及び第２コア５５の側面を、コア２３の側面２３ｄ、２３ｇと同様の符号を用いて説明する。

クラッド２４は、図３から図５に示すように、コア２３よりも屈折率が低い材料で形成されており、コア２３の一端側と他端側の端面２３ｅとを外部に露出させた状態でコア２３の側面２３ｄ，２３ｇに密着して、コア２３を内部に封止している。具体的に、クラッド２４は、コア２３と記録素子２１（主磁極３３）との間でコア２３の側面２３ｇ側を覆うように形成された第１クラッド２４ａと、コア２３と再生素子２２との間で側面２３ｄ側を覆うように形成された第２クラッド２４ｂとを備えている。このように、第１クラッド２４ａ及び第２クラッド２４ｂがコア２３の側面２３ｄ，２３ｇに密着しているので、コア２３とクラッド２４との間に隙間が生じないようになっている。なお、第１クラッド２４ａの他端側におけるスライダ２０の幅方向（Ｙ方向）中央部には、上述した主磁極３３の先端部分３３ａが埋設されるとともに、先端部分３３ａは第１クラッド２４ａからコア２３側に露出している。

なお、クラッド２４及びコア２３として使用される材料の組み合わせの一例を記載すると、例えば、石英（ＳｉＯ₂）でコア２３（第１コア５４及び第２コア５５）を形成し、フッ素をドープした石英でクラッド２４を形成する組み合わせが考えられる。この場合には、レーザ光Ｌの波長が４００ｎｍのときに、コア２３の屈折率が１．４７となり、クラッド２４の屈折率が１．４７未満となるので好ましい組み合わせである。
また、ゲルマニウムをドープした石英でコア２３（第１コア５４及び第２コア５５）を形成し、石英（ＳｉＯ₂）でクラッド２４を形成する組み合わせも考えられる。この場合には、レーザ光Ｌの波長が４００ｎｍのときに、コア２３の屈折率が１．４７より大きくなり、クラッド２４の屈折率が１．４７となるのでやはり好ましい組み合わせである。

特に、コア２３とクラッド２４との屈折率差が大きいほど、コア２３内にレーザ光Ｌを閉じ込める力が大きくなるので、コア２３（第１コア５４及び第２コア５５）に酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅：波長が５５０ｎｍのときに屈折率が２．１６）を用い、クラッド２４に石英やアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等を用いて、両者の屈折率差を大きくすることがより好ましい。また、赤外領域のレーザ光Ｌを利用する場合には、赤外光に対して透明な材料であるシリコン（Ｓｉ：屈折率が約４）でコア２３（第１コア５４及び第２コア５５）を形成することも有効である。なお、本実施形態においては、第１コア５４及び第２コア５５を同一材料により形成しているが、これに限らず、第１コア５４及び第２コア５５を異種材料により構成しても構わない。この場合の材料の組み合わせとしては、クラッド２４から第２コア５５、第１コア５４にかけて段々と屈折率が大きくなるような（クラッド２４、第２コア５５、第１コア５４の順で屈折率が大きくなるような）組み合わせが好ましい。この構成によれば、第２コア５５とクラッド２４との界面で全反射するレーザ光Ｌを、徐々に中心（第１コア５４）に向けて集光できるので、レーザ光Ｌの伝播効率を向上できる。

ここで、コア２３（第１コア５４）と第１クラッド２４ａとの間（第１コア５４を間に挟んで第２コア５５の反対側）には、金属膜（近接場光発生部）５１が形成されている。金属膜５１は、コア２３内を伝播してきたレーザ光Ｌから近接場光Ｒを発生させ、近接場光Ｒを光束伝播素子２５の他端側とディスクＤとの間に局在化させるものであり、例えば金（Ａｕ）や白金（Ｐｔ）等により構成されている。金属膜５１は、コア２３（第１コア５４）における近接場光生成部２３ｃの側面２３ｇ上に配置され、第１クラッド２４ａ及び第１クラッド２４ａから露出する主磁極３３の先端部分３３ａに接している。また、金属膜５１は、Ｚ方向において、一端側が近接場光生成部２３ｃと光束集光部２３ｂとの境界部分に位置するとともに、他端側がコア２３の端面２３ｅと面一になるように形成されている。

また、金属膜５１は、Ｚ方向から見て再生素子２２に向けて先細る等脚台形状に形成されている。このとき、金属膜５１の上底（コア２３との界面）５１ａのＹ方向における幅Ｗ１は、第１コア５４の側面（第１側面）２３ｇのＹ方向における幅Ｗ２と同等に形成されている。これにより、金属膜５１の幅Ｗ１は、コア２３（第２コア５５）の側面２３ｇの幅Ｗ３（裾野部５５ａを除く幅）に比べて狭く形成されている。すなわち、Ｚ方向から見て、第２コア５５の外側端部は、金属膜５１の斜面（外側端部）５１ｂよりも外側に位置している。さらに、金属膜５１の斜面５１ｂは、第１コア５４の側面（第２側面）２３ｄと同一面上に配置されている。すなわち、第１コア５４及び金属膜５１の積層体は、Ｚ方向から見てコア２３の相似形状に形成されている（図５参照）。

また、コア２３（第２コア５５）と第２クラッド２４ｂとの間には、遮光膜５２が形成されている。遮光膜５２は、アルミニウム（Ａｌ）等の高反射率の材料からなり、近接場光生成部２３ｃの第２コア５５における側面２３ｄを覆うように形成されている。すなわち、近接場光生成部２３ｃは、側面２３ｇが金属膜５１に覆われ、側面２３ｄが遮光膜５２に覆われている。遮光膜５２は、Ｚ方向において、金属膜５１よりも広範囲に亘って形成されている。具体的に、遮光膜５２は、一端側が光束集光部２３ｂの他端側に位置するとともに、他端側はコア２３の端面２３ｅと面一になるように形成されている。なお、遮光膜５２は、Ｚ方向において金属膜５１と同等以上の範囲で形成されていれば構わない。また、遮光膜５２のＹ方向両端部は、第２コア５５の裾野部５５ａを完全に覆うように形成しても構わない。

ところで、図３に示すように、スライダ２０の上面（Ｚ方向一端側）には光導波路４２が固定されている。この光導波路４２は、コア４２ａと、コア４２ａを覆うように形成されたクラッド４２ｂと、からなり、コア４２ａ内をレーザ光Ｌが伝播するようになっている。光導波路４２の先端は、光束伝播素子２５のコア２３の一端側に接続されており、レーザ光Ｌを反射面２３ａに向けて出射させている。なお、コア４２ａ及びクラッド４２ｂは、上述したコア２３及びクラッド２４と同様の材料により構成されている。

一方、光導波路４２の基端側は、図１に示すように、ビーム３及びキャリッジ１１に沿って引き出された後、レーザ光源４３に接続されている。このレーザ光源４３は、図１及び図７に示すように、キャリッジ１１の基端部１１ａの側面に取り付けられた制御基板４４上に図示しないＩＣチップ等の各種電子部品とともに実装されている。特にレーザ光源４３は、レーザ光Ｌを直線偏光の状態で出射するようになっている。すなわち、レーザ光源４３及び光導波路４２は、記録再生ヘッド２にレーザ光Ｌを直線偏光の状態で入射させる光束入射機構４として機能する。なお、図７はレーザ光源の周辺を拡大した図である。

レーザ光源４３が実装されている制御基板４４は、可撓性のフラットケーブル（フレキシブル基板）４５によって制御部８に接続されている。これにより制御部８は、各構成品に電気的な信号を送って総合的な制御を行っている。特にレーザ光源４３は、レーザ光Ｌを出射するタイミングが制御部８によって制御されている。

再生素子２２は、ディスクＤの垂直記録層ｄ２（図２参照）から漏れ出ている磁界の大きさに応じて電気抵抗が変換する磁気抵抗効果膜であり、光束伝播素子２５を間に挟んで記録素子２１とは反対側のクラッド２４（第２クラッド２４ｂ）の表面に形成されている。この再生素子２２には、図示しないリード膜等を介して制御部８からバイアス電流が供給されている。これにより制御部８は、ディスクＤから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することでき、この電圧の変化から信号の再生を行うことができるようになっている。

なお、本実施形態のディスクＤは、図２に示すように、ディスク面Ｄ１に垂直な方向に磁化容易軸を有する垂直記録層ｄ２と、高透磁率材料からなる軟磁性層ｄ３との少なくとも２層で構成される垂直２層膜ディスクＤを使用する。このようなディスクＤとしては、例えば、基板ｄ１上に、軟磁性層ｄ３と、中間層ｄ４と、垂直記録層ｄ２と、保護層ｄ５と、潤滑層ｄ６とを順に成膜したものを使用する。
基板ｄ１としては、例えば、アルミ基板やガラス基板等である。軟磁性層ｄ３は、高透磁率層である。中間層ｄ４は、垂直記録層ｄ２の結晶制御層である。垂直記録層ｄ２は、垂直異方性磁性層となっており、例えばＣｏＣｒＰｔ系合金が使用される。保護層ｄ５は、垂直記録層ｄ２を保護するためのもので、例えばＤＬＣ（ダイヤモンド・ライク・カーボン）膜が使用される。潤滑層ｄ６は、例えば、フッ素系の液体潤滑材が使用される。

（情報記録再生方法）
次に、このように構成された情報記録再生装置１により、ディスクＤに各種の情報を記録再生する場合について以下に説明する。
まず、図１に示すように、スピンドルモータ６を駆動させてディスクＤを一定方向に回転させる。次いで、アクチュエータ５を作動させて、キャリッジ１１を介してビーム３をＸＹ方向にスキャンさせる。これにより、ディスクＤ上の所望する位置に記録再生ヘッド２を位置させることができる。この際、記録再生ヘッド２は、スライダ２０の対向面２０ａに形成された２つの凸条部２０ｂによって浮上する力を受けるとともに、ビーム３等によってディスクＤ側に所定の力で押さえ付けられる。記録再生ヘッド２は、この両者の力のバランスによって、図２に示すようにディスクＤ上から所定距離Ｈ離間した位置に浮上する。

また、記録再生ヘッド２は、ディスクＤのうねりに起因して発生する風圧を受けたとしても、ビーム３によってＺ方向の変位が吸収されるとともに、ジンバル部３０によってＸＹ軸回りに変位することができるようになっているので、うねりに起因する風圧を吸収することができる。そのため、記録再生ヘッド２を安定した状態で浮上させることができる。

図８は情報記録再生装置により情報を記録再生する際の説明図であって、図３に相当する拡大断面図であり、図９は図５に相当する図である。
ここで、図８に示すように、情報の記録を行う場合、制御部８はレーザ光源４３を作動させて直線偏光のレーザ光Ｌを出射させるとともに、情報に応じて変調した電流をコイル３４に供給して記録素子２１を作動させる。
まず、レーザ光源４３からレーザ光Ｌを光導波路４２に入射させて、レーザ光Ｌをスライダ２０側に導く。レーザ光源４３から出射されたレーザ光Ｌは、光導波路４２のコア４２ａ内を先端（流出端）側に向かって進み、光束伝播素子２５のコア２３内に伝播する。コア２３内に伝播したレーザ光Ｌは、反射面２３ａで略９０度反射された後、光束集光部２３ｂ内を伝播する。光束集光部２３ｂを伝播するレーザ光Ｌは、ディスクＤ側に位置する他端側に向かってコア２３とクラッド２４との間で全反射を繰り返しながら伝播する。特に、コア２３の側面２３ｄ，２３ｇにはクラッド２４が密着しているので、コア２３の外部に光が漏れることはない。よって、導入されたレーザ光Ｌを無駄にすることなく絞りながら他端側に伝播させて、近接場光生成部２３ｃに入射させることができる。
この際、コア２３は、Ｚ方向に直交する断面積が漸次減少するように絞り成形されている。そのため、レーザ光Ｌは光束集光部２３ｂ内を伝播するにしたがって徐々に絞り込まれてスポットサイズが小さくなる。

図８，図９に示すように、スポットサイズが小さくなったレーザ光Ｌは、続いて、近接場光生成部２３ｃに入射する。この近接場光生成部２３ｃは、他端側に向けてさらに絞り成形されており、端面２３ｅが光の波長以下のサイズとされている。この場合、近接場光生成部２３ｃの２つの側面２３ｄは、遮光膜５２によって遮光されている。よって、近接場光生成部２３ｃに入射したレーザ光Ｌは、第２クラッド２４ｂ側に漏れることなく、遮光膜５２と近接場光生成部２３ｃとの界面で反射されながら伝播する。そして、近接場光生成部２３ｃを伝播するレーザ光Ｌが金属膜５１に入射すると、金属膜５１には表面プラズモンが励起される。励起された表面プラズモンは、共鳴効果によって増強されながら金属膜５１とコア２３（近接場光生成部２３ｃ）との界面に沿いながら、コア２３の他端側に向かって伝播する。そして、他端側に達した時点で、光強度の強い近接場光Ｒとなって外部に漏れ出す。つまり、光束伝播素子２５の他端側とディスクＤとの間に近接場光Ｒを局在化させることができる。するとディスクＤは、この近接場光Ｒによって局所的に加熱されて一時的に保磁力が低下する。

一方、制御部８によってコイル３４に電流が供給されると、電磁石の原理により電流磁界が磁気回路３２内に磁界を発生させるので、主磁極３３と補助磁極３１との間にディスクＤに対して垂直方向の記録磁界を発生させることができる。すると、主磁極３３側から発生した磁束が、ディスクＤの垂直記録層ｄ２を真直ぐ通り抜けて軟磁性層ｄ３に達する。これによって、垂直記録層ｄ２の磁化をディスク面Ｄ１に対して垂直に向けた状態で記録を行うことができる。また、軟磁性層ｄ３に達した磁束は、軟磁性層ｄ３を経由して補助磁極３１に戻る。この際、補助磁極３１に戻るときには磁化の方向に影響を与えることはない。これは、ディスク面Ｄ１に対向する補助磁極３１の面積が、主磁極３３よりも大きいので磁束密度が大きく磁化を反転させるほどの力が生じないためである。つまり、主磁極３３側でのみ記録を行うことができる。

その結果、近接場光Ｒと両磁極３１，３３で発生した記録磁界とを協働させたハイブリッド磁気記録方式により情報の記録を行うことができる。しかも垂直記録方式で記録を行うので、熱揺らぎ現象等の影響を受け難く、安定した記録を行うことができる。よって、書き込みの信頼性を高めることができる。

また、ディスクＤに記録された情報を再生する場合には、ディスクＤの保磁力が一時的に低下している時に、再生素子２２がディスクＤの垂直記録層ｄ２から漏れ出ている磁界を受けて、その大きさに応じて電気抵抗が変化する。よって、再生素子２２の電圧が変化する。これにより制御部８は、ディスクＤから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することができる。そして制御部８は、この電圧の変化から信号の再生を行うことで、ディスクＤに記録されている情報の再生を行うことができる。

（記録再生ヘッドの製造方法）
次に、上述した近接場光発生素子２６を有する記録再生ヘッド２の製造方法について説明する。図１０，図１１は図５に相当する図であって、近接場光発生素子の製造方法を説明するための工程図である。なお、以下の説明では、記録再生ヘッド２の製造工程のうち、主として近接場光発生素子の製造工程について具体的に説明する。
本実施形態では、複数のスライダ２０形成領域がＹ方向及びＺ方向に沿って連なってなる基板１２０（例えば、ＡｌＴｉＣ（アルチック）等）を用意し、この基板１２０におけるスライダ２０の各形成領域上に記録素子２１、近接場光発生素子２６、及び再生素子２２を順に形成して、Ｙ方向及びＺ方向に沿って連なる複数の記録再生ヘッド２とした後、記録再生ヘッド２の形成領域毎にダイシングすることで、記録再生ヘッド２を製造する。

まず図１０（ａ）に示すように、基板１２０上に記録素子２１を形成し、絶縁体３５でモールドする。その後、絶縁体３５上に光束伝播素子２５及び金属膜５１の母材を成膜する（第１クラッド形成工程、近接場光発生部形成工程、及び第１コア形成工程）。具体的には、基板１２０（絶縁体３５）上に第１クラッド２４ａ、金属膜５１（例えば、２０ｎｍ程度）、第１コア５４（数μｍ程度）の順で母材（第１クラッド母材１２４ａ、金属膜母材１５１、及び第１コア母材１５４）を成膜する。なお、各母材１２４ａ，１５１，１５４の成膜後には、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ)等でそれぞれの表面を研磨して、平坦面とする。

なお、金属膜母材１５１は、第１クラッド母材１２４ａ上の全面に成膜した後、所定の領域のみ残存するように予めパターニングしておくことが好ましい。本実施形態では、少なくともＺ方向において、コア母材１２３における近接場光生成部２３ｃ（図３参照）に相当する領域に残存するように（反射面２３ａ及び光束集光部２３ｂ（図３参照）に相当する領域の金属膜母材１５１を除去するように）金属膜母材１５１をパターニングしている。この場合、近接場光生成部２３ｃに相当する領域では、第１コア母材１５４と第１クラッド母材１２４ａとの間に金属膜母材１５１が挟持され、それ以外の領域では、第１コア母材１５４と第１クラッド母材１２４ａとが密着することになる。これにより、第１コア母材１５４と第１クラッド母材１２４ａとの密着性を向上させることができるので、製造途中における膜剥がれを抑制できる。

また、上述した近接場光発生素子２６（図２，３参照）では、Ｚ方向においてコア２３の光束集光部２３ｂにも金属膜５１が形成されていると、光束集光部２３ｂを伝播するレーザ光Ｌが金属膜５１で吸収されて損失となり、レーザ光Ｌの伝播効率が低下する虞がある。これに対して、近接場光生成部２３ｃに相当する領域にのみ金属膜５１を形成することで、近接場光生成部２３ｃまではコア２３とクラッド２４との間でレーザ光Ｌを全反射条件で伝播させることができる。そのため、より多くのレーザ光Ｌを近接場光生成部２３ｃまで導くことができ、レーザ光Ｌの伝播効率を向上できる。

続いて、図１０（ｂ）に示すように、第１コア母材１５４上にフォトリソグラフィ技術を用いて第１コア母材１５４を除去すべき領域が開口したマスクパターン（不図示）を形成し、このマスクパターンを介して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行う（第１パターニング工程）。これにより、マスクパターンが開口した領域の第１コア母材１５４がエッチングされ、Ｚ方向から見て矩形状の第１コア母材１５４が形成される。また、第１コア母材１５４は、Ｘ方向から見て一端側から他端側にかけて先細る台形状に形成される。なお、第１パターニング工程においては、マスクパターンが開口した領域の第１コア母材１５４は、完全に除去せず僅かに残存させることが好ましい（図１０（ｂ）中残存部６０参照）。

次に、図１０（ｃ）に示すように、アルゴン（Ａｒ）等のプラズマ中で第１コア母材１５４及び金属膜母材１５１をスパッタエッチングする（第２パターニング工程）。第２パターニング工程において、断面矩形状の第１コア母材１５４をスパッタエッチングすると、第１コア母材１５４のＹ方向両側の角部が選択的にエッチングされて斜面６１が形成される。そして、この状態でさらにエッチングを続けると、斜面６１が底面（図５中側面２３ｇに相当）に対して一定の角度を保ちながらエッチングされることで、図１０（ｄ）に示すような第１コア母材１５４が形成される。

その後、さらにエッチングを続けると、図１１（ａ）に示すように、第１コア母材１５４は相似形を保ちながら幅（Ｙ方向における幅）、及び高さ（Ｘ方向における高さ）が縮小するとともに、残存部６０が除去される。その結果、３つの側面を有する断面三角形状の第１コア５４が形成される。このように、第１パターニング工程で矩形状に形成した第１コア母材１５４に対してスパッタエッチングを行うことで、Ｚ方向から見て任意の幅や高さに第１コア５４を形成することができる。

ここで、残存部６０を除去した後、さらにエッチングを続けると、第１コア５４は相似形を保ったままエッチングされるとともに、金属膜母材１５１がエッチングされる。この場合、図１１（ｂ）に示すように、金属膜母材１５１のＹ方向における端部（図５における斜面５１ｂに相当）は、コア２３の側面２３ｄと側面２３ｇとのなす角度と同一の角度にエッチングされる。
以上により、上底５１ａが第１コア５４の側面２３ｇと同一の幅を有するとともに、斜面５１ｂが第１コア５４の側面２３ｄと同一面上に配置された金属膜５１が形成される。なお、第１コア５４以外の領域の金属膜母材１５１を完全に除去するためには、第１クラッド母材１２４ａも僅かにエッチングされる。この場合、上述した第１パターニング工程において、第１コア母材１５４に残存部６０を形成しておくことで、第２パターニング工程で第１クラッド母材１２４ａがオーバーエッチングされるのを防止できる。

次に、図１１（ｃ）に示すように、第１コア５４及び金属膜５１を覆うように第２コア５５を形成する（第２コア形成工程）。具体的には、第１コア５４全体を覆うように第２コア母材（不図示）を成膜し、その後第１コア５４の他端側のみに第２コア母材が残存するようにパターニングする。なお、第２コア母材は、パターニングせずに、第１コア５４、及び第１クラッド２４ａの全面に亘って形成しても構わない。これにより、製造工程を削減して、製造効率の向上を図ることができる。

次に、図１１（ｄ）に示すように、コア２３（第１コア５４及び第２コア５５）及び金属膜５１を覆うように遮光膜５２を形成する（遮光膜形成工程）。具体的には、コア２３の側面２３ｄにおける近接場光生成部２３ｃに相当する領域に、遮光膜５２が残存するようにパターニングする。
そして、図１０（ｅ）に示すように、コア２３（第１コア５４及び第２コア５５）及び遮光膜５２を覆うように、第２クラッド２４ｂを形成する（第２クラッド形成工程）。その後、ＣＭＰ等で第２クラッド２４ｂの表面を研磨して、平坦面に形成する。そして、第２クラッド２４ｂ上に再生素子２２を形成する。これにより、基板１２０上に記録素子２１、近接場光発生素子２６、及び再生素子２２が形成される。

続いて、基板１２０を、Ｚ方向に沿って各スライダ２０ごとに間隔をあけた状態でＹ方向に沿ってダイシングして、一方向（Ｙ方向）に沿って複数のスライダ２０が連なった状態のバー（不図示）を形成する。その後、ダイシングしたバーの側面（切断面）を研磨する（研磨工程）。この研磨工程では、ＥＬＧ（ｅｌｅｃｔｒｏ ｌａｐｐｉｎｇ ｇｕｉｄｅ）を用い、バーの側面の位置だしを行う。ＥＬＧとは、ＥＬＧ素子の抵抗値を確認しながら研磨を行って研磨量を制御するものである。本実施形態では、例えばバーのＥＬＧエリア（後述するスライダ工程におけるダイシング代）に、ＥＬＧ素子と、ＥＬＧ素子の両端に接続された一対のパッドと、を形成し、パッドを介してＥＬＧ素子に通電しながら研磨する。すると、バーの側面とともにＥＬＧ素子も研磨され、ＥＬＧ素子のＺ方向における幅が減少し、電気抵抗が増加する。そこで、ＥＬＧ素子の電気抵抗と研磨量との相関を予め求めておき、ＥＬＧ素子の抵抗値をモニタしながら研磨して、抵抗値が所定の値に達した時点で所望の研磨量が得られたと判断して研磨を終了する。なお、ＥＬＧ素子やパッドは研磨時に電気抵抗の変化を検出するのが基本的な機能であるため、極端な微細構造とする必要はない。

その後、各スライダ２０ごとの大きさになるようにバーをＺ方向に沿って切断する（スライダ工程）。
以上により、上述した近接場光発生素子２６を有する記録再生ヘッド２が完成する。

このように、本実施形態では、金属膜５１の幅Ｗ１をコア２３（第１コア５４及び第２コア５５）の側面２３ｇの幅Ｗ３に比べて狭く形成する構成とした。
この構成によれば、コア２３に対して金属膜５１を小さくすることで、コア２３内を伝播するレーザ光Ｌの伝播効率の低下を抑制した上で、近接場光Ｒのスポットサイズの縮小化を図ることができる。これにより、光量を確保した上で、近接場光Ｒのスポットサイズを縮小できるので、ディスクＤをより局所的に加熱することができる。
また、第１コア５４と第２コア５５とを同一材料により構成することで、第１コア５４と第２コア５５との界面におけるレーザ光Ｌの反射や吸収等を防止して、コア２３の一端側から他端側に向けて効果的にレーザ光Ｌを伝播することができる。

また、本実施形態では、コア２３の側面２３ｄを覆うように遮光膜５２を形成することで、近接場光生成部２３ｃに入射したレーザ光Ｌは、第２クラッド２４ｂ側に漏れることなく、遮光膜５２と近接場光生成部２３ｃとの界面で反射されながら、端面２３ｅに向けて伝播する。これにより、レーザ光Ｌを効率的に金属膜５１に入射させることができ、近接場光Ｒの発生効率を向上できる。

しかも、本実施形態では、第２パターニング工程において、第１コア母材１５４及び金属膜母材１５１のエッチングを一括して行った後、第１コア５４を覆うように第２コア５５を形成する構成とした。
この構成によれば、第１コア母材１５４と金属膜母材１５１とを同一のパターニング工程で一括してパターニングすることで、金属膜５１の上底５１ａの幅Ｗ１を第１コア５４の側面２３ｇの幅Ｗ２と同等に形成することができる。そして、第２コア５５により第１コア５４を覆うことで、コア２３（第１コア５４及び第２コア５５）の側面２３ｇの幅Ｗ３に比べて幅の狭い金属膜５１を簡単に形成できる。
この場合、例えば、第１コア５４と金属膜５１とをそれぞれ別工程でパターニングする場合と異なり、金属膜５１と第１コア５４とを精度良く位置決めすることができる。

そして、本発明の情報記録再生装置１（記録再生ヘッド２）は、上述した近接場光発生素子２６を備えているので、上述した熱揺らぎ現象等の影響を抑制して、安定した記録を行うことができる。よって、情報の記録再生を正確且つ高密度に行うことができ、高品質化を図ることができる。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図１２は、第２実施形態における記録再生ヘッドの流出端側の側面を拡大した断面図であり、図１３は図１１のＤ部拡大図である。また、図１４は、記録再生ヘッドの流出端側の断面図であり、（ａ）は図１２のＥ−Ｅ線に沿う断面図、（ｂ）はＦ−Ｆ線に沿う断面図、（ｃ）はＧ−Ｇ線に沿う断面図である。なお、以下の説明では、上述した第１実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、説明は省略する。
図１２〜図１４に示すように、本実施形態の記録再生ヘッド２は、スライダ２０の流出端側の側面上にＸ方向に沿って近接場光発生素子２６、記録素子２１、及び再生素子２２が順に配置されている。

この場合、記録素子２１は、第２クラッド１２４ｂ内にモールドされるとともに、主磁極３３の先端部分３３ａは、コア２３の側面２３ｄを覆うように配置されている。すなわち、本実施形態の主磁極３３の先端部分３３ａは、上述した遮光膜５２（図５参照）と同様の役割も兼ねている。

この構成によれば、スライダ２０の側面上において、ディスクＤの回転方向に沿って近接場光発生素子２６、記録素子２１、及び再生素子２２が配置されることになる。この場合、ディスクＤは、先に近接場光発生素子２６から発生した近接場光Ｒにより加熱された後、保持力が確実に低下した状態で、記録素子２１の下方を通過するため、ディスクＤへの記録をスムーズ、かつ高精度に行うことができる。

なお、上述した実施形態では、Ｚ方向から見て三角形状のコア２３について説明したが、これに限らず、図１５に示すように、コア２３の他端側（近接場光生成部２３ｃ）をＺ方向から見て台形状に形成しても構わない。この場合も上述した第１実施形態の近接場光発生素子２６と同様の方法により、コア２３を製造することができる。すなわち、第２パターニング工程において、Ｙ方向両側の角部に加えてＺ方向他端側の角部をスパッタエッチングすることで、他端側が台形状のコア２３を製造できる。なお、図１５は、図１４に相当する断面図である。
このように、コア２３をＺ方向から見て三角形状または台形状に形成することで、コア２３内を伝播したレーザ光を、金属膜５１に向けて効果的に反射させることができる。なお、コア２３のＺ方向から見た断面形状は三角形状や台形状に限らず、五角形状等の多角形状に適宜設計変更が可能である。

また、上述した実施形態では、光束伝播素子２５のコア２３（光束集光部２３ｂ）が一端側から他端側に向けて漸次絞り成形されている場合を例に挙げたが、この場合に限られず、図１６に示すように、ストレートに形成されていても構わない。

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図１７は、第３実施形態における記録再生ヘッドの流出端側の側面を拡大した断面図であり、図１８は図１７のＨ矢視図である。
図１７，１８に示すように、本実施形態の記録再生ヘッド２は、記録素子２１におけるコイル３４と主磁極３３との間に近接場光発生素子２６が配置されている。本実施形態における記録素子２１は、第１クラッド２４ａ内にモールドされた補助磁極３１及びコイル３４と、第２クラッド２４ｂ内にモールドされた主磁極３３と、補助磁極３１及び主磁極３３の間に配置されたヨーク１３５と、を備えている。

補助磁極３１は、再生素子２２上に配置されるとともに、Ｘ方向に沿って延在するヨーク１３５の一端側が接続されている。コイル３４は、ヨーク１３５を中心としてヨーク１３５の周囲に螺旋状に形成されている。また、ヨーク１３５には、Ｚ方向に貫通する貫通孔１３５ａが形成され、この貫通孔１３５ａ内を貫通するようにコア２３が配置されている。そして、ヨーク１３５の他端（コア２３を間に挟んで補助磁極３１の反対側）には、主磁極３３が接続されている。

ところで、上述したようにディスクＤの回転時において、記録再生ヘッド２が凸条部２０ｂによって浮上する力を受けると、ディスクＤ上から所定距離Ｈ離間した位置に浮上する（図２参照）。このとき、浮上時のスライダ２０の姿勢についてより詳細に説明すると、スライダ２０はディスク面Ｄ１に対して水平ではなく、僅かに傾いている。具体的には、スライダ２０の流出端側がディスクＤに最も接近した状態で、ディスク面Ｄ１とスライダ２０のＡＢＳ２０ｃとのなす角度が微小角度を保つように傾いている。

そこで、本実施形態によれば、スライダ２０における最も流出端側に、近接場光発生素子２６と主磁極３３とを配置できるので、近接場光発生素子２６による近接場光Ｒと、主磁極３３による磁界をディスクＤに最も接近した状態で発生させることができる。これにより、ディスクＤへの記録をスムーズ、かつ高精度に行うことができる。

なお、上述した第３実施形態では、補助磁極３１、コイル３４、及び主磁極３３をＸ方向から見て近接場光発生素子２６と重なるように配置し、コア２３がヨーク１３５内を貫通するように形成したが、これに限られない。例えば、図１９に示すように、補助磁極３１及び主磁極３３の一端側を屈曲させ、Ｘ方向から見てコイル３４及びヨーク１３５を近接場光発生素子２６からオフセットさせても構わない。
この構成によれば、上述した第３実施形態のようにヨーク１３５内にコア２３を貫通させる等の加工が必要ないので、製造効率の向上を図ることができる。

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。図２０は、図５に相当する図であって、第４実施形態における記録再生ヘッドを示す図である。本実施形態では、第１コア５４の側面２３ｄ、及び金属膜５１の斜面５１ｂとともに主磁極３３の先端部分３３ａ（後述する突出部２１１の斜面２１１ｂ）の外側端部を同一面上に配置する点で、上述した実施形態と相違している。なお、以下の説明では、上述した第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
図２０に示すように、本実施形態の記録再生ヘッド２０２における主磁極３３の先端部分３３ａは、第１クラッド２４ａ内に埋設されたベース部２１０と、ベース部２１０からコア２３側に向けてＸ方向に沿って突出する突出部２１１と、を有している。

突出部２１１は、Ｚ方向から見てコア２３側に向けて先細る等脚台形状に形成されている。具体的に、突出部２１１の上底２１１ａのＹ方向における幅は、金属膜５１の下底５１ｃと同一の幅に形成されている。さらに、突出部２１１の斜面２１１ｂは、第１コア５４の側面２３ｄ、及び金属膜５１の斜面５１ｂと同一面上に配置されている。すなわち、第１コア５４、金属膜５１、及び突出部２１１の積層体は、Ｚ方向から見て第１コア５４の相似形状に形成されている。なお、本実施形態において、第２コア５５は、第１コア５４の側面２３ｄから主磁極３３の突出部２１１の斜面２１１ｂ、及びベース部２１０に亘って、これら第１コア５４、及び主磁極３３を覆うように形成されている。

本実施形態の記録再生ヘッド２０２は、上述した第１実施形態の記録再生ヘッド２の製造方法とほぼ同等の工程を経ることで製造することができる。図２１は、図１０に相当する図であって、記録再生ヘッドの製造方法を説明するための工程図である。
まず、図２１（ａ）に示すように、第１クラッド母材１２４ａにおいて、主磁極３３の先端部分３３ａの形成領域に開口部１２４ｂが形成されるようにパターニングし、この開口部１２４ｂを埋めるように、第１クラッド母材１２４ａ上に主磁極３３の先端部分３３ａの母材（以下、磁極母材２２０という）を成膜する（磁極形成工程）。なお、第１クラッド１２４ａの開口部１２４ｂは、絶縁体３５、及び絶縁体３５内にモールドされた主磁極３３の基端部分が露出する深さまで形成する。これにより、図示しないが磁極母材２２０は、絶縁体３５内で主磁極３３の基端部分と接続される。

次に、図２１（ｂ）に示すように、上述した第１実施形態と同様に金属膜母材１５１、及び第１コア母材１５４を成膜した後、上述した第１パターニング工程と同様の方法により、第１コア母材１５４に対してマスクパターン（不図示）を介して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行う。この場合、Ｚ方向から見て、第１コア母材１５４における矩形状に残存した部分のＹ方向における幅が、磁極母材２２０における第１クラッド１２４ａの開口部１２４ｂ内に埋設された部分の幅（Ｙ方向の沿う開口部１２４ｂの幅）よりも狭くなるように、第１コア母材１５４をパターニングする。
その後、上述した第２パターニング工程と同様の方法により、スパッタエッチングを行い、第１コア母材１５４、金属膜母材１５１、及び磁極母材２２０を一括してエッチングする。その後は、上述した第１実施形態の工程と同様の工程を経ることで、上述した図１０に示す記録再生ヘッド２０２を製造できる。

このように、本実施形態では、第１コア５４、及び金属膜５１とともに主磁極３３の先端部分３３ａの母材を同一のパターニング工程で一括してパターニングすることで、Ｚ方向から見て第１コア５４の側面２３ｄ、金属膜５１の斜面５１ｂ、及び主磁極３３の突出部２１１における斜面２１１ｂが同一面上に配置されることになる。これにより、例えば、第１コア５４、金属膜５１、及び主磁極３３をそれぞれ別工程でパターニングする場合と異なり、第１コア５４、金属膜５１、及び主磁極３３を精度良く位置決めすることができる。さらに、高価な位置合わせ装置を用いることなく、第１コア５４、金属膜５１、及び主磁極３３を精度良く位置決めすることができるので、装置コストを低減できる。

この場合、主磁極３３の先端部分３３ａが、金属膜５１を間に挟んで第１コア５４の反対側から金属膜５１を覆うように形成される。そのため、近接場光Ｒの発生位置と、主磁極３３からの磁場の発生位置とを高精度に位置決めでき、記録再生ヘッド２０２自体の書き込みの信頼性を高め、高品質化を図ることができる。

また、仮に金属膜５１でプラズモン共鳴を起こさずに、光束が金属膜５１を透過してしまった場合であっても、光束を突出部２１１の上底２１１ａで反射させてコア２３内に戻すことで、再び金属膜５１に光束を入射させることができる。これにより、近接場光Ｒの発生効率をより向上できる。さらに、光束が金属膜５１でプラズモン共鳴を起こさずに外部に漏れるのを抑制できるので、コア２３の近傍のみに極めて小さい近接場光Ｒのスポットを生成することができる。

（第５実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図２２は、図５に相当する図であって、第５実施形態における記録再生ヘッドを示す図である。
図２２に示すように、本実施形態の記録再生ヘッド３０２では、主磁極３３の先端部分３０３が第１クラッド２４ａと金属膜５１との間に配置されている。主磁極３３の先端部分３０３は、Ｚ方向に沿う一端側が絶縁体３５内にモールドされた主磁極３３の基端部分に接続される一方、他端側がコア２３の端面２３ｅと面一となるように形成されている。また、先端部分３０３は、Ｚ方向から見てコア２３側に向けて先細る等脚台形状に形成されている。具体的に、先端部分３０３の上底３０３ａのＹ方向における幅は、金属膜５１の下底５１ｃと同一の幅に形成されている。さらに、先端部分３０３の斜面３０３ｂは、第１コア５４の側面２３ｄ、及び金属膜５１の斜面５１ｂと同一面上に配置されている。すなわち、第１コア５４、金属膜５１、及び先端部分３０３の積層体は、Ｚ方向から見て第１コア５４の相似形状に形成されるとともに、上述した積層体の各側面（及び斜面）全体が第２コア５５、及び遮光膜５２により覆われている。

図２３は、図２２に相当する図であって、記録再生ヘッドの製造方法を説明するための工程図である。
図２３（ａ）に示すように、本実施形態の記録再生ヘッドは３０２を製造するためには、まず第１クラッド２４ａ上に磁極母材３０４を成膜する（磁極形成工程）。なお、図示しないが、磁極母材３０４は、第１クラッド２４ａ、及び絶縁体３５を通して主磁極３３の基端部分と接続されている。
次に、図２３（ｂ）に示すように、上述した第１実施形態と同様に金属膜母材１５１、及び第１コア母材１５４を成膜した後、上述した第１パターニング工程と同様の方法により、第１コア母材１５４に対してマスクパターン（不図示）を介して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行う。本実施形態の第１パターニング工程では、第１コア母材１５４、金属膜母材１５１、及び磁極母材３０４をＸ方向に沿って一括してエッチングすることで、Ｚ方向から見て第１コア母材１５４、金属膜母材１５１、及び磁極母材３０４の積層体が矩形状に残存する。

次に、図２３（ｃ）に示すように、上述した第２パターニング工程と同様の方法により、スパッタエッチングを行い、第１コア母材１５４、金属膜母材１５１、及び磁極母材３０４を一括してエッチングする。この際、第１クラッド２４ａの表面が僅かに除去されるまでエッチングを行うことで、磁極母材３０４の角部、及び側面が全て除去され、第１コア５４の側面２３ｄ、及び金属膜５１の斜面５１ｂと同一面（斜面３０３ｂ）を有する先端部分３０３が形成される。

その後は、上述した第１実施形態の工程と同様の工程を経ることで、上述した図２２に示す記録再生ヘッド３０２を製造できる。

このように、本実施形態によれば、上述した第４実施形態と同様の効果を奏するとともに、金属膜５１から発生する近接場光Ｒと、主磁極３３の先端部分３０３から発生する磁場とをより縮小させ、高密度記録化に対応することができる。なお、上述した第３実施形態では、第２パターニング工程において、磁極母材３０４の角部、及び側面を全て除去する構成について説明したが、これに限らず、図２４に示すように、磁極母材３０４の側面を残存させた状態でエッチングを終了しても構わない。

（第６実施形態）
次に、本発明の第６実施形態について説明する。図２５は、図５に相当する図であって、第６実施形態における記録再生ヘッドを示す図である。
図２５に示すように、本実施形態の記録再生ヘッド４０２では、金属膜５１と主磁極３３の先端部分３０３との間に両者をＸ方向で画成する離間膜４０１が形成されている。この離間膜４０１は、絶縁材料により構成されていることが好ましく、本実施形態では上述したコア２３（第１コア５４、及び第２コア５５）と同材料により形成されている。なお、第１コア５４と第２コア５５とを異なる材料で形成した場合には、離間膜４０１は第２コア５５と同材料により形成することが好ましい。
本実施形態によれば、金属膜５１と主磁極３３の先端部分３０３とを電気的に絶縁できるとともに、金属膜５１の合金化を抑制できるので、金属膜５１での自由電子の運動に悪影響が及ぶことがない。そのため、近接場光Ｒの発生効率をより向上できる。

なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、上述した実施形態で挙げた構成等はほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
例えば、上述の実施形態では、記録再生ヘッドを浮上させた空気浮上タイプの情報記録再生装置を例に挙げて説明したが、この場合に限られず、ディスク面に対向配置されていればディスクと記録再生ヘッドとが接触していても構わない。つまり、本発明の記録再生ヘッドは、コンタクトスライダタイプの記録再生ヘッドであっても構わない。この場合であっても、同様の作用効果を奏することができる。
また、各実施形態を適宜組み合わせても構わない。

また、コア２３とクラッド２４とをそれぞれ異なる材料で一体的に形成した光束伝播素子２５を例に挙げたが、中空状に形成しても構わない。この場合には、中空となった空気部分がコアとなり、その周囲を囲んでいる部分がクラッドとなる。このように構成された光束伝播素子であっても、レーザ光Ｌを伝播させて近接場光発生素子２６に入射させることができる。
また、上述した実施形態では、本発明の記録再生ヘッド２をディスクＤに対して垂直な記録磁界を与える垂直磁気記録方式に採用する場合について説明したが、これに限らず、ディスクＤに対して水平な記録磁界を与える面内記録方式に採用しても構わない。

また、上述した第１パターニング工程において、コア２３の残存部６０を形成する方法について説明したが、残存部６０を残さずにコア２３の形成領域以外のコア２３を全て除去しても構わない。

さらに、金属膜５１と第１クラッドとの間にも遮光膜５２を形成しても構わない。すなわち、コア２３の全周に亘って遮光膜５２を形成しても構わない。この場合には、金属膜５１でプラズモン共鳴を起こさずに、金属膜５１を透過してしまったレーザ光を反射させてコア２３内に戻すことで、再び金属膜５１に入射させることができる。これにより、近接場光Ｒの発生効率をより向上できる。

また、上述した実施形態では、第１コア５４及び第２コア５５の２層によりコア２３を構成したが、これに限らず３層以上で構成しても構わない。
さらに、上述した実施形態では、金属膜５１の幅Ｗ１を第１コア５４の幅Ｗ２と同等に形成した場合について説明したが、これに限らず、第２コア５５の幅よりも狭ければ構わない。すなわち、金属膜５１を第１コア５４よりも狭く形成しても構わない。
また、スライダ２０の背面（対向面２０ａとは反対側の面）側にレーザ４３を搭載し、光導波路４２を介さずに直接、光束伝播素子２５にレーザ光Ｌを導入する構成にしても構わない。

１…情報記録再生装置 ２…記録再生ヘッド（近接場光ヘッド） ３…ビーム ５…アクチュエータ ６…スピンドルモータ（回転駆動部） ８…制御部 ２０…スライダ ２１…記録素子 ２３…コア ２３ｄ…側面（第２側面） ２３ｇ…側面（第１側面） ２４…クラッド ２４ａ…第１クラッド ２４ｂ…第２クラッド ２６…近接場光発生素子 ３１…補助磁極 ３３…主磁極 ４３…レーザ光源（光源） ５１…金属膜（近接場光発生部） ５１ａ…上底（界面） ５１ｂ…斜面（外側端部） ５２…遮光膜 ５４…第１コア ５５…第２コア Ｄ…ディスク（磁気記録媒体） １２３…コア母材 １２４ａ…第１クラッド母材 １５１…金属膜母材 ２２０，３０４…磁極母材 ４０１…離間膜

Claims (12)

1. 一端側に導入された光束を他端側に向けて集光しながら伝播するとともに、近接場光に生成した後に外部に発する近接場光発生素子であって、
   前記他端側に向けて前記光束を伝播させるコアと、
   前記コアにおける前記一端側から前記他端側に向かう前記光束の伝播方向に沿って配置され、前記コアとの界面に沿って前記光束を伝播させて、前記光束から前記近接場光を発生させる近接場光発生部と、を有し、
   前記コアは、第１コアと、前記第１コアを間に挟んで前記近接場光発生部の反対側から前記第１コアを覆う第２コアと、を備え、
   前記伝播方向から見て、前記第２コアの外側端部は、前記近接場光発生部の外側端部よりも外側に位置していることを特徴とする近接場光発生素子。
2. 前記第１コアと前記第２コアとが同一材料からなることを特徴とする請求項１記載の近接場光発生素子。
3. 前記コアの他端面を外部に露出させた状態で、前記コアを覆うクラッドを有し、
   前記第１コア、前記第２コア、及び前記クラッドは、前記クラッド、前記第２コア、前記第１コアの順で屈折率が大きくなるように構成されていることを特徴とする請求項１記載の近接場光発生素子。
4. 前記コアの他端面は、前記伝播方向から見て三角形状、または台形状に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３の何れか１項に記載の近接場光発生素子。
5. 前記第２コアを間に挟んで前記第１コアの反対側から前記第２コアを覆うように遮光膜が形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４の何れか１項に記載の近接場光発生素子。
6. 前記第１コアは、前記伝播方向に沿って延在する複数の側面を有し、
   前記複数の側面は、前記近接場光発生素子が配置された第１側面と、前記伝播方向から見て前記第１側面の両側で、前記第１側面の面方向に交差する方向に沿って配置された第２側面と、を有し、
   前記伝播方向から見て、前記第１コアの前記第２側面と同一面上に前記近接場光発生部の外側端部が配置されていることを特徴とする請求項１ないし請求項５の何れか１項に記載の近接場光発生素子。
7. 一端側に導入された光束を他端側に向けて集光しながら伝播するとともに、近接場光に生成した後に外部に発する近接場光発生素子の製造方法であって、
   前記他端側に向けて前記光束を伝播させるコアと、
   前記コアにおける前記一端側から前記他端側に向かう前記光束の伝播方向に沿って配置され、前記コアとの界面に沿って前記光束を伝播させて、前記光束から前記近接場光を発生させる近接場光発生部と、を有し、
   前記近接場光発生部の母材を形成する近接場光発生部形成工程と、
   前記近接場光発生部を覆うように前記コアのうち、第１コアの母材を形成する第１コア形成工程と、
   前記第１コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材を一括してパターニングするパターニング工程と、
   前記第１コアを間に挟んで前記近接場光発生部の反対側から前記第１コアを覆うように、前記コアのうち、第２コアを形成する第２コア形成工程と、を有していることを特徴とする近接場光発生素子の製造方法。
8. 請求項７に記載の近接場光発生素子の製造方法を使用して、一定方向に回転する磁気記録媒体を加熱するとともに、前記磁気記録媒体に対して記録磁界を与えることで磁化反転を生じさせ、情報を記録させる近接場光ヘッドの製造方法であって、
   前記近接場光発生部形成工程の前段に、記録磁界を発生させる磁極の母材を形成する磁極形成工程を有し、
   前記パターニング工程では、前記第１コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材とともに、前記磁極の母材を同一工程で一括してパターニングすることを特徴とする近接場光ヘッドの製造方法。
9. 一定方向に回転する磁気記録媒体を加熱するとともに、前記磁気記録媒体に対して記録磁界を与えることで磁化反転を生じさせ、情報を記録させる近接場光ヘッドであって、
   前記磁気記録媒体の表面に対向配置されたスライダと、
   前記スライダの先端側に配置され、前記記録磁界を発生させる磁極を有する記録素子と、
   前記他端側を前記磁気記録媒体側に向けた状態で前記記録素子に隣接して固定された、請求項１ないし請求項６の何れか１項に記載の近接場光発生素子と、
   前記スライダに固定され、前記一端側から前記コア内に前記光束を導入させる光束導入手段と、を備えていることを特徴とする近接場光ヘッド。
10. 前記第１コアは、前記伝播方向に沿って延在する複数の側面を有し、
    前記複数の側面は、前記近接場光発生素子が配置された第１側面と、前記伝播方向から見て前記第１側面の両側で、前記第１側面の面方向に交差する方向に沿って配置された第２側面と、を有し、
    前記磁極は、前記近接場光発生部を間に挟んで前記第１コアの前記第１側面に対向配置されるとともに、前記伝播方向から見て、前記第１コアの前記第２側面と同一面上に前記磁極の外側端部が配置されていることを特徴とする請求項９記載の近接場光ヘッド。
11. 前記近接場光発生部と前記磁極との間には、前記近接場光発生部と前記磁極との間を画成する離間膜が形成されていることを特徴とする請求項９または請求項１０記載の近接場光ヘッド。
12. 請求項９ないし請求項１１の何れか１項に記載の近接場光ヘッドと、
    前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に移動可能とされ、前記磁気記録媒体の表面に平行で且つ互いに直交する２軸回りに回動自在な状態で前記近接場光ヘッドを先端側で支持するビームと、
    前記光束導入手段に対して前記光束を入射させる光源と、
    前記ビームの基端側を支持するとともに、前記ビームを前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に向けて移動させるアクチュエータと、
    前記磁気記録媒体を前記一定方向に回転させる回転駆動部と、
    前記記録素子及び前記光源の作動を制御する制御部と、を備えていることを特徴とする情報記録再生装置。

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