JP2012064881A - Substrate processing system - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the difference of representative value data not caused by actual device state, processing state, or the like.SOLUTION: A group management device in the substrate processing system has a communication unit which receives monitor data from a substrate processing device, a storage unit which stores the monitor data so as to be read, a representative value data generation unit which generates representative value data based on monitor data conforming to the data extraction conditions when a predetermined event is detected and stores representative value data in the storage unit together with time data, and a representative value data processing unit which processes the representative value data to be displayed in a display unit.

Description

本発明は、基板処理装置と、基板処理装置に接続された群管理装置と、を含む基板処理システムに関する。   The present invention relates to a substrate processing system including a substrate processing apparatus and a group management apparatus connected to the substrate processing apparatus.

レシピに基づく基板処理工程(バッチ処理)を実行する基板処理装置の内部では、基板処理工程の進行状況や基板処理装置の稼働状態を示すモニタデータ(例えば温度、ガス流量、圧力等の時系列データ)が多数発生する。基板処理システムでは、このモニタデータを基に基板処理工程の進行状況や基板処理装置群の稼働状態を統合的かつ効率的に管理するため、群管理装置(上位管理装置)が用いられてきた。群管理装置は基板処理装置群に接続され、例えば各基板処理装置から受信したモニタデータを格納する格納部と、格納部に格納されたモニタデータのうち、一部のモニタデータに基づくデータを表示する表示部と、を有する。   Inside the substrate processing apparatus that executes the substrate processing process (batch processing) based on the recipe, monitor data indicating the progress of the substrate processing process and the operating state of the substrate processing apparatus (for example, time series data such as temperature, gas flow rate, pressure, etc.) ) Occur in large numbers. In the substrate processing system, a group management device (upper management device) has been used in order to manage the progress of the substrate processing process and the operating state of the substrate processing apparatus group in an integrated and efficient manner based on the monitor data. The group management device is connected to the substrate processing device group, for example, a storage unit that stores monitor data received from each substrate processing device, and displays data based on a part of the monitor data among the monitor data stored in the storage unit A display unit.

上記構成によれば、例えば同じレシピに基づく基板処理工程を経た複数の基板やバッチのデータを上記表示部にそれぞれ表示させることで、同一レシピ間での基板やバッチの状態比較等を行うことができる。表示対象となる一部のモニタデータには、例えば1時間単位等の一定時間ごとに区切られた所定期間のモニタデータが用いられる。係るモニタデータを基に、例えば平均値、最大値、最小値等を含む代表値データが生成されて表示部に表示される。   According to the above configuration, for example, by displaying data on a plurality of substrates and batches that have undergone substrate processing steps based on the same recipe on the display unit, it is possible to perform a state comparison of substrates and batches between the same recipes. it can. For a part of the monitor data to be displayed, for example, monitor data for a predetermined period divided every fixed time such as one hour unit is used. Based on the monitor data, representative value data including, for example, an average value, a maximum value, a minimum value, and the like is generated and displayed on the display unit.

しかしながら、上記所定期間は、基板処理装置内で発生するイベント、例えばレシピの実行開始や実行終了、レシピに含まれる各ステップの実行開始や実行終了等とは無関係に区切られるため、同じレシピに基づく同等の結果であっても、その時々で異なる代表値データが生成され、見かけ上、異なる結果であるかのように見えてしまうことがある。つまり、例えば温度に係る代表値データが、図10に示すように、温度が略一定の保温ステップ時のモニタデータのみから生成される場合と、昇温ステップの途中状態のモニタデータを含んで生成される場合とでは、実際の装置状態や処理状態等に因らない差異が代表値データに生じ、同一レシピ間での基板やバッチの状態比較が困難となる場合がある。   However, the predetermined period is divided regardless of events occurring in the substrate processing apparatus, for example, the start and end of execution of the recipe, the start and end of execution of each step included in the recipe, and so on. Even if the result is equivalent, different representative value data is generated from time to time, and it may appear as if the result is different. That is, for example, as shown in FIG. 10, the representative value data relating to the temperature is generated including only the monitor data at the temperature maintaining step at which the temperature is substantially constant and the monitor data in the middle of the temperature increasing step. In some cases, a difference that does not depend on the actual apparatus state, processing state, or the like occurs in the representative value data, and it may be difficult to compare the states of the substrates and batches between the same recipes.

そこで本発明の目的は、実際の装置状態や処理状態等に因らない代表値データの差異を低減し、同一レシピ間での基板やバッチの状態比較がより容易となる基板処理システムを提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing system that reduces the difference in representative value data that does not depend on the actual apparatus state, processing state, etc., and makes it easier to compare the state of substrates and batches between the same recipe. There is.

本発明の一態様によれば、複数のイベントを発生させながらレシピを実行する基板処理装置と、前記基板処理装置に接続される群管理装置と、を含む基板処理システムであって、前記群管理装置は、前記レシピの進行状況又は前記基板処理装置の稼働状態を示すモニタデータを前記基板処理装置から受信する通信部と、前記通信部が受信した前記モニタデータを読み出し可能に格納する格納部と、所定のイベントが検出されると、前記モニタデータを抽出する区間を規定するデータ抽出条件を参照しつつ、前記格納部に格納された前記モニタデータのうち、前記データ抽出条件に適合する前記モニタデータを前記格納部から読み出し、読み出した前記モニタデータを基に代表値データを生成し、生成した前記代表値データと前記代表値データに関連する時刻データとを併せて前記格納部に格納する代表値データ生成部と、前記格納部に格納された前記代表値データを加工して表示部に表示
させる代表値データ加工部と、を有する基板処理システムが提供される。
According to one aspect of the present invention, there is provided a substrate processing system including a substrate processing apparatus that executes a recipe while generating a plurality of events, and a group management apparatus connected to the substrate processing apparatus, wherein the group management An apparatus includes: a communication unit that receives monitor data indicating a progress status of the recipe or an operating state of the substrate processing apparatus from the substrate processing apparatus; and a storage unit that stores the monitor data received by the communication unit in a readable manner. When a predetermined event is detected, the monitor that matches the data extraction condition among the monitor data stored in the storage unit while referring to a data extraction condition that defines a section for extracting the monitor data Read data from the storage unit, generate representative value data based on the read monitor data, and generate the representative value data and the representative value data A representative value data generating unit that stores the related time data in the storage unit; and a representative value data processing unit that processes the representative value data stored in the storage unit and displays the data on the display unit. A substrate processing system is provided.

本発明によれば、実際の装置状態や処理状態等に因らない代表値データの差異を低減し、同一レシピ間での基板やバッチの状態比較がより容易となる基板処理システムが提供される。   According to the present invention, there is provided a substrate processing system that reduces the difference in representative value data that does not depend on the actual apparatus state, processing state, etc., and makes it easier to compare the state of substrates and batches between the same recipes. .

本発明の第1実施形態に係る基板処理システムのブロック構成図である。It is a block block diagram of the substrate processing system which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る代表値データの生成方法の説明図であって、(a)は温度のモニタデータを例示する時系列グラフであり、(b)は代表値データを例示するテーブルである。It is explanatory drawing of the production | generation method of the representative value data which concerns on 1st Embodiment of this invention, Comprising: (a) is a time series graph which illustrates temperature monitor data, (b) is a table which illustrates representative value data. It is. 本発明の第1実施形態に係る代表値データを加工して得られるローソク足チャートを例示するグラフである。It is a graph which illustrates the candlestick chart obtained by processing the representative value data concerning a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る代表値データを加工して得られるバーチャートの説明図である。It is explanatory drawing of the bar chart obtained by processing the representative value data which concern on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る代表値データを加工して得られるローソク足チャートの読み取り説明図である。It is reading explanatory drawing of the candlestick chart obtained by processing the representative value data which concern on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る群管理装置の内部動作を例示する模式図である。It is a schematic diagram which illustrates the internal operation | movement of the group management apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る基板処理装置の斜透視図である。1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る基板処理装置の側面透視図である。1 is a side perspective view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る基板処理装置の処理炉の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the processing furnace of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 参考例に係る代表値データの生成方法の説明図であって、最上段から順に異なるタイミングで区間を区切られた温度のモニタデータを例示する時系列グラフ、代表値データを例示するテーブル及び平均値データを例示する時系列グラフであり、(a)及び(b)は、それぞれ同じレシピで処理された異なる基板のデータ又はグラフである。It is explanatory drawing of the production | generation method of the representative value data which concerns on a reference example, Comprising: The time series graph which illustrates the monitor data of the temperature which divided the area at a different timing sequentially from the top, the table which illustrates representative value data, and an average value It is a time series graph which illustrates data, (a) and (b) are data or a graph of a different board processed by the same recipe, respectively.

<本発明の第1実施形態>
以下に、本発明の第1実施形態について説明する。
<First Embodiment of the Present Invention>
The first embodiment of the present invention will be described below.

(1)基板処理装置の構成
続いて、本実施形態に係る基板処理装置100の構成について、図7、図8を参照しながら説明する。図7は、本実施形態に係る基板処理装置100の斜透視図である。図8は、本実施形態に係る基板処理装置100の側面透視図である。なお、本実施形態に係る基板処理装置100は、例えばウエハ等の基板に成膜処理、酸化処理、拡散処理などを行なう縦型の装置として構成されている。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus Next, the configuration of the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a perspective view of the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment. FIG. 8 is a side perspective view of the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment. Note that the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment is configured as a vertical apparatus that performs film formation processing, oxidation processing, diffusion processing, and the like on a substrate such as a wafer.

図7、図8に示すように、本実施形態に係る基板処理装置100は、耐圧容器として構成された筐体111を備えている。筐体111の正面壁111aの正面前方には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口103が設けられている。正面メンテナンス口103には、正面メンテナンス口103を開閉する正面メンテナンス扉104が設けられている。   As shown in FIGS. 7 and 8, the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment includes a casing 111 configured as a pressure vessel. A front maintenance port 103 is provided in front of the front wall 111a of the casing 111 as an opening provided for maintenance. The front maintenance port 103 is provided with a front maintenance door 104 that opens and closes the front maintenance port 103.

シリコン(Si)等で構成される基板としてのウエハ200を筐体111内外へ搬送するには、複数のウエハ200を収納するウエハキャリア(基板収容器)としてのポッド110が使用される。筐体111の正面壁111aには、ポッド搬入搬出口(基板収容器搬入搬出口)112が、筐体111内外を連通するように開設されている。ポッド搬入搬出口112は、フロントシャッタ(基板収容器搬入搬出口開閉機構)113によって開閉さ
れるようになっている。ポッド搬入搬出口112の正面下方側には、ロードポート(基板収容器受渡し台)114が設置されている。ポッド110は、工程内搬送装置(図示せず)によって搬送され、ロードポート114上に載置されて位置合わせされるように構成されている。
In order to transfer the wafer 200 as a substrate made of silicon (Si) or the like into or out of the housing 111, a pod 110 as a wafer carrier (substrate container) that stores a plurality of wafers 200 is used. A pod loading / unloading port (substrate container loading / unloading port) 112 is opened on the front wall 111 a of the housing 111 so as to communicate between the inside and the outside of the housing 111. The pod loading / unloading port 112 is opened and closed by a front shutter (substrate container loading / unloading port opening / closing mechanism) 113. A load port (substrate container delivery table) 114 is installed on the lower front side of the pod loading / unloading port 112. The pod 110 is transported by an in-process transport device (not shown), and is placed on the load port 114 and aligned.

筐体111内におけるロードポート114の近傍には、ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118が設置されている。筐体111内のポッド搬送装置118のさらに奥、筐体111内の前後方向の略中央部における上方には、回転式ポッド棚(基板収容器載置棚)105が設置されている。回転式ポッド棚105の下方には、一対のポッドオープナ(基板収容器蓋体開閉機構)121が上下段にそれぞれ設置されている。   A pod transfer device (substrate container transfer device) 118 is installed near the load port 114 in the housing 111. A rotary pod shelf (substrate container mounting shelf) 105 is installed at a further depth of the pod transfer device 118 in the casing 111 and above a substantially central portion of the casing 111 in the front-rear direction. Below the rotary pod shelf 105, a pair of pod openers (substrate container lid opening / closing mechanisms) 121 are respectively installed in the upper and lower stages.

ポッド搬送装置118は、ポッド110を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ(基板収容器昇降機構)118aと、搬送機構としてのポッド搬送機構(基板収容器搬送機構)118bとで構成されている。ポッド搬送装置118は、ポッドエレベータ118aとポッド搬送機構118bとの連続動作により、ロードポート114、回転式ポッド棚105、ポッドオープナ121の間で、ポッド110を相互に搬送するように構成されている。   The pod transfer device 118 includes a pod elevator (substrate container lifting mechanism) 118a that can be moved up and down while holding the pod 110, and a pod transfer mechanism (substrate container transfer mechanism) 118b as a transfer mechanism. The pod transfer device 118 is configured to transfer the pods 110 between the load port 114, the rotary pod shelf 105, and the pod opener 121 by continuous operation of the pod elevator 118a and the pod transfer mechanism 118b. .

回転式ポッド棚105上には、複数個のポッド110が保管されるように構成されている。回転式ポッド棚105は、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱116と、上中下段の各位置において支柱116に放射状に支持された複数枚の棚板(基板収容器載置台)117と、を備えている。複数枚の棚板117は、ポッド110を複数個それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。   A plurality of pods 110 are stored on the rotary pod shelf 105. The rotary pod shelf 105 includes a support column 116 that is erected vertically and intermittently rotates in a horizontal plane, and a plurality of shelf plates (substrate container mounting table) that are radially supported by the support column 116 at each of the upper, middle, and lower positions. 117). The plurality of shelf plates 117 are configured to hold a plurality of pods 110 in a state where they are mounted.

ポッドオープナ121が配置される筐体111内の下部には、サブ筐体119が筐体111内の前後方向の略中央部から後端にわたって設けられている。サブ筐体119の正面壁119aには、ウエハ200をサブ筐体119内外に搬送する一対のウエハ搬入搬出口(基板搬入搬出口)120が、垂直方向に上下二段に並べられて設けられている。ポッドオープナ121は、上下段のウエハ搬入搬出口120にそれぞれ設置されている。   A sub-housing 119 is provided at a lower portion in the housing 111 where the pod opener 121 is disposed, extending from a substantially central portion in the front-rear direction in the housing 111 to the rear end. A pair of wafer loading / unloading ports (substrate loading / unloading ports) 120 that transfer the wafer 200 into and out of the sub-casing 119 are provided on the front wall 119a of the sub-casing 119 so as to be arranged vertically in two stages. Yes. The pod opener 121 is installed at each of the upper and lower wafer loading / unloading ports 120.

各ポッドオープナ121は、ポッド110を載置する一対の載置台122と、ポッド110のキャップ(蓋体)を着脱するキャップ着脱機構(蓋体着脱機構)123と、を備えている。ポッドオープナ121は、載置台122上に載置されたポッド110のキャップをキャップ着脱機構123によって着脱することにより、ポッド110のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。   Each pod opener 121 includes a pair of mounting bases 122 on which the pod 110 is mounted, and a cap attaching / detaching mechanism (lid attaching / detaching mechanism) 123 that attaches / detaches a cap (cover) of the pod 110. The pod opener 121 is configured to open and close the wafer loading / unloading port of the pod 110 by attaching / detaching the cap of the pod 110 placed on the placing table 122 by the cap attaching / detaching mechanism 123.

サブ筐体119内には、ポッド搬送装置118や回転式ポッド棚105等が設置された空間から流体的に隔絶された移載室124が構成されている。移載室124の前側領域にはウエハ移載機構(基板移載機構)125が設置されている。ウエハ移載機構125は、ウエハ200を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置(基板移載装置)125aと、ウエハ移載装置125aを昇降させるウエハ移載装置エレベータ(基板移載装置昇降機構)125bと、で構成されている。図7に示すように、ウエハ移載装置エレベータ125bは、サブ筐体119の移載室124前方領域右端部と筐体111右側端部との間に設置されている。ウエハ移載装置125aは、ウエハ200の載置部としてのツイーザ(基板保持体)125cを備えている。ウエハ移載装置125aを挟んでウエハ移載装置エレベータ125bとは反対の側には、ウエハ200の円周方向の位置を合わせる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置(図示せず)が設置されている。ウエハ移載装置エレベータ125b及びウエハ移載装置125aの連続動作により、後述のボート217に対してウエハ200を装填(チャージング)及び脱装(ディスチャージング)するように構成されている。   In the sub casing 119, a transfer chamber 124 that is fluidly isolated from a space in which the pod transfer device 118, the rotary pod shelf 105, and the like are installed is configured. A wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125 is installed in the front region of the transfer chamber 124. The wafer transfer mechanism 125 includes a wafer transfer device (substrate transfer device) 125a that can rotate or linearly move the wafer 200 in the horizontal direction, and a wafer transfer device elevator (substrate transfer device) that moves the wafer transfer device 125a up and down. Elevating mechanism) 125b. As shown in FIG. 7, the wafer transfer apparatus elevator 125 b is installed between the right end of the front area of the transfer chamber 124 and the right end of the casing 111 of the sub casing 119. The wafer transfer device 125 a includes a tweezer (substrate holding body) 125 c as a mounting portion for the wafer 200. A notch alignment device (not shown) as a substrate alignment device for aligning the circumferential position of the wafer 200 is installed on the opposite side of the wafer transfer device elevator 125b across the wafer transfer device 125a. . The wafer 200 is loaded (charged) and unloaded (discharged) from a boat 217 described later by the continuous operation of the wafer transfer device elevator 125b and the wafer transfer device 125a.

移載室124の後側領域には、ボート217を収容して待機させる待機部126が構成されている。待機部126の上方には、ウエハ200を処理する処理炉202が設けられている。処理炉202の下端部は、炉口シャッタ(炉口開閉機構)147により開閉されるように構成されている。なお、処理炉202の構成については後述する。   In the rear region of the transfer chamber 124, a standby unit 126 that houses and waits for the boat 217 is configured. A processing furnace 202 for processing the wafer 200 is provided above the standby unit 126. The lower end portion of the processing furnace 202 is configured to be opened and closed by a furnace port shutter (furnace port opening / closing mechanism) 147. The configuration of the processing furnace 202 will be described later.

図7に示すように、サブ筐体119の待機部126右端部と筐体111右側端部との間には、ボート217を昇降させるためのボートエレベータ(基板保持具昇降機構)115が設置されている。ボートエレベータ115の昇降台には、連結具としてのアーム128が連結されている。アーム128には、炉口蓋体としてのシールキャップ219が水平に据え付けられている。シールキャップ219は、ボート217を垂直に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成されている。   As shown in FIG. 7, a boat elevator (substrate holder lifting mechanism) 115 for raising and lowering the boat 217 is installed between the right end portion of the standby portion 126 and the right end portion of the casing 111 of the sub-housing 119. ing. An arm 128 as a connecting tool is connected to the elevator platform of the boat elevator 115. A seal cap 219 as a furnace port lid is horizontally installed on the arm 128. The seal cap 219 is configured to support the boat 217 vertically and to close the lower end portion of the processing furnace 202.

ボート(基板保持具)217は複数本の保持部材を備えている。ボート217は、複数枚(例えば、50枚〜125枚程度)のウエハ200を、中心を揃えて垂直方向に整列させた状態でそれぞれ水平に保持するように構成されている。   The boat (substrate holder) 217 includes a plurality of holding members. The boat 217 is configured to hold a plurality of (for example, about 50 to 125) wafers 200 horizontally in a state where the centers are aligned in the vertical direction.

図7に示すように、移載室124のウエハ移載装置エレベータ125b側及びボートエレベータ115側と反対側の左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア133を供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット134が設置されている。クリーンユニット134から吹き出されたクリーンエア133は、ノッチ合わせ装置、ウエハ移載装置125a、待機部126にあるボート217の周囲を流通した後、図示しないダクトにより吸い込まれて筐体111の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット134の吸い込み側である一次側(供給側)にまで循環されて、移載室124内に再び吹き出されるように構成されている。   As shown in FIG. 7, clean air 133, which is a cleaned atmosphere or an inert gas, is supplied to the left end of the transfer chamber 124 on the side opposite to the wafer transfer device elevator 125b side and the boat elevator 115 side. A clean unit 134 composed of a supply fan and a dustproof filter is installed. The clean air 133 blown out from the clean unit 134 flows around the notch aligner, the wafer transfer device 125a, and the boat 217 in the standby unit 126, and is then sucked by a duct (not shown) and exhausted to the outside of the casing 111. Or is circulated to the primary side (supply side) which is the suction side of the clean unit 134 and is blown out again into the transfer chamber 124.

(2)基板処理装置の動作
次に、本実施形態に係る基板処理装置100の動作について、図7、図8を参照しながら説明する。以下の動作は、例えば搬送レシピに基づいて実施される。搬送レシピは、基板処理装置100内のウエハ200の搬送に用いられ、例えば、基板処理を行うプロセスレシピと併用されて基板処理工程に適用される。
(2) Operation of Substrate Processing Apparatus Next, the operation of the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. The following operations are performed based on, for example, a transport recipe. The transfer recipe is used for transferring the wafer 200 in the substrate processing apparatus 100, and is applied to the substrate processing step in combination with a process recipe for performing substrate processing, for example.

図7、図8に示すように、ポッド110がロードポート114に載置されると、ポッド搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放される。ロードポート114の上のポッド110は、ポッド搬送装置118によってポッド搬入搬出口112から筐体111内部へと搬入される。   As shown in FIGS. 7 and 8, when the pod 110 is placed on the load port 114, the pod loading / unloading port 112 is opened by the front shutter 113. The pod 110 on the load port 114 is carried into the housing 111 from the pod carry-in / out port 112 by the pod carrying device 118.

筐体111内部へと搬入されたポッド110は、ポッド搬送装置118によって回転式ポッド棚105の棚板117上へ自動的に搬送されて一時的に保管された後、棚板117上から一方のポッドオープナ121の載置台122上に移載される。筐体111内部へと搬入されたポッド110は、ポッド搬送装置118によって直接ポッドオープナ121の載置台122上に移載されてもよい。ポッドオープナ121のウエハ搬入搬出口120はキャップ着脱機構123によって閉じられており、移載室124内にはクリーンエア133が流通され、充満されている。例えば、不活性ガス等のクリーンエア133で移載室124内が充満されることにより、移載室124内の酸素濃度が例えば20ppm以下となり、大気雰囲気となっている筐体111内の酸素濃度よりも遥かに低くなるように設定されている。   The pod 110 carried into the housing 111 is automatically transported and temporarily stored on the shelf plate 117 of the rotary pod shelf 105 by the pod transport device 118, and then one of the pods 110 from the shelf plate 117. It is transferred onto the mounting table 122 of the pod opener 121. The pod 110 carried into the housing 111 may be directly transferred onto the mounting table 122 of the pod opener 121 by the pod transfer device 118. The wafer loading / unloading port 120 of the pod opener 121 is closed by a cap attaching / detaching mechanism 123, and clean air 133 is circulated and filled in the transfer chamber 124. For example, when the transfer chamber 124 is filled with clean air 133 such as an inert gas, the oxygen concentration in the transfer chamber 124 becomes, for example, 20 ppm or less, and the oxygen concentration in the casing 111 that is in an atmospheric atmosphere. Is set to be much lower.

載置台122上に載置されたポッド110は、その開口側端面がサブ筐体119の正面壁119aに設けられたウエハ搬入搬出口120の開口縁辺部に押し付けられるとともに
、ポッド110のキャップがキャップ着脱機構123によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。その後、ウエハ200は、ウエハ移載装置125aのツイーザ125cによってウエハ出し入れ口を通じてポッド110内からピックアップされ、ノッチ合わせ装置にて円周方向の位置合わせがされた後、移載室124の後方にある待機部126内へ搬入され、ボート217内に装填(チャージング)される。ボート217内にウエハ200を装填したウエハ移載装置125aは、ポッド110に戻り、次のウエハ200をボート217内に装填する。
The pod 110 mounted on the mounting table 122 is pressed against the opening edge of the wafer loading / unloading port 120 provided on the front wall 119a of the sub housing 119 at the opening side end surface, and the cap of the pod 110 is capped. It is removed by the attaching / detaching mechanism 123 and the wafer loading / unloading opening is opened. After that, the wafer 200 is picked up from the pod 110 through the wafer loading / unloading port by the tweezer 125c of the wafer transfer device 125a and is positioned in the circumferential direction by the notch alignment device, and then located behind the transfer chamber 124. It is carried into the standby unit 126 and loaded (charged) into the boat 217. The wafer transfer device 125 a loaded with the wafer 200 in the boat 217 returns to the pod 110 and loads the next wafer 200 into the boat 217.

ウエハ移載機構125によって、一方(上段または下段)のポッドオープナ121からボート217へとウエハ200を装填する間に、他方(下段または上段)のポッドオープナ121の載置台122上には、別のポッド110が回転式ポッド棚105上からポッド搬送装置118によって搬送されて移載され、上記ウエハ200の装填作業と同時進行で、ポッドオープナ121によるポッド110の開放作業が行われる。   While the wafers 200 are loaded from one (upper or lower) pod opener 121 to the boat 217 by the wafer transfer mechanism 125, the other (lower or upper) pod opener 121 is placed on the mounting table 122. The pod 110 is transferred from the rotary pod shelf 105 by the pod transfer device 118 and transferred, and the pod opener 121 opens the pod 110 simultaneously with the loading operation of the wafer 200.

予め指定された枚数のウエハ200がボート217に装填されると、炉口シャッタ147によって閉じられていた処理炉202の下端部が開放される。続いて、ウエハ200群を保持したボート217は、シールキャップ219がボートエレベータ115によって上昇されることにより処理炉202内へ搬入(ボートローディング)される。   When a predetermined number of wafers 200 are loaded into the boat 217, the lower end of the processing furnace 202 closed by the furnace port shutter 147 is opened. Subsequently, the boat 217 holding the group of wafers 200 is loaded into the processing furnace 202 (boat loading) when the seal cap 219 is lifted by the boat elevator 115.

ローディング後は、処理炉202内にてウエハ200に任意の処理が実施される。処理後は、ノッチ合わせ装置によるウエハの位置合わせを除き、上述の手順とほぼ逆の手順で、処理後のウエハ200を格納したボート217が処理炉202内より搬出され、処理後のウエハ200を格納したポッド110が筐体111外へと搬出される。   After loading, arbitrary processing is performed on the wafer 200 in the processing furnace 202. After the processing, the boat 217 storing the processed wafers 200 is unloaded from the processing furnace 202 by a procedure almost opposite to the above-described procedure except for the wafer alignment by the notch aligning device. The stored pod 110 is carried out of the casing 111.

(3)処理炉の構成
続いて、本実施形態に係る処理炉202の構成について、図9を用いて説明する。図9は、本実施形態に係る基板処理装置100の処理炉202の縦断面図である。
(3) Configuration of Processing Furnace Next, the configuration of the processing furnace 202 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a longitudinal sectional view of the processing furnace 202 of the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment.

図9に示すように、処理炉202は、反応管としてのプロセスチューブ203を備えている。プロセスチューブ203は、内部反応管としてのインナーチューブ204と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ205と、を備えている。インナーチューブ204は、例えば石英(SiO)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ204内の筒中空部には、基板としてのウエハ200を処理する処理室201が形成されている。処理室201内は、後述するボート217を収容可能なように構成されている。アウターチューブ205は、インナーチューブ204と同心円状に設けられている。アウターチューブ205は、内径がインナーチューブ204の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ205は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなる。 As shown in FIG. 9, the processing furnace 202 includes a process tube 203 as a reaction tube. The process tube 203 includes an inner tube 204 as an internal reaction tube and an outer tube 205 as an external reaction tube provided on the outside thereof. The inner tube 204 is made of a heat-resistant material such as quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC), and is formed in a cylindrical shape having upper and lower ends opened. A processing chamber 201 for processing a wafer 200 as a substrate is formed in a hollow cylindrical portion in the inner tube 204. The processing chamber 201 is configured to accommodate a boat 217 described later. The outer tube 205 is provided concentrically with the inner tube 204. The outer tube 205 has an inner diameter larger than the outer diameter of the inner tube 204, is formed in a cylindrical shape with the upper end closed and the lower end opened. The outer tube 205 is made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide.

プロセスチューブ203の外側には、プロセスチューブ203の側壁面を囲うように、加熱機構としてのヒータ206が設けられている。ヒータ206は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース251に支持されることにより垂直に据え付けられている。   A heater 206 as a heating mechanism is provided outside the process tube 203 so as to surround the side wall surface of the process tube 203. The heater 206 has a cylindrical shape and is vertically installed by being supported by a heater base 251 as a holding plate.

プロセスチューブ203内には、温度検出器としての温度センサ263が設置されている。ヒータ206と温度センサ263とには、温度制御部237が電気的に接続されている。温度制御部237は、温度センサ263により検出された温度情報に基づいて、処理室201内の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるように、ヒータ206への通電具合を調整するよう構成されている。   A temperature sensor 263 is installed in the process tube 203 as a temperature detector. A temperature controller 237 is electrically connected to the heater 206 and the temperature sensor 263. Based on the temperature information detected by the temperature sensor 263, the temperature control unit 237 adjusts the power supply to the heater 206 so that the temperature in the processing chamber 201 becomes a desired temperature distribution at a desired timing. It is configured.

アウターチューブ205の下方には、アウターチューブ205と同心円状になるように、マニホールド209が設けられている。マニホールド209は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド209は、インナーチューブ204の下端部とアウターチューブ205の下端部とにそれぞれ係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド209とアウターチューブ205との間には、シール部材としてのOリング220aが設けられている。マニホールド209がヒータベース251に支持されることにより、プロセスチューブ203は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ203とマニホールド209とにより反応容器が形成される。   A manifold 209 is provided below the outer tube 205 so as to be concentric with the outer tube 205. The manifold 209 is made of, for example, stainless steel and is formed in a cylindrical shape with an upper end and a lower end opened. The manifold 209 is engaged with the lower end portion of the inner tube 204 and the lower end portion of the outer tube 205, and is provided so as to support them. An O-ring 220a as a seal member is provided between the manifold 209 and the outer tube 205. By supporting the manifold 209 on the heater base 251, the process tube 203 is installed vertically. A reaction vessel is formed by the process tube 203 and the manifold 209.

マニホールド209の下方には、マニホールド209の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、マニホールド209の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ219は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には、マニホールド209の下端と当接するシール部材としてのOリング220bが設けられている。シールキャップ219は、プロセスチューブ203の外部に垂直に設備された基板保持具昇降機構としてのボートエレベータ115によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ219を昇降させることにより、ボート217を処理室201内外へ搬送することが可能なように構成されている。   Below the manifold 209, a seal cap 219 is provided as a furnace port lid that can airtightly close the lower end opening of the manifold 209. The seal cap 219 is brought into contact with the lower end of the manifold 209 from the lower side in the vertical direction. The seal cap 219 is made of a metal such as stainless steel and has a disk shape. On the upper surface of the seal cap 219, an O-ring 220b is provided as a seal member that comes into contact with the lower end of the manifold 209. The seal cap 219 is configured to be lifted and lowered in the vertical direction by a boat elevator 115 as a substrate holder lifting mechanism vertically installed outside the process tube 203. By moving the seal cap 219 up and down, the boat 217 can be transferred into and out of the processing chamber 201.

シールキャップ219の中心部付近であって処理室201と反対側には、ボート217を回転させる回転機構254が設置されている。回転機構254の回転軸255は、シールキャップ219を貫通してボート217を下方から支持している。回転機構254は、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させることが可能なように構成されている。   A rotation mechanism 254 for rotating the boat 217 is installed near the center of the seal cap 219 and on the side opposite to the processing chamber 201. The rotation shaft 255 of the rotation mechanism 254 passes through the seal cap 219 and supports the boat 217 from below. The rotation mechanism 254 is configured to rotate the wafer 200 by rotating the boat 217.

ボートエレベータ115及び回転機構254には、搬送制御部238が電気的に接続されている。搬送制御部238は、回転機構254及びボートエレベータ115が所望のタイミングにて所望の動作をするように、これらを制御するよう構成されている。なお、搬送制御部238は、上述のポッドエレベータ118a、ポッド搬送機構118b、ポッドオープナ121、ウエハ移載装置125a、ウエハ移載装置エレベータ125b等にも電気的に接続され、これら各部が所望のタイミングにて所望の動作をするように、これらを制御するよう構成されている。主に、ボートエレベータ115、回転機構254、ポッドエレベータ118a、ポッド搬送機構118b、ポッドオープナ121、ウエハ移載装置125a、ウエハ移載装置エレベータ125bにより、本実施形態に係る搬送系が構成される。   A conveyance control unit 238 is electrically connected to the boat elevator 115 and the rotation mechanism 254. The conveyance control unit 238 is configured to control the rotation mechanism 254 and the boat elevator 115 so as to perform a desired operation at a desired timing. The transfer control unit 238 is also electrically connected to the pod elevator 118a, the pod transfer mechanism 118b, the pod opener 121, the wafer transfer device 125a, the wafer transfer device elevator 125b, and the like. These are controlled so as to perform a desired operation. The boat elevator 115, the rotation mechanism 254, the pod elevator 118a, the pod transfer mechanism 118b, the pod opener 121, the wafer transfer device 125a, and the wafer transfer device elevator 125b mainly constitute a transfer system according to this embodiment.

基板保持具としてのボート217は、複数枚のウエハ200を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート217は、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料からなる。ボート217の下部には、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板216が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ206からの熱がマニホールド209側に伝わり難くなるように構成されている。   A boat 217 as a substrate holder is configured to hold a plurality of wafers 200 in a multi-stage by aligning the wafers 200 in a horizontal posture with their centers aligned. The boat 217 is made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide. In the lower part of the boat 217, a plurality of heat insulating plates 216 as a disk-shaped heat insulating member made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide are arranged in multiple stages in a horizontal posture. It is configured to be difficult to be transmitted to the manifold 209 side.

シールキャップ219には、ガス導入部としてのノズル230が処理室201内に連通するように接続されている。ノズル230の上流端には、ガス供給管232の下流端が接続されている。ガス供給管232には、上流側から順に図示しない処理ガスや不活性ガス等の1つ又は複数のガス供給源、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)241、図示しない複数のバルブが接続されている。MFC241には、ガス流量制御部235が電気的に接続されている。ガス流量制御部235は、処理室201内に供給
するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、MFC241を制御するよう構成されている。主に、ノズル230、ガス供給管232、図示しない複数個のバルブ、MFC241、ガス供給源により、本実施形態に係るガス供給系が構成される。
A nozzle 230 as a gas introduction unit is connected to the seal cap 219 so as to communicate with the inside of the processing chamber 201. The downstream end of the gas supply pipe 232 is connected to the upstream end of the nozzle 230. Connected to the gas supply pipe 232 are one or more gas supply sources such as processing gas and inert gas (not shown), an MFC (mass flow controller) 241 as a gas flow controller, and a plurality of valves (not shown) in order from the upstream side. Has been. A gas flow rate control unit 235 is electrically connected to the MFC 241. The gas flow rate control unit 235 is configured to control the MFC 241 so that the flow rate of the gas supplied into the processing chamber 201 becomes a desired flow rate at a desired timing. The gas supply system according to this embodiment is mainly configured by the nozzle 230, the gas supply pipe 232, a plurality of valves (not shown), the MFC 241, and the gas supply source.

マニホールド209には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231の上流端が接続されている。排気管231は、インナーチューブ204とアウターチューブ205との隙間によって形成される筒状空間250の下端部に配置されており、筒状空間250に連通している。排気管231の下流側には、圧力検出器としての圧力センサ245、圧力調整装置としてのAPC(Auto Pressure Controller)242、真空排気装置としての真空ポンプ246が上流側から順に接続されている。APC242は弁を開閉して処理室201内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能な開閉弁である。APC242及び圧力センサ245には、圧力制御部236が電気的に接続されている。圧力制御部236は、圧力センサ245により検出された圧力値に基づいて、処理室201内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、APC242を制御するよう構成されている。主に、排気管231、圧力センサ245、APC242、真空ポンプ246により、本実施形態に係るガス排気系が構成される。   An upstream end of an exhaust pipe 231 that exhausts the atmosphere in the processing chamber 201 is connected to the manifold 209. The exhaust pipe 231 is disposed at the lower end portion of the cylindrical space 250 formed by the gap between the inner tube 204 and the outer tube 205 and communicates with the cylindrical space 250. On the downstream side of the exhaust pipe 231, a pressure sensor 245 as a pressure detector, an APC (Auto Pressure Controller) 242 as a pressure adjusting device, and a vacuum pump 246 as a vacuum exhaust device are sequentially connected from the upstream side. The APC 242 is an on-off valve that can open and close the valve to stop evacuation and evacuation in the processing chamber 201, and further adjust the valve opening to adjust the pressure. A pressure controller 236 is electrically connected to the APC 242 and the pressure sensor 245. The pressure control unit 236 is configured to control the APC 242 based on the pressure value detected by the pressure sensor 245 so that the pressure in the processing chamber 201 becomes a desired pressure at a desired timing. The gas exhaust system according to the present embodiment is mainly configured by the exhaust pipe 231, the pressure sensor 245, the APC 242, and the vacuum pump 246.

ガス流量制御部235、圧力制御部236、温度制御部237、搬送制御部238は、基板処理装置100全体を制御する表示装置制御部239に電気的に接続されている(以下、ガス流量制御部235、圧力制御部236、温度制御部237をI/O制御部とも呼ぶ)。これら、ガス流量制御部235、圧力制御部236、温度制御部237、搬送制御部238及び表示装置制御部239は、基板処理装置用コントローラ240の構成の一部を成す。基板処理装置用コントローラ240の構成や動作については、後述する。   The gas flow rate control unit 235, the pressure control unit 236, the temperature control unit 237, and the transfer control unit 238 are electrically connected to a display device control unit 239 that controls the entire substrate processing apparatus 100 (hereinafter referred to as a gas flow rate control unit). 235, the pressure control unit 236, and the temperature control unit 237 are also called I / O control units). The gas flow rate control unit 235, the pressure control unit 236, the temperature control unit 237, the transfer control unit 238, and the display device control unit 239 form a part of the configuration of the substrate processing apparatus controller 240. The configuration and operation of the substrate processing apparatus controller 240 will be described later.

(4)処理炉の動作
続いて、半導体装置の製造工程の一工程として実施される、上記構成に係る処理炉202を用いた基板処理工程について説明する。係る基板処理工程は、ウエハ200に所定の処理を施すプロセスレシピに基づいて繰り返し実行される。また、プロセスレシピには複数のステップが含まれることがある。本実施形態においては、複数のステップを含むプロセスレシピに基づく基板処理工程の一例として、CVD(Chemical Vapor
Deposition)法によりウエハ200上に薄膜を形成する成膜処理工程について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置100を構成する各部の動作は基板処理装置用コントローラ240により制御される。
(4) Operation of Processing Furnace Next, a substrate processing process using the processing furnace 202 according to the above configuration, which is performed as one process of the semiconductor device manufacturing process, will be described. Such a substrate processing step is repeatedly executed based on a process recipe for performing a predetermined process on the wafer 200. In addition, a process recipe may include a plurality of steps. In the present embodiment, as an example of a substrate processing process based on a process recipe including a plurality of steps, a CVD (Chemical Vapor) is used.
A film forming process for forming a thin film on the wafer 200 by the Deposition method will be described. In the following description, the operation of each part constituting the substrate processing apparatus 100 is controlled by the substrate processing apparatus controller 240.

(基板搬入ステップ)
まずは、基板搬入ステップを行う。すなわち、複数枚のウエハ200をボート217に装填(ウエハチャージ)し、複数枚のウエハ200を保持したボート217を、ボートエレベータ115によって持ち上げて処理室201内に搬入(ボートローディング)する。この状態で、シールキャップ219はOリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
(Board loading step)
First, a substrate carry-in step is performed. That is, a plurality of wafers 200 are loaded into the boat 217 (wafer charge), and the boat 217 holding the plurality of wafers 200 is lifted by the boat elevator 115 and loaded into the processing chamber 201 (boat loading). In this state, the seal cap 219 seals the lower end of the manifold 209 via the O-ring 220b.

(成膜プロセス(プロセスレシピ実行期間)S21〜S25)
続いて、図3及び図4のS21〜S25までの各ステップを行い、ウエハ200に成膜処理を施す。S21〜S25までの各ステップは、本実施形態におけるプロセスレシピである。なお、プロセスレシピが、上記の基板搬入ステップや、後述の基板搬出ステップを含む場合もある。
(Film formation process (process recipe execution period) S21 to S25)
Subsequently, the steps from S21 to S25 in FIGS. 3 and 4 are performed, and the film formation process is performed on the wafer 200. Each step from S21 to S25 is a process recipe in the present embodiment. The process recipe may include the above-described substrate carry-in step and a substrate carry-out step described later.

(減圧ステップS21)
まず、処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によっ
て処理室201内を真空排気する。この際、圧力センサ245が測定した圧力値に基づき、APC242の弁開度がフィードバック制御される。
(Decompression step S21)
First, the processing chamber 201 is evacuated by the vacuum pump 246 so that the processing chamber 201 has a desired pressure (degree of vacuum). At this time, the valve opening degree of the APC 242 is feedback-controlled based on the pressure value measured by the pressure sensor 245.

(昇温ステップS22)
次に、処理室201内が所望の温度となるように、ヒータ206によって処理室201内を加熱する。この際、温度センサ263が検出した温度値に基づき、ヒータ206への通電量がフィードバック制御される。続いて、回転機構254により、ボート217及びウエハ200を回転させる。
(Temperature raising step S22)
Next, the inside of the processing chamber 201 is heated by the heater 206 so that the inside of the processing chamber 201 has a desired temperature. At this time, the energization amount to the heater 206 is feedback controlled based on the temperature value detected by the temperature sensor 263. Subsequently, the boat 217 and the wafers 200 are rotated by the rotation mechanism 254.

(成膜ステップS23)
処理室201内の温度が安定したら、ガス供給管232が備える図示しないバルブを開き、MFC241により流量制御しながら、ガス供給源から処理室201内に処理ガスを供給する。処理ガスは処理室201内を上昇し、インナーチューブ204の上端開口から筒状空間250内に流出して排気管231から排気される。処理ガスは、処理室201内を通過する際にウエハ200の表面と接触し、熱CVD反応によってウエハ200の表面上に薄膜が堆積(デポジション)される。予め設定された処理時間が経過したら、処理室201内への処理ガスの供給を停止する。
(Film formation step S23)
When the temperature in the processing chamber 201 is stabilized, a valve (not shown) provided in the gas supply pipe 232 is opened, and the processing gas is supplied from the gas supply source into the processing chamber 201 while controlling the flow rate by the MFC 241. The processing gas rises in the processing chamber 201, flows out from the upper end opening of the inner tube 204 into the cylindrical space 250, and is exhausted from the exhaust pipe 231. The processing gas contacts the surface of the wafer 200 when passing through the processing chamber 201, and a thin film is deposited (deposited) on the surface of the wafer 200 by a thermal CVD reaction. When the preset processing time has elapsed, the supply of the processing gas into the processing chamber 201 is stopped.

(降温ステップS24)
処理ガスの供給を停止したら、ヒータ206への電力供給を停止し、ボート217およびウエハ200を所定の温度にまで降下させる。
(Cooling step S24)
When the supply of the processing gas is stopped, the power supply to the heater 206 is stopped, and the boat 217 and the wafer 200 are lowered to a predetermined temperature.

(常圧復帰ステップS25)
ガス供給源から不活性ガスを供給し、処理室201内を不活性ガスで置換するとともに、処理室201内の圧力を常圧に復帰させる。以上により、プロセスレシピに基づく成膜プロセスが終了する。
(Normal pressure recovery step S25)
An inert gas is supplied from a gas supply source, the inside of the processing chamber 201 is replaced with an inert gas, and the pressure in the processing chamber 201 is returned to normal pressure. Thus, the film forming process based on the process recipe is completed.

(基板搬出ステップ)
その後、基板搬出ステップを行う。すなわち、ボートエレベータ115によりシールキャップ219を下降してマニホールド209の下端を開口するとともに、処理済のウエハ200を保持するボート217をマニホールド209の下端からプロセスチューブ203の外部へと搬出(ボートアンローディング)する。処理済のウエハ200をボート217より取り出し、ポッド110内へ格納する(ウエハディスチャージ)。以上により、プロセスレシピに基づく成膜処理工程が終了する。
(Substrate unloading step)
Thereafter, a substrate unloading step is performed. That is, the boat cap 115 lowers the seal cap 219 to open the lower end of the manifold 209 and unloads the boat 217 holding the processed wafer 200 from the lower end of the manifold 209 to the outside of the process tube 203 (boat unloading). ) The processed wafer 200 is taken out from the boat 217 and stored in the pod 110 (wafer discharge). Thus, the film forming process based on the process recipe is completed.

(5)基板処理装置用コントローラの構成
続いて、本実施形態に係る基板処理装置用コントローラ240の構成について、図1を用いて説明する。図1は、本実施形態に係る基板処理装置100と群管理装置500とで構成される基板処理システムのブロック構成図である。
(5) Configuration of Substrate Processing Apparatus Controller Next, the configuration of the substrate processing apparatus controller 240 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a block configuration diagram of a substrate processing system including a substrate processing apparatus 100 and a group management apparatus 500 according to this embodiment.

基板処理装置用コントローラ240は、主制御部としての表示装置制御部(操作部)239を備えている。表示装置制御部239には、ディスプレイ等のデータ表示部240aとキーボード等の入力部240bとがそれぞれ接続されている。表示装置制御部239は、操作員による入力部240bからの入力(操作コマンドの入力等)を受け付けると共に、基板処理装置100の状態表示画面や操作入力受付画面等をデータ表示部240aに表示するように構成されている。   The substrate processing apparatus controller 240 includes a display device control unit (operation unit) 239 as a main control unit. The display device controller 239 is connected to a data display unit 240a such as a display and an input unit 240b such as a keyboard. The display device control unit 239 receives an input (operation command input, etc.) from the input unit 240b by the operator, and displays a status display screen, an operation input reception screen, etc. of the substrate processing apparatus 100 on the data display unit 240a. It is configured.

基板処理装置用コントローラ240は、表示装置制御部239にデータ交換可能なように接続された処理制御部239aと、処理制御部239aにデータ交換可能なように接続された、処理炉202を制御する上述のI/O制御部(ガス流量制御部235、圧力制御
部236、温度制御部237)と、を備えている。処理制御部239aは、I/O制御部を介して処理炉202の動作を制御するとともに、処理炉202の状態(温度、ガス流量、圧力等)を示すモニタデータを収集する(読み出す)ように構成されている。
The substrate processing apparatus controller 240 controls the processing control unit 239a connected to the display control unit 239 so as to exchange data, and the processing furnace 202 connected to the processing control unit 239a so as to exchange data. And the above-described I / O control unit (gas flow rate control unit 235, pressure control unit 236, temperature control unit 237). The process control unit 239a controls the operation of the process furnace 202 via the I / O control unit and collects (reads out) monitor data indicating the state (temperature, gas flow rate, pressure, etc.) of the process furnace 202. It is configured.

また、基板処理装置用コントローラ240は、表示装置制御部239にデータ交換可能なように接続された搬送制御部238と、搬送制御部238にデータ交換可能なように接続されたメカ機構I/O238aと、を備えている。メカ機構I/O238aには、基板処理装置100を構成する各部(例えばボートエレベータ115、回転機構254、ポッドエレベータ118a、ポッド搬送機構118b、ポッドオープナ121、ウエハ移載装置125a、ウエハ移載装置エレベータ125b等)が接続されている。搬送制御部238は、メカ機構I/O238aを介して基板処理装置100を構成する各部の動作を制御するとともに、基板処理装置100を構成する各部の状態(例えば位置、開閉状態、動作中であるかウエイト状態であるか等)を示すモニタデータを収集する(読み出す)ように構成されている。   The substrate processing apparatus controller 240 includes a transport control unit 238 connected to the display device control unit 239 so as to exchange data, and a mechanical mechanism I / O 238a connected to the transport control unit 238 so as to exchange data. And. The mechanical mechanism I / O 238a includes components (for example, a boat elevator 115, a rotation mechanism 254, a pod elevator 118a, a pod transfer mechanism 118b, a pod opener 121, a wafer transfer device 125a, and a wafer transfer device elevator). 125b etc.) are connected. The transport control unit 238 controls the operation of each unit constituting the substrate processing apparatus 100 via the mechanical mechanism I / O 238a and also the state (for example, position, open / closed state, and operation) of each unit constituting the substrate processing apparatus 100. Monitor data indicating whether the data is in a wait state or the like) is collected (read out).

また、基板処理装置用コントローラ240は、表示装置制御部239に接続されたデータ保持部239eを備えている。データ保持部239eには、基板処理装置用コントローラ240に種々の機能を実現するプログラムや、処理炉202にて実施される基板処理工程の設定データ(レシピデータ)や、I/O制御部(ガス流量制御部235、圧力制御部236、温度制御部237)や搬送制御部238から読み出した各種データ等が保持(格納)されるように構成されている。   In addition, the substrate processing apparatus controller 240 includes a data holding unit 239 e connected to the display device control unit 239. The data holding unit 239e includes a program for realizing various functions in the substrate processing apparatus controller 240, substrate processing process setting data (recipe data) executed in the processing furnace 202, and an I / O control unit (gas The flow rate control unit 235, the pressure control unit 236, the temperature control unit 237) and various data read from the transfer control unit 238 are held (stored).

また、基板処理装置用コントローラ240は、表示装置制御部239に接続された通信制御部239bを備えている。通信制御部239bは、I/O制御部(ガス流量制御部235、圧力制御部236、温度制御部237)を介して読み出した処理炉202の状態(温度、ガス流量、圧力等)を示すモニタデータを、処理制御部239a及び表示装置制御部239を介して受信し、群管理装置500へ送信することが可能なように構成されている。また、通信制御部239bは、メカ機構I/O238aを介して読み出した基板処理装置100を構成する各部の状態(位置、開閉状態、動作中であるかウエイト状態であるか等)を示すモニタデータを、搬送制御部238及び表示装置制御部239を介して受信し、群管理装置500へ送信することが可能なように構成されている。   In addition, the substrate processing apparatus controller 240 includes a communication control unit 239 b connected to the display device control unit 239. The communication control unit 239b is a monitor showing the state (temperature, gas flow rate, pressure, etc.) of the processing furnace 202 read out via the I / O control unit (gas flow rate control unit 235, pressure control unit 236, temperature control unit 237). Data is configured to be received via the processing control unit 239a and the display device control unit 239 and transmitted to the group management device 500. The communication control unit 239b also displays monitor data indicating the state (position, open / closed state, operating / waiting state, etc.) of each part of the substrate processing apparatus 100 read out via the mechanical mechanism I / O 238a. Is received via the transport control unit 238 and the display device control unit 239, and can be transmitted to the group management device 500.

(6)群管理装置の構成
続いて、上述の基板処理装置100とデータ交換可能なように構成された本実施形態に係る群管理装置500の構成について、主に図1を参照しながら説明する。
(6) Configuration of Group Management Apparatus Next, the configuration of the group management apparatus 500 according to the present embodiment configured to exchange data with the substrate processing apparatus 100 described above will be described mainly with reference to FIG. .

図1に示すように、群管理装置500は、中央処理装置(CPU)として構成された制御部501と、内部に共有メモリ502領域を有するメモリ(図示せず)と、HDDなどの記憶装置として構成された記憶部503と、ディスプレイ装置等の表示部としてのデータ表示部505と、キーボード等の入力部506と、通信部としての通信制御部504と、を有するコンピュータとして構成されている。上述のメモリ、記憶部503、データ表示部505、入力部506、通信制御部504は、内部バス等を介して制御部501とデータ交換可能なように構成されている。また、制御部501は、図示しない時計機能を有している。   As shown in FIG. 1, the group management device 500 is a control unit 501 configured as a central processing unit (CPU), a memory (not shown) having a shared memory 502 area therein, and a storage device such as an HDD. The storage unit 503 is configured, a data display unit 505 as a display unit such as a display device, an input unit 506 such as a keyboard, and a communication control unit 504 as a communication unit. The above-described memory, storage unit 503, data display unit 505, input unit 506, and communication control unit 504 are configured to exchange data with the control unit 501 via an internal bus or the like. The control unit 501 has a clock function (not shown).

本実施形態に係る群管理装置500は、通信制御部504が基板処理装置100から受信した膨大な量のモニタデータの取り扱いを容易にするため、最大値、最小値、平均値等に代表値化したうえで、データの加工や参照を行うように構成されている。すなわち、所定のデータ抽出条件503pに従ってモニタデータを読み出し、読み出したモニタデータを基に代表値データを生成するように構成されている。生成された代表値データは所定の
グラフに加工され、データ表示部505に表示されるように構成されている。
The group management apparatus 500 according to the present embodiment uses representative values such as a maximum value, a minimum value, and an average value in order to facilitate handling of an enormous amount of monitor data received by the communication control unit 504 from the substrate processing apparatus 100. In addition, it is configured to process and reference data. That is, the monitor data is read according to a predetermined data extraction condition 503p, and representative value data is generated based on the read monitor data. The generated representative value data is processed into a predetermined graph and displayed on the data display unit 505.

特に、本実施形態に係る群管理装置500では、実際の装置状態や処理状態等に因らない代表値データの差異を低減し、同一レシピ間での基板やバッチの状態比較をより容易に行うことができる。   In particular, in the group management apparatus 500 according to the present embodiment, the difference in the representative value data that does not depend on the actual apparatus state or processing state is reduced, and the state comparison of the substrate or batch between the same recipes can be performed more easily. be able to.

(通信制御部)
通信部としての通信制御部504は、ネットワーク400を介して基板処理装置用コントローラ240の通信制御部239bに接続されていると共に、I/O制御部(ガス流量制御部235、圧力制御部236、温度制御部237)及びメカ機構I/O238aに接続されている。通信制御部504は、基板処理装置100からモニタデータを受信し、共有メモリ502に渡すように構成されている。
(Communication control unit)
The communication control unit 504 serving as a communication unit is connected to the communication control unit 239b of the substrate processing apparatus controller 240 via the network 400, and also includes an I / O control unit (a gas flow rate control unit 235, a pressure control unit 236, Temperature controller 237) and mechanical mechanism I / O 238a. The communication control unit 504 is configured to receive monitor data from the substrate processing apparatus 100 and pass it to the shared memory 502.

通信制御部504は、モニタデータの受信のタイミングとして、所定の間隔(例えば0.1秒間隔)で定期的に受信したり、各イベントの発生時、例えばレシピやステップが終了したタイミングで受信したり、或いはモニタデータの発生時にその都度受信したりするように構成されている。   The communication control unit 504 receives the monitor data periodically at a predetermined interval (for example, every 0.1 second), or when each event occurs, for example, at the timing when the recipe or step ends. Or is received each time monitor data is generated.

また、通信制御部504は、後述するように、記憶部503に読み出し可能に格納されるデータ抽出条件503pにより定義される所定のイベントを基板処理装置100から受信すると、後述する代表値データ生成部511に対して「イベント検出通知」を送信するように構成されている。なお、通信制御部504と代表値データ生成部511との通信は、例えば共有メモリ502を介して行われる。すなわち、通信制御部504が共有メモリ502に書き込んだ「イベント検出通知」を、代表値データ生成部511が所定のタイミングで読み出すことで通信が行われる。   Further, as will be described later, the communication control unit 504 receives a predetermined event defined by the data extraction condition 503p stored in the storage unit 503 so as to be readable, from the substrate processing apparatus 100, and will be described later. An “event detection notification” is transmitted to 511. Note that communication between the communication control unit 504 and the representative value data generation unit 511 is performed via the shared memory 502, for example. That is, communication is performed by the representative value data generation unit 511 reading the “event detection notification” written in the shared memory 502 by the communication control unit 504 at a predetermined timing.

共有メモリ502に渡されるモニタデータには、モニタデータを特定するデータIDと、モニタデータの発生源である基板処理装置100を特定する装置特定情報(装置名称など)と、モニタデータの発生時に基板処理装置100が実行していたレシピを特定するレシピ特定情報と、モニタデータの収集時に基板処理装置100内で発生したイベントを特定するイベント特定情報と、モニタデータの発生時刻を示す時刻情報(時刻データ)と、が付加されるように構成されている。   The monitor data passed to the shared memory 502 includes a data ID for specifying the monitor data, device specifying information (device name, etc.) for specifying the substrate processing apparatus 100 that is the source of the monitor data, and a substrate when the monitor data is generated. Recipe specifying information for specifying a recipe executed by the processing apparatus 100, event specifying information for specifying an event occurring in the substrate processing apparatus 100 when the monitor data is collected, and time information (time) indicating the generation time of the monitor data And (data).

(記憶部)
記憶部503には、代表値データ生成プログラム、代表値データ加工プログラム及びデータベースプログラムがそれぞれ格納されている。代表値データ生成プログラムは、記憶部503から上述のメモリ(図示せず)に読み出されて制御部501に実行されることにより、後述する代表値データ生成部511を群管理装置500に実現するように構成されている。代表値データ加工プログラムは、記憶部503から上述のメモリ(図示せず)に読み出されて制御部501に実行されることにより、後述する代表値データ加工部512を群管理装置500に実現するように構成されている。データベースプログラムは、記憶部503から上述のメモリ(図示せず)に読み出されて制御部501に実行されることにより、後述するデータベース503dを記憶部503内に実現するように構成されている。また、記憶部503には、後述するデータ抽出条件503pが、読み出し可能に格納されている。
(Memory part)
The storage unit 503 stores a representative value data generation program, a representative value data processing program, and a database program. The representative value data generation program is read from the storage unit 503 to the above-described memory (not shown) and executed by the control unit 501, thereby realizing a representative value data generation unit 511 described later in the group management apparatus 500. It is configured as follows. The representative value data processing program is read from the storage unit 503 to the above-described memory (not shown) and executed by the control unit 501, thereby realizing a representative value data processing unit 512 described later in the group management apparatus 500. It is configured as follows. The database program is configured to realize a database 503d described later in the storage unit 503 by being read from the storage unit 503 to the above-described memory (not shown) and executed by the control unit 501. The storage unit 503 stores a data extraction condition 503p, which will be described later, in a readable manner.

格納部としてのデータベース503dは、通信制御部504が受信して共有メモリ502に格納したモニタデータを、上述のデータID、装置特定情報、レシピ特定情報、イベント特定情報、時刻データにそれぞれ関連づけて、読み出し可能に格納するように構成されている。また、データベース503dは、後述する代表値データ生成部511が生成し
た代表値データを、読み出し可能に格納するように構成されている。
The database 503d as a storage unit associates monitor data received by the communication control unit 504 and stored in the shared memory 502 with the above-described data ID, device identification information, recipe identification information, event identification information, and time data, respectively. It is configured to store in a readable manner. The database 503d is configured to store representative value data generated by a representative value data generation unit 511, which will be described later, in a readable manner.

データ抽出条件503pは、代表値データの基となるモニタデータを抽出する区間についての条件を規定する。モニタデータを抽出する区間としては、例えば基板処理装置100内での所定のイベントの発生に関連づけられた区間がある。ここで、イベントとは、基板処理装置100内において発生する事象や基板処理装置100の各部の動作等をいい、例えばレシピやステップの実行開始や実行終了等のほか、バルブの開閉動作やセンサのオン・オフ、エラーの発生、操作員による各種操作等、レシピの実行によって時系列順に発生するイベントや、必ずしもレシピの実行によらないイベントも含まれる。   The data extraction condition 503p defines a condition for a section in which monitor data that is the basis of representative value data is extracted. As a section for extracting monitor data, for example, there is a section associated with the occurrence of a predetermined event in the substrate processing apparatus 100. Here, the event refers to an event that occurs in the substrate processing apparatus 100, an operation of each part of the substrate processing apparatus 100, and the like. Also included are events that occur in chronological order due to recipe execution, such as on / off, error occurrence, various operations by an operator, and events that do not necessarily depend on recipe execution.

モニタデータの抽出区間を所定のイベント発生に関連づけた抽出条件の例を挙げると、例えば所定のイベント間の期間に発生したモニタデータを抽出する条件が考えられる。所定のイベント間の期間としては、例えば所定のレシピやステップの実行開始から実行終了までの期間、ウエハ200の搬入開始から搬出終了までの期間、すなわち、上述の基板搬入ステップにおけるボート217へのウエハ200の装填開始から基板搬出ステップにおけるボート217からのウエハ200の脱装終了までの期間等がある。この他にも、所定のイベント発生から一定期間内を抽出したり(例えば、バルブの開放から10秒間を抽出)、所定のイベント発生から定期的に反復して抽出したり(例えば、ヒータ206の通電開始から10分おきに抽出)、所定のイベント発生から所定数のモニタデータが得られるまでの区間、或いはモニタデータが所定値になるまでの区間で抽出したりするように抽出条件を設定することができる。また、上記に挙げた区間の設定を複数組み合わせてもよい。   An example of an extraction condition in which the monitor data extraction interval is associated with the occurrence of a predetermined event may be a condition for extracting monitor data generated during a period between predetermined events. The period between the predetermined events is, for example, a period from the start to the end of execution of a predetermined recipe or step, a period from the start of loading of the wafer 200 to the end of unloading, that is, the wafer to the boat 217 in the substrate loading step described above. There is a period from the start of loading 200 to the end of removal of the wafer 200 from the boat 217 in the substrate unloading step. In addition to this, a certain period of time is extracted from the occurrence of a predetermined event (for example, 10 seconds are extracted from the opening of the valve), or it is periodically extracted from the occurrence of a predetermined event (for example, the heater 206 The extraction condition is set so that the data is extracted every 10 minutes from the start of energization), during a period from when a predetermined event occurs until a predetermined number of monitor data is obtained, or during a period until the monitor data reaches a predetermined value. be able to. Moreover, you may combine multiple setting of the area quoted above.

データ抽出条件503pとしては、例えばSEMI規格に準拠したデータ収集プラン(DCP:Data Collection Plan)等を用いることができる。これによって、モニタデータの収集・抽出の一括設定・一元管理が容易となり、所定のイベント発生に関連付けたモニタデータの抽出の設定が、いっそう容易となる。   As the data extraction condition 503p, for example, a data collection plan (DCP: Data Collection Plan) based on the SEMI standard can be used. This facilitates collective setting and centralized management of monitor data collection and extraction, and makes it easier to set monitor data extraction associated with the occurrence of a predetermined event.

なお、データ抽出条件503pは、代表値データ生成プログラムが起動するときに代表値データ生成プログラムが管理するメモリ領域中に読み出され、代表値データ生成部511によって随時参照可能なように構成されている。   The data extraction condition 503p is read into a memory area managed by the representative value data generation program when the representative value data generation program is started, and can be referred to by the representative value data generation unit 511 at any time. Yes.

(代表値データ生成部)
代表値データ生成部511は、通信制御部504から「イベント検出通知」を受信したら、モニタデータの抽出条件が予め定義されたデータ抽出条件503pを参照しつつ、データベース503dに格納されたモニタデータのうち、データ抽出条件503pに適合するモニタデータをデータベース503dから読み出し、読み出したモニタデータを基に代表値データを生成し、後述の時刻データと併せて、記憶部503に実現されたデータベース503aに読み出し可能に格納するように構成されている。代表値データには、例えば、代表値の名称を示す“代表値名称”情報、平均・最大・最小などの代表値の計算条件を示す“代表値計算条件”情報、代表値が抽出された区間を示す“代表値抽出区間”情報、代表値抽出区間の開始日時と終了日時を示す“代表値抽出日時”情報、代表値そのものを示す“代表値”情報、代表値を生成した日時を示す“代表値生成日時”情報、代表値計算に要した時間を示す“代表値計算時間”情報、代表値計算時に使用したデータ点数を示す“データ点数”情報等がそれぞれ含まれる。
(Representative value data generator)
When the representative value data generation unit 511 receives the “event detection notification” from the communication control unit 504, the representative value data generation unit 511 refers to the data extraction condition 503p in which the monitor data extraction condition is defined in advance, and the monitor data stored in the database 503d. Among them, monitor data that conforms to the data extraction condition 503p is read from the database 503d, representative value data is generated based on the read monitor data, and is read into the database 503a realized in the storage unit 503 together with time data described later. It is configured to store as possible. The representative value data includes, for example, “representative value name” information indicating the name of the representative value, “representative value calculation condition” information indicating the calculation condition of the representative value such as average / maximum / minimum, and the section in which the representative value is extracted. “Representative value extraction section” information, “Representative value extraction date / time” information indicating the start date / time and end date / time of the representative value extraction section, “Representative value” information indicating the representative value itself, “ Representative value generation date / time information, “representative value calculation time” information indicating the time required for representative value calculation, “data score” information indicating the number of data points used in the representative value calculation, and the like are included.

図2に、代表値データ生成部511による代表値データの具体的な生成方法について示す。図2の(a)は温度のモニタデータを例示する時系列グラフであり、(b)は代表値データを例示するテーブルである。図2(a)の時系列グラフは、より具体的には、上述のS21〜S25までのステップを含むプロセスレシピに基づく成膜処理工程を実施して
得られる温度のモニタデータの例であり、説明の便宜上、係るモニタデータをグラフ化して示している。図2(a)の横軸は時刻であり、縦軸は処理室201内の温度(℃)である。代表値データ生成部511は、データ抽出条件503pで定義されるモニタデータの抽出条件に従って、例えばS21〜S25までの各ステップの実行開始から実行終了までの期間ごとに、モニタデータをデータベース503dから読み出すように構成されている。また、代表値データ生成部511は、各ステップの実行期間ごとに読み出されたそれぞれのモニタデータについて、始値、終値、最大値、最小値、平均値等を検索又は計算して代表値データを生成するように構成されている。生成された代表値データには、基になったモニタデータの発生時刻を示す時刻データが付加され、例えば図2(b)に例示するような代表値データ・テーブルが作成されて、データベース503dに読み出し可能に格納されるように構成されている。
FIG. 2 shows a specific method for generating representative value data by the representative value data generating unit 511. 2A is a time series graph illustrating temperature monitor data, and FIG. 2B is a table illustrating representative value data. More specifically, the time series graph of FIG. 2A is an example of temperature monitor data obtained by performing a film forming process based on a process recipe including the steps from S21 to S25 described above. For convenience of explanation, the monitor data is shown as a graph. The horizontal axis of FIG. 2A is time, and the vertical axis is the temperature (° C.) in the processing chamber 201. The representative value data generation unit 511 reads monitor data from the database 503d according to the monitor data extraction condition defined by the data extraction condition 503p, for example, for each period from the start to the end of each step from S21 to S25. It is configured as follows. In addition, the representative value data generation unit 511 retrieves or calculates a start value, an end value, a maximum value, a minimum value, an average value, and the like for each monitor data read for each execution period of each step, and thereby displays representative value data. Is configured to generate Time data indicating the generation time of the base monitor data is added to the generated representative value data, and for example, a representative value data table as illustrated in FIG. 2B is created and stored in the database 503d. It is configured to be stored so as to be readable.

このように、データ抽出条件503pを参照しながら、所定のイベントの発生に関連付けてモニタデータを抽出するので、例えば同一のレシピに基づくモニタデータであれば、毎回、略同じ区間内から抽出されることとなる。したがって、処理結果が同等であれば抽出されるモニタデータも略同等となり、そこから生成される代表値データも略同等となる。すなわち、抽出区間の違い等に起因するような実際の装置状態や処理状態等に因らない差異が代表値データに生じ難くなる。   In this way, monitor data is extracted in association with the occurrence of a predetermined event while referring to the data extraction condition 503p. Therefore, for example, monitor data based on the same recipe is extracted from approximately the same section each time. It will be. Therefore, if the processing results are the same, the monitor data extracted is substantially equivalent, and the representative value data generated therefrom is also substantially equivalent. In other words, a difference that does not depend on the actual apparatus state, processing state, or the like due to a difference in extraction interval or the like hardly occurs in the representative value data.

また、代表値データに始値、終値、最大値、最小値、平均値等が含まれるように構成したので、代表値データからより多くの情報を得ることができ、ウエハ200やバッチの処理状態、装置状態等の比較がいっそう容易となる。   In addition, since the representative value data includes the opening price, the closing price, the maximum value, the minimum value, the average value, and the like, more information can be obtained from the representative value data, and the processing state of the wafer 200 and the batch can be obtained. In addition, it becomes easier to compare the device status and the like.

代表値データ生成部511は、データベース503dへの代表値データ及び時刻データの格納が完了したら、代表値データ加工部512に対して「代表値データ生成通知」を送信するように構成されている。なお、代表値データ生成部511と代表値データ加工部512との通信は、例えば共有メモリ502を介して行われる。すなわち、代表値データ生成部511が共有メモリ502に書き込んだ「代表値データ生成通知」を、代表値データ加工部512が所定のタイミングで読み出すことで行われる。   The representative value data generation unit 511 is configured to transmit a “representative value data generation notification” to the representative value data processing unit 512 when the storage of the representative value data and the time data in the database 503d is completed. Note that the communication between the representative value data generation unit 511 and the representative value data processing unit 512 is performed via the shared memory 502, for example. That is, the “representative value data generation notification” written in the shared memory 502 by the representative value data generation unit 511 is read by the representative value data processing unit 512 at a predetermined timing.

(代表値データ加工部)
代表値データ加工部512は、「代表値データ生成通知」により通知された代表値データ及び代表値データに付加されている時刻データを、データベース503dから読み出し、これらを表示可能に加工してデータ表示部505に表示させるように構成されている。具体的には、代表値データが含む始値、終値、最大値及び最小値をそれぞれ時刻データに関連付けて視覚的に表したローソク足チャートやバーチャートに加工し、データ表示部505に表示させるように構成されている。
(Representative value data processing section)
The representative value data processing unit 512 reads the representative value data notified by the “representative value data generation notification” and the time data added to the representative value data from the database 503d, processes them so that they can be displayed, and displays the data. The unit 505 is configured to be displayed. Specifically, the opening price, the closing price, the maximum value, and the minimum value included in the representative value data are each processed into a candlestick chart or a bar chart visually associated with the time data, and displayed on the data display unit 505. It is configured.

図3に、代表値データ加工部512により代表値データを加工して得られるローソク足チャートの具体例を示す。図3は、図2(b)に例示する代表値データから加工されたローソク足チャートである。図3の横軸は時刻であり、縦軸は処理室201内の温度(℃)である。各ローソク足のローソク部分(実体)が有する底辺又は上辺は、基になったモニタデータの始値又は終値を示している。ローソク部分が白抜きの場合は、底辺が始値を示し、上辺が終値を示しており、温度が上昇したことを示す。黒塗りの場合は、底辺が終値、上辺が始値であり、温度が降下したことを示す。ローソク部分の紙面に向かって左右の辺の位置は、モニタデータの始値と終値とが発生した時刻をそれぞれ示しており、ローソク部分の幅は、モニタデータが抽出された期間の長さ(ここでは、各ステップの実行期間の長さ)に対応している。また、それぞれの期間内における最大値はローソク部分の上辺から突き出た上ヒゲで表わされ、上ヒゲの位置は最大値が発生した時刻に対応している。最小値は、発生時刻の位置に下ヒゲで示される。   FIG. 3 shows a specific example of a candlestick chart obtained by processing the representative value data by the representative value data processing unit 512. FIG. 3 is a candlestick chart processed from the representative value data illustrated in FIG. The horizontal axis in FIG. 3 is time, and the vertical axis is the temperature (° C.) in the processing chamber 201. The bottom side or the top side of the candle portion (substance) of each candle bar indicates the opening price or the closing price of the monitor data that is the basis. When the candle portion is white, the bottom indicates the opening price and the top indicates the closing price, indicating that the temperature has increased. In the case of black painting, the bottom side is the closing price and the top side is the opening price, indicating that the temperature has dropped. The positions of the left and right sides of the candle portion of the paper indicate the time when the monitor data start and end prices occurred, and the candle portion width is the length of the period during which the monitor data was extracted (here Corresponds to the length of the execution period of each step. In addition, the maximum value in each period is represented by an upper whiskers protruding from the upper side of the candle portion, and the position of the upper whiskers corresponds to the time when the maximum value occurs. The minimum value is indicated by a lower shadow at the position of the occurrence time.

また、上記のローソク足チャートに替えて、図4(b)に示すように、最大値と最小値とを線分で結び、線分の左右に始値と終値を示すバーをそれぞれ有するバーチャートとすることもできる。本実施形態に係るバーチャートにおいては、始値及び終値のバーのそれぞれの端部の位置及び全体の幅を、モニタデータが抽出された時刻の位置及び期間の長さにそれぞれ対応させる。また、図4(c)及び(d)に示すように、最大値及び最小値の表示位置をそれぞれが発生した時刻の位置に対応させ、その間を屈曲した線分で結んだバーチャートとしてもよい。あるいは、図4(e)に示すように、最大値・最小値間を矩形で繋いでもよい。   Further, instead of the above candle chart, as shown in FIG. 4B, a bar chart that connects the maximum value and the minimum value with a line segment and has bars indicating the opening price and the closing price on the left and right of the line segment, respectively. It can also be. In the bar chart according to the present embodiment, the position and the overall width of each end portion of the opening price bar and the closing price bar are made to correspond to the position of the time at which the monitor data is extracted and the length of the period, respectively. Further, as shown in FIGS. 4C and 4D, a bar chart in which the display positions of the maximum value and the minimum value correspond to the positions of the times at which they occur and are connected by bent line segments between them may be used. . Alternatively, as shown in FIG. 4E, the maximum value and the minimum value may be connected by a rectangle.

このように、上記に述べる本実施形態のように、始値、終値、最大値、最小値、時刻データ等を盛り込んだローソク足チャートやバーチャートを表示させることで、より多くの情報を視覚的に捉え易くなって、より容易にウエハ200やバッチの処理状態、装置状態を把握することができる。   In this way, as in this embodiment described above, more information can be visualized by displaying a candlestick chart or a bar chart including the opening price, closing price, maximum value, minimum value, time data, etc. Therefore, it is possible to more easily grasp the processing state and apparatus state of the wafers 200 and batches.

なお、代表値データ加工部512は、代表値データの加工・表示のタイミングとして、代表値データ生成部511から「代表値データ生成通知」を受信したタイミングや、入力部506から操作員による「代表値データ表示要求」を受け付けたタイミング等で代表値データの加工・表示を行うように構成されていてもよい。さらに、「代表値データ生成通知」により通知された最新の代表値データを読み出す際に、同一のレシピやステップにおける過去の他の代表値データを読み出すように構成されていてもよい。読み出した過去の代表値データのそれぞれを上記と同様に加工してチャートを作成し、直近の代表値データに基づくチャートと併せてデータ表示部505に複数並べて、或いは重ねて表示させることで、同一のレシピ間やステップ間でのウエハ200比較、バッチ比較が、いっそう容易となる。   The representative value data processing unit 512 receives the “representative value data generation notification” from the representative value data generation unit 511 as the processing / display timing of the representative value data, or “representative data” by the operator from the input unit 506. The representative value data may be processed and displayed at the timing when the “value data display request” is received. Further, when the latest representative value data notified by the “representative value data generation notification” is read, other representative value data in the past in the same recipe or step may be read. Each of the past representative value data read out is processed in the same manner as described above to create a chart, and the same is obtained by arranging a plurality of data on the data display unit 505 together with the chart based on the latest representative value data, or displaying them in a superimposed manner. Thus, wafer 200 comparison and batch comparison between recipes and steps are further facilitated.

また、代表値データ加工部512は、作成したチャートを代表値データに付加してデータベース503dに格納するように構成されていてもよい。このように構成することで、過去の代表値データについて繰り返し加工を行う必要がなくなり、データの再読み出し・再表示の効率を高めることができる。   In addition, the representative value data processing unit 512 may be configured to add the created chart to the representative value data and store it in the database 503d. With this configuration, it is not necessary to repeatedly process past representative value data, and the efficiency of data re-reading / re-displaying can be improved.

図5に、ローソク足チャートをデータ表示部505に複数並べて表示させた場合について例示する。図5の横軸は時刻であり、数日間に亘る期間の特定の時刻が示されている。図5の縦軸は、処理室201内の温度(℃)である。複数のローソク足チャートは、同一のレシピ、具体的には上述のS21〜S25を含むプロセスレシピにおける数日間の複数の代表値データからそれぞれ加工されたものであり、通常であれば略同等のチャートとなる。図5の例では、一部のチャートに他のチャートとは異なる点が認められ、基板処理装置100やウエハ200の処理状態に何らかの異常が生じた可能性を示唆している。例えば、符号M1が指し示す領域では、昇温ステップS22における温度の最大値に増大がみられ、温度が一旦超過したのち所定値に落ち着くオーバーシュートの度合いが大きかったことが疑われる。また、符号M2の領域ではレシピの実行間隔に空きが生じている。符号M3の領域では低い温度からレシピがスタートしており、装置待機時の温度低下があったことが読み取れる。符号M4の領域では、昇温ステップS22に長時間を要している。   FIG. 5 illustrates a case where a plurality of candlestick charts are displayed side by side on the data display unit 505. The horizontal axis of FIG. 5 is time, and a specific time in a period of several days is shown. The vertical axis in FIG. 5 is the temperature (° C.) in the processing chamber 201. The plurality of candlestick charts are each processed from a plurality of representative value data for several days in the same recipe, specifically, the process recipe including S21 to S25 described above. It becomes. In the example of FIG. 5, points different from other charts are recognized in some charts, which suggests that some abnormality may have occurred in the processing state of the substrate processing apparatus 100 and the wafer 200. For example, in the region indicated by the symbol M1, the maximum value of the temperature in the temperature raising step S22 increases, and it is suspected that the degree of overshoot that settles to a predetermined value after the temperature has once exceeded is large. Further, in the area of reference M2, there is a space in the recipe execution interval. In the area of M3, the recipe starts from a low temperature, and it can be read that there was a temperature drop when the apparatus was on standby. In the region indicated by the symbol M4, the heating step S22 takes a long time.

以上のように、ローソク足チャート等を複数並べて、或いは重ねて表示させることで、同一のレシピやステップ間におけるウエハ200やバッチの状態比較がいっそう容易となり、日単位や月単位、或いは年単位に亘る長期間のデータ推移をいっそう把握し易くなる。   As described above, by arranging a plurality of candlestick charts or the like so as to be displayed side by side, it becomes easier to compare the state of wafers 200 and batches between the same recipe and step, and can be made daily, monthly or yearly. It becomes easier to grasp the data transition over a long period of time.

(7)群管理装置の動作
続いて、本実施形態に係る群管理装置500の動作について図6を参照しながら説明する。図6は、本実施形態に係る群管理装置500の内部動作を例示する模式図である。係る動作は、半導体装置の製造工程の一工程として行われる。
(7) Operation of Group Management Device Next, the operation of the group management device 500 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a schematic view illustrating the internal operation of the group management apparatus 500 according to this embodiment. Such an operation is performed as one step of the manufacturing process of the semiconductor device.

代表値データ生成プログラム、代表値データ加工プログラム、データベースプログラムが、記憶部503から上述のメモリ(図示せず)に読み出されて制御部501に実行されることにより、代表値データ生成部511、代表値データ加工部512、データベース503dが起動する。また、データ抽出条件503pに定義されているモニタデータの抽出条件が、代表値データ生成プログラムが管理するメモリ領域中に読み出される。   The representative value data generation program, the representative value data processing program, and the database program are read from the storage unit 503 to the above-described memory (not shown) and executed by the control unit 501, whereby the representative value data generation unit 511, The representative value data processing unit 512 and the database 503d are activated. In addition, the monitor data extraction condition defined in the data extraction condition 503p is read into the memory area managed by the representative value data generation program.

群管理装置500の通信制御部504が、モニタデータを基板処理装置100から受信し、共有メモリ502に格納する。次に、記憶部503に実現されたデータベース503dが、共有メモリ502に格納されたモニタデータを読み出し可能に格納する。また、通信制御部504は、データ抽出条件503pにより定義される所定のイベント、例えば所定のレシピやステップの実行終了等を基板処理装置100から受信すると、代表値データ生成部511に対して「イベント検出通知」を送信する。   The communication control unit 504 of the group management apparatus 500 receives the monitor data from the substrate processing apparatus 100 and stores it in the shared memory 502. Next, the database 503d implemented in the storage unit 503 stores the monitor data stored in the shared memory 502 in a readable manner. When the communication control unit 504 receives a predetermined event defined by the data extraction condition 503p, for example, a predetermined recipe or the completion of execution of a step from the substrate processing apparatus 100, the communication control unit 504 notifies the representative value data generation unit 511 of “event Send detection notification.

代表値データ生成部511は、通信制御部504から「イベント検出通知」を受信すると、予め記憶部503から読み出しておいたデータ抽出条件503pを参照しつつ、格納されたモニタデータのうち、データ抽出条件503pに適合するモニタデータをデータベース503dから読み出す。さらに、代表値データ生成部511は、読み出したモニタデータを基に代表値データを生成し、生成した代表値データと、これに関連する時刻データとを併せて、記憶部503に実現されたデータベース503dに読み出し可能に格納する。データベース503dへの格納が済むと、代表値データ生成部511は、代表値データ加工部512に対して「代表値データ生成通知」を送信する。   When the representative value data generation unit 511 receives the “event detection notification” from the communication control unit 504, the representative value data generation unit 511 refers to the data extraction condition 503p read from the storage unit 503 in advance, and extracts data from the stored monitor data. Monitor data matching the condition 503p is read from the database 503d. Further, the representative value data generation unit 511 generates representative value data based on the read monitor data, and combines the generated representative value data and time data related thereto with the database realized in the storage unit 503. The data is stored in a readable manner in 503d. When the data is stored in the database 503d, the representative value data generation unit 511 transmits a “representative value data generation notification” to the representative value data processing unit 512.

代表値データ加工部512は、代表値データ生成部511が格納した代表値データ及び時刻データをデータベース503dから読み出し、これらを表示可能に加工する。すなわち、代表値データを始値、終値、最大値、最小値、時刻データ等が表されたローソク足チャートやバーチャートに加工し、加工したチャートを群管理装置500のデータ表示部505に表示させる。   The representative value data processing unit 512 reads the representative value data and time data stored by the representative value data generation unit 511 from the database 503d and processes them so that they can be displayed. That is, the representative value data is processed into a candlestick chart or a bar chart representing the opening price, the closing price, the maximum value, the minimum value, the time data, and the like, and the processed chart is displayed on the data display unit 505 of the group management device 500. .

(8)本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。
(8) Effects according to the present embodiment According to the present embodiment, the following one or more effects are achieved.

(a)本実施形態によれば、代表値データ生成部511は、データ抽出条件503pに適合するモニタデータをデータベース503dから読み出して代表値データを生成するように構成されている。データ抽出条件503pには、所定のイベントの発生に関連づけられた区間内のモニタデータを抽出するよう、予め抽出条件が定義されている。これによって、例えば同一のレシピに基づく同等の結果であれば、毎回、略同一の区間内から略同等のモニタデータが抽出されることとなる。よって、生成される代表値データについても、抽出区間の違い等に起因するような実際の装置状態や処理状態等に因らない差異を低減することができる。従って、同一のレシピ間や同一のステップ間でのウエハ200やバッチの状態比較がより容易となり、監視作業の負担軽減や効率化が可能となる。また、装置異常の兆候となり得る微細な装置状態変化に気付き易くなるため、装置トラブルや基板処理不良を未然に回避することが容易となる。 (A) According to the present embodiment, the representative value data generation unit 511 is configured to read monitor data that conforms to the data extraction condition 503p from the database 503d and generate representative value data. In the data extraction condition 503p, an extraction condition is defined in advance so as to extract monitor data in a section associated with the occurrence of a predetermined event. Accordingly, for example, if the result is equivalent based on the same recipe, substantially equivalent monitor data is extracted from within the substantially same section each time. Therefore, also for the generated representative value data, it is possible to reduce a difference that does not depend on an actual apparatus state, a processing state, or the like, which is caused by a difference in extraction interval or the like. Therefore, it becomes easier to compare the states of the wafers 200 and batches between the same recipes and the same steps, and the burden of monitoring work can be reduced and the efficiency can be improved. Further, since it becomes easy to notice a minute change in the apparatus state that can be a sign of apparatus abnormality, it becomes easy to avoid apparatus troubles and substrate processing defects.

(b)また、本実施形態によれば、所定のレシピやステップの実行期間ごとに、モニタデータを抽出するように構成されている。これによって、装置異常時には、異常値を示す代表値データが、どのレシピ、或いはステップから生成されたかを特定することができ、異
常が発生したレシピやステップを容易に特定することができる。したがって、より効率的により素早く装置異常に対応でき、装置の故障時間を低減することができる。
(B) Moreover, according to this embodiment, it is comprised so that monitor data may be extracted for every execution period of a predetermined recipe or step. Thereby, when the apparatus is abnormal, it is possible to specify from which recipe or step the representative value data indicating the abnormal value is generated, and it is possible to easily specify the recipe or step in which the abnormality has occurred. Therefore, the apparatus abnormality can be dealt with more efficiently and quickly, and the failure time of the apparatus can be reduced.

(c)また、本実施形態によれば、代表値データ生成部511は、始値、終値、最大値、最小値等を含む代表値データを生成するように構成されている。これによって、より多くの情報を代表値データから得ることができ、ウエハ200やバッチの処理状態、装置状態等の把握がいっそう容易となる。 (C) Further, according to the present embodiment, the representative value data generation unit 511 is configured to generate representative value data including a start price, an end price, a maximum value, a minimum value, and the like. As a result, more information can be obtained from the representative value data, and it becomes easier to grasp the processing state, apparatus state, etc. of the wafer 200 and batch.

(d)また、本実施形態によれば、代表値データ加工部512は、代表値データをローソク足チャートやバーチャートに加工してデータ表示部505に表示させるように構成されている。これによって、より多くのデータを視覚的に捉え易くなり、ウエハ200やバッチの処理状態、装置状態の把握がいっそう容易となる。 (D) According to the present embodiment, the representative value data processing unit 512 is configured to process the representative value data into a candlestick chart or a bar chart and display the processed data on the data display unit 505. As a result, it becomes easier to visually grasp more data, and it becomes easier to grasp the processing state and apparatus state of the wafer 200 and batch.

(e)また、本実施形態によれば、上記のチャートの始値及び終値の端部、最大値、最小値の表示位置が時刻データを表す構成となっている。これによって、所定期間内のデータ推移を把握することが可能となる。 (E) Further, according to the present embodiment, the end values, the maximum value, and the minimum value display position of the above chart represent time data. This makes it possible to grasp the data transition within a predetermined period.

(f)また、本実施形態によれば、データ表示部505は、ローソク足チャートやバーチャートを複数並べて、或いは重ねて表示可能なように構成されている。これによって、同一のレシピ間や同一のステップ間でのウエハ200やバッチの状態比較がいっそう容易となり、長期間のデータ推移を把握し易くなる。 (F) Further, according to the present embodiment, the data display unit 505 is configured to be able to display a plurality of candlestick charts and bar charts arranged side by side or superimposed. This makes it easier to compare the state of the wafers 200 and batches between the same recipe and between the same steps, and makes it easier to grasp the long-term data transition.

<本発明の第2実施形態>
続いて、本発明の第2実施形態について説明する。
<Second Embodiment of the Present Invention>
Subsequently, a second embodiment of the present invention will be described.

本実施形態に係る基板処理装置は、図1に示す上述の実施形態に係る基板処理装置用コントローラ240と同様の構成を備える基板処理装置用コントローラを有している。本実施形態に係る基板処理装置用コントローラは、第1実施形態に係る代表値データ生成部511、代表値データ加工部512、データベース503dの機能を有するように構成されている。また、本実施形態に係る基板処理装置用コントローラは、第1実施形態におけるデータ抽出条件503pに相当する条件を保有し、これらを参照しながらモニタデータの抽出を行うように構成されている。   The substrate processing apparatus according to the present embodiment has a substrate processing apparatus controller having the same configuration as the substrate processing apparatus controller 240 according to the above-described embodiment shown in FIG. The substrate processing apparatus controller according to the present embodiment is configured to have the functions of the representative value data generation unit 511, the representative value data processing unit 512, and the database 503d according to the first embodiment. Further, the substrate processing apparatus controller according to the present embodiment has a condition corresponding to the data extraction condition 503p in the first embodiment, and is configured to extract monitor data while referring to these conditions.

また、本実施形態に係る基板処理装置用コントローラが備えるデータ表示部は、代表値データを加工して得られる各種チャートを表示可能なように構成されている。   In addition, the data display unit included in the substrate processing apparatus controller according to the present embodiment is configured to display various charts obtained by processing the representative value data.

本実施形態においては、本実施形態に係る基板処理装置用コントローラによって、上述の群管理装置500と同様の効果を奏する。   In the present embodiment, the substrate processing apparatus controller according to the present embodiment provides the same effects as those of the group management apparatus 500 described above.

<本発明の他の実施形態>
本発明は、基板処理装置100と群管理装置500とが同じフロア(同じクリーンルーム内)に配置される場合に限定されない。例えば、基板処理装置100をクリーンルーム内に配置すると共に、群管理装置500を事務所内(クリーンルームとは異なるフロア)に配置し、レシピの進行状況や基板処理装置100の状態を遠隔から監視するようにしてもよい。或いは、群管理装置500が備える一部の構成、例えばデータ表示部505や入力部506のみを事務所内に配置してもよい。
<Other Embodiments of the Present Invention>
The present invention is not limited to the case where the substrate processing apparatus 100 and the group management apparatus 500 are arranged on the same floor (in the same clean room). For example, the substrate processing apparatus 100 is arranged in a clean room, and the group management apparatus 500 is arranged in an office (a floor different from the clean room) so that the progress of the recipe and the state of the substrate processing apparatus 100 can be monitored remotely. May be. Or you may arrange | position some structures with which the group management apparatus 500 is provided, for example, only the data display part 505 and the input part 506 in an office.

本発明は、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、ALD(Atomic Layer Deposition)法、PVD(Physical
Vapor Deposition)法等による酸化膜や窒化膜、金属膜等の種々の膜
を形成する成膜処理に適用できるほか、拡散処理、アニール処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理にも適用できる。また、基板処理中のみならず、処理炉202内のクリーニングやコンディショニングの実施時にも適用できる。或いは、装置の所定状態の監視にも適用可能である。さらに、本発明は、薄膜形成装置の他、アニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置等の他の基板処理装置にも適用できる。
The present invention includes a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, an ALD (Atomic Layer Deposition) method, and a PVD (Physical).
It can be applied to film forming processes for forming various films such as oxide film, nitride film, metal film, etc. by Vapor Deposition), and other substrate processing such as diffusion processing, annealing processing, oxidation processing, nitriding processing, lithography processing, etc. It can also be applied to. Further, the present invention can be applied not only during the substrate processing but also when cleaning or conditioning in the processing furnace 202 is performed. Alternatively, the present invention can be applied to monitoring a predetermined state of the apparatus. Further, the present invention can be applied to other substrate processing apparatuses such as an annealing processing apparatus, an oxidation processing apparatus, a nitriding processing apparatus, an exposure apparatus, a coating apparatus, a drying apparatus, and a heating apparatus in addition to a thin film forming apparatus.

本発明は、本実施形態に係る基板処理装置のような半導体ウエハを処理する半導体製造装置等に限らず、ガラス基板を処理するLCD(Liquid Crystal Display)製造装置等の基板処理装置にも適用できる。   The present invention can be applied not only to a semiconductor manufacturing apparatus that processes a semiconductor wafer such as the substrate processing apparatus according to the present embodiment, but also to a substrate processing apparatus such as an LCD (Liquid Crystal Display) manufacturing apparatus that processes a glass substrate. .

以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described concretely, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, It can change variously in the range which does not deviate from the summary.

<本発明の好ましい態様>
以下に本発明の望ましい態様について付記する。
<Preferred embodiment of the present invention>
Hereinafter, desirable aspects of the present invention will be additionally described.

本発明の一態様は、
複数のイベントを発生させながらレシピを実行する基板処理装置と、前記基板処理装置に接続される群管理装置と、を含む基板処理システムであって、
前記群管理装置は、
前記レシピの進行状況又は前記基板処理装置の稼働状態を示すモニタデータを前記基板処理装置から受信する通信部と、
前記通信部が受信した前記モニタデータを読み出し可能に格納する格納部と、
所定のイベントが検出されると、前記モニタデータを抽出する区間を規定するデータ抽出条件を参照しつつ、前記格納部に格納された前記モニタデータのうち、前記データ抽出条件に適合する前記モニタデータを前記格納部から読み出し、読み出した前記モニタデータを基に代表値データを生成し、生成した前記代表値データと前記代表値データに関連する時刻データとを併せて前記格納部に格納する代表値データ生成部と、
前記格納部に格納された前記代表値データを加工して表示部に表示させる代表値データ加工部と、を有する
基板処理システムである。
One embodiment of the present invention provides:
A substrate processing system including a substrate processing apparatus that executes a recipe while generating a plurality of events, and a group management apparatus connected to the substrate processing apparatus,
The group management device includes:
A communication unit that receives monitor data indicating the progress of the recipe or the operating state of the substrate processing apparatus from the substrate processing apparatus;
A storage unit readable for storing the monitor data received by the communication unit;
When a predetermined event is detected, the monitor data that matches the data extraction condition among the monitor data stored in the storage unit while referring to a data extraction condition that defines a section for extracting the monitor data Representative value is generated from the storage unit, representative value data is generated based on the read monitor data, and the generated representative value data and time data related to the representative value data are stored in the storage unit together A data generator,
A substrate processing system comprising: a representative value data processing unit that processes the representative value data stored in the storage unit and displays the data on a display unit.

好ましくは、
前記代表値データは、前記モニタデータの前記区間内の始値、終値、最大値、最小値、平均値の少なくともいずれかを含む。
Preferably,
The representative value data includes at least one of a start value, an end value, a maximum value, a minimum value, and an average value in the section of the monitor data.

好ましくは、
前記代表値データ加工部は、前記代表値データを、ローソク足チャート、バーチャートの少なくともいずれかに加工して前記表示部に表示させる。
Preferably,
The representative value data processing unit processes the representative value data into at least one of a candlestick chart and a bar chart and displays the processed data on the display unit.

さらに好ましくは、
前記ローソク足チャートは、最大値及び最小値を表すヒゲを有する。
More preferably,
The candlestick chart has a beard representing a maximum value and a minimum value.

好ましくは、
前記表示部は、ローソク足チャート、バーチャートの少なくともいずれかを複数表示可能なように構成されている。
Preferably,
The display unit is configured to display a plurality of at least one of a candlestick chart and a bar chart.

好ましくは、
前記モニタデータを抽出する前記区間には、所定のイベント間の期間が規定されている
Preferably,
A period between predetermined events is defined in the section in which the monitor data is extracted.

好ましくは、
前記モニタデータを抽出する前記区間には、所定のレシピの実行開始から実行終了までの期間、前記所定のレシピに含まれる所定のステップの実行開始から実行終了までの期間、前記基板の搬入開始から搬出終了までの期間、の少なくともいずれかが規定されている。
Preferably,
The section for extracting the monitor data includes a period from the start of execution of a predetermined recipe to the end of execution, a period from the start of execution of a predetermined step included in the predetermined recipe to the end of execution, and from the start of carrying in the substrate. At least one of the period until the end of unloading is specified.

本発明の他の態様は、
複数のイベントを発生させながらレシピを実行する基板処理装置に接続される群管理装置であって、
前記レシピの進行状況又は前記基板処理装置の稼働状態を示すモニタデータを前記基板処理装置から受信する通信部と、
前記通信部が受信した前記モニタデータを読み出し可能に格納する格納部と、
所定のイベントが検出されると、前記モニタデータを抽出する区間を規定するデータ抽出条件を参照しつつ、前記格納部に格納された前記モニタデータのうち、データ抽出条件に適合する前記モニタデータを前記格納部から読み出し、読み出した前記モニタデータを基に代表値データを生成し、生成した前記代表値データと前記代表値データに関連する時刻データとを併せて前記格納部に格納する代表値データ生成部と、
前記格納部に格納された前記代表値データを加工して表示部に表示させる代表値データ加工部と、を有する
群管理装置である。
Another aspect of the present invention is:
A group management apparatus connected to a substrate processing apparatus that executes a recipe while generating a plurality of events,
A communication unit that receives monitor data indicating the progress of the recipe or the operating state of the substrate processing apparatus from the substrate processing apparatus;
A storage unit readable for storing the monitor data received by the communication unit;
When a predetermined event is detected, the monitor data that matches the data extraction condition among the monitor data stored in the storage unit is referred to while referring to a data extraction condition that defines a section for extracting the monitor data. Representative value data that is read from the storage unit, generates representative value data based on the read monitor data, and stores the generated representative value data and time data related to the representative value data together in the storage unit A generator,
A group management apparatus comprising: a representative value data processing unit that processes the representative value data stored in the storage unit and displays the processed data on a display unit.

本発明のさらに他の態様は、
複数のイベントを発生させながらレシピを実行する基板処理装置であって、
前記レシピの進行状況又は前記基板処理装置の稼働状態を示すモニタデータを読み出し可能に格納する格納部と、
所定のイベントが検出されると、前記モニタデータを抽出する区間を規定するデータ抽出条件を参照しつつ、前記格納部に格納された前記モニタデータのうち、データ抽出条件に適合する前記モニタデータを前記格納部から読み出し、読み出した前記モニタデータを基に代表値データを生成し、生成した前記代表値データと前記代表値データに関連する時刻データとを併せて前記格納部に格納する代表値データ生成部と、
前記格納部に格納された前記代表値データを加工して表示部に表示させる代表値データ加工部と、を有する
基板処理装置である。
Still another aspect of the present invention provides:
A substrate processing apparatus that executes a recipe while generating a plurality of events,
A storage unit for readable storage of monitor data indicating the progress of the recipe or the operating state of the substrate processing apparatus;
When a predetermined event is detected, the monitor data that matches the data extraction condition among the monitor data stored in the storage unit is referred to while referring to a data extraction condition that defines a section for extracting the monitor data. Representative value data that is read from the storage unit, generates representative value data based on the read monitor data, and stores the generated representative value data and time data related to the representative value data together in the storage unit A generator,
A substrate processing apparatus comprising: a representative value data processing unit that processes the representative value data stored in the storage unit and displays the data on a display unit.

100 基板処理装置
500 群管理装置
503d データベース(格納部)
503p データ抽出条件
504 通信制御部(通信部)
505 データ表示部(表示部)
511 代表値データ生成部
512 代表値データ加工部
100 substrate processing device 500 group management device 503d database (storage unit)
503p Data extraction condition 504 Communication control unit (communication unit)
505 Data display part (display part)
511 Representative value data generation unit 512 Representative value data processing unit

Claims (1)

複数のイベントを発生させながらレシピを実行する基板処理装置と、前記基板処理装置に接続される群管理装置と、を含む基板処理システムであって、
前記群管理装置は、
前記レシピの進行状況又は前記基板処理装置の稼働状態を示すモニタデータを前記基板処理装置から受信する通信部と、
前記通信部が受信した前記モニタデータを読み出し可能に格納する格納部と、
所定のイベントが検出されると、前記モニタデータを抽出する区間を規定するデータ抽出条件を参照しつつ、前記格納部に格納された前記モニタデータのうち、前記データ抽出条件に適合する前記モニタデータを前記格納部から読み出し、読み出した前記モニタデータを基に代表値データを生成し、生成した前記代表値データと前記代表値データに関連する時刻データとを併せて前記格納部に格納する代表値データ生成部と、
前記格納部に格納された前記代表値データを加工して表示部に表示させる代表値データ加工部と、を有する
ことを特徴とする基板処理システム。


A substrate processing system including a substrate processing apparatus that executes a recipe while generating a plurality of events, and a group management apparatus connected to the substrate processing apparatus,
The group management device includes:
A communication unit that receives monitor data indicating the progress of the recipe or the operating state of the substrate processing apparatus from the substrate processing apparatus;
A storage unit readable for storing the monitor data received by the communication unit;
When a predetermined event is detected, the monitor data that matches the data extraction condition among the monitor data stored in the storage unit while referring to a data extraction condition that defines a section for extracting the monitor data Representative value is generated from the storage unit, representative value data is generated based on the read monitor data, and the generated representative value data and time data related to the representative value data are stored in the storage unit together A data generator,
A substrate processing system, comprising: a representative value data processing unit that processes the representative value data stored in the storage unit and displays the data on a display unit.


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