JP2010219460A

JP2010219460A - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: JP2010219460A
Application number: JP2009067270A
Authority: JP
Inventors: Kazuyoshi Yamamoto; 一良山本; Norinobu Akao; 徳信赤尾
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2009-03-19
Filing date: 2009-03-19
Publication date: 2010-09-30

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus for determining the normality and abnormality of the apparatus within a short period of time by a smaller load. <P>SOLUTION: The substrate processing apparatus includes modules A, B, ..., Z at the apparatus side for acquiring signal values of a sensor and a controller, a computing module M1 for computing these signal values, and a check module M2 for checking a computing result obtained by the computing module M1. The signal value is set as a representative value with the computing module M1 for each processing unit managed by the substrate processing apparatus or a constant unit of a period. The value set as the representative value is checked by the check module M2. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は基板処理装置に係り、特に、種々のセンサの状態を監視することにより装置の正常／異常を判定する基板処理装置に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a substrate processing apparatus that determines normality / abnormality of an apparatus by monitoring the states of various sensors.

基板処理の処理膜厚の微小化に伴い、基板の管理を行う手法として、基板処理装置を動作させるための最低限のセンサだけではなく、種々のセンサを監視して装置の健常性を管理することがＥＥＳ（Equipment Engineering System）では求められている。
健常性の管理のチェック結果としてグラフを表示するために、従来の基板処理装置の表示方法ではデータの変化を時系列ですべて表示している。もしくは、時系列のある一瞬の値を間引き処理により表示している。
このような従来の基板処理装置として、例えば、特許文献１に示す装置がある。 As a method of managing a substrate as the processing film thickness of the substrate processing becomes smaller, not only the minimum sensor for operating the substrate processing apparatus but also various sensors are monitored to manage the health of the apparatus. This is required by EES (Equipment Engineering System).
In order to display a graph as a check result of the management of health, the display method of the conventional substrate processing apparatus displays all data changes in time series. Alternatively, a momentary value having a time series is displayed by thinning processing.
As such a conventional substrate processing apparatus, for example, there is an apparatus disclosed in Patent Document 1.

特開２００７−２５８６３２号公報JP 2007-258632 A

しかしながら、長期的なデータの変化による装置の健常性の管理を行うためにデータの変化を時系列ですべて表示しようとすると、データ点数が多くなるため、描画処理や健常性判定処理を行うと、コンピュータのメモリを消費してしまい、または、ＣＰＵ負荷により処理時間がかかる、あるいは、処理が完了できないという問題があった。
本発明はこのような問題点を解消するためになされたもので、小さな負荷で短時間に装置の正常／異常を判定することができる基板処理装置を提供することを目的とする。 However, if you try to display all changes in data in time series in order to manage the health of the device due to long-term changes in data, the number of data points will increase, so if you perform drawing processing and health determination processing, There is a problem that the memory of the computer is consumed, the processing time is increased due to the CPU load, or the processing cannot be completed.
The present invention has been made to solve such problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can determine normality / abnormality of the apparatus in a short time with a small load.

本発明に係る基板処理装置は、センサ及びコントローラの信号値を取得する装置側モジュールと、これらの信号値を演算する演算モジュールと、演算モジュールにより得られる演算結果をチェックするチェックモジュールとを備え、前記信号値を演算モジュールで基板処理装置が管理する処理単位毎に、あるいは一定の期間単位毎に代表値化し、代表値化した値をチェックモジュールでチェックするものである。 A substrate processing apparatus according to the present invention includes a device-side module that acquires signal values of sensors and controllers, a calculation module that calculates these signal values, and a check module that checks a calculation result obtained by the calculation module, The signal value is converted into a representative value for each processing unit managed by the substrate processing apparatus by the calculation module or for each fixed period unit, and the value converted into the representative value is checked by the check module.

また、この発明に係る基板処理方法は、センサ及びコントローラの信号値を取得し、これらの信号値を基板処理装置が管理する処理単位毎に、あるいは一定の期間単位毎に代表値化し、代表値化した値をチェックする方法である。 Further, the substrate processing method according to the present invention acquires the signal values of the sensor and the controller, and converts these signal values into representative values for each processing unit managed by the substrate processing apparatus or for each fixed period unit. It is a method to check the converted value.

本発明によれば、基板処理装置に設けられたセンサ出力値を、特異点を逃さず描画・チェックし、小さな負荷で短時間に装置の正常／異常を判定することができる。 According to the present invention, it is possible to draw and check the sensor output value provided in the substrate processing apparatus without missing a singular point, and to determine normality / abnormality of the apparatus in a short time with a small load.

本発明の実施の形態に係る基板処理装置のデータチェックシステムの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the data check system of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. データチェックを行うために選択されたレシピ名称、レシピステップ名称を示す図である。It is a figure which shows the recipe name selected in order to perform a data check, and a recipe step name. レシピ名称、レシピステップ名称で条件選択を行わなかった場合の代表値の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of a typical value at the time of not performing condition selection by a recipe name and a recipe step name. レシピ名称、レシピステップ名称で条件選択を行った場合の代表値の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of a typical value at the time of selecting conditions by a recipe name and a recipe step name. 第２の実施形態においてデータチェックを行った結果を示すグラフである。It is a graph which shows the result of having performed the data check in 2nd Embodiment. 本発明に適用される基板処理装置を示す平面断面図である。It is a plane sectional view showing a substrate processing device applied to the present invention. 図６の基板処理装置を示す側面断面図である。It is side surface sectional drawing which shows the substrate processing apparatus of FIG. 図６の基板処理装置に用いられている処理炉を示す側面断面図である。It is side surface sectional drawing which shows the processing furnace used for the substrate processing apparatus of FIG.

以下、この発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
まず、図６乃至図８を参照して本発明に係る基板処理装置を説明し、次に図１乃至図５を参照して本実施の形態に係る基板処理装置のデータチェックシステムについて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
First, the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 8, and then the data check system of the substrate processing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

＜基板処理装置＞
基板処理装置は、本実施の形態においては、半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。
なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行う縦型の装置を適合した場合について説明する。
図６及び図７は、それぞれ本発明に適用される基板処理装置の平面断面図及びと側面断面図である。 <Substrate processing equipment>
In the present embodiment, the substrate processing apparatus is configured as a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing steps in a method of manufacturing a semiconductor device (IC).
In the following description, a case will be described in which a vertical apparatus that performs oxidation, diffusion processing, CVD processing, or the like is applied to a substrate as the substrate processing apparatus.
6 and 7 are a plan sectional view and a side sectional view, respectively, of a substrate processing apparatus applied to the present invention.

図６及び図７に示されているように、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器、以下ポッドという。）１１０が使用されている本発明の基板処理装置１００は、筐体１１１を備えている。
筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４が建て付けられている。
筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるように構成されている。 As shown in FIGS. 6 and 7, the substrate processing of the present invention uses a hoop (substrate container, hereinafter referred to as a pod) 110 as a wafer carrier containing a wafer (substrate) 200 made of silicon or the like. The apparatus 100 includes a housing 111.
A front maintenance port 103 as an opening provided for maintenance is opened at the front front portion of the front wall 111a of the casing 111, and a front maintenance door 104 for opening and closing the front maintenance port 103 is installed. Yes.
A pod loading / unloading port (substrate container loading / unloading port) 112 is opened on the front wall 111a of the casing 111 so as to communicate between the inside and the outside of the casing 111. The pod loading / unloading port 112 has a front shutter (substrate container loading / unloading port). The loading / unloading opening / closing mechanism 113 is opened and closed.

ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。
ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。 A load port (substrate container delivery table) 114 is installed in front of the front side of the pod loading / unloading port 112, and the load port 114 is configured so that the pod 110 is placed and aligned.
The pod 110 is carried onto the load port 114 by an in-process carrying device (not shown), and is also carried out from the load port 114.
A rotary pod shelf (substrate container mounting shelf) 105 is installed at an upper portion of the casing 111 in a substantially central portion in the front-rear direction. The rotary pod shelf 105 stores a plurality of pods 110. It is configured.

すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上下四段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されており、ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。 That is, the rotary pod shelf 105 is vertically arranged and intermittently rotated in a horizontal plane, and a plurality of shelf plates (substrate container mounts) radially supported by the column 116 at each of the four upper and lower positions. And a plurality of shelf plates 117 are configured to hold the pods 110 in a state where a plurality of pods 110 are respectively placed.
A pod transfer device (substrate container transfer device) 118 is installed between the load port 114 and the rotary pod shelf 105 in the housing 111, and the pod transfer device 118 moves up and down while holding the pod 110. A pod elevator (substrate container lifting mechanism) 118a and a pod transfer mechanism (substrate container transfer mechanism) 118b as a transfer mechanism are configured. The pod transfer device 118 includes a pod elevator 118a and a pod transfer mechanism 118b. The pod 110 is transported between the load port 114, the rotary pod shelf 105, and the pod opener (substrate container lid opening / closing mechanism) 121 by continuous operation.

筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。
サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段ウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。 A sub-housing 119 is constructed across the rear end of the lower portion of the housing 111 at a substantially central portion in the front-rear direction.
A pair of wafer loading / unloading ports (substrate loading / unloading ports) 120 for loading / unloading the wafer 200 into / from the sub-casing 119 are arranged on the front wall 119a of the sub-casing 119 in two vertical stages. A pair of pod openers 121 and 121 are installed at the upper and lower wafer loading / unloading openings 120 and 120, respectively.
The pod opener 121 includes mounting bases 122 and 122 on which the pod 110 is placed, and cap attaching / detaching mechanisms (lid attaching / detaching mechanisms) 123 and 123 for attaching and detaching caps (lids) of the pod 110. The pod opener 121 is configured to open and close the wafer loading / unloading port of the pod 110 by attaching / detaching the cap of the pod 110 placed on the placing table 122 by the cap attaching / detaching mechanism 123.

サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転乃至直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａ及びウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。
これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボード（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）するように構成されている。 The sub-housing 119 constitutes a transfer chamber 124 that is fluidly isolated from the installation space of the pod transfer device 118 and the rotary pod shelf 105. A wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125 is installed in the front region of the transfer chamber 124, and the wafer transfer mechanism 125 is a wafer transfer device (rotation or linear movement of the wafer 200 in the horizontal direction). A substrate transfer device) 125a and a wafer transfer device elevator (substrate transfer device lifting mechanism) 125b for moving the wafer transfer device 125a up and down.
By the continuous operation of the wafer transfer device elevator 125b and the wafer transfer device 125a, the tweezer (substrate holder) 125c of the wafer transfer device 125a is used as a placement portion of the wafer 200, and the board (substrate holder) 217 is attached. The wafer 200 is loaded (charged) and unloaded (discharged).

図６に示されているように移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側と反対側である右側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給フアン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、ウエハ２００の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置１３５が設置されている。
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置１３５及びウエハ移載装置１２５ａに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４に吹き出されるように構成されている。 As shown in FIG. 6, a supply of clean air 133 that is a cleaned atmosphere or an inert gas is supplied to the right end of the transfer chamber 124 opposite to the wafer transfer device elevator 125 b side. A clean unit 134 composed of a fan and a dustproof filter is installed. Between the wafer transfer device 125a and the clean unit 134, a notch alignment as a substrate alignment device for aligning the circumferential position of the wafer 200 is provided. A device 135 is installed.
The clean air 133 blown out from the clean unit 134 is circulated to the notch aligning device 135 and the wafer transfer device 125a, and then sucked in by a duct (not shown) to be exhausted to the outside of the housing 111, or clean. The unit 134 is circulated to the primary side (supply side) that is the suction side, and is again blown out to the transfer chamber 124 by the clean unit 134.

移載室１２４の後側領域には、大気圧未満の圧力（以下、負圧という）を維持可能な精密性能を有する筐体（以下、耐圧筐体という）１４０が設置されており、この耐圧筐体１４０によりボート２１７を収容可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室１４１が形成されている。
耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａにはウエハ搬入搬出開口（基板搬入搬出開口）１４２が開設されており、ウエハ搬入搬出開口１４２はゲートバルブ（基板搬入搬出口開閉機構）１４３によって開閉されるようになっている。耐圧筐体１４０の一対の側壁にはロードロック室１４１へ窒素ガスを給気するためのガス供給管１４４と、ロードロック室１４１を負圧に排気するための排気管１４５とがそれぞれ接続されている。 In the rear region of the transfer chamber 124, a casing 140 (hereinafter referred to as a pressure-resistant casing) having a precision performance capable of maintaining a pressure lower than atmospheric pressure (hereinafter referred to as negative pressure) is installed. A load lock chamber 141 which is a load lock type standby chamber having a capacity capable of accommodating the boat 217 is formed by the housing 140.
A wafer loading / unloading opening (substrate loading / unloading opening) 142 is formed in the front wall 140a of the pressure-resistant housing 140, and the wafer loading / unloading opening 142 is opened and closed by a gate valve (substrate loading / unloading opening / closing mechanism) 143. It has become. A gas supply pipe 144 for supplying nitrogen gas to the load lock chamber 141 and an exhaust pipe 145 for exhausting the load lock chamber 141 to a negative pressure are connected to the pair of side walls of the pressure-resistant housing 140, respectively. Yes.

ロードロック室１４１上方には、処理炉２０２が設けられている。
処理炉２０２の下端部は炉口ゲートバルブ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａの上端部には、炉口ゲートバルブ１４７を処理炉２０２の下端部の開放時に収容する炉口ゲートバルブカバー１４９が取り付けられている。
図６に示されるように、耐圧筐体１４０にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置される。
ボートエレベータ１１５に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成される。
ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成される。 A processing furnace 202 is provided above the load lock chamber 141.
The lower end portion of the processing furnace 202 is configured to be opened and closed by a furnace port gate valve (furnace port opening / closing mechanism) 147. A furnace port gate valve cover 149 that accommodates the furnace port gate valve 147 when the lower end portion of the processing furnace 202 is opened is attached to the upper end portion of the front wall 140 a of the pressure-resistant housing 140.
As shown in FIG. 6, a boat elevator (substrate holder lifting mechanism) 115 for lifting and lowering the boat 217 is installed in the pressure-resistant housing 140.
A seal cap 219 serving as a lid is horizontally installed on an arm 128 serving as a connector connected to the boat elevator 115, and the seal cap 219 supports the boat 217 vertically and closes the lower end of the processing furnace 202. Configured as possible.
The boat 217 includes a plurality of holding members so that a plurality of (for example, about 50 to 125) wafers 200 are horizontally held in a state where their centers are aligned in the vertical direction. Composed.

次に、本発明の基板処理装置の動作について説明する。
図６及び図７に示されるように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。
搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満されることにより酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。 Next, the operation of the substrate processing apparatus of the present invention will be described.
As shown in FIGS. 6 and 7, when the pod 110 is supplied to the load port 114, the pod loading / unloading port 112 is opened by the front shutter 113, and the pod 110 on the load port 114 is moved by the pod transfer device 118. A pod loading / unloading port 112 is loaded into the housing 111.
The loaded pod 110 is automatically transported and delivered by the pod transport device 118 to the designated shelf 117 of the rotary pod shelf 105, temporarily stored, and then one pod opener from the shelf 117. It is conveyed to 121 and transferred to the mounting table 122, or directly transferred to the pod opener 121 and transferred to the mounting table 122. At this time, the wafer loading / unloading port 120 of the pod opener 121 is closed by the cap attaching / detaching mechanism 123, and the transfer chamber 124 is filled with clean air 133. For example, the transfer chamber 124 is filled with nitrogen gas as clean air 133 so that the oxygen concentration is set to 20 ppm or less, which is much lower than the oxygen concentration inside the casing 111 (atmosphere).

載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３により取り外され、ポッド１１０のウエハ出し入れ口が開放される。
また、予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室１４１のウエハ搬入搬出開口１４２がゲートバルブ１４３の動作により開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置１３５にてウエハを整合した後、ウエハ搬入搬出開口１４２を通じてロードロック室１４１に搬入され、ボート２１７へ移載されて装填（ウエハチャージング）される。 The pod 110 mounted on the mounting table 122 is pressed against the opening edge of the wafer loading / unloading port 120 on the front wall 119a of the sub-housing 119, and the cap is removed by the cap attaching / detaching mechanism 123. The wafer loading / unloading port of the pod 110 is opened.
Further, when the wafer loading / unloading opening 142 of the load lock chamber 141 whose interior is previously set at atmospheric pressure is opened by the operation of the gate valve 143, the wafer 200 is removed from the pod 110 by the tweezer 125c of the wafer transfer device 125a. After being picked up through the loading / unloading port and aligned with the notch aligner 135, the wafer is loaded into the load lock chamber 141 through the wafer loading / unloading opening 142, transferred to the boat 217, and loaded (wafer charging).

ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する。
この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載装置１２５ａによるウエハ２００のボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５乃至ロードポット１１４から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。 The wafer transfer device 125 a that has transferred the wafer 200 to the boat 217 returns to the pod 110 and loads the next wafer 200 into the boat 217.
During the loading operation of the wafer 200 to the boat 217 by the wafer transfer device 125a in the one (upper or lower) pod opener 121, the other (lower or upper) pod opener 121 has the rotary pod shelf 105 to the load pot. Another pod 110 is transferred from 114 by the pod transfer device 118, and the opening operation of the pod 110 by the pod opener 121 is simultaneously performed.

予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、ウエハ搬入搬出開口１４２がゲートバルブ１４３によって閉じられ、ロードロック室１４１は排気管１４５から真空引きされることにより、減圧される。
ロードロック室１４１が処理炉２０２内の圧力と同圧に減圧されると、処理炉２０２の下端部が炉口ゲートバルブ１４７によって開放される。このとき、炉口ゲートバルブ１４７は炉口ゲートバルブカバー１４９の内部に搬入されて収容される。
続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５の昇降台１６１によって上昇されて、シールキャップ２１９に支持されたボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されていく。
ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、ボートエレベータ１１５によりボート２１７が引き出され、更に、ロードロック室１４１内部を大気圧に復圧させた後にゲートバルブ１４３が開かれる。その後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハ整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００及びポッド１１０は筐体１１１の外部へ払い出される。 When a predetermined number of wafers 200 are loaded into the boat 217, the wafer loading / unloading opening 142 is closed by the gate valve 143, and the load lock chamber 141 is evacuated by being evacuated from the exhaust pipe 145.
When the load lock chamber 141 is reduced to the same pressure as that in the processing furnace 202, the lower end portion of the processing furnace 202 is opened by the furnace port gate valve 147. At this time, the furnace port gate valve 147 is carried into and stored in the furnace port gate valve cover 149.
Subsequently, the seal cap 219 is lifted by the lift table 161 of the boat elevator 115, and the boat 217 supported by the seal cap 219 is loaded into the processing furnace 202.
After loading, arbitrary processing is performed on the wafer 200 in the processing furnace 202. After the processing, the boat 217 is pulled out by the boat elevator 115, and the gate valve 143 is opened after the pressure inside the load lock chamber 141 is restored to atmospheric pressure. Thereafter, except for the wafer alignment process in the notch alignment device 135, the wafer 200 and the pod 110 are discharged to the outside of the casing 111 in the reverse procedure described above.

＜処理炉＞
図８に示されているように、処理炉２０２は加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
ヒータ２０６の内側には、ヒータ２０６と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３は内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５とから構成されている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ₂）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。 <Processing furnace>
As shown in FIG. 8, the processing furnace 202 includes a heater 206 as a heating mechanism. The heater 206 has a cylindrical shape and is vertically installed by being supported by a heater base 251 as a holding plate.
A process tube 203 as a reaction tube is disposed inside the heater 206 concentrically with the heater 206. The process tube 203 includes an inner tube 204 as an internal reaction tube and an outer tube 205 as an external reaction tube provided on the outer side thereof. The inner tube 204 is made of a heat resistant material such as quartz (SiO ₂ ) or silicon carbide (SiC), and is formed in a cylindrical shape having an upper end and a lower end.

インナーチューブ２０４の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
アウターチューブ２０５は、例えば石英又は炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。
アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。 A processing chamber 201 is formed in the cylindrical hollow portion of the inner tube 204, and is configured so that wafers 200 as substrates can be accommodated in a state of being aligned in multiple stages in a horizontal posture and in a vertical direction by a boat 217 described later.
The outer tube 205 is made of a heat-resistant material such as quartz or silicon carbide, and is formed in a cylindrical shape having an inner diameter larger than the outer diameter of the inner tube 204 and closed at the upper end and opened at the lower end. It is provided in the shape.
A manifold 209 is disposed below the outer tube 205 concentrically with the outer tube 205. The manifold 209 is made of, for example, stainless steel and is formed in a cylindrical shape with an upper end and a lower end opened.

マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５に係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間にはシール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。
マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成される。 The manifold 209 is engaged with the inner tube 204 and the outer tube 205, and is provided so as to support them. An O-ring 220a as a seal member is provided between the manifold 209 and the outer tube 205.
By supporting the manifold 209 on the heater base 251, the process tube 203 is installed vertically. A reaction vessel is formed by the process tube 203 and the manifold 209.

後述するシールキャップ２１９にはガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続されており、ノズル２３０にガス供給管２３２が接続されている。
ガス供給管２３２のノズル２３０との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。 A nozzle 230 as a gas introduction unit is connected to a seal cap 219 described later so as to communicate with the inside of the processing chamber 201, and a gas supply pipe 232 is connected to the nozzle 230.
A processing gas supply source and an inert gas supply source (not shown) are connected to an upstream side of the gas supply pipe 232 opposite to the connection side with the nozzle 230 via an MFC (mass flow controller) 241 as a gas flow rate controller. Has been. A gas flow rate control unit 235 is electrically connected to the MFC 241 and is configured to control at a desired timing so that the flow rate of the supplied gas becomes a desired amount.
The manifold 209 is provided with an exhaust pipe 231 that exhausts the atmosphere in the processing chamber 201. The exhaust pipe 231 is disposed at the lower end portion of the cylindrical space 250 formed by the gap between the inner tube 204 and the outer tube 205 and communicates with the cylindrical space 250.

排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ２４５及び圧力調整装置２４２を介して真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるように真空排気し得るように構成されている。
圧力調整装置２４２及び圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されており、圧力制御部２３６は圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいて圧力調整装置２４２により処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。 A vacuum exhaust device 246 such as a vacuum pump is connected to the downstream side of the exhaust pipe 231 opposite to the connection side with the manifold 209 via a pressure sensor 245 and a pressure adjustment device 242 as a pressure detector. The chamber 201 is configured to be evacuated so that the pressure in the chamber 201 becomes a predetermined pressure (degree of vacuum).
A pressure control unit 236 is electrically connected to the pressure adjustment device 242 and the pressure sensor 245, and the pressure control unit 236 is operated by the pressure adjustment device 242 in the processing chamber 201 based on the pressure detected by the pressure sensor 245. Control is performed at a desired timing so that the pressure becomes a desired pressure.

マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９はマニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。
シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。
シールキャップ２１９の上面にはマニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられる。
シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボート２１７を回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通して、後述するボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。 Below the manifold 209, a seal cap 219 is provided as a furnace port lid that can airtightly close the lower end opening of the manifold 209. The seal cap 219 is brought into contact with the lower end of the manifold 209 from the lower side in the vertical direction.
The seal cap 219 is made of a metal such as stainless steel and has a disk shape.
On the upper surface of the seal cap 219, an O-ring 220b is provided as a seal member that contacts the lower end of the manifold 209.
A rotation mechanism 254 that rotates the boat 217 is installed on the side of the seal cap 219 opposite to the processing chamber 201. A rotation shaft 255 of the rotation mechanism 254 passes through the seal cap 219 and is connected to a boat 217 described later, and is configured to rotate the wafer 200 by rotating the boat 217.

シールキャップ２１９はプロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。
回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を備えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なお、ボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるよう構成されている。 The seal cap 219 is configured to be lifted vertically by a boat elevator 115 as a lifting mechanism vertically installed outside the process tube 203, and thereby the boat 217 is carried into and out of the processing chamber 201. Is possible.
A drive control unit 237 is electrically connected to the rotation mechanism 254 and the boat elevator 115, and is configured to control at a desired timing so as to perform a desired operation.
The boat 217 as a substrate holder is made of a heat-resistant material such as quartz or silicon carbide, and is configured to hold a plurality of wafers 200 in a horizontal posture and in a state of being centered with each other and held in multiple stages. ing. In addition, a plurality of heat insulating plates 216 as a disk-shaped heat insulating member made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide are arranged in a plurality of stages in a horizontal posture at the lower part of the boat 217, Heat is configured not to be transmitted to the manifold 209 side.

プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。
ヒータ２０６と温度センサ２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。
これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９はコントローラ（以下、装置コントローラという）２４０として構成されている。 A temperature sensor 263 is installed in the process tube 203 as a temperature detector.
A temperature control unit 238 is electrically connected to the heater 206 and the temperature sensor 263, and the temperature in the processing chamber 201 is adjusted by adjusting the power supply to the heater 206 based on the temperature information detected by the temperature sensor 263. Is controlled at a desired timing so as to have a desired temperature distribution.
The gas flow rate control unit 235, the pressure control unit 236, the drive control unit 237, and the temperature control unit 238 also constitute an operation unit and an input / output unit, and are electrically connected to a main control unit 239 that controls the entire substrate processing apparatus. ing.
The gas flow rate control unit 235, the pressure control unit 236, the drive control unit 237, the temperature control unit 238, and the main control unit 239 are configured as a controller (hereinafter referred to as an apparatus controller) 240.

次に、上記構成に係る処理炉２０２を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＣＶＤ法によりウエハ２００上に薄膜を形成する方法について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作は装置コントローラ２４０により制御される。
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図８に示されるように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。
この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。 Next, a method of forming a thin film on the wafer 200 by the CVD method as one step of the semiconductor device manufacturing process using the processing furnace 202 having the above configuration will be described. In the following description, the operation of each part constituting the substrate processing apparatus 100 is controlled by the apparatus controller 240.
When a plurality of wafers 200 are loaded into the boat 217 (wafer charge), the boat 217 holding the plurality of wafers 200 is lifted by the boat elevator 115 and loaded into the processing chamber 201 as shown in FIG. (Boat loading).
In this state, the seal cap 219 seals the lower end of the manifold 209 via the O-ring 220b.

処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置２４６によって真空排気される、この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調整装置２４２が、フィードバック制御される。また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。
この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転される。 The processing chamber 201 is evacuated by the evacuation device 246 so that the inside of the processing chamber 201 has a desired pressure (degree of vacuum). At this time, the pressure in the processing chamber 201 is measured by the pressure sensor 245, and the measured pressure is Based on this, the pressure adjusting device 242 is feedback-controlled. Further, the inside of the processing chamber 201 is heated by the heater 206 so as to have a desired temperature.
At this time, the power supply to the heater 206 is feedback-controlled based on the temperature information detected by the temperature sensor 263 so that the inside of the processing chamber 201 has a desired temperature distribution. Subsequently, the wafer 200 is rotated by rotating the boat 217 by the rotation mechanism 254.

次いで、処理ガス供給源から供給され、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２を流通してノズル２３０から処理室２０１内に導入される。
導入されたガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出して排気管２３１から排気される。
ガスは処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。 Next, the gas supplied from the processing gas supply source and controlled to have a desired flow rate by the mass flow controller (MFC) 241 is introduced into the processing chamber 201 from the nozzle 230 through the gas supply pipe 232. .
The introduced gas rises in the processing chamber 201, flows out from the upper end opening of the inner tube 204 into the cylindrical space 250, and is exhausted from the exhaust pipe 231.
The gas comes into contact with the surface of the wafer 200 when passing through the processing chamber 201, and at this time, a thin film is deposited on the surface of the wafer 200 by a thermal CVD reaction.

予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、マニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ２００がボート２１７に保持された状態でマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済のウエハ２００はボート２１７より取り出される（ウエハディスチャージ）。 When a preset processing time has passed, an inert gas is supplied from an inert gas supply source, the inside of the processing chamber 201 is replaced with an inert gas, and the pressure in the processing chamber 201 is returned to normal pressure. .
Thereafter, the seal cap 219 is lowered by the boat elevator 115, the lower end of the manifold 209 is opened, and the processed wafer 200 is carried out from the lower end of the manifold 209 to the outside of the process tube 203 while being held by the boat 217. (Boat unloading). Thereafter, the processed wafer 200 is taken out from the boat 217 (wafer discharge).

＜データチェックシステム＞
次に、図１乃至図５を参照して本実施の形態に係る基板処理装置のデータチェックシステムについて説明する。
図１においては、簡便のため、前記ガス流量制御部２３５、前記圧力制御部２３６、前記駆動制御部２３７、前記温度制御部２３８等の装置側モジュールを装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）で表し、各装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）に接続される温度センサ２６３、圧力センサ２４５、ガス流量計としてのマスフローコントローラ２４１、弁、アクチュエータ等の基板処理系、基板搬送系のポジションセンサをそれぞれセンサ［Ａａ］〜［Ａｚ］，［Ｂａ］〜［Ｂｚ］，・・・，［Ｚａ］〜［Ｚｚ］で表している。 <Data check system>
Next, a data check system of the substrate processing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.
In FIG. 1, for the sake of simplicity, the apparatus side modules (A) to (Z) include apparatus side modules such as the gas flow rate control unit 235, the pressure control unit 236, the drive control unit 237, and the temperature control unit 238. A temperature sensor 263, a pressure sensor 245, a mass flow controller 241 as a gas flow meter, a substrate processing system such as a valve and an actuator, and a position sensor for a substrate transport system, which are connected to each device side module (A) to (Z). Sensors [Aa] to [Az], [Ba] to [Bz],..., [Za] to [Zz], respectively.

図１は、装置コントローラ及びデータチェックシステムの一例を示す解説図である。図示されるように、データチェックを実施するためのチェックモジュールＭ２は、実施の形態では、例えば、前記装置コントローラ２４０で構成される。各センサ［Ａａ］〜［Ａｚ］，［Ｂａ］〜［Ｂｚ］，・・・，［Ｚａ］〜［Ｚｚ］は、それぞれ通信回線を介して対応する装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）に接続される。 FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating an example of a device controller and a data check system. As shown in the figure, the check module M2 for performing the data check is configured by the device controller 240 in the embodiment, for example. The sensors [Aa] to [Az], [Ba] to [Bz],..., [Za] to [Zz] are respectively connected to the corresponding device side modules (A) to (Z) via communication lines. Connected.

チェックモジュールＭ２としての装置コントローラ２４０にはモニタが接続される。モニタに表示される操作画面、モニタ画面やレシピ選択・実行画面等の画面データやレシピ等の前記基板処理装置１００の制御に必要なプログラムやテーブルは、装置コントローラ２４０の固定記憶装置に格納される。
装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）は、データ通信による制御、モニタのための前記チェックモジュールとしての装置コントローラ２４０に図示されていない通信回線を介して接続されている。 A monitor is connected to the device controller 240 as the check module M2. Programs and tables necessary for controlling the substrate processing apparatus 100 such as screen data such as operation screens, monitor screens and recipe selection / execution screens displayed on the monitor, recipes, and the like are stored in a fixed storage device of the apparatus controller 240. .
The apparatus side modules (A) to (Z) are connected to an apparatus controller 240 as a check module for control and monitoring by data communication via a communication line (not shown).

＜データ蓄積プログラム＞
データ蓄積プログラムは通信プログラムと通信しており、各センサ［Ａａ］〜［Ａｚ］，［Ｂａ］〜［Ｂｚ］，・・・，［Ｚａ］〜［Ｚｚ］からの信号値や装置コントローラ２４０が付加するレシピなどの情報を蓄積データベースに蓄積する。 <Data storage program>
The data storage program communicates with the communication program, and signal values from the sensors [Aa] to [Az], [Ba] to [Bz],..., [Za] to [Zz] Information such as recipes to be added is stored in the storage database.

＜演算モジュール：第１の実施形態＞
演算モジュールは、期間選択処理手段を設け、これにより後述するような代表値化するための期間を設定する。又、期間選択処理手段で設定した期間の各センサからの信号値を演算する演算手段を有する。
演算モジュールＭ１はサーバーで実行し、常に起動した状態となっている。
演算モジュールＭ１の第１の実施形態について説明する。
演算モジュールＭ１は蓄積データベースと通信し、定期的にレシピの状態遷移、レシピ名称、レシピステップの状態遷移、レシピステップ名称などのレシピ制御情報を監視している。 <Calculation Module: First Embodiment>
The arithmetic module is provided with period selection processing means, and thereby sets a period for making a representative value as described later. In addition, there is a calculation means for calculating the signal value from each sensor during the period set by the period selection processing means.
The arithmetic module M1 is executed by the server and is always activated.
A first embodiment of the arithmetic module M1 will be described.
The arithmetic module M1 communicates with the accumulation database and periodically monitors recipe control information such as recipe state transition, recipe name, recipe step state transition, and recipe step name.

あらかじめ登録しておいたレシピ名称、レシピステップ名称と合致したレシピステップが終了すると、そのレシピステップの開始時刻から終了時刻までの期間における１つのセンサの値を１つの値に代表値化する演算処理（後述）を複数の各センサ［Ａａ］〜［Ａｚ］，［Ｂａ］〜［Ｂｚ］，・・・，［Ｚａ］〜［Ｚｚ］のすべて、あるいは一部について行う。また、代表値にするための計算方法も１つでなくてもよい。
レシピステップの開始時刻から終了時刻までの期間のセンサからの信号値は演算することが可能な程度のデータ点数である。 When a recipe step that matches a pre-registered recipe name and recipe step name is completed, a calculation process for representing one sensor value as a representative value in the period from the start time to the end time of the recipe step (Described later) is performed for all or a part of the plurality of sensors [Aa] to [Az], [Ba] to [Bz], ..., [Za] to [Zz]. Further, the calculation method for obtaining the representative value may not be one.
The signal value from the sensor during the period from the start time to the end time of the recipe step is the number of data points that can be calculated.

レシピ名称、レシピステップ名称の文字列の完全一致、部分一致を複数指定し、それらの論理和、論理積、否定を組み合わせる条件を設定することができ、図２に示されるように、この条件を満たすレシピのステップのみセンサの値（センサからの信号値）を演算する。
このとき、前記条件判定を行わなかった場合について考えられる信号値のグラフ例を図３に、前記条件判定を行った場合について考えられるグラフ例を図４にそれぞれ示す。
これにより、同じ基板処理工程を行っているときのみの各センサ［Ａａ］〜［Ａｚ］，［Ｂａ］〜［Ｂｚ］，・・・，［Ｚａ］〜［Ｚｚ］の値のすべて、あるいは一部を代表値化することができる。
代表値化した値は演算モジュールＭ１が実行されているサーバーのハードディスク等の保存媒体に代表値データベースとして格納する。 You can specify multiple combinations of recipe name, recipe step name character string, partial match, and set conditions to combine their logical sum, logical product, and negation. As shown in FIG. The sensor value (signal value from the sensor) is calculated only for the recipe step to be satisfied.
At this time, a graph example of signal values that can be considered when the condition determination is not performed is shown in FIG. 3, and a graph example that can be considered when the condition determination is performed is shown in FIG.
Thus, all or one value of each of the sensors [Aa] to [Az], [Ba] to [Bz],..., [Za] to [Zz] only when the same substrate processing step is performed. The part can be represented as a representative value.
The representative value is stored as a representative value database in a storage medium such as a hard disk of a server in which the arithmetic module M1 is executed.

＜演算モジュール：第１の実施形態（代表値化の例）＞
次に代表値化の例を示す。代表値化する値の種類を代表値と呼ぶ。
最大値は期間選択処理手段で得た期間範囲内における最大のセンサ値とする。
最小値は期間選択処理手段で得た期間範囲内における最小のセンサ値とする。
平均値は期間選択処理手段で得た期間範囲内において、センサ値のデータをデータ点数で除した値、あるいはセンサ値の和をデータ点数で除した値とする。
平均値を演算する際に、センサ値が一定間隔で存在しない場合は、センサ値を時系列的に定周期になるようセンサ値を補間した値をセンサ値のデータとして扱う。
最大値、最小値を演算することで、特異点の検出が可能となり、平均値を演算することで、長期的な傾向の変化を捉えることができる。 <Calculation Module: First Embodiment (Example of Representative Value)>
Next, an example of representative values is shown. The type of value to be represented is called a representative value.
The maximum value is the maximum sensor value within the period range obtained by the period selection processing means.
The minimum value is the minimum sensor value within the period range obtained by the period selection processing means.
The average value is a value obtained by dividing the sensor value data by the number of data points or a value obtained by dividing the sum of the sensor values by the number of data points within the period range obtained by the period selection processing means.
When the average value is calculated, if the sensor value does not exist at a constant interval, a value obtained by interpolating the sensor value so that the sensor value becomes a fixed period in time series is handled as sensor value data.
By calculating the maximum value and the minimum value, it becomes possible to detect a singular point, and by calculating the average value, it is possible to catch a long-term trend change.

＜演算モジュール：第１の実施形態（検知例）＞
劣化によるヒータの断線を検知する手法の一例として、プロセス中のステップを指定してヒータの抵抗値の平均値を代表値に指定し、演算結果を代表値データベースに格納する。代表値の時系列推移は抵抗が徐々に上昇していく傾向が捉えられると考えられる。
一方で、過電流によるヒータ断線を検知する手法の一例として、プロセス中のステップを指定して、ヒータの抵抗値の最大値を代表値に指定し、演算結果を代表値データベースに格納する。代表値の時系列推移は突発的に上昇するタイミングが発生すると考えられる。
また、マスフローの劣化を検知する手法の一例として、そのマスフローが流量制御しているステップを指定して、マスフローの制御電圧の平均値を代表値に指定し、演算結果を代表値データベースに格納する。ノーマリオープンかノーマリクローズにより変化する電圧の変化が異なるが、代表値の時系列推移は変化していくと考えられる。 <Calculation Module: First Embodiment (Detection Example)>
As an example of a technique for detecting disconnection of a heater due to deterioration, a step in the process is designated, an average value of resistance values of the heater is designated as a representative value, and a calculation result is stored in a representative value database. It is thought that the trend of the representative value over time shows a tendency for resistance to gradually increase.
On the other hand, as an example of a technique for detecting heater breakage due to overcurrent, a step in the process is designated, the maximum value of the resistance value of the heater is designated as a representative value, and the calculation result is stored in a representative value database. The time series transition of the representative value is considered to have a sudden rise timing.
In addition, as an example of a technique for detecting mass flow deterioration, a step in which the mass flow is controlled is designated, the average value of the mass flow control voltage is designated as the representative value, and the calculation result is stored in the representative value database. . Although the change in voltage varies depending on whether normally open or normally closed, the time-series transition of the representative value is considered to change.

＜演算モジュール：第２の実施形態＞
次に第２の実施形態について説明する。
第１の実施形態とは異なり、レシピの内容にかかわらず、図５に示されるように、定周期の範囲（３０分〜１日）でセンサからの信号値を代表値化する。
第２の実施形態では、レシピ制御情報の監視にかかわらず一定時刻に達したときに、指定した定周期の範囲までさかのぼった期間のセンサからの信号値を演算する。
定周期代表値化は、プロセスの違いに依存せず変化する、あるいは、依存すべきではないと考えられるガスの元圧や基板処理装置周囲の気圧などといった値の長期変化や突発的な変化を捉えることができる。尚、演算モジュールＭ１で行う代表値化の演算をチェックモジュールＭ２で実施させるように、別体では一体となるような構成でも構わない。 <Calculation Module: Second Embodiment>
Next, a second embodiment will be described.
Unlike the first embodiment, regardless of the content of the recipe, as shown in FIG. 5, the signal value from the sensor is represented as a representative value within a fixed period range (30 minutes to 1 day).
In the second embodiment, when a predetermined time is reached regardless of the monitoring of the recipe control information, the signal value from the sensor in the period going back to the range of the specified fixed period is calculated.
The fixed period representative value changes without depending on the difference in the process, or changes in values such as the gas source pressure and the atmospheric pressure around the substrate processing equipment that are supposed to be not dependent on the long-term change or sudden change. Can be caught. It should be noted that a separate unit may be configured so that the representative value calculation performed by the calculation module M1 is performed by the check module M2.

＜チェックモジュール＞
チェックモジュールＭ２は代表値データベースと通信して、代表値が事前に設定しておいた値を上回る、若しくは下回ったときに異常と判定し、サーバーとネットワークを介して接続されているコンピュータ（以下、クライアントコンピュータという）のモニタに異常があった旨を異常が発生した時刻、異常が発生したセンサの所在とともに通知する。また、異常の判定にＳＰＣ（ＳｔａｔｉｓｔｉｃａｌＰｒｏｃｅｓｓＣｏｎｔｒｏｌ）の様な傾向監視をすることも可能である。
チェックモジュールＭ２から異常を通知されたクライアントコンピュータで、ユーザーがそのときの代表値データの推移やチェック結果を表示しようとすると、代表値データベース及びチェック結果を取得する。 <Check module>
The check module M2 communicates with the representative value database, determines that an abnormality occurs when the representative value exceeds or falls below a preset value, and is connected to a server (hereinafter referred to as a computer) connected to the server via a network. A notification that there is an abnormality in the monitor of the client computer) and the location of the sensor in which the abnormality occurred are notified. It is also possible to monitor trends such as SPC (Statistical Process Control) to determine abnormality.
When the user is notified of an abnormality from the check module M2, when the user tries to display the transition of the representative value data and the check result at that time, the representative value database and the check result are acquired.

このとき、クライアントコンピュータはデータ件数が膨大にある蓄積データベースにはアクセスせず、代表値データベース及びチェック結果のみ参照することになるため、クライアントコンピュータにはＣＰＵの演算量が低減でき、取得するデータ量も減らせるためメモリ消費も抑えることができる。
また、代表値データベースは生成条件を満たすたびに代表値を追加書き込みするため、結果の再表示を行うときも代表値の再生成を行わないため高速表示が可能となる。
これにより、そのセンサの所在している部品の健常性に疑義があることを容易にユーザーに伝えることができる。
なお、通知画面に表示される異常発生時刻からそのときの時系列変化のグラフへ遷移することも可能とし、このとき、初めて蓄積データベースにアクセスすることも可能とする。 At this time, since the client computer does not access the accumulated database having a large number of data items and refers only to the representative value database and the check result, the amount of data to be acquired can be reduced in the client computer. Memory consumption can also be reduced.
In addition, since the representative value database additionally writes the representative value every time the generation condition is satisfied, the representative value is not regenerated even when the result is redisplayed, thereby enabling high-speed display.
Thereby, it is possible to easily inform the user that there is a doubt about the health of the part where the sensor is located.
Note that it is also possible to make a transition from the abnormality occurrence time displayed on the notification screen to a graph of the time series change at that time, and at this time, it is also possible to access the storage database for the first time.

本発明の実施の形態では、半導体製造装置として縦型の基板処理装置を説明したが枚葉式の基板処理装置や横型の基板処理装置にも適用できる。また基板（ウエハ）を処理する半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する処理装置にも適用することができる。
このように、本発明の種々の改変が可能であり、本発明はこのように改変された発明に及ぶことは当然である。 In the embodiment of the present invention, a vertical substrate processing apparatus has been described as a semiconductor manufacturing apparatus, but the present invention can also be applied to a single-wafer type substrate processing apparatus or a horizontal substrate processing apparatus. Further, it can be applied not only to a semiconductor manufacturing apparatus for processing a substrate (wafer) but also to a processing apparatus for processing a glass substrate such as an LCD device.
Thus, various modifications of the present invention are possible, and the present invention naturally extends to the invention modified in this way.

１００基板処理装置、２００ウエハ、２３５ガス流量制御部、２３６圧力制御部、２３７駆動制御部、２３８温度制御部、２４０装置コントローラ、２４１マスフローコントローラ、２４５圧力センサ、２６３温度センサ、Ａａ〜Ａｚ，Ｂａ〜Ｂｚ，・・・，Ｚａ〜Ｚｚセンサ、Ｍ１演算モジュール、Ｍ２チェックモジュール。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Substrate processing apparatus, 200 wafer, 235 Gas flow control part, 236 Pressure control part, 237 Drive control part, 238 Temperature control part, 240 Apparatus controller, 241 Mass flow controller, 245 Pressure sensor, 263 Temperature sensor, Aa-Az, Ba -Bz, ..., Za-Zz sensor, M1 calculation module, M2 check module.

Claims

A device-side module that acquires sensor and controller signal values;
An arithmetic module that converts these signal values into representative values for each processing unit managed by the device-side module, or for each fixed period;
A substrate processing apparatus comprising: a check module that checks a representative value obtained by the arithmetic module.