JP2013074039A

JP2013074039A - Group management device

Info

Publication number: JP2013074039A
Application number: JP2011211040A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Iwakura; 裕幸岩倉
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2011-09-27
Filing date: 2011-09-27
Publication date: 2013-04-22

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a group management device in which a parameter causing abnormality becomes apt to be specified as compared with a case where all parameters are utilized by using a comparison result between the parameter used during processing and a reference parameter as reference of the parameter in the event of an anomaly in a film deposition processing result in a substrate processing device.SOLUTION: A group management device includes: receiving means which receives a parameter to be used for substrate processing; setting means which sets a reference parameter as reference of the parameter received by the receiving means; comparison means which compares the parameter received by the receiving means with the reference parameter set by the setting means; storage means which at least stores a comparison result by the comparison means; and display means which displays the comparison result by the comparison means.

Description

本発明は、少なくとも１台の基板処理装置を管理する群管理装置に関するものである。 The present invention relates to a group management apparatus that manages at least one substrate processing apparatus.

基板処理装置又は基板処理装置を管理する群管理装置は、成膜処理などに用いるレシピを作成する。処理開始時（レシピ開始時）には、基板処理装置は、基板処理装置又は群管理装置によって作成されたレシピをメモリにロードして実行する。特許文献１には、群管理装置において作成されたレシピがコピーされた後、基板処理装置によって実行されることが記載されている。
また、基板処理装置は、レシピの実行中に、基板処理装置の各部から基板処理に関するデータを収集し、群管理装置に送信する。群管理装置は、基板処理装置によって収集されたデータが異常値になっていないかどうかをチェックすることにより、基板処理装置において成膜異常などの異常が発生していないかどうかを監視する。特許文献２には、基板処理装置の各部を監視する機能として、各部から収集されるデータから異常を検出する方法が記載されている。また、特許文献３には、群管理装置内のデータベースに基板処理装置からのデータを保持しておき、データベースから適宜読み出したデータをチェックすることが記載されている。
また、誤操作及び誤設定などによって処理条件が変化した場合には、異常の発生を正しく検知できないことがあるため、基板処理装置が、基板の処理条件を定義したレシピ及び基板処理装置の動作に関するパラメータを事前に群管理装置に送信し、群管理装置は、基板処理装置から送信されたパラメータが正しく設定されているかどうかをチェックすることも、よく知られている。
しかしながら、基板処理装置から送信されるパラメータの数は膨大であるので、全てのパラメータを保持するには膨大な記憶領域が必要であり、十分な記憶領域を持たない群管理装置は十分にチェックできないおそれがある。 A substrate processing apparatus or a group management apparatus that manages the substrate processing apparatus creates a recipe that is used for a film forming process or the like. At the start of processing (at the start of recipe), the substrate processing apparatus loads a recipe created by the substrate processing apparatus or the group management apparatus into the memory and executes it. Patent Document 1 describes that a recipe created in the group management apparatus is copied and then executed by the substrate processing apparatus.
The substrate processing apparatus collects data related to substrate processing from each unit of the substrate processing apparatus during execution of the recipe, and transmits the data to the group management apparatus. The group management apparatus monitors whether or not an abnormality such as a film formation abnormality has occurred in the substrate processing apparatus by checking whether or not the data collected by the substrate processing apparatus has an abnormal value. Patent Document 2 describes a method for detecting an abnormality from data collected from each unit as a function for monitoring each unit of the substrate processing apparatus. Further, Patent Document 3 describes that data from the substrate processing apparatus is held in a database in the group management apparatus, and data read out from the database is checked appropriately.
In addition, when the processing conditions change due to an erroneous operation or incorrect setting, the occurrence of an abnormality may not be detected correctly. Therefore, the substrate processing apparatus defines a recipe that defines the processing conditions for the substrate and parameters related to the operation of the substrate processing apparatus. It is also well known that the group management device checks whether the parameters transmitted from the substrate processing apparatus are correctly set.
However, since the number of parameters transmitted from the substrate processing apparatus is enormous, an enormous storage area is required to hold all parameters, and a group management apparatus that does not have sufficient storage area cannot be checked sufficiently. There is a fear.

特開平１１−３４０１１１号公報JP-A-11-340111 特開２００８−０９１５１８号公報JP 2008-091518 A 特開２０１０−０２７６４６号公報JP 2010-027646 A

本発明の目的は、基板処理装置における成膜処理結果に異常があった場合、処理時に用いられたパラメータ及びこのパラメータの基準となる基準パラメータの比較結果を利用することにより、全てのパラメータを利用する場合に比べ、異常の原因となるパラメータを特定しやすくすることにある。 The object of the present invention is to use all the parameters by using the comparison result of the parameters used at the time of processing and the reference parameters used as the reference of these parameters when there is an abnormality in the film forming processing result in the substrate processing apparatus. This is to make it easier to identify a parameter that causes an abnormality than in the case of doing so.

上記目的を達成するために、本発明に係る群管理装置は、基板処理に用いられるパラメータを受け付ける受付手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータの基準となる基準パラメータを設定する設定手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータと、前記設定手段によって設定された基準パラメータとを比較する比較手段と、前記比較手段による比較結果を少なくとも記憶する記憶手段とを有する。 In order to achieve the above object, the group management apparatus according to the present invention includes a receiving unit that receives a parameter used for substrate processing, a setting unit that sets a reference parameter as a reference for the parameter received by the receiving unit, Comparing means for comparing the parameter accepted by the accepting means with the reference parameter set by the setting means, and storage means for storing at least the comparison result by the comparing means.

本発明に係る基板処理システムは、基板処理を実行する基板処理装置と、前記基板処理装置を管理する群管理装置とからなる基板処理システムであって、前記基板処理装置は、基板処理に用いるパラメータを前記群管理装置に送信する送信部を有し、前記群管理装置は、前記送信部によって送信されたパラメータを受信する受信手段と、前記受信手段によって受信されたパラメータの基準となる基準パラメータを設定する設定手段と、前記受信手段によって受信されたパラメータと、前記設定手段によって設定された基準パラメータとを比較する比較手段と、前記比較手段による比較結果を記憶する記憶手段とを有する。 A substrate processing system according to the present invention is a substrate processing system including a substrate processing apparatus that performs substrate processing and a group management apparatus that manages the substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus includes parameters used for substrate processing. Transmitting to the group management device, the group management device receiving a parameter transmitted by the transmission unit, a reference parameter serving as a reference for the parameter received by the reception unit Setting means for setting, comparing means for comparing the parameter received by the receiving means with the reference parameter set by the setting means, and storage means for storing the comparison result by the comparing means.

本発明に係るパラメータ処理プログラムは、基板処理に用いられるパラメータを受け付け、受け付けられたパラメータの基準となる基準パラメータを生成する生成部と、受け付けられたパラメータ及び生成された基準パラメータを比較する比較部と、比較部による比較結果を表示する表示部とをコンピュータに実行させる。 The parameter processing program according to the present invention receives a parameter used for substrate processing, generates a reference parameter serving as a reference for the received parameter, and a comparison unit that compares the received parameter and the generated reference parameter And a display unit for displaying a comparison result by the comparison unit.

本発明に係る基板処理システムは、基板処理を実行する基板処理装置と、前記基板処理装置を管理する群管理装置とからなる基板処理システムであって、前記基板処理装置は、基板処理に用いるパラメータを前記群管理装置に送信する送信部を有し、前記群管理装置は、前記送信部によって送信されたパラメータを受信する受信手段と、前記受信手段によって受信されたパラメータの基準となる基準パラメータを設定する設定手段と、前記受信手段によって受信されたパラメータと、前記設定手段によって設定された基準パラメータとを比較する比較手段と、前記比較手段による比較結果を表示する表示手段とを有する。 A substrate processing system according to the present invention is a substrate processing system including a substrate processing apparatus that performs substrate processing and a group management apparatus that manages the substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus includes parameters used for substrate processing. Transmitting to the group management device, the group management device receiving a parameter transmitted by the transmission unit, a reference parameter serving as a reference for the parameter received by the reception unit Setting means for setting, comparison means for comparing the parameter received by the receiving means with the reference parameter set by the setting means, and display means for displaying a comparison result by the comparing means.

本発明によれば、処理時に用いられたパラメータ及びこのパラメータの基準となる基準パラメータの比較結果を利用することにより、全てのパラメータを利用する場合に比べ、異常の原因となるパラメータを特定しやすくなる。また、特定のパラメータのみを保持することにより、パラメータを保持する記憶領域を効率よく利用することができる。 According to the present invention, by using the comparison result of the parameter used at the time of processing and the reference parameter serving as a reference for this parameter, it is easier to identify the parameter causing the abnormality than when all the parameters are used. Become. In addition, by storing only specific parameters, it is possible to efficiently use a storage area for storing parameters.

本発明の実施形態に係る群管理装置によって管理される、基板処理装置の斜透視図である。It is a perspective view of the substrate processing apparatus managed by the group management apparatus according to the embodiment of the present invention. 基板処理装置の側面透視図である。It is side surface perspective drawing of a substrate processing apparatus. 基板処理装置の処理炉の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the processing furnace of a substrate processing apparatus. 本発明の実施形態に係る群管理装置及び基板処理装置からなる基板処理システムのブロック構成図である。1 is a block configuration diagram of a substrate processing system including a group management apparatus and a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る群管理装置のメモリ内でなされる処理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process performed within the memory of the group management apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る群管理装置に保持される、基準パラメータテーブルの一例である。It is an example of the reference | standard parameter table hold | maintained at the group management apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る群管理装置に保持される、パラメータテーブルの一例である。It is an example of the parameter table hold | maintained at the group management apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る群管理装置に表示される、変更パラメータ一覧画面の一例である。It is an example of the change parameter list screen displayed on the group management apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る群管理装置に表示される、変更パラメータ詳細画面の一例である。It is an example of the change parameter detail screen displayed on the group management apparatus which concerns on embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態について説明する。
（１）基板処理装置の構成
本実施形態に係る群管理装置によって管理される基板処理装置１００の構成について、図１，図２を参照して説明する。図１は基板処理装置１００の斜透視図であり、図２は基板処理装置１００の側面透視図である。
なお、基板処理装置１００は、ウエハ等の基板に成膜処理、酸化処理及び拡散処理などを行う縦型の装置として構成される。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus The configuration of the substrate processing apparatus 100 managed by the group management apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is an oblique perspective view of the substrate processing apparatus 100, and FIG. 2 is a side perspective view of the substrate processing apparatus 100.
The substrate processing apparatus 100 is configured as a vertical apparatus that performs film formation processing, oxidation processing, diffusion processing, and the like on a substrate such as a wafer.

図１，図２に示すように、基板処理装置１００は、耐圧容器として構成された筐体１１１を備える。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が設けられる。正面メンテナンス口１０３には、正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４が設けられる。 As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate processing apparatus 100 includes a housing 111 configured as a pressure vessel. In front of the front wall 111a of the casing 111, a front maintenance port 103 is provided as an opening provided for maintenance. The front maintenance port 103 is provided with a front maintenance door 104 that opens and closes the front maintenance port 103.

シリコン（Ｓｉ）等で構成される基板としてのウエハ２００を筐体１１１内外へ搬送するには、複数のウエハ２００を収納するウエハキャリア（基板収容器）としてのポッド１１０が使用される。筐体１１１の正面壁１１１ａには、ポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が、筐体１１１内外を連通するように開設される。ポッド搬入搬出口１１２は、フロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面下方側には、ロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置される。ポッド１１０は、工程内搬送装置（図示せず）によって搬送され、ロードポート１１４上に載置されて位置合わせされるように構成される。 In order to transfer the wafer 200 as a substrate made of silicon (Si) or the like into or out of the housing 111, a pod 110 as a wafer carrier (substrate container) that stores a plurality of wafers 200 is used. A pod loading / unloading port (substrate container loading / unloading port) 112 is opened on the front wall 111 a of the housing 111 so as to communicate between the inside and the outside of the housing 111. The pod loading / unloading port 112 is opened and closed by a front shutter (substrate container loading / unloading port opening / closing mechanism) 113. A load port (substrate container delivery table) 114 is installed on the lower front side of the pod loading / unloading port 112. The pod 110 is configured to be transferred by an in-process transfer device (not shown), placed on the load port 114, and aligned.

筐体１１１内におけるロードポート１１４の近傍には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置される。筐体１１１内のポッド搬送装置１１８のさらに奥、筐体１１１内の前後方向の略中央部における上方には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置される。回転式ポッド棚１０５の下方には、一対のポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１が上下段にそれぞれ設置される。 A pod transfer device (substrate container transfer device) 118 is installed near the load port 114 in the housing 111. A rotary pod shelf (substrate container mounting shelf) 105 is installed at a further depth of the pod transfer device 118 in the casing 111 and in an upper portion of the casing 111 in a substantially central portion in the front-rear direction. Below the rotary pod shelf 105, a pair of pod openers (substrate container lid opening / closing mechanisms) 121 are respectively installed in the upper and lower stages.

ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと、搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとにより構成される。ポッド搬送装置１１８は、ポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ１２１の間で、ポッド１１０を相互に搬送するように構成される。 The pod transfer device 118 includes a pod elevator (substrate container lifting mechanism) 118a that can be moved up and down while holding the pod 110, and a pod transfer mechanism (substrate container transfer mechanism) 118b as a transfer mechanism. The pod transfer device 118 is configured to transfer the pods 110 between the load port 114, the rotary pod shelf 105, and the pod opener 121 by continuous operation of the pod elevator 118a and the pod transfer mechanism 118b.

回転式ポッド棚１０５上には、複数個のポッド１１０が保管されるように構成される。回転式ポッド棚１０５は、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、上中下段の各位置において支柱１１６に放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備える。複数枚の棚板１１７は、ポッド１１０を複数個それぞれ載置した状態で保持するように構成される。 A plurality of pods 110 are stored on the rotary pod shelf 105. The rotary pod shelf 105 includes a support column 116 that is erected vertically and intermittently rotates in a horizontal plane, and a plurality of shelf plates (substrate container mounting table) that are radially supported by the support column 116 at each of the upper, middle, and lower positions. ) 117. The plurality of shelf plates 117 are configured to hold a plurality of pods 110 placed thereon.

ポッドオープナ１２１が配置される筐体１１１内の下部には、サブ筐体１１９が筐体１１１内の前後方向の略中央部から後端にわたって設けられる。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａには、ウエハ２００をサブ筐体１１９内外に搬送する一対のウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が、垂直方向に上下二段に並べられて設けられる。ポッドオープナ１２１は、上下段のウエハ搬入搬出口１２０にそれぞれ設置される。 A sub-housing 119 is provided at a lower portion in the casing 111 where the pod opener 121 is disposed, extending from a substantially central portion to a rear end in the front-rear direction in the casing 111. A pair of wafer loading / unloading ports (substrate loading / unloading ports) 120 that transfer the wafers 200 into and out of the sub-casing 119 are provided on the front wall 119a of the sub-casing 119, arranged in two vertical stages in the vertical direction. The pod opener 121 is installed at each of the upper and lower wafer loading / unloading ports 120.

各ポッドオープナ１２１は、ポッド１１０を載置する一対の載置台１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３と、を備える。ポッドオープナ１２１は、載置台１２２上に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成される。 Each pod opener 121 includes a pair of mounting tables 122 on which the pod 110 is mounted, and a cap attaching / detaching mechanism (lid attaching / detaching mechanism) 123 that attaches / detaches a cap (cover) of the pod 110. The pod opener 121 is configured to open and close the wafer loading / unloading port of the pod 110 by attaching / detaching the cap of the pod 110 placed on the placing table 122 by the cap attaching / detaching mechanism 123.

サブ筐体１１９内には、ポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５等が設置された空間から流体的に隔絶された移載室１２４が構成されている。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転又は直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとにより構成される。図１に示すように、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、サブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部と筐体１１１右側端部との間に設置される。ウエハ移載装置１２５ａは、ウエハ２００の載置部としてのツイーザ（基板保持体）１２５ｃを備える。ウエハ移載装置１２５ａを挟んでウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとは反対の側には、ウエハ２００の円周方向の位置を合わせる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置（図示せず）が設置される。ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、後述のボート２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）するように構成される。 In the sub casing 119, a transfer chamber 124 that is fluidly isolated from a space in which the pod transfer device 118, the rotary pod shelf 105, and the like are installed is configured. A wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125 is installed in the front region of the transfer chamber 124. The wafer transfer mechanism 125 includes a wafer transfer device (substrate transfer device) 125a that can rotate or linearly move the wafer 200 in the horizontal direction, and a wafer transfer device elevator (substrate transfer device) that moves the wafer transfer device 125a up and down. Elevating mechanism) 125b. As shown in FIG. 1, the wafer transfer device elevator 125 b is installed between the right end of the front region of the transfer chamber 124 of the sub-housing 119 and the right end of the housing 111. The wafer transfer device 125 a includes a tweezer (substrate holding body) 125 c as a placement unit for the wafer 200. A notch alignment device (not shown) as a substrate alignment device for aligning the position of the wafer 200 in the circumferential direction is installed on the opposite side of the wafer transfer device elevator 125b across the wafer transfer device 125a. By the continuous operation of the wafer transfer device elevator 125b and the wafer transfer device 125a, the boat 200 is loaded (charged) and unloaded (discharged) from the boat 217 described later.

移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成される。待機部１２６の上方には、ウエハ２００を処理する処理炉２０２が設けられる。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成される。なお、処理炉２０２の構成については後述する。 In the rear region of the transfer chamber 124, a standby unit 126 that houses and waits for the boat 217 is configured. A processing furnace 202 for processing the wafer 200 is provided above the standby unit 126. The lower end of the processing furnace 202 is configured to be opened and closed by a furnace port shutter (furnace port opening / closing mechanism) 147. The configuration of the processing furnace 202 will be described later.

図１に示すように、サブ筐体１１９の待機部１２６右端部と筐体１１１右側端部との間には、ボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置される。ボートエレベータ１１５の昇降台には、連結具としてのアーム１２８が連結される。アーム１２８には、炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられる。シールキャップ２１９は、ボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成される。 As shown in FIG. 1, a boat elevator (substrate holder lifting mechanism) 115 for raising and lowering the boat 217 is installed between the right end of the standby section 126 and the right end of the casing 111 of the sub casing 119. The An arm 128 as a connecting tool is connected to the elevator platform of the boat elevator 115. A seal cap 219 as a furnace port lid is horizontally installed on the arm 128. The seal cap 219 is configured to support the boat 217 vertically and to close the lower end portion of the processing furnace 202.

ボート（基板保持具）２１７は複数本の保持部材を備える。ボート２１７は、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００を、中心を揃えて垂直方向に整列させた状態でそれぞれ水平に保持するように構成される。 The boat (substrate holder) 217 includes a plurality of holding members. The boat 217 is configured to hold a plurality of (for example, about 50 to 125) wafers 200 horizontally in a state where the centers are aligned in the vertical direction.

図１に示すように、移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側の左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置される。クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置、ウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７の周囲を流通した後、図示しないダクトにより吸い込まれて筐体１１１の外部に排気されるか、又は、クリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、移載室１２４内に再び吹き出されるように構成される。 As shown in FIG. 1, a clean atmosphere or clean air 133, which is an inert gas, is supplied to the left end of the transfer chamber 124 on the side opposite to the wafer transfer device elevator 125b side and the boat elevator 115 side. A clean unit 134 composed of a supply fan and a dustproof filter is installed. The clean air 133 blown out from the clean unit 134 flows around the notch aligner, the wafer transfer device 125a, and the boat 217 in the standby unit 126, and is then sucked by a duct (not shown) and exhausted to the outside of the casing 111. Or is circulated to the primary side (supply side) which is the suction side of the clean unit 134 and is blown out again into the transfer chamber 124.

（２）基板処理装置の動作
次に、基板処理装置１００の動作について、図１，図２を参照しながら説明する。以下の動作は、例えば搬送レシピに基づいて実施される。搬送レシピは、基板処理装置１００内のウエハ２００の搬送に用いられ、例えば、基板処理を行うプロセスレシピと併用されて基板処理工程に適用される。 (2) Operation of Substrate Processing Apparatus Next, the operation of the substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIGS. The following operations are performed based on, for example, a transport recipe. The transfer recipe is used for transferring the wafer 200 in the substrate processing apparatus 100, and is applied to the substrate processing step in combination with a process recipe for performing substrate processing, for example.

図１，図２に示すように、ポッド１１０がロードポート１１４に載置されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放される。ロードポート１１４の上のポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によってポッド搬入搬出口１１２から筐体１１１内部へと搬入される。 As shown in FIGS. 1 and 2, when the pod 110 is placed on the load port 114, the pod loading / unloading port 112 is opened by the front shutter 113. The pod 110 on the load port 114 is carried into the housing 111 from the pod carry-in / out port 112 by the pod carrying device 118.

筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって回転式ポッド棚１０５の棚板１１７上へ自動的に搬送されて一時的に保管された後、棚板１１７上から一方のポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載される。筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって直接ポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載されてもよい。ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４内にはクリーンエア１３３が流通され、充満される。例えば、不活性ガス等のクリーンエア１３３で移載室１２４内が充満されることにより、移載室１２４内の酸素濃度が例えば２０ｐｐｍ以下となり、大気雰囲気となっている筐体１１１内の酸素濃度よりも遥かに低くなるように設定される。 The pod 110 carried into the housing 111 is automatically transported and temporarily stored on the shelf plate 117 of the rotary pod shelf 105 by the pod transport device 118, and then one of the pods 110 from the shelf plate 117. It is transferred onto the mounting table 122 of the pod opener 121. The pod 110 carried into the housing 111 may be directly transferred onto the mounting table 122 of the pod opener 121 by the pod transfer device 118. The wafer loading / unloading port 120 of the pod opener 121 is closed by a cap attaching / detaching mechanism 123, and clean air 133 is circulated and filled in the transfer chamber 124. For example, when the transfer chamber 124 is filled with clean air 133 such as an inert gas, the oxygen concentration in the transfer chamber 124 becomes, for example, 20 ppm or less, and the oxygen concentration in the casing 111 that is in an atmospheric atmosphere. Is set to be much lower.

載置台１２２上に載置されたポッド１１０は、その開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａに設けられたウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、ポッド１１０のキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。その後、ウエハ２００は、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてポッド１１０内からピックアップされ、ノッチ合わせ装置にて円周方向の位置合わせがされた後、移載室１２４の後方にある待機部１２６内へ搬入され、ボート２１７内に装填（ウエハチャージング）される。ボート２１７内にウエハ２００を装填したウエハ移載装置１２５ａは、ポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７内に装填する。 The pod 110 mounted on the mounting table 122 is pressed against the opening edge of the wafer loading / unloading port 120 provided on the front wall 119a of the sub housing 119 at the opening side end surface, and the cap of the pod 110 is capped. It is removed by the attaching / detaching mechanism 123 and the wafer loading / unloading opening is opened. After that, the wafer 200 is picked up from the pod 110 through the wafer loading / unloading port by the tweezer 125c of the wafer transfer device 125a and is positioned in the circumferential direction by the notch alignment device, and then located behind the transfer chamber 124. It is carried into the standby unit 126 and loaded into the boat 217 (wafer charging). The wafer transfer device 125 a loaded with the wafer 200 in the boat 217 returns to the pod 110 and loads the next wafer 200 into the boat 217.

ウエハ移載機構１２５によって、上段（又は下段）のポッドオープナ１２１からボート２１７へとウエハ２００を装填する間に、下段（又は上段）のポッドオープナ１２１の載置台１２２上には、別のポッド１１０が回転式ポッド棚１０５上からポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ウエハ２００の装填作業と同時進行で、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が行われる。 While the wafer 200 is loaded from the upper (or lower) pod opener 121 to the boat 217 by the wafer transfer mechanism 125, another pod 110 is placed on the mounting table 122 of the lower (or upper) pod opener 121. Are transferred from the rotary pod shelf 105 by the pod transfer device 118 and transferred, and the pod 110 is opened by the pod opener 121 simultaneously with the loading operation of the wafer 200.

予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７は、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより処理炉２０２内へ搬入（ボートローディング）される。 When a predetermined number of wafers 200 are loaded into the boat 217, the lower end of the processing furnace 202 closed by the furnace port shutter 147 is opened. Subsequently, the boat 217 holding the group of wafers 200 is loaded into the processing furnace 202 (boat loading) when the seal cap 219 is lifted by the boat elevator 115.

ローディング後は、処理炉２０２内にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、ノッチ合わせ装置によるウエハの位置合わせを除き、上述の手順とほぼ逆の手順で、処理後のウエハ２００を格納したボート２１７が処理炉２０２内より搬出され、処理後のウエハ２００を格納したポッド１１０が筐体１１１外へと搬出される。 After loading, arbitrary processing is performed on the wafer 200 in the processing furnace 202. After the processing, the boat 217 storing the processed wafers 200 is unloaded from the processing furnace 202 by a procedure almost opposite to the above-described procedure except for the wafer alignment by the notch aligning device. The stored pod 110 is carried out of the casing 111.

（３）処理炉の構成
続いて、処理炉２０２の構成について、図３を用いて説明する。図３は、処理炉２０２の縦断面図である。 (3) Configuration of Processing Furnace Next, the configuration of the processing furnace 202 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a longitudinal sectional view of the processing furnace 202.

図３に示すように、処理炉２０２は、反応管としてのプロセスチューブ２０３を備える。プロセスチューブ２０３は、内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５と、を備える。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ_２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４内の筒中空部には、基板としてのウエハ２００を処理する処理室２０１が形成される。処理室２０１内は、後述するボート２１７を収容可能なように構成される。アウターチューブ２０５は、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられる。アウターチューブ２０５は、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成される。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなる。 As shown in FIG. 3, the processing furnace 202 includes a process tube 203 as a reaction tube. The process tube 203 includes an inner tube 204 as an internal reaction tube and an outer tube 205 as an external reaction tube provided outside the process tube 203. The inner tube 204 is made of a heat-resistant material such as quartz (SiO ₂ ) or silicon carbide (SiC), and is formed in a cylindrical shape having upper and lower ends opened. A processing chamber 201 for processing a wafer 200 as a substrate is formed in a hollow cylindrical portion in the inner tube 204. The processing chamber 201 is configured to accommodate a boat 217 described later. The outer tube 205 is provided concentrically with the inner tube 204. The outer tube 205 has an inner diameter larger than the outer diameter of the inner tube 204, is formed in a cylindrical shape with the upper end closed and the lower end opened. The outer tube 205 is made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide.

プロセスチューブ２０３の外側には、プロセスチューブ２０３の側壁面を囲うように、
加熱機構としてのヒータ２０６が設けられる。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられる。 On the outside of the process tube 203, so as to surround the side wall surface of the process tube 203,
A heater 206 is provided as a heating mechanism. The heater 206 has a cylindrical shape and is vertically installed by being supported by a heater base 251 as a holding plate.

プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置される。ヒータ２０６と温度センサ２６３とには、温度制御部２３７が電気的に接続される。温度制御部２３７は、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づいて、処理室２０１内の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるように、ヒータ２０６への通電具合を調整するよう構成される。 A temperature sensor 263 as a temperature detector is installed in the process tube 203. A temperature controller 237 is electrically connected to the heater 206 and the temperature sensor 263. Based on the temperature information detected by the temperature sensor 263, the temperature control unit 237 adjusts the power supply to the heater 206 so that the temperature in the processing chamber 201 becomes a desired temperature distribution at a desired timing. Composed.

アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状になるように、マニホールド２０９が設けられる。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とにそれぞれ係合しており、これらを支持するように設けられる。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９とにより反応容器が形成される。 A manifold 209 is provided below the outer tube 205 so as to be concentric with the outer tube 205. The manifold 209 is made of, for example, stainless steel and is formed in a cylindrical shape with an upper end and a lower end opened. The manifold 209 is engaged with the lower end portion of the inner tube 204 and the lower end portion of the outer tube 205, and is provided so as to support them. An O-ring 220a as a seal member is provided between the manifold 209 and the outer tube 205. By supporting the manifold 209 on the heater base 251, the process tube 203 is installed vertically. A reaction vessel is formed by the process tube 203 and the manifold 209.

マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられる。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された基板保持具昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降されるように構成される。シールキャップ２１９を昇降させることにより、ボート２１７を処理室２０１内外に搬送することが可能なように構成される。 A seal cap 219 is provided below the manifold 209 as a furnace port lid that can airtightly close the lower end opening of the manifold 209. The seal cap 219 is brought into contact with the lower end of the manifold 209 from the lower side in the vertical direction. The seal cap 219 is made of a metal such as stainless steel and has a disk shape. On the upper surface of the seal cap 219, an O-ring 220b is provided as a seal member that comes into contact with the lower end of the manifold 209. The seal cap 219 is configured to be lifted and lowered in the vertical direction by a boat elevator 115 as a substrate holder lifting mechanism vertically installed outside the process tube 203. By moving the seal cap 219 up and down, the boat 217 can be transferred into and out of the processing chamber 201.

シールキャップ２１９の中心部付近であって処理室２０１と反対側には、ボート２１７を回転させる回転機構２５４が設置される。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７を下方から支持している。回転機構２５４は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させることが可能なように構成される。 A rotation mechanism 254 for rotating the boat 217 is installed near the center of the seal cap 219 and on the side opposite to the processing chamber 201. The rotation shaft 255 of the rotation mechanism 254 passes through the seal cap 219 and supports the boat 217 from below. The rotation mechanism 254 is configured to rotate the wafer 200 by rotating the boat 217.

ボートエレベータ１１５及び回転機構２５４には、搬送制御部２３８が電気的に接続されている。搬送制御部２３８は、回転機構２５４及びボートエレベータ１１５が所望のタイミングにて所望の動作をするように、これら各部を制御するよう構成される。なお、搬送制御部２３８は、上述のポッドエレベータ１１８ａ、ポッド搬送機構１１８ｂ、ポッドオープナ１２１、ウエハ移載装置１２５ａ、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ等にも電気的に接続され、これら各部が所望のタイミングにて所望の動作をするように、これらを制御するよう構成される。主に、ボートエレベータ１１５、回転機構２５４、ポッドエレベータ１１８ａ、ポッド搬送機構１１８ｂ、ポッドオープナ１２１、ウエハ移載装置１２５ａ及びウエハ移載装置エレベータ１２５ｂにより、本実施形態に係る搬送系が構成される。 A conveyance control unit 238 is electrically connected to the boat elevator 115 and the rotation mechanism 254. The conveyance control unit 238 is configured to control these units so that the rotation mechanism 254 and the boat elevator 115 perform a desired operation at a desired timing. The transfer control unit 238 is also electrically connected to the pod elevator 118a, the pod transfer mechanism 118b, the pod opener 121, the wafer transfer device 125a, the wafer transfer device elevator 125b, and the like. These are configured to control these so as to perform a desired operation. The boat elevator 115, the rotation mechanism 254, the pod elevator 118a, the pod transfer mechanism 118b, the pod opener 121, the wafer transfer device 125a, and the wafer transfer device elevator 125b mainly constitute a transfer system according to this embodiment.

基板保持具としてのボート２１７は、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成される。ボート２１７は、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料からなる。ボート２１７の下部には、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わり難くなるように構成される。 A boat 217 serving as a substrate holder is configured to hold a plurality of wafers 200 in a multi-stage by aligning a plurality of wafers 200 in a horizontal posture with their centers aligned. The boat 217 is made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide. In the lower part of the boat 217, a plurality of heat insulating plates 216 as a disk-shaped heat insulating member made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide are arranged in multiple stages in a horizontal posture. It is configured to be difficult to be transmitted to the manifold 209 side.

シールキャップ２１９には、ガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続される。ノズル２３０の上流端には、ガス供給管２３２の下流端が接続される。ガス供給管２３２には、上流側から順に図示しない処理ガスや不活性ガス等の１つ又は複数のガス供給源、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１、及び、不図示の複数のバルブが接続される。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続される。ガス流量制御部２３５は、処理室２０１内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ＭＦＣ２４１を制御するよう構成される。主に、ノズル２３０、ガス供給管２３２、図示しない複数個のバルブ、ＭＦＣ２４１、ガス供給源により、本実施形態に係るガス供給系が構成される。 A nozzle 230 as a gas introduction unit is connected to the seal cap 219 so as to communicate with the inside of the processing chamber 201. The downstream end of the gas supply pipe 232 is connected to the upstream end of the nozzle 230. The gas supply pipe 232 includes one or more gas supply sources such as a processing gas and an inert gas (not shown) in order from the upstream side, an MFC (mass flow controller) 241 as a gas flow rate controller, and a plurality of not shown The valve is connected. A gas flow rate control unit 235 is electrically connected to the MFC 241. The gas flow rate control unit 235 is configured to control the MFC 241 so that the flow rate of the gas supplied into the processing chamber 201 becomes a desired flow rate at a desired timing. The gas supply system according to this embodiment is mainly configured by the nozzle 230, the gas supply pipe 232, a plurality of valves (not shown), the MFC 241, and the gas supply source.

マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１の上流端が接続されている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１の下流側には、圧力検出器としての圧力センサ２４５、圧力調整装置としてのＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）２４２、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が上流側から順に接続される。ＡＰＣ２４２は弁を開閉して処理室２０１内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能な開閉弁である。ＡＰＣ２４２及び圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続される。圧力制御部２３６は、圧力センサ２４５により検出された圧力値に基づいて、処理室２０１内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、ＡＰＣ２４２を制御するよう構成される。主に、排気管２３１、圧力センサ２４５、ＡＰＣ２４２及び真空ポンプ２４６により、本実施形態に係るガス排気系が構成される。 An upstream end of an exhaust pipe 231 that exhausts the atmosphere in the processing chamber 201 is connected to the manifold 209. The exhaust pipe 231 is disposed at the lower end portion of the cylindrical space 250 formed by the gap between the inner tube 204 and the outer tube 205 and communicates with the cylindrical space 250. On the downstream side of the exhaust pipe 231, a pressure sensor 245 as a pressure detector, an APC (Auto Pressure Controller) 242 as a pressure adjusting device, and a vacuum pump 246 as a vacuum exhaust device are sequentially connected from the upstream side. The APC 242 is an on-off valve that can open and close the valve to stop evacuation and evacuation in the processing chamber 201, and further adjust the valve opening to adjust the pressure. A pressure controller 236 is electrically connected to the APC 242 and the pressure sensor 245. The pressure control unit 236 is configured to control the APC 242 based on the pressure value detected by the pressure sensor 245 such that the pressure in the processing chamber 201 becomes a desired pressure at a desired timing. The gas exhaust system according to this embodiment is mainly configured by the exhaust pipe 231, the pressure sensor 245, the APC 242, and the vacuum pump 246.

ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、温度制御部２３７及び搬送制御部２３８は、基板処理装置１００全体を制御する表示装置制御部２３９に電気的に接続されている（以下、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６及び温度制御部２３７を総称して「Ｉ／Ｏ制御部」と記載）。ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、温度制御部２３７、搬送制御部２３８及び表示装置制御部２３９は、基板処理装置用コントローラ２４０の構成の一部を成す。基板処理装置用コントローラ２４０の構成や動作については、後述する。 The gas flow rate control unit 235, the pressure control unit 236, the temperature control unit 237, and the transfer control unit 238 are electrically connected to a display device control unit 239 that controls the entire substrate processing apparatus 100 (hereinafter referred to as a gas flow rate control unit). 235, the pressure control unit 236, and the temperature control unit 237 are collectively referred to as “I / O control unit”). The gas flow rate control unit 235, the pressure control unit 236, the temperature control unit 237, the transfer control unit 238, and the display device control unit 239 form part of the configuration of the substrate processing apparatus controller 240. The configuration and operation of the substrate processing apparatus controller 240 will be described later.

（４）処理炉の動作
続いて、半導体装置の製造工程の一工程として実施される、上記構成に係る処理炉２０２を用いた基板処理工程について説明する。係る基板処理工程は、ウエハ２００に所定の処理を施すプロセスレシピに基づいて繰り返し実行される。また、プロセスレシピには複数の工程（ステップ）が含まれることがある。ここでは、複数のステップを含むプロセスレシピに基づく基板処理工程の一例として、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりウエハ２００上に薄膜を形成する成膜処理工程について説明する。基板処理装置１００を構成する各部の動作は、基板処理装置用コントローラ２４０によって制御される。 (4) Operation of Processing Furnace Next, a substrate processing process using the processing furnace 202 according to the above configuration, which is performed as one process of the semiconductor device manufacturing process, will be described. Such a substrate processing step is repeatedly executed based on a process recipe for performing a predetermined process on the wafer 200. In addition, a process recipe may include a plurality of steps. Here, a film forming process for forming a thin film on the wafer 200 by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method will be described as an example of a substrate processing process based on a process recipe including a plurality of steps. The operation of each part constituting the substrate processing apparatus 100 is controlled by the substrate processing apparatus controller 240.

[ウエハチャージステップ]
まず、基板搬入ステップを行う。すなわち、複数枚のウエハ２００をボート２１７に装填（ウエハチャージ）し、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７を、ボートエレベータ１１５によって持ち上げて処理室２０１内に搬入（ボートローディング）する。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。 [Wafer charge step]
First, a substrate carry-in step is performed. That is, a plurality of wafers 200 are loaded into the boat 217 (wafer charging), and the boat 217 holding the plurality of wafers 200 is lifted by the boat elevator 115 and loaded into the processing chamber 201 (boat loading). In this state, the seal cap 219 seals the lower end of the manifold 209 via the O-ring 220b.

[成膜プロセス]
続いて、以下の減圧ステップから常圧復帰ステップまでの各ステップを行い、ウエハ２００に成膜処理を施す。減圧ステップから常圧復帰ステップまでの各ステップは、本実施形態におけるプロセスレシピである。なお、プロセスレシピが、上述したボートローディング工程及び後述するボートアンロード工程を含む場合もある。 [Film formation process]
Subsequently, the following steps from the pressure reduction step to the normal pressure return step are performed, and the film formation process is performed on the wafer 200. Each step from the pressure reduction step to the normal pressure return step is a process recipe in the present embodiment. The process recipe may include the above-described boat loading step and a boat unloading step described later.

[減圧ステップ]
次に、処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ２４６によって処理室２０１内を真空排気する。この際、圧力センサ２４５が測定した圧力値に基づき、ＡＰＣ２４２の弁開度がフィードバック制御される。 [Decompression step]
Next, the inside of the processing chamber 201 is evacuated by the vacuum pump 246 so that the inside of the processing chamber 201 has a desired pressure (degree of vacuum). At this time, the valve opening degree of the APC 242 is feedback-controlled based on the pressure value measured by the pressure sensor 245.

[昇温ステップ]
次に、処理室２０１内が所望の温度となるように、ヒータ２０６によって処理室２０１内を加熱する。この際、温度センサ２６３が検出した温度値に基づき、ヒータ２０６への通電量がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７及びウエハ２００を回転させる。 [Raising step]
Next, the inside of the processing chamber 201 is heated by the heater 206 so that the inside of the processing chamber 201 has a desired temperature. At this time, the energization amount to the heater 206 is feedback controlled based on the temperature value detected by the temperature sensor 263. Subsequently, the boat 217 and the wafers 200 are rotated by the rotation mechanism 254.

[温度安定ステップ]
次に、温度安定ステップにおいて、加熱された処理室２０１内の温度を安定させる。 [Temperature stabilization step]
Next, in the temperature stabilization step, the temperature in the heated processing chamber 201 is stabilized.

[成膜ステップ]
処理室２０１内の温度が安定したら、ガス供給管２３２が備える図示しないバルブを開き、ＭＦＣ２４１により流量を制御しながら、ガス供給源から処理室２０１内に処理ガスを供給する。処理ガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０内に流出して排気管２３１から排気される。処理ガスは、処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。予め設定された処理時間が経過したら、処理室２０１内への処理ガスの供給を停止する。 [Deposition step]
When the temperature in the processing chamber 201 is stabilized, a valve (not shown) provided in the gas supply pipe 232 is opened, and the processing gas is supplied from the gas supply source into the processing chamber 201 while controlling the flow rate by the MFC 241. The processing gas rises in the processing chamber 201, flows out from the upper end opening of the inner tube 204 into the cylindrical space 250, and is exhausted from the exhaust pipe 231. The processing gas contacts the surface of the wafer 200 when passing through the processing chamber 201, and a thin film is deposited (deposited) on the surface of the wafer 200 by a thermal CVD reaction. When the preset processing time has elapsed, the supply of the processing gas into the processing chamber 201 is stopped.

[降温ステップ]
処理ガスの供給を停止したら、ヒータ２０６への電力供給を停止し、ボート２１７及びウエハ２００を所定の温度にまで降下させる。 [Cooling step]
When the supply of the processing gas is stopped, the power supply to the heater 206 is stopped, and the boat 217 and the wafer 200 are lowered to a predetermined temperature.

[常圧復帰ステップ]
ガス供給源から不活性ガスを供給し、処理室２０１内を不活性ガスで置換するとともに、処理室２０１内の圧力を常圧に復帰させる。以上により、プロセスレシピに基づく成膜プロセスが終了する。 [Normal pressure recovery step]
An inert gas is supplied from a gas supply source, the inside of the processing chamber 201 is replaced with an inert gas, and the pressure in the processing chamber 201 is returned to normal pressure. Thus, the film forming process based on the process recipe is completed.

[ウエハディスチャージステップ]
その後、ウエハディスチャージステップを行う。具体的には、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９を下降してマニホールド２０９の下端を開口するとともに、処理済のウエハ２００を保持するボート２１７をマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部へと搬出（ボートアンローディング）する。処理済のウエハ２００をボート２１７より取り出し、ポッド１１０内へ格納する（ウエハディスチャージ）。
以上により、プロセスレシピに基づく成膜処理工程が終了する。 [Wafer discharge step]
Thereafter, a wafer discharge step is performed. More specifically, the seal cap 219 is lowered by the boat elevator 115 to open the lower end of the manifold 209, and the boat 217 holding the processed wafer 200 is carried out from the lower end of the manifold 209 to the outside of the process tube 203 ( Boat unloading). The processed wafer 200 is taken out from the boat 217 and stored in the pod 110 (wafer discharge).
Thus, the film forming process based on the process recipe is completed.

（５）基板処理装置用コントローラの構成
続いて、基板処理装置用コントローラ２４０の構成について、図４を用いて説明する。図４は、本実施形態に係る基板処理装置１００と基板処理装置１００を管理する群管理装置５００とにより構成される基板処理システムのブロック構成図である。 (5) Configuration of Substrate Processing Apparatus Controller Next, the configuration of the substrate processing apparatus controller 240 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a block configuration diagram of a substrate processing system including the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment and a group management apparatus 500 that manages the substrate processing apparatus 100.

図４に示すように、基板処理装置用コントローラ２４０は、主制御部としての表示装置制御部２３９を備える。表示装置制御部２３９には、ディスプレイ等のデータ表示部２４０ａとキーボード等の入力部２４０ｂとがそれぞれ接続される。表示装置制御部２３９は、操作員による入力部２４０ｂからの入力を受け付けるとともに、入力内容を表示する画面などをデータ表示部２４０ａに表示するように構成される。
操作員は、基板の処理条件を定義したレシピや、レシピ内で設定すべきパラメータなどを入力する。ここで、パラメータは、基板処理装置の動作及び構成を定義する装置パラメータ、レシピの各工程に関連付けられる制御テーブル（温度制御テーブルなど）、異常発生時の処理手順を定義したアラームテーブル、及び、群管理装置（又は群管理装置に接続されるコンピュータ）から入力される補正パラメータなどを含む。 As shown in FIG. 4, the substrate processing apparatus controller 240 includes a display device control unit 239 as a main control unit. The display device control unit 239 is connected to a data display unit 240a such as a display and an input unit 240b such as a keyboard. The display device control unit 239 is configured to receive an input from the input unit 240b by an operator and to display a screen for displaying the input content on the data display unit 240a.
The operator inputs a recipe that defines the substrate processing conditions, parameters to be set in the recipe, and the like. Here, the parameters include apparatus parameters that define the operation and configuration of the substrate processing apparatus, control tables (such as temperature control tables) associated with each process of the recipe, an alarm table that defines the processing procedure when an abnormality occurs, and a group It includes correction parameters input from the management device (or a computer connected to the group management device).

基板処理装置用コントローラ２４０は、表示装置制御部２３９にデータ交換可能なように接続された処理制御部２３９ａと、処理制御部２３９ａにデータ交換可能なように接続された、処理炉２０２を制御する上述のＩ／Ｏ制御部（ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６及び温度制御部２３７）とを備える。
処理制御部２３９ａは、Ｉ／Ｏ制御部を介して処理炉２０２の動作を制御するとともに、処理炉２０２において測定された、処理炉２０２の状態（温度、ガス流量及び圧力等）を示すデータを収集するように構成される。 The substrate processing apparatus controller 240 controls the processing control unit 239a connected to the display control unit 239 so as to exchange data, and the processing furnace 202 connected to the processing control unit 239a so as to exchange data. The above-described I / O control unit (gas flow rate control unit 235, pressure control unit 236, and temperature control unit 237) is provided.
The processing control unit 239a controls the operation of the processing furnace 202 via the I / O control unit and also displays data indicating the state (temperature, gas flow rate, pressure, etc.) of the processing furnace 202 measured in the processing furnace 202. Configured to collect.

また、基板処理装置用コントローラ２４０は、表示装置制御部２３９にデータ交換可能なように接続された搬送制御部２３８と、搬送制御部２３８にデータ交換可能なように接続されたメカ機構Ｉ／Ｏ２３８ａとを備える。
メカ機構Ｉ／Ｏ２３８ａには、基板処理装置１００を構成する各部（ボートエレベータ１１５、回転機構２５４、ポッドエレベータ１１８ａ、ポッド搬送機構１１８ｂ、ポッドオープナ１２１、ウエハ移載装置１２５ａ及びウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ等）が接続されている。搬送制御部２３８は、メカ機構Ｉ／Ｏ２３８ａを介して基板処理装置１００を構成する各部の動作を制御するとともに、基板処理装置１００を構成する各部において測定された、各部の状態（各部の位置、各部が開いているか閉じているか、及び、各部が動作しているか待機しているか等）を示すデータを収集するように構成される。 The substrate processing apparatus controller 240 includes a transport control unit 238 connected to the display device control unit 239 so as to exchange data, and a mechanical mechanism I / O 238a connected to the transport control unit 238 so as to exchange data. With.
The mechanical mechanism I / O 238a includes components (boat elevator 115, rotation mechanism 254, pod elevator 118a, pod transfer mechanism 118b, pod opener 121, wafer transfer device 125a, and wafer transfer device elevator 125b) that constitute the substrate processing apparatus 100. Etc.) are connected. The transport control unit 238 controls the operation of each part constituting the substrate processing apparatus 100 via the mechanical mechanism I / O 238a, and measures the state of each part (position of each part, Data indicating whether each unit is open or closed, and whether each unit is operating or waiting).

また、基板処理装置用コントローラ２４０は、表示装置制御部２３９に接続されたデータ保持部２３９ｅを備える。データ保持部２３９ｅは、表示装置制御部２３９を介して、入力部２４０ｂによって受け付けられたレシピ及びパラメータなどのファイル、並びに、これらのファイルを実行するためのプログラムを保持するように構成される。なお、データ保持部２３９ｅは、レシピ実行中に、処理制御部２３９ａ及び搬送制御部２３８によって収集された装置データ（例えば、基板処理装置の各部の状態を示す測定データ（以下、単に「測定データ」と記載））を保持するように構成されてもよい。 The substrate processing apparatus controller 240 includes a data holding unit 239e connected to the display device control unit 239. The data holding unit 239e is configured to hold files such as recipes and parameters received by the input unit 240b via the display device control unit 239, and a program for executing these files. Note that the data holding unit 239e is configured to collect apparatus data (for example, measurement data indicating the state of each unit of the substrate processing apparatus (hereinafter simply referred to as “measurement data”) collected by the process control unit 239a and the transfer control unit 238 during recipe execution. And the like)) may be held.

また、基板処理装置用コントローラ２４０は、表示装置制御部２３９に接続された通信制御部２３９ｂを備える。通信制御部２３９ｂは、表示装置制御部２３９を介して、データ保持部２３９ｅに保持された情報のうち、パラメータ及び測定データを受信し、群管理装置５００へ送信することが可能なように構成される。 In addition, the substrate processing apparatus controller 240 includes a communication control unit 239 b connected to the display device control unit 239. The communication control unit 239b is configured to be able to receive parameters and measurement data out of information held in the data holding unit 239e via the display device control unit 239 and transmit the parameters and measurement data to the group management device 500. The

（６）群管理装置の構成
続いて、上述の基板処理装置１００とデータ交換可能なように構成された本実施形態に係る群管理装置５００の構成について、図４を参照して説明する。 (6) Configuration of Group Management Apparatus Next, the configuration of the group management apparatus 500 according to the present embodiment configured to exchange data with the substrate processing apparatus 100 described above will be described with reference to FIG.

図４に示すように、群管理装置５００は、基板処理装置１００との通信を制御する通信制御部５０１と、中央処理装置（ＣＰＵ）等の制御部５０２と、キーボード等の入力部５０３と、ＲＡＭ及びＲＯＭ等のメモリ５０４と、ＨＤＤ等のデータ保持部５０５と、ディスプレイ等のデータ表示部５０６とを有するコンピュータとして構成される。
通信制御部５０１、入力部５０３、メモリ５０４、データ保持部５０５及びデータ表示部５０６は、内部バス等を介して制御部５０２とデータ交換可能なように構成される。
後述するように、操作員は、入力部５０３に対し、異常値になっていないかどうかのチェックの基準となるパラメータ（以下、「基準パラメータ」と記載）を生成する指示を入力する。基準パラメータは、新たに生成されてもよいし、メモリ５０４に記憶されているパラメータ（以下、「実行パラメータ」と記載）を流用してもよい。 As shown in FIG. 4, the group management apparatus 500 includes a communication control unit 501 that controls communication with the substrate processing apparatus 100, a control unit 502 such as a central processing unit (CPU), an input unit 503 such as a keyboard, The computer includes a memory 504 such as a RAM and a ROM, a data holding unit 505 such as an HDD, and a data display unit 506 such as a display.
The communication control unit 501, the input unit 503, the memory 504, the data holding unit 505, and the data display unit 506 are configured to exchange data with the control unit 502 via an internal bus or the like.
As will be described later, the operator inputs an instruction to generate a parameter (hereinafter referred to as “reference parameter”) serving as a reference for checking whether or not an abnormal value has occurred, to the input unit 503. The reference parameter may be newly generated, or a parameter stored in the memory 504 (hereinafter referred to as “execution parameter”) may be used.

[通信制御部]
通信制御部５０１は、ネットワーク４００を介して基板処理装置用コントローラ２４０の通信制御部２３９ｂに接続される。通信制御部５０１は、基板処理装置１００からパラメータ及び測定データを受信し、メモリ５０４に記憶するように構成される。
通信制御部５０１がパラメータ及び測定データを受信するタイミングは、例えば、所定の間隔（例えば０．１秒間隔）、各イベントの発生時、パラメータの変更時及び、測定データの生成時である。イベントは、例えば、レシピ（又はレシピの工程）の開始や、レシピ（又はレシピの工程）の終了である。特に、パラメータが変更された場合、メモリ５０４に記憶されているパラメータは、新たに受信したパラメータに書き換えられる。 [Communication control unit]
The communication control unit 501 is connected to the communication control unit 239 b of the substrate processing apparatus controller 240 via the network 400. The communication control unit 501 is configured to receive parameters and measurement data from the substrate processing apparatus 100 and store them in the memory 504.
The timing at which the communication control unit 501 receives parameters and measurement data is, for example, a predetermined interval (for example, an interval of 0.1 second), the occurrence of each event, the change of parameters, and the generation of measurement data. The event is, for example, the start of a recipe (or recipe process) or the end of a recipe (or recipe process). In particular, when the parameter is changed, the parameter stored in the memory 504 is rewritten with the newly received parameter.

[データ保持部]
データ保持部５０５には、パラメータ処理プログラム、パラメータ表示プログラム、基準パラメータテーブル及びパラメータテーブルが格納される。
パラメータ処理プログラムは、メモリ５０４に読み出されて制御部５０２によって実行され、後述するパラメータ処理部を実現するよう構成されている。
パラメータ表示プログラムは、メモリ５０４に読み出されて制御部５０２によって実行され、後述するパラメータ表示部を実現するよう構成されている。
基準パラメータテーブル及びパラメータテーブルについては、後述する。 [Data holding part]
The data holding unit 505 stores a parameter processing program, a parameter display program, a reference parameter table, and a parameter table.
The parameter processing program is read into the memory 504 and executed by the control unit 502, and is configured to realize a parameter processing unit described later.
The parameter display program is read into the memory 504 and executed by the control unit 502, and is configured to realize a parameter display unit described later.
The reference parameter table and parameter table will be described later.

[パラメータ処理部]
パラメータ処理部５０７は、基準パラメータテーブル生成部５０８、基準パラメータ読出部５０９及び基準パラメータ比較部５１０からなる。
基準パラメータテーブル生成部５０８は、入力部５０３に基準パラメータを生成する指示が入力され、基準パラメータが設定された場合には、図５の（Ａ）に示すように、基準パラメータテーブルを生成する。
レシピ名及びこのレシピ内で設定されるパラメータの少なくともいずれかを指定し、パラメータの値を入力する（つまり、新たなパラメータを生成する）ことにより、基準パラメータを設定するか、メモリ５０４に記憶されているパラメータの少なくともいずれかを指定する（つまり、実行パラメータを流用する）ことにより、基準パラメータを設定する。
なお、レシピ内で設定されるパラメータがパラメータのサブパラメータであるアイテムを含む場合には、レシピ名、このレシピ内で設定されるパラメータの少なくともいずれか及びこのパラメータに含まれるアイテムの少なくともいずれかを指定する。メモリ５０４に記憶されているパラメータがアイテムを含む場合も同様である。 [Parameter processing section]
The parameter processing unit 507 includes a reference parameter table generation unit 508, a reference parameter reading unit 509, and a reference parameter comparison unit 510.
When an instruction for generating a reference parameter is input to the input unit 503 and the reference parameter is set, the reference parameter table generation unit 508 generates a reference parameter table as shown in FIG.
By specifying at least one of the recipe name and parameters set in this recipe and inputting the parameter value (that is, generating a new parameter), the reference parameter is set or stored in the memory 504. The reference parameter is set by designating at least one of the parameters (that is, diverting the execution parameter).
When the parameter set in the recipe includes an item that is a sub-parameter of the parameter, the recipe name, at least one of the parameters set in the recipe, and at least one of the items included in the parameter are set. specify. The same applies when the parameter stored in the memory 504 includes an item.

生成された基準パラメータテーブルは、図５の（Ａ）に示すように、データ保持部５０５に記憶される。
図６は、基準パラメータテーブルの一例である。図６に示すように、基準パラメータテーブルは、通し番号６００、レシピ名６０１、基準パラメータ６０２及び日時６０３からなる。通し番号６００は、入力部５０３に基準パラメータを生成する指示が入力されるたびに割り振られる。レシピ名６０１は、入力部５０３を介して指定されたレシピの名前又は実行パラメータが設定されるレシピの名前である。基準パラメータ６０２は、入力部５０３に入力された基準パラメータ又は指定された実行パラメータである。日時６０３は、基準パラメータテーブルが新規作成又は更新された日時であるが、基準パラメータを生成する指示が入力された日時であってもよい。 The generated reference parameter table is stored in the data holding unit 505 as shown in FIG.
FIG. 6 is an example of the reference parameter table. As shown in FIG. 6, the reference parameter table includes a serial number 600, a recipe name 601, a reference parameter 602, and a date 603. The serial number 600 is assigned every time an instruction for generating a reference parameter is input to the input unit 503. The recipe name 601 is the name of a recipe designated via the input unit 503 or the name of a recipe in which execution parameters are set. The reference parameter 602 is a reference parameter input to the input unit 503 or a designated execution parameter. The date and time 603 is the date and time when the reference parameter table is newly created or updated, but may be the date and time when an instruction to generate the reference parameter is input.

図５の（Ｂ）に示すように、データ保持部５０５に記憶された基準パラメータは、基準パラメータ読出部５０９により、メモリ５０４に読み出される。
例えば、基準パラメータテーブル生成部５０８によって基準パラメータテーブルがデータ保持部５０５に記憶された後、通信制御部５０１がパラメータを受信してメモリ５０４に記憶した場合、基準パラメータ読出部５０９は、データ保持部５０５に記憶された基準パラメータテーブルのうち、メモリ５０４に記憶されているパラメータ（実行パラメータ）に対応する基準パラメータを読み出す。
基準パラメータ読出部５０９が基準パラメータを読み出したら、基準パラメータ比較部５１０は、メモリ５０４に記憶されているパラメータ（実行パラメータ）と、基準パラメータ読出部５０９によって読み出された基準パラメータとを比較する。 As shown in FIG. 5B, the reference parameter stored in the data holding unit 505 is read into the memory 504 by the reference parameter reading unit 509.
For example, when the communication parameter control unit 501 receives a parameter and stores it in the memory 504 after the reference parameter table is stored in the data holding unit 505 by the reference parameter table generation unit 508, the reference parameter reading unit 509 The reference parameter corresponding to the parameter (execution parameter) stored in the memory 504 is read out from the reference parameter table stored in 505.
When the reference parameter reading unit 509 reads the reference parameter, the reference parameter comparison unit 510 compares the parameter (execution parameter) stored in the memory 504 with the reference parameter read by the reference parameter reading unit 509.

図５の（Ｃ）に示すように、基準パラメータ比較部５１０による実行パラメータと基準パラメータとの比較は、サブパラメータごとにメモリ５０４内でなされる。図５の（Ｄ）に示すように、実行パラメータと基準パラメータとの間に相違がある場合、相違の内容はメモリ５０４内に記憶されるとともに、データ表示部５０６に表示される。相違の内容は、データ表示部２４０ａにも表示されるようにしてもよい。つまり、群管理装置５００と基板処理装置１００との両方で表示されるようにしてもよい。 As shown in FIG. 5C, the execution parameter and the reference parameter are compared by the reference parameter comparison unit 510 in the memory 504 for each subparameter. As shown in FIG. 5D, when there is a difference between the execution parameter and the reference parameter, the content of the difference is stored in the memory 504 and displayed on the data display unit 506. The content of the difference may be displayed on the data display unit 240a. That is, it may be displayed on both the group management apparatus 500 and the substrate processing apparatus 100.

相違の内容の表示にともない、図４の制御部５０２は、この内容をパラメータテーブルの一部としてデータ保持部５０５に記憶する。
ここで、制御部５０２は、実行パラメータ及び基準パラメータの相違の内容に応じて、異常を判断し、データ表示部５０６にエラーとしてアラーム表示してもよい。例えば、レシピが開始され、通信制御部５０１がパラメータ及び測定データを受信すると、パラメータ処理プログラムが起動する。パラメータ処理プログラムは、開始したレシピに関する基準パラメータをデータ保持部５０５から読み込み、レシピ開始時に基板処理装置１００から送信された、メモリ５０４内に記憶されているレシピに関する実行パラメータ及びこの基準パラメータを比較し、比較結果から異常を判断し、エラーとしてアラーム表示するよう制御する。このように、レシピ開始前にパラメータを比較することにより、パラメータの設定変更を確認できる。また、レシピ実行前にエラーが予め表示されるので、基板の損失を少なくすることができる。 As the content of the difference is displayed, the control unit 502 in FIG. 4 stores this content in the data holding unit 505 as a part of the parameter table.
Here, the control unit 502 may determine an abnormality according to the content of the difference between the execution parameter and the reference parameter, and may display an alarm as an error on the data display unit 506. For example, when a recipe is started and the communication control unit 501 receives parameters and measurement data, the parameter processing program is activated. The parameter processing program reads the reference parameter related to the started recipe from the data holding unit 505, and compares the execution parameter related to the recipe stored in the memory 504 transmitted from the substrate processing apparatus 100 at the start of the recipe and the reference parameter. Then, control is performed so that an abnormality is judged from the comparison result and an alarm is displayed as an error. Thus, the parameter setting change can be confirmed by comparing the parameters before starting the recipe. Further, since the error is displayed in advance before executing the recipe, the loss of the substrate can be reduced.

[パラメータ表示部]
操作員が異常を解析しようとする場合などには、操作員から、基板処理装置１００における各種処理に用いたパラメータを表示する指示が入力されることになる。例えば、操作員は、成膜処理における異常を解析しようとする場合、成膜処理に用いたパラメータを表示する指示を入力する。入力部５０３からパラメータを表示する指示が入力された場合、制御部５０２はデータ表示プログラムを起動する。データ表示プログラムは、データ保持部５０５からパラメータテーブルを読み出し、データを加工した後、データ表示部５０６に表示するよう制御する。
パラメータ表示部５１１は、パラメータテーブルを用いて、基板処理装置１００における各種処理に用いたパラメータを一覧表示するパラメータ一覧画面、及び、基板処理装置１００における各種処理に用いたパラメータのうち変更のあったパラメータの詳細を表示する変更パラメータ詳細画面を表示するよう構成されている。成膜処理に用いたパラメータを表示する指示が入力された場合、パラメータ一覧画面には成膜処理に用いたパラメータが一覧表示され、変更パラメータ詳細画面には成膜処理に用いたパラメータのうち変更のあったパラメータの詳細が表示される。 [Parameter display section]
When the operator wants to analyze the abnormality, an instruction to display parameters used for various processes in the substrate processing apparatus 100 is input from the operator. For example, when an operator wants to analyze an abnormality in the film forming process, the operator inputs an instruction to display parameters used in the film forming process. When an instruction to display parameters is input from the input unit 503, the control unit 502 starts a data display program. The data display program reads the parameter table from the data holding unit 505, processes the data, and then controls the data display unit 506 to display the parameter table.
The parameter display unit 511 uses a parameter table to change a parameter list screen for displaying a list of parameters used for various processes in the substrate processing apparatus 100 and parameters used for various processes in the substrate processing apparatus 100. It is configured to display a change parameter detail screen for displaying the parameter details. When an instruction to display the parameters used for the film formation process is input, the parameter list screen displays a list of parameters used for the film formation process, and the change parameter details screen changes the parameters used for the film formation process. Details of the parameters that were found are displayed.

図７は、データ保持部５０５に記憶されるパラメータテーブルの一例である。図７に示すように、パラメータテーブルは、通し番号６０４、レシピ名６０５、処理開始日時６０６、処理終了日時６０７、ジョブＩＤ６０８、パラメータ変更６０９及び変更内容６１０からなる。変更内容は、さらに、パラメータ名６１１、アイテム名６１２及び変更前後の値６１３からなる。
通し番号６０４は、パラメータが変更されるたびに割り振られる。レシピ名６０５は、変更されたパラメータが設定されているレシピの名前である。処理開始日時６０６は、レシピが開始された日時であり、処理終了日時６０７は、レシピが終了した日時である。ジョブＩＤ６０８は、レシピを実行するジョブを識別するためのＩＤである。パラメータ変更６０９は、パラメータ変更の有無である。パラメータ変更があれば、パラメータ変更が設定される。パラメータ名６１１は、変更のあったパラメータの名前である。アイテム名６１２は、変更のあったサブパラメータの名前である。変更前後の値６１３は、変更前後のパラメータの値である。 FIG. 7 is an example of a parameter table stored in the data holding unit 505. As shown in FIG. 7, the parameter table includes a serial number 604, a recipe name 605, a process start date / time 606, a process end date / time 607, a job ID 608, a parameter change 609, and a change content 610. The change content further includes a parameter name 611, an item name 612, and a value 613 before and after the change.
The serial number 604 is assigned every time the parameter is changed. The recipe name 605 is the name of the recipe in which the changed parameter is set. The process start date and time 606 is the date and time when the recipe was started, and the process end date and time 607 is the date and time when the recipe was completed. The job ID 608 is an ID for identifying a job that executes a recipe. The parameter change 609 is the presence / absence of a parameter change. If there is a parameter change, the parameter change is set. The parameter name 611 is the name of the parameter that has been changed. The item name 612 is the name of the changed subparameter. The value 613 before and after the change is a parameter value before and after the change.

図８は、成膜処理に用いたパラメータを表示する指示が入力された場合、パラメータ表示部５１１が図７に示したパラメータテーブルを用いて表示する、パラメータ一覧画面の一例である。図８に示すように、パラメータ一覧画面は、ヘッダ７００及びボディ７０１からなる。ヘッダ７００には、画面名（ここでは、パラメータ一覧）が表示され、ボディ７０１には、データ保持部５０５から読み出されたパラメータテーブルのうち、変更内容以外が表示される。
図８に示すように、ボディ７０１には、通し番号７０２、レシピ名７０３、処理開始日時７０４、処理終了日時７０５、ジョブＩＤ７０６及びパラメータ変更７０７が表形式で表示される。なお、操作員にとって視覚的に分かりやすい形式であれば、表以外の形式で表示してもよい。
通し番号７０２、レシピ名７０３、処理開始日時７０４、処理終了日時７０５、ジョブＩＤ７０６及びパラメータ変更７０７は、それぞれ、図７の通し番号６０４、レシピ名６０５、処理開始日時６０６、処理終了日時６０７、ジョブＩＤ６０８及びパラメータ変更６０９に対応している。
さらに、図８に示すように、パラメータ変更が「有」の場合には、例えば、リンク７０８が表示される。リンク７０８をクリックすることにより、変更パラメータ詳細画面が表示されるよう構成されている。 FIG. 8 is an example of a parameter list screen that is displayed by the parameter display unit 511 using the parameter table shown in FIG. 7 when an instruction to display parameters used in the film forming process is input. As shown in FIG. 8, the parameter list screen includes a header 700 and a body 701. The header 700 displays a screen name (here, a parameter list), and the body 701 displays a parameter table read from the data holding unit 505 other than the changed content.
As shown in FIG. 8, the body 701 displays a serial number 702, a recipe name 703, a process start date 704, a process end date 705, a job ID 706, and a parameter change 707 in a table format. Note that a format other than the table may be displayed as long as it is visually understandable to the operator.
The serial number 702, recipe name 703, processing start date 704, processing end date 705, job ID 706, and parameter change 707 are the serial number 604, recipe name 605, processing start date 606, processing end date 607, job ID 608 and FIG. This corresponds to the parameter change 609.
Furthermore, as shown in FIG. 8, when the parameter change is “present”, for example, a link 708 is displayed. When the link 708 is clicked, a change parameter detail screen is displayed.

図９は、成膜処理に用いたパラメータのうち変更のあったパラメータの詳細を表示する、変更パラメータ詳細画面の一例である。図９に示すように、変更パラメータ詳細画面は、図８のパラメータ一覧画面と同様、ヘッダ７００及びボディ７０１からなる。ヘッダ７００には、画面名（ここでは、変更パラメータ詳細）が表示され、ボディ７０１には、データ保持部５０５から読み出されたパラメータテーブルのうち、変更されたパラメータについての変更内容が表示される。
ボディ７０１には、基準パラメータ番号及びレシピ名７０９、通し番号７１０、パラメータ名７１１、アイテム名７１２、変更前の値７１３及び変更後の値７１４が表形式で表示される。基準パラメータ番号及びレシピ名７０９は、図７の通し番号６０４及びレシピ名６０５に対応している。また、パラメータ名７１１、アイテム名７１２、変更前の値７１３及び変更後の値７１４は、図７の変更内容（パラメータ名６１１、アイテム名６１２及び変更前後の値６１３）に対応している。
このように、基板処理装置における各種処理（成膜処理など）に用いたパラメータの変更内容が一覧表示される。特に、図９の変更パラメータ詳細画面の表示内容を検証することによって、各種処理における異常を解析することができる。 FIG. 9 is an example of a changed parameter detail screen that displays details of parameters that have been changed among the parameters used in the film forming process. As shown in FIG. 9, the change parameter detail screen includes a header 700 and a body 701 as in the parameter list screen of FIG. In the header 700, the screen name (here, the changed parameter details) is displayed, and in the body 701, the changed content of the changed parameter in the parameter table read from the data holding unit 505 is displayed. .
In the body 701, a reference parameter number and recipe name 709, a serial number 710, a parameter name 711, an item name 712, a value 713 before change, and a value 714 after change are displayed in a table format. The reference parameter number and the recipe name 709 correspond to the serial number 604 and the recipe name 605 in FIG. Further, the parameter name 711, the item name 712, the value 713 before the change, and the value 714 after the change correspond to the change contents (the parameter name 611, the item name 612, and the value 613 before and after the change) in FIG.
As described above, a list of changes of parameters used in various processes (film formation process and the like) in the substrate processing apparatus is displayed. In particular, abnormalities in various processes can be analyzed by verifying the display content of the change parameter detail screen of FIG.

なお、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、これに限定されない。例えば、パラメータ一覧画面及びパラメータ詳細画面が別々に表示されるものとして説明したが、一つの画面として表示されてもよい。また、図７のパラメータテーブルが表示されてもよい。 In addition, although embodiment of this invention was described concretely, it is not limited to this. For example, although the parameter list screen and the parameter detail screen have been described as being displayed separately, they may be displayed as one screen. Further, the parameter table of FIG. 7 may be displayed.

以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明の実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
基板処理装置１００における各種処理（成膜処理など）に影響するパラメータは、その数が膨大であり、様々な形式で様々な場所に記憶されるので、操作員がパラメータの妥当性を判断することは非常に困難であったが、基板処理装置１００における各種処理におけるパラメータの変更内容を表示する手段を提供することにより、異常を容易に解析することができる。また、基板処理装置１００における各種処理において用いた全てのパラメータを記憶するのではなく、基準パラメータを設定し、基準パラメータから変更されたパラメータ（又は基準パラメータに変更がされたパラメータ）だけを記憶することにより、パラメータを保持するデータ保持部５０５の容量を少なく済ませることができる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described concretely, according to embodiment of this invention, there exist the following effects.
Since the number of parameters affecting various processes (film formation process, etc.) in the substrate processing apparatus 100 is enormous and is stored in various places in various formats, the operator must determine the validity of the parameters. However, it is possible to easily analyze the abnormality by providing means for displaying the parameter change contents in various processes in the substrate processing apparatus 100. In addition, not all parameters used in various processes in the substrate processing apparatus 100 are stored, but a reference parameter is set, and only a parameter changed from the reference parameter (or a parameter changed to the reference parameter) is stored. As a result, the capacity of the data holding unit 505 that holds parameters can be reduced.

なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、基板処理装置１００及び群管理装置５００は、同じフロア（クリーンルーム）に配置する必要はなく、ＬＡＮ等に接続され、事務所に配置されてもよい。また、群管理装置５００において、各構成要素（通信制御部５０１、制御部５０２、入力部５０３、メモリ５０４、データ保持部５０５及びデータ表示部５０６）は、一体にする必要はなく、それぞれを別体にしてもよい。例えば、事務所に配置された入力部５０３から、クリーンルーム上に配置されたデータ保持部５０５内のデータへの指示を入力してもよいし、事務所に配置されたデータ表示部５０６から、クリーンルーム上に配置されたデータ保持部５０５内のデータを監視してもよい。 In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, A various change is possible in the range which does not deviate from the summary.
For example, the substrate processing apparatus 100 and the group management apparatus 500 need not be arranged on the same floor (clean room), but may be connected to a LAN or the like and arranged in an office. Further, in the group management apparatus 500, each component (communication control unit 501, control unit 502, input unit 503, memory 504, data holding unit 505, and data display unit 506) does not need to be integrated, and each component is different. It may be a body. For example, an instruction to data in the data holding unit 505 arranged on the clean room may be inputted from the input unit 503 arranged in the office, or the clean room is inputted from the data display unit 506 arranged in the office. Data in the data holding unit 505 arranged above may be monitored.

基板処理装置として、半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。さらに、基板処理装置であるエッチング装置、露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置、モールド装置、現像装置、ダイシング装置、ワイヤボンディング装置、検査装置等にも同様に適用できる。 As a substrate processing apparatus, not only a semiconductor manufacturing apparatus but also an apparatus for processing a glass substrate such as an LCD apparatus can be applied. Furthermore, the present invention can be similarly applied to an etching apparatus, an exposure apparatus, a lithography apparatus, a coating apparatus, a molding apparatus, a developing apparatus, a dicing apparatus, a wire bonding apparatus, an inspection apparatus, and the like, which are substrate processing apparatuses.

成膜処理は、例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ、Ｅｐｉその他酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理などを含むが、アニール処理、酸化処理、拡散処理等の処理をさらに含んでもかまわない。 The film formation process includes, for example, CVD, PVD, ALD, Epi and other processes for forming an oxide film and a nitride film, a process for forming a film containing a metal, etc., but an annealing process, an oxidation process, a diffusion process, etc. It may also be included.

１００基板処理装置
５００群管理装置
５０１通信制御部
５０２制御部
５０３入力部
５０４メモリ
５０５データ保持部
５０６データ表示部
５０７パラメータ処理部
５０８基準パラメータテーブル作成部
５０９基準パラメータ読出部
５１０基準パラメータ比較部
５１１パラメータ表示部 100 substrate processing device 500 group management device 501 communication control unit 502 control unit 503 input unit 504 memory 505 data holding unit 506 data display unit 507 parameter processing unit 508 reference parameter table creation unit 509 reference parameter reading unit 510 reference parameter comparison unit 511 parameter Display section

Claims

Receiving means for receiving parameters used for substrate processing;
Setting means for setting a reference parameter as a reference for the parameter received by the receiving means;
A comparing means for comparing the parameter received by the receiving means with the reference parameter set by the setting means;
A group management device comprising: storage means for storing at least a comparison result by the comparison means.